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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2025-02-12
(54)【発明の名称】ペリクルクリーニングシステム
(51)【国際特許分類】
G03F 1/82 20120101AFI20250204BHJP
B08B 7/02 20060101ALI20250204BHJP
G03F 1/62 20120101ALN20250204BHJP
【ＦＩ】
G03F1/82
B08B7/02
G03F1/62
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2024540542
(86)(22)【出願日】2023-01-05
(85)【翻訳文提出日】2024-08-27
(86)【国際出願番号】 EP2023050198
(87)【国際公開番号】W WO2023143887
(87)【国際公開日】2023-08-03
(31)【優先権主張番号】22153208.8
(32)【優先日】2022-01-25
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(31)【優先権主張番号】22183953.3
(32)【優先日】2022-07-08
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(31)【優先権主張番号】22188666.6
(32)【優先日】2022-08-04
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】504151804
【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
(74)【代理人】
【識別番号】100079108
【弁理士】
【氏名又は名称】稲葉 良幸
(74)【代理人】
【識別番号】100109346
【弁理士】
【氏名又は名称】大貫 敏史
(74)【代理人】
【識別番号】100117189
【弁理士】
【氏名又は名称】江口 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134120
【弁理士】
【氏名又は名称】内藤 和彦
(72)【発明者】
【氏名】テ スライテ，エドウィン
(72)【発明者】
【氏名】クライン，アレクサンダー，ルードウィク
(72)【発明者】
【氏名】ヴァーミューレン，ポール，アレクサンダー
(72)【発明者】
【氏名】ウルフ，アブラハム，ヤン
(72)【発明者】
【氏名】グリシン，イリヤ
【テーマコード（参考）】
2H195
3B116
【Ｆターム（参考）】
2H195BA10
2H195BC32
2H195BC36
2H195BD08
2H195BD13
2H195BD17
2H195BD34
2H195BD35
2H195CA22
3B116AA46
3B116AB01
3B116BC01
3B116BC05
(57)【要約】
ペリクル、レチクル、ウェーハ、又は別のリソグラフィコンポーネント等、リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントをクリーニングするためのクリーニングシステムは、コンポーネントに熱機械振動を引き起こすため、及び／又は、コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、使用時にコンポーネントの領域を照射するよう構成された少なくとも１つの放射放出器を備える。
【選択図】 図７
【選択図】 図７
【特許請求の範囲】
【請求項1】
リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントをクリーニングするためのクリーニングシステムであって、前記コンポーネントに熱機械振動を引き起こすため、及び／又は、
前記コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、
使用時に前記コンポーネントの領域を照射するよう構成された少なくとも１つの放射放出器を備える、クリーニングシステム。
【請求項2】
リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントの構造的完全性を試験するためのシステムであって、前記コンポーネントに熱機械振動を引き起こすため、使用時に前記コンポーネントの領域を照射するよう構成された少なくとも１つの放射放出器を備える、システム。
【請求項3】
前記コンポーネントはペリクルである、請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項4】
前記コンポーネントを保持するように構成されたホルダを更に備える、請求項１から３のいずれかに記載のシステム。
【請求項5】
前記少なくとも１つの放射放出器は、前記コンポーネントに熱機械振動を引き起こすため、使用時に前記コンポーネントの領域を照射するよう構成されたヒータを含む、請求項１から４のいずれかに記載のシステム。
【請求項6】
前記ヒータはレーザである、請求項５に記載のシステム。
【請求項7】
前記ヒータによって与えられる放射は３００ＧＨｚから４３００ＴＨｚの周波数を有する、請求項５又は６に記載のシステム。
【請求項8】
前記ヒータによって与えられる放射は１ｍＷから２００Ｗの平均電力を有する、請求項５から７のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項9】
前記ヒータによって与えられる放射はパルス状である、請求項５から８のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項10】
前記放射は１Ｈｚから１ＭＨｚのパルス周波数を有する、請求項９に記載のシステム。
【請求項11】
前記放射の各パルスは１ｆｓから１０μｓの持続時間を有する、請求項９又は１０に記載のシステム。
【請求項12】
前記ホルダは、前記コンポーネントからクリーニングされる汚染物質が前記重力下で前記コンポーネントの付近から除去されるように位置決めされている、請求項４から１１のいずれかに記載のシステム。
【請求項13】
前記ヒータは複数の放射ビームを与えるように構成されている、請求項５から１２のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項14】
前記ヒータは、前記複数の放射ビームのうち１つ以上を発生させるため複数のヒータを含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項15】
前記ヒータは、前記複数の放射ビームのうち１つ以上を発生させるため１つ以上のビーム分割及び／又は方向転換光学系を含む、請求項１３又は１４に記載のシステム。
【請求項16】
前記ホルダは複数のホルダのうち１つであり、前記ヒータは、使用時に複数のコンポーネントの各々の領域を加熱するように構成され、前記複数のコンポーネントの各々は前記複数のホルダのうち１つに保持されている、請求項４に従属する請求項５から１５のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項17】
使用時に前記複数の放射ビームのうち異なるものがそれぞれ前記複数のコンポーネントのうち異なるものに入射するように構成されている、請求項１３から１５のいずれか一項に従属する請求項１６に記載のシステム。
【請求項18】
前記ヒータは、前記複数のコンポーネントのうち異なるものを異なる波長によって加熱するように構成されている、請求項１６に記載のシステム。
【請求項19】
前記少なくとも１つの放射放出器は、前記コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、使用時に前記コンポーネントの領域をイオンで照射するよう構成されたイオン源を含む、請求項１から１８のいずれかに記載のシステム。
【請求項20】
前記イオン源は、前記コンポーネントの第２の側に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、使用時に前記コンポーネントの第１の側の領域をイオンで照射するよう構成されている、請求項１９に記載のシステム。
【請求項21】
前記イオン源は、前記コンポーネントの第１の側に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、使用時に前記コンポーネントの前記第１の側の領域をイオンで照射するよう構成されている、請求項１９又は２０に記載のシステム。
【請求項22】
前記少なくとも１つの放射放出器は、前記コンポーネントに熱機械振動を引き起こすため、使用時に前記コンポーネントの領域を加熱するよう構成されたヒータと、
前記コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、使用時に前記コンポーネントの領域をイオンで照射するよう構成されたイオン源と、
を含む、請求項１から２１のいずれかに記載のシステム。
【請求項23】
筐体を更に備え、前記放射放出器及び前記ホルダは前記筐体内に収容されている、請求項３から２２のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項24】
前記筐体はロードロックチャンバを含む、請求項２３に記載のシステム。
【請求項25】
真空ポンプを更に備える、請求項２３又は２４に記載のシステム。
【請求項26】
汚染物質を除去するためガス排出部を更に備える、請求項１から２５のいずれかに記載のシステム。
【請求項27】
前記放射放出器によって放出された放射を測定するためのメトロロジを更に備える、請求項１から２６のいずれかに記載のシステム。
【請求項28】
前記コンポーネント上の又は前記コンポーネントから除去された汚染を測定するためのメトロロジを更に備える、請求項１から２７のいずれかに記載のシステム。
【請求項29】
前記放射のスリット幅を第１のスリット幅と第２のスリット幅との間に調整するためアジャスタを備える、請求項１から２８のいずれかに記載のシステム。
【請求項30】
リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントをクリーニングする方法であって、前記コンポーネントに熱機械振動を誘発するため、及び／又は、
前記コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、
前記コンポーネントの領域を照射することを含む、方法。
【請求項31】
リソグラフィ処理に関連するコンポーネントの前記構造的完全性を試験する方法であって、前記コンポーネントに熱機械振動を誘発するため前記コンポーネントの領域を照射することを含む、方法。
【請求項32】
前記コンポーネントの前記領域を照射することは、前記コンポーネントに熱機械振動を誘発するため前記コンポーネントの前記領域を加熱することを含む、請求項３０又は３１に記載の方法。
【請求項33】
加熱することはパルスヒータの１つ以上のパルスを提供することを含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項34】
前記コンポーネントの前記領域を加熱することは２０秒から１時間までの時間にわたって実行される、請求項３２又は３３に記載の方法。
【請求項35】
放射によって前記コンポーネントを加熱することは、２０秒から１時間まで前記コンポーネントの第２の領域を加熱することを更に含む、請求項３２、３３、又は３４に記載の方法。
【請求項36】
前記コンポーネントの領域を照射することは、前記コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため前記コンポーネントの前記領域をイオンで照射することを含む、請求項３０から３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項37】
前記コンポーネントの領域を照射することは、前記コンポーネントの第２の側に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため前記コンポーネントの第１の側の領域をイオンで照射することを含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項38】
前記コンポーネントの領域を照射することは、前記コンポーネントの第１の側に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため前記コンポーネントの前記第１の側の領域をイオン源で照射することを含む、請求項３６又は３７に記載の方法。
【請求項39】
前記方法は、第１のスリット幅を有する放射で前記コンポーネントを照射することと、
第２のスリット幅を有する放射で第２のコンポーネントを照射することと、
を含む、請求項３０から３８のいずれかに記載の方法。
【請求項40】
前記方法は、第１のスリット幅を有する放射で前記コンポーネントを照射することによって、前記コンポーネントの前記構造的完全性を試験することと、
前記放射の前記スリット幅を前記第１のスリット幅から第２のスリット幅に狭くすることと、
前記第２のスリット幅を有する放射で前記コンポーネントを照射することによって、前記コンポーネントをクリーニングすることと、
を含む、請求項３０から３８のいずれかに記載の方法。
【請求項41】
請求項３０から４０のいずれかに記載の方法を実行するように請求項１から２９のいずれかに記載のシステムを制御するよう構成されたコントローラ。
【請求項42】
請求項３０から４０のいずれかに記載の方法に従ってクリーニング又は試験が行われるコンポーネント。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
（関連出願の相互参照）
[0001] 本出願は、２０２２年１月２５日に出願された欧州特許出願２２１５３２０８．８号、２０２２年７月８日に出願された欧州特許出願２２１８３９５３．３号、及び、２００２年８月４日に出願された欧州特許出願２２１８８６６６．６号の優先権を主張する。これらの出願は援用により全体が本願に含まれる。
[0001] 本出願は、２０２２年１月２５日に出願された欧州特許出願２２１５３２０８．８号、２０２２年７月８日に出願された欧州特許出願２２１８３９５３．３号、及び、２００２年８月４日に出願された欧州特許出願２２１８８６６６．６号の優先権を主張する。これらの出願は援用により全体が本願に含まれる。
【0002】
[0002] 本発明は、リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントを洗浄するためのクリーニングシステムと、放射を用いてコンポーネントに熱機械振動を引き起す及び／又はコンポーネント上に存在する汚染のスパッタリングを誘発する方法と、に関する。
【背景技術】
【0003】
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。リソグラフィ装置は、例えばパターニングデバイス（例えば、レチクルとも呼ばれるマスク）からのパターンを、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層に投影することができる。
【0004】
[0004] 基板上にパターンを投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を使用することができる。この放射の波長は、基板上に形成可能なフィーチャの最小サイズを決定する。４～２０ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍ又は１３．５ｎｍの波長を有する極端紫外線（ＥＵＶ）放射を使用するリソグラフィ装置は、例えば１９３ｎｍの波長を有する放射を使用するリソグラフィ装置よりも小さいフィーチャを基板上に形成するのに使用することができる。
【0005】
[0005] パターニングデバイスは通常、ペリクルによって保護される。ペリクルは、リソグラフィ放射に対して実質的に透明な薄い膜を含む。ペリクルは、粒子（及びその他の汚染物質）がパターニングデバイス上に落ちること又は他の手法でパターニングデバイスを汚染することを防止する。長期間の使用によって、例えばペリクル及び／又はリソグラフィ装置によりパターン形成される基板のようなリソグラフィ装置のコンポーネント上に、粒子（パターニングデバイスを汚染することが防止される）が蓄積する。（例えば）ペリクル上に粒子が蓄積すると、基板上に生成されるパターンに欠陥が生じる可能性がある。
【0006】
[0006] いくつかのリソグラフィ装置では、基板テーブル上に基板の複数のウェーハが一度に搭載され、単一のパターニングデバイスによってパターン形成される。そのようなリソグラフィ装置では、レチクルレベルで単一の欠陥があると、基板の各ウェーハに生成されるパターンに、対応する欠陥が生じる恐れがある。
【0007】
[0007] また、汚染物質は、リソグラフィ装置の他のコンポーネント上に蓄積して、同様の又は他の手段によってウェーハ上に生成されるパターンに欠陥を引き起こす場合がある。
【0008】
[0008] リソグラフィ装置で使用する前に、ペリクルは構造的完全性について試験を行うことができる。試験は、ペリクルの膜の各側に周囲圧力の比較的小さい差を与えることを含み得る。圧力はペリクルの変形を誘発し得る。変形は静的変形である、すなわち、圧力が加えられている時間中はほぼ一定である可能性がある。ペリクルの構造的完全性が必要レベルよりも低い場合、ペリクルは破損する恐れがある。このように変形を誘発することでは、ペリクルの全表面にわたって同様にペリクルの構造的完全性を試験することはできない可能性がある。その結果、構造的完全性の試験に合格したペリクルがリソグラフィ装置の使用中に破損することがあり、そのため、意図した通りにリソグラフィ装置を使用できない時間期間が生じる恐れがある。
【0009】
[0009] 本開示で記載されている技法の１つの目的は、本明細書で述べられている問題の１つ以上を回避又は軽減することである。
【発明の概要】
【0010】
[00010] 本明細書に記載されている例において、リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントをクリーニングするためのクリーニングシステムは、コンポーネントに熱機械振動を引き起こすため、及び／又はコンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、使用時にコンポーネントの領域を照射するよう構成された少なくとも１つの放射放出器を備える。有利には、クリーニングシステムはコンポーネントのクリーニングを可能とすることができる。
【0011】
[00011] 本明細書に記載されている別の例において、リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントの構造的完全性を試験するためのシステムは、コンポーネントに熱機械振動を引き起こすため、使用時にコンポーネントの領域を照射するよう構成された少なくとも１つの放射放出器を備える。有利には、コンポーネントの構造的完全性の試験は、コンポーネントの最大抗張力を示すことができる。試験は破壊試験とすればよい。有利には、試験によって、欠陥のあるコンポーネントの使用がもたらす負の結果を回避できる。
【0012】
[00012] コンポーネントは、リソグラフィ装置、リソグラフィツール、又はメトロロジツールで用いるために構成されたコンポーネントとすればよい。コンポーネントは、リソグラフィ装置によってパターン形成されるように構成された基板、又はリソグラフィ装置によってすでにパターン形成された基板とすればよい。また、コンポーネントは、例えばレチクルポッド又はペリクルポッドのような、リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントを格納及び／又は移送するためのコンポーネントであってもよい。リソグラフィ装置及び／又はリソグラフィプロセスは、ＤＵＶ又はＥＵＶ放射を用い得る。例えばコンポーネントは、レチクル、ペリクル、レチクルクランプ、又はペリクルフレームとすることができる。コンポーネントは有限の熱膨張係数を有し得る。
【0013】
[00013] 少なくとも１つの放射放出器はヒータであってもよく（すなわち、放射放出器はコンポーネントを加熱する熱又は放射を放出し得る）、及び／又は、少なくとも１つの放射放出器はイオンを放出してもよい（すなわち、コンポーネントは放射放出器からのイオンで照射され得る）。汚染物質は、スパッタリングによってコンポーネントから完全に除去されない場合がある。スパッタリングによって、結合力（汚染物質をコンポーネントに結合している）の強度を低下させることができる。
【0014】
[00014] コンポーネントはペリクルであってもよい。有利には、クリーニングシステムは、リソグラフィ装置によってパターン形成されたウェーハの欠陥を最小限に抑えるようにペリクルのクリーニングを可能とする。
【0015】
[00015] システムは、コンポーネントを保持するように構成されたホルダを更に備えることができる。有利には、ホルダは、ヒータに対して固定位置にコンポーネントを固定することで、ヒータにより加熱されるコンポーネントの領域が一貫して同じ領域であることを保証できる。
【0016】
[00016] 少なくとも１つの放射放出器は、コンポーネントに熱機械振動を引き起こすため、使用時にコンポーネントの領域を照射するよう構成されたヒータを含み得る。
【0017】
[00017] ヒータは電磁放射源であってもよい。ヒータはレーザであってもよい。有利には、これにより、容易に入手できる安価な装置を用いて（例えばＥＵＶ光を用いることなく）コンポーネントのクリーニングが可能となり得る。これは次いで、ウェーハにパターン形成するためのリソグラフィ装置の可用性を最大化することができる。
【0018】
[00018] ヒータによって与えられる放射は、３００ＧＨｚ～４３００ＴＨｚの周波数を有し得る。有利には、このような周波数の光の大部分がコンポーネントで吸収されることにより、熱機械振動の振幅を増大させ、クリーニング効果を向上させることができる。
【0019】
[00019] ヒータによって与えられる放射は、１ｍＷ～２００Ｗの平均電力を有し得る。周期的な加熱では、平均電力は、コンポーネントが加熱されていないときからコンポーネントが加熱されているときまでの寄与分を含み得る。言い換えると、ヒータが熱を加えている間のヒータの電力は平均電力よりも高い可能性がある。
【0020】
[00020] ヒータによって与えられる放射はパルス状とすればよい。言い換えると、ヒータは周期的にコンポーネントの領域を加熱することができる。例えばヒータは、パルスレーザ等のパルス放射源を含み得る。
【0021】
[00021] 放射は１Ｈｚ～１ＭＨｚのパルス周波数を有し得る。
【0022】
[00022] 放射の各パルスは１ｆｓ～１０μｓの持続時間を有し得る。有利には、このような放射特性は、コンポーネントをクリーニングするための熱機械振動を誘発するために最適なものとすればよい。
【0023】
[00023] ホルダは、コンポーネントからクリーニングされる汚染物質が重力下でコンポーネント付近から除去されるように位置決めすればよい。有利には、これにより、除去された汚染物質が除去後にコンポーネント（及び／又は他のコンポーネント）を再び汚染するのを防止することができる。
【0024】
[00024] ヒータは複数の放射ビームを与えるように構成され得る。これにより、１つ以上のコンポーネントをいっそう効率的にクリーニングするため、単一のコンポーネントの複数の領域を同時に加熱することができる（及び／又は、複数のコンポーネントを加熱することができる）。
【0025】
[00025] ヒータは、複数の放射ビームのうち１つ以上を発生させるため複数のヒータを含み得る。
【0026】
[00026] ヒータは、複数の放射ビームのうち１つ以上を発生させるため１つ以上のビーム分割及び／又は方向転換光学系を含み得る。例えばホルダは、ヒータとビーム方向転換光学系（例えばミラー）との間にコンポーネントを保持するように構成され、単一の放射源によってコンポーネントの２つの側を加熱することを可能とする。
【0027】
[00027] ホルダは、複数のホルダのうち１つとすればよい。ヒータは、使用時に複数のコンポーネントの各々の領域を周期的に加熱するように構成され、複数のコンポーネントの各々は複数のホルダのうち１つに保持され得る。これにより、複数のコンポーネントを一度にクリーニングすることが可能となる。これは、バッチクリーニングプロセスにおいて特に有利であり得る。
【0028】
[00028] システムは、使用時に複数の放射ビームのうち異なるものがそれぞれ複数のコンポーネントのうち異なるものに入射するように構成され得る。
【0029】
[00029] ヒータは、複数のコンポーネントのうち異なるものを異なる波長で加熱するように構成され得る。これにより、異なる波長を吸収する異なるタイプのコンポーネントを一度にクリーニングすることが可能となる。
【0030】
[00030] 少なくとも１つの放射放出器は、コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、使用時にコンポーネントの領域にイオンを誘導するよう構成されたイオン源を含み得る。有利には、イオンは、クリーニング効果を引き起こす、及び／又は他の放射放出器（例えばヒータ）によって与えられるクリーニング効果を向上させることができる。イオンは例えば、汚染物質をコンポーネントに結合している結合力を低減することで、（他の場合にはヒータによって除去されない）汚染物質をヒータによって除去することを可能とする。
【0031】
[00031] イオンは希ガス元素のイオンとすればよい。例えばイオンは、アルゴン陽イオン、ヘリウム陽イオン、及び／又はネオン陽イオンとすればよい。
【0032】
[00032] イオン源は、コンポーネントの第２の側に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、使用時にコンポーネントの第１の側の領域にイオンを誘導するよう構成され得る。
【0033】
[00033] イオン源は、コンポーネントの第１の側に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、使用時にコンポーネントの第１の側の領域にイオンを誘導するよう構成され得る。
【0034】
[00034] 少なくとも１つの放射放出器は、コンポーネントに熱機械振動を引き起こすため、使用時にコンポーネントの領域を加熱するよう構成されたヒータと、コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、使用時にコンポーネントの領域をイオンで照射するよう構成されたイオン源と、を含み得る。
【0035】
[00035] システムは更に筐体を備え、ヒータ及びホルダは筐体内に収容されていてもよい。
【0036】
[00036] 筐体はロードロックチャンバを含み得る。
【0037】
[00037] システムは更に真空ポンプを備え得る。あるいはシステムは、筐体内に窒素又は水素雰囲気を生成するため窒素又は水素源を備え得る。
【0038】
[00038] システムは更に、汚染物質を除去するためガス排出部を備え得る。
【0039】
[00039] システムは更に、放射放出器によって放出された放射を測定するためのメトロロジを備え得る。
【0040】
[00040] システムは更に、コンポーネント上の又はコンポーネントから除去された汚染を測定するためのメトロロジを備え得る。このようなメトロロジを用いて、例えばドーズ制御のためのフィードバックを与えることができ、また、不必要なクリーニングを回避することによってクリーニング時間を最適化することができる。
【0041】
[00041] システムは更に、放射のスリット幅を第１のスリット幅と第２のスリット幅との間に調整するためアジャスタを備え得る。例えば、システムを用いてコンポーネントをクリーニングすることができ、システムを用いてコンポーネントの構造的完全性を試験することができる。クリーニング及び試験は任意の順序で実行すればよい。有利には、方法は、欠陥についてスクリーニングされた欠点のないコンポーネントを提供できる。例えば、システムを用いてコンポーネントをクリーニングし、同じシステムを用いて第２のコンポーネントの構造的完全性を試験することができる。有利には、方法は、コンポーネントのクリーニング及び試験を行うことができる。言い換えると、システムを異なる目的のために使用できる。有利には、システムは、コンポーネントの構造的完全性を試験した後に、同じコンポーネント又は別のコンポーネントをクリーニングすることを可能とする。有利には、システムをこのように用いることにより、欠陥のあるコンポーネントをより早く除去できるので、欠陥のあるコンポーネントをスクリーングする前に全てのコンポーネントをクリーニングする場合に比べ、リソースを節約することができる。
【0042】
[00042] 本明細書に記載されている例において、リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントをクリーニングする方法は、コンポーネントに熱機械振動を誘発するため、及び／又は、コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、コンポーネントの領域を照射することを含む。
【0043】
[00043] 本明細書に記載されている別の例において、リソグラフィ処理に関連するコンポーネントの構造的完全性を試験する方法は、コンポーネントに熱機械振動を誘発するためコンポーネントの領域を照射することを含む。
【0044】
[00044] コンポーネントの領域を照射することは、コンポーネントに熱機械振動を誘発するためコンポーネントの領域を加熱することを含み得る。
【0045】
[00045] 加熱することは、パルスヒータの１つ以上のパルスを提供することを含み得る。言い換えると、コンポーネントの領域は周期的に加熱され得る。
【0046】
[00046] コンポーネントの領域を周期的に加熱することは、２０秒～１時間の時間にわたって実行され得る。有利には、コンポーネントから汚染物質が除去されることを保証するため、２０秒が充分な長さであり得る。
【0047】
[00047] 方法は更に、ヒータによってコンポーネントの第２の領域を加熱することを含み得る。放射によってコンポーネントを加熱することは、２０秒～１時間までコンポーネントの第２の領域を周期的に加熱することを更に含み得る。有利には、コンポーネントの第２の領域を加熱することによって、コンポーネントの全ての領域が、（クリーニング効果が最良である）照射されている領域の外であったことが保証され、従って、全ての領域を適切にクリーニングすることができる。
【0048】
[00048] コンポーネントの領域を照射することは、コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するためコンポーネントの領域にイオンを誘導することを含み得る。
【0049】
[00049] コンポーネントの領域を照射することは、コンポーネントの第２の側に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するためコンポーネントの第１の側の領域にイオンを誘導することを含み得る。
【0050】
[00050] コンポーネントの領域を照射することは、コンポーネントの第２の側に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するためコンポーネントの第１の側の領域にイオンを誘導することを含み得る。
【0051】
[00051] コンポーネントの領域を照射することは、コンポーネントに熱機械振動を誘発するためコンポーネントの領域を加熱することと、コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するためコンポーネントの領域をイオンで照射することと、を含み得る。
【0052】
[00052] 方法は、第１のスリット幅を有する放射でコンポーネントを照射することと、第２のスリット幅を有する放射で第２のコンポーネントを照射することと、を含み得る。コンポーネント及び第２のコンポーネントは同一であってもよい。あるいは、第１及び第２のコンポーネントは異なるものであってもよい。
【0053】
[00053] 方法は、第１のスリット幅を有する放射でコンポーネントを照射することによってコンポーネントの構造的完全性を試験することと、放射のスリット幅を第１のスリット幅から第２のスリット幅に狭くすることと、第２のスリット幅を有する放射でコンポーネントを照射することによってコンポーネントをクリーニングすることと、を含み得る。
【0054】
[00054] 本明細書に記載されている別の例において、コントローラは、第２の例の方法を実行するように第１の例のシステムを制御するよう構成されている。
【0055】
[00055] 本明細書に記載されている別の例では、第２の例の方法に従ってコンポーネントがクリーニングされる。有利には、本明細書に開示されている方法に従ってクリーニングされるコンポーネントはクリーナとすればよい。コンポーネントがペリクルである例では、本明細書に開示されている方法に従ってクリーニングされるペリクルの膜は他の場合よりも高い張力を有し得る。
【図面の簡単な説明】
【0056】
[00056] 本発明の実施形態を、添付の概略図を参照して、単なる例示として以下に説明する。
【0057】
【図1】リソグラフィ装置及び放射源を備えるリソグラフィシステムを示す。
【図2】リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントをクリーニングするための例示的なクリーニングツールを示す。
【図3A】リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントをクリーニングするためのクリーニングツールの代替的な例示の構成を示す。
【図3B】リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントをクリーニングするためのクリーニングツールの代替的な例示の構成を示す。
【図3C】リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントをクリーニングするためのクリーニングツールの代替的な例示の構成を示す。
【図4】ペリクルを示す。
【図5】リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントをクリーニングするためのクリーニングツールのクリーニング性能を示すグラフである。
【図6A】コンポーネントの照射領域内でのクリーニングツールのクリーニング性能を示すグラフである。
【図6A】コンポーネントの照射領域外でのクリーニングツールのクリーニング性能を示すグラフである。
【図7】別の例示的なクリーニングツールを示す。
【図9A】クリーニングされているリソグラフィプロセスに関連するコンポーネントの第１の概略図を示す。
【図9B】クリーニングされているリソグラフィプロセスに関連するコンポーネントの第２の概略図を示す。
【発明を実施するための形態】
【0058】
[00057] 図１は、放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置ＬＡを備えたリソグラフィシステムを示している。放射源ＳＯは、ＥＵＶ放射ビームＢを生成し、このＥＵＶ放射ビームＢをリソグラフィ装置ＬＡに供給するように構成される。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬと、パターニングデバイスＭＡ（例えば、レチクルとも呼ばれるマスク）を支持するように構成された支持構造ＭＴと、投影システムＰＳと、基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴとを備える。
【0059】
[00058] 照明システムＩＬは、ＥＵＶ放射ビームＢがパターニングデバイスＭＡに入射する前にＥＵＶ放射ビームＢを調節するように構成される。そのため、照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１を備えることができる。ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１は共に、ＥＵＶ放射ビームＢに所望の断面形状と所望の強度分布とを与える。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて又はこれらの代わりに、他のミラー又はデバイスを備えることができる。
【0060】
[00059] このように調節された後、ＥＵＶ放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡと相互作用する。この相互作用の結果、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’が生成される。投影システムＰＳは、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’を基板Ｗに投影するように構成される。この目的のため、投影システムＰＳは、基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗにパターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’を投影するように構成された複数のミラー１３、１４を備えることができる。投影システムＰＳは、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’に縮小係数を適用し、これによってパターニングデバイスＭＡにおける対応するフィーチャよりも小さいフィーチャの像を形成することができる。例えば、４又は８の縮小係数を適用することができる。投影システムＰＳは、図１では２つのミラー１３、１４のみを有するものとして示されているが、投影システムＰＳは様々な数のミラー（例えば６個又は８個のミラー）を備えることができる。
【0061】
[00060] 基板Ｗは、前もって形成されたパターンを含むことができる。このような場合、リソグラフィ装置ＬＡは、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’により形成された像を、基板Ｗ上に前もって形成されたパターンと位置合わせする。
【0062】
[00061] 相対真空、すなわち大気圧を大きく下回る圧力の少量のガス（例えば水素）を、放射源ＳＯ、照明システムＩＬ、及び／又は投影システムＰＳ内に供給することができる。
【0063】
[00062] 放射源ＳＯは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源、自由電子レーザ（ＦＥＬ）、又はＥＵＶ放射を生成できる他の任意の放射源とすればよい。
【0064】
[00063] パターニングデバイスＭＡの表面上に、汚染物質（例えばリソグラフィ装置ＬＡ内に存在する粒子又は蒸気）が蓄積する可能性がある。パターニングデバイスＭＡ上に汚染物質が蓄積すると、パターニングデバイスＭＡのパターンに欠陥が生じ、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’のパターンの欠陥を引き起こし、その結果として基板Ｗ上に生成されるパターンに欠陥が生じ得る。基板テーブルＷＴ上に複数の基板Ｗが一度に搭載され、順次露光されることがある。従って、パターニングデバイスＭＡの単一の欠陥（例えば汚染物質の蓄積に起因する）は、基板Ｗ上に生成されるパターンに複数の欠陥を招く可能性がある。
【0065】
[00064] パターニングデバイスＭＡ上の汚染物質の蓄積を軽減するため、リソグラフィ装置ＬＳはペリクル１５を備えることができる。ペリクル１５は、パターニングデバイスＭＡに隣接するか又はパターニングデバイスＭＡから短い距離に位置決めして、これが存在しなければパターニングデバイスＭＡを汚染した（また、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’によって形成されるパターンに欠陥を引き起こした）はずである汚染物質が、ペリクル１５の表面上に蓄積することを可能とする。例えば、例示的なリソグラフィ装置ＬＡでは、ペリクル１５はパターニングデバイスＭＡの下向き側に、すなわち支持構造ＭＴとは反対の側に位置決めされる。ペリクル１５は、汚染物質がパターニングデバイスＭＡ上に蓄積するのを防止し、従って、それに伴う欠陥を軽減することができる。
【0066】
[00065] ペリクル１５は、膜と境界を含むことができる。膜は、代替的にフィルムと呼ばれることもあり、ＥＵＶ放射に対して実質的に透明であり得る。すなわち、ＥＵＶ放射ビームＢ、Ｂ’からの比較的少量のエネルギがペリクル１５によって吸収されながら、ＥＵＶ放射ビームＢ、Ｂ’はペリクル１５を通過することができる。あくまでも例として、ペリクル１５は、シリコーン（Ｓｉ）又はカーボンナノチューブを含み得る。ペリクル１５は、開放型（すなわち、膜はメッシュであり、ガスに対して透過性である）、又は閉鎖型（すなわち、膜は境界の各エッジ間に連続表面を与え、ガスに対して不透過性である）とすることができる。ペリクル１５は更に、例えば金属層のような、高い放射率を有する金属の１つ以上の層を含み得る。金属層を含むペリクル１５は、（リソグラフィシステムＬＡにおける使用中に）他のものよりも低い温度を維持できる。製造ステップ中に、膜の表面が張力のかかった状態に保たれるように膜を境界に固定することができる。あるいは、膜と境界は単一の均質材料を含み得る。ペリクル１５は、例えばペリクル１５と共に用いられると予想される放射ビームＢ、Ｂ’の波長に応じた又はこの波長に対して最適化された異なる手法で又は異なる材料から構築することができる。
【0067】
[00066] ペリクル１５は、パターニングデバイスＭＡ又は支持構造ＭＴに着脱可能に搭載され得る。例示的なリソグラフィ装置ＬＡでは、ペリクル１５は、ペリクルフレーム１６を用いることによってパターニングデバイスＭＡに着脱可能に搭載されている。ペリクル１５を着脱可能に搭載すると、ペリクル１５を必要に応じて除去及び／又は交換することができる。
【0068】
[00067] ペリクル１５が適切な位置に固定されている場合、ＥＵＶ放射ビームＢは、（パターニングデバイスＭＡによって）パターン付与される前にペリクル１５を通過し、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’は、（パターニングデバイスＭＡにより）パターン付与された後にペリクルを通過する。
【0069】
[00068] 長期間の使用によって、ペリクル１５の表面上に、典型的にはパターニングデバイスＭＡとは反対側の表面上に、粒子が蓄積する可能性がある。ペリクル１５は、パターニングデバイスＭＡに隣接しているか又はパターニングデバイスＭＡから短い距離にある（すなわち、リソグラフィ装置ＬＡのフィールド面の外にある）ので、ペリクル１５上に蓄積している汚染物質は、ＥＵＶ放射ビームＢ、Ｂ’の焦点外にあり得る。従って、ペリクル１５上の汚染物質のこの蓄積は、（パターニングデバイスＭＡ上に蓄積した同様レベルの汚染物質によって生じる欠陥に比べて）パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’の欠陥を低減させることができる。これは、基板Ｗ上に生成されるパターンにおける欠陥の（数及び／又は大きさの）低減につながる可能性がある。
【0070】
[00069] 更に長期間の使用によって、汚染物質がペリクル１５の表面上に更に蓄積し、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’及び基板Ｗ上に生成されるパターンに許容できない欠陥を生じることがある。また、ペリクルが製造中に汚染され、ペリクルの初期使用の前にクリーニングが必要となる場合がある。
【0071】
[00070] 追加的に又は代替的に、汚染物質がリソグラフィ装置ＬＡの他のコンポーネントの表面上に蓄積する可能性がある。例えば、基板Ｗが放射ビームＢ’によってパターン形成される前及び／又はパターン形成された後、基板Ｗの表面上に汚染物質が蓄積し得る。基板Ｗがパターン形成される前に（汚染物質で）汚染された場合、基板Ｗの表面上の領域が汚染物質で覆い隠され、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’に正しく露光されないことがある。
【0072】
[00071] 別の例として、汚染物質がパターニングデバイスＭＡ（すなわちレチクル）の表面上に蓄積することがある。このような蓄積は、リソグラフィ装置ＬＡがペリクル１５を備えているか否かには関係なく発生し得る。例えば、リソグラフィ装置（ＬＡ）にパターニングデバイスＭＡが搭載される前、リソグラフィ装置ＬＡにペリクル１５が搭載される前、及び／又はリソグラフィ装置ＬＡにパターニングデバイスＭＡ及びペリクル１５の双方が搭載された後に、汚染物質が蓄積し得る。パターニングデバイスの表面上に蓄積した汚染物質は、上記と同様に、基板Ｗ上に生成されるパターンに欠陥を引き起こす可能性がある。
【0073】
[00072] 別の例として、汚染物質がペリクルフレーム１６の表面上に蓄積することがある。ペリクルフレーム１６は、汚染物質をペリクル１５上へ（又は、ペリクル１５の交換後に別のペリクル上へ）移動させ、これにより、上記と同様に欠陥を引き起こす可能性がある。
【0074】
[00073] 別の例として、レチクル及び／又はペリクルを操作、格納、及び／又は移送するために構成されたデバイスの表面上に、汚染物質が蓄積することがある。このようなデバイスをレチクルポッドと呼ぶことがある。汚染されたレチクルポッドは、レチクルポッドによって操作、格納、又は移送されるペリクルを汚染し、これにより、上記と同様に欠陥を引き起こす可能性がある。
【0075】
[00074] リソグラフィツールは、放射を用いて基板にパターン形成するように構成されたツールである。メトロロジツールは、リソグラフィ装置又はリソグラフィ装置によってパターン形成された基板の特徴を測定するように構成されたツールである。言い換えると、リソグラフィツール又はメトロロジツールは、リソグラフィプロセスに関連するツールとして記述され得る。有害な汚染物質蓄積の別の例として、リソグラフィツール及び／又はメトロロジツールが汚染されることがある。汚染物質は、（リソグラフィ又はメトロロジ）ツールの性能の欠陥を引き起こし、及び／又はツールと共に用いられるリソグラフィ装置もしくは基板を汚染する可能性がある。
【0076】
[00075] 言い換えると、汚染物質は、リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントの表面上に蓄積し得る。リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントは、リソグラフィ装置ＬＡ、リソグラフィツール、メトロロジツール、及び／又はレチクルポッドのコンポーネントを含み得る。リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントは、リソグラフィ装置によってパターン形成されるように構成された基板、又はリソグラフィ装置によってすでにパターン形成された基板を含み得る。例示的なコンポーネントには、レチクル、ペリクル、レチクルクランプ、及びペリクルフレームが含まれる。ここまで説明したリソグラフィ装置ＬＡはＥＵＶ放射を用いるものとして記載されているが、リソグラフィ装置ＬＡ又はリソグラフィプロセスはＤＵＶ放射を用いてもよい。
【0077】
[00076] 一例において、リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントをクリーニングするためのクリーニングツールは、ヒータを含む。コンポーネントをクリーニングするために使用している間、ヒータは、コンポーネントに熱機械振動を引き起こすためコンポーネントの領域を加熱する放射を提供する。コンポーネントの熱機械振動は、コンポーネントの表面から汚染物質を除去／解放し、これによって洗浄効果を発生させる。
【0078】
[00077] ヒータは放射源であってもよい。放射（コンポーネントの領域を加熱する）は周期的であってもよい。ヒータは、任意の適切な形態をとり、コンポーネントヒータと呼ぶことができる。例えば、ヒータはレーザであり、放射はレーザ光である。代替的な例として、ヒータはリソグラフィ装置であり、レーザ光又は生成されたリソグラフィ放射（例えば、ＥＵＶ放射Ｂ、Ｂ’、又はＤＵＶリソグラフィシステムのＤＵＶ放射）がコンポーネントを加熱する。本明細書で用いられる場合、放射という用語は電磁放射を表す。
【0079】
[00078] コンポーネント（すなわち、クリーニングツールによってクリーニングされるリソグラフィプロセスに関連するコンポーネント）は、リソグラフィ装置ＬＡ、リソグラフィツール、又はメトロロジツールのコンポーネントとすればよい。コンポーネントは、リソグラフィ装置によってパターン形成されるように構成された基板、又はリソグラフィ装置によってすでにパターン形成された基板とすればよい。装置クリーニングツールによってクリーニングされ得るリソグラフィ装置ＬＡの例示的なコンポーネントには、レチクル（作製デバイスＭＡ等）、レチクルクランプ、ペリクル（ペリクル１５等）、又はペリクルフレームが含まれる。クリーニング動作の例示的な方法（以下で検討する）に従って、放射を充分に吸収すると共に有限の熱膨張係数を有する任意のコンポーネントをクリーニングすることができる。
【0080】
[00079] 図２は、ヒータ２２０を含む例示的なクリーニングツール２００を示す。クリーニングツール２００は更にマウント２１０を含む。ヒータ２２０はレーザとすればよい。コンポーネント２０１は、マウント２１０に着脱可能に搭載されている。コンポーネント２０１は、ヒータ２２０が与える放射２３０によって加熱される。クリーニングツール２００は、代替的にクリーニングシステムと呼ぶことができる。
【0081】
[00080] 例示的なクリーニングツール２００において、マウント２１０はクランプ２１２、２１４を含む。クリーニングツール２００はマウント２１０を含むものとして図示されているが、マウント２１０はクリーニングツール２００の不可欠な特徴ではない。マウント２１０は、コンポーネント２０１の領域がヒータ２２０により一貫して加熱されるように、ヒータ２２０に対して固定位置でコンポーネント２０１を有利に保持することができる。言い換えると、マウント２１０は、ヒータ２２０に対するコンポーネント２０１の相対的な移動を防止し、これによってヒータ２２０はコンポーネント２０１の意図した領域を加熱する。マウント２１０は、より大きいコンポーネント又は固定されたコンポーネントをクリーニングするように構成されたクリーニングツールでは必要ない場合がある。追加的に又は代替的に、他の固定手段を提供してもよい。例えば、コンポーネント２０１は、他の手段を用いてヒータ２２０に対して固定され得る。一例として、クリーニングツール２００は、コンポーネント２０１に又はコンポーネント２０１に対して固定された別の構造にクリーニングツール２００（及びヒータ２２０）を固定するクランプを含み得る。例えば、クリーニングツール２００をリソグラフィ装置ＬＡに固定して、クリーニングツール２００がリソグラフィ装置ＬＡのコンポーネントをクリーニングすることを可能とする。追加的に又は代替的に、マウント２１０は、マウント２１０上にコンポーネント２０１を安定して載置できるように構成され得る。例えばマウント２１０は、マウント２１０上にコンポーネント２０１が置かれ、重力によって適所に保持され得るように構成することができる。
【0082】
[00081] 上記で検討したように、クリーニングツールによってクリーニングされるコンポーネント２０１は、リソグラフィプロセスに関連する任意のコンポーネントとすればよい。図２及び対応する説明において、コンポーネント２０１はペリクルである。しかしながら、ペリクル２０１はリソグラフィプロセスに関連するコンポーネントの一例であり、クリーニングツール２００はペリクルのクリーニングのみに限定されないことは理解されよう。同様に、図２及び対応する説明において、放射２３０はパルス状である（すなわち、周期的な加熱を提供する）。放射２３０の周期的な態様は例示であり、不可欠な特徴でないことは理解されよう。
【0083】
[00082] ペリクル２０１は、ペリクル１５と同様か又は同一とすることができる。ペリクル２０１は、以前に汚染物質（例えば粒子及び／又は蒸気）で汚染されており、クリーニングを必要とする可能性がある。以下の文章では、クリーニングツール２００、ヒータ２２０、及びマウント２１０を、それぞれ、ペリクルクリーニングツール２００、ペリクルヒータ２２０、及びペリクルマウント２１０と呼ぶことができる。
【0084】
[00083] 動作中、放射２３０はペリクル２０１の領域に熱エネルギを提供する。ペリクル２０１を照射する放射２３０をパルス状にすることによって（すなわち、ペリクル２０１を照射することと照射しないことを繰り返すことによって）、ペリクル２０１は急速に加熱及び冷却し、有限の熱膨張率のためにペリクル２０１に熱機械振動が誘発される。熱機械振動は、ペリクル２０１の表面から粒子を（場合によっては他の汚染物質も）解放するために充分なエネルギと運動量を与える。粒子を解放するためのエネルギと運動量は、代替的に、ペリクル２０１及び汚染物質の加速及びそれらに加えられた力と見なすことができる。ペリクル２０１のいくつかのタイプでは、放射２３０の１又は複数のパルスに対する露光が長すぎると、例えば変形、酸化、及び／又は機械的疲労に起因して、ペリクル２０１が損傷する恐れがある。ペリクル２０１の変形は代替的に、しわと呼ぶことがある。いくつかの例では、放射２３０の特性（例えば、（パルス状）放射２３０がペリクル２０１を照射する持続時間）を限定して、ペリクル２０１が損傷しないことを保証できる。ペリクル２０１の損傷は修復可能又は可逆的であり得る。
【0085】
[00084] 上述のように、ペリクルヒータ２２０はレーザとすればよい。レーザは、ポンプ源、利得媒体、及び１つ以上のミラー（図示せず）を含み得る。レーザは狭帯域レーザとすればよい。本明細書において、（ペリクルヒータ２２０が提供する放射２３０の）波長に言及した場合、これは、ペリクルヒータ２２０が狭帯域レーザである例では単一の波長を表し得る。
【0086】
[00085] ペリクルヒータ２２０は、ペリクルヒータ筐体２２２を含む、及び／又は電源２２４によって電力を供給することができる。
【0087】
[00086] ペリクルヒータ２２０は、パルス式とするか、又は放射２３０のサイクルを急速に変化させる他の機構を備えることができる。ペリクルヒータ２２０がレーザである例では、レーザはパルスレーザとすればよい。実験結果（以下で更に検討する）は、約１Ｈｚ～１ＭＨｚのパルスレート及び約１ｆｓ～１０μｓの照射周期が適切であり得ることを示している。ペリクル２０１のいくつかのタイプでは、１０ｋＨｚのパルスレート及び／又は１０，０００ｎｓの照射周期が好適であり得る。
【0088】
[00087] 放射２３０の特徴をペリクル２０１の特徴に適合させることができる。例えば放射２３０を、ペリクル２０１の膜の固有モードに空間的に適合させると共に、この固有モードに対応する固有周波数に時間的に適合させることができる。言い換えると、放射２３０は、クリーニング効果の向上のため、ペリクル２０１の通常モードの共振周波数を有利に利用するように適合させることができる。
【0089】
[00088] 放射２３０の特性（例えばパワー、波長、及び／又は周波数）は、クリーニングされているペリクル２０１が、クリーニング効果を発生させるペリクル２０１の熱機械振動を誘発するのに充分なエネルギを吸収し、かつ、ペリクル２０１に損傷を与えるほど多くのエネルギを吸収しないことを保証するように選択され得る。例えば、放射２３０の特性は、ペリクル２０１が放射の１パルス当たり１０００Ｋ未満加熱されることを保証するように選択され得る。一例として、いくつかのペリクルは、ＩＲスペクトル（３００ＧＨｚ～４３００ＴＨｚ）で提供されるエネルギの大部分を吸収することが知られている。従って、そのようなペリクルでは、ペリクルによる放射２３０の吸収を最大限にするため、放射２３０がＩＲスペクトルに対応する波長を有することが好ましい場合がある。あるいは、他の手段を用いて構築されたペリクル２０１を照射するために、可視スペクトル（４００ＴＨｚ～７９０ＴＨｚ）又はＵＶスペクトル（７５０ＴＨｚ～３０ＰＨｚ）に対応する波長が有益であり得る。より一般的には、放射がコンポーネント２０１によって充分に吸収されてクリーニング効果を発生させるならば、任意の波長の放射２３０を用いることができる。例えば、最大で１ｍｍまでの波長を用いればよい。
【0090】
[00089] 追加的に又は代替的に、放射２３０の特性は、ペリクル２０１に誘発される熱機械振動の加速度を増大又は最適化させるように選択され得る。言い換えると、誘発される熱機械振動は、ペリクル２０１を通って伝わる１つ以上の機械波によって特徴付けられ、放射２３０の特性は、１つ以上の機械波の加速度（すなわち加速度の振幅）を増大又は最適化させるように選択され得る。有利には、加速度の増大はクリーニング効果を向上させることができる。例えば、放射２３０の（１つ以上の次元の）スリット幅を小さくすると、１つ以上の機械波の波長を短くすることができる。コンポーネント２０１において１つ以上の機械波の速度が一定であると仮定すると、波長が短くなれば周波数が増加し、従って１つ以上の機械波の加速度が増大し得る。このような加速度の増大は、放射２３０のパルス内強度を低下させる及び／又は時間平均強度を低下させる可能性がある。
【0091】
[00090] 放射２３０のパワーを大きくする（例えば２００Ｗ）と、例えば、使用されている放射２３０の波長では吸収性が低いペリクル２０１に、より多くのエネルギを与えることができる。反対の例として、放射２３０からのエネルギの大部分を吸収するペリクル２０１では、より小さいパワーの放射２３０で充分である可能性がある。例えば、ＩＲスペクトルからの放射２３０の大部分を吸収するペリクル２０１では、１ｍＷのパワーのＩＲ放射２３０でペリクル２０１を照射すれば充分であり得る。
【0092】
[00091] 同様に、放射２３０のパワーはパルスレートとパルス長に依存し得る。例えば、低いパルスレート及び／又は短いパルス長では、放射２３０は他の場合よりも短い時間ペリクル２０１を照射する。従って放射２３０は、低いパルスレート及び／又は短いパルス長が用いられる場合は大きいパワーを必要とし得る（逆も同様である）。低いパルスレート及び／又は短いパルス長は、（他の場合よりも）高い周波数の熱機械振動を発生させ、これによって（他の場合よりも）クリーニング効果の向上を達成できる。代替案として、放射は、連続的（すなわち連続レーザからのもの）又は単一パルス（すなわちパルスレーザの単一パルス）であってもよい。言い換えると、放射２３０はペリクル２０１の領域を一度だけ加熱してもよい。
【0093】
[00092] 放射２３０は、単一の一貫したパルスレート及び／又はパルス長を持たない場合がある。例えば、パルスレートを第１の値とするが、（徐々に又は瞬時に）第２の値に変化させることができる。代替的なパルスパターンを用いてもよい。
【0094】
[00093] 放射２３０はビームとすればよく、ある形状又はプロファイルを備えることができる。例えば、放射２３０により照射されるペリクル２０１の領域は、円形、方形、矩形、三日月形、又は他のものと同様の形状を有し得る。放射２３０のビームのパワー及び／又は形状は、最適なクリーニング効果を提供するため、ペリクル２０１の材料のバルク波伝搬速度に対応するように選択すればよい。一例として、放射２３０は、半径が１ｍｍ未満の円形プロファイルを有し得る。代替的な例として、放射２３０は、寸法が１ｍｍ未満の細い矩形（すなわち「スリット」）のプロファイルを有し得る。このようなスリットは、いくつかの材料では最適であり得る。代替的な例として、他の形状では、メニスカス（すなわち三日月形）のプロファイルを有するビームが最適であり得る。
【0095】
[00094] 放射２３０は、任意の角度でペリクル２０１に入射し得る。ペリクル２０１からの放射２３０の反射を最小限に抑える（従って、より大きい吸収を達成する）ため、約０度の入射角（すなわち、放射２３０とペリクル２０１の表面から垂直に延出する線との角度）を用いることができる。あるいは入射角は、放射の所望の吸収を得るように、又は、例えばペリクルクリーニングツール２００のレイアウトのような他の検討事項を考慮に入れて、選択され得る。
【0096】
[00095] 実験結果によって、照射領域（すなわち放射２３０で照射される領域）の外側のペリクル２０１の領域は、照射される領域よりも顕著にクリーニングされ得ることが示されている。言い換えると、汚染物質を含む領域が照射された場合よりも、汚染物質を含む領域以外の領域が照射された場合に、ペリクル２０１から多くの汚染物質が除去され得る。従って、ツール２００は、ペリクル２０１上で（放射２３０によって）照射される領域を調整するための手段を備えることができる。例えばペリクルヒータ２２０は、ペリクルヒータ２２０の位置又は角度を変えることでペリクル２０１の異なる領域を照射するため、アクチュエータを含み得る。追加的に又は代替的に、ペリクルマウント２１０（又は任意の追加的もしくは代替的な固定手段）は、（例えばクランプ２１２、２１４を上昇又は下降させることで）ペリクル２０１の位置を変えることによって照射されるペリクル２０１の領域を変えるため、アクチュエータを含み得る。追加的に又は代替的に、ペリクルヒータ２２０とマウント２１０との間に１つ以上のビーム位置決めデバイス（ミラー、レンズ等）を提供して放射２３０を誘導してもよい。
【0097】
[00096] 放射２３０は、ペリクル２０１によって全てが吸収されないことがある。ペリクルクリーニングツール２００は、例えばビームダンプ（図示せず）のような、放射２３０の安全な分散又は吸収のための手段を備えることができる。ビームダンプは、放射２３０がペリクル２０１を照射した後にビームダンプに入射するような位置に提供すればよい。
【0098】
[00097] 例えばミラーのような１つ以上の光学部品を用いて、ペリクル２０１の照射の前又は後に放射２３０を方向転換させてもよい。例えばミラーは、ペリクル２０１の照射後に放射２３０をビームダンプへ誘導することができる。
【0099】
[00098] ペリクルクリーニングツール２００は、ペリクル２０１の照射の前又は後に放射２３０の強度を測定するためのメトロロジを含み得る。例えばペリクルクリーニングツール２００は、ペリクル２０１の照射の前及び後に放射２３０の強度を測定することにより、ペリクル２０１が受けた放射２３０のドーズを計算することができる。ペリクル２０１の照射前の放射２３０の強度は、ペリクルヒータ２２０の既知の又は測定された特徴に基づいて推定され得る。ペリクル２０１の照射後の放射２３０の強度を測定するためのメトロロジは、ビームダンプ内に又はビームダンプと共に提供することができる。
【0100】
[00099] ペリクルマウント２１０は、ペリクルヒータ２２０によって照射される位置にペリクル２０１を着脱可能に固定することを可能とするための付属品を含み得る。例えば、ペリクルマウント２１０は１つ以上のクランプ２１２、２１４を含むことができる。１つ以上のクランプ２１２、２１４は、ペリクル２０１の反対側の固定位置に、例えばペリクル２０１の上側と下側に提供され得る。有利には、ペリクルクリーニングツール２０１内のペリクル２０１の位置に関する公差は、リソグラフィ装置ＬＡ内のペリクル１５の位置の公差よりもゆるい。あるいはペリクルマウント２１０は、当業者に既知である、例えばペリクルフレーム１６に提供されるものと実質的に同じハードウェア及び固定方法を使用することができる。
【0101】
[000100] ペリクル２０１は、ペリクル２０１の一方側が放射２３０で照射されるようにペリクルマウント２１０に着脱可能に固定することができる。放射２３０で照射されるペリクル２０１の側は、膜のどちらの側（又は、膜上の金属コーティングの側）であってもよい。ペリクルヒータ２３０で照射される膜の側は、汚染物質が蓄積した（ペリクル２０１の）側であっても、あるいは汚染物質が蓄積した側とは反対側であってもよい。
【0102】
[000101] ペリクルクリーニングツール２００は、ペリクルマウント２１０及びペリクルヒータ２２０が提供される筐体２２６を含み得る。筐体２２６は、ペリクルクリーニングツール２００に密閉環境を提供し得る。筐体２２６は、全ての例示的な実施例で筐体が存在するわけではないことを示すため、破線で示されている。すなわち、ツール２００は別のシステム内に収容され、専用の筐体を含まない場合がある。
【0103】
[000102] ペリクルクリーニングツール２００は、例えば真空ポンプ（図示せず）のような、筐体２２６内に低い周囲圧力を与えるためのコンポーネントを含み得る。例えば超高真空（ＵＨＣ）のような低い周囲圧力は、ペリクル２０１からの汚染物質の除去に有利に寄与し、また、（ペリクル２０１から汚染物質を除去した後）ペリクル２０１の近くの領域からの汚染物質の除去に寄与し得る。代替的に又は追加的に、ペリクルクリーニングツール２００は、例えば窒素又は水素のような特定のガスが濃縮された内部環境（すなわち筐体の内部）を与えるためのコンポーネント（図示せず）を含み得る。内部環境が窒素で濃縮されると、（例えば酸化に起因する）ペリクル２０１の損傷の防止、及び／又は、放射２３０による加熱後にペリクル２０１が冷却する速度の増大（これは、生成される熱機械振動の振幅を増大させ得る）を助けることができる。
【0104】
[000103] 筐体２２６は、ペリクルクリーニングツール２００にアクセスするために開かれるハッチ（図示せず）又は他のものを含むことができ、これにより、例えば、ペリクルマウント２１０への（又はペリクルマウント２１０からの）ペリクル２０１の搭載（又は除去）を可能とする。代替的に又は追加的に、筐体２２６は、アクセスを与えるため筺体に着脱可能に固定され得るパネルを含むことができる。ハッチ（又はパネル）は、閉じられた場合、筐体２２６内に気密（すなわち耐真空）シールを提供できる。
【0105】
[000104] 筐体２２６は、２つのハッチを有するチャンバ（すなわちロードロックチャンバ）を含むことができ、筐体の内部環境を損なうことなく筐体に対するペリクル２０１の挿入又は除去を行うことを可能とする。チャンバは、筐体２２６の内部環境及び外部環境とは別に内部環境を規定（及び密閉）し得る。（２つのハッチのうち）第１のハッチは外部空気に対して開き、第２のハッチは筐体の内部空気に対して開き得る。ロードロックは、２つのハッチの双方が同時に開くことを防止できる。ペリクル２０１をロードするためには、第１のハッチを開き、ペリクル２０１をチャンバ内に配置すればよい。第１のハッチを閉じ、チャンバの内部環境を筐体２２６の内部環境と均等化する（又はほぼ均等化する）ことができる。例えば、周囲圧力を筐体２２６内の圧力の近くまで下げること、及び／又は窒素濃度を筐体２２６の内部環境内の窒素濃度の近くまで上げることができる。均等化の後、第２のハッチを開き、ペリクル２０１をチャンバからペリクルマウント２１０へ移動させればよい。筐体２２６からペリクル２０１を除去するためには、逆のプロセスを行えばよい。
【0106】
[000105] 筐体２２６は、一度ペリクル２０１から汚染物質が解放されたら汚染物質を内部環境から除去するためのシステムを備えることができる。例えば、ガスインレットは、汚染物質を筐体２２６の内部環境から除去するため排出部の方へ誘導できる。
【0107】
[000106] 筐体２２６は、ペリクル２０１の挿入、又は（筐体もしくはロードロックチャンバからの）除去、又は（ペリクルマウント２１０に対する）搭載もしくは取り外しを助けるためのコンポーネントを備えることができる。例えば筐体２２６は、ロボットアーム（図示せず）を備え得る。代替的に又は追加的に、ペリクルマウント２１０自体を可動として、筐体内の位置からロードロックチャンバ内の位置へ移動させることができる。例えば、ペリクルマウント２１０をレール又は制御システム上に設けて、筐体２０６内の第１の位置（ここでペリクル２０１を放射２３０により照射できる）から、ロードロックチャンバ内の第２の位置（ロードロックチャンバの第１のハッチが開いている場合にここでペリクル２０１をペリクルマウント２１０から除去できる）へ、レールに沿ってペリクルマウント２１０を移動させることができる。
【0108】
[000107] ペリクルクリーニングツール２００は、ペリクル２０１の汚染を測定するためのコンポーネントを含むことができる。このコンポーネントは例えば、カメラ、又はレーザを含むメトロロジである（ペリクルヒータ２２０がレーザすなわちペリクル加熱レーザ又は追加のレーザである例で）。ペリクル２０１の汚染を測定するためのコンポーネントは、汚染を１度以上測定し得る。例えば、ペリクル２０１の汚染をクリーニングの前に１度測定して、クリーニングが必要であるか否か、又はクリーニングをどのくらいの時間続けるべきか（すなわち、どのくらいの時間、放射２３０がペリクル２０１を照射するべきか）を示すことができる。追加的に又は代替的に、ペリクル２０１の汚染を連続的に（又は一定の間隔で）測定して、ペリクル２０１のクリーニングを継続するべきか否かの指示を与えてもよい。ペリクル２０１の汚染の測定値は、ペリクル２０１の様々な領域における汚染の測定値とすることができ、放射２３０がどこでペリクル２０１を照射するべきかを示す指示を与え得る。
【0109】
[000108] リソグラフィ装置ＬＡは、インシチュ（ｉｎ－ｓｉｔｕ）クリーニングを可能とするためペリクルクリーニングツール２００を含むことができる。例えばメトロロジツールのような、リソグラフィで用いられる他のツール又はコンポーネントも、ペリクルクリーニングツール２００を含み得る。
【0110】
[000109] ペリクルクリーニングツール２００は、ペリクル２０１の製造中に、例えば境界に対する膜の固定の前又は後に使用され得る。放射２３０はペリクル２０１の膜を照射することができる。ペリクルのクリーニングに加えて、ツール２００は、膜の表面張力を有利に増大させ得る。
【0111】
[000110] 図３Ａから図３Ｄは、それぞれペリクルクリーニングツール３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、３００ｄの例を示す。これらの各々は、ペリクルクリーニングツール２００と実質的に同じコンポーネントを含む（すなわち、放射３３０はペリクルヒータ３２０によって提供され、ペリクル３０１はペリクルマウント３１０に着脱可能に固定されると共に放射３３０で照射される）。本明細書に記載されている図において、同様の又は対応する要素には同様の又は対応する参照番号が与えられている。
【0112】
[000111] 図３Ａは、ペリクル３０１を含むペリクルクリーニングツール３００ａを示す。ペリクル３０１は、ペリクルマウント３１０に保持され、実質的に水平の位置に位置合わせされている。放射３３０は、（重力に対して）ペリクル３０１よりも垂直方向に上方の位置にあるペリクルヒータ３２０から照射され、ペリクル３０１を加熱する。ペリクル３０１は、より高度に汚染されたペリクル３０１の側又はより高度に汚染されると予想されるペリクル３０１の側（すなわち、リソグラフィ装置ＬＡ内の所定位置に配置された場合にパターニングデバイスＭＡとは反対側になるペリクル３０１の側）が、下方（すなわち入射放射３３０とは反対側）を向くように配置され得る。有利には、重力によって、ペリクル３０１から汚染物質を解放すること及び／又は解放された汚染物質をペリクル３０１に近接した領域から除去することを促進できる。
【0113】
[000112] 図３Ｂは、ペリクルクリーニングツール２００と実質的に同じコンポーネントを有し、１つ以上のミラー３４１、３４２を更に含むペリクルクリーニングツール３００ｂを示す。ペリクル３０１を照射する放射３３０の一部はペリクル３０１によって吸収されず、ペリクル３０１を通過した後、減衰した放射３３２はペリクル３０１から離れる方へ伝搬する。１つ以上のミラー３４１、３４２は、減衰した放射３３２を反射及び方向転換して、再びペリクル３０１の方へ照射する。減衰した放射３３２は、放射３３０により照射された面とは反対側のペリクル３０１の面でペリクル３０１を照射し得る。減衰した放射３３２は、放射３３０により照射された領域に対向する領域でペリクル３０１を照射し得る。あるいは、減衰した放射３３２は、放射３３０により照射された領域に対向する領域とは異なる領域でペリクル３０１を照射し得る。有利には、１つ以上のミラー３４１、３４２は、単一のペリクルヒータ３２０によってペリクル３０１を（単一の領域又は複数の領域で）複数回照射することを可能とする。従ってこれは、ペリクル３０１により吸収されるエネルギを増大させ、誘発される熱機械振動の周波数又は振幅を増大させることができる。
【0114】
[000113] 図３Ｃは、２つのペリクルヒータ３２０ａ、３２０ｂを含むペリクルクリーニングツール３００ｃを示す。ペリクルヒータ３２０ａ、３２０ｂは、ペリクル３０１を照射する放射３３０ａ、３３０ｂを提供する。放射３３０ａ、３３０は、ペリクル３０１を２つのポイントで又は単一のポイントで照射する。（ペリクルクリーニングツール３００ｃの例では）放射３３０ａ、３３０ｂはペリクルヒータ３２０ａ、３２０ｂにより提供されるが、ビーム分割光学系及び単一のペリクルヒータを用いることによって２つ以上の放射ビーム３３０ａ、３３０ｂを提供してもよいことは理解されよう。
【0115】
[000114] 図３Ｄは、ペリクルヒータ３２０、複数のペリクルマウント３１０ａ、３１０ｂ、３１０ｃ（まとめて３１０と称する）、及び複数のペリクル３０１ａ、３０１ｂ、３０１ｃ（まとめて３０１と称する）を含むペリクルクリーニングツール３００ｄを示す。ペリクルヒータ３２０は、ペリクル３０１ａを照射する放射３３０を提供する。ペリクル３０１を照射する放射３３０の一部はペリクル３０１ａによって吸収されず、ペリクル３０１ａを通過した後、減衰した放射３３２はペリクル３０２ａを照射する。減衰した放射３３２の一部はペリクル３０１ｂによって吸収されず、ペリクル３０１ｂを通過した後、第２の減衰した放射３３４はペリクル３０１ｃを照射する。このように、単一のペリクルヒータ３２０を用いて複数のペリクル３０１をクリーニングすることができる。複数のペリクル３０１はそれぞれ異なるタイプであり（すなわち異なる材料から構築され）、好ましくは第１の照射されたペリクル３０１ａによって吸収される放射３３０の波長が、好ましくは他のペリクル３０１ｂ、３０１ｃによって吸収される放射３３２、３３４の波長とは異なるようにすることができる。ペリクルマウント３１０は、ペリクルマウント３１０が位置を移動して、（ペリクルマウント３１０に保持された）ペリクル３０１を照射する順序を変えることを可能とするための機構を備え得る。
【0116】
[000115] 当業者には明らかであろうが、例示的なペリクルクリーニングツール３３０ａ、３００ｂ、３００ｃ、３００ｄの任意の組み合わせを検討することができる。例えば、単一のペリクル３０１を実質的に水平方向に位置合わせするようにペリクルマウント３１０に搭載し、複数のペリクルヒータ３２０からの放射３３０で照射してもよい（すなわち、例示的なペリクルクリーニングツール３００ａ、３００ｃを組み合わせてもよい）。更に、ミラー３４１、３４２を提供して減衰した放射３３２を反射し、ペリクル３０１の第２の側を照射してもよい。
【0117】
[000116] 再び図２を参照すると、ペリクルクリーニングツール２００の使用方法は、（クリーニングツール２００がペリクルマウント２１０を含む例において）ペリクルマウント２１０にペリクル２０１を搭載することを含む。
【0118】
[000117] 上記のように、リソグラフィ装置（リソグラフィ装置ＬＡ等）はペリクルクリーニングツール２００を含み得る。そのようなリソグラフィ装置では、ペリクル２０１はすでに固定位置にある場合がある（例えば、ペリクルフレーム１６等のペリクルフレームを用いて固定されており、ペリクルマウント２１０に対する固定を必要としない）。
【0119】
[000118] ペリクルクリーニングツール２００の使用方法は、ペリクルヒータ２３０からの放射２２０によってペリクル２０１を加熱して熱機械振動を誘発することを含む。ペリクルヒータ２３０がレーザである例では、レーザ光でペリクル２０１を照射することによって熱機械振動を誘発する。ペリクル２０１は周期的に加熱され得る、すなわちペリクルヒータはパルス式であり得る。熱機械振動は、ペリクル２０１の表面から粒子を解放するために充分なエネルギと運動量を提供できる。言い換えると、ペリクル２０１をクリーニングすることができる。
【0120】
[000119] 上記のように、ペリクルクリーニングツール２００は、低い周囲圧力が提供されている筐体２２６を（また、任意選択的にロードロックも）含み得る。ペリクル２０１は、ペリクルヒータ２２０による照射の前に、筐体２２６（又はロードロック）内で、ペリクルクランプ２１０又は他のもの（例えばロードロック内の一時的な位置）に、着脱可能に固定できる。次いで、筐体２２６（又はロードロック）内の周囲圧力を低減させることができる。また、誘発された熱機械振動によって生じるクリーニング効果に加えて、周囲圧力の低減もペリクルから汚染物質を除去することを可能とする。
【0121】
[000120] クリーニング効果は、照射領域（すなわち放射２３０で照射される領域）の近くのペリクル２０１の領域の方が大きい場合がある。言い換えると、汚染物質の大部分は、照射されていない領域でペリクル２０１の表面から除去され得る。従って放射２３０は、ペリクル２０１の様々な領域を、順次（ペリクルヒータ２２０、ペリクルマウント２１０の移動、又は他の光学系の使用によって）、又は同時に（２つ以上のペリクルヒータ２２０又は光学系の使用によって）、照射することができる。熱機械振動の振幅は、照射領域から更に離れたペリクルの領域では小さくなる（また、そのためクリーニング効果が低減する）場合がある。
【0122】
[000121] 方法は更に、ペリクル２０１の追加領域を照射することを含み得る。例えば、ペリクルヒータ２２０に対するペリクル２０１の位置を変更する、及び／又は、放射２３０がペリクル２０１の異なる領域を照射するようにペリクルヒータ２２０を調整することができる。
【0123】
[000122] ペリクルクリーニングツール２００の使用方法は更に、複数の波長の放射２３０でペリクル２０１を（同時に又は順次）照射することを含み得る。例えば、ペリクル２０１を最初に第１の波長の放射２３０で照射して第１のタイプの汚染を除去し、次いでペリクル２０１を第２の波長の放射２３０で照射して第２のタイプの汚染を除去することができる。複数の波長の放射２３０は、単一のペリクルヒータ２２０の特性を調整することによって提供され得るか、あるいは、複数のペリクルヒータ２２０をペリクルクリーニングツール２００に提供し、各ペリクルヒータ２２０が異なる波長の放射２３０を与えることによって提供され得る。
【0124】
[000123] 図４は、概念上の領域４１１～４１９が図示されている例示的なペリクル４０１を示す。領域４１１～４１９は単に表現上のものであり、ペリクル４０１自体の表面上にはマーキングされないことがある。ペリクル４０１は、ペリクルクリーニングツール２００によってクリーニングされるペリクル２０１とすればよい。説明の目的のため、クリーニングの前にペリクル４０１は領域４１１～４１９の各々において均一な汚染レベルで汚染されていると見なす。
【0125】
[000124] 最初に、ペリクル４０１の中央領域４１５を（放射２３０で）照射することができる。放射２３０は第１の熱機械振動を誘発し得る。第１の熱機械振動はクリーニング効果を提供することができる。照射領域（すなわち中央領域４１５）のクリーニング効果は、他の領域４１１～４１９のクリーニング効果よりも小さい可能性がある。この後（又はこれと同時に）、例えば領域４１１のような第２の領域を照射して、第２の熱機械振動を誘発することができる。第２の熱機械振動は追加のクリーニング効果を提供できる。例えば第２の熱機械振動は、第１の熱機械振動によって生じた中央領域４１５のものよりも顕著なクリーニングを発生させ得る。
【0126】
[000125] ペリクル４０１の全ての領域を（放射２３０で）照射するわけではない場合がある。例えば、領域４１１を最初に照射することができる。次いでペリクルヒータ２２０を移動させて、領域４１３、４１７、及び４１９を順番に照射することができる。このように、ペリクル４０１の各領域を熱機械振動によってクリーニングするが、いくつかの領域（例えば中央領域４１５又はエッジ領域４１４）は、いくつかの照射領域から生じる熱機械振動によってクリーニングされる。しかしながら、照射される領域の数及びそれらの照射の順序は特定の用途に応じて変動し得ることは認められよう。照射領域の各々が同じヒータによって順番に照射される例では、放射及び／又はヒータはペリクル４０１全体をスキャンするものとして記載することができる。
【0127】
[000126] ペリクルクリーニングツール２００及びペリクルクリーニングの方法は、特定のタイプのペリクル２０１（又はコンポーネント又はコンポーネントのタイプ）のために較正することができる（すなわち、放射２３０の特性及びペリクルクリーニングツール２００の他の態様を最適化できる）。例えば、放射２３０のビームの波長／周波数、複数のパルスの周波数、各パルスの照射時間長、及び／又は形状／プロファイルを最適化することができる。また、較正は、汚染物質を除去するための（ペリクルクリーニングツール２００による）クリーニング効果に必要な最小時間長、又は、それを超えるとペリクル２０１が損傷する恐れのある最大時間長（又は温度）を与えることができる。
【0128】
[000127] 較正は実験データを使用することができる。例えば、複数のペリクルを汚染させる。汚染は同様のレベルとし、１つ以上の人工汚染物質を用いることができる。例示的な人工汚染物質には、ホウ化ジルコニウム（ＺｒＢ２）又は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が含まれる。２つ以上の人工汚染物質を用いて各ペリクル２０１を汚染させ、伝導性汚染と非伝導性汚染の双方を提供してもよい。ペリクルクリーニングツール２００を用いて汚染ペリクルをクリーニングすることができる。汚染ペリクルの各々をクリーニングする際、例えば放射２３０の周波数のようなペリクルクリーニングツール２００の１つ以上の特性を変動させることができる。クリーニングの前後の汚染ペリクルの汚染を比較することにより、変動させた特性の関数として、ペリクルクリーニングツール２００により得られたクリーニング効果を測定できる。
【0129】
[000128] 較正は、しわが発生するまでペリクル２０１を放射２３０で照射することを含み得る。いくつかのペリクルでは、最小時間長は２０ｓであり、最大時間長は１時間以上であることが明らかになっている。
【0130】
[000129] 較正中に収集された実験データは、予測モデルに対する入力として使用できる。予測モデルを用いて、実験データの収集に用いた１つ以上のペリクルと同様にペリクル２０１をクリーニングするためのペリクルクリーニングツール２００を較正することができる。あるいは、ペリクル２０１が実験データの収集に用いたペリクルのいずれにも似ていない場合であっても、予測モデルを用いて、ペリクル２０１をクリーニングするためのペリクルクリーニングツール２００を較正することができる。言い換えると、実験データを用いて、以前クリーニングされていないペリクル２０１（又はペリクル２０１のタイプ）のためのペリクルクリーニングツール２００の最適な特性を外挿及び予測することができる。
【0131】
[000130] 表１は、ペリクルクリーニングツール２００の較正において試験された例示的な特性セットを示す。表１に示されている条件を試験するために使用したペリクルクリーニングツール２００は、２００Ｗの最大パワーを有する赤外線（ＩＲ）レーザを含むものであった。
【0132】
【表1】
【0133】
[000131] 表２は、表１に示した条件に対応するクリーニング結果を示す。これらの結果において試験されたペリクル２０１は、金属シリサイドフィルムから構築され、試験の前に人工汚染物質（ＺｒＢ２）で汚染させた。「ＰＲＤ全体」は、ペリクル２０１の全ての領域で除去された、直径が１μｍよりも大きい全ての生成汚染物質の百分率と数を示す。ＰＲＤ及び生成汚染物質は、ペリクル生成プロセスで生じた汚染、言い換えると、人工的に導入されたのではない汚染物質を表す。「ＺｒＢ２全体」、「ＺｒＢ２非露光及びＺｒＢ２露光」は、それぞれ、ペリクル２０１の全ての領域、非照射領域、及び照射領域で除去された、直径が１μｍよりも大きい人工汚染物質の百分率と数を示す。全ての汚染物質が球形であるわけではない。非球形の汚染物質では、直径（ここで用いる場合）は、非球形の汚染物質と同じ体積又は断面積を有するはずである球形の直径を表す。
【0134】
【表2】
【0135】
[000132] 表２は、試験を行ったパラメータのうち、試験番号３で使用したパラメータが、最良のクリーニングが得られたパラメータであったことを示す。
【0136】
[000133] 図５は、ペリクルクリーニングツール２００を用いたクリーニングの前後で、試験３において使用したペリクル２０１上に存在する汚染物質の数を、汚染物質のサイズの関数として示す例示的なグラフを示す。また、クリーニング率（すなわち、クリーニングによって除去された汚染物質の割合）も示されている。図５は、大きい汚染物質では特にクリーニングが有効であることを示している。
【0137】
【0138】
【0139】
【0140】
[000137] ペリクルクリーニングツール２００（及び、場合によってはペリクルクリーニングツールを含む他の装置）は、コンピュータシステムによって制御され得る。例えばコンピュータシステムは、リソグラフィ装置ＬＡにおける使用中にペリクル１６の汚染を監視できる。コンピュータシステムは、ペリクル１６の汚染が許容できないレベルに到達したときを識別し、ペリクル１６をペリクルクリーニングツール２００へ移送することができる。別の例として、コンピュータは、ペリクルクリーニングツール２００内のペリクル２０１の汚染を監視し、これに応じてペリクルヒータ２２０を調整できる。ペリクル２０１は、第１及び第２の汚染領域を有し得る。コンピュータは、これら２つの汚染領域を識別し、第１の汚染領域の近くのペリクル２０１の領域を照射するようにペリクルクリーニングツール２００を制御することができる。コンピュータは、第１の汚染領域の汚染レベルを監視し、第１の領域がクリーニングされていると判定したら、ペリクル２０１の第２の汚染領域の近くの領域が放射２３０で照射されるようにペリクルクリーニングツール２００を調整することができる。次いでペリクルクリーニングツール２００は、第２の汚染領域がクリーニングされているとコンピュータが判定するまで、ペリクル２０１の第２の汚染領域の近くの領域の照射を継続できる。
【0141】
[000138] 図７及び図８は、上述した原理及び技法に従ってペリクル７０２をクリーニングするための例示的な構成７００の概略図を示す。図７で最も良く見られるように、構成７００は、レーザビームをレーザコリメータ７０６に提供するレーザ７０４を含む。レーザコリメータ７０６は、コリメートレーザビーム７０８を筐体７１０に提供する。筐体７１０は、レーザビーム７０８がペリクル７０２に入射する前にこれを更に調節するための光学コンポーネントを含み得る。筐体７１０は更に、以下で説明する構成７００のコンポーネントの１つ以上の他のものを収容し得る。レーザビーム７０８は、ペリクル７０２を収容している容器７１４から光学ボックス７１０を分離する窓７１２を通過する。容器７１４は真空容器であってもよい。窓７１２は容器７１４に搭載することができ、任意の適切な手段を用いて搭載され得る。例えば窓７１２は、ボルトを用いて容器７１４に搭載することができる。有利には、動作中の既存の容器７１４は、窓７１２を搭載するのに適したねじ穴をすでに含み、構成７００を既存のツール及び装置に対する改造に適したものとすることができる。筐体７１０は、これも任意の適切な手段を用いて窓に搭載することができる。筐体７１０は別個に窓７１２に搭載され得る。
【0142】
[000139] ペリクル７０２を通過するレーザビーム７０８の部分は、ビームダンプ７１６に入射することができる。例えばパイロメータとすることができる熱放射センサ７１８が、ペリクル７０２から放出された熱放射を検出するように配置されている。熱放射センサ７１８を用いた熱放射の検出は、プロセス制御を可能とすることができる。例えば、ペリクル７０２から放出された熱放射に応じて、システムにより与えられるレーザ放射のパワー、持続時間、周波数等を調整できる。光センサ７２０（例えばカメラ）は、熱センサ７１８とレーザビーム７０８との位置合わせを可能とするため、レーザビーム７０８が存在するペリクル７０２の表面を撮像するように構成されている。
【0143】
[000140] レーザインターロック安全機構７２２は、例えばロードロック７２４を用いたペリクルのスワップ中に、レーザビーム７０８を自動的に遮断するため提供することができる。
【0144】
[000141] 図８は、構成７００の例示的なコンポーネントを更に詳しく示す。図８から、第２のビームダンプ７２２がレーザビーム７０８の反射部分７２４を受けるように配置されていることが分かる。第２のビームダンプ７２２は筐体７１０内に収容することができる。
【0145】
[000142] イルミネータ７２６（例えば１つ以上のＬＥＤ）を設けて、光センサ７２０（図８では見えない）のためにペリクル７０２を照明することができる。
【0146】
[000143] 上記で検討したように、リソグラフィプロセスに関連するコンポーネント（ペリクル以外）をクリーニングツールでクリーニングすることができる。別のコンポーネント（すなわち、クリーニングされるコンポーネント以外のコンポーネント）が、コンポーネントのクリーニングを可能とするためクリーニングツールを備えてもよい。一例として、レチクル背面検査ツール（すなわち、パターニングデバイスＭＡ等のパターニングデバイスの背面を検査するためのツール）が、パターニングデバイスをクリーニングするためのクリーニングツールを備えることができる。追加的に又は代替的に、パターニングデバイスＭＡを取り扱うためのデバイスにクリーニングツールを備えてもよい。
【0147】
[000144] 別の例として、レチクル交換デバイス（すなわち、パターニングデバイスを取り扱うためのデバイス）にクリーニングツールを備えて、パターニングデバイスＭＡ及び／又は支持構造ＭＴの一部のクリーニングを可能としてもよい。
【0148】
[000145] 別の例として、ウェーハ取扱システムにクリーニングツールを備えて、ウェーハ（すなわち基板Ｗ）のクリーニングを可能としてもよい
【0149】
[000146] 別の例として、クリーニングツールをリソグラフィ装置ＬＡと一体化して、リソグラフィ装置ＬＡ内でコンポーネントのクリーニングを可能としてもよい。例えばリソグラフィ装置ＬＡは、ＥＵＶ放射ビームＢに露光される基板Ｗの領域を制御するための１つ以上の部材を備え得る。このような部材をクリーニングツールによってクリーニングしてもよい。追加的に又は代替的に、ガスアウトレットは、汚染物質の蓄積を防止するため、レチクル及び／又はペリクルの表面にガスを誘導することができる。このようなガスアウトレットをクリーニングツールによってクリーニングしてもよい。
【0150】
[000147] 再び図２を参照すると、ヒータ２２０に対する追加又は代替として、クリーニングシステム２００はイオン源を含むことができる。イオン源は、イオンビームスパッタリングと呼ばれる、図９Ａ及び図９Ｂに関連して以下で記載されるクリーニング効果を提供できる。イオン源によって与えられるクリーニング効果は、ヒータ２２０によって与えられるクリーニング効果の代替として実施され得る。あるいは、イオン源によって与えられるクリーニング効果は、ヒータ２２０によって与えられるクリーニング効果に加えて実施され得る。ヒータ２２０及びイオン源を用いてクリーニング効果を与える例では、ヒータ２２０及びイオン源は任意の順序で使用することができる。例えば、イオン源を（コンポーネント２０１をクリーニングするため）最初に使用し、ヒータ２２０を２番目に使用すればよい。イオンビームスパッタリングは、汚染物質をコンポーネント２０１に結合している結合力の強度を低減させることにより、その後のクリーニング（例えばヒータ２２０によって行われるクリーニング）の効果を増大することができる。別の利点として、クリーニング技法の組み合わせ（例えば、熱機械振動を生じるための加熱とスパッタリングを誘発するためのイオンの放射）を用いることにより、１つのクリーニング技法が引き起こす不注意による損傷を軽減する及び／又は全体的に回避することができる。例えば、ペリクルは、熱機械振動（上述した加熱により生じる）によって損傷する可能性がある。最初にイオンビームスパッタリングを用いて（汚染物質をペリクルに結合している）結合力を低減することにより、その後の熱機械振動の効果を向上させることができる。従って、所与のクリーニング効果を達成するために必要な加熱が少なくて済み、加熱のみを用いてクリーニングを行う場合に比べ、ペリクルの損傷を軽減する（又は損傷する可能性を低下させる）ことができる。
【0151】
[000148] 図９Ａは、クリーニングされている、リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントの第１の概略図を示す。図９Ａは、汚染物質９３０で汚染されている、リソグラフィプロセス９１０に関連するコンポーネントを含むシステム９０１を示す。コンポーネント９２０にイオン９１０が入射する。
【0152】
[000149] イオン９１０は希ガス元素のイオンとすればよい。有利には、希ガス元素のイオンは、イオン９１０とコンポーネント９２０との間の化学反応を低減する（又は全体的に回避する）ことができる。例えばイオン９１０は、アルゴン陽イオン、すなわちイオン化によって１つ以上の電子を「失った」アルゴン原子とすればよい。あるいはイオン９１０は、ヘリウム陽イオン又はネオン陽イオンとすればよい。有利には、ヘリウム陽イオン又はネオン陽イオンは、アルゴン陽イオンに比べて原子の直径（又は半径）が小さく、側方散乱の可能性が低下する。言い換えると、ヘリウム陽イオン又はネオン陽イオンを用いることにより、他のイオンを用いる場合に比べて、（コンポーネント９２０に対する）有害な損傷をいっそう制御すると共に抑えることができ、注入リスクを軽減できる。イオン９１０は複数のイオンのうち１つであり得る。
【0153】
[000150] イオン９１０はイオン源によって提供することができる。例えばイオン源は、イオンミリングで用いられるようなイオン銃とすればよい。あるいはイオン源は、当技術において既知である適切なイオン源とすればよい。あくまでも例として、イオン源は、Ｋｒａｔｏｓ Ａｎａｌｙｔｉｃａｌによって製造されたマルチモードガスクラスタイオン源とすることができる。
【0154】
[000151] コンポーネント９２０は、（上記で検討したように）リソグラフィプロセスに関連する任意のコンポーネントとすればよい。一例として、コンポーネント９２０はペリクルとすればよい。コンポーネント９２０は第１の側９２１と第２の側９２２を有する。コンポーネントは原子９２３等の原子で作られている。図９Ａは、簡略化した原子の配置を有するコンポーネント９２０（及び汚染物質９３０）を示すが、これは単なる例示であり、図９Ａ（及び後述する図９Ｂ）に示されている方法は、より複雑な原子の配置を有するコンポーネントに適用され得ることは認められよう。
【0155】
[000152] コンポーネント９２０の第２の側９２２は汚染物質９３０で汚染されている。汚染物質９３０は原子９３１等の原子で作られている。結合力が、コンポーネント９２０に近接した汚染物質９３０の原子（原子９３２等）を、コンポーネント９２０の原子に結合する。結合力は、例えばファンデルワールス力に起因するものであり得る。
【0156】
[000153] イオン９１０は、矢印９１２によって示される方向でコンポーネント９２０の第１の側９２１の方へ誘導される。言い換えると、イオン９１０はコンポーネント９２０の第１の表面９２１を照射する。イオンは、コンポーネント９２０の一部を通って進むことができる。イオン９１０の中間位置９１４（及び対応する方向）が示され、イオン９１０がコンポーネント９２０の第１の側９２１の表面の原子の間を通って進むことを示している。
【0157】
[000154] イオン９１０は、第１の衝突９４１（星印で示されている）でコンポーネント９２０の第１の原子９２４と衝突する。第１の衝突９４１において、イオン９１０と第１の原子９２４との間で運動量交換が発生し、結果として第１の原子９２４が運動量を得る。第１の原子９２４は、第１の原子９２４の元の位置から（例えば、結晶構造に配置された原子では格子サイトから）移動するのに充分な運動量を得る。このような第１の原子９２４の移動を、第１の原子９２４が「はじき出される」と言うことができる。言い換えると、イオン９１０は、衝突カスケードとも呼ばれるカスケードを引き起こす。
【0158】
[000155] 第１の原子９２４は、第２の衝突９４２でコンポーネント９２０の第２の原子９２５と衝突する。第１の衝突９４１と同様、第２の衝突９４２でも、第１の原子９２４と第２の原子９２５との間で運動量交換があり、結果として第２の原子９２５が運動量を得る。第２の原子９２５は、第２の原子９２５の元の位置から移動するのに充分な運動量を得る。
【0159】
[000156] （コンポーネント９２０の）第２の原子９２５は、第３の衝突９４３で汚染物質９３０の原子９３６と衝突する。第３の衝突９４３において、第２の原子９２５と汚染物質９３０の原子９３６との間で運動量交換が発生する。汚染物質９３０の原子９３６は、原子９３６の元の位置から、（コンポーネント９２０の第２の表面９２２から離れた位置へ）移動するのに充分な運動量を得る。その結果、原子９３６（及び汚染物質９３０）をコンポーネント９２０の第２の表面９２２に引き付ける結合力は低減する。
【0160】
[000157] 汚染物質９３０をスパッタリングすることができる。言い換えると、結合力の低減に起因して、汚染物質９３０をコンポーネント９２０の第２の側９２２から解放することができる。他の例では、汚染物質９３０は解放されず、コンポーネント９２０の第２の側９２２上に留まるが、（イオンビームスパッタリングなしの場合に比べて／イオンビームスパッタリング前に比べて）結合力の強度は低減し得る。汚染物質９３０がスパッタリングによって解放されない例では、その後、他のクリーニング方法を用いて、例えば上述のように熱を加えることによって、汚染物質９３０を除去することができる。
【0161】
[000158] 図９Ａの例は、３回の衝突（すなわち、第１の衝突９４１、第２の衝突９４２、及び第３の衝突９４３）のカスケードを示すが、汚染物質９３０の原子を含む衝突（衝突９４３等）の前に任意の数の衝突が可能であることは認められよう。いくつかの例では、イオン９１０は、コンポーネント９２０を真っすぐに（すなわち、コンポーネント９２０の原子と衝突することなく）進み、イオン９１０自体が、汚染物質９３０の原子（原子９３６等）と衝突することがある。
【0162】
[000159] また、イオン９１０は、任意の適切な角度を用いて（第１の表面９２１の）任意の適切な領域でコンポーネントの第１の表面９２１と相互作用できることは認められよう。例えば、イオン９１０の方向９１２は第１の表面９２１に対して垂直であり、（例えば汚染物質９３０によって）汚染されている第２の表面９２１の領域とは反対側の第１の表面９２１の領域へ誘導され得る。代替的な例として、イオン９１０の方向９１２は第１の表面９２１に対して代替的な角度であり（すなわち垂直ではない）、汚染されている第２の表面９２１の領域の方へイオン９１０が誘導されるように、第１の表面９２１の領域へ誘導される。言い換えると、イオン９１０の方向９１２及びイオンが入射する第１の表面９２１の領域は、イオン９１０（及びイオン９１０によって生じるカスケード）が汚染されている第２の表面９２１の領域へ誘導されるように選択すればよい。
【0163】
[000160] 図９Ａは単一のイオン９１０を示すが、所望のクリーニング効果（すなわち、それがスパッタリングによる汚染物質９３０の除去であるか、又は、汚染物質９３０をコンポーネント９２０の第２の側９２２に結合している結合力の低減であるかに関わらず）を達成するために、任意の適切な数のイオン９１０を使用できることは認められよう。同様に、イオン９１０の特性は、所望のクリーニング効果を達成するように選択され得る。例えば、各イオン９１０のエネルギ及び／又は全てのイオン９１０により与えられる総ドーズ／電流は、所望のクリーニング効果を達成するように選択され得る。各イオン９１０には、約０．１ｋｅＶ～１０ｋｅＶのエネルギが適切なエネルギであり得る。約１ｎＡ～１ｍＡの電流が適切な総電流であり得る。イオン９１０の特性は、コンポーネント９２０内で原子のカスケードを引き起こすのに充分なエネルギを与えるよう選択され得る。イオン９１０の特性は、コンポーネント９２０の損傷を防止するように選択され得る。例えば、イオン９１０の特性は、コンポーネント９２０内の原子のカスケードが、コンポーネント９２０の損傷を軽減及び／又は回避するのに適したサイズである（すなわち、適切な数の原子がはじき出される）ことを保証するように選択され得る。イオン９１０の特性が適切に選択されていない場合に発生し得る損傷の例には、コンポーネント９２０の表面に凹凸が付くこと、コンポーネント９２０が薄くなること、及び／又はコンポーネント９２０の構造が劣化することが含まれる。このような損傷はコンポーネント９２０の性能に影響を及ぼし得る。コンポーネント９２０がペリクルである例では、損傷は撮像の主要性能指標（ｋｅｙ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｉｎｄｉｃａｔｏｒ）に悪影響を及ぼす恐れがある。各イオン９１０のエネルギは、各イオン９１０がコンポーネント９２０内の単一の原子をはじき出すのに充分なエネルギを有することを保証するように選択され得る。
【0164】
[000161] コンポーネント９２０の第１の側９２１は、１つ以上の領域にイオン９１０を照射することができる。例えば、（コンポーネント９２０の第２の側９２２の）領域が汚染されていると識別され、第１の側９２１の対応する領域をイオン９１０で照射することで、第２の側９２２の領域でクリーニング効果を達成できる。汚染領域は、例えば光学装置及び／又は技法のような、当技術分野において既知である任意の適切な装置及び／又は技法を用いて識別され得る。追加的に又は代替的に、第１の側９２１の対応する領域を順番に照射することによって、第２の側９２２の複数の領域をクリーニングすることも可能である。このようにして、第２の側９２２の全表面をクリーニングすることができる。言い換えると、イオン９１０（及び／又はイオン源）は、ヒータを参照して上述したのと同様に、コンポーネント９２０をスキャンすることができる。これをラスタスキャンと呼ぶことができる。
【0165】
[000162] コンポーネント９２０は任意の熱膨張係数を有し得る。言い換えると、コンポーネント９２０の熱膨張係数は、イオン照射によるクリーニングに影響を及ぼさない可能性がある。
【0166】
[000163] 図９Ｂは、クリーニングされている、リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントの第２の概略図を示す。図９Ｂは、汚染物質９３０で汚染されている、リソグラフィプロセス９１０に関連するコンポーネントを含むシステム９０２を示す。システム９０２の様々な態様（コンポーネント９２０及び汚染物質９３０を含む）は、システム９０１と実質的に同じであり、同様の番号が付けられている。イオン９５０はコンポーネント９２０を照射している。
【0167】
[000164] 方向及び開始位置を除いて、イオン９５０はイオン９１０と実質的に同じとすればよい。
【0168】
[000165] イオン９５０は、矢印９５２によって示される方向でコンポーネント９２２の第２の側９２２（すなわち汚染物質９３０で汚染されている側）の方へ誘導される。言い換えると、イオン９５０はコンポーネント９２０の第２の表面９２２を照射する。イオン９５０の方向９５２は、システム９０１に関して検討された垂直角よりも小さい角度とすることができる（コンポーネント９２０の第２の側９２２が規定する面に対して測定される）。言い換えると、角度は斜め角とすればよい。コンポーネント９２０と比較した汚染物質９３０の相対的な厚さのため、イオン９５０は、汚染物質９３０を通って進む（又は汚染物質９３０を通り抜けるカスケードを引き起こす）ことができない場合がある。従ってこの角度は、コンポーネント９２０と接触している汚染物質９３０の領域（原子９３２、９３８が占める領域等）が、（汚染物質９３０自体で遮られずに）イオン９５０で照射されるのを保証することができる充分に小さい角度とすればよい。（図９Ａに関して上記で検討された）イオン９５０の特性と同様、イオン９５０の特性は、所望のクリーニング効果を達成するように及び／又はコンポーネント９２０の損傷を防止するように選択され得る。
【0169】
[000166] イオン９５０は、衝突９６１（星印で示されている）で汚染物質９３０の原子９３８と衝突する。第１の衝突９６１において、イオン９５０と原子９３８との間で運動量交換が発生し、結果として原子９３８が運動量を得てはじき出される。その結果、原子９３８（及び汚染物質９３０）をコンポーネント９２０の第２の表面９２２に引き付ける結合力は低減する。
【0170】
[000167] システム９０１と同様、システム９０２でも、汚染物質９３０をスパッタリングすること及び／又は結合力の強度を低減することができる。
【0171】
[000168] イオン９５０の特性は、最適なクリーニング効果を与えるように及び／又はコンポーネント９２０の損傷を最小限に抑えるように選択され得る。例えばイオン９５０のエネルギは、単一の衝突の発生を保証するように（すなわち、汚染物質９３０の単一の原子がはじき出されるように）選択され得る。
【0172】
[000169] 第１の側及び第２の側で汚染されているコンポーネントでは、図９Ａに示されている第１の側及び図９Ｂで示されている第２の側をクリーニングする単一のイオン源を用いて、コンポーネントをクリーニングすればよい。あるいは、１回目は図９Ａで示されている第１の側でコンポーネントをクリーニングし、コンポーネント及び／又はイオン源を配置し直して、２回目は図９Ａに示されている第２の側でコンポーネントをクリーニングすればよい。同様に、図９Ｂに示されている方法を用いてコンポーネントを２回クリーニングしてもよい。
【0173】
[000170] コンポーネント２０１のクリーニングに関してクリーニングツール２００を上述したが、クリーニングツール２００を用いてコンポーネントの構造的完全性を試験することも可能である。従って、クリーニングツール２００は試験ツール２００としても記載され得る。試験ツール２００によって試験されるコンポーネントは、ペリクル又はリソグラフィプロセスに関連する他の任意のコンポーネントとすることができる。例えばツール２００を用いて、例えばペリクルの膜の最大抗張力を試験することができる。コンポーネント２０１の構造的完全性を試験するために使用される場合、試験ツール２００は、コンポーネント２０１をクリーニングするために使用される場合と同一の又は同様の手法で使用され得る。
【0174】
[000171] コンポーネント２０１の構造的完全性を試験するために使用される場合、構造的完全性が必要な値（すなわち構造的完全性閾値）未満であると、（放射２３０が与える熱によって引き起こされる）熱機械振動がコンポーネント２０１を破損させる可能性がある。一例として、ペリクルの膜は、ペリクルが必要な構造的完全性を持たない場合に破損し得る。このように試験を行うことによって、構造的完全性が必要な値未満であるコンポーネント（すなわち欠陥のあるコンポーネント）をスクリーニングすることができる。有利には、このような試験は、欠陥のあるコンポーネントの識別を可能とする。その結果、このような試験により、欠陥のあるコンポーネントが例えばリソグラフィ装置に設置されることを回避し、これによりダウンタイム期間を回避することができる。コンポーネント２０１がペリクルである例では、このようにペリクルを試験すること（それにより、欠陥のあるペリクルをリソグラフィ装置で使用するのを防止すること）は、欠陥のあるペリクルがリソグラフィ装置内の所定位置に配置されている間に破損した場合、レチクルを損傷することを防止する。
【0175】
[000172] 熱機械振動（及び対応する１つ以上の機械波）は、コンポーネント２０１の表面全体に伝わることができる。例えば１つ以上の機械波は、従来技術の方法を用いた場合には試験されなかったはずの膜のコーナでペリクルの構造的完全性を試験することができる。有利には、試験ツール２００を用いて、他の場合には識別されなかったはずの欠陥のあるコンポーネントをスクリーニングすることができる。特に、従来技術の試験方法はコーナ部でペリクルをクランプする必要があり、結果としてコーナ部を適切に試験することができないことがある。また、従来技術の試験方法を用いてペリクルを試験する場合、ペリクルフレームが、膜全体が充分に変形することを妨げる可能性がある。例えば、ペリクルフレームの近くの領域は、膜の他の領域と同程度まで変形しないことがある。その結果、従来技術の試験方法は、ペリクルフレームの近くの領域を適切に試験することができない恐れがある。現在記載されている技法は、コーナ部及び／又はペリクルフレームに近い部分を含めて、ペリクル全体にわたる構造的完全性の試験を可能とする。特に、現在記載されている技法は、コーナ部をクランプすることなく構造的完全性の試験を可能とする。
【0176】
[000173] コンポーネント２０１の構造的完全性の試験に用いられる放射２３０は、コンポーネント２０１のクリーニングに用いられる放射と実質的に同じ特性を有し得る。追加的に又は代替的に、（試験に用いられる）放射の特性は、コンポーネント２０１に誘発される１つ以上の機械波の速度振幅を増大又は最適化するように選択され得る。速度振幅を増大させると、１つ以上の機械波により引き起こされる応力振幅が増大する。一例として、試験に用いられる放射は、クリーニングに用いられる放射のスリット幅よりも狭いスリット幅を有する。狭いスリット幅は、短い波長、高い周波数、従って高い最大速度振幅の波を生成することができる。応力振幅は最大速度振幅に対応するので、（クリーニング向けのツールの使用に比べて）スリット幅を小さくすると、応力振幅を増大させることができる。
【0177】
[000174] 追加的に又は代替的に、コンポーネント２０１の構造的完全性の試験に用いられる放射２３０は、増大させたパルスエネルギ又はスポットサイズを有し得る。このような放射２３０は、ツールによって吸収される熱のパワーを増大させ得るので、コンポーネント２０１の信頼性を試験するには有用であり得る。
【0178】
[000175] クリーニングツール２００は、ツールを試験ツールとして使用するように構成するため追加的な又は代替的なコンポーネントを備えることができる。例えばツール２００は、追加的な又は代替的な光学要素を備え得る。
【0179】
[000176] いくつかの例では、ツール２００は、第１のスリット幅を有する放射２３０及び第２のスリット幅を有する放射２３０を与えるように動作させることができる。例えばツール２００は、第１のスリット幅を有する放射２３０で第１のコンポーネントを加熱することによって第１のコンポーネントをクリーニングすることができる。次いでツールは、第２のスリット幅を有する放射でコンポーネント（第１のコンポーネント又は第２のコンポーネント）を加熱することによって、このコンポーネントをクリーニングすることができる。第２のスリット幅は、第１のスリット幅と同じであるか、第１のスリット幅よりも狭いか、又は広いことがある。
【0180】
[000177] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。考えられる他の用途は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。
【0181】
[000178] 本明細書ではリソグラフィ装置に関連して本発明の実施形態について具体的な言及がなされているが、本発明の実施形態は他の装置に使用することもできる。本発明の実施形態は、マスク検査装置、メトロロジ装置、又はウェーハ（あるいはその他の基板）もしくはマスク（あるいはその他のパターニングデバイス）などのオブジェクトを測定又は処理する任意の装置の一部を形成してよい。これらの装置は一般にリソグラフィツールと呼ばれることがある。このようなリソグラフィツールは、真空条件又は周囲（非真空）条件を使用することができる。
【0182】
[000179] 文脈上許される場合、本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらの任意の組み合わせにおいて実装することができる。本発明の実施形態は、１つ以上のプロセッサにより読み取られて実行され得る、機械可読媒体に記憶された命令として実装することも可能である。機械可読媒体は、機械（例えばコンピューティングデバイス）により読み取り可能な形態で情報を記憶又は伝送するための任意の機構を含むことができる。例えば機械可読媒体は、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響又は他の形態の伝搬信号（例えば搬送波、赤外信号、デジタル信号など）、及び他のものを含むことができる。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令は、特定のアクションを実行するものとして本明細書で説明されることがある。しかしながら、そのような説明は単に便宜上のものであり、そのようなアクションは実際には、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行するコンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、又は他のデバイスから生じ、実行する際、アクチュエータ又は他のデバイスが物質世界と相互作用し得ることを理解すべきである。
【0183】
[000180] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることは理解されよう。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、下記に示す特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図7】
【図8】
【図9A】
【図9B】
【手続補正書】
【提出日】2024-09-04
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントをクリーニングするためのクリーニングシステムであって、前記コンポーネントに熱機械振動を引き起こすため、及び／又は、
前記コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、
使用時に前記コンポーネントの領域を照射するよう構成された少なくとも１つの放射放出器を備える、クリーニングシステム。
【請求項2】
リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントの構造的完全性を試験するためのシステムであって、前記コンポーネントに熱機械振動を引き起こすため、使用時に前記コンポーネントの領域を照射するよう構成された少なくとも１つの放射放出器を備える、システム。
【請求項3】
前記コンポーネントを保持するように構成されたホルダを更に備える、請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項4】
前記少なくとも１つの放射放出器は、前記コンポーネントに熱機械振動を引き起こすため、使用時に前記コンポーネントの領域を照射するよう構成されたヒータを含む、請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項5】
前記ヒータはレーザである、請求項４に記載のシステム。
【請求項6】
前記ヒータによって与えられる放射はパルス状である、請求項４に記載のシステム。
【請求項7】
前記放射は１Ｈｚから１ＭＨｚのパルス周波数を有する、請求項６に記載のシステム。
【請求項8】
前記ヒータは複数の放射ビームを与えるように構成されている、請求項４に記載のシステム。
【請求項9】
前記ヒータは、前記複数の放射ビームのうち１つ以上を発生させるため１つ以上のビーム分割及び／又は方向転換光学系を含む、請求項８に記載のシステム。
【請求項10】
前記ヒータは、使用時に複数のコンポーネントの各々の領域を加熱するように構成され、前記複数のコンポーネントの各々は複数のホルダのうち１つに保持されている、請求項４に記載のシステム。
【請求項11】
前記ヒータは、前記複数のコンポーネントのうち異なるものを異なる波長によって加熱するように構成されている、請求項１０に記載のシステム。
【請求項12】
前記少なくとも１つの放射放出器は、前記コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、使用時に前記コンポーネントの領域をイオンで照射するよう構成されたイオン源を含む、請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項13】
前記イオン源は、前記コンポーネントの第２の側に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、使用時に前記コンポーネントの第１の側の領域をイオンで照射するよう構成されている、請求項１２に記載のシステム。
【請求項14】
前記少なくとも１つの放射放出器は、前記コンポーネントに熱機械振動を引き起こすため、使用時に前記コンポーネントの領域を加熱するよう構成されたヒータと、
前記コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、使用時に前記コンポーネントの領域をイオンで照射するよう構成されたイオン源と、
を含む、請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項15】
前記放射のスリット幅を第１のスリット幅と第２のスリット幅との間に調整するためアジャスタを備える、請求項１又は２に記載のシステム。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0183】
[000180] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることは理解されよう。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、下記に示す特許請求の範囲及び条項から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
［条項１］
リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントをクリーニングするためのクリーニングシステムであって、
前記コンポーネントに熱機械振動を引き起こすため、及び／又は、
前記コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、
使用時に前記コンポーネントの領域を照射するよう構成された少なくとも１つの放射放出器を備える、クリーニングシステム。
［条項２］
リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントの構造的完全性を試験するためのシステムであって、
前記コンポーネントに熱機械振動を引き起こすため、使用時に前記コンポーネントの領域を照射するよう構成された少なくとも１つの放射放出器を備える、システム。
［条項３］
前記コンポーネントはペリクルである、条項１又は２に記載のシステム。
［条項４］
前記コンポーネントを保持するように構成されたホルダを更に備える、条項１から３のいずれかに記載のシステム。
［条項５］
前記少なくとも１つの放射放出器は、前記コンポーネントに熱機械振動を引き起こすため、使用時に前記コンポーネントの領域を照射するよう構成されたヒータを含む、条項１から４のいずれかに記載のシステム。
［条項６］
前記ヒータはレーザである、条項５に記載のシステム。
［条項７］
前記ヒータによって与えられる放射は３００ＧＨｚから４３００ＴＨｚの周波数を有する、条項５又は６に記載のシステム。
［条項８］
前記ヒータによって与えられる放射は１ｍＷから２００Ｗの平均電力を有する、条項５から７のいずれか一項に記載のシステム。
［条項９］
前記ヒータによって与えられる放射はパルス状である、条項５から８のいずれか一項に記載のシステム。
［条項１０］
前記放射は１Ｈｚから１ＭＨｚのパルス周波数を有する、条項９に記載のシステム。
［条項１１］
前記放射の各パルスは１ｆｓから１０μｓの持続時間を有する、条項９又は１０に記載のシステム。
［条項１２］
前記ホルダは、前記コンポーネントからクリーニングされる汚染物質が前記重力下で前記コンポーネントの付近から除去されるように位置決めされている、条項４から１１のいずれかに記載のシステム。
［条項１３］
前記ヒータは複数の放射ビームを与えるように構成されている、条項５から１２のいずれか一項に記載のシステム。
［条項１４］
前記ヒータは、前記複数の放射ビームのうち１つ以上を発生させるため複数のヒータを含む、条項１３に記載のシステム。
［条項１５］
前記ヒータは、前記複数の放射ビームのうち１つ以上を発生させるため１つ以上のビーム分割及び／又は方向転換光学系を含む、条項１３又は１４に記載のシステム。
［条項１６］
前記ホルダは複数のホルダのうち１つであり、
前記ヒータは、使用時に複数のコンポーネントの各々の領域を加熱するように構成され、前記複数のコンポーネントの各々は前記複数のホルダのうち１つに保持されている、条項４に従属する条項５から１５のいずれか一項に記載のシステム。
［条項１７］
使用時に前記複数の放射ビームのうち異なるものがそれぞれ前記複数のコンポーネントのうち異なるものに入射するように構成されている、条項１３から１５のいずれか一項に従属する条項１６に記載のシステム。
［条項１８］
前記ヒータは、前記複数のコンポーネントのうち異なるものを異なる波長によって加熱するように構成されている、条項１６に記載のシステム。
［条項１９］
前記少なくとも１つの放射放出器は、前記コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、使用時に前記コンポーネントの領域をイオンで照射するよう構成されたイオン源を含む、条項１から１８のいずれかに記載のシステム。
［条項２０］
前記イオン源は、前記コンポーネントの第２の側に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、使用時に前記コンポーネントの第１の側の領域をイオンで照射するよう構成されている、条項１９に記載のシステム。
［条項２１］
前記イオン源は、前記コンポーネントの第１の側に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、使用時に前記コンポーネントの前記第１の側の領域をイオンで照射するよう構成されている、条項１９又は２０に記載のシステム。
［条項２２］
前記少なくとも１つの放射放出器は、
前記コンポーネントに熱機械振動を引き起こすため、使用時に前記コンポーネントの領域を加熱するよう構成されたヒータと、
前記コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、使用時に前記コンポーネントの領域をイオンで照射するよう構成されたイオン源と、
を含む、条項１から２１のいずれかに記載のシステム。
［条項２３］
筐体を更に備え、前記放射放出器及び前記ホルダは前記筐体内に収容されている、条項３から２２のいずれか一項に記載のシステム。
［条項２４］
前記筐体はロードロックチャンバを含む、条項２３に記載のシステム。
［条項２５］
真空ポンプを更に備える、条項２３又は２４に記載のシステム。
［条項２６］
汚染物質を除去するためガス排出部を更に備える、条項１から２５のいずれかに記載のシステム。
［条項２７］
前記放射放出器によって放出された放射を測定するためのメトロロジを更に備える、条項１から２６のいずれかに記載のシステム。
［条項２８］
前記コンポーネント上の又は前記コンポーネントから除去された汚染を測定するためのメトロロジを更に備える、条項１から２７のいずれかに記載のシステム。
［条項２９］
前記放射のスリット幅を第１のスリット幅と第２のスリット幅との間に調整するためアジャスタを備える、条項１から２８のいずれかに記載のシステム。
［条項３０］
リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントをクリーニングする方法であって、
前記コンポーネントに熱機械振動を誘発するため、及び／又は、
前記コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、
前記コンポーネントの領域を照射することを含む、方法。
［条項３１］
リソグラフィ処理に関連するコンポーネントの前記構造的完全性を試験する方法であって、前記コンポーネントに熱機械振動を誘発するため前記コンポーネントの領域を照射することを含む、方法。
［条項３２］
前記コンポーネントの前記領域を照射することは、前記コンポーネントに熱機械振動を誘発するため前記コンポーネントの前記領域を加熱することを含む、条項３０又は３１に記載の方法。
［条項３３］
加熱することはパルスヒータの１つ以上のパルスを提供することを含む、条項３２に記載の方法。
［条項３４］
前記コンポーネントの前記領域を加熱することは２０秒から１時間までの時間にわたって実行される、条項３２又は３３に記載の方法。
［条項３５］
放射によって前記コンポーネントを加熱することは、２０秒から１時間まで前記コンポーネントの第２の領域を加熱することを更に含む、条項３２、３３、又は３４に記載の方法。
［条項３６］
前記コンポーネントの領域を照射することは、前記コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため前記コンポーネントの前記領域をイオンで照射することを含む、条項３０から３５のいずれか一項に記載の方法。
［条項３７］
前記コンポーネントの領域を照射することは、前記コンポーネントの第２の側に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため前記コンポーネントの第１の側の領域をイオンで照射することを含む、条項３６に記載の方法。
［条項３８］
前記コンポーネントの領域を照射することは、前記コンポーネントの第１の側に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため前記コンポーネントの前記第１の側の領域をイオン源で照射することを含む、条項３６又は３７に記載の方法。
［条項３９］
前記方法は、
第１のスリット幅を有する放射で前記コンポーネントを照射することと、
第２のスリット幅を有する放射で第２のコンポーネントを照射することと、
を含む、条項３０から３８のいずれかに記載の方法。
［条項４０］
前記方法は、
第１のスリット幅を有する放射で前記コンポーネントを照射することによって、前記コンポーネントの前記構造的完全性を試験することと、
前記放射の前記スリット幅を前記第１のスリット幅から第２のスリット幅に狭くすることと、
前記第２のスリット幅を有する放射で前記コンポーネントを照射することによって、前記コンポーネントをクリーニングすることと、
を含む、条項３０から３８のいずれかに記載の方法。
［条項４１］
条項３０から４０のいずれかに記載の方法を実行するように条項１から２９のいずれかに記載のシステムを制御するよう構成されたコントローラ。
［条項４２］
条項３０から４０のいずれかに記載の方法に従ってクリーニング又は試験が行われるコンポーネント。
［条項１］
リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントをクリーニングするためのクリーニングシステムであって、
前記コンポーネントに熱機械振動を引き起こすため、及び／又は、
前記コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、
使用時に前記コンポーネントの領域を照射するよう構成された少なくとも１つの放射放出器を備える、クリーニングシステム。
［条項２］
リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントの構造的完全性を試験するためのシステムであって、
前記コンポーネントに熱機械振動を引き起こすため、使用時に前記コンポーネントの領域を照射するよう構成された少なくとも１つの放射放出器を備える、システム。
［条項３］
前記コンポーネントはペリクルである、条項１又は２に記載のシステム。
［条項４］
前記コンポーネントを保持するように構成されたホルダを更に備える、条項１から３のいずれかに記載のシステム。
［条項５］
前記少なくとも１つの放射放出器は、前記コンポーネントに熱機械振動を引き起こすため、使用時に前記コンポーネントの領域を照射するよう構成されたヒータを含む、条項１から４のいずれかに記載のシステム。
［条項６］
前記ヒータはレーザである、条項５に記載のシステム。
［条項７］
前記ヒータによって与えられる放射は３００ＧＨｚから４３００ＴＨｚの周波数を有する、条項５又は６に記載のシステム。
［条項８］
前記ヒータによって与えられる放射は１ｍＷから２００Ｗの平均電力を有する、条項５から７のいずれか一項に記載のシステム。
［条項９］
前記ヒータによって与えられる放射はパルス状である、条項５から８のいずれか一項に記載のシステム。
［条項１０］
前記放射は１Ｈｚから１ＭＨｚのパルス周波数を有する、条項９に記載のシステム。
［条項１１］
前記放射の各パルスは１ｆｓから１０μｓの持続時間を有する、条項９又は１０に記載のシステム。
［条項１２］
前記ホルダは、前記コンポーネントからクリーニングされる汚染物質が前記重力下で前記コンポーネントの付近から除去されるように位置決めされている、条項４から１１のいずれかに記載のシステム。
［条項１３］
前記ヒータは複数の放射ビームを与えるように構成されている、条項５から１２のいずれか一項に記載のシステム。
［条項１４］
前記ヒータは、前記複数の放射ビームのうち１つ以上を発生させるため複数のヒータを含む、条項１３に記載のシステム。
［条項１５］
前記ヒータは、前記複数の放射ビームのうち１つ以上を発生させるため１つ以上のビーム分割及び／又は方向転換光学系を含む、条項１３又は１４に記載のシステム。
［条項１６］
前記ホルダは複数のホルダのうち１つであり、
前記ヒータは、使用時に複数のコンポーネントの各々の領域を加熱するように構成され、前記複数のコンポーネントの各々は前記複数のホルダのうち１つに保持されている、条項４に従属する条項５から１５のいずれか一項に記載のシステム。
［条項１７］
使用時に前記複数の放射ビームのうち異なるものがそれぞれ前記複数のコンポーネントのうち異なるものに入射するように構成されている、条項１３から１５のいずれか一項に従属する条項１６に記載のシステム。
［条項１８］
前記ヒータは、前記複数のコンポーネントのうち異なるものを異なる波長によって加熱するように構成されている、条項１６に記載のシステム。
［条項１９］
前記少なくとも１つの放射放出器は、前記コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、使用時に前記コンポーネントの領域をイオンで照射するよう構成されたイオン源を含む、条項１から１８のいずれかに記載のシステム。
［条項２０］
前記イオン源は、前記コンポーネントの第２の側に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、使用時に前記コンポーネントの第１の側の領域をイオンで照射するよう構成されている、条項１９に記載のシステム。
［条項２１］
前記イオン源は、前記コンポーネントの第１の側に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、使用時に前記コンポーネントの前記第１の側の領域をイオンで照射するよう構成されている、条項１９又は２０に記載のシステム。
［条項２２］
前記少なくとも１つの放射放出器は、
前記コンポーネントに熱機械振動を引き起こすため、使用時に前記コンポーネントの領域を加熱するよう構成されたヒータと、
前記コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、使用時に前記コンポーネントの領域をイオンで照射するよう構成されたイオン源と、
を含む、条項１から２１のいずれかに記載のシステム。
［条項２３］
筐体を更に備え、前記放射放出器及び前記ホルダは前記筐体内に収容されている、条項３から２２のいずれか一項に記載のシステム。
［条項２４］
前記筐体はロードロックチャンバを含む、条項２３に記載のシステム。
［条項２５］
真空ポンプを更に備える、条項２３又は２４に記載のシステム。
［条項２６］
汚染物質を除去するためガス排出部を更に備える、条項１から２５のいずれかに記載のシステム。
［条項２７］
前記放射放出器によって放出された放射を測定するためのメトロロジを更に備える、条項１から２６のいずれかに記載のシステム。
［条項２８］
前記コンポーネント上の又は前記コンポーネントから除去された汚染を測定するためのメトロロジを更に備える、条項１から２７のいずれかに記載のシステム。
［条項２９］
前記放射のスリット幅を第１のスリット幅と第２のスリット幅との間に調整するためアジャスタを備える、条項１から２８のいずれかに記載のシステム。
［条項３０］
リソグラフィプロセスに関連するコンポーネントをクリーニングする方法であって、
前記コンポーネントに熱機械振動を誘発するため、及び／又は、
前記コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため、
前記コンポーネントの領域を照射することを含む、方法。
［条項３１］
リソグラフィ処理に関連するコンポーネントの前記構造的完全性を試験する方法であって、前記コンポーネントに熱機械振動を誘発するため前記コンポーネントの領域を照射することを含む、方法。
［条項３２］
前記コンポーネントの前記領域を照射することは、前記コンポーネントに熱機械振動を誘発するため前記コンポーネントの前記領域を加熱することを含む、条項３０又は３１に記載の方法。
［条項３３］
加熱することはパルスヒータの１つ以上のパルスを提供することを含む、条項３２に記載の方法。
［条項３４］
前記コンポーネントの前記領域を加熱することは２０秒から１時間までの時間にわたって実行される、条項３２又は３３に記載の方法。
［条項３５］
放射によって前記コンポーネントを加熱することは、２０秒から１時間まで前記コンポーネントの第２の領域を加熱することを更に含む、条項３２、３３、又は３４に記載の方法。
［条項３６］
前記コンポーネントの領域を照射することは、前記コンポーネント上に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため前記コンポーネントの前記領域をイオンで照射することを含む、条項３０から３５のいずれか一項に記載の方法。
［条項３７］
前記コンポーネントの領域を照射することは、前記コンポーネントの第２の側に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため前記コンポーネントの第１の側の領域をイオンで照射することを含む、条項３６に記載の方法。
［条項３８］
前記コンポーネントの領域を照射することは、前記コンポーネントの第１の側に存在する汚染物質のスパッタリングを誘発するため前記コンポーネントの前記第１の側の領域をイオン源で照射することを含む、条項３６又は３７に記載の方法。
［条項３９］
前記方法は、
第１のスリット幅を有する放射で前記コンポーネントを照射することと、
第２のスリット幅を有する放射で第２のコンポーネントを照射することと、
を含む、条項３０から３８のいずれかに記載の方法。
［条項４０］
前記方法は、
第１のスリット幅を有する放射で前記コンポーネントを照射することによって、前記コンポーネントの前記構造的完全性を試験することと、
前記放射の前記スリット幅を前記第１のスリット幅から第２のスリット幅に狭くすることと、
前記第２のスリット幅を有する放射で前記コンポーネントを照射することによって、前記コンポーネントをクリーニングすることと、
を含む、条項３０から３８のいずれかに記載の方法。
［条項４１］
条項３０から４０のいずれかに記載の方法を実行するように条項１から２９のいずれかに記載のシステムを制御するよう構成されたコントローラ。
［条項４２］
条項３０から４０のいずれかに記載の方法に従ってクリーニング又は試験が行われるコンポーネント。
【国際調査報告】