特表 2025-520076 ドープ酸化ケイ素の低温エッチング

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2025-07-01

(54)【発明の名称】ドープ酸化ケイ素の低温エッチング

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20250624BHJP

   H10B 43/27 20230101ALI20250624BHJP

   H10B 41/27 20230101ALI20250624BHJP

   H10D 30/68 20250101ALI20250624BHJP

   H10D 30/69 20250101ALI20250624BHJP

【ＦＩ】

H01L21/302 101B

H10B43/27

H10B41/27

H10D30/68

H10D30/69

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024569468

(86)(22)【出願日】2023-05-23

(85)【翻訳文提出日】2025-01-10

(86)【国際出願番号】 US2023023270

(87)【国際公開番号】W WO2023235188

(87)【国際公開日】2023-12-07

(31)【優先権主張番号】63/365,781

(32)【優先日】2022-06-02

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】63/375,443

(32)【優先日】2022-09-13

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】592010081

【氏名又は名称】ラム リサーチ コーポレーション

【氏名又は名称原語表記】ＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ

(74)【代理人】

【識別番号】110000028

【氏名又は名称】弁理士法人明成国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】チャーチ・ジョナサン

(72)【発明者】

【氏名】サブラマニアム・ピラモド

(72)【発明者】

【氏名】イルマズ・メフメト・ファーティフ

(72)【発明者】

【氏名】ヴェーグ・ジョゼフ・ジェームズ

(72)【発明者】

【氏名】チー・ハオ

(72)【発明者】

【氏名】ホアン・ジョン

【テーマコード（参考）】

5F004

5F083

5F101

【Ｆターム（参考）】

5F004AA16

5F004BA04

5F004BB13

5F004BB18

5F004BB22

5F004BB25

5F004DA01

5F004DA02

5F004DA17

5F004DA20

5F004DA22

5F004DA23

5F004DA25

5F004DB03

5F004EA03

5F004EB01

5F083EP76

5F083ER22

5F083GA10

5F083PR03

5F101BD16

5F101BD30

5F101BD34

5F101BE07

5F101BH14

(57)【要約】

【解決手段】エッチング速度修正ドーパントがドープされた酸化ケイ素の層にフィーチャをエッチングすることに関する例が、開示される。一例は、メモリデバイス製作プロセスを実行する方法を提供する。方法は、処理ツールの処理チャンバに基板を載置し、基板は３Ｄメモリ構造用のモールドスタック内に交互層を備える第１の構造を備え、基板はまたエッチング速度修正ドーパントがドープされた酸化ケイ素層を備える第２の構造を備えることを備える。方法は、基板の第１の構造内のチャネルホールの少なくとも一部および基板の第２の構造内のホールの少なくとも一部をエッチングすることを含むエッチングサイクルを実行するように処理ツールを制御することをさらに備える。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

メモリデバイス製作プロセスを実行する方法であって、
処理ツールの処理チャンバに基板を載置し、前記基板は３Ｄメモリ構造用のモールドスタック内に交互層を備える第１の構造を備え、前記基板はまた、エッチング速度修正ドーパントがドープされた酸化ケイ素層を備える第２の構造を備え、
前記基板の前記第１の構造内のチャネルホールの少なくとも一部および前記基板の前記第２の構造内のホールの少なくとも一部をエッチングすることを含むエッチングサイクルを実行するために前記処理ツールを制御すること
を備える、方法。

【請求項2】

請求項１に記載の方法であって、さらに、
前記エッチングサイクル中に前記基板を０℃以下の温度に冷却するように前記処理ツールを制御することを備える、方法。

【請求項3】

請求項１に記載の方法であって、
前記エッチングサイクルを実行するために前記処理ツールを制御することは、フッ素ベースのエッチャントを前記処理チャンバに導入するように前記処理ツールを制御することを備える、方法。

【請求項4】

請求項１に記載の方法であって、
前記エッチング速度修正ドーパントは、２つ以上のエッチング速度修正ドーパントを含む、方法。

【請求項5】

請求項４に記載の方法であって、
前記２つ以上のエッチング速度修正ドーパントは、窒素、炭素、ホウ素、ヒ素、またはリンの２つ以上を含む、方法。

【請求項6】

請求項４に記載の方法であって、
前記第２の構造は、５～１０原子パーセントの範囲内の濃度の窒素を含む、方法。

【請求項7】

請求項６に記載の方法であって、
前記第２の構造は、０．１～１原子パーセントの範囲内の濃度のリンを含む、方法。

【請求項8】

請求項１に記載の方法であって、さらに、
ケイ素含有前駆体、酸素含有前駆体、およびエッチング速度修正ドーパント前駆体を反応させ、エッチング速度修正ドーパントがドープされた酸化ケイ素を形成することによって前記第２の構造を堆積することを備える、方法。

【請求項9】

請求項８に記載の方法であって、
前記第２の構造を堆積することは、さらに、２つ以上のエッチング速度修正ドーパント前駆体、前記ケイ素含有前駆体、および前記酸素含有前駆体を反応させることを備える、方法。

【請求項10】

請求項９に記載の方法であって、
前記２つ以上のエッチング速度修正ドーパント前駆体は、アンモニア、ジ（イソプロピルアミノ）シラン、またはビス（ｔ－ブチルアミノ）シランを含む、方法。

【請求項11】

請求項９に記載の方法であって、
前記２つ以上のエッチング速度修正ドーパント前駆体は、ホスフィンまたはアルキルホスフィンの１つまたは複数を含む、方法。

【請求項12】

基板をエッチングする方法であって、
処理ツールの処理チャンバに誘電体材料を含む基板を載置し、前記誘電体材料は、酸化ケイ素およびエッチング速度修正ドーパントを含み、
０℃以下の基板温度に前記基板を冷却するために前記処理ツールを制御し、
エッチャントを前記処理チャンバに導入するために前記処理ツールを制御し、
１０：１以上のアスペクト比を含むフィーチャを前記誘電体材料にエッチングするための前記エッチャントを含むプラズマを形成するために前記処理ツールを制御すること
を備える、方法。

【請求項13】

請求項１２に記載の方法であって、
前記エッチング速度修正ドーパントは、窒素、炭素、ホウ素、ヒ素、またはリンの１つまたは複数を含む、方法。

【請求項14】

請求項１２に記載の方法であって、
前記エッチング速度修正ドーパントは、さらに、第１のエッチング速度修正ドーパントであり、前記誘電体材料は、第２のエッチング速度修正ドーパントを含む、方法。

【請求項15】

請求項１４に記載の方法であって、
前記第１のエッチング速度修正ドーパントは、窒素を含み、前記第２のエッチング速度修正ドーパントは、リンを含む、方法。

【請求項16】

交互材料層を備える第１の基板構造を通って延びるチャネルホールと、
第１のエッチング速度修正ドーパントおよび第２のエッチング速度修正ドーパントがドープされた酸化ケイ素の層を備える第２の基板構造を通って延びるホールと
を備える、３Ｄメモリ構造。

【請求項17】

請求項１６に記載の３Ｄメモリ構造であって、
前記第１のエッチング速度修正ドーパントは、窒素を含み、前記第２のエッチング速度修正ドーパントは、リンを含む、３Ｄメモリ構造。

【請求項18】

請求項１７に記載の３Ｄメモリ構造であって、
前記酸化ケイ素の層は、５～１０原子パーセントの範囲内の濃度の窒素、および０．１～１．０原子パーセントの範囲内の濃度のリンを含む、３Ｄメモリ構造。

【請求項19】

請求項１６に記載の３Ｄメモリ構造であって、
前記交互材料層は、階段構造を備え、前記第１のエッチング速度修正ドーパントおよび前記第２のエッチング速度修正ドーパントがドープされた前記酸化ケイ素の層は、前記階段構造の少なくとも一部の上に配置される、３Ｄメモリ構造。

【請求項20】

請求項１６に記載の３Ｄメモリ構造であって、
前記第２の基板構造を通って延びる前記ホールは、コンタクト材料で充填されたコンタクトホールを備える、３Ｄメモリ構造。

【発明の詳細な説明】

【背景】

【0001】

電子デバイス製作プロセスは、基板上に集積回路および／またはメモリ構造を形成するために、材料の堆積、パターニング、および除去といった多くのステップを伴い得る。様々な方法を使用して、材料の膜を基板上に堆積することができる。一例として、化学気相堆積（ＣＶＤ）は、前駆体を反応させて基板上に膜を形成することを伴う。別の例として、ドライエッチングを使用して、フィーチャを基板上の１つまたは複数の材料層にエッチングすることができる。

【発明の概要】

【0002】

この発明の概要は、以下の発明を実行するための形態でさらに説明される概念の選択を簡略化した形式で紹介するために提供される。この発明の概要は、特許請求される主題の重要な特徴または本質的な特徴を識別することを意図したものではなく、また、特許請求される主題の範囲を限定するために使用されることも意図したものではない。さらに、特許請求される主題は、本開示のいずれかの部分に記載されている欠点の一部またはすべてを解決する実施態様に限定されない。

【0003】

エッチング速度修正ドーパントがドープされた酸化ケイ素の層にフィーチャをエッチングすることに関する例が、開示される。一例は、メモリデバイス製作プロセスを実行する方法を提供し、方法は、処理ツールの処理チャンバに基板を載置することを含む。基板は、３Ｄメモリ構造用のモールドスタック内に交互層を備える第１の構造を備える。基板はまた、エッチング速度修正ドーパントがドープされた酸化ケイ素層を備える第２の構造を備える。方法は、基板の第１の構造内のチャネルホールの少なくとも一部および第２の構造内のホールの少なくとも一部をエッチングすることを含むエッチングサイクルを実行するために処理ツールを制御することをさらに含む。

【0004】

いくつかのそのような例では、方法は、さらに、エッチングサイクル中に基板を０℃以下に冷却するために処理ツールを制御することを含む。

【0005】

代替的または追加的に、いくつかのそのような例では、エッチングサイクルを実行するために処理ツールを制御することは、フッ素含有エッチャントを処理チャンバに導入するように処理ツールを制御することを含む。

【0006】

代替的または追加的に、いくつかのそのような例では、第２の基板構造内のホールは、コンタクトホールを備える。

【0007】

代替的または追加的に、いくつかのそのような例では、方法は、さらに、ケイ素含有前駆体、酸素含有前駆体、およびエッチング速度修正ドーパント前駆体を反応させ、エッチング速度修正ドーパントがドープされた酸化ケイ素を形成することによって第２の構造を堆積することを含む。

【0008】

代替的または追加的に、いくつかのそのような例では、エッチング速度修正ドーパントは、窒素、炭素、ホウ素、ヒ素、またはリンの１つまたは複数を含む。

【0009】

代替的または追加的に、いくつかのそのような例では、第２の構造は、２つ以上のエッチング速度修正ドーパントを含む。

【0010】

代替的または追加的に、いくつかのそのような例では、２つ以上のエッチング速度修正ドーパントは、窒素を含む第１のエッチング速度修正ドーパントを含む。

【0011】

代替的または追加的に、いくつかのそのような例では、第２の構造は、５～１０原子パーセントの範囲内の濃度の窒素を含む。

【0012】

代替的または追加的に、いくつかのそのような例では、エッチング速度修正ドーパント前駆体は、アンモニア、ジ（イソプロピルアミノ）シラン、またはビス（ｔ－ブチルアミノ）シランの１つまたは複数を含む。

【0013】

代替的または追加的に、いくつかのそのような例では、エッチング速度修正ドーパントは、第２のエッチング速度修正ドーパントを含み、第２のエッチング速度修正ドーパントは、リンを含む。

【0014】

代替的または追加的に、いくつかのそのような例では、酸化ケイ素層は、０．１～１原子パーセントの範囲内の濃度のリンを含む。

【0015】

代替的または追加的に、いくつかのそのような例では、エッチング速度修正ドーパント前駆体は、第２のエッチング速度修正ドーパント前駆体をさらに含み、第２のエッチング速度修正ドーパント前駆体は、ホスフィンまたはアルキルホスフィンの１つまたは複数を含む。

【0016】

別の例は、基板をエッチングする方法を提供する。方法は、処理ツールの処理チャンバに誘電体材料を含む基板を載置し、誘電体材料は、酸化ケイ素およびエッチング速度修正ドーパントを含むことを含む。方法は、基板を０℃以下の基板温度に冷却するために処理ツールを制御することをさらに含む。方法は、エッチャントを処理チャンバに導入するために処理ツールを制御することをさらに含む。方法は、１０：１以上のアスペクト比を含むフィーチャを誘電体材料にエッチングするためのエッチャントを含むプラズマを形成するために処理ツールを制御することをさらに含む。

【0017】

いくつかのそのような例では、エッチング速度修正ドーパントは、窒素、炭素、ホウ素、ヒ素、またはリンの１つまたは複数を含む。

【0018】

代替的または追加的に、いくつかのそのような例では、エッチング速度修正ドーパントは、第１のエッチング速度修正ドーパントであり、誘電体材料は、第２のエッチング速度修正ドーパントをさらに含み、第１のエッチング速度修正ドーパントは、窒素を含み、第２のエッチング速度修正ドーパントは、リンを含む。

【0019】

別の例は、３Ｄメモリ構造を提供する。３Ｄメモリ構造は、交互材料層を備える第１の基板構造を通って延びるチャネルホールを備える。３Ｄメモリ構造は、第１のエッチング速度修正ドーパントおよび第２のエッチング速度修正ドーパントがドープされた酸化ケイ素の層を備える第２の基板構造を通って延びるホールをさらに備える。

【0020】

いくつかのそのような例では、第１のエッチング速度修正ドーパントは、窒素を含み、第２のエッチング速度修正ドーパントは、リンを含む。

【0021】

いくつかのそのような例では、酸化ケイ素の層は、追加的または代替的に、５～１０原子パーセントの範囲内の濃度の窒素を含む。

【0022】

いくつかのそのような例では、二酸化ケイ素の層は、追加的または代替的に、０．１～１．０原子パーセントの範囲内の濃度のリンを含む。

【0023】

いくつかのそのような例では、交互材料層は、追加的または代替的に、階段構造を備え、第１のエッチング速度修正ドーパントおよび第２のエッチング速度修正ドーパントがドープされた酸化ケイ素の層は、階段構造の少なくとも一部の上に配置される。

【0024】

いくつかのそのような例では、第２の基板構造を通って延びるホールは、追加的または代替的に、コンタクト材料で充填されたコンタクトホールを備える。

【図面の簡単な説明】

【0025】

【図1】図１は、酸化ケイ素および窒化ケイ素についての温度の関数としての例示的なエッチング速度を示すグラフを示す図である。

【0026】

【図2】図２は、ドープ酸化ケイ素膜を堆積するために使用することができる例示的な堆積ツールを概略的に示す図である。

【0027】

【図3】図３は、例示的な低温エッチングツールを概略的に示す図である。

【0028】

【図4】図４は、エッチング速度修正ドーパントがドープされた酸化ケイ素の低温エッチングを実行するための例示的な方法のフロー図である。

【0029】

【図5A】図５Ａは、ハードマスク層を通して酸化ケイ素層にエッチングされた例示的な高アスペクト比のフィーチャと、ハードマスク層を通してドープ酸化ケイ素のギャップフィル層にエッチングされた例示的な高アスペクト比のフィーチャを比較した図である。

【図5B】図５Ｂは、ハードマスク層を通して酸化ケイ素層にエッチングされた例示的な高アスペクト比のフィーチャと、ハードマスク層を通してドープ酸化ケイ素のギャップフィル層にエッチングされた例示的な高アスペクト比のフィーチャを比較した図である。

【0030】

【図6】図６は、チャネルホールおよびギャップフィル材料内のホールを同時にエッチングすることを含む、メモリデバイス製作プロセスを実行するための例示的な方法のフロー図である。

【0031】

【図7】図７は、階段構造上への酸化ケイ素およびエッチング速度修正ドーパントを含む誘電体層の堆積を概略的に示す図である。

【0032】

【図8】図８は、チャネルホールおよびコンタクトホールを備える例示的な３Ｄメモリ構造を概略的に示す図である。

【0033】

【図9】図９は、２つのエッチング速度修正ドーパントがドープされた酸化ケイ素の低温エッチングを実行するための例示的な方法を図示するフロー図である。

【0034】

【図10】図１０は、メモリデバイス製作プロセスを実行するための別の例示的な方法のフロー図である。

【0035】

【図11】図１１は、例示的なコンピューティングシステムのブロック図を概略的に示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0036】

「アスペクト比」という用語は、一般に、ホールなどの基板フィーチャの深さとフィーチャの平均幅との間の比を表す。

【0037】

「チャネルホール」という用語は、一般に、３Ｄメモリ構造においてメモリセルを画定するチャネルを形成するために交互材料層のスタックにエッチングされたホールを表す。

【0038】

「コンタクトホール」という用語は、一般に、コンタクトを形成するために導電性材料で充填することができる誘電体材料構造内のホールを表す。

【0039】

「エッチング」という用語およびその変形は、一般に、材料が基板から選択的に除去されるプロセスを表す。気相エッチャントを使用するエッチングは、「ドライエッチング」と呼ばれる。液相のエッチャントを利用するエッチングは、「ウェットエッチング」と呼ばれる。反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）は、化学反応性イオンを含むプラズマを使用して材料をエッチングするドライエッチングプロセスである。一部のエッチングプロセスでは、基板表面の一部の領域がエッチングされないように保護するためにマスクが使用される。

【0040】

「エッチング速度修正ドーパント」という用語は、一般に、アンドープ膜と比較して異なる速度で膜をエッチングすることを可能にする酸化ケイ素膜中のドーパントを表す。酸化ケイ素膜についてのエッチング速度修正ドーパントの例には、窒素、リン、炭素、ホウ素、ヒ素、およびそれらの２つ以上の組み合わせが挙げられる。

【0041】

「エッチング速度修正ドーパント前駆体」という用語は、一般に、ケイ素含有前駆体および酸素含有ガスと反応してドープ酸化ケイ素層を堆積することができるエッチング速度修正ドーパントを含む材料を表す。エッチング速度修正ドーパント前駆体の例には、窒素含有前駆体、リン含有前駆体、炭素含有前駆体、ホウ素含有前駆体、およびヒ素含有前駆体が挙げられる。

【0042】

窒素含有前駆体の例には、アンモニア（ＮＨ₃）およびアミノシランが挙げられる。アミノシランの例には、ビス（ジエチルアミノ）シラン、ジ（イソプロピルアミノ）シラン（ＤＩＰＡＳ）、ビス（ｔ－ブチルアミノ）シラン（ＢＴＢＡＳ）、（ジ－ｓｅｃ－ブチルアミノ）シラン、およびトリス（ジメチルアミノ）シラン（３ＤＭＡＳ）が挙げられる。

【0043】

リン含有前駆体の例には、ホスフィン（ＰＨ₃）、ならびにトリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、およびトリブチルホスフィンなどのアルキルホスフィンが挙げられる。

【0044】

適切なホウ素含有前駆体の一例は、ジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）である。

【0045】

炭素含有前駆体の例には、一酸化炭素（ＣＯ）、アルカン、アルケン、アルキン、環状炭化水素、芳香族化合物、アルコール、ジオール、アルデヒド、エステル、エーテル、ケトン、アルキルアミン、アルキルジアミン、および有機ケイ素化合物が挙げられる。適切なアルカン（Ｃ_nＨ_2n+2、ｎ＝１～１０）の例には、メタン、エタン、プロパン、およびブタンが挙げられ得る。適切なアルケン（Ｃ_nＨ_2n、ｎ＝２～１０、単一の炭素－炭素二重結合を有するアルケンの場合）の例には、エテン、プロペン、およびブテンが挙げられ得る。適切なアルキン（Ｃ_nＨ_2n-2、ｎ＝２～１０、単一の炭素－炭素三重結合を有するアルキンの場合）の例には、アセチレン、プロピン、およびブチンが挙げられ得る。適切な環状炭化水素の例には、シクロブタン、シクロペンタン、およびシクロヘキサンが挙げられ得る。適切な芳香族化合物の例には、ベンゼン、トルエン、ピリジン、およびピリミジンが挙げられ得る。適切なアルコールの例には、メタノール、エタノール、およびプロパノールが挙げられ得る。適切なジオールの例には、エチレングリコール、プロピレングリコール、およびヒドロキノンが挙げられ得る。適切なアルデヒドの例には、ホルムアルデヒドおよびアセトアルデヒドが挙げられ得る。適切なエステルの例には、ギ酸エチル、酢酸メチル、および酢酸エチルが挙げられ得る。適切なエーテルの例には、ジエチルエーテル、メチルフェニルエーテル、およびフランなどの芳香族エーテルが挙げられ得る。適切なケトンの例には、アセトンおよびメチルエチルケトンが挙げられ得る。適切なハロゲン化アルキルの例には、フッ化エチル、臭化イソプロピル、および塩化ｔ－ブチルが挙げられ得る。適切なアルキルアミンの例には、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、およびピペリジンが挙げられ得る。適切なアルキルジアミンの例には、エチレンジアミンおよび１，３－ジアミノプロパンが挙げられ得る。適切な有機ケイ素化合物の例には、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、およびジメチルジエトキシシランなどのシロキサンが挙げられる。

【0046】

ヒ素含有前駆体の一例は、アルシン（ＡｓＨ₃）である。

【0047】

「エッチャント」という用語は、一般に、基板から材料を化学的に除去する、および／または基板からの材料の化学的除去を促進するためにエッチングプロセスで使用される化学物質を表す。酸化ケイ素のプラズマエッチング用の例示的なエッチャントには、ＨＦ、ＮＦ₃、ＣＦ₄、およびＣ₂Ｆ₆などのフッ素含有エッチャントが挙げられる。

【0048】

「フィーチャ」という用語は、一般に、基板表面に凹部を形成するために材料が（例えば、エッチングによって）除去された基板の領域を表す。エッチングによって形成することができる例示的なフィーチャには、ホールおよびギャップが挙げられる。

【0049】

「膜」という用語は、一般に、基板上に堆積された材料の層を表す。

【0050】

「酸素含有ガス」という用語は、一般に、酸化膜前駆体と反応して酸化膜を形成するのに利用可能な酸素を含むガス種を表す。酸素含有ガスの例には、分子状酸素（Ｏ₂）、オゾン（Ｏ₃）、亜酸化窒素（Ｎ₂Ｏ）、過酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂）、および水蒸気（Ｈ₂Ｏ）が挙げられる。

【0051】

「処理チャンバ」という用語は、一般に、化学的および／または物理的プロセスが基板上で実行されるエンクロージャを表す。処理チャンバ内の圧力、温度、および雰囲気組成は、化学的および／または物理的プロセスを実行するために制御可能であり得る。

【0052】

「処理ツール」という用語は、一般に、処理チャンバと、処理が処理チャンバ内で実行されることを可能にするように構成された他のハードウェアとを含む機械を表す。

【0053】

「高周波（ＲＦ）電源」という用語は、一般に、電力を処理チャンバ内の一対の電極に印加して電極間にプラズマを形成するように構成された処理ツールの構成要素を表す。

【0054】

「ケイ素含有前駆体」という用語は、一般に、基板上に酸化ケイ素膜を形成するために気相で処理チャンバに導入され得る任意の材料を表す。酸化ケイ素膜を形成するための例示的なケイ素含有前駆体には、以下の一般構造を有する材料が挙げられ得る。

【化1】

Ｒ₁、Ｒ₂、およびＲ₃は、同じまたは異なる置換基とすることができ、シラン、シロキシ基、アミン、ハロゲン化物、水素、または有機基、例えばアルキルアミン、アルコキシ、アルキル、アルケニル、アルキニル、および芳香族基を含むことができる。

【0055】

例示的なケイ素含有前駆体には、シラン、ジシラン、トリシラン、テトラシラン、およびトリシリルアミンなどのポリシラン（Ｈ₃Ｓｉ－（ＳｉＨ₂）_n－ＳｉＨ₃）（ｎ≧１）が挙げられる。

【0056】

いくつかの例では、ケイ素含有前駆体は、アルコキシシランである。使用され得るアルコキシシランには、以下が挙げられる：
Ｈ_x－Ｓｉ－（ＯＲ）_y、ｘ＝１～３、ｘ＋ｙ＝４であり、各Ｒは、置換または非置換のアルキル、アルケニル、アルキニル、または芳香族基であり、
Ｈ_x（ＲＯ）_y、－Ｓｉ－Ｓｉ－（ＯＲ）_yＨ_xは、置換または非置換のアルキル、アルケニル、アルキニル、または芳香族基である。

【0057】

ケイ素含有前駆体の例には、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）、テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）、メチルシラン、トリメチルシラン（３ＭＳ）、エチルシラン、ブタシラン、ペンタシラン、オクタシラン、ヘプタシラン、ヘキサシラン、シクロブタシラン、シクロヘプタシラン、シクロヘキサシラン、シクロオクタシラン、シクロペンタシラン、１，４－ジオキサ－２，３，５，６－テトラシラシクロヘキサン、ジエトキシメチルシラン（ＤＥＭＳ）、ジエトキシシラン（ＤＥＳ）、ジメトキシメチルシラン、ジメトキシシラン（ＤＭＯＳ）、メチルジエトキシシラン（ＭＤＥＳ）、メチルジメトキシシラン（ＭＤＭＳ）、ｔ－ブトキシジシラン、トリエトキシシラン（ＴＥＳ）、およびトリメトキシシラン（ＴＭＳまたはＴｒｉＭＯＳ）が挙げられる。

【0058】

いくつかの例では、ケイ素含有前駆体は、シロキサンとすることができる。例示的なシロキサンには、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、オクタメトキシドデカシロキサン（ＯＭＯＤＤＳ）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、トリエトキシシロキサン（ＴＲＩＥＳ）、およびテトラオキシメチルシクロテトラシロキサン（ＴＯＭＣＴＳ）が挙げられる。

【0059】

上記のように、いくつかの例では、ケイ素含有前駆体は、アミノシラン、例えばビス（ジエチルアミノ）シラン、ジ（イソプロピルアミノ）シラン（ＤＩＰＡＳ）、ビス（ｔ－ブチルアミノ）シラン（ＢＴＢＡＳ）、（ジ－ｓｅｃ－ブチルアミノ）シラン、およびトリス（ジメチルアミノ）シラン（３ＤＭＡＳ）とすることができる。アミノシラン前駆体には、以下が挙げられる：Ｈ_x－Ｓｉ－（ＮＲ）_y、ｘ＝１～３、ｘ＋ｙ＝４であり、Ｒは、置換または非置換のアルキル、アルケニル、アルキニル、または芳香族基もしくは水素化物基である。

【0060】

いくつかの例では、ハロゲン含有シランは、シランが少なくとも１つの水素原子を含むように使用され得る。そのようなシランは、ＳｉＸ_aＨ_y（ｙ≧１）の化学式を有し得る。例えば、ジクロロシラン（Ｈ₂ＳｉＣｌ₂）がいくつかの例では使用され得る。

【0061】

「シャワーヘッド」という用語は、一般に、領域全体に分散された複数のホールを備える処理化学物質出口を表す。

【0062】

「階段構造」という用語は、一般に、各連続層が前の層と比較してさらに長い距離まで横方向に延びる２つ以上の積層層を備える基板構造を表す。

【0063】

「基板」という用語は、一般に、膜を堆積させることができる任意の物体を表す。

【0064】

「基板支持体」という用語は、一般に、処理チャンバで基板を支持するための任意の構造を表す。例には、裏面堆積プロセスに使用されるチャック、台座、およびシャワーヘッド台座が挙げられる。

【0065】

「３Ｄメモリ構造」という用語は、一般に、メモリセルが垂直に層状にされる積層アーキテクチャを備えるメモリデバイスを形成するための製作プロセスにおける任意の時点で形成された構造を表す。３Ｄメモリ構造の例には、３Ｄ ＮＡＮＤメモリおよび３Ｄ ＮＯＲメモリ製作プロセスで形成された構造が挙げられる。

【0066】

「３Ｄ ＮＡＮＤ」という用語は、三次元ＮＯＴ ＡＮＤメモリの頭字語であり、ＮＯＴ ＡＮＤ論理ゲートに基づくメモリアーキテクチャを表す。

【0067】

「３Ｄ ＮＯＲ」という用語は、三次元ＮＯＴ ＯＲメモリの頭字語であり、ＮＯＴ ＯＲ論理ゲートに基づくメモリアーキテクチャを表す。

【0068】

上述のように、メモリ構造の製作は、材料の堆積、パターニング、および除去といった多くのステップを伴い得る。例えば、３Ｄ ＮＡＮＤおよび３Ｄ ＮＯＲ半導体デバイスなどの３Ｄメモリデバイスは、「アクティブ」デバイス層がペアのうちの一方であり、他方が電気的絶縁のための誘電体である、積層された材料のペア上に構築される。これらの層のペアを積層することによって、製造業者はより多くのアクティブ層を作成することができ、最終的には「モールドスタック」と呼ばれるものを構築することができる。モールドスタックのパターニング、エッチング、およびメタライゼーションが実行され、３Ｄ ＮＡＮＤメモリチップが作成される。３Ｄ ＮＡＮＤデバイスの統合フロー中、事実上空の空間（別名ギャップ）である大きな領域がデバイス内に作成される。これらのギャップは、さらなるパターニングステップのための材料を提供するために誘電体材料で充填されることが多い。ギャップを充填する材料は、本明細書ではギャップフィル材料と呼ばれる。

【0069】

パターニングおよびデバイスの統合は、多くの場合、ギャップフィル材料を通してホール（例えば、円筒形のホール）をエッチングすることを伴う。エッチングの深さは、モールドスタックの全体の高さに依存する。３Ｄメモリ技術におけるフィーチャの高さが増加していることを考慮すると、エッチングプロセスで除去する必要がある材料の量は増加し続けている。材料の除去に使用される時間の量もまた、エッチング深さが増加するにつれて増加する。これにより製造ラインの速度が低下し、統合フローがさらに複雑になる可能性がある。

【0070】

ギャップフィル材料へのフィーチャのエッチングは、ドライエッチングを使用して実行することができる。ドライエッチング環境において考慮すべき変数には、ガス混合物、処理チャンバ圧力、およびプロセス温度が挙げられる。

【0071】

一部のドライエッチングプロセスでは、ドライエッチング環境に曝露されている材料が積極的に冷却される。そのようなエッチングプロセスは、極低温エッチングと呼ばれる。堆積された材料とエッチャントとの間で化学的および物理的反応が起こるため、曝露された材料を冷却すると基板から熱が除去される。エッチング中にフィーチャ側壁を低温に保つことにより、エッチングプロセス中のイオンがギャップの奥深くに移動することが可能になり得る。より多くの反応剤がギャップの底部にあるほど、エッチング速度を高めることができる。これは、エッチングが進行しても周囲の材料を無傷に保つために、比較的長くて深いエッチングに有益な影響を与えることができる。したがって、極低温エッチングツールは、３Ｄメモリデバイス技術におけるフィーチャをエッチングするために使用することができる。３Ｄ ＮＡＮＤ製作に関連して以下に説明するが、開示された例は、３Ｄ ＮＯＲメモリデバイスなどの他のタイプの３Ｄデバイスの製作にも使用することが可能である。

【0072】

既存の３Ｄ ＮＡＮＤギャップフィル材料は、ケイ素、酸素、炭素、および水素を含むことができ、ケイ素および酸素が大部分の元素である。図１を参照すると、１０２で示されるように、基板温度が低下するにつれて酸化ケイ素ドライエッチングプロセスのエッチング速度が増加することが分かる。したがって、極低温エッチングを使用して、より速い酸化ケイ素のエッチング速度を達成することが可能になり得る。さらに、１０４で示されるように、窒化ケイ素は、広い温度範囲にわたって酸化ケイ素よりも高いエッチング速度を有することが分かる。したがって、酸化ケイ素膜に窒素をドープし、所与の温度でのエッチング速度を増加させることができる。他のエッチング速度修正ドーパントを使用して、酸化ケイ素のエッチング速度を修正することも可能である。他のエッチング速度修正ドーパントの例には、炭素、ホウ素、ヒ素、またはリンの１つまたは複数が挙げられ得る。

【0073】

極低温エッチングおよびドープ酸化ケイ素膜を使用することによって酸化ケイ素膜のエッチング速度を増加させることにより、３Ｄ ＮＡＮＤまたは３Ｄ ＮＯＲ製作プロセスなどのギャップフィル材料におけるフィーチャのエッチングを促進することができる。例えば、以下でより詳細に説明するように、ドライエッチングを使用して比較的深くて狭いフィーチャをギャップフィル材料にエッチングする場合、エッチング速度はフィーチャの様々な寸法に影響を及ぼす可能性がある。より具体的な例として、ドライエッチング速度が遅いと、反り（フィーチャ深さの関数としてのフィーチャ直径の不均一性）が生じ、また、垂直方向の成長（深さ）の関数としての横方向の成長（例えば、フィーチャ直径の成長）の速度が速くなる可能性がある。さらに、ドライエッチング速度が遅いと、プロセス時間が長くなり、出費が増大する可能性もある。ドープ酸化ケイ素ギャップフィル材料の極低温エッチングは、アンドープ酸化ケイ素膜の極低温エッチングと比較して、そのような問題を軽減するのに役立つことができる。例示的なエッチングプロセスについて、以下でさらに詳細に説明する。

【0074】

図２は、エッチング速度修正ドーパントがドープされた酸化ケイ素ギャップフィル材料を堆積するために使用することができる例示的な処理ツール２００の概略図を概略的に示す。処理ツール２００は、プラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）ツールとして構成される。他の例では、任意の他の適切な堆積ツールを使用して、エッチング速度修正ドーパントがドープされた酸化ケイ素ギャップフィル材料を堆積することができる。例には、原子層堆積（ＡＬＤ）ツールが挙げられ得る。

【0075】

処理ツール２００は、処理チャンバ２０２と、処理チャンバ内の基板支持体２０４とを備える。基板支持体２０４は、処理チャンバ２０２内に配置された基板２０６を支持するように構成される。いくつかの例では、処理ツール２００は、基板２０６に隣接して配置された基板ヒータ２０８を備える。他の例では、ヒータは省略することもできるし、処理チャンバ２０２内の別の場所に位置することもできる。基板支持体２０４は、台座、チャック、および／または任意の他の適切な構造を備えることができる。

【0076】

処理ツール２００は、シャワーヘッド２１０と、シャワーヘッド２１０に接続されたガス入口２１２と、流量制御ハードウェア２１４とをさらに備える。他の例では、処理ツールは、シャワーヘッドとは対照的に、またはシャワーヘッドに加えて、ガスを処理チャンバ２０２に導入するためのノズルまたは他の装置を備えることができる。流量制御ハードウェア２１４は、ケイ素前駆体ガス源２１６、第１のエッチング速度修正ドーパントガス源２１７、任意選択の第２のエッチング速度修正ドーパントガス源２１８、酸素含有ガス源２１９、および不活性ガス源２２０に接続される。ケイ素前駆体ガス源２１６は、酸素含有ガスと反応すると酸化ケイ素膜を形成する任意の適切なケイ素含有前駆体を含むことができる。１つの例示的なケイ素含有前駆体は、シランである。いくつかの例では、１つまたは複数のアミノシランを使用することができる。適切なアミノシランには、ジ（イソプロピルアミノ）シラン（ＤＩＰＡＳ）およびビス（ｔ－ブチルアミノ）シラン（ＢＴＢＡＳ）が挙げられる。他の例示的なケイ素含有前駆体には、上述したものが挙げられる。

【0077】

酸素含有ガス源２１９は、例えば、Ｏ₂、Ｏ₃、Ｎ₂Ｏ、Ｈ₂Ｏ₂、水蒸気、またはそれらの２つ以上の混合物を含むことができる。

【0078】

第１のエッチング速度修正ドーパントガス源２１７は、第１のエッチング速度修正ドーパントを酸化ケイ素膜に導入するための任意の適切なガスを含むことができる。任意選択の第２のエッチング速度修正ドーパントガス源２１８は、第１のエッチング速度修正ドーパント前駆体とは異なる第２のエッチング速度修正ドーパント前駆体を含むことができる。いくつかの例では、処理ツールは、追加のエッチング速度修正ドーパントガス源を含むことが可能である。

【0079】

適切なエッチング速度修正ドーパント前駆体の例には、窒素含有前駆体、リン含有前駆体、炭素含有前駆体、ホウ素含有前駆体、およびヒ素含有前駆体が挙げられる。さらなるエッチング速度修正ドーパントの２つを使用する膜の場合、エッチング速度修正ドーパントの任意の適切な組み合わせを使用することができる。いくつかの例では、第１のエッチング速度修正ドーパントガス源２１７は、窒素含有前駆体を含む。いくつかのそのような例では、第２のエッチング速度修正ドーパントガス源２１８は、リン含有前駆体を含む。窒素含有前駆体の例には、アンモニア（ＮＨ₃）およびアミノシランが挙げられる。例えば、アミノシランを使用してケイ素と窒素の両方を提供し、窒素ドープ酸化ケイ素膜を成長させることが可能である。適切なアミノシランには、ＤＩＰＡＳおよびＢＴＢＡＳが挙げられる。リン含有前駆体の例には、ホスフィン（ＰＨ₃）、ならびにトリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、およびトリブチルホスフィンなどのアルキルホスフィンが挙げられる。ホウ素含有前駆体の一例は、ジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）である。炭素含有前駆体の例には、一酸化炭素（ＣＯ）、アルカン、アルケン、アルキン、環状炭化水素、芳香族化合物、アルコール、アルデヒド、エステル、エーテル、ケトン、アルキルアミン、アルキルジアミン、および有機ケイ素前駆体（例えば、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、およびシロキサン）が挙げられる。ヒ素含有前駆体の一例は、アルシン（ＡｓＨ₃）である。

【0080】

不活性ガス源２２０は、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、または窒素の１つまたは複数などの任意の適切な不活性ガスを含むことができる。

【0081】

流量制御ハードウェア２１４は、ガス入口２１２を介してガスを様々なガス源から処理チャンバ２０２内に流すように制御され得る。流量制御ハードウェア２１４は、選択されたガス源をガス入口２１２と流体接続するように制御可能な１つまたは複数の弁を備えることができる。

【0082】

処理ツール２００は、排気システム２２４をさらに備える。排気システム２２４は、処理チャンバ２０２から流出するガスを受け取るように構成される。いくつかの例では、排気システム２２４は、処理チャンバ２０２からガスを能動的に除去し、かつ／または部分真空を適用するように構成される。排気システム２２４は、１つまたはポンプを含む任意の適切なハードウェアを備えることができる。

【0083】

処理ツール２００は、基板支持体２０４に電気的に接続された高周波電源２２８をさらに備える。高周波電源２２８は、酸素含有ガスを含むプラズマを形成するように構成される。処理ツール２００はまた、高周波電源２２８のインピーダンス整合のための整合ネットワーク２２９を備える。プラズマはまた、不活性ガス源２２０からの不活性希釈ガスを含むことができる。高周波電源２２８は、任意の適切な周波数（例えば、例として４００ｋＨｚまたは１３．５６ＭＨｚ）および電力（例えば、０～６５００ワット）用に構成され得る。いくつかの例では、高周波電源２２８は、複数の異なる周波数および／または電力で動作するように構成される。

【0084】

コントローラ２３０は、基板ヒータ２０８、流量制御ハードウェア２１４、排気システム２２４、および高周波電源２２８に動作可能に結合される。コントローラ２３０は、基板ヒータ２０８を動作させて所望の温度に加熱するなど、処理ツール２００の様々な機能を制御するように構成される。コントローラ２３０は、流量制御ハードウェア２１４を動作させ、選択されたガスを処理チャンバ２０２内に流すようにさらに構成される。コントローラ２３０は、排気システム２２４を動作させるようにさらに構成される。コントローラ２３０は、高周波電源２２８を動作させてプラズマを形成するようにさらに構成される。コントローラ２３０は、任意の適切なコンピューティングシステムを備えることができ、その例については図１１を参照して以下で説明する。

【0085】

図３は、本明細書では低温エッチングプロセスとも呼ばれる極低温ドライエッチングプロセスを実行するように構成された例示的なエッチングツール３００を概略的に示す。エッチングツール３００は、処理チャンバ３０２と、処理チャンバ内の基板支持体３０４とを備える。基板支持体３０４は、処理チャンバ３０２内に配置された基板３０６を支持するように構成される。基板支持体３０４は、台座、チャック、および／または任意の他の適切な構造を備えることができる。

【0086】

エッチングツール３００は、ガス入口３１２と、流量制御ハードウェア３１４とをさらに備える。流量制御ハードウェア３１４は、エッチャントガス源３１６および不活性ガス源３２０に接続される。エッチャントガス源３１６は、任意の適切なエッチャント化学物質を含むことができる。例には、フッ素含有エッチャントが挙げられる。適切なフッ素含有エッチャントには、ＨＦ、ＮＦ₃、ＣＦ₄、およびＣ₂Ｆ₆が挙げられる。不活性ガス源３２０は、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、または窒素の１つまたは複数などの任意の適切な不活性ガスを含むことができる。

【0087】

流量制御ハードウェア３１４は、ガス入口３１２を介してガスをエッチャントガス源３１６および不活性ガス源３２０から処理チャンバ３０２内に流すように制御可能である。流量制御ハードウェア３１４は、選択されたガス源をガス入口３１２と流体接続するように制御可能な１つまたは複数の弁を備える。

【0088】

エッチングツール３００は、排気システム３２４をさらに備える。排気システム３２４は、処理チャンバ３０２から流出するガスを受け取るように構成される。いくつかの例では、排気システム３２４は、処理チャンバ３０２からガスを能動的に除去し、かつ／または部分真空を適用するように構成される。排気システム３２４は、１つまたはポンプを含む任意の適切なハードウェアを備えることができる。

【0089】

エッチングツール３００は、基板支持体３０４に電気的に接続された高周波電源３２８をさらに備える。したがって、基板支持体３０４は、第１の電極を形成する。エッチングツール３００は、第２の電極３５０をさらに備える。高周波電源３２８は、エッチャントガスを含むプラズマを形成するように構成される。エッチングツール３００は、高周波電源３２８のインピーダンス整合のための整合ネットワーク３２９を含むことができる。プラズマはまた、不活性ガス源３２０からの不活性希釈ガスを含むことができる。高周波電源３２８は、任意の適切な周波数および電力用に構成され得る。いくつかの例では、高周波電源３２８は、複数の異なる周波数および／または電力で動作するように構成される。

【0090】

エッチングツール３００は、低温エッチングプロセスのために基板支持体３０４を通して冷却剤を循環させ、基板を冷却するように構成されたチラー３５２をさらに備える。

【0091】

コントローラ３３０は、流量制御ハードウェア３１４、排気システム３２４、高周波電源３２８、およびチラー３５２に動作可能に結合される。コントローラ３３０は、基板チラー３５２を動作させて基板を所望の温度に冷却するなど、エッチングツール３００の様々な機能を制御するように構成される。コントローラ３３０は、流量制御ハードウェア３１４を動作させ、選択されたガスを処理チャンバ３０２内に流すようにさらに構成される。コントローラ３３０は、排気システム３２４を動作させるようにさらに構成される。コントローラ３３０は、高周波電源３２８を動作させてプラズマを形成するようにさらに構成される。コントローラ３３０は、任意の適切なコンピューティングシステムを備えることができ、その例については図１１を参照して以下で説明する。

【0092】

図４は、低温エッチングプロセスを実行する方法４００を図示するフロー図を示す。エッチングツール３００は、方法４００を実行するための例示的な処理ツールである。方法４００は、４０２において、処理ツールの処理チャンバに基板を載置することであって、基板は、酸化ケイ素およびエッチング速度修正ドーパントを含む誘電体材料を含むことを含む。いくつかの例では、４０４において、エッチング速度修正ドーパントは、窒素、炭素、ホウ素、ヒ素、またはリンの１つまたは複数を含む。

【0093】

方法４００は、４０６において、基板を０℃以下の基板温度に冷却するように処理ツールを制御することをさらに含む。いくつかの例では、処理ツールは、基板を－６０℃～－１０℃の範囲内の基板温度に冷却することができる。他の例では、この範囲外の基板温度を使用することができる。

【0094】

続いて、４１０において、方法４００は、エッチャントを処理チャンバに導入するように処理ツールを制御することをさらに含む。いくつかの例では、４１２において、エッチャントは、フッ素含有エッチャントを含む。適切なフッ素含有エッチャントには、ＨＦ、ＮＦ₃、ＣＦ₄、およびＣ₂Ｆ₆が挙げられる。

【0095】

方法４００は、４１６において、１０：１～１００：１の範囲内のアスペクト比を含むフィーチャを誘電体材料にエッチングするためのエッチャントを含むプラズマを形成するように処理ツールを制御することをさらに含む。いくつかの例では、４１８において、フィーチャは、３０：１～７０：１の範囲内のアスペクト比を含む。本明細書に記載されるすべての範囲は、終点を含む。いくつかの例では、フィーチャは、１００：１を超えるアスペクト比を含むことができる。いくつかの例では、フィーチャは、メモリデバイス構造内のホールを備える。いくつかの例では、４２０において、フィーチャは、３Ｄ ＮＡＮＤメモリ構造内のコンタクトホールを備える。他の例では、フィーチャは、３Ｄ ＮＯＲメモリ構造内のコンタクトホールを備える。さらに、いくつかの例では、基板は、３Ｄ ＮＡＮＤ構造用のモールドスタック内に交互層を備える第１の基板構造と、誘電体材料を含む第２の基板構造とを備える。そのような例では、方法は、４２２で示されるように、第２の基板構造内のホールおよび第１の基板構造内のチャネルホールの少なくとも一部を同時にエッチングするように処理ツールを制御することをさらに含む。

【0096】

図５Ａおよび図５Ｂは、ハードマスク層を通して酸化ケイ素層にエッチングされた例示的な高アスペクト比のフィーチャと、ハードマスク層を通して窒素ドープ酸化ケイ素層にエッチングされた例示的な高アスペクト比のフィーチャを比較した図を示す。

【0097】

より詳細には、図５Ａは、低温エッチングプロセスを使用して、アンドープ酸化ケイ素を含むギャップフィル材料５０２にエッチングされたフィーチャ５００を概略的に示す。フィーチャは、ハードマスク５０４によって画定される。示すように、いくつかの例では、アンドープ酸化ケイ素のドライエッチング速度が比較的遅いため、反りが生じる可能性がある。これは、ギャップフィル材料５０２とハードマーク５０４の界面におけるフィーチャ５００の幅の増加とその後の減少によって示される。その結果、この界面におけるフィーチャ５００の幅（例えば、直径）寸法は、ハードマスク５０４における対応する開口部の幅（例えば、直径）よりも大きい。さらに、反りおよびより広い寸法は、フィーチャ５００をその深さいっぱいまでエッチングする前に明らかであり得る。

【0098】

図５Ｂは、フィーチャ５００と同様のエッチング条件下で、低温エッチングプロセスを使用して、エッチング速度修正ドーパントがドープされた酸化ケイ素を含むギャップフィル材料５５２にエッチングされたフィーチャ５５０を概略的に示す。上述したように、エッチング速度修正ドーパントの使用により、アンドープ酸化ケイ素をエッチングする場合と比較して、より速いエッチング速度を提供することができる。任意の適切なドーパント濃度を使用することが可能である。いくつかの例では、１６～２０原子パーセントの窒素濃度を含むＮドープ酸化ケイ素膜は、約１８０ｎｍ／分のエッチング速度を有することができる。アンドープ酸化膜は、同様のエッチング条件下で約１００ｎｍ／分のエッチング速度を有することができる。

【0099】

フィーチャ５００とは対照的に、フィーチャ５５０は、フィーチャ５００およびハードマスク５０４と比較して、反りが少なく、幅がハードマスク５５４における対応する開口部の幅により厳密に一致している。フィーチャ５５０は、任意の適切なアスペクト比を有することができる。いくつかの例では、フィーチャ５５０は、１０：１以上のアスペクト比を有することが可能である。例えば、フィーチャ５５０は、１０：１～１００：１のアスペクト比を有することができる。いくつかの例では、フィーチャ５５０は、５０：１～１００：１のアスペクト比を有することができる。

【0100】

フィーチャ５５０は、集積回路内の任意の適切な構造であり得る。いくつかの例では、フィーチャ５５０は、３Ｄ ＮＡＮＤ製作プロセスまたは３Ｄ ＮＯＲ製作プロセスにおけるコンタクトホールを備えることが可能である。さらに、上述したように、エッチング速度修正ドーパントは、任意の適切な材料を含むことができる。例には、窒素、炭素、ホウ素、ヒ素、またはリンの１つまたは複数が挙げられる。

【0101】

エッチング速度修正ドーパントの使用は、図５Ａおよび図５Ｂに示すもの以外の利点を提供することができる。例えば、３Ｄ ＮＡＮＤデバイスは、モールドスタック（例えば、チャネルホール）の交互層を通して、また酸化ケイ素ギャップフィル材料を通して形成された高アスペクト比のフィーチャを備えることができる。より具体的な例として、ＮＡＮＤデバイスにコンタクトを製作するために、酸化ケイ素ギャップフィル材料を通して高アスペクト比のフィーチャを形成することができる。そのような高アスペクト比のフィーチャは、本明細書ではコンタクトホールと呼ばれることもある。典型的なＮＡＮＤ製作プロセスでは、チャネルホールおよびコンタクトホールは、異なるプロセスでエッチングされる。これは、同じエッチング化学物質およびエッチング条件を使用して、酸化ケイ素ギャップフィルとは異なる速度でエッチングされるモールドスタックの交互層の少なくとも一部である。

【0102】

酸化ケイ素ギャップフィル材料における１つまたは複数のエッチング速度修正ドーパントの使用により、ギャップフィル材料のエッチング速度を修正し、モールドスタックの交互層のエッチング速度に適切に近づけることが可能になり得る。１つの例示的な例として、モールドスタックが交互の酸化ケイ素層と窒化ケイ素層を備える場合、エッチング速度修正ドーパントは、窒素、および／または１つ以上の他の適切な材料を含むことができる。２つ以上の共ドーパントを利用する例について、以下でさらに詳細に説明する。酸化ケイ素ギャップフィル材料中の窒素および／または他のドーパントの濃度は、モールドスタックの交互層における材料の平均エッチング速度に一致させるためにエッチング速度を修正するように選択される。これにより、チャネルホールエッチングおよびギャップフィルエッチングを同様の速度で進行させることが可能になり得る。同様に、エッチング修正ドーパントの濃度もまた、エッチング速度における差の制御を達成するように選択することができ、それによって異なる深さのフィーチャを同じステップでエッチングすることが可能になる。堆積中にギャップフィル材料に組み込まれるドーパントの量は、ケイ素含有前駆体ガスと比較して使用されるドーパント前駆体ガスの濃度を制御することによって制御することができる。

【0103】

図６は、チャネルホールの少なくとも一部およびギャップフィル材料内のホールを同時にエッチングすることを含む、メモリデバイス製作プロセスを実行するための例示的な方法のフロー図を示す。６０２において、方法６００は、処理ツールの処理チャンバに基板を載置することであって、基板は、３Ｄメモリ構造用のモールドスタックに交互層を備える第１の基板構造を備え、基板はまた、１つまたは複数のエッチング速度修正ドーパントがドープされた酸化ケイ素層を備える第２の基板構造を備えることを含む。いくつかの例では、６０４において、方法６００は、ケイ素含有前駆体、酸素含有ガス、およびエッチング速度修正ドーパント前駆体を反応させ、エッチング速度修正ドーパントがドープされた酸化ケイ素層を形成することによって第２の基板構造を堆積することをさらに含む。いくつかの例では、６０６において、エッチング速度修正ドーパント前駆体は、窒素含有前駆体、リン含有前駆体、炭素含有前駆体、ホウ素含有前駆体、またはヒ素含有前駆体の１つまたは複数を含む。続いて、６１０において、方法６００は、第１の基板構造内のチャネルホールの少なくとも一部および第２の基板構造内のホールの少なくとも一部を同時にエッチングすることを含むエッチングサイクルを実行するように処理ツールを制御することをさらに含む。いくつかの例では、第２の基板構造内のホールは、３Ｄメモリ構造内のコンタクトホールを備える。

【0104】

いくつかの例では、６１２において、方法は、エッチングサイクル中に基板を０℃以下の基板温度に冷却するように処理ツールを制御することを含む。いくつかの例では、６１４において、方法は、フッ素含有エッチャントを処理チャンバに導入することを含む。適切なフッ素含有エッチャントには、ＨＦ、ＮＦ₃、ＣＦ₄、およびＣ₂Ｆ₆が挙げられる。いくつかの例では、６１６において、方法６００は、処理チャンバにプラズマを形成することを含む。例えば、方法は、フッ素含有エッチャントを含むプラズマを形成するように処理ツールを制御することを含むことができる。いくつかの例では、６１８において、第２の基板構造内のホールは、コンタクトホールを備える。いくつかの例では、６２０において、エッチングサイクルを実行するように処理ツールを制御することは、チャネルホールを５０：１～１００：１の範囲内のアスペクト比にエッチングするように処理ツールを制御することを含む。いくつかの例では、６２２において、エッチングサイクルを実行するように処理ツールを制御することは、第２の基板構造内のホールを１０：１～１００：１の範囲内のアスペクト比にエッチングするように処理ツールを制御することを含む。いくつかの例では、処理ツールは、第２の基板構造内のホールを１００：１を超えるアスペクト比にエッチングするように制御され得る。

【0105】

図７は、３Ｄ ＮＡＮＤ製作プロセスにおける例示的なギャップフィルプロセスを実行する前後の開始構造および終了構造を概略的に示す。まず、「階段」構造が７０２示される。階段構造７０２は、交互層７０４、７０６を備えるモールドスタックからエッチングされる。いくつかの例では、交互層７０４、７０６は、酸化ケイ素層および窒化ケイ素層を備えることができる。他の例では、交互層７０４、７０６は、交互の酸化ケイ素層とポリシリコン層を備えることができる。他の例では、交互層７０４、７０６は、任意の他の適切な材料を含むことができる。

【0106】

次に、ギャップフィル材料７１０の層が堆積される。ギャップフィル材料７１０の層は、図７には示されていない一連のステップで堆積することができる。そのようなプロセスは、いくつかの例ではパターニング、堆積、およびエッチングのステップを含むことができる。

【0107】

ギャップフィル材料７１０は、酸化ケイ素およびエッチング速度修正ドーパントを含む。例示的なドーパントには、窒素、炭素、ホウ素、ヒ素、またはリンの１つまたは複数が挙げられる。ドーパントは、エッチング速度を修正するために任意の適切な濃度を有することができる。

【0108】

ギャップフィル材料７１０は、任意の適切な方式で堆積され得る。例えば、ケイ素含有前駆体（例えば、シランなど）、酸素前駆体（例えば、Ｏ₂、Ｏ₃、Ｈ₂Ｏ、Ｎ₂Ｏなどの１つまたは複数）、およびエッチング速度修正ドーパント前駆体（例えば、アンモニア、アミノシランなど）を適切な条件下でＰＥＣＶＤチャンバに導入し、基板上にギャップフィル材料の膜を形成することが可能である。他の例では、ギャップフィル材料７１０は、ＡＬＤプロセスを介して堆積され得る。

【0109】

図８は、チャネルホール、およびギャップフィル材料７１０を通してエッチングされた複数のホールを備える例示的な３Ｄメモリ構造８００を概略的に示す。３Ｄメモリ構造８００は、第１の基板構造８０２と、第２の基板構造８０４とを備える。第１の基板構造８０２は、交互層７０４、７０６を備える。第１の基板構造８０２は、交互層７０４、７０６を通って延びるチャネルホール８０８をさらに備える。任意の適切な数の交互層を使用することが可能である。さらに、チャネルホール８０８は、第１の基板構造８０２内の任意の適切な数の層を通って延びることができる。チャネルホール８０８を１つまたは複数の材料で充填し、３Ｄ ＮＡＮＤメモリセル構造または３Ｄ ＮＯＲメモリセル構造を形成することができる。

【0110】

第２の基板構造８０４は、ギャップフィル材料７１０を含む。ギャップフィル材料７１０は、エッチング速度修正ドーパントがドープされた酸化ケイ素の層を備える。上述のように、適切なエッチング速度修正ドーパントは、窒素、炭素、ホウ素、ヒ素、またはリンの１つまたは複数を含み得る。３Ｄメモリ構造８００は、ギャップフィル材料７１０を通って延びるホール８１４、８１５、８１６、８１７をさらに備える。ホール８１４、８１５、８１６、８１７の各々は、階段構造内の異なる層へと延びる。ホール８１４、８１５、８１６、８１７は各々、コンタクトホールを備えることができ、電気コンタクトを形成するために１つまたは複数の材料で充填することができる。３Ｄメモリ構造８００は、例えば、チャネルホール８０８の少なくとも一部、およびホール８１４、８１５、８１６、または８１７の１つまたは複数の少なくとも一部を同時にエッチングするために方法６００を使用して形成され得る。

【0111】

上述のように、窒素濃度が比較的高いドープ酸化ケイ素膜は、窒素濃度が比較的低い膜と比較して、エッチング速度が相対的に大きくなり得る。しかし、比較的高い濃度のドーパントが、膜の誘電性質に影響を与える可能性がある。例えば、窒素の濃度が比較的高い酸化ケイ素膜は、窒素の濃度が比較的低い膜と比較して、より低い降伏電圧および／またはより高い漏れ電流を有する場合がある。

【0112】

したがって、２つ以上のエッチング速度修正ドーパントを酸化ケイ素膜にドープするための例も開示される。共ドープ酸化ケイ素膜は、単一のドーパントを用いた例と比較して比較的低いドーパント濃度を使用しながら、上述のエッチング速度の利点を達成するのに役立つことができる。したがって、共ドープ酸化ケイ素膜は、単一のドーパントを有する酸化ケイ素膜よりも膜の誘電性質に与える影響が小さくなり得る。例えば、窒素およびリンがドープされた酸化ケイ素膜は、窒素のみがドープされた酸化ケイ素膜と比較して、ドーパント濃度を５０％低減して同様のまたはより速いエッチング速度を達成するのに役立つことができる。いくつかの例では、５～１０原子パーセントの窒素濃度および０．１～１．０原子パーセントのリン濃度を含む共ドープ酸化ケイ素膜は、約１９０ｎｍ／分のエッチング速度を有することができる。上述したように、１６～２０原子パーセントの窒素濃度を含むＮドープ酸化ケイ素膜は、同様のエッチング条件下で約１８０ｎｍ／分のエッチング速度を有することができる。さらに、共ドープ酸化ケイ素膜は、窒素のみがドープされた酸化ケイ素膜と比較して、相対的に低い水素濃度を有することが可能である。様々な例において、ドープ酸化ケイ素膜は、１つ、２つ、またはそれ以上のエッチング速度修正ドーパントを含むことができる。

【0113】

図９は、２つのエッチング速度修正ドーパントがドープされた酸化ケイ素の低温エッチングを実行するための例示的な方法９００を図示するフロー図を示す。他の例では、３つ以上のエッチング速度修正ドーパントを使用して低温エッチングを実行することができる。

【0114】

方法９００は、例えば、エッチングツール３００で実行することができる。方法９００は、９０２において、処理ツールの処理チャンバ内で基板を０℃以下の基板温度に冷却するように処理ツールを制御することを含む。基板は、酸化ケイ素、第１のエッチング速度修正ドーパント、および第２のエッチング速度修正ドーパントを含む誘電体材料を含む。エッチング速度修正ドーパントの任意の適切な組み合わせを使用することが可能である。いくつかの例では、９０４において、第１のエッチング速度修正ドーパントは、窒素を含む。いくつかのそのような例では、９０６において、誘電体材料は、５～１０原子パーセントの範囲内の濃度の窒素を含む酸化ケイ素を含む。さらに、いくつかの例では、９０８において、第２のエッチング速度修正ドーパントは、リンを含む。いくつかのそのような例では、９１０において、誘電体材料は、０．１～１．０原子パーセントの範囲内の濃度のリンを含む酸化ケイ素を含む。

【0115】

続いて、方法９００は、９１２において、エッチャントを処理チャンバに導入するように処理ツールを制御することをさらに含む。任意の適切なエッチャントを使用することが可能である。いくつかの例では、９１４において、エッチャントは、フッ素含有エッチャントを含む。適切なフッ素含有エッチャントには、ＨＦ、ＮＦ₃、ＣＦ₄、およびＣ₂Ｆ₆が挙げられる。

【0116】

方法９００は、１０：１以上の範囲内のアスペクト比を含むフィーチャを誘電体材料にエッチングするためのエッチャントを含むプラズマを形成するように処理ツールを制御することをさらに含む。いくつかの例では、９１６において、フィーチャは、１０：１～１００：１のアスペクト比を含む。いくつかの例では、９１８において、フィーチャは、３０：１～７０：１の範囲内のアスペクト比を含む。いくつかの例では、フィーチャは、メモリデバイス構造内のホール（例えば、３Ｄメモリ構造８００のホール８１４、８１５、８１６、８１７）を備える。いくつかの例では、９２０において、フィーチャは、３Ｄメモリ構造（例えば、３Ｄ ＮＡＮＤまたは３Ｄ ＮＯＲ）内のコンタクトホールを備える。いくつかの例では、基板は、３Ｄメモリ構造用のモールドスタック内に交互層を備える第１の基板構造と、誘電体材料を含む第２の基板構造とを備える。そのような例では、方法９００は、９２２で示されるように、第２の基板構造内のホールおよび第１の基板構造内のチャネルホールの少なくとも一部を同時にエッチングするように処理ツールを制御することをさらに含むことができる。

【0117】

図１０は、処理ツールを使用してメモリデバイス製作プロセスを実行するための別の例示的な方法１０００のフロー図を示す。１００２において、方法１０００は、３Ｄメモリ構造のモールドスタックの交互層を備える第１の基板構造を備える基板を得ることを含む。基板は、２つ以上のエッチング速度修正ドーパントがドープされた酸化ケイ素層を備える第２の基板構造をさらに備える。いくつかの例では、１００４において、２つ以上のエッチング速度修正ドーパントは、窒素を含む第１のエッチング速度修正ドーパントを含む。いくつかの例では、１００６において、酸化ケイ素層は、５～１０原子パーセントの範囲内の濃度の窒素を含む。いくつかのそのような例では、１００８において、２つ以上のエッチング速度修正ドーパントは、リンを含む第２のエッチング速度修正ドーパントをさらに含む。いくつかの例では、１０１０において、酸化ケイ素層は、０．１～１原子パーセントの範囲内の濃度のリンを含む。

【0118】

いくつかの例では、１０１２において、第２の基板構造を備える基板を得ることは、ＣＶＤツール内でケイ素含有前駆体、酸素含有ガス、窒素含有前駆体、およびリン含有前駆体を反応させることによって第２の基板構造を堆積することを含む。任意の適切な前駆体を使用することが可能である。いくつかの例では、１０１４において、リン含有前駆体は、ホスフィンまたはアルキルホスフィンの１つまたは複数を含む。さらに、いくつかの例では、１０１６において、窒素含有前駆体は、アンモニア、ジ（イソプロピルアミノ）シラン、またはビス（ｔ－ブチルアミノ）シランの１つまたは複数を含む。いくつかの例では、酸素含有ガスは、Ｏ₂、Ｏ₃、亜酸化窒素（Ｎ₂Ｏ）、または水蒸気の１つまたは複数を含む。処理ツール２００は、１０１２で第２の基板構造を堆積するための例示的なツールである。ギャップフィル材料７１０は、１０１２で堆積させることができる第２の基板構造の一例である。他の例では、事前に堆積された第２の基板構造を備える基板を得ることができる。

【0119】

いくつかの例では、ホールについての所望のエッチング速度を達成するようにドーパント濃度を選択することができる。これにより、第１の基板構造内のチャネルホール（例えば、第１の基板構造８０２のチャネルホール８０８）および第２の基板構造内のホール（例えば、第２の基板構造８０４のホール８１４、８１５、８１６、８１７）の同時エッチングが容易になり得る。

【0120】

方法１０００は、１０２０において、エッチングツールに基板を載置することと、エッチングサイクルを実行するようにエッチングツールを制御することとをさらに含む。エッチングサイクルは、第１の基板構造内のチャネルホールの少なくとも一部をエッチングすることと、第２の基板構造内のホールの少なくとも一部をエッチングすることとを含む。チャネルホール８０８は、１０２０でエッチングすることができる第１の基板構造内のチャネルホールの一例である。ホール８１４、８１５、８１６、８１７は、１０２０でエッチングすることができる第２の基板構造内のホールの例である。いくつかの例では、１０２２において、第２の基板構造内のホールは、コンタクトホールを備える。いくつかの例では、１０２４において、処理ツールは、処理チャンバを備え、エッチングサイクルを実行するように処理ツールを制御することは、フッ素含有エッチャントを処理チャンバに導入するように処理ツールを制御することを含む。適切なフッ素含有エッチャントには、ＨＦ、ＮＦ₃、ＣＦ₄、およびＣ₂Ｆ₆が挙げられ得る。第１の基板構造にチャネルホールを形成し、かつ第２の基板構造にホールを形成する際、本明細書で詳細に説明されていない様々なパターニングステップを使用することが可能である。いくつかの例では、１０２６において、方法１０００は、エッチングサイクル中に基板を０℃以下に冷却するように処理ツールを制御することをさらに含む。

【0121】

図１１は、例示的なコンピューティングシステムのブロック図を概略的に示す。コンピューティングシステム１１００は、簡略化された形式で示されている。コンピューティングシステム１１００は、１つまたは複数のパーソナルコンピュータ、ワークステーション、基板処理ツールと統合されたコンピュータ、および／またはネットワークアクセス可能なサーバコンピュータの形式をとることができる。

【0122】

コンピューティングシステム１１００は、論理マシン１１０２と、記憶マシン１１０４とを含む。コンピューティングシステム１１００は、任意選択で、ディスプレイサブシステム１１０６、入力サブシステム１１０８、通信サブシステム１１１０、および／または図１１に示されていない他の構成要素を含むことができる。コントローラ２３０およびコントローラ３３０は、コンピューティングシステム１１００の例である。

【0123】

論理マシン１１０２は、命令を実行するように構成された１つまたは複数の物理デバイスを含む。例えば、論理マシンは、１つまたは複数のアプリケーション、サービス、プログラム、ルーチン、ライブラリ、オブジェクト、構成要素、データ構造、または他の論理構造の一部である命令を実行するように構成され得る。そのような命令は、タスクを実施する、データ型を実装する、１つまたは複数の構成要素の状態を変換する、技術的効果を達成する、または他の方法で所望の結果に到達するために実装され得る。

【0124】

論理マシンは、ソフトウェア命令を実行するように構成された１つまたは複数のプロセッサを含み得る。追加的または代替的に、論理マシンは、ハードウェアまたはファームウェア命令を実行するように構成された１つまたは複数のハードウェアまたはファームウェア論理マシンを含むことができる。論理マシンのプロセッサは、シングルコアまたはマルチコアであってもよく、そこで実行される命令は、逐次、並列、および／または分散処理用に構成されてもよい。論理マシンの個々の構成要素は、任意選択で、２つ以上の別々のデバイス間で分散され得、これらのデバイスは、遠隔に配置され得、かつ／または調整された処理のために構成され得る。論理マシンの態様は、クラウドコンピューティング構成で構成されたリモートアクセス可能なネットワークコンピューティングデバイスによって仮想化され、かつ実行され得る。

【0125】

記憶マシン１１０４は、本明細書に記載の方法およびプロセスを実装するために論理マシンによって実行可能な命令１１１２を保持するように構成された１つまたは複数の物理デバイスを含む。そのような方法およびプロセスが実装されると、記憶マシン１１０４の状態は、例えば、異なるデータを保持するために変換され得る。

【0126】

記憶マシン１１０４は、取り外し可能なデバイスおよび／または内蔵デバイスを含み得る。記憶マシン１１０４は、とりわけ、光メモリ（例えば、ＣＤ、ＤＶＤ、ＨＤ－ＤＶＤ、ブルーレイディスクなど）、半導体メモリ（例えば、ＲＡＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭなど）、および／または磁気メモリ（例えば、ハードディスクドライブ、フロッピーディスクドライブ、テープドライブ、ＭＲＡＭなど）を含むことができる。記憶マシン１１０４は、揮発性、不揮発性、動的、静的、読み取り／書き込み、読み取り専用、ランダムアクセス、シーケンシャルアクセス、位置アドレス指定可能、ファイルアドレス指定可能、および／またはコンテンツアドレス指定可能なデバイスを含み得る。

【0127】

記憶マシン１１０４は、１つまたは複数の物理デバイスを含むことが理解されよう。しかし、本明細書に記載の命令の態様は、代わりに、物理デバイスによって有限の期間保持されない通信媒体（例えば、電磁信号、光信号など）によって伝播されてもよい。

【0128】

論理マシン１１０２および記憶マシン１１０４の態様は、１つまたは複数のハードウェア論理構成要素に統合されてもよい。そのようなハードウェア論理構成要素には、例えば、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、プログラムおよび特定用途向け集積回路（ＰＡＳＩＣ／ＡＳＩＣ）、プログラムおよび特定用途向け標準製品（ＰＳＳＰ／ＡＳＳＰ）、システムオンチップ（ＳＯＣ）、ならびに複合プログラマブル論理デバイス（ＣＰＬＤ）が挙げられ得る。

【0129】

含まれる場合、ディスプレイサブシステム１１０６は、記憶マシン１１０４によって保持されるデータの視覚的表現を提示するために使用され得る。この視覚的表現は、グラフィカルユーザインターフェース（ＧＵＩ）の形式をとることができる。本明細書に記載の方法およびプロセスが記憶マシンによって保持されるデータを変更し、それにより記憶マシンの状態を変換するとき、ディスプレイサブシステム１１０６の状態も同様に変換され、基礎となるデータの変化を視覚的に表すことが可能である。ディスプレイサブシステム１１０６は、事実上あらゆるタイプの技術を利用する１つまたは複数のディスプレイデバイスを含み得る。そのようなディスプレイデバイスは、共有エンクロージャ内の論理マシン１１０２および／もしくは記憶マシン１１０４と組み合わせることができ、またはそのようなディスプレイデバイスは、周辺ディスプレイデバイスとすることができる。

【0130】

含まれる場合、入力サブシステム１１０８は、キーボード、マウス、またはタッチスクリーンなどの１つまたは複数のユーザ入力デバイスを備えるか、またはそれらとインターフェースすることができる。いくつかの例では、入力サブシステムは、選択されたナチュラルユーザ入力（ＮＵＩ）コンポーネント要素を備えるか、または選択されたＮＵＩコンポーネント要素とインターフェースすることができる。そのようなコンポーネント要素は、統合または周辺化することができ、入力アクションの変換および／または処理は、オンボードまたはオフボードで対応することができる。例示的なＮＵＩコンポーネント要素は、発話および／または音声認識用のマイクロフォン、ならびにマシンビジョンおよび／またはジェスチャ認識用の赤外線、カラー、立体、および／または深度カメラを含み得る。

【0131】

含まれる場合、通信サブシステム１１１０は、コンピューティングシステム１１００を１つまたは複数の他のコンピューティングデバイスと通信可能に結合するように構成され得る。通信サブシステム１１１０は、１つまたは複数の異なる通信プロトコルと互換性のある有線および／または無線通信デバイスを含むことができる。非限定的な例として、通信サブシステムは、無線電話ネットワーク、または有線もしくは無線のローカルエリアネットワークもしくはワイドエリアネットワークを介して通信するように構成され得る。いくつかの例では、通信サブシステムは、コンピューティングシステム１１００がインターネットなどのネットワークを介して他のデバイスとの間でメッセージを送信および／または受信することを可能にすることができる。

【0132】

本明細書に記載の構成および／または手法は本質的に例示的なものであり、多数の変形が可能であるため、これらの特定の例は限定的な意味で考慮されるべきではないことが理解されるであろう。本明細書に記載の特定のルーチンまたは方法は、任意の数の処理戦略の１つまたは複数を表すことができる。したがって、図示および／または説明される様々な動作は、図示および／または説明される順序で、他の順序で、並行して、または省略されて実施されてもよい。同様に、上述のプロセスの順番は変更されてもよい。

【0133】

本開示の主題は、本明細書に開示される様々なプロセス、システムおよび構成、ならびに他の特徴、機能、動作、および／または性質のすべての新規かつ非自明の組み合わせおよび部分組み合わせ、ならびにそれらのあらゆる等価物を含む。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【手続補正書】

【提出日】2025-01-28

【手続補正1】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５６

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0056】

いくつかの例では、ケイ素含有前駆体は、アルコキシシランである。使用され得るアルコキシシランには、以下が挙げられる：
Ｈ_x－Ｓｉ－（ＯＲ）_y、ｘ＝１～３、ｘ＋ｙ＝４であり、各Ｒは、置換または非置換のアルキル、アルケニル、アルキニル、または芳香族基であり、
Ｈ_x（ＲＯ）_y、－Ｓｉ－Ｓｉ－（ＯＲ）_yＨ_x 、Ｒは、置換または非置換のアルキル、アルケニル、アルキニル、または芳香族基である。

【手続補正2】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８２

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0082】

処理ツール２００は、排気システム２２４をさらに備える。排気システム２２４は、処理チャンバ２０２から流出するガスを受け取るように構成される。いくつかの例では、排気システム２２４は、処理チャンバ２０２からガスを能動的に除去し、かつ／または部分真空を適用するように構成される。排気システム２２４は、１つまたは複数のポンプを含む任意の適切なハードウェアを備えることができる。

【手続補正3】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0088】

エッチングツール３００は、排気システム３２４をさらに備える。排気システム３２４は、処理チャンバ３０２から流出するガスを受け取るように構成される。いくつかの例では、排気システム３２４は、処理チャンバ３０２からガスを能動的に除去し、かつ／または部分真空を適用するように構成される。排気システム３２４は、１つまたは複数のポンプを含む任意の適切なハードウェアを備えることができる。

【手続補正4】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９７

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0097】

より詳細には、図５Ａは、低温エッチングプロセスを使用して、アンドープ酸化ケイ素を含むギャップフィル材料５０２にエッチングされたフィーチャ５００を概略的に示す。フィーチャは、ハードマスク５０４によって画定される。示すように、いくつかの例では、アンドープ酸化ケイ素のドライエッチング速度が比較的遅いため、反りが生じる可能性がある。これは、ギャップフィル材料５０２とハードマスク５０４の界面におけるフィーチャ５００の幅の増加とその後の減少によって示される。その結果、この界面におけるフィーチャ５００の幅（例えば、直径）寸法は、ハードマスク５０４における対応する開口部の幅（例えば、直径）よりも大きい。さらに、反りおよびより広い寸法は、フィーチャ５００をその深さいっぱいまでエッチングする前に明らかであり得る。

【国際調査報告】