特表 2025-504770 ＲＦ接続用の断熱材を有するウエハチャックアセンブリ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2025-02-19

(54)【発明の名称】ＲＦ接続用の断熱材を有するウエハチャックアセンブリ

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20250212BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20250212BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20250212BHJP

   H02N 13/00 20060101ALI20250212BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

H01L21/31 C

H01L21/302 101G

H02N13/00 D

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024539791

(86)(22)【出願日】2023-01-27

(85)【翻訳文提出日】2024-08-28

(86)【国際出願番号】 US2023061512

(87)【国際公開番号】W WO2023150478

(87)【国際公開日】2023-08-10

(31)【優先権主張番号】63/267,423

(32)【優先日】2022-02-01

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

【公序良俗違反の表示】

（特許庁注：以下のものは登録商標）

１．ＴＥＦＬＯＮ

２．ＵＬＴＥＭ

３．ＴＯＲＬＯＮ

４．ＲＹＴＯＮ

(71)【出願人】

【識別番号】592010081

【氏名又は名称】ラム リサーチ コーポレーション

【氏名又は名称原語表記】ＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ

(74)【代理人】

【識別番号】110000028

【氏名又は名称】弁理士法人明成国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】ブレイリング・パトリック・ジー．

(72)【発明者】

【氏名】ベロストツキー・セルゲイ・ジー．

(72)【発明者】

【氏名】トーマス・ティモシー・エス．

(72)【発明者】

【氏名】ホリングスワース・ジョエル

(72)【発明者】

【氏名】チャンドラセカーラン・ラメシュ

(72)【発明者】

【氏名】ヴァヒーディー・マフムード

【テーマコード（参考）】

5F004

5F045

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F004BB13

5F004BB18

5F004BB22

5F004BB26

5F004BB29

5F004BD04

5F004BD05

5F045AA08

5F045AA15

5F045AA19

5F045DP02

5F045EB10

5F045EK07

5F045EM05

5F045EM09

5F131AA02

5F131BA01

5F131BA03

5F131BA04

5F131BA17

5F131CA02

5F131CA68

5F131DA33

5F131DA42

5F131EA03

5F131EA04

5F131EB16

5F131EB26

5F131EB78

5F131EB79

5F131EB87

5F131JA33

(57)【要約】

【解決手段】１つまたは複数のプラズマ電極を有するプラテンと、１つまたは複数のプラズマ電極に電気的に連結された少なくとも１つの高周波（ＲＦ）導体を備えるＲＦアセンブリとを備えるウエハチャックアセンブリが説明される。少なくとも１つのＲＦ導体は、１つまたは複数のプラズマ電極に連結されたロッド先端、および中空内部を有するサーマルチョークに機械的に連結されたロッドステムを有するロッドを備える。ロッドは、第１の導電性材料を含み、第１の幅および第１の長さを有する。サーマルチョークは、第２の導電性材料を含み、第２の幅および第２の長さを有し、第２の幅は、前記第１の幅以上である。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ウエハチャックアセンブリであって、
１つまたは複数のプラズマ電極を有するプラテンと、
前記１つまたは複数のプラズマ電極に電気的に連結された少なくとも１つの高周波（ＲＦ）導体を備えるＲＦアセンブリであって、前記少なくとも１つのＲＦ導体は、
前記１つまたは複数のプラズマ電極に連結されたロッド先端、および中空内部を有するサーマルチョークに機械的に連結されたロッドステムを有するロッド
を備える、ＲＦアセンブリと
を備え、
前記ロッドは、第１の導電性材料を含み、第１の幅および第１の長さを有し、
前記サーマルチョークは、第２の導電性材料を含み、第２の幅および第２の長さを有し、
前記第２の幅は、前記第１の幅以上である、
ウエハチャックアセンブリ。

【請求項2】

請求項１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記ロッドは、前記サーマルチョークの管状本体に挿入されるロッドステムを備え、前記ロッドステムは、前記第１の長さの１０％未満である第３の長さを有する、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項3】

請求項１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記ロッドは、前記ロッドステム上に挿入ストッパをさらに備え、前記挿入ストッパは、前記サーマルチョークのリムに当接する、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項4】

請求項１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記第１の長さは、前記第２の長さの２０％～５０％である、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項5】

請求項１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
ＲＦアセンブリクランプが、前記少なくとも１つのＲＦ導体に連結され、前記ＲＦアセンブリクランプは、前記少なくとも１つのＲＦ導体が通って延びる少なくとも１つの保持構造を備え、前記少なくとも１つの保持構造は、前記少なくとも１つのＲＦ導体を前記ＲＦアセンブリクランプと旋回可能に係合するように動作可能である、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項6】

請求項５に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記ＲＦアセンブリクランプは、第１の部分と、第２の部分とを備え、前記少なくとも１つの保持構造は、前記第１の部分と前記第２の部分との間にあり、少なくとも１つの第１の開口が、前記第１の部分を通って延び、前記第２の部分を通って延びる少なくとも１つの第２の開口と同軸であり、第３の開口が、前記少なくとも１つの保持構造を通って延び、前記少なくとも１つの第１の開口および前記少なくとも１つの第２の開口と実質的に同軸である、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項7】

請求項６に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記少なくとも１つの保持構造は、前記ＲＦアセンブリクランプのキャビティ内で旋回可能に係合されるボールリテーナを備え、前記第３の開口は、前記ボールリテーナを通って延び、前記少なくとも１つのＲＦ導体は、前記第３の開口内で横方向に拘束される、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項8】

請求項６に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記少なくとも１つの保持構造は、前記第３の開口を囲むリングを備え、前記少なくとも１つのＲＦ導体は、前記第３の開口内で横方向に拘束され、前記少なくとも１つのＲＦ導体は、前記第３の開口内で旋回可能に係合される、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項9】

請求項８に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記リングは、エラストマー材料を含み、前記エラストマー材料は、前記少なくとも１つのＲＦ導体によって加えられる旋回力によって変形する、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項10】

請求項１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記サーマルチョークは、溶接結合またはろう付け結合によって前記ロッドに結合される、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項11】

請求項１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記第１の導電性材料は、ニッケル、鉄、または銅を含む、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項12】

請求項１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記第２の導電性材料は、ニッケル、銅、または鉄の合金を含む、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項13】

請求項１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記サーマルチョークは、外壁上に導電性コーティングを備える、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項14】

請求項１３に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記導電性コーティングは、金を含み、前記導電性コーティングは、２０ミクロン以下の厚さを有する、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項15】

請求項１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記サーマルチョークは、前記ロッドに連結された第１の端部と、電気コネクタに連結された第２の端部とを有し、前記電気コネクタは、前記サーマルチョークに電気的に連結される、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項16】

請求項１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記ＲＦアセンブリは、前記ロッドおよび前記サーマルチョークの周囲にスリーブをさらに備え、前記スリーブは、非導電性材料を含み、前記スリーブは、第４の長さを有し、前記第４の長さは、前記第１の長さと前記第２の長さの合計の少なくとも一部に等しい、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項17】

請求項１６に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記非導電性材料は、アルミニウムの酸化物、ケイ素の酸化物、または有機ポリマーを含む、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項18】

請求項１６に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記スリーブは、前記スリーブの第２の壁厚よりも小さい第１の壁厚を有するノーズを備える、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項19】

システムであって、
真空チャンバと、
前記真空チャンバ内のウエハチャックアセンブリであって、前記ウエハチャックアセンブリは、
プラテンに連結されたステムを備える台座であって、前記プラテンは、少なくとも１つのプラズマ放電電極を備える台座、
前記ステムに連結されたアダプタチューブ、および
高周波（ＲＦ）アセンブリであって、
少なくとも１つのＲＦ導体であって、サーマルチョークに機械的に連結されたロッド、および前記少なくとも１つのＲＦ導体の長さに沿って少なくとも部分的に延びるスリーブを備える少なくとも１つのＲＦ導体と、
前記少なくとも１つのＲＦ導体に連結されたＲＦアセンブリクランプであって、前記ＲＦアセンブリクランプは、クランプ本体内に少なくとも１つの保持構造を備えるＲＦアセンブリクランプと
を備えるＲＦアセンブリ
を備えるウエハチャックアセンブリと
を備え、
前記少なくとも１つの保持構造は、前記少なくとも１つのＲＦ導体が通って延びる開口を備え、
前記少なくとも１つの保持構造は、前記少なくとも１つのＲＦ導体を前記クランプ本体と旋回可能に係合するように動作可能であり、
前記少なくとも１つのＲＦ導体は、前記アダプタチューブおよび前記ステムを通って延び、
前記少なくとも１つのＲＦ導体は、前記少なくとも１つのプラズマ放電電極に電気的に連結される、
システム。

【請求項20】

請求項１９に記載のシステムであって、
ＲＦ電源が、前記少なくとも１つのＲＦ導体に電気的に連結される、システム。

【請求項21】

請求項１９に記載のシステムであって、
前記プラテンは、前記プラテンの下面上に少なくとも１つの座ぐり穴を備え、前記少なくとも１つの座ぐり穴は、前記少なくとも１つのプラズマ放電電極に延び、前記ロッドの先端は、前記少なくとも１つの座ぐり穴を通って延び、前記少なくとも１つのプラズマ放電電極に接触する、システム。

【請求項22】

請求項１９に記載のシステムであって、
コラムクランプアセンブリが、前記台座の前記ステムを前記アダプタチューブに連結し、前記コラムクランプアセンブリは、下側クランプリングの上に上側クランプリングを備える、システム。

【請求項23】

請求項１９に記載のシステムであって、
前記ＲＦアセンブリクランプは、前記アダプタチューブ内に設置され、前記アダプタチューブは、１つまたは複数の輪郭を備える内壁を備える、システム。

【請求項24】

ウエハチャックアセンブリを組み立てるための方法であって、
台座ステムを備える前記ウエハチャックアセンブリを受け取ることであって、前記台座ステムは、第１の端部でプラテンに取り付けられ、第２の端部にリップを備え、アダプタチューブが、第３の端部にフランジおよび第４の端部に基部を備えることと、
スペーサプレートを前記台座ステムの前記第２の端部に設置することであって、前記スペーサプレートは、１つまたは複数の開口を備えることと、
高周波（ＲＦ）アセンブリを前記アダプタチューブの前記基部に設置することであって、前記ＲＦアセンブリは、ＲＦアセンブリクランプの開口を通って延びる１つまたは複数のＲＦ導体を備え、前記ＲＦアセンブリクランプは、前記アダプタチューブ内で固有の配向を有し、前記１つまたは複数のＲＦ導体は、前記スペーサプレートを通って延びることと、
前記フランジを前記台座ステムの端部にクランプすることと
を含む、方法。

【請求項25】

請求項２４に記載の方法であって、
前記ＲＦアセンブリをＲＦ電源に連結することをさらに含み、前記ＲＦ電源は、前記ＲＦアセンブリに電気的に連結されたＲＦコネクタに電気的に連結される、方法。

【請求項26】

請求項２４に記載の方法であって、
前記ＲＦアセンブリを前記アダプタチューブの前記基部に設置することは、前記ＲＦアセンブリを前記ＲＦアセンブリクランプに設置することを含み、前記ＲＦアセンブリクランプは、前記１つまたは複数のＲＦ導体の横方向の運動を実質的に拘束し、前記１つまたは複数のＲＦ導体は、前記ＲＦアセンブリクランプ内で旋回可能に係合される、方法。

【請求項27】

請求項２４に記載の方法であって、
前記１つまたは複数のＲＦ導体は、先端を備えるロッドを備え、ＲＦアセンブリを前記アダプタチューブの前記基部に設置することは、前記先端を前記プラテンに接触させることを含む、方法。

【請求項28】

下側クランプリングであって、
第１の表面、および前記第１の表面の反対側にあり、ある厚さだけ前記第１の表面から分離された第２の表面であって、前記第１の表面および前記第２の表面は、外側半径と内側半径との間に延びる第１の表面および第２の表面と、
前記第２の表面内の円形溝であって、前記円形溝は、前記外側半径と前記内側半径との間に部分的に延びる幅を有し、前記円形溝は、外方側壁および内方側壁を有する円形溝と
を備え、
前記円形溝は、前記内方側壁と前記外方側壁との間に延びる横壁を有し、前記外方側壁は、前記第２の表面から前記横壁に向かって斜角で内方に延び、前記外方側壁と前記横壁の交点は、丸形であり、
複数の穴が、前記第１の表面から前記円形溝に延びる、
下側クランプリング。

【請求項29】

請求項２８に記載の下側クランプリングであって、
前記複数の穴の中心は、前記外側半径と前記内側半径との間の距離の半分よりも大きい第３の半径と一致し、前記複数の穴は、約６０度だけ方位角方向に間隔を置いている、下側クランプリング。

【請求項30】

請求項２８に記載の下側クランプリングであって、
前記内方側壁は、平坦部分を備える、下側クランプリング。

【請求項31】

請求項２８に記載の下側クランプリングであって、
第１の半環状セグメントと、第２の半環状セグメントとを備え、前記第１の半環状セグメントは、第１の端部と、第２の端部とを備え、前記第２の半環状セグメントは、第３の端部と、第４の端部とを備え、前記第１の端部は、前記第３の端部に隣接し、前記第２の端部は、前記第４の端部に隣接する、下側クランプリング。

【請求項32】

請求項２８に記載の下側クランプリングであって、
第１の四半環状セグメントと、第２の四半環状セグメントと、第３の四半環状セグメントと、第４の四半環状セグメントとを備え、
前記第１の四半環状セグメントは、第１の端部と、第２の端部とを備え、
前記第２の四半環状セグメントは、第３の端部と、第４の端部とを備え、前記第３の端部は、前記第２の端部に隣接し、
前記第３の四半環状セグメントは、第５の端部と、第６の端部とを備え、前記第５の端部は、前記第４の端部に隣接し、
前記第４の四半環状セグメントは、第７の端部と、第８の端部とを備え、前記第７の端部は、前記第６の端部に隣接し、前記第８の端部は、前記第１の端部に隣接する、
下側クランプリング。

【請求項33】

上側クランプリングであって、
外径に沿った第１の側壁と、
内径に沿った第２の側壁であって、第１の表面が、前記外径と前記内径との間に延び、前記第１の表面は、ある厚さだけ第２の表面から分離されている第２の側壁と、
前記第１の表面と前記第２の表面との間の前記厚さを通って延びる複数の貫通穴と
を備える、上側クランプリング。

【請求項34】

請求項３３に記載の上側クランプリングであって、
前記複数の貫通穴の中心は、前記外径と前記内径との間の距離の半分未満の半径と一致し、前記穴は、約６０度だけ方位角方向に間隔を置いている、上側クランプリング。

【請求項35】

請求項３３に記載の上側クランプリングであって、
前記第２の側壁は、斜面部分を備え、前記斜面部分は、前記第１の表面が前記第２の表面の第２の表面積よりも大きい第１の表面積を有するように斜角で面取りされている、上側クランプリング。

【請求項36】

クランプアセンブリであって、
上側クランプリングであって、少なくとも１つの貫通穴、および前記上側クランプリングの内側半径に隣接する底面における面取りを有する上側クランプリングと、
頂面、底面、および少なくとも１つの貫通穴を有する下側クランプリングであって、前記底面は、外側半径と内側半径との間に境界がある溝を備える下側クランプリングと
を備え、
前記上側クランプリングおよび前記下側クランプリングは、前記上側クランプリングの前記底面が前記下側クランプリングの前記頂面と直接接触するように、ボルトによって前記上側クランプリングおよび前記下側クランプリングの前記貫通穴を介してボルト止めされる、
クランプアセンブリ。

【発明の詳細な説明】

【背景技術】

【0001】

［優先権の主張］
本出願は、２０２２年２月１日に出願された「ＭＥＴＨＯＤ ＡＮＤ ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ ＦＯＲ ＴＨＥＲＭＡＬ ＩＮＳＵＬＡＴＩＯＮ ＦＯＲ ＲＦ ＣＯＮＮＥＣＴＩＯＮＳ」と題する米国仮特許出願第６３／２６７，４２３号の優先権を主張し、上記の出願は、その全体が参照により組み込まれる。

【0002】

基板処理システムは、半導体ウエハなどの基板上への膜の堆積およびエッチングなどの処理を実施するために使用される。例えば、堆積は、化学気相堆積（ＣＶＤ）、プラズマ強化ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、プラズマ強化ＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）、および／または他の堆積プロセスを使用して、導電膜、誘電体膜、または他のタイプの膜を堆積するために実施されてもよい。堆積中、基板は、台座上のウエハチャックにおいて支持され得る。多くの堆積ツールは、例えば、誘電体材料のスパッタ堆積を生成して可能にするために、高周波電力を台座に埋め込まれた電極に送給する構成要素を備えている。

【0003】

現在のウエハチャック構成部品の設計は、堆積ツールが短期間使用された後に主要部品の早期故障を引き起こす可能性がある潜在的な欠陥を有する場合がある。サービスおよび修理のためのウエハチャック台座の組み立ておよび分解手順は、最適ではない構成要素設計またはレイアウトにより、過度に困難になるか、または台座構成要素に損傷を与えるリスクがあり得る。

【図面の簡単な説明】

【0004】

本明細書に記載の材料は、添付の図において例として例示されるものであり、限定として例示されるものではない。例示の簡略化および明確化のために、図に示される要素は、必ずしも一定の縮尺で描かれているわけではない。例えば、いくつかの要素の寸法は、明確化のために他の要素と比べて誇張されている場合がある。また、説明の明確化のために、様々な物理的特徴がそれらの単純化された「理想的な」形態および幾何学的形状で表される場合があるが、それにもかかわらず、実際の実装は、図示された理想に近似するだけであり得ることを理解されたい。例えば、滑らかな表面および正方形の交点は、ナノファブリケーション技法によって形成される構造の特性である有限の粗さ、角の丸み、および不完全な角度の交点を無視して描かれている場合がある。さらに、適切と考えられる場合、参照ラベルは、対応する要素または類似の要素を示すために図間で繰り返される。

【0005】

【図1A】図１Ａは、少なくとも１つの実施形態による、高周波（ＲＦ）アセンブリの断面図である。

【0006】

【図1B】図１Ｂは、少なくとも１つの実施形態による、図１Ａに示すＲＦアセンブリを備えるウエハチャックアセンブリの断面図である。

【0007】

【図1C】図１Ｃは、少なくとも１つの実施形態による、図１Ｂに示すウエハチャックアセンブリの詳細な断面図である。

【0008】

【図2】図２は、少なくとも１つの実施形態による、図１Ａに示すＲＦアセンブリのＲＦ導体の断面図である。

【0009】

【図3A】図３Ａは、少なくとも１つの実施形態による、ＲＦアセンブリクランプの平面図である。

【0010】

【図3B】図３Ｂは、少なくとも１つの実施形態による、図３Ａに示すＲＦアセンブリクランプの断面分解図である。

【0011】

【図3C】図３Ｃは、少なくとも１つの実施形態による、ＲＦアセンブリクランプの代替の実施形態の平面図である。

【0012】

【図3D】図３Ｄは、少なくとも１つの実施形態による、Ｏリングリテーナにおいて複数のＲＦ導体を支持する図３Ａに示すＲＦアセンブリクランプの断面図である。

【0013】

【図3E】図３Ｅは、少なくとも１つの実施形態による、ボールおよびソケットリテーナを備えるＲＦアセンブリクランプの第２の実施形態のａ．断面図である。

【0014】

【図4】図４は、少なくとも１つの実施形態による、ＲＦアセンブリを備えるアダプタチューブアセンブリの分解３Ｄ断面図である。

【0015】

【図5A】図５Ａは、少なくとも１つの実施形態による、ワイヤハーネスの直交断面図である。

【0016】

【図5B】図５Ｂは、少なくとも１つの実施形態による、図５Ａに示すワイヤハーネスの平面図である。

【0017】

【図5C】図５Ｃは、少なくとも１つの実施形態による、図５Ａに示すワイヤハーネスの代替の実施形態の断面図である。

【0018】

【図6A】図６Ａは、少なくとも１つの実施形態による、ＲＦ導体とヒータワイヤを分離するためのスペーサプレートの平面図である。

【0019】

【図6B】図６Ｂは、少なくとも１つの実施形態による、図６Ａのスペーサプレートの断面図である。

【0020】

【図7A】図７Ａは、少なくとも１つの実施形態による、コラムクランプアセンブリの上側クランプリングの平面図である。

【0021】

【図7B】図７Ｂは、少なくとも１つの実施形態による、図７Ａの上側クランプリングの直交断面図である。

【0022】

【図8A】図８Ａは、少なくとも１つの実施形態による、上面を示すコラムクランプアセンブリの下側クランプリングの平面図である。

【0023】

【図8B】図８Ｂは、少なくとも１つの実施形態による、下面を示す下側クランプリングの平面図である。

【0024】

【図8C】図８Ｃは、少なくとも１つの実施形態による、図８Ａおよび図８Ｂの下側クランプリングの断面図である。

【0025】

【図9】図９は、少なくとも１つの実施形態による、上側ウエハチャックアセンブリの３Ｄ断面図である。

【0026】

【図10】図１０は、少なくとも１つの実施形態による、図１Ｃに示すウエハチャックアセンブリを備える半導体プロセスツールを示す図である。

【0027】

【図11】図１１は、少なくとも１つの実施形態による、ウエハチャックアセンブリを組み立てるための方法を要約する例示的なフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0028】

以下の説明では、本開示の実施形態の完全な理解を提供するために、構造スキームなどの多数の具体的な詳細が記載される。本開示の実施形態は、これらの具体的な詳細がなくても実践することができることが当業者には明らかであろう。他の場合には、本開示の実施形態を不必要に曖昧にしないように、ガスライン配管継手、加熱要素、およびスナップスイッチなどの周知の特徴については特に詳細には説明しない。さらに、図に示す様々な実施形態は例示的な表現であり、必ずしも一定の縮尺で描かれているわけではないことを理解されたい。

【0029】

場合によっては、以下の説明では、本開示を曖昧にすることを避けるために、周知の方法およびデバイスは詳細にではなくブロック図の形態で示される。本明細書全体を通じて、「一実施形態」、「１つの実施形態」、「少なくとも１つの実施形態」、または「いくつかの実施形態」への言及は、実施形態に関連して説明される特定の特徴、構造、機能、または特性が本開示の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書全体の様々な場所に現れる「一実施形態では」、「１つの実施形態では」、「少なくとも１つの実施形態では」、または「いくつかの実施形態」という語句は、必ずしも本開示の同じ実施形態を指すわけではない。さらに、特定の特徴、構造、機能、または特徴は、１つまたは複数の実施形態において任意の適切な方式で組み合わせることができる。例えば、２つの実施形態に関連する特定の特徴、構造、機能、または特性が相互に排他的でない限り、第１の実施形態は第２の実施形態と組み合わされてもよい。

【0030】

「連結された」および「接続された」という用語は、それらの派生語と共に、構成要素間の機能的または構造的な関係を説明するために本明細書で使用され得る。これらの用語は、互いの同義語として意図されているわけではない。むしろ、特定の実施形態では、「接続された」は、２つ以上の要素が互いに直接的に物理的、光学的、または電気的に接触していることを示すために使用され得る。「連結された」は、２つ以上の要素が互いに直接的もしくは間接的に（間に他の要素が介在して）物理的、電気的、もしくは磁気的に接触していること、および／または２つ以上の要素が（例えば、原因結果関係のように）互いに協力もしくは相互作用することを示したために使用され得る。

【0031】

「～の上に」、「～の下に」、「～の間に」、および「～上に」という用語は、一般に、そのような物理的関係が注目に値する、他の構成要素または材料に対する１つの構成要素または材料の相対位置を指し得る。これらの用語が「直接的な」または「直接的に」で修飾されない限り、１つまたは複数の介在する構成要素または材料が存在してもよい。同様の区別が、構成要素アセンブリに関しても行われる。本明細書および特許請求の範囲全体にわたって使用される場合、「～の少なくとも１つ」または「～の１つまたは複数」という用語によって結合された項目のリストは、列挙された用語の任意の組み合わせを意味することができる。

【0032】

それらが使用される明示的な文脈で別段の指定がない限り、「実質的に等しい」、「実質的に同一である」、「ほぼ等しい」、「ほとんど等しい」、および「おおよそ等しい」という用語は、そのように記載された２つの物の間に偶発的な変動しかないことを意味する。少なくとも１つの実施形態では、偶発的な変動は、典型的には、参照値または目標値の＋／－１０％以下である。ここで、「実質的に」、「近い」、「おおよそ」、「近くに」、および「約」とは、一般に、目標値の＋／－１０％以内であることを指し得る。

【0033】

「隣接する」という用語は、一般に、隣にある（例えば、間に１つまたは複数の物を挟んですぐ隣または近くにある）、または別の物に近接している（例えば、当接している）物の位置を指し得る。

【0034】

少なくとも１つの実施形態では、強化された熱的および機械的特徴を有する高温（例えば、５００℃を超える温度）高周波（ＲＦ）アセンブリを備えるウエハチャックアセンブリが開示される。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリは、サーマルチョークに溶接またはろう付けされた金属ロッドを備える１つまたは複数のＲＦ導体アセンブリを備える。少なくとも１つの実施形態では、サーマルチョークは、溶接されるロッドと同軸である薄肉の管状本体を備える。少なくとも１つの実施形態では、電気ＲＦコネクタは、サーマルチョークの基部に取り付けることができる。少なくとも１つの実施形態では、サーマルチョークおよびロッドアセンブリは、ＲＦエネルギーをウエハチャック内のプラズマ放電電極に伝導する。少なくとも１つの実施形態では、ロッドは、ウエハチャック台座プラテンと接触している。

【0035】

ＲＦ導体は、堆積膜の形成を促進するために、実質的に昇温、例えば、７００℃を超える温度に加熱され得る台座プラテンとの接触によって加熱される可能性があるため、高温となる場合がある。加熱された台座との機械的接触によって、ＲＦ導体は、かなりの熱を台座コラムの下方への伝導によって運び、最終的にはＲＦコネクタに達する可能性がある。ステムおよびハウジング内のＲＦコネクタおよび他の構成要素は、高温に耐えられない場合がある。例えば、ＲＦコネクタは、１５０℃を超えてはいけない。サーマルチョークは、ロッドアセンブリの下方への熱伝達を大幅に制限し、接続を保護することができる。例えば、ＲＦ導体ロッドは、その先端で６５０℃の温度を有し、サーマルチョークとの接合部でおおよそ５００℃まで（指数関数的に）減衰する場合がある。サーマルチョークに沿った温度プロファイルは、コネクタの取り付け点で（例えば、サーマルチョークの基部で）おおよそ５００℃から１５０℃未満の温度まで指数関数的に減衰する可能性がある。絶縁体スリーブにより、ウエハチャックアセンブリ内の温度に敏感な構成要素を熱損傷から保護することが可能である。

【0036】

少なくとも１つの実施形態では、サーマルチョークは、熱抵抗を最大化するために大きな長さ対直径の比（例えば、５：１以上）を有してもよい。少なくとも１つの実施形態では、サーマルチョークの熱抵抗は、下端に取り付けられたコネクタをプラテンから伝達される過剰な熱から保護することができる。少なくとも１つの実施形態では、ロッドは、ＲＦ導体アセンブリ内のサーマルチョークよりも実質的に短い長さを有し得る。少なくとも１つの実施形態では、軸方向に均一な温度を効果的に維持するためにロッドの長さを制限することができる。少なくとも１つの実施形態では、鉄またはニッケルなどの強磁性材料を含むロッドは、ＲＦ表皮深さに対する磁気効果による抵抗損失を低下させるために、キュリー温度よりも高い温度に維持され得る。

【0037】

少なくとも１つの実施形態では、サーマルチョークをロッドに溶接またはろう付けし、ロッドとサーマルチョークとの間の機械的、電気的、および熱的連結を強化することが可能である。少なくとも１つの実施形態では、溶接結合アセンブリは、高いＲＦ電気コンダクタンスを有するが高い熱抵抗も有するＲＦ導体であってもよい。少なくとも１つの実施形態では、サーマルチョークは、導電性を高めるために金でコーティングされてもよい。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリは、ロッド／サーマルチョークアセンブリの上に誘電体スリーブをさらに備えることができる。少なくとも１つの実施形態では、誘電体スリーブは、ロッド／サーマルチョークアセンブリを他のロッド／サーマルチョークアセンブリによって放射される熱から熱的および電気的に絶縁するセラミック材料を含み得る。少なくとも１つの実施形態では、スリーブはまた、台座コラムにおいて下部にある（加熱された台座からさらに離れた）熱に敏感な構成要素をロッドおよびサーマルチョークによって放射される熱から絶縁することができる。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリは、台座に連結された管状コラム内に収容され得る。

【0038】

少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリは、ウエハチャックアセンブリの一部としてアダプタチューブ内に収容され得る。少なくとも１つの実施形態では、ウエハチャックアセンブリは、アダプタチューブ上のフランジにクランプされた（台座プラテンと一体の）台座ステムを備えることができる。少なくとも１つの実施形態では、アダプタチューブは、本明細書に開示される実施形態におけるＲＦアセンブリの強化を可能にし得る特徴を備える。

【0039】

少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリは、複数のＲＦ導体を保持し、そのようなＲＦ導体の横方向および垂直方向の運動を拘束するがＲＦ導体の制限された旋回運動を許容するＲＦアセンブリクランプアセンブリを備える。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリクランプは、アダプタチューブ内に位置し得る。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリクランプは、クランプによって保持されるＲＦ導体の旋回運動を可能にすることによって、ウエハ台座上の取り付け点を有する複数のＲＦ導体の横方向の位置ずれの補償を可能にし得る。

【0040】

少なくとも１つの実施形態では、台座プラテン上のロッド取り付け点（例えば、プラテン内に埋め込まれたプラズマ電極の場所）とＲＦ導体の軸中心との間に小さな横方向の位置ずれが存在する場合がある。少なくとも１つの実施形態では、そのような横方向の位置ずれは、ロッドおよびサーマルチョークを備えるＲＦ導体アセンブリ全体の曲げひずみを生じさせ、場合によってはロッドアセンブリの故障につながる可能性がある。少なくとも１つの実施形態では、個々のロッドアセンブリの横方向または垂直方向の変位の許容誤差により、ＲＦアセンブリの亀裂または破損の可能性によってウエハチャックアセンブリの性能が損なわれる場合がある。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦロッドは、振動または熱膨張によってウエハ台座とのそれらの接触点から変位する可能性がある。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリクランプは、そのような変位をリアルタイムで補償することができる。

【0041】

少なくとも１つの実施形態では、上側クランプリングおよび下側クランプリングを備えるコラムクランプアセンブリが開示される。少なくとも１つの実施形態では、コラムクランプアセンブリは、アダプタチューブへのウエハ台座ステムの連結を容易にする。少なくとも１つの実施形態では、アダプタチューブは、頂部部分におけるフランジを圧縮する。少なくとも１つの実施形態では、台座ステムは、保持リップを備える。少なくとも１つの実施形態では、コラムクランプアセンブリは、保持リップをアダプタチューブのフランジに固着する。少なくとも１つの実施形態では、アダプタチューブのフランジは、真空シールのための設置構造（例えば、溝）を備える。少なくとも１つの実施形態では、保持リップは、コラムクランプアセンブリがフランジにボルト止めされるときに真空シールを圧縮する。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリングの外方部分は、フランジにボルト止めされる。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリングの内方部分は、下側クランプリングの外方部分に片持ち支持される。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリングは、上方に撓むことによってフランジ表面の非平面性に適合するように動作可能である。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリングは、上側クランプリングにおける材料（例えば、鋼）よりも降伏応力が小さい金属合金または金属組成物（例えば、アルミニウム）を含む。少なくとも１つの実施形態では、より小さい降伏応力により、ウエハチャックアセンブリの組み立て中に保持ボルトにかかるトルクをより低くすることが可能であるため、アダプタチューブフランジまたはアダプタチューブ自体に応力を加えたり損傷を与えたりすることなく、下側クランプリングの撓みを可能にすることができる。

【0042】

ここで、「ＲＦアセンブリ」とは、一般に、ロッドおよびサーマルチョークを備えるアセンブリなど、高周波電圧および電流を伝導するように動作可能な導電性構造を備えるシステムを指し得る。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリは、導電性構造の一部としてサーマルチョークを備えることができる。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリは、例えば、ＲＦ電力をプラズマ放電電極に伝達することができる。

【0043】

ここで、「ＲＦ導体」とは、一般に、互いに機械的および電気的に連結されたサーマルチョークおよびロッドを備えるアセンブリなど、ＲＦ電流を運ぶ構成要素を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、ロッドは、サーマルチョークから延びることができる。少なくとも１つの実施形態では、ロッドおよびサーマルチョークは、同軸であってもよい。

【0044】

ここで、「ロッド」とは、一般に、ＲＦ導体の管状または非管状の堅牢な構成要素など、サーマルチョークに電気的に連結される導電性構造の一部を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、ロッドは、中実構造であってもよい。少なくとも１つの実施形態では、ロッドは、サーマルチョークの管状本体の中空内部に挿入されるステム部分を備えることができる。

【0045】

ここで、「先端」または「ロッド先端」とは、一般に、ロッドの終端部分など、ＲＦ導体におけるサーマルチョークに対して遠位にあるロッドの端部を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、先端は、ウエハチャックアセンブリのプラテン内のプラズマ生成電極に接触することができる。

【0046】

ここで、「ロッドステム」とは、一般に、サーマルチョークの中空内部に挿入することができるロッドの一部など、ロッドが連結されるサーマルチョークに対して近位にあるロッドの端部を指し得る。

【0047】

ここで、「挿入ストッパ」とは、一般に、サーマルチョークに挿入されるロッドの長さを制限するための挿入ストッパとして作用するロッドの幅広セグメントなど、ロッドのステム上のレッジを指し得る。

【0048】

ここで、「サーマルチョーク」とは、一般に、ロッドに機械的に連結された中空チューブなど、管状構造の軸方向の熱伝達を遅らせる管状構造を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、サーマルチョークは、導電性材料を含む薄肉チューブであってもよい。少なくとも１つの実施形態では、管状構造の壁は、管状構造の軸方向に大きな熱抵抗を可能にするのに十分に小さい断面積を有してもよい。

【0049】

ここで、「管状本体」とは、一般に、サーマルチョークなどのＲＦアセンブリの構成要素の一部である管状構造を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、本体は、中空であってもよいため管状である。少なくとも１つの実施形態では、管状本体は、中空内部を囲む円筒壁を備えることができ、「中空管状本体」と呼ばれることがある。少なくとも１つの実施形態では、サーマルチョークは、管状本体を備える構造の一例である。

【0050】

ここで、「中空内部」とは、一般に、サーマルチョークの内部など、中空である管状本体の内部を指し得る。

【0051】

ここで、「結合」とは、一般に、溶接結合またはろう付け結合など、２つ以上の構造の間に形成されるジョイントを指し得る。少なくとも１つの実施形態では、結合は、構造を恒久的に接合してもよい。

【0052】

ここで、「溶接結合」とは、一般に、２つ以上の金属構造を接合する溶接ジョイントを指し得る。

【0053】

ここで、「ろう付け接合」とは、一般に、２つ以上の金属構造を接合するろう付けジョイントを指し得る。少なくとも１つの実施形態では、ろう付け結合は、２つ以上の金属構造の表面間の原子結合として定義され得る。少なくとも１つの実施形態では、ろう付け結合は、２つの構造の界面で低融点金属（例えば、はんだ）の層をリフローすることによって形成され得る。

【0054】

ここで、「導電性コーティング」とは、一般に、サーマルチョークの表面伝導性を高めるための銀または金コーティングなど、導体の表面伝導性を増加させるコーティングを指し得る。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦエネルギーは、主に導体の表面上を伝わる（例えば、表皮効果）。少なくとも１つの実施形態では、導電性コーティングは、表面導電性を高めるために、サーマルチョークの外壁上の金またはまたは他の貴金属の薄い（例えば、２０ミクロン以下）コーティングであってもよい。

【0055】

ここで、「導電性」とは、一般に、金属、半金属、または半導体など、電気を伝導する材料の性質を指し得る。

【0056】

ここで、「非導電性」とは、一般に、セラミック、ガラス、または非導電性ポリマーなど、電気を伝導しない材料の性質を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、電気絶縁性である多くの材料は、熱絶縁性でもある。

【0057】

ここで、「スリーブ」とは、一般に、サーマルチョークの周囲の電気的および熱的に絶縁性の管状ジャケットなど、熱的および電気的に絶縁性の材料を含む管状構造を指し得る。例えば、スリーブは、電気的および熱的に絶縁性のジャケットとしてサーマルチョークを囲むことができる。少なくとも１つの実施形態では、スリーブは、サーマルチョーク壁からの放射熱伝達を緩和することができる。

【0058】

ここで、「ノーズ」とは、一般に、スリーブのテーパ状端部など、内方に向かってテーパ状になっているスリーブの終端部分を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、ノーズの直径は、スリーブの直径よりも小さい。少なくとも１つの実施形態では、スリーブのノーズは、ロッドを囲むスリーブをウエハチャックアセンブリのプラテンにおける座ぐり穴（ｃｏｕｎｔｅｒｂｏｒｅ）に案内することができる。少なくとも１つの実施形態では、プラテンにおける座ぐり穴は、プラテン内に埋め込まれたプラズマ電極の一部を露出させ、ＲＦ導体のロッド先端が露出したプラズマ電極に接触することを可能にする。

【0059】

ここで、「導電性材料」とは、一般に、金属またはドープされた半導体など、高い導電性（例えば、１０ｍｈｏ以上）の性質を有する材料を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、多くの導電性材料は、熱伝導性でもある。

【0060】

ここで、「ＲＦアセンブリクランプ」とは、一般に、保持構造を備えるクランプなど、ＲＦアセンブリを保持する特殊なクランプを指し得る。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリクランプは、ＲＦアセンブリのサーマルチョーク部分の周囲に適合することができる。

【0061】

ここで、「スペーサプレート」とは、一般に、アダプタチューブから台座ステムを通ってプラテンに延びる複数のＲＦ導体の分離を維持する台座ステム内のプレート、例えばＲＦ導体が通過することができる貫通穴を備えるプレートを指し得る。

【0062】

ここで、「保持構造」とは、一般に、横方向の運動または旋回運動を制限してわずかな位置補正を許容し、ＲＦアセンブリの自己位置合わせを可能にすることができる、ボールリテーナまたは可撓性リムなどのＲＦアセンブリクランプの一部を指し得る。

【0063】

ここで、「可撓性リム」とは、一般に、柔軟なリングなどの可撓性および／または変形可能な保持構造を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、この構造は、ＲＦアセンブリのサーマルチョーク部分の周囲に載置することができる。

【0064】

ここで、「リング」とは、一般に、保持構造の１つのタイプを指し得る。少なくとも１つの実施形態では、リングは、可撓性リムなどの柔軟な材料を含む環状構造であってもよい。少なくとも１つの実施形態では、リングは、エラストマー材料（例えば、ゴムを含んでもよい。リングの一例は、Ｏリングである。少なくとも１つの実施形態では、Ｏリングは、ＲＦアセンブリクランプ内のＲＦアセンブリの周囲の可撓性リムとしての役割を果たすことができる。少なくとも１つの実施形態では、Ｏリングの材料は、柔軟であり、ＲＦアセンブリクランプ内でのＲＦアセンブリの横方向および垂直方向の運動を抑制しながら、ＲＦアセンブリが旋回することを許容し得る。

【0065】

ここで、「エラストマー材料」とは、一般に、応力－ひずみ空間において大きな弾性領域を示す、ゴムなどの有機ポリマー材料を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、エラストマー材料についての大きな弾性領域は、エラストマーが破断するメガパスカル（ＭＰａ）単位の応力として測定される、降伏点（降伏強度または引張強度として理解される閾値）前にその元の長さ以上である１００％以上の伸びひずみε_maxを包含し得る（一部のエラストマー材料は、１００％よりも小さいε_maxを有する場合がある）。これは、材料が塑性変形を開始するその降伏点（ＭＰａで測定される閾値）前に１％（従来、金属の場合は０．２％、またはε＜０．００２）以下のひずみを有するアルミニウム、鋼、銅などの延性材料と比較することができる。少なくとも１つの実施形態では、ほとんどのゴム化合物などのエラストマーは、比較的低いレベルの応力でひずみ（例えば、伸長）を行うことによって巨視的な弾性変形を受ける可能性がある。少なくとも１つの実施形態では、低いレベルの応力とは、鋼棒をその初期長さの０．２％伸長させる２００ＭＰａを超える印加応力と比較して、エラストマーに対して１００％を超えるひずみを引き起こす１０ＭＰａの降伏強度であり得る。

【0066】

ここで、「ボールリテーナ」とは、一般に、回転運動が制限されており、自己位置合わせのためにＲＦアセンブリを旋回させることによってＲＦアセンブリのわずかな位置補正を可能にする、ボールソケットジョイントなどの特殊な保持構造を指し得る。

【0067】

ここで、「開口」とは、一般に、穴などの開口部を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、開口は、ＲＦアセンブリが通って延びることができる保持構造における開口部を指してもよい。

【0068】

ここで、「上側部分」および「下側部分」とは、一般に、下側クランプリングおよび上側クランプリングなど、ＲＦアセンブリクランプの隣接するピースを指し得る。

【0069】

ここで、「電気コネクタ」とは、一般に、ＲＦコネクタなどのＲＦアセンブリに取り付けられた電気コネクタを指し得る。少なくとも１つの実施形態では、電気コネクタは、ＲＦアセンブリの基部に位置し得る。

【0070】

ここで、「ねじ付きバレル」とは、一般に、電気コネクタにねじ込まれるコネクタ構成要素など、ＲＦアセンブリに取り付けられた静止電気コネクタと嵌合することができる可動電気コネクタを指し得る。少なくとも１つの実施形態では、ねじ付きバレルは、静止電気コネクタのねじ付き部分に螺合して取り付けられてもよい。

【0071】

ここで、「ウエハチャックアセンブリ」とは、一般に、処理ツールの真空チャンバ内でウエハ基板を支持するように動作可能な構造を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、ウエハは、ウエハチャックによって支持された半導体ウエハであってもよい。

【0072】

ここで、「ウエハチャック」とは、一般に、静電チャック（ＥＳＣ）などの処理用のウエハを保持するプラテンを備える、台座アセンブリなどの構造を指し得る。

【0073】

ここで、「台座ステム」とは、一般に、ウエハチャックに機械的に連結されたチューブなど、ウエハチャックの下に延びる台座の一部を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、台座ステムは、導電体およびガスラインをウエハチャックに運ぶ構造を有することができる。

【0074】

ここで、「台座」とは、一般に、ウエハチャック、およびウエハチャックに取り付けられたステムを備える構造を指し得る。

【0075】

ここで、「真空チャンバ」とは、一般に、高真空（例えば、＜＜１ｔｏｒｒ）を保持するように動作可能な密閉空間など、処理ツールのチャンバを指し得る。少なくとも１つの実施形態では、真空チャンバは、化学気相堆積、エッチング、および高真空を必要とする他のプロセスを行うことができる減圧空間を提供することができる。

【0076】

ここで、「プラテン」とは、一般に、ウエハチャックの平坦な水平部分など、ウエハを保持するように動作可能なウエハチャックアセンブリの構成要素を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、プラテンは、しっかりとウエハを保持するクランプ機構を備えることができる。少なくとも１つの実施形態では、クランプ構造は、例えば、半導体ウエハを静電的に吸引するためにプラテン内に埋め込まれた電極を備える静電クランプ機構であってもよい。少なくとも１つの実施形態では、プラテンは、その構造内に埋め込まれた温度制御要素、ならびにプラズマ生成のためのプラズマ放電電極を有することができる。

【0077】

ここで、「ＲＦ」とは、一般に、高周波を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、ＭＨｚ範囲における高周波、例えば１０ＭＨｚ～１００ＭＨｚの範囲の高周波がプラズマプロセスで使用され得る。

【0078】

ここで、「高周波（ＲＦ）電源」とは、一般に、ＲＦ発振器に連結されたＲＦ電力増幅器など、高周波エネルギーの形態の電力発生器を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ電源は、ＲＦ電力（電圧および電流）をウエハチャックアセンブリのプラテン内のプラズマ電極に供給するために、本明細書で定義されるＲＦアセンブリに連結され得る。

【0079】

ここで、「コラム」とは、一般に、ウエハチャックアセンブリのステムおよびアダプタチューブなど、プラテンの下にある管状ハウジングを指し得る。少なくとも１つの実施形態では、コラムは、ＲＦアセンブリ、およびＲＦアセンブリクランプなどの関連する構成要素を収容することができる。少なくとも１つの実施形態では、コラムは、台座ステムと、台座ステムにクランプされたアダプタチューブとを備えることができる。

【0080】

ここで、「アダプタチューブ」とは、一般に指し得、一般に、ＲＦアセンブリを収容するために設計された管状構造など、ウエハチャックアセンブリのコラム部分の下側部分を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、ウエハチャックアセンブリのコラム部分は、一般に、台座ステムと、本明細書で定義されるコラムクランプによって台座ステムにクランプされたアダプタチューブとを備えることができる。

【0081】

ここで、「レッジ」とは、一般に、アダプタチューブフランジなど、構造上の棚または段を指し得る。

【0082】

ここで、「リップ」または「保持リップ」とは、一般に、ウエハチャック台座の台座ステムの端部の周囲の狭いリムなどの狭いリムを指し得る。少なくとも１つの実施形態では、リップは、アダプタチューブへの台座ステムの取り付けを可能にし得る。少なくとも１つの実施形態では、保持リップは、アダプタチューブフランジ内の溝に設置された真空シールを圧縮する役割を果たすことができる。

【0083】

ここで、「真空シール」とは、一般に、台座ステムとアダプタチューブとの間のジョイントなどのジョイントで大気圧に対して気密シールを形成するために、アダプタチューブフランジなどのフランジ上の溝またはレッジ内で圧縮されるガスケットまたは圧縮リングを指し得る。少なくとも１つの実施形態では、ウエハチャックアセンブリコラムは、互いに接合された台座ステムおよびアダプタチューブとを備える。少なくとも１つの実施形態では、コラムは真空下に保持することができ、したがって真空シールがジョイントに存在して真空気密シールを形成することができる。

【0084】

ここで、「フランジ」とは、一般に、アダプタチューブフランジなど、アダプタチューブの端部の周囲の幅広のリムを指し得る。少なくとも１つの実施形態では、フランジは、コラムクランプを介して台座ステムを取り付けるために、フランジの周囲に分布されたボルト穴を備えることができる。少なくとも１つの実施形態では、ボルト穴は、ねじ付きであってもねじなしであってもよい。

【0085】

ここで、「コラムクランプ」とは、一般に、アダプタチューブフランジに固着されたリングクランプなど、コラムをウエハチャックアセンブリのアダプタチューブに取り付けるための特殊なクランプを指し得る。少なくとも１つの実施形態では、コラムクランプは、２つの構成要素、例えば、上側クランプリングおよび下側クランプリングを備えることができる。

【0086】

ここで、「クランプアセンブリ」とは、一般に、コラムクランプなど、複数の部品を備えるコラムクランプを指し得る。

【0087】

ここで、「上側クランプリング」および「下側クランプリング」とは、一般に、本明細書で定義されるコラムクランプの第１の構成要素を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、上側クランプリングは、鋼などの剛性材料を含んでもよい。少なくとも１つの実施形態では、上側クランプリングは、環状のフォームファクタを有してもよい。

【0088】

ここで、「下側クランプリング」とは、一般に、コラムクランプの第２の構成要素を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリングは、組み立てられたコラムクランプにおいて上側クランプリングの下にあってもよい。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリングは、半環状のフォームファクタを有する２つの同一のピースを備える。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリングは、鋼よりも剛性が小さく、したがってより柔軟な、アルミニウムなどの材料を含む。

【0089】

ここで、「半環状」とは、一般に、下側クランプリングの半環状セグメントなど、リングまたは環構造の半体であるフォームファクタを指し得る。少なくとも１つの実施形態では、環は、外径および内径を有する。

【0090】

ここで、「半環状セグメント」とは、一般に、下側クランプリングの（独立した構造としての）半円形の半体部分を指し得、半体部分は、半環状構造を有する。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリングは、組み立てられたときに端部で互いに接合される２つの半環状の半体を備えることができる。

【0091】

ここで、「斜面部分（ｂｅｖｅｌｅｄ ｐｏｒｔｉｏｎ）」とは、一般に、側壁の面取りされた部分など、面取りされた側壁を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、上側クランプリングは、内側壁の斜面部分を有する。ここで、「面取り」とは、傾斜またはテーパを指し得る。少なくとも１つの実施形態では、上側クランプリングの側壁の一部は、面取りされている。

【0092】

ここで、「貫通穴」とは、一般に、ボルトが貫通穴を通ってアダプタチューブフランジにおけるねじ穴まで通過することを可能にするボルト穴など、上側および下側クランプリングにおける開口または穴を指し得る。

【0093】

ここで、「半円形の溝」とは、一般に、内方側壁と外方側壁を分離する溝など、下側クランプリングの半環状の半体内に形成された溝を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、半円形の溝は、直線の溝とは対照的に、半円形の形状を有してもよい。少なくとも１つの実施形態では、半円形の溝は、内方側壁と、外方側壁とを有してもよい。

【0094】

ここで、「横壁」とは、一般に、本明細書で定義される半円形の溝など、溝の底壁を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、横壁は、半円形の溝の内方側壁および外方側壁と交差することができる。

【0095】

ここで、「外方」とは、一般に、環状リングまたは半環状構造など、円形の物体の外側または周辺部分を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、側壁は、「外方側壁」と呼ばれることがあり、側壁は、半環状構造または環状構造の外側側壁である。

【0096】

ここで、「内方」とは、一般に、リングなど、円形の物体の内側または中心部分を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、側壁は、「内方側壁」と呼ばれることがあり、側壁は、半環状構造または環状構造の内側側壁である。

【0097】

ここで、「半径」とは、一般に、円形または半円形の物体の中心と物体上の円弧との間の距離、例えば内径と外径との間の中間距離を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、半径は、下側クランプリングの半環状の半体など、半環状構造の内方側壁と外方側壁との間に位置することができる。少なくとも１つの実施形態では、半径は、上側クランプリングなど、環状構造の内側側壁と外側側壁との間に収まることができる。

【0098】

ここで、「斜角」とは、一般に、鋭角または鈍角など、直角ではない角度を指し得る。

【0099】

ここで、「座ぐり穴」とは、一般に、ＲＦアセンブリのロッドが挿入され得る開口部など、プラテンの底部にある凹んだ穴を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、ロッドは、プラテン内のプラズマ放電電極に電気的に連結することができる。

【0100】

ここで、「プラズマ放電電極」とは、一般に、ＲＦ導体と接触する電極など、ＲＦアセンブリのロッド部分に電気的に連結されるプラテン内に埋め込まれた電極（または複数の電極）を指し得る。

【0101】

ここで、「輪郭」とは、一般に、アダプタチューブの内壁の湾曲部分など、アダプタチューブの内壁の三次元（３Ｄ）形状を指し得る。少なくとも１つの実施形態では、３Ｄ形状は、円形および非円形の円弧を含むことができる。

【0102】

ここで、「曲率」とは、一般に、変化する直径を有する内壁の一部など、輪郭の曲率を指し得る。

【0103】

図１Ａは、少なくとも１つの実施形態において、隔離されたユニットとして示される高周波（ＲＦ）アセンブリ１００のｘ－ｚ平面における断面図を示している。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリ１００は、プラズマエッチングツールまたはプラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）ツールなどの半導体ウエハプロセスツール内に実装され得る。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリ１００は、以下に説明するように、ウエハチャック台座内に収容することができる（例えば、図１Ｂおよび図１Ｃ参照）。

【0104】

少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリ１００は、ＲＦ導体１０２などの１つまたは複数のＲＦ導体と、ＲＦ導体１０２に機械的に連結されたＲＦアセンブリクランプ１０４とを備える。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリクランプ１０４は、各ＲＦ導体１０２に対して、破線のボックスによって描写される保持構造１０６などの保持構造を含む。少なくとも１つの実施形態では、保持構造１０６は、ＲＦアセンブリクランプ１０４内の内部構造である。少なくとも１つの実施形態では、保持構造１０６は、ＲＦ導体１０２が通って延びる１つまたは複数の開口１０８を備える。少なくとも１つの実施形態では、保持構造１０６は、ＲＦ導体１０２を横方向に拘束するように動作可能であるが、ＲＦアセンブリクランプ１０４内でのＲＦ導体１０２の限られた旋回運動を可能にする。

【0105】

少なくとも１つの実施形態では、スペーサプレート１１０は、ＲＦ導体１０２を安定化し、ＲＦ導体１０２の間の間隔ｓ₁を維持するために含まれる。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２は、サーマルチョーク１１４に機械的かつ電気的に連結されたロッド１１２を備える。少なくとも１つの実施形態では、ロッド１１２は、サーマルチョーク１１４に溶接またはろう付けされる。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２は、絶縁スリーブ１１６を備える。いくつかの実施形態では、スリーブ１１６は、示すようにサーマルチョーク１１４を囲む。少なくとも１つの実施形態では、スリーブ１１６は、ロッド１１２を囲むように延びることができる。ＲＦ導体１０２は、高ＲＦ電力（例えば、１～５キロワット）を処理するように動作可能であり得る。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２は、プラズマエッチングまたはプラズマ強化堆積プロセスを可能にするために、ＲＦ電力をウエハチャック内に埋め込まれたプラズマ放電電極に運ぶことができる。

【0106】

図１Ｂは、少なくとも１つの実施形態による、コラム１２２内に収容されたＲＦアセンブリ１００を備えるウエハチャックアセンブリ１２０の断面図を示している。少なくとも１つの実施形態では、ウエハチャックアセンブリ１２０は、プラテン１２６と、プラテン１２６に機械的に連結され、プラテン１２６の下に延びるステム１２８とを備える台座１２４を備える。少なくとも１つの実施形態では、ステム１２８は、示すようにプラテン１２６と一体であってもよい。少なくとも１つの実施形態では、プラテン１２６は、ロッド先端１１８が挿入される座ぐり穴１３０を備えることができる。少なくとも１つの実施形態では、プラズマ電極１３２は、プラテン１２６内に埋め込まれ、ロッド先端１１８に電気的に連結するために座ぐり穴１３０の上に位置決めされ得る。少なくとも１つの実施形態では、プラテン１２６は、上面１３６上のウエハ基板１３４の静電クランプ（ＥＳＣ）のためのプラズマ放電電極（図示せず）を備えてもよい。少なくとも１つの実施形態では、プラテン１２６は、エッチングまたはＰＥＣＶＤプロセス中にプラテン１２６およびウエハ基板１３４を所望に加熱するための１つまたは複数の埋め込み加熱要素（図示せず）を備えてもよい。少なくとも１つの実施形態では、プラテン１２６は、動作中に７００℃を超える温度に加熱される場合がある。

【0107】

少なくとも１つの実施形態では、ステム１２８は、アダプタチューブ１３８などのアダプタチューブに機械的に連結され得る。少なくとも１つの実施形態では、アダプタチューブ１３８は、以下に説明するように、ＲＦ導体１０２の設置を可能にする内部形状を有し得る。少なくとも１つの実施形態では、ステム１２８は、コラムクランプアセンブリ１４０によってアダプタチューブ１３８にクランプされる。少なくとも１つの実施形態では、コラムクランプアセンブリ１４０は、以下に説明するように、堅牢な上側リングと、より弾性のあるセラミックの下側リングとを備える。少なくとも１つの実施形態では、アダプタチューブ１３８は、限定はしないが、多結晶アルミナ、アルミナ複合材、シリカ、ケイ酸塩ガラス、窒化アルミニウム、またはケイ酸塩、アルミナ、および／もしくは窒化アルミニウムを含む複合材などのセラミック材料を含んでもよい。

【0108】

図１Ｃは、少なくとも１つの実施形態による、ＲＦアセンブリ１００を備えるウエハチャックアセンブリ１２０の詳細な断面図を示している。少なくとも１つの実施形態では、ステム１２８は、アダプタチューブ１３８に機械的に連結され得る。図１Ｃに示すように、ステム１２８の保持リップ１４２は、組み立てられたときにアダプタチューブフランジ１４６内のレッジ１４４に係合する。少なくとも１つの実施形態では、ステム１２８は、アダプタチューブフランジ１４６上に設置されたコラムクランプアセンブリ１４０によってアダプタチューブ１３８に固着され得る。少なくとも１つの実施形態では、コラムクランプアセンブリ１４０は、下側クランプリング１５０上に設置された上側クランプリング１４８を備える。少なくとも１つの実施形態では、上側クランプリング１４８は、限定はしないが、肌焼（ｃａｓｅ－ｈａｒｄｅｎｅｄ）鋼合金または非肌焼（ｎｏｎ ｃａｓｅ－ｈａｒｄｅｎｅｄ）鋼合金などの硬化金属を含んでもよい。上側クランプリング１４８は、少なくとも１つの実施形態に従って以下でより詳細に説明される（図７Ａおよび図７Ｂ参照）。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリング１５０は、ウエハチャックアセンブリ１２０において一緒に組み立てられる２つの半体を備える（例えば、図８Ａ～図８Ｃ参照）。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリング１５０は、上側クランプリング１４８よりも小さい降伏応力を有する金属材料を含んでもよい。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリング１５０は、限定はしないが、アルミニウムまたは銅などの柔軟な材料を含んでもよい。コラムクランプアセンブリ１４０は、少なくとも１つの実施形態に従って以下でより詳細に説明される（例えば、図７Ａ～図７Ｂ、図８Ａ～図８Ｃ参照）。

【0109】

少なくとも１つの実施形態では、上側クランプリング１４８および下側クランプリング１５０は、ボルト１５２によってアダプタチューブフランジ１４６に締結される。少なくとも１つの実施形態では、ボルト１５２を締め付けると、保持リップ１４２がレッジ１４４に向かって圧縮される。少なくとも１つの実施形態では、保持リップ１４２は、レッジ１５６上に設置された真空シール１５４を圧縮することができる。少なくとも１つの実施形態では、レッジ１５６は、レッジ１４４の下でアダプタチューブフランジ１４６に隣接して皿穴にされてもよい。少なくとも１つの実施形態では、真空シール１５４は、硬質エラストマーのストリップ、または青銅、銅、もしくは鋼合金などの可鍛性金属を含むリングシール（例えば、Ｏリング）であってもよい。少なくとも１つの実施形態では、真空シール１５４は、レッジ１５６上の丸形またはＶ字形の溝（図示せず）内に設置され得る。

【0110】

少なくとも１つの実施形態では、ボルト１５２は、上側クランプリング１４８から下側クランプリング１５０を介して真空シール１５４にクランプ力を伝達することによって、真空シール１５４に対する適切な圧力を確保するようにトルクを与えられ得る。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリング１５０は、上側クランプリング１４８からの圧力を受けて変形し得る。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリング１５０は、保持リップ１４２および真空シール１５４にわたって均一にクランプ力を分散するように変形することができる。

【0111】

少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリ１００は、ウエハチャックアセンブリ１２０のコラム１２２内に収容され得る。少なくとも１つの実施形態では、組み立て中、ＲＦアセンブリ１００をアダプタチューブ１３８に挿入することが可能である。少なくとも１つの実施形態では、アダプタチューブ１３８の内壁１３９は、コラム１２２内でＲＦアセンブリ１００を配向させて位置決めするような形状の内壁を有してもよい。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリ１００は、座ぐり穴１３０内の中心ロッド先端１１８に向かってアダプタチューブ１３８に挿入され得る。少なくとも１つの実施形態では、スペーサプレート１１０などのスペーサプレートは、ステム１２８内に設置されてもよく、かつ／またはアダプタチューブフランジ１４６の内側のレッジ１４４の下のレッジ１５６上に設置されてもよい。

【0112】

少なくとも１つの実施形態では、スペーサプレート１１０は、ＲＦ導体１０２が通過することができる開口または凹部を備えてもよい。少なくとも１つの実施形態では、スペーサプレート１１０は、コラム１２２の上側部分においてＲＦ導体１０２を安定させることができる。少なくとも１つの実施形態では、スペーサプレート１１０はまた、個々のＲＦ導体１０２間の間隔ｓ₁および平行度を維持することができる。少なくとも１つの実施形態では、スペーサプレート１１０はまた、ヒータワイヤ１６０からプラテン１２６に延びるヒータ導体１５８を通過させるための追加の開口（後述）を備えることができる。

【0113】

少なくとも１つの実施形態では、製造公差により、ロッド先端１１８と座ぐり穴１３０の中心との間に不整合オフセットが生じる可能性がある。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２の位置決めは、ＲＦアセンブリクランプ１０４の開口１０８間の間隔によって少なくとも部分的に決定され得る。少なくとも１つの実施形態では、センタリングオフセットがプラテン１２６の加熱サイクルによってさらに引き起こされ、または悪化する可能性がある。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２はまた、ウエハチャックアセンブリ１２０の動作中に高温に加熱される。

【0114】

そのようなオフセットの不整合が存在する、またはプラテン加熱によって潜在的に誘発される実施態様では、曲げひずみがＲＦ導体１０２内に誘発される場合がある。曲げひずみは、最終的にＲＦ導体１０２の破損または故障につながる可能性がある。少なくとも１つの実施形態では、座ぐり穴１３０の中心と開口１０８の中心との間のセンタリングオフセットを補償するために加熱を繰り返すと、保持構造１０６は、曲げを低減するためにＲＦ導体の制限された旋回を可能にするように有利に動作可能であり得る。

【0115】

図２は、少なくとも１つの実施形態による、ＲＦ導体１０２の断面図を示している。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２は、ロッド１１２と、ロッド１１２に機械的および電気的に連結されたサーマルチョーク１１４とを備える。少なくとも１つの実施形態では、ロッド１１２は中実構造であってもよいが、サーマルチョーク１１４は中空内部１１５を備える管状構造であってもよい。少なくとも１つの実施形態では、ロッド１１２は、サーマルチョーク１１４と同軸であってもよい。

【0116】

少なくとも１つの実施形態では、ロッド１１２は、４０～１００ｍｍの全長（例えば、先端１１８の頂部１２１から基部１１９まで）Ｌ₁を有し得る。例えば、Ｌ₁は、５０ｍｍであってもよい。少なくとも１つの実施形態では、ロッド１１２は、４～５ｍｍの幅（例えば、直径）ｗ₁を有し得る。上記のように、ロッド１１２は、幅（例えば、直径）ｗ₂を有する先端１１８を備える。少なくとも１つの実施形態では、先端１１８は、図２に示すような構造を有し、ｗ₂は、ロッド１１２のｗ₁よりも小さい。少なくとも１つの実施形態では、先端は、例えば図１Ａに示すような異なる構造を有してもよく、ｗ₂は、ｗ₁以上である。少なくとも１つの実施形態では、先端１１８は、プラテン１２６における座ぐり穴１３０を通って延び、プラズマ電極１３２に接触することができる（例えば、図１Ｂおよび図１Ｃ参照）。

【0117】

少なくとも１つの実施形態では、幅ｗ₂は、幅ｗ₁よりも大きくてもよい。例えば、幅ｗ₂は、５ｍｍ～７ｍｍの範囲であってもよい。少なくとも１つの実施形態では、ロッド１１２は、限定はしないが、ニッケルおよびニッケル合金、鋼合金、または銅などの導電性材料を含み得る。少なくとも１つの実施形態では、鋼およびニッケル合金は、ロッド１１２内を流れるＲＦ電流の影響下で磁化することができる。少なくとも１つの実施形態では、磁化によりロッド１１２の導電性が低下する場合がある。少なくとも１つの実施形態では、ロッド１１２の磁化を緩和するために、ロッド１１２を材料のキュリー温度よりも高く維持することができる。

【0118】

少なくとも１つの実施形態では、サーマルチョーク１１４は、中空内部１１５を備える管状本体を備える。少なくとも１つの実施形態では、サーマルチョーク１１４は、全長Ｌ₂および幅（例えば、外径）ｗ₃を有する。少なくとも１つの実施形態では、幅ｗ₃は、４ｍｍ～６ｍｍの範囲であってもよい。少なくとも１つの実施形態では、幅ｗ₃は、５ｍｍである。少なくとも１つの実施形態では、長さＬ₂は、１８０～２００ｍｍの範囲であってもよい。少なくとも１つの実施形態では、ロッド１１２は、ロッドステム１６２をサーマルチョーク１１４の中空内部１１５に挿入することによって、サーマルチョークに連結することができる。少なくとも１つの実施形態では、ロッド１１２は、ロッド１１２のロッドステム１６２から張り出し、サーマルチョーク１１４のリム１１７に当接する挿入ストッパ１６４を含んでもよい。少なくとも１つの実施形態では、挿入ストッパ１６４は、ロッドステム１６２の挿入長さＬ₃を制限するために、ロッドステム１６２の基部１１９から距離Ｌ₃離れたロッドステム１６２の頂部にあってもよい。少なくとも１つの実施形態では、ロッド１１２の長さＬ₁は、サーマルチョーク１１４の長さＬ₂のおおよそ２０％～５０％であってもよい。少なくとも１つの実施形態では、ロッド１１２の長さＬ₁は、ロッド１１２の材料の性質および温度によって決定され得る。少なくとも１つの実施形態では、ロッド１１２の長さＬ₁は、材料のキュリー点よりも高くロッド１１２の実質的に全長を保つように最適化することができる。少なくとも１つの実施形態では、Ｌ₁の選択は、既知の台座温度およびロッド材料の熱伝導率に基づいてもよい。

【0119】

少なくとも１つの実施形態では、サーマルチョーク１１４は、１ｍｍ～２ｍｍの壁厚ｔ₁を有することができる。少なくとも１つの実施形態では、壁厚ｔ₁は、示すようにサーマルチョーク１１４の内壁１６６と外壁１７０との間に延びる。少なくとも１つの実施形態では、壁厚ｔ₁は、軸方向（例えば、図のｚ方向）における熱抵抗が最大になるように最適化することができる。少なくとも１つの実施形態では、動作中、プラテン１２６からの熱が接触および放射によって先端１１８を介してロッド１１２に熱的に連結され、動作中にロッド１１２の加熱を著しく上昇させる場合がある。少なくとも１つの実施形態では、ロッド１１２の表面からの熱損失により、ロッド１１２内に温度勾配が確立される場合がある。少なくとも１つの実施形態では、先端１１８は６５０℃に加熱され得るが、ロッド１１２の基部におけるロッドステム１６２は５００℃であり得る（例えば、ニッケル組成物または合金の場合、ロッド１１２は、この例ではニッケルについてのキュリー点３５４℃を超える）。

【0120】

少なくとも１つの実施形態では、サーマルチョーク１１４に挿入されたロッドステム１６２の長さＬ₃は、加熱されたウエハチャックプラテン（例えば、図１Ｂおよび図１Ｃのウエハチャックアセンブリ１２０のプラテン１２６）からＲＦ導体１０２を通ってサーマルチョーク１１４の基部まで伝わる伝導熱伝達を制限するために、Ｌ₁のわずかな部分に制限され得る。少なくとも１つの実施形態では、長さＬ₃は、ロッドステム１６２とサーマルチョーク１１４との間の表面積の重なりを制限するためにロッド１１２の長さＬ₁の１０％以下であってもよく、それによってロッド１１２に沿ったサーマルチョーク１１４への（例えば、加熱されたプラテン１２６からの）熱伝達を緩和する。少なくとも１つの実施形態では、ロッドステム１６２の長さＬ₃は、長さＬ₁の５％以下であってもよく、ロッド１１２とサーマルチョーク１１４との間の表面積の重なりをさらに最小限に抑えることが可能である。少なくとも１つの実施形態では、ロッドステム１６２の長さＬ₃は、長さＬ₁の２％以下であってもよく、ロッド１１２間の表面積の重なりをさらにｒ最小限に抑えることが可能である。ロッド１１２とサーマルチョーク１１４との間の表面積の重なりを最小限に抑えると、ＲＦ導体１０２の製造可能性／完全性が課題となる。表面積の重なりが小さくなると、ジョイントが高い応力（組み立ておよび動作における熱／機械的応力）下にある場合、ＲＦ導体１０２が破砕しやすくなる。ロッド１１２のＬ₁の１０％未満のＬ₃を有することにより、ＲＦ導体１０２は、半導体製作に必要な熱／機械的応力に対するその耐性を維持しながら、ロッド１１２からサーマルチョーク１１４の基部への熱伝達を大幅に低減することが可能である。

【0121】

少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２の機械的および電気的な性能および信頼性は、ロッド１１２をサーマルチョーク１１４に一体的に連結することによって強化され得る。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２の組み立て中、ロッド１１２は、ロッドステム１６２をサーマルチョーク１１４の内壁１６６にろう付けすることによって、サーマルチョーク１１４に結合することができる。少なくとも１つの実施形態では、ろう付け結合または溶接結合（ジョイント１６８によって表される両方のタイプの結合）は、取り外し可能な連結方法（例えば、コレットまたは圧縮フィッティングなど）よりも優れた機械的および電気的性能を提供し得る。

【0122】

少なくとも１つの実施形態では、壁厚ｔ₁はまた、形状の歪みおよび破損を回避するために十分な引張強度および剛性を提供するように最適化することができる。少なくとも１つの実施形態では、厚さｔ₁についての最適な性能指数は、１ｍｍであり得る。少なくとも１つの実施形態では、適切な堅牢性を維持しながら壁厚の最小化を可能にするために、本明細書に記載の高強度合金を用いることができる。少なくとも１つの実施形態では、サーマルチョーク１１４は、鋼またはインコネル合金などの高強度材料を含むことができる。少なくとも１つの実施形態では、サーマルチョーク１１４は、高温に耐えるためにインコネル６２５を含んでもよい。

【0123】

少なくとも１つの実施形態では、ワイヤコネクタなどの追加の構成要素をＲＦアセンブリ１００にインターフェースするために、１００℃～１５０℃未満の温度が界面レベルで使用されてもよい。少なくとも１つの実施形態では、厚さｔ₁および長さＬ₂を最適化することによって、サーマルチョーク１１４は、ロッド１１２とのその接合部の温度を５００℃から、サーマルチョーク１１４の基部１７２に取り付けられたワイヤコネクタ（例えば、以下に説明するワイヤハーネス５００など）などの付属構成要素が許容できる温度まで低下させるのに十分な熱抵抗を有し得る。少なくとも１つの実施形態では、厚さｔ₁および長さＬ₂の最適化は、例えば、サーマルチョーク１１４の最小の機械的強度および剛性を維持するために、材料のヤング率を考慮して最小の壁厚ｔ₁を決定することができる。少なくとも１つの実施形態では、サーマルチョーク１１４は、サーマルチョーク１１４の基部１７２でワイヤコネクタが許容できる１５０℃未満にロッド温度を減衰させることが可能である。

【0124】

少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２に入る高周波電流（例えば、おおよそ２７ＭＨｚのＲＦ周波数）は、導電性サーマルチョークおよびロッドを通って、コネクタからプラテン（例えば、プラテン１２６）内の電極１３２に伝わることができる。少なくとも１つの実施形態では、最大２０アンペアのＲＦ電流がＲＦ導体１０２に流れ込む可能性がある。少なくとも１つの実施形態では、ロッド１１２をキュリー点よりも上に維持して磁気誘導による表皮深さの減少を回避し、ＲＦ伝導性も高めることが可能である。少なくとも１つの実施形態では、高いＲＦ電流はＲＦ導体のある程度のジュール加熱を引き起こす可能性があるが、ジュール加熱に起因する温度上昇は比較的小さい場合がある（例えば、最大おおよそ５０℃）。少なくとも１つの実施形態では、動作中のウエハチャックプラテンとの接触による熱伝達が、ＲＦ導体１０２の温度プロファイルを支配する場合がある。

【0125】

少なくとも１つの実施形態では、サーマルチョーク１１４は、図の挿入図に示すように、サーマルチョーク１１４の外壁１７０上に被覆層または導電層１７４を備えることができる。少なくとも１つの実施形態では、導電層１７４は、表面におけるＲＦ伝導性を高めることができる。少なくとも１つの実施形態では、導電層１７４は、例えば、ＲＦ伝導性を高めるために電気めっきされた金を含んでもよい。少なくとも１つの実施形態では、導電層１７４は、５～２０ミクロンの範囲の厚さを有し得る。

【0126】

少なくとも１つの実施形態では、サーマルチョーク１１４は、ロッドアセンブリへの軸方向の熱伝導を制限することができるが、サーマルチョーク１１４ならびにロッド１１２は、かなりの熱をウエハチャックアセンブリコラム（例えば、コラム１２２）内の周囲の構成要素に放射する場合がある。台座コラムが真空下にある場合、対流による熱伝達はわずかであるか、存在しない可能性がある。その結果、近くの構成要素の過熱が発生し、最終的には損傷および故障につながる場合がある。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２は、サーマルチョーク１１４および／またはロッド１１２の上に延びる絶縁スリーブ１１６（以下、スリーブ）をさらに備える。少なくとも１つの実施形態では、スリーブ１１６は、セラミックまたは複合セラミック材料などの誘電体材料を含むことができる。少なくとも１つの実施形態では、誘電体材料は、アルミニウム（例えば、酸化アルミニウム）または窒化アルミニウムを含んでもよい。少なくとも１つの実施形態では、動作中、スリーブ１１６は、ＲＦ導体１０２を断熱することができる。少なくとも１つの実施形態では、スリーブ１１６は、ＲＦ導体１０２の表面からの放射熱伝達を抑制し、周囲の温度に敏感な構成要素を保護することが可能である。

【0127】

少なくとも１つの実施形態では、スリーブ１１６は、サーマルチョーク１１４およびロッド１１２に対して電気絶縁をさらに提供することができる。少なくとも１つの実施形態では、隣接するＲＦ導体間、またはＲＦロッドアセンブリと接地面との間の短絡もまた、スリーブ１１６によって防止され得る。

【0128】

少なくとも１つの実施形態では、スリーブ１１６は、サーマルチョーク１１４の少なくとも長さＬ₂と実質的に等しくてもよい長さＬ₄を有し得る。少なくとも１つの実施形態では、長さＬ₂は、ロッド１１２を少なくとも部分的に越えて延び、例えば、追加の距離Ｌ₁まで延びることができる。少なくとも１つの実施形態では、スリーブ１１６は、１ｍｍ～２ｍｍの公称壁厚ｔ₂を有する。少なくとも１つの実施形態では、スリーブ１１６は、スリーブ１１６の終端部分におけるノーズ１７６に狭い壁領域を備える。例えば、ノーズ１７６は、厚さｔ₁よりも小さくてもよい壁厚ｔ₃を有してもよい。少なくとも１つの実施形態では、より小さい壁厚ｔ₃により、ノーズ１７６をプラテン１２６内の座ぐり穴１３０などの座ぐり穴に挿入することが可能になり得る（例えば、後述のように）。少なくとも１つの実施形態では、スリーブ１１６は、７ｍｍ～８ｍｍの範囲の幅ｗ₄（例えば、外径、ＯＤ）を有する。少なくとも１つの実施形態では、スリーブ１１６は、おおよそ５ｍｍの内径（ＩＤ）を有し得る。少なくとも１つの実施形態では、挿入図に示すように、スリーブ１１６の内壁１８０とサーマルチョーク１１４の外壁１７０との間のギャップ１７８。少なくとも１つの実施形態では、ギャップ１７８は、１００ミクロン～１ｍｍの範囲であり得る間隔ｓ₂（挿入図を参照）を有する。少なくとも１つの実施形態では、間隔ｓ₂は、サーマルチョーク１１４の熱膨張に適応するように調整され得る。

【0129】

少なくとも１つの実施形態では、一体型ＲＦソケットに入る高周波電流（例えば、おおよそ２７ＭＨｚのＲＦ周波数）は、導電性サーマルチョークおよびロッドを通って、コネクタからプラテン内のプラズマ放電電極に伝わることができる。少なくとも１つの実施形態では、最大２０アンペアのＲＦ電流がＲＦ導体１０２に流れ込む可能性がある。少なくとも１つの実施形態では、サーマルチョーク１１４は、表面でのＲＦ伝導性を高めるために導電層１７４（例えば、金を含む）を備えることができ、ロッド１１２をニッケル（または他の強磁性材料）のキュリー点よりも上に維持して磁気誘導による表皮深さの減少を回避し、ＲＦ伝導性も高めることが可能である。高いＲＦ電流はＲＦ導体１０２のある程度のジュール加熱を引き起こす可能性があるが、ジュール加熱に起因する温度上昇は比較的小さい場合がある（例えば、最大おおよそ５０℃）。少なくとも１つの実施形態では、動作中のプラテン１２６との接触による熱伝達が、ロッド１１２およびサーマルチョーク１１４を備えるＲＦ導体１０２の温度プロファイルを支配する場合がある。

【0130】

図３Ａは、少なくとも１つの実施形態による、ＲＦアセンブリクランプ１０４の平面図を示している。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリクランプ１０４は、少なくとも１つの実施形態に従って側壁３０２および３０４を備える。少なくとも１つの実施形態では、側壁３０２および３０４は、真っ直ぐである。少なくとも１つの実施形態では、側壁３０２および３０４は、例えば示すような輪郭であり得る。少なくとも１つの実施形態では、側壁３０６および３０８は、側壁３０２および３０４に実質的に直交することができる。少なくとも１つの実施形態では、側壁３０６および３０８は、示すように真っ直ぐであってもよく、または以下に説明するような輪郭であってもよい。ＲＦアセンブリクランプ１０４の特定の形状または曲率が図示されているが、少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリクランプ１０４は、任意の適切な形状を有し得る。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリクランプ１０４は、非対称の形状を有してもよい。少なくとも１つの実施形態では、側壁３０２および３０４の形状は、ウエハチャックプラテン（例えば、プラテン１２６）内のプラズマ放電電極に対するＲＦ導体（例えば、ＲＦ導体１０２）の配向および位置合わせを容易にすることができる。

【0131】

少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリクランプ１０４の形状の非対称性により、ウエハチャックアセンブリ（例えば、ウエハチャックアセンブリ１２０）に挿入される際にロッドアセンブリクランプの固定化された配向が可能になり得る。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリクランプ１０４は、溝に挿入され得るか、またはアダプタチューブ内の輪郭（例えば、図４のアダプタチューブ１３８の内壁１３９の輪郭）に適合し得る。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体ロッド先端（例えば、ロッド先端１１８）は、ウエハチャックプラテン（例えば、プラテン１２６）における座ぐり穴と実質的に中心にあってもよい。少なくとも１つの実施形態では、アダプタチューブの内壁（例えば、内壁１３９）は、ＲＦアセンブリクランプ１０４が固有の配向で挿入され得るように、側壁３０２および３０４と相補的な非対称の輪郭パターンを有してもよい。

【0132】

少なくとも１つの実施形態では、クランプ本体３００は、無機または有機誘電体材料を含む。少なくとも１つの実施形態では、誘電体材料は、限定はしないが、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリイミド（例えば、Ｕｌｔｅｍ）、ポリアミドイミド（例えば、Ｔｏｒｌｏｎ）、ポリフェニレンスルフィド（例えば、Ｒｙｔｏｎ、ＰＰＳ）などのポリマー、および前述のポリマーのいずれかを含むブレンドまたは複合材を含む。少なくとも１つの実施形態では、誘電体材料は、限定はしないが、多結晶アルミナおよびシリカまたはケイ酸塩ガラスなどのセラミックを含む。

【0133】

少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリクランプ１０４は、ＲＦアセンブリ（例えば、ＲＦアセンブリ１００）のＲＦ導体（例えば、ＲＦ導体１０２）が通って延び得る１つまたは複数の開口１０８を備えることができる。少なくとも１つの実施形態では、開口１０８は、ＲＦ導体のスリーブ（例えば、スリーブ１１６）のｗ₄よりも公称的に大きくてもよい直径Ｄ₁を有し得る。少なくとも１つの実施形態では、幅ｗ₄に対する直径Ｄ₁の正の公差により、ＲＦ導体が開口１０８内において限られた範囲（例えば、５度）で旋回することが可能になり得る。少なくとも１つの実施形態では、開口１０８は、開口１０８を囲む破線の円によって描写される保持構造（例えば、図１Ａの保持構造１０６）を通って延びる。少なくとも１つの実施形態では、保持構造は、上述したように、位置ずれ補償のために開口１０８内での限られた旋回運動を可能にしながら、ＲＦ導体の横方向の移動を拘束することができる。

【0134】

少なくとも１つの実施形態では、接触点（例えば、座ぐり穴１３０）と開口１０８の中心の位置がずれている場合、小さい旋回角（例えば、５°以下）によりＲＦ導体が小さい傾斜角をとることが可能になり得る。少なくとも１つの実施形態では、傾斜が小さいと、ひずみを誘発して潜在的に故障につながる場合があるＲＦ導体の曲がりが緩和される可能性がある。

【0135】

少なくとも１つの実施形態では、開口１０８は等距離であり、１～３ｃｍであり得る中心間間隔ｓ₁を有する。少なくとも１つの実施形態では、間隔ｓ₁は、ウエハチャックプラテン（例えば、プラテン１２６）におけるロッド先端挿入点（例えば、座ぐり穴１３０）間の中心間間隔に実質的に等しくてもよい。少なくとも１つの実施形態では、１つまたは複数の開口１０８は同一線上にあるが、１つまたは複数の開口１０８は、少なくとも１つの実施形態によれば、任意の適切な非同一線上のパターンに構成されてもよい。少なくとも１つの実施形態では、１つまたは複数の開口１０８の特定の構成は、ＲＦ導体の位置合わせを確実にするために、ウエハチャックプラテン上のロッド取り付け点（例えば、座ぐり穴１３０）の構成を反映してもよい。

【0136】

少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリクランプ１０４は、１つまたは複数の開口１０８間に追加の開口３１０を備える。少なくとも１つの実施形態では、開口３１０は、ねじまたはボルトなどの締結具用の貫通穴であってもよい。

【0137】

図３Ｂは、少なくとも１つの実施形態による、上側クランプピース３１２および下側クランプピース３１４を備えるＲＦアセンブリクランプ１０４の断面分解図を示している。少なくとも１つの実施形態では、上側溝３１６および下側溝３１８が、それぞれ、上側クランプピース３１２および下側クランプピース３１４の上側嵌合面３２０における開口１０８のリムおよび下側嵌合面３２２における開口１０９のリムの周囲に延び得る。少なくとも１つの実施形態では、上側および下側溝３１６および３１８は、上側および下側嵌合面３２０および３２２がそれぞれ接触するとき、開口１０８の周囲にキャビティを形成する。少なくとも１つの実施形態では、キャビティは、保持構造１０６を捕捉することができる。少なくとも１つの実施形態では、保持構造１０６は、図３Ｃに示すようなＯリング、または図３Ｄに示すようなボールソケットジョイントを備えてもよい。少なくとも１つの実施形態では、保持構造１０６は、開口１０８および１０９と同軸に位置合わせされ得る開口１０７を備える。

【0138】

少なくとも１つの実施形態では、下側ピース３１４は、締結具用の貫通穴として用いられ得る開口３２４を備えることができる。少なくとも１つの実施形態では、開口３２４は、上側クランプピース３１２を下側クランプピース３１４に締結するためのボルトなどの締結具を通過させるために、上側クランプピース３１２における開口３１０と位置合わせすることができる。少なくとも１つの実施形態では、凹部３２６が、例えば、ボルトの頭に対する皿穴を提供することができる。

【0139】

図３Ｃは、少なくとも１つの実施形態による、ＲＦアセンブリクランプ１０４の代替の実施形態の平面図を示している。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリクランプ１０４は、図３Ａおよび図３Ｂに示すＲＦアセンブリクランプ１０４と実質的に同様であり得る。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリクランプ１０４は、前部ローブ３３２と、後部ローブ３３４とを備える。少なくとも１つの実施形態では、前部ローブ３３２は、ヒータワイヤ（例えば、ヒータワイヤ１６０）を配線するための開口３３６を備えることができる。少なくとも１つの実施形態では、後部ローブ３３４は、ガスパージチューブ（図示せず）を通過させるための開口３３８を備えることができる。

【0140】

図３Ｄは、少なくとも１つの実施形態による、ＲＦアセンブリクランプ１０４の代替の実施形態の断面図を示している。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリクランプ１０４は、保持構造（例えば、保持構造１０６）の一例としてＯリング３４０（破線のボックスによって描写）を備える。少なくとも１つの実施形態では、図３Ｂに示すように、ＲＦアセンブリクランプ１０４は、上側クランプピース３１２と、下側クランプピース３１４とを備える。少なくとも１つの実施形態では、上側および下側クランプピース３１２および３１４は、開口３１０および３２４を通って延びるボルト３４２によって互いに締結され得る。少なくとも１つの実施形態では、ボルト３４２は、例えば、凹部３２６に設置された六角頭３４６を備えることができる。開口３１０内に載置されたナット３４４は、締め付けのためにボルト３４２を捕捉することができる。

【0141】

少なくとも１つの実施形態では、上側および下側円形溝３１６および３１８は、それぞれ、個々の１つまたは複数の開口１０８の周囲にトーラス状の形状を有し得るキャビティ３４８の上側および下側部分を形成することができる。少なくとも１つの実施形態では、Ｏリング３４０は、キャビティ３４８内に設置され得る。少なくとも１つの実施形態では、Ｏリング３４０は、圧力下で変形するエラストマー材料を含んでもよい。少なくとも１つの実施形態では、上側ピース３１２と下側ピース３１４が一緒に締結されると、上側および下側溝３１６および３１８はＯリング３４０を圧縮し、Ｏリング３４０を１つまたは複数の開口１０８の側壁３５０を越えてある距離だけ膨らませ、１つまたは複数の開口１０８内に狭窄部（ｃｏｎｓｔｒｉｃｔｉｏｎ）を形成することが可能である。

【0142】

少なくとも１つの実施形態では、Ｏリング３４０は、開口１０８を通って延びるＲＦ導体１０２のスリーブ１１６の周囲に狭窄部を形成することができ、捕捉されたＲＦ導体の運動は、横方向には実質的に拘束されるが、回転方向には許容され得る。

【0143】

少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２は、ｘ－ｙ平面内に延び、嵌合面３２０および３２２の間の界面と一致する複数の回転軸の周りでは回転運動が制限されてもよい。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２の最大旋回角βは、ｓ₃によって少なくとも部分的に制限され得、ｓ₃は、スリーブ側壁３５０とスリーブ１１６との間のギャップの幅である（例えば、Ｄ₁－ｗ₄）。少なくとも１つの実施形態では、最大旋回角βは、Ｏリング３４０の弾性変形によって少なくとも部分的に制限され得る。例えば、Ｏリング３４０の圧縮は、１０～１５％であり得る。

【0144】

図３Ｅは、少なくとも１つの実施形態による、ＲＦアセンブリクランプ１０４の代替の実施形態の断面図を示している。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリクランプ１０４は、保持構造（例えば、保持構造１０６）の一例としてボールリテーナ３５８（破線の円によって描写）を備える。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリクランプ１０４は、上側クランプピース３１２と、下側クランプピース３１４とを備える。少なくとも１つの実施形態では、上側および下側クランプピース３１２および３１４は、それぞれ、半球状の溝３５２および３５４を備えることができる。少なくとも１つの実施形態では、組み立てられた状態において、半球状の溝３５２および３５４が結合して実質的に球状のソケット３５６（切断線の円によって描写）となり、ボボールリテーナ３５８を捕捉する。少なくとも１つの実施形態では、ボールリテーナ３５８は、球状ソケット３５６内で自由に回転することができる。少なくとも１つの実施形態では、ボールリテーナ３５８は、ボールリテーナ３５８の中心を通って延びる開口３６０を備える。

【0145】

少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２は、ボールリテーナ３５８によって保持される。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２は、ボールリテーナ３５８の開口３６０を通って延びる。少なくとも１つの実施形態では、開口３６０は、スリーブ１１６の幅ｗ₄におおよそ等しくてもよい直径Ｄ₂を有する。少なくとも１つの実施形態では、直径Ｄ₂は、スリーブ１１６の上に緊密な圧入をもたらすように調整され得る正の公差を有し得る。少なくとも１つの実施形態では、ボールリテーナ３５８によってもたらされる圧入は、開口３６０内でのＲＦ導体１０２の横方向および垂直方向の運動を拘束することができる。少なくとも１つの実施形態では、ボールリテーナ３５８は、エラストマー材料を含んでもよい。少なくとも１つの実施形態では、直径Ｄ₂は、スリーブ１１６の幅ｗ₄よりもわずかに小さくてもよい。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２は、開口３６０を通して挿入され、例えば、開口３６０とスリーブ１１６との間の締り嵌めによって保持され得る。

【0146】

少なくとも１つの実施形態では、ボールリテーナ３５８は、ソケット３５６内で任意の方向に自由に回転することができる。少なくとも１つの実施形態では、ボールリテーナ３５８は、固定された１つまたは複数の開口１０８内でのＲＦ導体１０２の制限された回転を可能にすることができる。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２は、１つまたは複数の開口１０８とスリーブ１１６との間の距離ｓ４によって制限され得る最大角度γで旋回し得る。少なくとも１つの実施形態では、最大角度γは、ＲＦ導体１０２とウエハチャックアセンブリプラテン（例えば、プラテン１２６）上のロッド挿入点（例えば、座ぐり穴１３０）との間の位置合わせを可能にするように最適化され得る。

【0147】

図４は、少なくとも１つの実施形態による、アダプタチューブ１３８内にＲＦ導体１０２およびロッドアセンブリクランプ１０４を備えるアダプタチューブアセンブリ４００の分解３Ｄ断面図を示している。破線は、ＲＦ導体（例えば、ＲＦ導体１０２）と開口１０８のおおよその位置合わせを示す。図４は、ＲＦ導体のスリーブ１１６を示す。少なくとも１つの実施形態では、アダプタチューブ１３８は、下側部分４０２内に内壁１３９を備える。少なくとも１つの実施形態では、内壁１３９は、輪郭４０４を備える。少なくとも１つの実施形態では、輪郭４０４は、それぞれ上側および下側クランプピース３１２および３１４の曲率と相補的な曲率を有し得る。少なくとも１つの実施形態では、輪郭４０４は、側壁３０２および３０４、ならびにローブ３３２の形状にも適合し得る。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリクランプ１０４は、輪郭４０４によってアダプタチューブ１３８内で特定の配向に固定化され得る。少なくとも１つの実施形態では、輪郭４０４のうちの少なくとも１つは、固定化を可能にするために他の輪郭に対して実質的に異なる曲率を有してもよく、それによりＲＦアセンブリクランプ１０４は、アダプタチューブ１３８内で固有の配向を有することができる。

【0148】

少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２（例えば、スリーブ１１６によって表される）は、上側および下側クランプ本体ピース３１２および３１４の開口１０８に位置合わせされて示される。少なくとも１つの実施形態では、Ｏリング３４０がスリーブ１１６を囲む。少なくとも１つの実施形態では、Ｏリング３４０は、それぞれ上側および下側円形溝３１６および３１８内に設置され得る。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２は、アダプタチューブフランジ１４６を越えて（例えば、図１Ｂのステム１２８に）延びることができる。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリクランプ１０４は、ＲＦ導体１０２がウエハチャックプラテン（例えば、プラテン１２６）上の取り付け点に位置合わせすることを可能にするような配向を有し得る。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２は、以下に説明するように、スペーサプレート１１０（例えば、レッジ１５６上に設置され得る）によってアダプタチューブ１３８内でさらに支持されて安定化され得る。

【0149】

図５Ａは、少なくとも１つの実施形態における、ワイヤハーネス５００の断面図を示している。少なくとも１つの実施形態では、ワイヤハーネス５００は、ＲＦ導体スリーブ（例えば、スリーブ１１６）の底部部分を設置するためのスリーブウェル５０２を備える。少なくとも１つの実施形態では、ワイヤハーネス５００は、スリーブウェル５０２の下にＲＦコネクタ５０６を設置するためのコネクタポート５０４を備える。少なくとも１つの実施形態では、ワイヤハーネス５００は、限定はしないが、ＰＥＥＫ、ポリフルオロカーボン（例えば、Ｔｅｆｌｏｎ）、ポリイミド（例えば、Ｕｌｔｅｍ）、ポリアミドイミド（例えば、Ｔｏｒｌｏｎ）、ポリフェニレンスルフィド（例えば、Ｒｙｔｏｎ、ＰＰＳ）などの高温ポリマー、および前述のポリマーのいずれかを含むブレンドまたは複合材を含んでもよい。少なくとも１つの実施形態では、スリーブウェル５０２およびコネクタポート５０４は、レッジ５０８によって分離され得る。少なくとも１つの実施形態では、レッジ５０８は、開口５１０を縁取ってもよい。少なくとも１つの実施形態では、レッジ５０８は、ＲＦ導体１０２の位置合わせを容易にすることができる。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体５０６のサーマルチョーク（例えば、サーマルチョーク１１４）は、開口５１０を通って延び、ＲＦコネクタ５０６のソケット５１２内に設置され得る。少なくとも１つの実施形態では、ソケット５１２は、サーマルチョーク（例えば、サーマルチョーク１１４の基部１７２）に電気的に連結するための導電性側壁５１４を有してもよい。

【0150】

少なくとも１つの実施形態では、コネクタポート５０４は、フレーム５２０の底部側壁５１８の近くに内側ねじ付き部分５１６を備える。少なくとも１つの実施形態では、フレーム５２０は、隣接するスリーブウェル５０２とコネクタポート５０４を相互接続する。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦコネクタ５０６は、内側ねじ付き部分５１６と嵌合する外側ねじを備えるねじ付きバレル５２２を備える。少なくとも１つの実施形態では、ねじ付きバレル５２２は、キャップ５２４を備える。少なくとも１つの実施形態では、キャップ５２４は、ねじ付きバレル５２２を締め付けるための工具（例えば、レンチ）によるアクセスを容易にする平らな側面を有する六角形の側壁５２６を備える。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦコネクタ５０６は、ねじ付きバレル５２２を手動で回転させることによって、ＲＦワイヤハーネス５００との接続または接続解除が可能になる。少なくとも１つの実施形態では、ねじ付きバレル５２２を締め付けることにより、ＲＦコネクタソケット５１２をレッジ５０８に押し付けることによってコネクタポート５０４内にＲＦコネクタ５０６を固着することができる。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦコネクタ５０６は、コレット型コネクタ（例えば、ＯＤＵ（商標）ＳｐｒｉｎｇｔａｃコネクタまたはＬａｍｔａｃコネクタ）であってもよい。少なくとも１つの実施形態では、スリーブ１１６は、開口５１０を通過してソケット５１２内に設置され得る。少なくとも１つの実施形態では、プロング５２８がＲＦコネクタソケット５１２内にスリーブ基部を固着し、また、サーマルチョークに電気的に連結することができる。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦコネクタ５０６は、ＲＦコネクタソケット５１２の下でねじ付きバレル５２２に延びるステム５３０を備えてもよい。少なくとも１つの実施形態では、ステム５３０は、ステム５３０の底部にはんだウェル５３２を備えてもよい。少なくとも１つの実施形態では、ワイヤ５３４が、裸端部５３６をはんだウェル５３２に挿入することによってステム５３０にはんだ付けされ、はんだ結合され得る。

【0151】

図５Ｂは、少なくとも１つの実施形態による、スリーブウェル５０２を囲む壁５３８を備えるワイヤハーネス５００の上平面図を示している。壁５３８は、適切な厚さｔ₆を有することができる。少なくとも１つの実施形態では、レッジ５０８は、スリーブウェル５０２とコネクタポート５０４との間に開口５１０を備えてもよい。少なくとも１つの実施形態では、プロング５２８は、コネクタポート５０４の底部にあってもよい。

【0152】

少なくとも１つの実施形態では、フレーム５２０は、隣接するスリーブウェル５０２とコネクタポート５０４を相互接続し得る。少なくとも１つの実施形態では、フレーム５２０は、ＲＦワイヤハーネス５００の強度および柔軟性を最適化するように調整され得る厚さｔ₇を有することができる。少なくとも１つの実施形態では、ワイヤハーネス５００は、ＲＦロッドアセンブリクランプ（例えば、ロッドアセンブリクランプ１０４）の長さＬ₈と実質的に等しくてもよい全長Ｌ₁₀を有してもよい。少なくとも１つの実施形態では、ワイヤハーネス５００は、アダプタチューブ（例えば、アダプタチューブ１３８）の基部内に設置され得る。

【0153】

図５Ｃは、少なくとも１つの実施形態における、ワイヤハーネス５５０の代替の実施形態の断面図を示している。少なくとも１つの実施形態では、フレーム５２０は、スリーブウェル５０２間のおおよそ中心に位置するスロット５４０を備える。少なくとも１つの実施形態では、スロット５４０は、柔軟性をワイヤハーネス５００に与えるように調整され得る長さＬ９を有することができる。

【0154】

図６Ａは、少なくとも１つの実施形態による、スペーサプレート１１０の平面図を示している。少なくとも１つの実施形態では、スペーサプレート１１０は、実質的にディスク形状であってもよく、以下に説明するような、ＲＦ導体（例えば、ＲＦ導体１０２）およびヒータワイヤ１６０を通過させるためにディスク６００を通って延びる開口６０２および６０４を備える。少なくとも１つの実施形態では、スペーサプレート１１０は、台座ステム（例えば、ステム１２８）の内径内に適合するようなサイズにすることができる直径Ｄ₃を有し得る。少なくとも１つの実施形態では、直径Ｄ₃はまた、スペーサプレート１１０がアダプタチューブ１３８のアダプタチューブフランジ１４６の内部におけるレッジ１５６上に設置されることを可能にするように調整されてもよい（例えば、図１Ｃ参照）。少なくとも１つの実施形態では、開口６０２は、スリーブ１１６の幅ｗ₄よりもわずかに大きくてもよい直径Ｄ₄を有し得る。少なくとも１つの実施形態では、開口６０２のオフセットは、ウエハチャックプラテン（例えば、プラテン１２６）上の接触点との最適な位置合わせのために、ＲＦ導体の旋回運動に対して適切なクリアランスを提供し得る。

【0155】

少なくとも１つの実施形態では、開口６０４は、直径Ｄ₅を有する。少なくとも１つの実施形態では、直径Ｄ₅は、開口６０２の直径Ｄ₄よりも実質的に小さくてもよい。少なくとも１つの実施形態では、開口６０４は、ヒータ導体およびＥＳＣロッド（例えば、図１Ｃのヒータ導体１５８）が台座ステム（例えば、図１Ｃのステム１２８）まで通過することを許容し得る。少なくとも１つの実施形態では、開口６０２および６０４は、任意の適切なパターンで配置され得る。

【0156】

少なくとも１つの実施形態では、スペーサプレート１１０は、セラミックまたはガラスなどの誘電体材料を含むことができる。少なくとも１つの実施形態では、スペーサプレート１１０は、アルミナ、窒化アルミニウム、非晶質シリカ、またはケイ酸塩ガラスを含む。少なくとも１つの実施形態では、スペーサプレート１１０は、ロッド（例えば、ロッド１１２）と低周波ＡＣ搬送導体（例えば、ヒータ導体１５８）との間に電気（および熱）絶縁を提供する。少なくとも１つの実施形態では、スペーサプレート１１０はまた、ＲＦ導体およびヒータ導体とウエハチャックプラテン上の接触点の位置合わせを維持することができる。

【0157】

少なくとも１つの実施形態では、壁６０６が、（例えば、図６Ｂに示すように）開口６０２の上および下に延びることができる。少なくとも１つの実施形態では、壁６０６は、壁６０６の最適な強度のために調整され得る厚さｔ８を有する。少なくとも１つの実施形態では、壁６０６は、ＲＦ導体の安定化を支援する。

【0158】

図６Ｂは、少なくとも１つの実施形態による、スペーサプレート１１０の断面図を示している。少なくとも１つの実施形態では、ディスク６００は、厚さｔ９を有する。少なくとも１つの実施形態では、厚さｔ９は、スペーサプレート１１０の強度を最適化するようなサイズにすることができる。少なくとも１つの実施形態では、開口６０２を囲む壁６０６は、高さｈ２だけディスク６００の上および下に延びることができる。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２は、開口６０２を通した挿入によってスペーサプレート１１０と係合することができる。少なくとも１つの実施形態では、スペーサプレート１１０は、ＲＦ導体の小さな傾斜に適応するように寸法決めされ得る開口６０２を備えてもよい。

【0159】

少なくとも１つの実施形態では、スリーブノーズ（例えば、ノーズ１７６）が、スリーブノーズと壁６０６との間にギャップが存在するように開口６０２に挿入されてもよい。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２は、開口６０２内で実質的に自由に旋回することができる。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体のスリーブは、開口６０２を完全に通過し、プラテンの座ぐり穴まで延びることが可能である。

【0160】

図７Ａは、少なくとも１つの実施形態による、コラムクランプアセンブリ１４０の上側クランプリング１４８の平面図を示している。少なくとも１つの実施形態では、上側クランプリング１４８は、開口７０６を囲む外側側壁７０２と内側側壁７０４との間の幅ｗ₅を有する。少なくとも１つの実施形態では、幅ｗ₅は、おおよそ７ｃｍ～２５ｃｍの範囲であってもよい。少なくとも１つの実施形態では、上側クランプリング１４８は、おおよそ７ｃｍ～１５ｃｍの範囲の外径Ｄ₆を有する。少なくとも１つの実施形態では、上側クランプリング１４８は、内径Ｄ₇を有する。上側クランプリング１４８の環状幅ｗ₅は、Ｄ₆とＤ₇との間の算術差であってもよい。少なくとも１つの実施形態では、上側クランプリング１４８は、複数の貫通穴７０８を備える。少なくとも１つの実施形態では、貫通穴７０８は、ボルト（例えば、図１Ｃのボルト１５２）の通過を可能にし、下側クランプリング１５０に対するクランプ力を提供する（後述）。少なくとも１つの実施形態では、貫通穴７０８は、ボルト（例えば、ボルト１５２）によって加えられる力の対称的な分布を提供するために、対称的なパターンで分布される。

【0161】

少なくとも１つの実施形態では、上側クランプリング１４８は、上面７１８と、下面７２０とを備える（図７Ｂに示す）。少なくとも１つの実施形態では、下面７２０は、接触面である（以下、接触面７２０）。少なくとも１つの実施形態では、上側クランプリング１４８は、上面７１８から下面７２０に延びる６つの等間隔の貫通穴７０８を備える。少なくとも１つの実施形態では、貫通穴７０８は、６０度の方位角間隔を有する。少なくとも１つの実施形態では、貫通穴７０８の中心は、外径Ｄ₆と内径Ｄ₇との間の中間の半径よりも小さい（例えば、内径Ｄ₇に近い半径Ｒ₁と一致する。少なくとも１つの実施形態では、貫通穴７０８を内方に位置決めすることにより、上側クランプリング１４８の面取りされた部分をボルトが通過することが可能になる（図７Ｂ参照）。したがって、少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリング１５０の内方部分にかかる下向きの力が減少し、下側クランプリング１５０が上方に撓むことが許容される（後述）。

【0162】

少なくとも１つの実施形態では、上側クランプリング１４８は、剛性のために高い弾性率を有する金属を含む。少なくとも１つの実施形態では、限定はしないが、鋼合金、タングステン、またはチタンなどの材料を上側クランプリング１４８に用いることが可能である。

【0163】

図７Ｂは、少なくとも１つの実施形態による、上側クランプリング１４８の直交断面図を示している。断面は、図７Ａの切断線Ａ－Ａ’に沿って取られる。少なくとも１つの実施形態では、上側クランプリングは、おおよそ１ｃｍ～３ｃｍの範囲であり得る高さｈ₃を有する。少なくとも１つの実施形態では、内側側壁７０４は、ベベル７１０を備える。少なくとも１つの実施形態では、ベベル７１０は、上側クランプリング１４８の外周に対する接触面７２０の面積を減少させる。以下に説明するように、下側クランプリング１５０の内方部分は片持ち支持され、アダプタチューブフランジ１４６の非平面性に適合するように上方への撓みを可能にする（図１Ｃ参照）。少なくとも１つの実施形態では、ベベル７１０は、接触面７２０を下側クランプリング１５０の外方部分に限定するように調整され得る角度θを有する。少なくとも１つの実施形態では、角度θは、外径Ｄ₆に対する接触面７２０の幅ｗ₆を最適化するように調整され得る。少なくとも１つの実施形態では、幅ｗ₆は、下側クランプリング１５０に加えられる最適な力のために、上側クランプリング１４８の接触面７２０の表面積を最適化するように調整することができる。少なくとも１つの実施形態では、幅ｗ₆は、上面７１８の表面積が接触面７２０の表面積よりも大きくなるように調整されてもよい。少なくとも１つの実施形態では、下面７２０に対する上面７１８の面積の比は、以下に説明するように、下側クランプリング１５０にかかる力を最適化するために調整することが可能である。

【0164】

図８Ａは、少なくとも１つの実施形態による、下側クランプリング１５０の上平面図を示している。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリング１５０は、一体の環状構造であってもよい。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリングは、２つの嵌合する半環状の半体またはセグメント（半環状セグメント８０２Ａおよび半環状セグメント８０４Ｂとして参照される）を備えることができる。少なくとも１つの実施形態では、半環状セグメント８０２Ａは、半環状セグメント８０２Ｂと実質的に同一である。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリングは、アルミニウムまたは他の適切な金属合金を含む。少なくとも１つの実施形態では、半環状セグメント８０２Ａおよび８０２Ｂは、それぞれ外側側壁８０６Ａ／８０６Ｂとそれぞれ内側側壁８０８Ａ／８０８Ｂとの間に延びる上面８０４Ａ／８０４Ｂをそれぞれ備える。少なくとも１つの実施形態では、半体８０２Ａおよび８０２Ｂの幅ｗ₇は、おおよそ１ｃｍ～３ｃｍの範囲であってもよい。少なくとも１つの実施形態では、外側側壁８０６Ａ／８０６Ｂは、外側半径Ｒ₂に沿って延びる。少なくとも１つの実施形態では、内側側壁８０８Ａ／８０８Ｂは、内側半径Ｒ₃に沿って延びる。

【0165】

少なくとも１つの実施形態では、半環状セグメント８０２Ａは、複数の貫通穴８１４Ａを備える。少なくとも１つの実施形態では、半環状セグメント８０２Ｂは、複数の貫通穴８１４Ｂを備える。少なくとも１つの実施形態では、貫通穴８１４Ａ／Ｂは、上側クランプリング１４８からアダプタチューブフランジ１４６へのボルトの通過を可能にするねじなしボルト穴としての役割を果たし、ステム１２８をウエハチャックアセンブリ１２０におけるアダプタチューブ１３８に固着することができる（図１Ｃ参照）。

【0166】

少なくとも１つの実施形態では、貫通穴８１４Ａ／Ｂは、それぞれ半環状セグメント８０２Ａおよび８０２Ｂを通って延びる半径に沿って均等に分布することができる。少なくとも１つの実施形態では、半環状セグメント８０２Ａおよび８０２Ｂは各々、６０度だけ角度的に間隔を置いた３つの貫通穴８１４Ａおよび８１４Ｂをそれぞれ備えることができる。少なくとも１つの実施形態では、穴８１４Ａ／Ｂの中心は、半径Ｒ₄と一致し得る。少なくとも１つの実施形態では、半径Ｒ₄は、外側半径Ｒ₂と内側半径Ｒ₃との間の中間よりも大きくてもよい。少なくとも１つの実施形態では、半径Ｒ₄は、半径Ｒ₃よりも半径Ｒ₂に近くてもよい。少なくとも１つの実施形態では、半径Ｒ₄上の穴８１０Ａ／Ｂの非対称な中心合わせにより、下側クランプリングの内方部分と比較して下側クランプリング１５０の外方部分により大きな力（例えば、上側クランプリング１４８からの圧力）をかけることが可能になり得る。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリング１５０の外方部分は、半径Ｒ₄と外側半径Ｒ₂との間にあり得る。少なくとも１つの実施形態では、内方部分（例えば、半径Ｒ₄と内側半径Ｒ₃との間）は、この部分が上側クランプリング１４８によって接触されないため、片持ち支持されている。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリング１５０の内方部分の片持ち梁により、アダプタチューブフランジ１４６の非平面性に適合するために、下側クランプリング１５０が面外で弾性的または塑性的に変形することが可能になり得る。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリング１５０およびアダプタチューブフランジ１４６にかかる曲げ応力は、ウエハチャックアセンブリ１２０に互いにボルト止めされると変形により低減され得る（図１Ｃ参照）。少なくとも１つの実施形態では、誘発された屈曲は、下側クランプリング１５０を湾曲させ、接触面積を減少させ、かつ接触面積を周縁部に変位させることによって、下面８１８Ａ／Ｂおよび８１９Ａ／Ｂを通る最適な力の分布を可能にし得る。少なくとも１つの実施形態では、上側クランプリング１４８の弾性率よりも低い弾性率を有する金属材料が用いられてもよい。

【0167】

少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリング１５０の構成材料は、上側クランプリング１４８における材料よりも低い降伏強度を有し得る。より低い降伏強度により、より低いレベルの機械的応力（例えば、上側クランプリング１４８に対する低いボルトトルク）で下側クランプリング１５０の塑性変形が可能になり、より脆弱なアダプタチューブフランジ１４６およびアダプタチューブ１３８の亀裂あるいは損傷を回避することが可能である。少なくとも１つの実施形態では、アダプタチューブ１３８は、セラミック材料を含む。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリングは、アルミニウム（例えば、おおよそ１３０メガパスカル（ＭＰａ）の降伏強度を含むことができ、上側クランプリング１４８は、鋼合金（例えば、軟鋼の場合はおおよそ２３０ＭＰａの降伏強度）を含むことができる。

【0168】

下側クランプリング１５０は２つの半環状セグメントを備えるように示されているが、少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリング１５０は、４つの四半環状セグメント（図示せず）を備える。少なくとも１つの実施形態では、上述の穴８１４Ａ／Ｂなどの構造は、４つｔの四半環状セグメント上に同様または同一の構成で分布されてもよい。少なくとも１つの実施形態では、第１の四半環状セグメントは、第１の端部と、第２の端部とを備える。少なくとも１つの実施形態では、第２の四半環状セグメントは、第３の端部と、第４の端部とを備える。少なくとも１つの実施形態では、第３の四半環状セグメントは、第５の端部と、第６の端部とを備える。少なくとも１つの実施形態では、第４の四半環状セグメントは、第７の端部と、第８の端部とを備える。少なくとも１つの実施形態では、第２の端部は、第３の端部に隣接している。少なくとも１つの実施形態では、第４の端部は、第５の端部に隣接している。少なくとも１つの実施形態では、第６の端部は、第７の端部に隣接している。少なくとも１つの実施形態では、第８の端部は、第１の端部に隣接している。

【0169】

図８Ｂは、少なくとも１つの実施形態による、下側クランプリング１５０の底平面図を示している。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリング１５０は、示すように、半環状セグメント８０２Ａおよび８０２Ｂの端部８１０Ａおよび８１０Ｂ、ならびに８１２Ａおよび８１２Ｂを当接させることによって組み立てられ得る。少なくとも１つの実施形態では、端部８１０Ａおよび８１０Ｂは、インターロックされる。例えば、端部８１０Ａは、端部８１０Ａから延びる１つまたは複数のタブまたは舌部など、１つまたは複数の突出構造（図示せず）を備えることができ、端部８１０Ｂは、１つまたは複数の突出構造を受け入れる１つまたは複数のノッチまたは溝など、端部８１０Ｂから内向きに延びる１つまたは複数の凹状領域（図示せず）を備えることができる。少なくとも１つの実施形態では、凹状領域は、突出構造と同様または同じ形状を有してもよく、それにより半環状セグメント８０２Ａおよび８０２Ｂは、キーアンドロック方式で突出構造を凹状領域に適合させることによってインターロックされ得る。少なくとも１つの実施形態では、端部８１０Ａは、突出ピンを備えてもよく、端部８１０Ｂは、突出ピンが挿入されて半環状セグメント８０２Ａおよび８０２Ｂをインターロックさせる穴を備えてもよい。

【0170】

少なくとも１つの実施形態では、溝８１６Ａ／Ｂは、それぞれ、半環状セグメント８０２Ａおよび８０２Ｂの下面８１８Ａ／Ｂ内に延びる。少なくとも１つの実施形態では、下面８１８Ａ／Ｂは、実質的に平面であり、それぞれ上面８０４Ａ／Ｂに平行である。少なくとも１つの実施形態では、溝８１６Ａ／Ｂは、それぞれ、半環状セグメント８０２Ａおよび８０２Ｂの外側側壁８０６Ａ／Ｂと内側側壁８０８Ａ／Ｂとの間の半円形の円弧をたどる。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリング１５０が組み立てられると、溝８１６Ａ／Ｂは結合して単一の円形溝を形成することができる。少なくとも１つの実施形態では、溝８１６Ａ／Ｂは、幅ｗ₈を有し得る。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリング１５０がウエハチャックアセンブリ１２０に組み込まれると（図１Ｃ参照）、上面８０８Ａ／は実質的に同一平面上にあり得る。例えば、ウエハチャックアセンブリ１２０の構築中、半環状セグメント８０２Ａ／Ｂを上側クランプリング１４８とアダプタチューブフランジ１４６との間に挿入し、互いに当接させることができる。組み立てられると、下側クランプリング１５０は、外径Ｄ₈（例えば、半径Ｒ₂の合計）と、内径Ｄ₉（例えば、半径Ｒ₃の合計）とを有し得る。少なくとも１つの実施形態では、下面８１８Ａ／Ｂは、下側クランプリング１５０がウエハチャックアセンブリ１２０に組み立てられると、同様に実質的に同一平面上にあってもよい。

【0171】

少なくとも１つの実施形態では、溝８１６Ａ／Ｂは、それぞれ、内方側壁８２０Ａ／Ｂおよび外方側壁８２２Ａ／Ｂを備える。少なくとも１つの実施形態では、溝８１６Ａ／Ｂは、内方側壁８２０Ａ／Ｂおよび外方側壁８２２Ａ／Ｂの間に横壁８２４Ａ／Ｂを含み得る。少なくとも１つの実施形態では、貫通穴８１０Ａ／Ｂの一部は、外方側壁８２２Ａ／Ｂを通過することができる。少なくとも１つの実施形態では、外方側壁８２２Ａ／Ｂは、湾曲していてもよい（図８Ｃ参照）。少なくとも１つの実施形態では、外方側壁８２２Ａ／Ｂと横壁８２４Ａ／Ｂの交点は、ゼロ以外の半径を有し得る。少なくとも１つの実施形態では、外方側壁８２２Ａ／Ｂは、横壁８２４Ａ／Ｂに対して強化された片持ち梁ジョイントを提供するために、横壁８２４Ａ／Ｂに近づくにつれてテーパ状にすることができる。少なくとも１つの実施形態では、外方側壁８２２Ａ／Ｂは、斜角で横壁８２４Ａ／Ｂに漸近的に接合し、交点において曲率を有することができる。少なくとも１つの実施形態では、外方側壁８２２Ａ／Ｂの最大テーパ幅ｗ₉は、横壁８２６Ａ／Ｂの所望の片持ち梁の撓みを可能にするように調整され得る。少なくとも１つの実施形態では、幅ｗ₈およびｗ₉は、本明細書に記載のように、境界面（ｉｎｔｅｒｆａｃｉｎｇ ｓｕｒｆａｃｅ）上における最適な力の分布のために調整され得る。

【0172】

少なくとも１つの実施形態では、半環状セグメント８０２Ａ／Ｂの全幅ｗ₇は、垂直力が内側リッジ８２８Ａ／Ｂに作用したときに所望の片持ち梁の撓みを受けるように調整されてもよい。少なくとも１つの実施形態では、幅ｗ₇は、コラムクランプアセンブリ１４０の熱的－機械的性能を最適化するために、隣接する境界面（例えば、保持リップ１４２およびアダプタチューブフランジ１４６）に加えられる力の最適な分布のために調整され得る。
少なくとも１つの実施形態では、内方側壁８２０Ａ／Ｂは、それぞれ平坦部分８２６Ａ／Ｂを含むことができる。少なくとも１つの実施形態では、平坦部分８２６Ａ／Ｂの位置および長さＬ₁₀は、アダプタチューブフランジ１４６上に存在し得るガイド構造に当接するように調整されてもよい。そのようなガイド構造は、アダプタチューブフランジ１４６上で下側クランプリング１５０を配向させ、かつ／またはその中心合わせを容易にすることができる。

【0173】

図８Ｃは、少なくとも１つの実施形態による、図８Ｂに示す切断線Ａ－Ａ’に沿った下側クランプリング１５０の直交断面図を示している。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリング１５０は、それぞれ当接端８１２Ａおよび８１２Ｂで近接する、組み立てられた半環状セグメント８０２Ａおよび８０２Ｂを備える。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリング１５０は、厚さｈ₄を有する。少なくとも１つの実施形態では、厚さｈ₄は、おおよそ０．５～２ｃｍの範囲である。少なくとも１つの実施形態では、横壁８２４Ａ／Ｂは、それぞれ、下面８１８Ａ／Ｂおよび８１９Ａ／Ｂの下に深さｈ₅だけ凹んでいてもよい。少なくとも１つの実施形態では、ｈ₅は、溝８１６Ａ／Ｂの深さである。少なくとも１つの実施形態では、深さｈ₅は、０．５ｃｍ～厚さｈ₄のおおよそ７５％の範囲であり得る。少なくとも１つの実施形態では、深さｈ₅は、下側クランプリング１５０の最適な性能のために調整され得る。少なくとも１つの実施形態では、調整は、材料、幅ｗ₇、および下面８１８Ａ／Ｂおよび８１９Ａ／Ｂの間の垂直オフセットに依存し得る。少なくとも１つの実施形態では、深さｈ₅は、アダプタチューブフランジ１４６の非平面性に適合するように、下側クランプリング１５０の片持ち梁部分が上面８０８Ａ／Ｂ上において所望のクランプ力で曲がることを可能にするように最適化され得る。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリング１５０の変形により、それぞれ内側および外側接触面８１６および８１８の間に分布するアダプタチューブフランジ１４６およびアダプタチューブ１３８（図１Ｃ参照）への損傷を防止することができる。

【0174】

少なくとも１つの実施形態では、外方側壁８２２Ａ／Ｂは、それぞれ、斜角で横壁８２４Ａ／Ｂに近づく拡大テーパを有してもよい。少なくとも１つの実施形態では、外方側壁８２２Ａ／Ｂは、横壁８２４Ａ／Ｂと漸近的に融合し、丸形の（湾曲した）ジョイントを形成する。少なくとも１つの実施形態では、外方側壁８２２Ａ／Ｂと横壁８２４Ａ／Ｂとの間の交点は、挿入図に示すように、ゼロ以外の円形の曲率半径ｒを有する。

【0175】

図９は、少なくとも１つの実施形態による、上側ウエハチャックアセンブリ９００の３Ｄ断面図を示している。少なくとも１つの実施形態では、上側ウエハチャックアセンブリ９００は、プラテン１２６とアダプタチューブ１３８の上側部分との間に延びることができる。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２は、アダプタチューブ１３８の下側部分からステム１２８の頂部におけるプラテン１２６に延びることができる。少なくとも１つの実施形態では、スリーブ１１６は、ロッド１１２のほぼ全長にわたって延び、ロッドの温度調節のための断熱を行うことが可能である。少なくとも１つの実施形態では、ロッド１１２の先端１１８は、スリーブ１１６のノーズ１７６の上に延びることができる。少なくとも１つの実施形態では、ロッド１１２の先端１１８は、座ぐり穴１３０内に設置され得る。少なくとも１つの実施形態では、先端１１８は、座ぐり穴１３０の上に位置するプラテン１２６内のプラズマ放電電極（図示せず）に取り付けられてもよい。少なくとも１つの実施形態では、ノーズ１７６は、ＲＦ導体１０２を位置合わせするために、プレート１２６の底面における座ぐり穴１３０内に設置され得る。少なくとも１つの実施形態では、座ぐり穴１３０は、ＲＦ導体１０２の旋回運動のためのクリアランスを許容するように寸法決めされてもよい。

【0176】

少なくとも１つの実施形態では、スペーサプレート１１０は、保持リップ１４２の内側のステム１２８の基部内に設置され得る。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２は、スペーサプレート１１０における開口６０２を通過することができる。少なくとも１つの実施形態では、開口６０２の直径Ｄ₄は、スリーブ１１６の幅ｗ₄と開口６０２の直径Ｄ₄との間のクリアランスのために調整され得る。少なくとも１つの実施形態では、クリアランスは、ＲＦ導体１０２の旋回を可能にし、スリーブ１１６の熱膨張に適応することができる。少なくとも１つの実施形態では、ヒータ導体１５８は、ワイヤ取り付けラグ９０２からスペーサプレート１１０の下に延びる（例えば、アダプタチューブ１３８の下側部分におけるヒータワイヤ１６０から延びる）ことができる。少なくとも１つの実施形態では、ヒータ導体１５８は、開口６０４を通ってステム１２８に延びることができる。少なくとも１つの実施形態では、ヒータ導体１５８は、プラテン１２６における加熱要素に取り付けることができる（接続は図示せず）。少なくとも１つの実施形態では、スペーサプレート１１０は、スリーブ１１６とヒータ導体１５８との間に電気的および熱的絶縁を提供することができる。

【0177】

少なくとも１つの実施形態では、ステム１２８は、上側クランプリング１４８および下側クランプリング１５０を備えるコラムクランプアセンブリ１４０によってアダプタチューブ１３８に取り付けられ得る。少なくとも１つの実施形態では、締め付けられたボルト１５２からのクランプ力は、コラムクランプアセンブリ１４０を介して保持リップ１４２に伝達され、レッジ１５６に対して真空シール１５４を圧縮することができる。少なくとも１つの実施形態では、上側および下側クランプリング１４８および１５０はそれぞれ、真空シール１５４の圧縮が均一になるように力を分散することができる。少なくとも１つの実施形態では、真空シール１５４は、高真空または超高真空シールとして設計されてもよい。

【0178】

図１０は、少なくとも１つの実施形態による、破線のボックスによって描写されたウエハチャックアセンブリ１２０を備える半導体プロセスツール１０００を示している。少なくとも１つの実施形態では、半導体プロセスツール１０００は、限定はしないが、プラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）装置、原子層堆積装置、ＲＦスパッタリング装置、ドライエッチング装置、またはプラズマ洗浄装置などのウエハプロセスツールであってもよい。少なくとも１つの実施形態では、プラテン１２６を備えるウエハチャックアセンブリ１２０は、真空チャンバ１００２内に収容され得る。少なくとも１つの実施形態では、真空チャンバ１００２は、高真空チャンバまたは超高真空チャンバであってもよい。少なくとも１つの実施形態では、ステム１２８およびアダプタチューブ１３８を備えるコラム１２２は、真空チャンバ１００２の下のキャビネット１００６内に収容され得る。少なくとも１つの実施形態では、台座１２６は、示すように、キャビネット１００６の頂面１００８上にあってもよい。少なくとも１つの実施形態では、台座１２６は、頂面１００８の下に凹んでいてもよい（図示せず）。少なくとも１つの実施形態では、キャビネット１００６は、半導体プロセスツール１０００の動作中に真空下にあってもよい。

【0179】

少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体１０２は、フィードスルーコネクタ１０１２に取り付けられたワイヤ５３４によってＲＦ電源１０１０に接続される。少なくとも１つの実施形態では、フィードスルーコネクタ１０１２は、ＲＦ電源１０１０から延在する同軸ケーブルからＲＦ電力を分割することができる。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ電力は、ワイヤハーネス５００を介してサーマルチョーク１１４に連結され得る。

【0180】

図１１は、少なくとも１つの実施形態による、ウエハチャックアセンブリ（例えば、ウエハチャックアセンブリ１２０）を組み立てるための方法を要約する例示的なフローチャート１１００を示している。少なくとも１つの実施形態では、フローチャート１１００は、動作１１０２で開始する。少なくとも１つの実施形態では、ウエハチャック台座アセンブリを組み立てるために準備することができる。少なくとも１つの実施形態では、ウエハチャック台座アセンブリは、台座プラテン（例えば、プラテン１２６）と、一体型台座ステム（例えば、ステム１２８）とを備えることができる。少なくとも１つの実施形態では、アダプタチューブハウジングもまた、ウエハチャック台座に組み込むために準備され得る。

【0181】

少なくとも１つの実施形態では、動作１１０４において、ＲＦアセンブリクランプ（例えば、ＲＦアセンブリクランプ１０４）内にクランプされた１つまたは複数のＲＦ導体（例えば、ＲＦ導体１０２）を備えるＲＦアセンブリが、アダプタチューブハウジングの基部に挿入され得る。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦアセンブリクランプの本体は、アダプタチューブ（例えば、アダプタチューブ１３８）のアダプタチューブの内部壁における（例えば、内壁１３９および輪郭４０４の）輪郭と一致する輪郭（例えば、側壁３０２、３０４）を備える。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦロッドアセンブリクランプは、固有の（例えば、固定化された）配向で挿入することができるように、非対称の形状を有してもよい。少なくとも１つの実施形態では、輪郭４０４は、ＲＦアセンブリクランプ１０４が固定化された配向で挿入され得るように、互いに対する対応する非対称性を有し得る。少なくとも１つの実施形態では、以下に説明するように、アダプタチューブハウジングが台座ステムに取り付けられると、固定化された配向により、台座プラテン上の接触点（例えば、座ぐり穴１３０）に対するＲＦ導体の位置合わせが確実になり得る。

【0182】

少なくとも１つの実施形態では、個々のＲＦ導体は、導電性サーマルチョーク（例えば、サーマルチョーク１１４）に一体的に結合（例えば、溶接）された導電性ロッド（例えば、ロッド１１２）を備えることができる。ＲＦ導体については、少なくとも１つの実施形態に従って上で説明されている。少なくとも１つの実施形態では、ロッドおよびサーマルチョークを備える一体型構造は、誘電性の円筒スリーブ（例えば、スリーブ１１６）によって絶縁され得る。少なくとも１つの実施形態では、絶縁スリーブは、ロッド／サーマルチョーク構造に対して熱絶縁と電気絶縁の両方を提供することができる。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体は、サーマルチョークの基部部分（例えば、基部１７２）に取り付けられたＲＦ電気コネクタ（例えば、ワイヤハーネス５００）をさらに備えることができる。

【0183】

少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体は、誘電体スリーブの周囲に伸長された変形可能なＯリングによってＲＦロッドアセンブリクランプ内に拘束され得る。少なくとも１つの実施形態では、Ｏリングは、ＲＦ導体の揺動または旋回運動を許容し、台座プラテンの底部における接触点（例えば、座ぐり穴１３０）とロッドの位置ずれを補正することができる。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体は、ＲＦロッドアセンブリクランプの本体における球状ソケット内に捕捉されたボールリテーナ内に保持され得る。少なくとも１つの実施形態では、ボールソケットジョイントが回転可能であり、横方向および垂直方向の運動を拘束しながら、ＲＦ導体の制限された旋回運動を可能にすることができる。

【0184】

少なくとも１つの実施形態では、動作１１０６において、ウエハチャック台座をアダプタチューブハウジングに取り付けることができる。少なくとも１つの実施形態では、台座ステムは、アダプタチューブハウジングの上端内のレッジ（例えば、レッジ１４４）上に設置されるリップ（例えば、保持リップ１４２）をその基部に備えることができる。少なくとも１つの実施形態では、組み立て手順中、アダプタチューブハウジングの上端が台座ステムの基部に近づくことができる。少なくとも１つの実施形態では、個々のＲＦ導体は、台座ステムの基部内に設置されたスペーサプレート内の開口（例えば、スペーサプレート１１０における開口６０２）を通して挿入され得る。少なくとも１つの実施形態では、スペーサプレートは、台座ステムのリップの内側のレッジ上に設置され得る。

【0185】

少なくとも１つの実施形態では、台座ステムの基部は、アダプタチューブハウジングの上端に挿入することができる。少なくとも１つの実施形態では、台座ステムがアダプタチューブハウジングに挿入されると、上側クランプリング（例えば、上側クランプリング１４８）および下側クランプリング（例えば、下側クランプリング１５０）を備えるクランプ（例えば、コラムクランプアセンブリ１４０）は、アダプタチューブフランジ（例えば、アダプタチューブフランジ１４６）にボルト止めされ得る。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリングは、フランジおよび台座ステムリップに跨る。少なくとも１つの実施形態では、下側クランプリングは、複数のクランプボルト（例えば、ボルト１５２）を締めることによってわずかに変形し、上側クランプリングによって伝達されるクランプ力を分散させるのに十分な弾性を有する材料を含む。

【0186】

少なくとも１つの実施形態では、動作１１０８において、ＲＦ接続をウエハチャック台座アセンブリに対して行うことができる。少なくとも１つの実施形態では、誘電体（例えば、ＰＥＥＫ）本体を備えるワイヤハーネス（例えば、ワイヤハーネス５００）は、アダプタチューブハウジングの基部に挿入することができる。少なくとも１つの実施形態では、ワイヤハーネスは、アダプタチューブハウジングの内部壁の輪郭のある凹部（例えば、輪郭４０４）に適合する輪郭のある本体を有し得る。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦコネクタ（例えば、ＲＦコネクタ５０６は、ワイヤハーネスのコネクタポート（例えば、コネクタポート５０４）に挿入され得る。少なくとも１つの実施形態では、ワイヤハーネスは、ＲＦ導体の上に挿入されてもよい。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦ導体の誘電体スリーブは、ワイヤハーネスのウェル（例えば、スリーブウェル５０２）内に設置され得る。少なくとも１つの実施形態では、サーマルチョークは、ウェルの底部における開口部を通って（例えば、開口５１０を通って）延び、ＲＦコネクタのレセプタクル（例えば、ソケット５１２）に設置することができる。少なくとも１つの実施形態では、サーマルチョークは、ＲＦコネクタに電気的に連結され得る。少なくとも１つの実施形態では、ワイヤ（例えば、ワイヤ５３４）をＲＦコネクタに予めはんだ付けすることができる。少なくとも１つの実施形態では、ワイヤは、ＲＦ電流をコネクタに運ぶことができる。少なくとも１つの実施形態では、ＲＦコネクタは、ねじ付きバレルを取り付けることができるねじ付き基部（例えば、内側ねじ付き部分５１６）を備えてもよい。少なくとも１つの実施形態では、ねじ付きバレルを締め付け、ワイヤハーネス内にＲＦコネクタを固着することが可能である。

【0187】

少なくとも１つの実施形態では、本明細書に記載の様々な実施形態の構造はまた、それらの構造を形成する方法、およびこれらの構造の動作方法として説明することもできる。

【0188】

少なくとも１つの実施形態を示している、以下の例が提供される。これらの例は、他の例と組み合わせることが可能である。したがって、少なくとも１つの実施形態は、本発明の範囲を変更することなく、少なくとも別の実施形態と組み合わせることができる。

【0189】

例１は、ウエハチャックアセンブリであって、１つまたは複数のプラズマ電極を有するプラテンと、前記１つまたは複数のプラズマ電極に電気的に連結された少なくとも１つの高周波（ＲＦ）導体を備えるＲＦアセンブリであって、前記少なくとも１つのＲＦ導体は、前記１つまたは複数のプラズマ電極に連結されたロッド先端、および中空内部を有するサーマルチョークに機械的に連結されたロッドステムを有するロッドを備えるＲＦアセンブリとを備え、前記ロッドは、第１の導電性材料を含み、第１の幅および第１の長さを有し、前記サーマルチョークは、第２の導電性材料を含み、第２の幅および第２の長さを有し、前記第２の幅は、前記第１の幅以上である、ウエハチャックアセンブリである。

【0190】

例２は、例１のすべての特徴を含み、前記ロッドは、前記サーマルチョークの管状本体に挿入されるロッドステムを備え、前記ロッドステムは、前記第１の長さの１０％未満である第３の長さを有する。

【0191】

例３は、例１のすべての特徴を含み、前記ロッドは、前記ステム部分上に挿入ストッパをさらに備え、前記挿入ストッパは、前記サーマルチョークのリムに当接する。

【0192】

例４は、例１のすべての特徴を含み、前記第１の長さは、前記第２の長さの２０％～５０％である。

【0193】

例５は、例１のすべての特徴を含み、ＲＦアセンブリクランプが、前記少なくとも１つのＲＦ導体に連結され、前記ＲＦアセンブリクランプは、前記少なくとも１つのＲＦ導体が通って延びる少なくとも１つの保持構造を備え、前記少なくとも１つの保持構造は、前記少なくとも１つのＲＦ導体を前記ＲＦアセンブリクランプと旋回可能に係合するように動作可能である。

【0194】

例６は、例５のすべての特徴を含み、前記ＲＦアセンブリクランプは、第１の部分と、第２の部分とを備え、前記少なくとも１つの保持構造は、前記第１の部分と前記第２の部分との間にあり、少なくとも１つの第１の開口が、前記第１の部分を通って延び、前記第２の部分を通って延びる少なくとも１つの第２の開口と実質的に同軸であり、第３の開口が、前記少なくとも１つの保持構造を通って延び、前記少なくとも１つの第１の開口および前記少なくとも１つの第２の開口と実質的に同軸である。

【0195】

例７は、例６のすべての特徴を含み、前記少なくとも１つの保持構造は、前記ＲＦアセンブリクランプのキャビティ内で旋回可能に係合されるボールリテーナを備え、前記第３の開口は、前記ボールリテーナを通って延び、前記少なくとも１つのＲＦ導体は、前記第３の開口内で横方向に拘束される。

【0196】

例８は、例６のすべての特徴を含み、前記少なくとも１つの保持構造は、前記第３の開口を囲むリングを備え、前記少なくとも１つのＲＦ導体は、前記第３の開口内で横方向に拘束され、前記少なくとも１つのＲＦ導体は、前記第３の開口内で旋回可能に係合される。

【0197】

例９は、例８のすべての特徴を含み、前記リングは、エラストマー材料を含み、前記エラストマー材料は、前記少なくとも１つのＲＦ導体によって加えられる旋回力によって変形する。

【0198】

例１０は、例１のすべての特徴を含み、前記サーマルチョークは、溶接結合またはろう付け結合によって前記ロッドに結合される。

【0199】

例１１は、例１のすべての特徴を含み、前記第１の導電性材料は、ニッケル、鉄、または銅を含む。

【0200】

例１２は、例１のすべての特徴を含み、前記第２の導電性材料は、ニッケル、銅、または鉄の合金を含む。

【0201】

例１３は、例１のすべての特徴を含み、前記サーマルチョークは、外壁上に導電性コーティングを備える。

【0202】

例１４は、例１３のすべての特徴を含み、前記導電性コーティングは、金を含み、前記導電性コーティングは、２０ミクロン以下の厚さを有する。

【0203】

例１５は、例１のすべての特徴を含み、前記サーマルチョークは、前記ロッドに連結された第１の端部と、電気コネクタに連結された第２の端部とを有し、前記電気コネクタは、前記サーマルチョークに電気的に連結される。

【0204】

例１６は、例１のすべての特徴を含み、前記ＲＦアセンブリは、前記ロッドおよび前記サーマルチョークの周囲にスリーブをさらに備え、前記スリーブは、非導電性材料を含み、前記スリーブは、第４の長さを有し、前記第４の長さは、前記第１の長さと前記第２の長さの合計の少なくとも一部に等しい。

【0205】

例１７は、例１６のすべての特徴を含み、前記非導電性材料は、アルミニウムの酸化物、ケイ素の酸化物、または有機ポリマーを含む。

【0206】

例１８は、例１６のすべての特徴を含み、前記スリーブは、前記スリーブの第２の壁厚よりも小さい第１の壁厚を有するノーズを備える。

【0207】

例１９は、システムであって、真空チャンバと、前記真空チャンバ内のウエハチャックアセンブリであって、前記ウエハチャックアセンブリは、プラテンに連結されたステムを備える台座であって、前記プラテンは、少なくとも１つのプラズマ放電電極を備える台座、前記ステムに連結されたアダプタチューブを備えるコラム、および高周波（ＲＦ）アセンブリであって、少なくとも１つのＲＦ導体であって、サーマルチョークに機械的に連結されたロッド、および前記少なくとも１つのＲＦ導体の長さに沿って少なくとも部分的に延びるスリーブを備える少なくとも１つのＲＦ導体と、前記少なくとも１つのＲＦ導体に連結されたＲＦアセンブリクランプであって、前記ＲＦアセンブリクランプは、クランプ本体内に少なくとも１つの保持構造を備えるＲＦアセンブリクランプとを備えるＲＦアセンブリを備えるウエハチャックアセンブリとを備え、前記少なくとも１つの保持構造は、前記少なくとも１つのＲＦ導体が通って延びる開口を備え、前記少なくとも１つの保持構造は、前記少なくとも１つのＲＦ導体を前記クランプ本体と旋回可能に係合するように動作可能であり、前記少なくとも１つのＲＦ導体は、前記コラムを通って延び、前記少なくとも１つのＲＦ導体は、前記少なくとも１つのプラズマ放電電極に電気的に連結される、システムである。

【0208】

例２０は、例１９のすべての特徴を含み、ＲＦ電源が、前記少なくとも１つのＲＦ導体に電気的に連結される。

【0209】

例２１は、例１９のすべての特徴を含み、前記プラテンは、前記プラテンの下面上に少なくとも１つの座ぐり穴を備え、前記少なくとも１つの座ぐり穴は、前記少なくとも１つのプラズマ放電電極に延び、前記ロッドの先端は、前記少なくとも１つの座ぐり穴を通って延び、前記少なくとも１つのプラズマ放電電極に接触する。

【0210】

例２２は、例１９のすべての特徴を含み、コラムクランプアセンブリが、前記台座の前記ステムを前記アダプタチューブに連結し、前記コラムクランプアセンブリは、下側クランプリングの上に上側クランプリングを備える。

【0211】

例２３は、例１９のすべての特徴を含み、前記ＲＦアセンブリクランプは、前記アダプタチューブ内に設置され、前記アダプタチューブは、１つまたは複数の輪郭を備える内壁を備える。

【0212】

例２４は、ウエハチャックアセンブリを組み立てるための方法であって、ステムを備える前記ウエハチャックアセンブリを受け取ることであって、前記ステムは、第１の端部でプラテンに取り付けられ、第２の端部にリップを備え、アダプタチューブが、第３の端部にフランジおよび第４の端部に基部を備えることと、スペーサプレートを前記ステムの前記第２の端部に設置することであって、前記スペーサプレートは、１つまたは複数の開口を備えることと、高周波（ＲＦ）アセンブリを前記アダプタチューブの前記基部に設置することであって、前記ＲＦアセンブリは、ＲＦアセンブリクランプの開口を通って延びる１つまたは複数のＲＦ導体を備え、前記ＲＦアセンブリクランプは、前記アダプタチューブ内で固有の配向を有し、前記１つまたは複数のＲＦ導体は、前記スペーサプレートを通って延びることと、前記フランジを前記ステムの端部にクランプすることとを含む、方法である。

【0213】

例２５は、例２４のすべての特徴を含み、前記ＲＦアセンブリをＲＦ電源に連結することをさらに含み、前記ＲＦ電源は、前記ＲＦアセンブリに電気的に連結されたＲＦコネクタに電気的に連結される。

【0214】

例２６は、例２４のすべての特徴を含み、前記ＲＦアセンブリを前記アダプタチューブの前記基部に設置することは、前記ＲＦアセンブリを前記ＲＦアセンブリクランプに設置することを含み、前記ＲＦアセンブリクランプは、前記１つまたは複数のＲＦ導体の横方向の運動を実質的に拘束し、前記１つまたは複数のＲＦ導体は、前記ＲＦアセンブリクランプ内で旋回可能に係合される。

【0215】

例２７は、例２４のすべての特徴を含み、前記１つまたは複数のＲＦ導体は、先端を備えるロッドを備え、ＲＦアセンブリを前記アダプタチューブの前記基部に設置することは、前記先端を前記プラテンに接触させることを含む。

【0216】

例２８は、下側クランプリングであって、第１の表面、および前記第１の表面の反対側にあり、ある厚さだけ前記第１の表面から分離された第２の表面であって、前記第１の表面および前記第２の表面は、外側半径と内側半径との間に延びる第１の表面および第２の表面と、前記第２の表面内の円形溝であって、前記円形溝は、前記外側半径と前記内側半径との間に部分的に延びる幅を有し、前記円形溝は、それぞれ外方側壁および内方側壁を有する円形溝とを備え、前記円形溝は、前記内方側壁と前記外方側壁との間に延びる横壁を有し、前記外方側壁は、前記第２の表面から前記横壁に向かって斜角で内方に延び、前記外方側壁と前記横壁の交点は、丸形であり、複数の穴が、前記第１の表面から前記円形溝に延びる、下側クランプリングである、

【0217】

例２９は、例２８のすべての特徴を含み、前記複数の穴の中心は、前記第１の半径と前記第２の半径との間の距離の半分よりも大きい第３の半径と一致し、前記複数の穴は、約６０度だけ方位角方向に間隔を置いている。

【0218】

例３０は、例２８のすべての特徴を含み、前記内方側壁は、平坦部分を備える。

【0219】

例３１は、例２８のすべての特徴を含み、第１の半環状セグメントと、第２の半環状セグメントとを備え、前記第１の半環状セグメントは、第１の端部と、第２の端部とを備え、前記第２の半環状セグメントは、第３の端部と、第４の端部とを備え、前記第１の端部は、前記第３の端部に隣接し、前記第２の端部は、前記第４の端部に隣接する。

【0220】

例３２は、例２８のすべての特徴を含み、第１の四半環状セグメントと、第２の四半環状セグメントと、第３の四半環状セグメントと、第４の四半環状セグメントとを備え、前記第１の四半環状セグメントは、第１の端部と、第２の端部とを備え、前記第２の四半環状セグメントは、第３の端部と、第４の端部とを備え、前記第３の端部は、前記第２の端部に隣接し、前記第３の四半環状セグメントは、第５の端部と、第６の端部とを備え、前記第５の端部は、前記第４の端部に隣接し、前記第４の四半環状セグメントは、第７の端部と、第８の端部とを備え、前記第７の端部は、前記第６の端部に隣接し、前記第８の端部は、前記第１の端部に隣接する。

【0221】

例３３は、上側クランプリングであって、外径に沿った第１の側壁と、内径に沿った第２の側壁であって、第１の表面が、前記外径と前記内径との間に延び、前記第１の表面は、ある厚さだけ第２の表面から分離されている第２の側壁と、前記第１の表面と前記第２の表面との間の前記厚さを通って延びる複数の貫通穴とを備える、上側クランプリングである、

【0222】

例３４は、例３３のすべての特徴を含み、前記複数の貫通穴の中心は、前記外径と前記内径との間の距離の半分未満の半径と一致し、前記穴は、６０度だけ方位角方向に間隔を置いている、

【0223】

例３５は、例３３のすべての特徴を含み、前記第２の側壁は、斜面部分を備え、前記斜面部分は、前記第１の表面が前記第２の表面の第２の表面積よりも大きい第１の表面積を有するように斜角で面取りされている。

【0224】

例３６は、クランプアセンブリであって、上側クランプリングであって、少なくとも１つの貫通穴、および前記上側クランプリングの内側半径に隣接する底面における面取りを有する上側クランプリングと、頂面、底面、および少なくとも１つの貫通穴を有する下側クランプリングであって、前記底面は、外側半径と内側半径との間に境界がある溝を備える下側クランプリングとを備え、前記上側クランプリングおよび前記下側クランプリングは、前記上側クランプリングの前記底面が前記下側クランプリングの前記頂面と直接接触するように、ボルトによって前記上側クランプリングおよび前記下側クランプリングの前記貫通穴を介してボルト止めされる、クランプアセンブリである。

【0225】

本明細書に記載したもの以外にも、開示された実施形態およびその実施態様に対して、それらの範囲から逸脱することなく様々な修正を加えることができる。したがって、本明細書における実施形態の説明は、例としてのみ構成されるべきであり、本開示の範囲を限定するものではない。本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲を参照することによってのみ判断されるべきである。

【図1A】

【図1B】

【図1C】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図3E】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図6A】

【図6B】

【図7A】

【図7B】

【図8A】

【図8B】

【図8C】

【図9】

【図10】

【図11】

【手続補正書】

【提出日】2024-09-09

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ウエハチャックアセンブリであって、
１つまたは複数のプラズマ電極を有するプラテンと、
前記１つまたは複数のプラズマ電極に電気的に連結された少なくとも１つの高周波（ＲＦ）導体を備えるＲＦアセンブリであって、前記少なくとも１つのＲＦ導体は、
前記１つまたは複数のプラズマ電極に連結されたロッド先端、および中空内部を有するサーマルチョークに機械的に連結されたロッドステムを有するロッド
を備える、ＲＦアセンブリと
を備え、
前記ロッドは、第１の導電性材料を含み、第１の幅および第１の長さを有し、
前記サーマルチョークは、第２の導電性材料を含み、第２の幅および第２の長さを有し、
前記第２の幅は、前記第１の幅以上である、
ウエハチャックアセンブリ。

【請求項2】

請求項１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記ロッドは、前記サーマルチョークの管状本体に挿入されるロッドステムを備え、前記ロッドステムは、前記第１の長さの１０％未満である第３の長さを有する、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項3】

請求項１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記ロッドは、前記ロッドステム上に挿入ストッパをさらに備え、前記挿入ストッパは、前記サーマルチョークのリムに当接する、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項4】

請求項１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記第１の長さは、前記第２の長さの２０％～５０％である、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項5】

請求項１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
ＲＦアセンブリクランプが、前記少なくとも１つのＲＦ導体に連結され、前記ＲＦアセンブリクランプは、前記少なくとも１つのＲＦ導体が通って延びる少なくとも１つの保持構造を備え、前記少なくとも１つの保持構造は、前記少なくとも１つのＲＦ導体を前記ＲＦアセンブリクランプと旋回可能に係合するように動作可能である、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項6】

請求項５に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記ＲＦアセンブリクランプは、第１の部分と、第２の部分とを備え、前記少なくとも１つの保持構造は、前記第１の部分と前記第２の部分との間にあり、少なくとも１つの第１の開口が、前記第１の部分を通って延び、前記第２の部分を通って延びる少なくとも１つの第２の開口と同軸であり、第３の開口が、前記少なくとも１つの保持構造を通って延び、前記少なくとも１つの第１の開口および前記少なくとも１つの第２の開口と実質的に同軸である、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項7】

請求項６に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記少なくとも１つの保持構造は、前記ＲＦアセンブリクランプのキャビティ内で旋回可能に係合されるボールリテーナを備え、前記第３の開口は、前記ボールリテーナを通って延び、前記少なくとも１つのＲＦ導体は、前記第３の開口内で横方向に拘束される、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項8】

請求項６に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記少なくとも１つの保持構造は、前記第３の開口を囲むリングを備え、前記少なくとも１つのＲＦ導体は、前記第３の開口内で横方向に拘束され、前記少なくとも１つのＲＦ導体は、前記第３の開口内で旋回可能に係合される、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項9】

請求項８に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記リングは、エラストマー材料を含む、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項10】

請求項１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記サーマルチョークは、前記ロッドに結合される、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項11】

請求項１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記第１の導電性材料は、ニッケル、鉄、または銅を含み、
前記第２の導電性材料は、ニッケル、銅、または鉄の合金を含む、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項12】

請求項１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記サーマルチョークは、外壁上に導電性コーティングを備え、
前記導電性コーティングは、金を含み、前記導電性コーティングは、２０ミクロン以下の厚さを有する、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項13】

請求項１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記サーマルチョークは、前記ロッドに連結された第１の端部と、電気コネクタに連結された第２の端部とを有し、前記電気コネクタは、前記サーマルチョークに電気的に連結される、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項14】

請求項１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記ＲＦアセンブリは、前記ロッドおよび前記サーマルチョークの周囲にスリーブをさらに備え、前記スリーブは、非導電性材料を含み、前記スリーブは、第４の長さを有し、前記第４の長さは、前記第１の長さと前記第２の長さの合計の少なくとも一部に等しく、
前記非導電性材料は、アルミニウムの酸化物、ケイ素の酸化物、または有機ポリマーを含む、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項15】

請求項１４に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記スリーブは、前記スリーブの第２の壁厚よりも小さい第１の壁厚を有するノーズを備える、ウエハチャックアセンブリ。

【請求項16】

システムであって、
真空チャンバと、
前記真空チャンバ内のウエハチャックアセンブリであって、前記ウエハチャックアセンブリは、
プラテンに連結されたステムを備える台座であって、前記プラテンは、少なくとも１つのプラズマ放電電極を備える台座、
前記ステムに連結されたアダプタチューブ、および
高周波（ＲＦ）アセンブリであって、
少なくとも１つのＲＦ導体であって、サーマルチョークに機械的に連結されたロッド、および前記少なくとも１つのＲＦ導体の長さに沿って少なくとも部分的に延びるスリーブを備える少なくとも１つのＲＦ導体と、
前記少なくとも１つのＲＦ導体に連結されたＲＦアセンブリクランプであって、前記ＲＦアセンブリクランプは、クランプ本体内に少なくとも１つの保持構造を備えるＲＦアセンブリクランプと
を備えるＲＦアセンブリ
を備えるウエハチャックアセンブリと
を備え、
前記少なくとも１つの保持構造は、前記少なくとも１つのＲＦ導体が通って延びる開口を備え、
前記少なくとも１つの保持構造は、前記少なくとも１つのＲＦ導体を前記クランプ本体と旋回可能に係合するように動作可能であり、
前記少なくとも１つのＲＦ導体は、前記アダプタチューブおよび前記ステムを通って延び、
前記少なくとも１つのＲＦ導体は、前記少なくとも１つのプラズマ放電電極に電気的に連結される、
システム。

【請求項17】

請求項１６に記載のシステムであって、
ＲＦ電源が、前記少なくとも１つのＲＦ導体に電気的に連結され、
前記プラテンは、前記プラテンの下面上に少なくとも１つの座ぐり穴を備え、前記少なくとも１つの座ぐり穴は、前記少なくとも１つのプラズマ放電電極に延び、前記ロッドの先端は、前記少なくとも１つの座ぐり穴を通って延び、前記少なくとも１つのプラズマ放電電極に接触する、システム。

【請求項18】

請求項１６に記載のシステムであって、
コラムクランプアセンブリが、前記台座の前記ステムを前記アダプタチューブに連結し、前記コラムクランプアセンブリは、下側クランプリングの上に上側クランプリングを備え、
前記ＲＦアセンブリクランプは、前記アダプタチューブ内に設置され、前記アダプタチューブは、１つまたは複数の輪郭を備える内壁を備える、システム。

【請求項19】

ウエハチャックアセンブリを組み立てるための方法であって、
台座ステムを備える前記ウエハチャックアセンブリを受け取ることであって、前記台座ステムは、第１の端部でプラテンに取り付けられ、第２の端部にリップを備え、アダプタチューブが、第３の端部にフランジおよび第４の端部に基部を備えることと、
スペーサプレートを前記台座ステムの前記第２の端部に設置することであって、前記スペーサプレートは、１つまたは複数の開口を備えることと、
高周波（ＲＦ）アセンブリを前記アダプタチューブの前記基部に設置することであって、前記ＲＦアセンブリは、ＲＦアセンブリクランプの開口を通って延びる１つまたは複数のＲＦ導体を備え、前記ＲＦアセンブリクランプは、前記アダプタチューブ内で固有の配向を有し、前記１つまたは複数のＲＦ導体は、前記スペーサプレートを通って延びることと、
前記フランジを前記台座ステムの端部にクランプすることと
を含む、方法。

【請求項20】

請求項１９に記載の方法であって、
前記ＲＦアセンブリをＲＦ電源に連結することをさらに含み、前記ＲＦ電源は、前記ＲＦアセンブリに電気的に連結されたＲＦコネクタに電気的に連結される、方法。

【手続補正2】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０２２５

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0225】

本明細書に記載したもの以外にも、開示された実施形態およびその実施態様に対して、それらの範囲から逸脱することなく様々な修正を加えることができる。したがって、本明細書における実施形態の説明は、例としてのみ構成されるべきであり、本開示の範囲を限定するものではない。本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲を参照することによってのみ判断されるべきである。なお、本開示は以下の適用例を含む。
［適用例１］
ウエハチャックアセンブリであって、
１つまたは複数のプラズマ電極を有するプラテンと、
前記１つまたは複数のプラズマ電極に電気的に連結された少なくとも１つの高周波（ＲＦ）導体を備えるＲＦアセンブリであって、前記少なくとも１つのＲＦ導体は、
前記１つまたは複数のプラズマ電極に連結されたロッド先端、および中空内部を有するサーマルチョークに機械的に連結されたロッドステムを有するロッド
を備える、ＲＦアセンブリと
を備え、
前記ロッドは、第１の導電性材料を含み、第１の幅および第１の長さを有し、
前記サーマルチョークは、第２の導電性材料を含み、第２の幅および第２の長さを有し、
前記第２の幅は、前記第１の幅以上である、
ウエハチャックアセンブリ。
［適用例２］
適用例１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記ロッドは、前記サーマルチョークの管状本体に挿入されるロッドステムを備え、前記ロッドステムは、前記第１の長さの１０％未満である第３の長さを有する、ウエハチャックアセンブリ。
［適用例３］
適用例１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記ロッドは、前記ロッドステム上に挿入ストッパをさらに備え、前記挿入ストッパは、前記サーマルチョークのリムに当接する、ウエハチャックアセンブリ。
［適用例４］
適用例１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記第１の長さは、前記第２の長さの２０％～５０％である、ウエハチャックアセンブリ。
［適用例５］
適用例１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
ＲＦアセンブリクランプが、前記少なくとも１つのＲＦ導体に連結され、前記ＲＦアセンブリクランプは、前記少なくとも１つのＲＦ導体が通って延びる少なくとも１つの保持構造を備え、前記少なくとも１つの保持構造は、前記少なくとも１つのＲＦ導体を前記ＲＦアセンブリクランプと旋回可能に係合するように動作可能である、ウエハチャックアセンブリ。
［適用例６］
適用例５に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記ＲＦアセンブリクランプは、第１の部分と、第２の部分とを備え、前記少なくとも１つの保持構造は、前記第１の部分と前記第２の部分との間にあり、少なくとも１つの第１の開口が、前記第１の部分を通って延び、前記第２の部分を通って延びる少なくとも１つの第２の開口と同軸であり、第３の開口が、前記少なくとも１つの保持構造を通って延び、前記少なくとも１つの第１の開口および前記少なくとも１つの第２の開口と実質的に同軸である、ウエハチャックアセンブリ。
［適用例７］
適用例６に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記少なくとも１つの保持構造は、前記ＲＦアセンブリクランプのキャビティ内で旋回可能に係合されるボールリテーナを備え、前記第３の開口は、前記ボールリテーナを通って延び、前記少なくとも１つのＲＦ導体は、前記第３の開口内で横方向に拘束される、ウエハチャックアセンブリ。
［適用例８］
適用例６に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記少なくとも１つの保持構造は、前記第３の開口を囲むリングを備え、前記少なくとも１つのＲＦ導体は、前記第３の開口内で横方向に拘束され、前記少なくとも１つのＲＦ導体は、前記第３の開口内で旋回可能に係合される、ウエハチャックアセンブリ。
［適用例９］
適用例８に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記リングは、エラストマー材料を含み、前記エラストマー材料は、前記少なくとも１つのＲＦ導体によって加えられる旋回力によって変形する、ウエハチャックアセンブリ。
［適用例１０］
適用例１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記サーマルチョークは、溶接結合またはろう付け結合によって前記ロッドに結合される、ウエハチャックアセンブリ。
［適用例１１］
適用例１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記第１の導電性材料は、ニッケル、鉄、または銅を含む、ウエハチャックアセンブリ。
［適用例１２］
適用例１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記第２の導電性材料は、ニッケル、銅、または鉄の合金を含む、ウエハチャックアセンブリ。
［適用例１３］
適用例１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記サーマルチョークは、外壁上に導電性コーティングを備える、ウエハチャックアセンブリ。
［適用例１４］
適用例１３に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記導電性コーティングは、金を含み、前記導電性コーティングは、２０ミクロン以下の厚さを有する、ウエハチャックアセンブリ。
［適用例１５］
適用例１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記サーマルチョークは、前記ロッドに連結された第１の端部と、電気コネクタに連結された第２の端部とを有し、前記電気コネクタは、前記サーマルチョークに電気的に連結される、ウエハチャックアセンブリ。
［適用例１６］
適用例１に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記ＲＦアセンブリは、前記ロッドおよび前記サーマルチョークの周囲にスリーブをさらに備え、前記スリーブは、非導電性材料を含み、前記スリーブは、第４の長さを有し、前記第４の長さは、前記第１の長さと前記第２の長さの合計の少なくとも一部に等しい、ウエハチャックアセンブリ。
［適用例１７］
適用例１６に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記非導電性材料は、アルミニウムの酸化物、ケイ素の酸化物、または有機ポリマーを含む、ウエハチャックアセンブリ。
［適用例１８］
適用例１６に記載のウエハチャックアセンブリであって、
前記スリーブは、前記スリーブの第２の壁厚よりも小さい第１の壁厚を有するノーズを備える、ウエハチャックアセンブリ。
［適用例１９］
システムであって、
真空チャンバと、
前記真空チャンバ内のウエハチャックアセンブリであって、前記ウエハチャックアセンブリは、
プラテンに連結されたステムを備える台座であって、前記プラテンは、少なくとも１つのプラズマ放電電極を備える台座、
前記ステムに連結されたアダプタチューブ、および
高周波（ＲＦ）アセンブリであって、
少なくとも１つのＲＦ導体であって、サーマルチョークに機械的に連結されたロッド、および前記少なくとも１つのＲＦ導体の長さに沿って少なくとも部分的に延びるスリーブを備える少なくとも１つのＲＦ導体と、
前記少なくとも１つのＲＦ導体に連結されたＲＦアセンブリクランプであって、前記ＲＦアセンブリクランプは、クランプ本体内に少なくとも１つの保持構造を備えるＲＦアセンブリクランプと
を備えるＲＦアセンブリ
を備えるウエハチャックアセンブリと
を備え、
前記少なくとも１つの保持構造は、前記少なくとも１つのＲＦ導体が通って延びる開口を備え、
前記少なくとも１つの保持構造は、前記少なくとも１つのＲＦ導体を前記クランプ本体と旋回可能に係合するように動作可能であり、
前記少なくとも１つのＲＦ導体は、前記アダプタチューブおよび前記ステムを通って延び、
前記少なくとも１つのＲＦ導体は、前記少なくとも１つのプラズマ放電電極に電気的に連結される、
システム。
［適用例２０］
適用例１９に記載のシステムであって、
ＲＦ電源が、前記少なくとも１つのＲＦ導体に電気的に連結される、システム。
［適用例２１］
適用例１９に記載のシステムであって、
前記プラテンは、前記プラテンの下面上に少なくとも１つの座ぐり穴を備え、前記少なくとも１つの座ぐり穴は、前記少なくとも１つのプラズマ放電電極に延び、前記ロッドの先端は、前記少なくとも１つの座ぐり穴を通って延び、前記少なくとも１つのプラズマ放電電極に接触する、システム。
［適用例２２］
適用例１９に記載のシステムであって、
コラムクランプアセンブリが、前記台座の前記ステムを前記アダプタチューブに連結し、前記コラムクランプアセンブリは、下側クランプリングの上に上側クランプリングを備える、システム。
［適用例２３］
適用例１９に記載のシステムであって、
前記ＲＦアセンブリクランプは、前記アダプタチューブ内に設置され、前記アダプタチューブは、１つまたは複数の輪郭を備える内壁を備える、システム。
［適用例２４］
ウエハチャックアセンブリを組み立てるための方法であって、
台座ステムを備える前記ウエハチャックアセンブリを受け取ることであって、前記台座ステムは、第１の端部でプラテンに取り付けられ、第２の端部にリップを備え、アダプタチューブが、第３の端部にフランジおよび第４の端部に基部を備えることと、
スペーサプレートを前記台座ステムの前記第２の端部に設置することであって、前記スペーサプレートは、１つまたは複数の開口を備えることと、
高周波（ＲＦ）アセンブリを前記アダプタチューブの前記基部に設置することであって、前記ＲＦアセンブリは、ＲＦアセンブリクランプの開口を通って延びる１つまたは複数のＲＦ導体を備え、前記ＲＦアセンブリクランプは、前記アダプタチューブ内で固有の配向を有し、前記１つまたは複数のＲＦ導体は、前記スペーサプレートを通って延びることと、
前記フランジを前記台座ステムの端部にクランプすることと
を含む、方法。
［適用例２５］
適用例２４に記載の方法であって、
前記ＲＦアセンブリをＲＦ電源に連結することをさらに含み、前記ＲＦ電源は、前記ＲＦアセンブリに電気的に連結されたＲＦコネクタに電気的に連結される、方法。
［適用例２６］
適用例２４に記載の方法であって、
前記ＲＦアセンブリを前記アダプタチューブの前記基部に設置することは、前記ＲＦアセンブリを前記ＲＦアセンブリクランプに設置することを含み、前記ＲＦアセンブリクランプは、前記１つまたは複数のＲＦ導体の横方向の運動を実質的に拘束し、前記１つまたは複数のＲＦ導体は、前記ＲＦアセンブリクランプ内で旋回可能に係合される、方法。
［適用例２７］
適用例２４に記載の方法であって、
前記１つまたは複数のＲＦ導体は、先端を備えるロッドを備え、ＲＦアセンブリを前記アダプタチューブの前記基部に設置することは、前記先端を前記プラテンに接触させることを含む、方法。
［適用例２８］
下側クランプリングであって、
第１の表面、および前記第１の表面の反対側にあり、ある厚さだけ前記第１の表面から分離された第２の表面であって、前記第１の表面および前記第２の表面は、外側半径と内側半径との間に延びる第１の表面および第２の表面と、
前記第２の表面内の円形溝であって、前記円形溝は、前記外側半径と前記内側半径との間に部分的に延びる幅を有し、前記円形溝は、外方側壁および内方側壁を有する円形溝と
を備え、
前記円形溝は、前記内方側壁と前記外方側壁との間に延びる横壁を有し、前記外方側壁は、前記第２の表面から前記横壁に向かって斜角で内方に延び、前記外方側壁と前記横壁の交点は、丸形であり、
複数の穴が、前記第１の表面から前記円形溝に延びる、
下側クランプリング。
［適用例２９］
適用例２８に記載の下側クランプリングであって、
前記複数の穴の中心は、前記外側半径と前記内側半径との間の距離の半分よりも大きい第３の半径と一致し、前記複数の穴は、約６０度だけ方位角方向に間隔を置いている、下側クランプリング。
［適用例３０］
適用例２８に記載の下側クランプリングであって、
前記内方側壁は、平坦部分を備える、下側クランプリング。
［適用例３１］
適用例２８に記載の下側クランプリングであって、
第１の半環状セグメントと、第２の半環状セグメントとを備え、前記第１の半環状セグメントは、第１の端部と、第２の端部とを備え、前記第２の半環状セグメントは、第３の端部と、第４の端部とを備え、前記第１の端部は、前記第３の端部に隣接し、前記第２の端部は、前記第４の端部に隣接する、下側クランプリング。
［適用例３２］
適用例２８に記載の下側クランプリングであって、
第１の四半環状セグメントと、第２の四半環状セグメントと、第３の四半環状セグメントと、第４の四半環状セグメントとを備え、
前記第１の四半環状セグメントは、第１の端部と、第２の端部とを備え、
前記第２の四半環状セグメントは、第３の端部と、第４の端部とを備え、前記第３の端部は、前記第２の端部に隣接し、
前記第３の四半環状セグメントは、第５の端部と、第６の端部とを備え、前記第５の端部は、前記第４の端部に隣接し、
前記第４の四半環状セグメントは、第７の端部と、第８の端部とを備え、前記第７の端部は、前記第６の端部に隣接し、前記第８の端部は、前記第１の端部に隣接する、
下側クランプリング。
［適用例３３］
上側クランプリングであって、
外径に沿った第１の側壁と、
内径に沿った第２の側壁であって、第１の表面が、前記外径と前記内径との間に延び、前記第１の表面は、ある厚さだけ第２の表面から分離されている第２の側壁と、
前記第１の表面と前記第２の表面との間の前記厚さを通って延びる複数の貫通穴と
を備える、上側クランプリング。
［適用例３４］
適用例３３に記載の上側クランプリングであって、
前記複数の貫通穴の中心は、前記外径と前記内径との間の距離の半分未満の半径と一致し、前記穴は、約６０度だけ方位角方向に間隔を置いている、上側クランプリング。
［適用例３５］
適用例３３に記載の上側クランプリングであって、
前記第２の側壁は、斜面部分を備え、前記斜面部分は、前記第１の表面が前記第２の表面の第２の表面積よりも大きい第１の表面積を有するように斜角で面取りされている、上側クランプリング。
［適用例３６］
クランプアセンブリであって、
上側クランプリングであって、少なくとも１つの貫通穴、および前記上側クランプリングの内側半径に隣接する底面における面取りを有する上側クランプリングと、
頂面、底面、および少なくとも１つの貫通穴を有する下側クランプリングであって、前記底面は、外側半径と内側半径との間に境界がある溝を備える下側クランプリングと
を備え、
前記上側クランプリングおよび前記下側クランプリングは、前記上側クランプリングの前記底面が前記下側クランプリングの前記頂面と直接接触するように、ボルトによって前記上側クランプリングおよび前記下側クランプリングの前記貫通穴を介してボルト止めされる、
クランプアセンブリ。

【国際調査報告】