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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2025-08-26
(54)【発明の名称】マルチチャネル加熱ガス送出システム
(51)【国際特許分類】
C23C 16/455 20060101AFI20250819BHJP
H01L 21/31 20060101ALI20250819BHJP
【ＦＩ】
C23C16/455
H01L21/31 B
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2025506074
(86)(22)【出願日】2023-08-14
(85)【翻訳文提出日】2025-04-01
(86)【国際出願番号】 US2023030150
(87)【国際公開番号】W WO2024039602
(87)【国際公開日】2024-02-22
(31)【優先権主張番号】63/371,737
(32)【優先日】2022-08-17
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ハステロイ
(71)【出願人】
【識別番号】592010081
【氏名又は名称】ラム リサーチ コーポレーション
【氏名又は名称原語表記】ＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
(74)【代理人】
【識別番号】110000028
【氏名又は名称】弁理士法人明成国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】キャンペロー・マーク
(72)【発明者】
【氏名】コンディ・サシャンス
(72)【発明者】
【氏名】ポッダー・プラシャント
(72)【発明者】
【氏名】バンフォード・サディアス
(72)【発明者】
【氏名】ジョナガドラ・パジャゴパル・ムラリ・クリシュナ
(72)【発明者】
【氏名】シサラマカリ・ジャナーダン・アカリ・ムアーカイ
(72)【発明者】
【氏名】パティル・ナヴィーン
【テーマコード（参考）】
4K030
5F045
【Ｆターム（参考）】
4K030AA13
4K030AA14
4K030AA17
4K030CA02
4K030CA07
4K030EA03
4K030EA06
4K030KA25
5F045EE02
5F045EE07
5F045EF05
(57)【要約】
【解決手段】第１のブロック構造と、少なくとも第２のブロック構造と、を備えるガス調整アセンブリが、開示される。第１のガス流通路および第２のガス流通路が、第１のブロック構造内に延びる。第１のガス流通路は、第２のガス流通路に隣接する。第２のブロック構造は、リザーバハウジングブロックと、リザーバヨークと、を備える。リザーバヨークは、リザーバハウジングブロック内の少なくとも１つのガスリザーバを備える。第２のブロック構造は、第１のブロック構造に隣接する非平面側壁をさらに備える。非平面側壁は、複数の凹んだ輪郭と、非平面側壁に沿って延びる複数の溝と、を備える。個々の凹んだ輪郭が、隣接する表面実装構成要素と熱的に接触している。個々の溝が、第１のブロック構造から延びるガスライン管セクションと熱的に接触している。
【選択図】図１Ａ
【選択図】図１Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表面実装基板であって、前記表面実装基板が、複数のアパーチャを備え、第１のガス流通路が、前記表面実装基板内に延び、第２のガス流通路が、前記第１のガス流通路に隣接する、表面実装基板と、プロセスガスリザーバサブアセンブリであって、前記プロセスガスリザーバサブアセンブリが、前記表面実装基板に隣接し、リザーバハウジングブロックと、リザーバヨークと、を備え、前記リザーバヨークが、前記リザーバハウジングブロック内の少なくとも１つのガスリザーバを備え、前記リザーバハウジングブロックが、前記表面実装基板に隣接する非平面側壁を備え、前記非平面側壁が、複数の凹んだ輪郭と、前記非平面側壁に沿って延びる複数の溝と、を備える、プロセスガスリザーバサブアセンブリと、
を備える、ガス調整アセンブリであって、
１つまたは複数の凹んだ輪郭が、前記表面実装基板上に実装された１つまたは複数の表面実装構成要素と熱的に接触しており、１つまたは複数の溝が、前記表面実装基板から延びる１つまたは複数のガスライン管セクションと熱的に接触している、ガス調整アセンブリ。
【請求項2】
請求項１に記載のガス調整アセンブリであって、１つまたは複数の第１の表面実装構成要素が、前記第１のガス流通路に流体的に結合され、１つまたは複数の第２の表面実装構成要素が、前記第２のガス流通路に流体的に結合された、ガス調整アセンブリ。
【請求項3】
請求項１に記載のガス調整アセンブリであって、前記１つまたは複数のガスライン管セクションが、前記１つまたは複数の溝と熱的に接触している、ガス調整アセンブリ。
【請求項4】
請求項１に記載のガス調整アセンブリであって、前記少なくとも１つのガスリザーバが、前記第１のガス流通路に流体的に結合された、ガス調整アセンブリ。
【請求項5】
請求項１に記載のガス調整アセンブリであって、前記リザーバハウジングブロックが、前記非平面側壁に直交する表面を備え、少なくとも１つのリザーバウェルが、前記表面に実質的に直交する、ガス調整アセンブリ。
【請求項6】
請求項１に記載のガス調整アセンブリであって、前記リザーバハウジングブロックが、表面を備え、少なくとも１つのリザーバウェルが、前記表面に実質的に平行である、ガス調整アセンブリ。
【請求項7】
請求項６に記載のガス調整アセンブリであって、前記１つまたは複数の表面実装構成要素が、入口と、出口と、を備え、前記入口が、前記表面実装基板の前記表面上の第１のアパーチャに流体的に結合され、前記出口が、前記表面実装基板の前記表面上の第２のアパーチャに流体的に結合された、ガス調整アセンブリ。
【請求項8】
請求項１に記載のガス調整アセンブリであって、前記リザーバハウジングブロックが、第１の複数の加熱器カートリッジをさらに備える、ガス調整アセンブリ。
【請求項9】
請求項１に記載のガス調整アセンブリであって、前記１つまたは複数の凹んだ輪郭が、円弧を含む、ガス調整アセンブリ。
【請求項10】
請求項１に記載のガス調整アセンブリであって、前記１つまたは複数の凹んだ輪郭が、前記１つまたは複数の表面実装構成要素と機械的に接触している、ガス調整アセンブリ。
【請求項11】
請求項１に記載のガス調整アセンブリであって、前記１つまたは複数の凹んだ輪郭と、前記１つまたは複数の表面実装構成要素と、の間にギャップがある、ガス調整アセンブリ。
【請求項12】
請求項１に記載のガス調整アセンブリであって、加熱されるパネルをさらに備え、前記加熱されるパネルが、第１の面と、第２の面と、を備え、前記第１の面が、前記リザーバハウジングブロックの第１の前面側壁に隣接し、前記第１の面が、前記表面実装基板の第２の前面側壁に隣接する、ガス調整アセンブリ。
【請求項13】
請求項１２に記載のガス調整アセンブリであって、前記１つまたは複数の溝が、前記第１の面に沿って延び、前記１つまたは複数の溝が、前記１つまたは複数のガスライン管セクションと熱的に接触している、ガス調整アセンブリ。
【請求項14】
請求項１２に記載のガス調整アセンブリであって、前記加熱されるパネルが、前記第１の面と、前記第２の面と、の間に延びる、加熱器カートリッジウェル内の、１つまたは複数の加熱器カートリッジを備える、ガス調整アセンブリ。
【請求項15】
請求項１に記載のガス調整アセンブリであって、前記非平面側壁が、第１の非平面側壁であり、前記第１の非平面側壁が、１つまたは複数の第１の凹んだ輪郭を備え、前記１つまたは複数の溝が、第１の溝を含み、加熱されるパネルが、前記表面実装基板に隣接し、前記加熱されるパネルが、前記表面実装基板に隣接する第２の非平面側壁を備え、前記第２の非平面側壁が、複数の第２の凹んだ輪郭と、前記第２の非平面側壁に沿って延びる複数の第２の溝と、を備える、ガス調整アセンブリ。
【請求項16】
請求項１に記載のガス調整アセンブリであって、前記リザーバヨークが、前記少なくとも１つのガスリザーバに流体的に結合されたマニホルドを備える、ガス調整アセンブリ。
【請求項17】
真空チャンバと、前記真空チャンバ内のシャワーヘッドと、
前記真空チャンバに機械的に結合されたガス調整アセンブリであって、前記ガス調整アセンブリは、
表面実装基板であって、前記表面実装基板が、複数のアパーチャを備え、第１のガス流通路が、前記表面実装基板内に延び、第２のガス流通路が、前記第１のガス流通路に隣接する、表面実装基板と、
プロセスガスリザーバサブアセンブリであって、前記プロセスガスリザーバサブアセンブリが、前記表面実装基板に隣接し、リザーバハウジングブロックと、リザーバヨークと、を備え、前記リザーバヨークが、前記リザーバハウジングブロック内の少なくとも１つのガスリザーバを備え、前記リザーバハウジングブロックが、前記表面実装基板に隣接する非平面側壁を備え、前記非平面側壁が、複数の凹んだ輪郭と、前記非平面側壁に沿って延びる複数の溝と、を備える、プロセスガスリザーバサブアセンブリと、
を備え、
１つまたは複数の凹んだ輪郭が、前記表面実装基板上に実装された１つまたは複数の表面実装構成要素と熱的に接触しており、１つまたは複数の溝が、前記表面実装基板から延びる１つまたは複数のガスライン管セクションと熱的に接触している、ガス調整アセンブリと、
を備える、半導体プロセスツールであって、
前記ガス調整アセンブリが、前記シャワーヘッドに流体的に結合された、半導体プロセスツール。
【請求項18】
請求項１７に記載の半導体プロセスツールであって、第１の導管および第２の導管が、前記表面実装基板と、前記シャワーヘッドと、の間に延び、前記第１の導管が、前記第１のガス流通路におよび前記シャワーヘッドに流体的に結合され、前記第２の導管が、前記第２のガス流通路におよび前記シャワーヘッドに流体的に結合された、半導体プロセスツール。
【請求項19】
請求項１８に記載の半導体プロセスツールであって、前記第１の導管および前記第２の導管が、シャワーヘッド入口アダプタ内に延び、前記シャワーヘッド入口アダプタが、キャビティを備え、前記第１の導管および前記第２の導管が、前記キャビティ内に延び、少なくとも前記第１の導管が、第１の環状アパーチャにおいて終端し、前記第１の環状アパーチャが、前記シャワーヘッドに通じる、半導体プロセスツール。
【請求項20】
請求項１９に記載の半導体プロセスツールであって、第３のガス流通路が、前記表面実装基板内に延び、前記第３のガス流通路が、前記第１のガス流通路におよび前記第２のガス流通路に隣接し、第３の導管が、前記シャワーヘッド入口アダプタとともに延び、前記第３の導管が、前記第３のガス流通路に流体的に結合され、第２の環状アパーチャにおいて終端し、前記第２の環状アパーチャが、前記シャワーヘッドに通じる、半導体プロセスツール。
【請求項21】
請求項１７に記載の半導体プロセスツールであって、前記ガス調整アセンブリが、前記１つまたは複数のガスライン管セクションに結合された少なくとも１つの予熱器アセンブリをさらに備える、半導体プロセスツール。
【請求項22】
請求項２１に記載の半導体プロセスツールであって、前記少なくとも１つの予熱器アセンブリが、スタックアセンブリ中の２つまたはそれ以上のプレートを備え、前記１つまたは複数のガスライン管セクションが、隣接するプレート間に延び、前記２つまたはそれ以上のプレートが、加熱器カートリッジを備える、半導体プロセスツール。
【請求項23】
請求項２２に記載の半導体プロセスツールであって、前記２つまたはそれ以上のプレートが、第１のエンドキャッププレートと、第２のエンドキャッププレートと、の間の少なくとも２つの中間プレートを備え、前記少なくとも２つの中間プレートが、実質的に同等である、半導体プロセスツール。
【請求項24】
請求項２２に記載の半導体プロセスツールであって、前記１つまたは複数のガスライン管セクションが、蛇行構成において配列され、前記１つまたは複数のガスライン管セクションが、前記２つまたはそれ以上のプレート上の１つまたは複数の溝内に延びる、半導体プロセスツール。
【請求項25】
請求項２１に記載の半導体プロセスツールであって、前記少なくとも１つの予熱器アセンブリが、少なくとも１つの平面における偏菱形断面を有する、半導体プロセスツール。
【請求項26】
プロセスガスを調整するための方法であって、前記方法は、プロセスガス調整アセンブリを備える半導体プロセスツールを提供することであって、前記プロセスガス調整アセンブリが、
表面実装基板であって、前記表面実装基板が、複数のアパーチャを備え、第１のガス流通路が、前記表面実装基板内に延び、第２のガス流通路が、前記第１のガス流通路に隣接する、表面実装基板と、
プロセスガスリザーバサブアセンブリであって、前記プロセスガスリザーバサブアセンブリが、前記表面実装基板に隣接し、リザーバハウジングブロックと、リザーバヨークと、を備え、前記リザーバヨークが、前記リザーバハウジングブロック内の少なくとも１つのガスリザーバを備え、前記リザーバハウジングブロックが、前記表面実装基板に隣接する非平面側壁を備え、前記非平面側壁が、複数の凹んだ輪郭と、前記非平面側壁に沿って延びる複数の溝と、を備える、プロセスガスリザーバサブアセンブリと、
を備え、
１つまたは複数の凹んだ輪郭が、前記表面実装基板上に実装された１つまたは複数の表面実装構成要素と熱的に接触しており、１つまたは複数の溝が、前記表面実装基板から延びる１つまたは複数のガスライン管セクションと熱的に接触している、半導体プロセスツールの提供と、
前記表面実装基板と、前記プロセスガスリザーバサブアセンブリの前記リザーバハウジングブロックと、を高い温度まで予熱することと、
前記表面実装基板内の少なくとも前記第１のガス流通路を通って流れる少なくとも１つのプロセスガスを事前調整することであって、前記少なくとも１つのプロセスガスが、予熱される、少なくとも１つのプロセスガスの事前調整と、
前記少なくとも１つのプロセスガスを、シャワーヘッドを通して前記半導体プロセスツールの真空チャンバに流すことと、
を含む、方法。
【請求項27】
請求項２６に記載の方法であって、前記少なくとも１つのプロセスガスを事前調整することが、前記少なくとも１つのプロセスガスを、前記１つまたは複数のガスライン管セクションを通して流すことを含み、前記１つまたは複数のガスライン管セクションが、前記リザーバハウジングブロックの前記非平面側壁内に延びる前記１つまたは複数の溝と熱的に接触している、方法。
【請求項28】
請求項２６に記載の方法であって、前記少なくとも１つのプロセスガスを、前記シャワーヘッドを通して前記真空チャンバに流すことが、前記少なくとも１つのプロセスガスを、少なくとも１つの導管を通して流すことを含み、前記少なくとも１つの導管が、少なくとも前記第１のガス流通路と、前記シャワーヘッドと、に流体的に結合された、方法。
【請求項29】
請求項２８に記載の方法であって、前記少なくとも１つのプロセスガスを、前記少なくとも１つの導管を通して流すことが、前記少なくとも１つのプロセスガスを、シャワーヘッド入口アダプタ内の環状アパーチャを通して前記シャワーヘッドに流すことを含み、前記少なくとも１つの導管が、前記シャワーヘッド入口アダプタを通って延び、前記環状アパーチャが、前記シャワーヘッドに流体的に結合された、方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【0001】
［優先権主張］
本出願は、その全体が参照により組み込まれる、「ＭＵＬＴＩＣＨＡＮＮＥＬ ＨＥＡＴＥＤ ＧＡＳ ＤＥＬＩＶＥＲＹ ＳＹＳＴＥＭ」と題する、２０２２年８月１７日に出願された米国仮特許出願第６３／３７１，７３７号の優先権を主張する。
本出願は、その全体が参照により組み込まれる、「ＭＵＬＴＩＣＨＡＮＮＥＬ ＨＥＡＴＥＤ ＧＡＳ ＤＥＬＩＶＥＲＹ ＳＹＳＴＥＭ」と題する、２０２２年８月１７日に出願された米国仮特許出願第６３／３７１，７３７号の優先権を主張する。
【0002】
プロセスツールは、半導体ウエハ基板上の膜の堆積およびエッチングなどの処理を実施するために使用される。これらのプロセスツールは、真空チャンバを備え得、真空チャンバにおいて、化学気相堆積（ＣＶＤ）および原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが実施され得る。ＡＬＤなどの精密堆積プロセスは、真空チャンバ内のガス分配シャワーヘッドを通した真空チャンバへの前駆体ガスおよび蒸気（まとめて、プロセスガス）の精密な送出を使用する。プロセスガスは、シャワーヘッドまで通過する前にガス調整段を通って流れることによって事前調整され得る。そのようなガス調整段は、１つまたは複数のモジュラーブロック上に実装された、交換可能なフィルタ、加熱器（ｈｅａｔｅｒ）、混合チャンバ、および流量制御バルブのアレイを備え得る。複数のプロセスガスストリームの処理のために、従来のガス調整段は、シャワーヘッドに送出される各プロセスガスストリームについて別個のモジュラーブロックを採用し得る。
【0003】
別個のモジュラーブロック基板内の流路に沿って、プロセスガスストリームは、２つまたはそれ以上の基板上に実装された、フィルタ、混合チャンバ、および流量制御バルブの線形アレイを通過し得る。個々のプロセスガスストリームは、特定のガスを処理するように構成された専用モジュラーブロック基板を通って流れ得る。概して、そのブロック内の、およびそのブロックと、シャワーヘッドと、の間の、ガス流路に沿った低温スポットを回避するために、注意が払われなければならない。いくつかの構成では、プロセスツール空間制約が、従来のガス調整段を１つまたは２つのガスストリームのみに制限することがある。多くの堆積プロセスは、少なくとも３つのプロセスガス蒸気を必要とする。したがって、３つまたはそれ以上のプロセスガスストリームの処理を行い、より多くの空間をとる従来のガス調整段のすべての機能を実施するための、ガス調整段が所望され得る。
【発明の概要】
【0004】
少なくとも１つの実施形態では、表面実装基板と、プロセスガスリザーバサブアセンブリと、を備えるプロセスガス調整アセンブリが、提供される。少なくとも１つの実施形態では、プロセスガスリザーバサブアセンブリは、表面実装基板の、それぞれ、反対側の横方向側壁に隣接し得る。
【0005】
少なくとも１つの実施形態では、表面実装基板は、複数の表面実装構成要素の取付けのためのプラットフォームとして働くことができる。少なくとも１つの実施形態では、１つまたは複数のガス流通路（ｇａｓ ｆｌｏｗ ｐａｓｓａｇｅ）が、表面実装基板の本体内に延びることができる。少なくとも１つの実施形態では、ガス流通路は、表面実装基板内に延びる表面下（ｓｕｂｓｕｒｆａｃｅ）ガス流通路であり得る。少なくとも１つの実施形態では、ガス流通路は、入口ポートと、出口ポートと、において終端し得る。その通路内の矢印が、確立され得る例示的なガス流路を示す。
【0006】
少なくとも１つの実施形態では、ガス流通路は、複数のセグメントを備え得、複数のセグメントは、表面において交差する２つの終端を備える。複数のセグメントは、表面実装構成要素内の流路によって互いに流体的に結合され得る。表面実装構成要素は、複数のセグメントに流体的に結合され得、ガス流通路に流体的に結合され得る。表面実装構成要素は、たとえば、流量制御バルブ、ゲージ、圧力調節器、質量流量コントローラ、または混合器であり得る。
【0007】
少なくとも１つの実施形態では、プロセスガスリザーバサブアセンブリは、表面実装基板に隣接し、リザーバハウジングブロックと、リザーバヨークと、を備え、リザーバヨークは、リザーバハウジングブロック内の少なくとも１つのガスリザーバを備える。少なくとも１つの実施形態では、リザーバハウジングブロックは、表面実装基板に隣接する非平面側壁を含むことができ、非平面側壁は、複数の凹んだ輪郭（ｒｅｃｅｓｓｅｄ ｃｏｎｔｏｕｒ）と、非平面側壁に沿って延びる複数の溝と、を含む。少なくとも１つの実施形態では、リザーバハウジングブロックは、リザーバ容器が収まり得る、１つまたは複数のリザーバウェルを備え得る。リザーバハウジングブロックは、電気加熱器カートリッジウェルを備え得る。少なくとも１つの実施形態では、電気加熱器カートリッジは、加熱器カートリッジウェル内に収まり、熱を提供して、リザーバハウジングブロックを高い温度（ｅｌｅｖａｔｅｄ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）まで上げ得る。加熱器カートリッジウェルは、円筒形状、または任意の好適な円周形状を有することができる。
【0008】
少なくとも１つの実施形態では、１つまたは複数の凹んだ輪郭は、表面実装基板上に実装された１つまたは複数の表面実装構成要素と熱的に接触している。少なくとも１つの実施形態では、１つまたは複数の溝は、表面実装基板から延びる１つまたは複数のガスライン管セクション（ｇａｓ ｌｉｎｅ ｔｕｂｉｎｇ ｓｅｃｔｉｏｎ）と熱的に接触している。
【0009】
少なくとも１つの実施形態では、ガス流通路は、入口分岐および／または出口分岐を備え得る。入口分岐は、たとえば、入口ポートを通して導入されたキャリアガスと混合するように、前駆体ガスまたは蒸気など、プロセスガスをガス流通路に導入することを可能にし得る。少なくとも１つの実施形態では、表面実装基板を出るプロセスガスはまた、流通路表面との熱的接触によって予熱され得る。少なくとも１つの実施形態では、流通路表面への熱は、表面実装基板内に組み込まれた加熱器カートリッジによって供給され得る。少なくとも１つの実施形態では、プロセスガスリザーバサブアセンブリは、表面実装基板の周辺にあり、それにすぐ隣接し得る。少なくとも１つの実施形態では、表面実装基板およびリザーバハウジングブロックおよびリザーバ容器など、プロセスガス調整アセンブリの構成要素は、化学的に耐性のある導電性またはポリマー材料を備え得る。
【0010】
本明細書で説明される材料は、限定ではなく例として添付図に示される。説明の簡潔および明快のために、図に示されている要素は、必ずしも、一定の尺度で、および厳密なロケーションまで、描かれているとは限らない。たとえば、いくつかの要素の寸法は、明快のために、他の要素に対して誇張され得る。また、様々な物理的特徴が、説明の明快のためにそれらの簡略化された「理想的な」形態および幾何学的形状で表され得るが、それにもかかわらず、実際の実装形態が、図示された理想に近似し得るにすぎないことを理解されたい。たとえば、滑らかな表面および直角の交点が、ナノ作製（ｎａｎｏｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ）技法によって形成された構造を特徴づける、有限の粗さ、角の丸み、および不完全な角度の交点を無視して、描かれ得る。さらに、適切と見なされる場合、対応するまたは類似する要素を示すために、参照ラベルが図の間で繰り返されている。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1A】少なくとも１つの実施形態による、プロセスガス調整アセンブリの平面図である。
【0012】
【0013】
【0014】
【0015】
【0016】
【図2】少なくとも１つの実施形態による、プロセスガスリザーバサブアセンブリの分解斜視図である。
【0017】
【図3A】少なくとも１つの実施形態による、単一のリザーババンクを備えるプロセスガス調整アセンブリのｘ－ｙ平面における平面図である。
【0018】
【0019】
【図3C】少なくとも１つの実施形態による、水平方向に配向されたプロセスガスリザーバを備えるプロセスガス調整アセンブリのｘ－ｚ平面における側面図である。
【0020】
【図4A】本開示のいくつかの実施形態による、プロセスガス調整アセンブリのｘ－ｚ平面における側面図である。
【0021】
【図4B】少なくとも１つの実施形態による、プロセスガス調整アセンブリのｘ－ｚ平面における側面図である。
【0022】
【図4C】少なくとも１つの実施形態による、プロセスガス調整アセンブリのｘ－ｙ平面における平面図である。
【0023】
【図5A】少なくとも１つの実施形態による、３つのプロセスガス流路を備えるプロセスガス調整アセンブリのｘ－ｙ平面における平面図である。
【0024】
【0025】
【図6A】少なくとも１つの実施形態による、予熱器アセンブリのｘ－ｙ平面における分解平面図である。
【0026】
【0027】
【図6C】少なくとも１つの実施形態による、予熱器アセンブリを備えるプロセスガス調整アセンブリのｘ－ｙ平面における平面図である。
【0028】
【0029】
【図7】少なくとも１つの実施形態による、プロセスガス調整アセンブリを備える半導体処理ツールのｘ－ｚ平面における断面図である。
【0030】
【図8】少なくとも１つの実施形態による、プロセスガス調整アセンブリを動作させるための方法フローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0031】
複数流通路表面実装基板ブロックと、少なくとも１つのプロセスガスリザーバハウジングブロックサブアセンブリと、を備える、コンパクトなモジュラーガス調整アセンブリが、本明細書で開示される。少なくとも１つの実装形態では、２つのプロセスガスリザーバハウジングブロックサブアセンブリが、複数流通路表面実装基板ブロックに隣接し得る。複数流通路表面実装基板ブロック（これ以降、「基板」）は、いくつかの実施形態による、単体のモノリシックブロック内の２つまたはそれ以上のプロセスガス流通路を備え得る。少なくとも１つの実装形態では、２つまたはそれ以上のプロセスガス流路は、単体の基板ブロック内の機械加工された表面下通路であり得る。少なくとも１つの実装形態では、３つまたはそれ以上のプロセスガス流路が、基板内で互いに、隣接し、実質的に平行であり得る。少なくとも１つの実装形態では、基板は、基板中に形成されたウェル内に格納された加熱器カートリッジを備え得る。少なくとも１つの実装形態では、加熱器カートリッジは、基板を実質的に均一な高い温度まで加熱するために基板内のあらかじめ決定された位置にあり得る。
【0032】
プロセスガスは、窒素またはアルゴンなどの不活性キャリアガス、水素、アンモニア、ヒドラジン、酸素、オゾン、または水蒸気などの反応性ガスを含み得る。プロセスガスは、通常、室温において固体または液体である、前駆体物質の前駆体ガスおよび蒸気をも含み得る。概して、プロセスガスは、高い温度まで加熱され得る。高い温度は、堆積チャンバ内の表面反応を可能にし得る。いくつかのプロセスでは、ガスは、たとえば、５００℃またはそれ以上まで加熱され得る。前駆体蒸気は、流路に沿った凝縮または結晶化を回避するために、高い温度まで加熱され得る。また、プロセスガスのうちのいくつかは、腐食性であり得る。不利な条件に耐えるために、プロセスガス調整アセンブリの構成要素が、いくつかの実施形態による、化学的浸食に対するかなりの耐性を有する高温の（ｈｉｇｈ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）機械加工可能な材料を備え得る。したがって、基板は、限定はしないが、ステンレス鋼、または、ハステロイなどの高温のニッケル合金などの材料を備え得る。チタン、タングステン、またはタンタルを含む金属合金など、他の好適な材料も含まれ得る。少なくとも１つの実装形態では、基板は、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）またはフルオロポリマー（たとえば、テフロン（登録商標。以下同じ））など、高温の化学的に耐性のあるポリマーを備え得る。
【0033】
少なくとも１つの実装形態では、基板は、複数の表面実装ガス調整および流量制御構成要素（これ以降、「表面実装構成要素」）を含み得る。表面実装構成要素は、表面実装可能なガスフィルタ、バルブ、および混合チャンバ、ならびに他の好適なガス処理構成要素を含み得る。基板の実装表面上の複数のアパーチャ（ａｐｅｒｔｕｒｅ）が、基板内の、表面実装構成要素と、複数のガス流路と、の間の流体連通を可能にし得る。少なくとも１つの実装形態では、アパーチャの第１のセットが、第１のガス流通路に流体的に結合され得る。少なくとも１つの実装形態では、アパーチャの第２のセットが、第２の流通路に流体的に結合され得る、などである。少なくとも１つの実装形態では、個々のアパーチャは、２つまたは３つのアパーチャのグループにグループ化され得、それらのアパーチャは、個々の表面実装構成要素に流体的に結合される。個々の表面実装構成要素内の内部流通路が、プロセスガス流路の一部として含まれ得る。
【0034】
少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス調整アセンブリは、プロセスガスリザーバサブアセンブリを備える。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスリザーバサブアセンブリは、リザーバハウジングブロックと、取外し可能なリザーバヨークサブアセンブリと、を備え得る。少なくとも１つの実装形態では、リザーバヨークサブアセンブリは、リザーバハウジングブロック中のウェル内に収まる１つまたは複数のチャージボリューム（ｃｈａｒｇｅ ｖｏｌｕｍｅ）キャニスター（たとえば、リザーバ容器）を備える。少なくとも１つの実装形態では、リザーバハウジングブロックは、リザーバ容器内に含まれているガスまたは蒸気をあらかじめ決定された温度において維持するための、複数の加熱器カートリッジを備え得る。少なくとも１つの実装形態では、個々の加熱カートリッジは、リザーバハウジングブロック内に分散された加熱カートリッジウェル内に位置し得る。少なくとも１つの実装形態では、加熱器カートリッジの数およびロケーションが、リザーバハウジングブロックをあらかじめ決定された温度において維持するのに十分な熱を提供するように、あらかじめ決定され得る。
【0035】
少なくとも１つの実装形態では、あらかじめ決定された温度は、動作中に３００℃を超え得る。そのような温度に耐えるために、いくつかの実施形態では、ブロックハウジングサブアセンブリおよびリザーバ容器サブアセンブリは、ステンレス鋼、ハステロイ、セラミック、または、ＰＥＥＫなどの高温のポリマーなど、高温の、化学的に耐性のある材料を備え得る。
【0036】
基板は、複数の加熱器カートリッジによって加熱され得るが、基板に取り付けられた表面実装構成要素は、高い表面対ボリューム比を有し、高い温度において維持するのがより困難であり得る。その結果、表面実装構成要素は、低温スポットをもち、プロセス蒸気の凝縮による詰まりを受けやすいことがある。表面実装構成要素の周りにおよびそれらの間に配置された断熱は、ある温度を上回ると、凝縮を緩和するのに十分でないことがある。凝縮から保護するために、少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスリザーバサブアセンブリは、複数の輪郭を備える非平面側壁を備える。それらの輪郭は、表面実装構成要素と、リザーバハウジングブロックの側壁と、の間の接触面積を最大化するために、基板上に実装された隣接する表面実装構成要素の形状と相補的であり得る。側壁輪郭は、隣接する表面実装構成要素と直接接触しているか、または小さいギャップを通じて極めて近接していることがある。表面実装構成要素の表面と、リザーバハウジングブロックの波形の（ｓｃａｌｌｏｐｅｄ）側壁と、の間の小さいギャップまたは密接な接触は、表面実装構成要素の温度制御を容易にし得る。
【0037】
少なくとも１つの実装形態では、リザーバハウジングブロックは、キャリアガスを移送するガスライン管に適応するための波形の側壁に沿って延びる深い溝をも備え得る。少なくとも１つの実装形態では、ガスライン管は、基板内のガス流路に結合され得る。少なくとも１つの実装形態では、リザーバハウジングブロック側壁中の深い溝は、キャリアガスを予熱し、前駆体蒸気の凝縮を緩和するために、その管を高い温度において維持し得る。
【0038】
いくつかの事例では、以下の説明では、よく知られている方法およびデバイスは、本開示を不明瞭にすることを回避するために、詳細にではなく、ブロック図の形態で示されている。本明細書全体にわたる、「一実施形態（ａｎ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」または「一実施形態（ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」または「いくつかの実施形態（ｓｏｍｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」への言及は、その実施形態に関して説明される特定の特徴、構造、機能、または特性が、本開示の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書全体にわたる様々な箇所における「一実施形態では（ｉｎ ａｎ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」または「一実施形態では（ｉｎ ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」または「いくつかの実施形態では（ｉｎ ｓｏｍｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」という句の出現は、必ずしも本開示の同じ実施形態を指しているとは限らない。さらに、特定の特徴、構造、機能、または特性が、１つまたは複数の実施形態において任意の好適な様式で組み合わせられ得る。たとえば、第１の実施形態および第２の実施形態に関連する特定の特徴、構造、機能、または特性が、相互排他的でないいかなるところでも、第１の実施形態は、第２の実施形態と組み合わせられ得る。
【0039】
ここで、「結合された」および「接続された」は、それらの派生語とともに、構成要素間の機能的および構造的関係について説明するために使用され得る。これらの用語は、互いの同義語として意図されない。むしろ、特定の実施形態では、「接続された」は、２つまたはそれ以上の要素が、互いと、直接物理的に、光学的に、または電気的に接触していることを示すために使用され得る。ここで、「結合された」は、２つまたはそれ以上の要素が、互いと、直接または（それらの間の他の介在要素を伴って）間接的にのいずれかで物理的に、電気的に接触しているか、または磁気的に接触していること、および／あるいは、２つまたはそれ以上の要素が、（たとえば、原因結果関係の場合のように）互いに協働または相互作用することを示すために、使用され得る。ここで、「結合された」はまた、概して、ある電子構成要素を別の電子構成要素に直接取り付けることを指し得る。電界または磁界が、ある構成要素を別の構成要素に結合し得、電界または磁界は、何らかの様式で別の構成要素に影響を及ぼすようにある構成要素によって制御される。
【0040】
ここで、「の上に（ｏｖｅｒ）」、「の下に（ｕｎｄｅｒ）」、「の間に（ｂｅｔｗｅｅｎ）」、および「上に（ｏｎ）」は、概して、そのような物理的関係が注目すべきものである場合、ある構成要素または材料の、他の構成要素または材料に対する相対位置を指し得る。これらの用語は、「直接（ｄｉｒｅｃｔ）」または「直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）」で修飾されない限り、１つまたは複数の介在構成要素または材料が存在し得る。同様の区別が、構成要素アセンブリの文脈において行われるべきである。この説明全体を通しておよび特許請求の範囲において使用される、「のうちの少なくとも１つ」または「のうちの１つまたは複数」という用語によって連結された項目のリストは、リストされた用語の任意の組合せを意味することができる。
【0041】
ここで、「隣接する（ａｄｊａｃｅｎｔ）」は、概して、ある物の位置が、別の物の隣に（ｎｅｘｔ ｔｏ）ある（たとえば、それのすぐ隣にあるか、またはそれらの間の１つまたは複数の物を伴ってそれに近い（ｃｌｏｓｅ ｔｏ））かまたは近接する（ａｄｊｏｉｎ）（たとえば、それに当接する（ａｂｕｔ））ことを指し得る。
【0042】
ここで、「アセンブリ」は、概して、一緒に組み立てられたときに個々に機能的であり得るにすぎない複数の構成要素を備える装置を指し得る。
【0043】
ここで、「サブアセンブリ」は、概して、アセンブリの部分を指し得る。サブアセンブリは、全アセンブリを構成する構成要素の総数のサブセットを備え得る。少なくとも１つの実装形態では、サブアセンブリは、アセンブリ全体のセクションである。少なくとも１つの実装形態では、エンジンアセンブリのエンジンブロックサブアセンブリが、エンジンブロックと、クランクシャフトと、ピストンと、を備え得る。少なくとも１つの実装形態では、エンジンブロックサブアセンブリは、それ自体で機能的でないことがある。少なくとも１つの実装形態では、エンジンアセンブリは、エンジンブロックサブアセンブリとともに働くべき、燃料送出サブアセンブリおよび他のサブアセンブリを使用し得る。
【0044】
ここで、「ブロック構造」は、概して、概して直線的である構造を指し得る。少なくとも１つの実装形態では、ブロックは、実質的に直線的な３次元フォームファクタを有する材料（たとえば、鋼）の固体塊であり得る。少なくとも１つの実装形態では、ブロックは、標準的な機械加工ツールによってミリングおよび穿孔されるか、または、たとえば３Ｄ印刷によって、付加的に形成され得る。
【0045】
ここで、「ガス調整」は、概して、下流プロセスのためのプロセス事前調整プロセスガスを指し得る。少なくとも１つの実装形態では、事前調整は、プロセスガスのフィルタリング、圧力調節、流量調節、および予熱または冷却の段を備え得る。少なくとも１つの実装形態では、下流プロセスは、化学気相堆積であり得る。
【0046】
ここで、「プロセスガス」は、概して、アルゴン、窒素、酸素、または水素など、不活性または反応性キャリアガスを指し得る。少なくとも１つの実装形態では、ある物質が、室温において気体状態にある場合、その物質は、ガスと見なされ得る。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスはまた、前駆体物質の蒸気を含んでいるか、またはその蒸気であり得る。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスにおいて、前駆体物質は、概して、昇華または沸騰のいずれかによって、高い温度において蒸気状態にある。少なくとも１つの実装形態では、蒸気は、臨界温度を下回る温度において凝縮または結晶化し得る。
【0047】
ここで、「ガス調整アセンブリ」は、概して、源から、化学気相堆積ツールなど、半導体プロセスツールに移動する（たとえば、本明細書で定義される）プロセスガスを調整するように構成された複数の構成要素を備える、装置を指し得る。
【0048】
ここで、「前駆体物質」は、概して、堆積プロセス中に表面上の固体膜に変換するための表面反応または気相反応を受けることができる化学物質を指し得る。少なくとも１つの実装形態では、前駆体は、表面膜を作成するための表面反応または気相反応を伴われる化学反応物であり得る。
【0049】
ここで、「アパーチャ」は、概して、表面上の穴、オリフィス、または開口を指し得る。少なくとも１つの実装形態では、開口は、たとえば、表面下通路と、ブロック構造または他のタイプの構造の表面と、の交点であり得る。
【0050】
ここで、「溝」は、概して、表面上の細長い浅い切断部またはトレンチを指し得る。
【0051】
ここで、「表面実装基板」または単に「基板」は、概して、ガスまたは液体の移送のための表面下流通路を有するプレートまたはブロックを指し得る。少なくとも１つの実装形態では、基板は、実装表面を備え、実装表面上に、表面実装可能なバルブ、フィルタ、圧力調節器、ゲージ、管カプラなどが、ボルトで留められ得る。少なくとも１つの実装形態では、実装表面は、表面実装構成要素の下部フランジ上の入口ポートおよび出口ポートに整合する複数のアパーチャを備える。少なくとも１つの実装形態では、アパーチャは、内部流路に流体的に結合される。少なくとも１つの実装形態では、表面アパーチャとの、表面実装構成要素の下部上の流体ポートの整合によって、表面実装構成要素は、表面下流通路と一列に並んでいることがある。少なくとも１つの実装形態では、結合は、連続的であり得、したがって、流体は、表面実装構成要素を通って流れることを強制され得る。
【0052】
ここで、「表面実装構成要素」は、概して、モジュラーバルブ、流量コントローラ、ゲージ、フィルタ、圧力調節器などを指し得、それらは、表面実装基板上にボルトで留められた底部フランジを備え得る。少なくとも１つの実装形態では、表面実装基板は、表面下流通路を通してガスまたは液体を流すように構成され得、行または列に沿った一連のアパーチャが、その流通路に沿った間隔において流路を利用することによって、その表面下流通路に流体的に結合される。少なくとも１つの実装形態では、アパーチャは、複数の表面実装構成要素の下部上の入口ポートおよび出口ポートに整合され得、液体またはガスが、連続的に、同じ表面下流通路に流体的に結合された表面実装構成要素に入り得る。少なくとも１つの実装形態では、複数の表面実装構成要素は、表面下流路に続くアパーチャの行または列に沿って基板に取り付けることによって、同じ表面下流通路に結合され得る。
【0053】
ここで、「ガス流通路」は、概して、表面実装基板の内部内に延びる、ガスの移送および分配を可能にする、ブロック構造、たとえば、上記で定義された基板内の一体の導管を指し得る。少なくとも１つの実装形態では、表面下流通路は、基板の本体内で斜めに延びる、個々の内部のＵ字形またはＶ字形セグメントを備え得る。少なくとも１つの実装形態では、セグメントは、基板の実装表面と交差し得る。表面アパーチャは、交差ポイントにおいてセグメントに通じ得る。少なくとも１つの実装形態では、表面下流通路の接続されていない内部セグメントが、表面実装構成要素が、流路の一部になることを可能にし得る。表面実装構成要素を通る流体の連続的な流れが可能にされ得、したがって、その流体（たとえば、ガスまたは液体）は、一連の表面実装構成要素を通って流れ得る。少なくとも１つの実装形態では、流体は、ある構成要素においてフィルタリングされ、後続の構成要素おいて圧力調節される、などであり得る。
【0054】
ここで、「表面実装ガス処理構成要素」は、概して、ガスのために特殊化された表面実装構成要素を指し得る。
【0055】
ここで、「流体的に結合された」は、概して、流体（たとえば、ガスまたは液体）が、ある構成要素から別の構成要素に流れ得るようなやり方で結合された、構成要素を指し得る。少なくとも１つの実装形態では、導管は、それが、容器の内部に通じるとき、容器に流体的に結合され、流体が、導管と、容器と、の間に流れることを可能にし得る。
【0056】
ここで、「リザーバ」は、概して、ガスまたは液体を含んでいるためのまたは保管のための、およびガスまたは液体の流れのコンテナ源としての、容器を指し得る。
【0057】
ここで、「ガスリザーバ」は、概して、ガスを含んでいるための容器を指し得る。容器は、たとえば、圧力容器であり得る。少なくとも１つの実装形態では、ガスは、プロセスガスであり得る。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスは、加圧されたガスシリンダーなど、化学気相堆積プロセスにおいて採用され得る。少なくとも１つの実装形態では、リザーバは、本明細書で定義されるチャージボリュームキャニスターであり得る。
【0058】
ここで、「チャージボリューム」は、概して、プロセスガスのボリュームを指し得る。プロセスガスは、ガスリザーバ内のチャージ（ｃｈａｒｇｅ）であり得る。
【0059】
ここで、「チャージボリュームキャニスター」は、概して、ガスチャージを保持するキャニスター形状ガスリザーバを指し得る。少なくとも１つの実装形態では、チャージは、概して、キャニスター内のガスチャージを指し得、ガスは、概して、圧力下にあり得る。少なくとも１つの実装形態では、ボリュームは、概して、キャニスターのボリュームを指し得る。少なくとも１つの実装形態では、キャニスターは、概して、円筒フォームファクタを有し得る。
【0060】
ここで、「プロセスガスリザーバ」は、概して、リザーバハウジングブロックと、リザーバヨークと、を備えるプロセスガス調整アセンブリのサブアセンブリを指し得る。
【0061】
ここで、「リザーバヨーク」は、概して、少なくとも１つのガスリザーバに流体的におよび機械的に結合されたガス分配マニホルドヨークを備える構造を指し得る。少なくとも１つの実装形態では、ガスリザーバは、たとえば、チャージボリュームキャニスターであり得る。少なくとも１つの実装形態では、マニホルドヨークは、少なくとも１つのリザーバ（たとえば、チャージボリュームキャニスター）の剛性の機械的支持を提供し得る。少なくとも１つの実装形態では、マニホルドヨークは、２つまたはそれ以上のガスリザーバ間の流体結合を可能にする導管を備え得る。
【0062】
ここで、「リザーバハウジングブロック」は、概して、１つまたは複数のガスリザーバ（たとえば、チャージボリュームキャニスター）を収めるためのウェルを備えるブロックを指し得る。少なくとも１つの実装形態では、リザーバハウジングブロックは、ブロックストック（ｓｔｏｃｋ）から機械加工されるか、または、たとえば、３Ｄ印刷によって、付加的に形成され得る。
【0063】
ここで、「非平面側壁」は、概して、凹んだ輪郭など、基準平面に対する非平面特徴を備える、ガスリザーバサブアセンブリブロックの側壁を指し得る。
【0064】
ここで、「凹んだ輪郭」は、概して、ガスリザーバサブアセンブリの側壁（たとえば、非平面側壁）の基準平面の下方に凹んでいる輪郭を指し得る。少なくとも１つの実装形態では、輪郭は、円弧または非円弧を含み得る。
【0065】
ここで、「ガスライン管」は、概して、ガスライン管セクションまたはセグメントのシステム内のあるポイントから別のポイントにガスを移送するために採用される金属またはポリマー管を指し得る。
【0066】
ここで、「ガスライン管セクション」は、概して、小さい長さの、ガスライン管を指し得る。
【0067】
ここで、「ライザー」は、概して、実質的に垂直方向に延びるガスライン管セクションを指し得る。
【0068】
ここで、「予熱器アセンブリ」は、概して、ガスライン管セクションを通って流れるガスを予熱するための、ガスライン管セクションがそこを通過するプロセスガス調整アセンブリの構成要素を指し得る。少なくとも１つの実装形態では、予熱器アセンブリは、基板に入るガスライン管と一列に並んでいるか、またはチャージボリュームに入るガスライン管セクションと一列に並んでいることがある。少なくとも１つの実装形態では、予熱器アセンブリは、スタックアセンブリにおいて配列（ａｒｒａｎｇｅ）された複数のプレートを備え得る。少なくとも１つの実装形態では、ガスライン管セクションは、スタックアセンブリ中の隣接するプレート間を通過し得る。
【0069】
ここで、「スタックアセンブリ」は、概して、スタックになるように組み立てられた複数のプレートを指し得る。
【0070】
ここで、「熱的接触」は、概して、機械的に接続された、または極めて近接している、２つの表面間の伝導性熱伝達を指し得る。後者の条件では、第１の表面と、第２の表面と、の間に、小さいギャップ（たとえば、１ミリメートル以下）が存在し得る。
【0071】
ここで、「加熱器カートリッジ」は、概して、円筒パッケージ中の電気加熱要素を指し得る。少なくとも１つの実装形態では、加熱器カートリッジは、概して、たとえば、ガスリザーバサブアセンブリブロック、および表面実装基板内に形成され得る、同様の寸法のウェル内に格納され得る。
【0072】
ここで、「加熱器カートリッジウェル」は、概して、加熱器カートリッジがその中に挿入され、収められ得る、ブロック構造中に形成された止まり穴、またはウェルを指し得る。
【0073】
ここで、「加熱されるパネル」は、概して、加熱器カートリッジを備えるブロック構造を指し得る。少なくとも１つの実装形態では、加熱されるパネルは、本明細書で定義される非平面側壁を備える構造であり得る。少なくとも１つの実装形態では、加熱されるパネルサブアセンブリは、加熱されるパネルが、非平面側壁を備えるという点で、リザーバハウジングブロックと同様であり得るが、リザーバウェルを備えないことがある。
【0074】
ここで、「半導体プロセスツール」は、概して、集積電子回路およびマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスが、半導体ウエハ上に作製され得る、真空チャンバを備える装置を指し得る。少なくとも１つの実装形態では、半導体ウエハは、一般に高真空において行われる、様々な堆積およびエッチングプロセスによって処理され得る。少なくとも１つの実装形態では、高真空が、真空チャンバ内に生じ得る。
【0075】
ここで、「シャワーヘッド」は、概して、半導体プロセスツールの真空チャンバにおいて採用されるガス投入マニホルドを指し得る。少なくとも１つの実装形態では、シャワーヘッドは、プロセスガスがそこを通して真空チャンバに与えられ得る、複数のアパーチャを備え得る。少なくとも１つの実装形態では、シャワーヘッドは、ガス調整アセンブリを通過するプロセスガスによって、またはプロセスガス源から直接原料を送られ得る。少なくとも１つの実装形態では、シャワーヘッドは、半導体プロセスツール真空チャンバにおいて採用され得る。
【0076】
ここで、「シャワーヘッド入口アダプタ」は、概して、プロセスガス調整アセンブリからの出口導管が、シャワーヘッドに機械的に結合するために横断し得る、ブロックを指し得る。少なくとも１つの実装形態では、シャワーヘッド入口アダプタは、出口導管がそこを通って延び得る、管腔（たとえば、管状キャビティ）を備え得る。少なくとも１つの実装形態では、出口導管は、シャワーヘッドのチャンバに通じる環状アパーチャにおいて終端し得る。
【0077】
ここで、「導管」は、概して、ガスまたは液体を搬送するパイプまたは管を指し得る。
【0078】
ここで、「環状アパーチャ」は、概して、環形状開口またはアパーチャを指し得る。
【0079】
ここで、「真空チャンバ」は、概して、高真空までポンピングされたチャンバを指し得る。少なくとも１つの実装形態では、真空チャンバは、集積回路およびＭＥＭＳデバイスの作製のための半導体プロセスツールにおいて採用され得る。少なくとも１つの実装形態では、堆積、洗浄およびエッチングプロセスは、最も一般的には、真空チャンバにおいて行われる。
【0080】
その使用の明示的文脈において別段に規定されていない限り、「実質的に等しい（ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙ ｅｑｕａｌ）」、「およそ等しい（ａｂｏｕｔ ｅｑｕａｌ）」、および「ほぼ等しい（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ ｅｑｕａｌ）」という用語は、概して、そのように説明される２つの物間の、せいぜい、付随的変動があることを意味し得る。当技術分野では、そのような変動は、一般に、言及される値のせいぜい＋／－１０％である。
【0081】
図１Ａは、少なくとも１つの実装形態による、プロセスガス調整アセンブリ１００のｘ－ｙ平面における平面図を示す。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス調整アセンブリ１００は、表面実装基板１０２と、それぞれ、プロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８および１２０と、を備える。少なくとも１つの実施形態では、プロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８および１２０は、表面実装基板１０２の、それぞれ、反対側の横方向側壁１２２および１２４に隣接し得る。
【0082】
少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８および１２０は、それぞれ、リザーバハウジングブロック１２６および１２８を備え得る。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８および１２０は、図２に示されているリザーバヨーク２００など、リザーバヨークをさらに備え得る。
【0083】
少なくとも１つの実装形態では、表面実装基板１０２は、表面実装基板１０２の実装表面であり得る表面１０６に取り付けられた複数の表面実装構成要素１０４の取付けのためのプラットフォームとして働き得る。少なくとも１つの実装形態では、ガス流通路１０８が、表面１０６の下方の、表面実装基板１０２の本体内に延び得る。ガス流通路１０８の断面図が、図１Ａ中の上側挿入図に示されている。少なくとも１つの実装形態では、ある流通路、流通路１０８が示されている。少なくとも１つの実装形態では、複数の流通路が存在し得る。少なくとも１つの実装形態では、ガス流通路１０８は、表面１０６の下方の表面実装基板１０２内に延びる表面下ガス流通路であり得る。少なくとも１つの実施形態では、ガス流通路１０８は、入口ポート１０９と、出口ポート１１１と、において終端し得る。その通路内の矢印が、確立され得る例示的なガス流路を示す。示されているような少なくとも１つの実装形態では、ガス流通路１０８は、表面１０６上で終端し得る複数のセグメント１１０を備え得る。少なくとも１つの実装形態では、複数のセグメント１１０は、表面１０６と交差する２つの終端を備える。少なくとも１つの実装形態では、表面１０６との交差ポイントにおいて、アパーチャ１１２があり得る。
【0084】
少なくとも１つの実装形態では、複数のセグメント１１０は、表面実装構成要素１０４内の流路によって互いに流体的に結合され得る。少なくとも１つの実装形態では、表面実装構成要素１０４は、複数のセグメント１１０に流体的に結合され得、ガス流通路１０８に流体的に結合され得る。少なくとも１つの実装形態では、表面実装構成要素１０４は、たとえば、流量制御バルブ、ゲージ、圧力調節器、質量流量コントローラ、または混合器であり得る。少なくとも１つの実装形態では、表面実装構成要素１０４は、フィルタと、他のガス調整構成要素と、をも備え得る。少なくとも１つの実装形態では、（たとえば、１０４ａ、１０４ｂおよび１０４ｃと標示された）表面実装構成要素１０４内のキャビティ（図示せず）が、ガス流通路１０８と一列に並んでおり、したがって、ガス流路の一部であり得る。少なくとも１つの実装形態では、ガス流通路１０８は、入口分岐および／または出口分岐１１４を備え得る。
【0085】
明快のために、いくつかの表面実装構成要素１０４は、表面実装基板１０２の表面１０６上の、下にあるアパーチャ１１２を示すために、図中の破線ボックス内の破線円によって示され得る。少なくとも１つの実装形態では、アパーチャ１１２は、表面実装構成要素の下部における入口ポートおよび出口ポートに対応する、２つまたは３つのグループに分けられ得る。少なくとも１つの実装形態では、アパーチャ１１２は、表面実装基板１０２内のガス流通路（たとえば、ガス流通路１０８）（これは、平面図中のアパーチャ１１２のセット間に延びる隠れ線によっても示されている）に流体的に結合され得る。少なくとも１つの実装形態では、表面実装構成要素１０４は、フランジ１１５にボルトで留めることによって、表面１０６に実装され得る。少なくとも１つの実装形態では、ボルトは、フランジ１１５におけるボルト穴（図示せず）を通されて、表面１０６上の受入ボルト穴（図示せず）と係合し得る。少なくとも１つの実装形態では、（下側挿入図に示されている）フランジ１１５の下部上のポート１１７が、グループ化されたアパーチャ１１２に整合され得る。少なくとも１つの実装形態では、アパーチャ１１２は、Ｏリングに適応するように座ぐりされる。
【0086】
少なくとも１つの実装形態では、入口分岐は、たとえば、入口ポート１０９を通して導入されたキャリアガスと混合するように、前駆体ガスまたは蒸気など、プロセスガスをガス流通路１０８に導入することを可能にし得る。少なくとも１つの実装形態では、出口分岐は、ガス流通路１０８から分岐流路へのプロセスガスの分流、または大気へのガスの排出を可能にし得る。少なくとも１つの実装形態では、入口分岐は、下側表面１１６など、表面１０６以外の表面上で、または側壁において終端し得る。少なくとも１つの実装形態では、出口ポート１１１を通って表面実装基板１０２を出るプロセスガスが、表面実装構成要素によって事前調整され得る。少なくとも１つの実装形態では、表面実装基板１０２を出るプロセスガスはまた、流通路表面との熱的接触によって予熱され得る。少なくとも１つの実装形態では、流通路表面への熱は、以下で説明されるように、表面実装基板１０２内に組み込まれた加熱器カートリッジによって供給され得る。
【0087】
少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８および１２０は、表面実装基板１０２の周辺にあり、それにすぐ隣接し得る。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス調整アセンブリ１００は、デュアルプロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８および１２０を備える。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス調整アセンブリ１００は、プロセスガスリザーバサブアセンブリ（たとえば、それぞれ、プロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８またはプロセスガスリザーバサブアセンブリ１２０のいずれか）を備え得る。少なくとも１つの実施形態では、プロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８および１２０は、それぞれ、表面実装基板１０２の、反対側の横方向側壁１２２および１２４に隣接し得る。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８および１２０は、それぞれ、リザーバハウジングブロック１２６およびリザーバハウジングブロック１２８を備える。
【0088】
少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８および１２０は、図２に示されているおよび本明細書で説明されるリザーバヨーク２００など、プロセスガスリザーバサブアセンブリをさらに備える。少なくとも１つの実装形態では、リザーバヨーク２００は、１つまたは複数のリザーバ容器を備え得る。明快のために、リザーバサブアセンブリは、リザーバハウジングブロック１２６および１２８を示す、図１Ａの平面図において省略されている。
【0089】
少なくとも１つの実施形態では、（以下で説明される）表面実装基板１０２ならびにリザーバハウジングブロック１２６および１２８ならびにリザーバ容器など、プロセスガス調整アセンブリ１００の構成要素が、ステンレス鋼合金、または、ハステロイなどの高温のニッケル合金、ならびに、チタン、タングステン、およびタンタルなどのバルブ金属材料を備える合金など、化学的に耐性のある材料を備え得る。少なくとも１つの実装形態では、限定はしないが、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、および、テフロンなどのフルオロポリマーなど、高温の化学的に耐性のあるポリマーが採用され得る。
【0090】
少なくとも１つの実装形態では、リザーバハウジングブロック１２６および１２８は、それぞれ、図示のように、概して直線的な形状を有し得る。少なくとも１つの実装形態では、リザーバハウジングブロック１２６および１２８は、それぞれ、リザーバ容器が収まり得る、１つまたは複数のリザーバウェルを備え得る。少なくとも１つの実装形態では、リザーバハウジングブロック１２６は、表面１３４からｚ方向に（たとえば、図の平面の下方に）延び得るリザーバウェル１３０および１３２を備える。少なくとも１つの実装形態では、リザーバハウジングブロック１２８は、表面１３５からｚ方向に延び得るリザーバウェル１３６および１３８を備える。少なくとも１つの実装形態では、リザーバハウジングブロック１２６および１２８は、それぞれ、加熱器カートリッジウェル１４０を備え得る。少なくとも１つの実装形態では、加熱器カートリッジウェル１４０は、たとえば、それぞれ、リザーバハウジングブロック１２６および１２８の外側側壁１４１および１４２から、表面１３４の下方のｚ方向に（たとえば、図の平面の下方に）、または水平方向に（たとえば、ｘ方向および／またはｙ方向に）延び得る。少なくとも１つの実装形態では、電気加熱器カートリッジ（図示せず）が、加熱器カートリッジウェル１４０内に収まり、熱を提供して、リザーバハウジングブロック１２６および１２８を高い温度まで上げ得る。
【0091】
加熱器カートリッジウェル１４０は、図示の実施形態では、円筒形状を有することが示されているが、少なくとも１つの実装形態による、任意の好適な円周形状が考慮され得る。少なくとも１つの実装形態では、加熱器カートリッジは、加熱器カートリッジウェル１４０に対して円筒幾何学的形状を使用して、円形断面を有し得る。少なくとも１つの実装形態では、加熱器カートリッジウェル１４０の数および配置が、リザーバハウジングブロック１２６および１２８の最適な加熱のために調節（ａｄｊｕｓｔ）され得る。少なくとも１つの実装形態では、リザーバハウジングブロック１２６および１２８は、リザーバ容器およびガスライン管内に含まれているプロセスガスに熱を提供し、それらを高い温度において維持し得る。
【0092】
少なくとも１つの実装形態では、リザーバハウジングブロック１２６は、リザーバハウジングブロック１２８と実質的に同等であり得る。以下の段落は、リザーバハウジングブロック１２６の特徴について説明するが、同じ説明は、実質的に、リザーバハウジングブロック１２８に適用され得る。少なくとも１つの実装形態では、リザーバハウジングブロック１２６は、非平面側壁１４４をさらに備える。少なくとも１つの実装形態では、非平面側壁１４４は、凹んだ輪郭１４６を備える。少なくとも１つの実装形態では、凹んだ輪郭１４６は、非平面側壁１４４のための極めて非平面の（たとえば、波形の）表面アーキテクチャを提供し得る。
【0093】
４つの凹んだ輪郭１４６が、図に示されているが、少なくとも１つの実装形態による、任意の好適な数の凹んだ輪郭が存在し得る。少なくとも１つの実装形態では、凹んだ輪郭１４６は、隣接する表面実装構成要素１０４の形状に適合し得る。少なくとも１つの実装形態では、凹んだ輪郭１４６は、円弧を含み得る。少なくとも１つの実装形態では、凹んだ輪郭１４６の形状は、表面実装基板１０２上の隣接する表面実装構成要素と相補的であるようになされ得る。少なくとも１つの実装形態では、凹んだ輪郭１４６は、円弧に従う。円形輪郭は、隣接する表面実装構成要素の円筒形状全体を補完し得る。構成要素の平面図が、概して円形のプロファイルを有し得る。少なくとも１つの実装形態では、正方形ボックスが、表面実装構成要素１０４の底部フランジ１４８に対応する。
【0094】
少なくとも１つの実装形態では、凹んだ輪郭１４６は、表面実装構成要素１０４を部分的に囲み、非平面側壁１４４から表面実装構成要素１０４への熱的接触を提供し得る。少なくとも１つの実装形態では、（高い温度まで加熱される）プロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８と、隣接する表面実装構成要素１０４と、の間の熱伝達が、凹んだ輪郭１４６の丸みを帯びた表面によって与えられる接触表面積の増加によって向上され得る。少なくとも１つの実装形態では、凹んだ輪郭１４６は、熱伝達を最大化するために表面実装構成要素１０４に機械的に接触し得る。少なくとも１つの実装形態では、凹んだ輪郭１４６と、表面実装構成要素１０４と、の間に、小さいギャップ（たとえば、１ｍｍ以下）が存在し得る。少なくとも１つの実装形態では、そのギャップは、空気、液体、または固体熱伝達材料で充填され得る。
【0095】
少なくとも１つの実装形態では、リザーバハウジングブロック１２６は、溝１５０をさらに備える。溝１５０は、図示のように、凹んだ輪郭１４６の深さの下方に凹んでいることがある。溝１５０間の距離は、任意の好適な距離であり得る。少なくとも１つの実装形態では、溝１５０は、任意の好適なパターンで、非平面側壁１４４に沿って分散され得る。少なくとも１つの実装形態では、溝１５０は、ライザー１５２など、プロセスガスを運ぶガスライン管を収め、そのガスライン管への熱的接触を提供するための、加熱される通路を提供し得る。
【0096】
少なくとも１つの実装形態では、リザーバハウジングブロック１２８は、非平面側壁１５４を備える。少なくとも１つの実装形態では、非平面側壁１５４は、凹んだ輪郭１５６ａ～ｄを備える。少なくとも１つの実装形態では、凹んだ輪郭１５６ａ～ｄは、凹んだ輪郭１４６と同様に、円弧を含み得る。少なくとも１つの実装形態では、凹んだ輪郭１５６ａ～ｄは、概して、非平面側壁１５４に隣接する表面実装構成要素１０４の形状全体に適合し得る。少なくとも１つの実装形態では、非平面側壁１５４は、凹んだ輪郭１５６ａ～ｄの下方の深さまで非平面側壁１５４中に凹んでいる、溝１５８をも備え得る。
【0097】
少なくとも１つの実装形態では、ガスライン管１６０が、表面実装基板１０２の、それぞれ、横方向側壁１２２および１２４から横方向に延び得る。少なくとも１つの実装形態では、ガスライン管１６０は、図の平面の上方のｚ方向に延びるライザー１５２に結合し得る。少なくとも１つの実装形態では、組み立てられた状態において、表面実装基板１０２の横方向側壁１２２から現れるライザー１５２は、非平面側壁１４４内の溝１５０内に収まり得る。少なくとも１つの実装形態では、表面実装基板１０２の横方向側壁１２４から現れるライザー１５２は、リザーバハウジングブロック１２８の非平面側壁１５４上の溝１５８内に収まり得る。少なくとも１つの実装形態では、ライザー１５２は、（上記で説明された）溝１５０および溝１５８の表面との熱的接触によって加熱され得る。少なくとも１つの実装形態では、溝１５０および１５８によって、ライザー１５２内に流れるプロセスガスが、表面実装基板１０２に達する前に予熱され得る。
【0098】
図１Ｂは、少なくとも１つの実装形態における、プロセスガス調整アセンブリ１００の部分断面図を示す。図１Ｂ中の断面図は、図１Ａ中の、それぞれ、リザーバハウジングブロック１２６および１２８にわたってなされた切断線Ａ－Ａ’およびＢ－Ｂ’に沿ってとられた。リザーバハウジングブロック１２６および１２８を通る断面図は、断面における、それぞれ、リザーバウェル１３２および１３８を示す。少なくとも１つの実装形態では、非平面側壁１４４および１５４は、それぞれ、上側平面部分１６２および１６４を、それぞれ備える。少なくとも１つの実装形態では、上側平面部分１６２および１６４は、表面実装構成要素１０４上のノブ１６６へのアクセスを提供するために深さｄまで凹んでいることがある。少なくとも１つの実装形態では、ノブ１６６は、たとえば、バルブおよび流量コントローラの手動調節（ａｄｊｕｓｔｍｅｎｔ）および保守を可能にするために、表面実装構成要素１０４の上部上に配設され得る。
【0099】
少なくとも１つの実装形態では、非平面側壁１４４および１５４は、それぞれ、下側平面部分１６３および１６５をも備え得る。少なくとも１つの実装形態では、下側平面部分１６３および１６５は、表面実装基板１０２を、それぞれ、リザーバハウジングブロック１２６および１２８に近接して位置させるためのすきまを提供し得る。
【0100】
少なくとも１つの実装形態では、ライザー１５２は、横方向側壁１２２および１２４から横方向に延びるガスライン管１６０から垂直方向に（たとえば、ｚ方向に）延びることが示されている。少なくとも１つの実装形態では、ライザー１５２は、断面において示されている、溝１５０および１５８内で少なくとも部分的に垂直方向に延び得る。少なくとも１つの実装形態では、ライザー１５２は、溝１５０および１５８の表面１６８および１７０に熱的に接触し、これは、プロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８および１２０から、ライザー１５２内に流れるガスへの、伝導性熱伝達を可能にし得る。
【0101】
少なくとも１つの実装形態では、リザーバウェル１３２および１３８は、それぞれ、リザーバハウジングブロック１２６および１２８の上側表面であり得る、それぞれ、表面１３４および１３５から深さＬまで垂直方向に（たとえば、ｚ方向に）延び得る。少なくとも１つの実装形態では、深さＬは、リザーバウェル１３２および１３８内に収まり得る（図２に示されている）チャージボリュームに適応するように調節され得る。
【0102】
少なくとも１つの実装形態では、表面実装基板１０２は、横方向側壁１２２と、横方向側壁１２４と、の間に延びる前面側壁１７６を備える。少なくとも１つの実装形態では、前面側壁１７６は、図の平面の下方に延びる隣接するデュアルガス流通路１０８に通じ得るアパーチャ１７８および１８０を備え得る。少なくとも１つの実装形態では、１つまたは複数の加熱器カートリッジウェル１８２（たとえば、２つが、図示の実施形態において示されている）も、前面側壁１７６から表面実装基板１０２の内部に（たとえば、図の平面の下方に）延び得る。少なくとも１つの実装形態では、１つまたは複数の加熱器カートリッジウェル１８２は、アパーチャ１７８および１８０から表面実装基板１０２の内部に実質的に平行に延びる表面下流通路間に延び得る。少なくとも１つの実装形態では、１つまたは複数の加熱器カートリッジウェル１８２の深さは、実質的に、１つまたは複数の加熱器カートリッジウェル１８２内に挿入されることになる電気加熱器カートリッジ（図示せず）の長さであり得る。
【0103】
図１Ｃは、プロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８からのリザーバハウジングブロック１２６の非平面側壁１４４の例示的な実施形態のｙ－ｚ平面における側面図を示す。以下の説明は、リザーバハウジングブロック１２８の非平面側壁１５４に等しく適用され得ることが理解され得る。少なくとも１つの実装形態では、非平面側壁１４４は、４つの溝（たとえば、溝１５０ａ、１５０ｂ、１５０ｃ、および１５０ｄ）および凹んだ輪郭１５６ａ、１５６ｂ、１５６ｃ、１５６ｄを備える。少なくとも１つの実装形態では、溝１５０は、図の平面の下方への深い凹みを示すために濃い灰色で陰影を付けられている。表面の深さが、灰色の陰影によって示されている。少なくとも１つの実装形態では、図の平面に一致する表面は、陰影を付けられていない（たとえば、白色）。少なくとも１つの実装形態では、溝１５０は、図の平面の下方の最も大きい深さを有し、したがって、灰色の最も濃い陰影を有し得る。
【0104】
少なくとも１つの実装形態では、溝１５０は、少なくとも部分的に垂直方向に（たとえば、ｚ方向に）延び、αおよびβなどの角度において垂直方向からそれ得る。図１Ｃに示されている溝１５０の特定の形状および分散は、例示的であることが理解され得る。任意の好適な溝アーキテクチャが、プロセスガス調整アセンブリ１００の特定の設計に適するように採用され得る。少なくとも１つの実装形態では、溝１５０は、たとえば、ライザー１５２（図１Ａおよび図１Ｂ）など、溝１５０を通してルーティングされたガスライン管への熱的接触を提供し得る。少なくとも１つの実装形態では、凹んだ輪郭１５６ａ、１５６ｂ、１５６ｃおよび１５６ｄが示されている。少なくとも１つの実装形態では、凹んだ輪郭１５６ａ～ｄは、それらが、溝１５０に対してより浅い深さまで延びることを示すために、溝１５０ａ～ｄよりも明るい、灰色の陰影を有し得る。
【0105】
少なくとも１つの実装形態では、凹んだ輪郭１５６ａ～ｄは、円弧、楕円体弧、または楕円弧に従い得る。少なくとも１つの実装形態では、弧の輪郭は、凹んだ輪郭１５６ａ～ｄが、表面実装構成要素１０４に適合することを可能にし得る（図１Ａ）。少なくとも１つの実装形態では、凹んだ輪郭１５６ａ～ｄは、直線的または任意の湾曲など、他の好適な形状を有し得る。
【0106】
少なくとも１つの実装形態では、非平面側壁１４４は、上側平面部分１６２と、下側平面部分１６３と、を備える。上側平面部分１６２および下側平面部分１６３は、それぞれ、表面実装構成要素への手動アクセスのためのすきまを提供する凹部の深さ（たとえば、図１Ｂに示されている深さｄ）を有し得る。少なくとも１つの実装形態では、上側平面部分１６２は、表面実装構成要素１０４の上部のノブ１６６へのアクセスのためのすきまを提供し得る。少なくとも１つの実装形態では、下側平面部分１６３は、図１Ｂに示されているように、リザーバハウジングブロック１２６に対して表面実装基板１０２を合わせるためのすきまを提供し得る。
【0107】
図１Ｄは、少なくとも１つの実装形態による、加熱されるエンドプレート１８４をさらに備える、プロセスガス調整アセンブリ１００のｘ－ｙ平面における平面図を示す。少なくとも１つの実装形態では、加熱されるエンドプレート１８４は、内側面１８６と、外側面１８８と、を備える。少なくとも１つの実装形態では、溝１９０が、内側面１８６に沿ってｚ方向に（たとえば、垂直方向に）延びる。少なくとも１つの実装形態では、内側面１８６は、それぞれ、リザーバハウジングブロック１２６の前面側壁１９１におよびリザーバハウジングブロック１２８の前面側壁１９２に、近位に隣接するか、または（たとえば、ボルトによって）取り付けられ得る。少なくとも１つの実装形態では、内側面１８６は、表面実装基板１０２の前面側壁１７６に（たとえば、ボルトによって）取り付けられ得る。少なくとも１つの実装形態では、溝１９０は、たとえば、水平方向にルーティングされた管１９６から、垂直方向に（たとえば、ｚ方向に）延び得るライザー１９４を収め得る。少なくとも１つの実装形態では、水平方向にルーティングされた管１９６は、表面実装基板１０２の下方にルーティングされ得る。そのような管は、たとえば、不活性または反応性キャリアガスを移送し得る。少なくとも１つの実装形態では、ガスライン管のより多くのセクションを収めるための追加の溝（図示せず）が、内側面１８６中に存在し得る。少なくとも１つの実装形態では、加熱されるエンドプレート１８４の上部表面１９７が、加熱器カートリッジ（図示せず）を格納するための加熱器カートリッジウェル１９８を備え得る。２つの加熱器カートリッジウェル１９８が、図示の実装形態において示されているが、より多くの加熱器カートリッジウェルが存在し得る。少なくとも１つの実装形態では、加熱されるエンドプレート１８４は、電気加熱カートリッジによって高い温度まで加熱され得る。少なくとも１つの実装形態では、電気加熱カートリッジは、溝１９０（および他のそのような溝）内に収められた管に熱を提供するように調節され得る。少なくとも１つの実装形態では、たとえば、ライザー１９４内に流れるプロセスガスが、表面実装基板１０２に入る前に予熱され得る。
【0108】
図１Ｅは、少なくとも１つの実装形態による、内側面１８６に沿って垂直方向に延びる溝１９０を示す、加熱されるエンドプレート１８４のｘ－ｚ平面における側面図を示す。少なくとも１つの実装形態では、加熱されるエンドプレート１８４は、たとえば、加熱されるエンドプレート１８４を、それぞれ、前面側壁１９１および１９２にボルトで留めることによって（ボルト穴は示されていない）、それぞれ、一方または両方のリザーバハウジングブロック１２６および１２８に取り付けられ得る。上述のように、２つの溝１９０が、図示の実装形態において示されているが、内側面１８６に沿って水平方向に（たとえば、ｘ方向に）または斜めに通り得るガスライン管セクションの複雑なルーティングに適応するために、より多くの溝が、内側面１８６内に延び得る。アパーチャ１９９などの開口が、たとえば、（図１Ｂに示されている）表面実装基板１０２の前面側壁１７６中の１つまたは複数の加熱器カートリッジウェル１８２への加熱カートリッジの挿入を可能にするために、存在し得る。
【0109】
図２は、少なくとも１つの実装形態による、リザーバヨーク２００と、リザーバハウジングブロック１２６と、を備える、完全なプロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８の分解３Ｄ図を示す。少なくとも１つの実装形態では、リザーバヨーク２００は、１つまたは複数のチャージボリュームキャニスター（たとえば、リザーバ容器）２０２および２０４を備え得る。少なくとも１つの実装形態では、チャージボリュームキャニスター２０２および２０４は、それぞれ、リザーバウェル１３０および１３２内に収まり得る。図示の実装形態では、２つのチャージボリュームキャニスター２０２および２０４が示されているが、任意の好適な数のチャージボリュームリザーバが、リザーバハウジングブロック１２６によって適応され得る。少なくとも１つの実装形態では、リザーバヨーク２００は、単一のチャージボリュームキャニスターを備え得る。少なくとも１つの実装形態では、リザーバヨーク２００は、３つまたはそれ以上の別個のチャージボリュームキャニスターを備え得る。少なくとも１つの実装形態では、チャージボリュームキャニスターは、任意の好適な形状およびボリュームを有し得る。少なくとも１つの実装形態では、チャージボリュームキャニスター２０２および２０４は、概して円筒であり、最高５００ミリリットル（ｍｌ）を個々に含んでいることがある。他の好適な形状およびボリュームが考慮され得る。
【0110】
少なくとも１つの実装形態では、リザーバヨーク２００は、リザーバヨーク２００の上部におけるマニホルド２０６を備える。少なくとも１つの実装形態では、チャージボリュームキャニスター２０２および２０４は、様々な手段によってマニホルド２０６に機械的に結合され得る。マニホルド２０６は、チャージボリュームキャニスター２０２および２０４の剛性の機械的支持を提供し得る。少なくとも１つの実装形態では、チャージボリュームキャニスター２０２および２０４は、通路２０８によって互いに流体的に結合され得る。少なくとも１つの実装形態では、通路２０８は、図示のように、マニホルド２０６内に延び得る。マニホルド２０６の本体内の隠れ線は、通路２０８が表面下特徴であり得ることを示す。少なくとも１つの実装形態では、通路２０８は、チャージボリュームキャニスター２０２および２０４とともに含まれているプロセスガスを組み合わせることを可能にし得る。少なくとも１つの実装形態では、個々のチャージボリュームキャニスター２０２および２０４は、ほぼ５００ミリリットル（ｍｌ）を保持し得る。通路２０８は、チャージボリュームキャニスター２０２および２０４内に保持されたプロセスガスチャージを組み合わせて、１０００ｍｌの総チャージボリュームを作ることを可能にし得る。少なくとも１つの実装形態では、通路２０８は、省略されるかまたはバルブで調節され、これは、チャージボリュームキャニスター２０２および２０４が、完全に別個のままであることを可能にし得る。少なくとも１つの実装形態では、チャージボリュームキャニスター２０２および２０４内に含まれているプロセスガスチャージは、たとえば、表面実装基板１０２内で混合されるまで、分離されたままであり得る。
【0111】
少なくとも１つの実装形態では、管２１０が、通路２０８から延び得る。明快のために、管２１０のスタブ部分が、図に示されている。管２１０は、たとえば、チャージボリュームキャニスター２０２および２０４を表面実装基板１０２に結合する、管のより長いセクションであり得ることが、理解され得る。少なくとも１つの実装形態では、管２１０は、チャージボリュームキャニスター２０２および２０４内に含まれているプロセスガスの放出のための出口流路を提供し得る。少なくとも１つの実装形態では、管２１０は、チャージボリュームキャニスター２０２および／または２０４を、たとえば、表面実装基板１０２につながる、ライザー１５２のうちの１つと相互接続し得る。
【0112】
リザーバハウジングブロック１２６を参照すると、溝１５０（たとえば、溝１５０ａ、１５０ｂ、１５０ｃおよび１５０ｄ）が、部分的に示されている。少なくとも１つの実装形態では、非平面アーキテクチャを一般化するために、非平面側壁１４４の一部分が、図において除去されている。たとえば、溝１５０の上側部分から延びる垂直方向の破線は、非平面側壁１４４に沿った溝１５０の、少なくとも部分的に垂直方向に延びることを示し得る。単一の凹んだ輪郭１５６が示されている。溝１５０および凹んだ輪郭１５６ａ～ｄの形状、寸法、および分散は、特定の設計要件に適し得る。少なくとも１つの実装形態では、非平面側壁１４４の、それぞれ、上側平面部分１６２および下側平面部分１６３は、表面実装基板１０２および表面実装構成要素１０４に適応するために好適な深さまで凹んでいることがある。
【0113】
図３Ａは、少なくとも１つの実装形態による、プロセスガス調整アセンブリ３００のｘ－ｙ平面における平面図を示す。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス調整アセンブリ３００は、表面実装基板１０２の横方向側壁１２２に隣接するプロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８を備える。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８は、リザーバハウジングブロック１２６を備える。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス調整アセンブリ３００は、表面実装基板１０２の、反対側の横方向側壁１２４に隣接する、加熱されるパネル３０２をさらに備える。少なくとも１つの実装形態では、加熱されるパネル３０２は、非平面側壁３０４を備える。少なくとも１つの実装形態では、非平面側壁３０４は、非平面側壁１５４と実質的に同等であり得る。少なくとも１つの実装形態では、加熱されるパネル３０２は、リザーバウェル（たとえば、リザーバウェル１３６および１３８）なしのリザーバハウジングブロック１２８と実質的に同様であり得る。少なくとも１つの実装形態では、加熱されるパネル３０２は、プロセスガス調整アセンブリ３００の随意のモジュラー構成要素として採用され得る。少なくとも１つの実装形態では、加熱されるパネル３０２は、リザーバハウジングブロック１２６または１２８と交換可能であり得る。いくつかの実装形態では、加熱されるパネル３０２は、リザーバハウジングブロック１２８、同じくモジュラー構成要素と交換され得る。少なくとも１つの実装形態では、モジュールの交換可能性は、プロセスガス調整アセンブリ１００の、プロセスガス調整アセンブリ３００への高速転換をもたらし得る。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス調整アセンブリ３００によってもたらされるリザーババンクが、より効率的でコンパクトな設置を与え得る。
【0114】
少なくとも１つの実装形態では、加熱されるパネル３０２は、ステンレス鋼、ハステロイ、または別の好適な高温のおよび化学的に耐性のある材料を含み得る。少なくとも１つの実装形態では、加熱されるパネル３０２は、たとえば、ステンレス鋼またはハステロイの単一のストックブロックから機械加工されるか、あるいは３Ｄ印刷などの付加プロセスによって作製され得る。少なくとも１つの実装形態では、加熱されるパネル３０２は、非平面側壁３０４を備え得る。少なくとも１つの実装形態では、非平面側壁３０４は、形態と機能の両方において、リザーバハウジングブロック１２８のものと実質的に同等である、凹んだ輪郭および溝特徴を備え得る。
【0115】
少なくとも１つの実装形態では、非平面側壁３０４は、凹んだ輪郭３０６を備える。少なくとも１つの実装形態では、凹んだ輪郭３０６は、リザーバハウジングブロック１２８の凹んだ輪郭１５６ａ～ｄと同様であるかまたは実質的に同等であり得る。図３Ａに示されているように、凹んだ輪郭３０６は、概して、上記で説明されたように、表面実装構成要素１０４の形状に適合し得る。少なくとも１つの実装形態では、凹んだ輪郭３０６は、表面実装構成要素１０４と、凹んだ輪郭３０６と、の間の効率的な熱的接触を可能にする、円弧を含み得る。少なくとも１つの実装形態では、凹んだ輪郭３０６の円弧は、概して、円筒形状を有し得る表面実装構成要素１０４に共形であり得る。少なくとも１つの実装形態では、溝３０８は、凹んだ輪郭３０６の深さの下方に、非平面側壁３０４中に凹んでいることがある。少なくとも１つの実装形態では、溝３０８は、リザーバハウジングブロック１２８の非平面側壁１５４中の溝１５８と実質的に同等であり得る。少なくとも１つの実装形態では、溝３０８は、たとえば、熱的接触をライザー１５２に提供し得る。少なくとも１つの実装形態では、非平面側壁３０４の上側平面部分３１０が、たとえば、ノブ１６６の手動操作のためのすきまを提供するように凹んでいることがある（図３Ｂ参照）。少なくとも１つの実装形態では、加熱されるパネル３０２は、加熱されるパネル３０２に熱を提供するための加熱器カートリッジウェル３２２を備え得る。任意の好適な数の加熱器カートリッジウェル３２２が採用され得る。少なくとも１つの実装形態では、加熱器カートリッジウェル３２２は、図示のように垂直方向に配向され、および／または外側側壁３２４または前面側壁３２６を通って水平方向に配向され得る。
【0116】
図３Ｂは、少なくとも１つの実装形態による、プロセスガス調整アセンブリ３００のｘ－ｚ平面における側面図を示す。少なくとも１つの実装形態では、付随するリザーバヨーク２００を伴うリザーバハウジングブロック１２６が示されている。少なくとも１つの実装形態では、リザーバウェル１３０から部分的に引き出されたチャージボリュームキャニスター２０２が示されている。プロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８と比較して、加熱されるパネル３０２は、表面実装構成要素１０４と、ガスライン管１６０と、ライザー１５２と、の等しく効率的な加熱を提供し得る。
【0117】
少なくとも１つの実装形態では、加熱されるパネル３０２は、リザーバハウジングブロック１２８よりも小さい横方向フットプリントを有する。加熱されるパネル３０２によってもたらされる、より小さいフットプリントのために、プロセスガス調整アセンブリ３００は、少なくとも１つの実装形態によれば、プロセスガス調整アセンブリ１００と比較してよりコンパクトなフットプリント全体を有し得る。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス調整アセンブリ３００は、プロセスガス調整アセンブリ１００のフットプリントの６０％以下を有し得る。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス調整アセンブリ３００のよりコンパクトな構成は、プロセスガス調整および分配機器の配置のための空間が制限され得る、プロセスツール設置に適し得る。少なくとも１つの実装形態では、加熱されるパネル３０２の下側平面部分３１２と、表面実装基板１０２の横方向側壁１２４と、の間の距離が、上記フットプリントをさらに低減するように調節され得る。
【0118】
少なくとも１つの実装形態では、リザーバハウジングブロック１２６は、加熱されるパネル３０２と実質的に同等である第２の加熱されるパネルに交換され得る。少なくとも１つの実装形態では、チャージボリュームキャニスター２０２および２０４、または直接のプロセスガス源が、それが望ましい場合に遠隔手段によって加熱され得、遠隔で表面実装基板１０２に結合され得る。
【0119】
図３Ｃは、少なくとも１つの実装形態による、プロセスガス調整アセンブリ３００と同様のプロセスガス調整アセンブリ３５０のｘ－ｚ平面における側面図を示す。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス調整アセンブリ３５０は、プロセスガスリザーバサブアセンブリ３５２を備える。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスリザーバサブアセンブリ３５２は、リザーバハウジングブロック３５３と、水平方向に（たとえば、図のｘ方向またはｙ方向に）配向されたリザーバヨーク（たとえば、チャージボリュームキャニスター２０２および２０４を備えるリザーバヨーク２００、図２）と、を備える。少なくとも１つの実装形態では、リザーバヨークおよびチャージボリュームキャニスターは、明快のために省略される。少なくとも１つの実装形態では、リザーバハウジングブロック３５３内のリザーバウェル３５４および３５６が、側壁３５８から水平方向に（図のｙ方向に、図の平面の下方に）延び得る。少なくとも１つの実装形態では、リザーバウェル３５４および３５６の水平配向は、リザーバハウジングブロック３５３内に格納されたプロセスチャージボリュームキャニスター（図示せず）への好都合なアクセスを可能にし得る。少なくとも１つの実装形態では、限られた空間において、上部アクセス可能である垂直方向に配向されたチャージボリュームは、アセンブリ全体の分解なしに手入れするのが困難であり得る。少なくとも１つの実装形態では、水平方向に配向されたチャージボリュームキャニスターは、そのような状況において、側面からアクセスするためにより好都合であり得る。
【0120】
少なくとも１つの実装形態では、リザーバハウジングブロック３５３は、非平面側壁３６０を備える。少なくとも１つの実装形態では、非平面側壁３６０は、図１Ａおよび図１Ｂに示されているリザーバハウジングブロック１２６の非平面側壁１４４と実質的に同じである。少なくとも１つの実装形態では、非平面側壁３６０は、凹んだ輪郭１５６ａ～ｄなどの凹んだ輪郭と、溝１５８ａ～ｄなどの溝と、を備え得る。
【0121】
少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス調整アセンブリ３５０は、モジュラーアーキテクチャを有し得、１つのプロセスガスリザーバサブアセンブリ３５２、または２つのそのようなサブアセンブリが、表面実装基板１０２とともに組み立てられ得る。少なくとも１つの実装形態では、表面実装基板１０２の横方向側壁１２２に隣接する単一のプロセスガスリザーバサブアセンブリ３５２が示されている。少なくとも１つの実装形態では、（たとえば、プロセスガスリザーバサブアセンブリ３５２と同様のまたは実質的に同等の）第２のプロセスガスリザーバサブアセンブリが、横方向側壁１２４に隣接して組み立てられ得る（たとえば、図の右側の表面実装基板１０２の側面に位置する）。少なくとも１つの実装形態では、表面実装基板１０２の右側の表面実装構成要素１０４が、ガスライン管１６０から延びるライザー１５２と同様に、露出される。少なくとも１つの実装形態では、加熱されるパネル３０２など、第２の加熱されるパネルが、表面実装基板１０２の横方向側壁１２４に隣接して配置されて、モジュラー様式での組み立てを完了し得る。
【0122】
図４Ａは、少なくとも１つの実装形態による、プロセスガス調整アセンブリ４００のｘ－ｚ平面における側面図を示す。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス調整アセンブリ４００は、表面実装基板１０２を備える。少なくとも１つの実装形態では、表面実装基板１０２の表面１０６上に実装された表面実装構成要素４０２および４０４が示されている。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス調整アセンブリ４００は、表面実装基板１０２の横方向側壁１２４から横方向に延びるプラットフォーム４０６をさらに備える。少なくとも１つの実装形態では、プラットフォーム４０６は、熱的接触を提供するために、リザーバハウジングブロック４０８およびリザーバハウジングブロック４１０を支持し得る。少なくとも１つの実装形態では、リザーバハウジングブロック４０８および４１０は、プラットフォーム４０６の、それぞれ、上側表面４１２および下側表面４１４上に位置し得る。少なくとも１つの実装形態では、チャージボリュームキャニスター（図示せず）が、リザーバハウジングブロック４０８および４１０内のリザーバウェル４１６および４１８に挿入され得る。少なくとも１つの実装形態では、リザーバハウジングブロック４０８および４１０は、加熱器カートリッジウェル４２０を備え得る。少なくとも１つの実装形態では、加熱器カートリッジウェル４２０内に格納された電気加熱器カートリッジが、リザーバハウジングブロック４０８および４１０内に含まれているプロセスガスに熱を提供し得る。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス調整アセンブリ４００は、前に説明された実施形態（たとえば、プロセスガス調整アセンブリ１００および３００）よりもコンパクトなフォームファクタを提供し得る。
【0123】
少なくとも１つの実装形態では、シャワーヘッド入口アダプタ４２２が、プロセスガス調整アセンブリ４００中に含まれ得る。少なくとも１つの実装形態では、シャワーヘッド入口アダプタ４２２は、プロセスガス調整アセンブリ４００を支持するための台座状の構造を提供し得る。少なくとも１つの実装形態では、シャワーヘッド入口アダプタ４２２は、プロセスガス調整アセンブリ４００と、（たとえば、図７に示されている）半導体プロセスツールの化学気相堆積（または原子層堆積）プロセスチャンバ内のシャワーヘッドと、の間でルーティングされた管のためのハウジングを提供し得る。少なくとも１つの実装形態では、シャワーヘッド入口アダプタ４２２は、中にルーティングされた管を加熱するための加熱器カートリッジを備える。
【0124】
図４Ｂは、少なくとも１つの実装形態による、プロセスガス調整アセンブリ４５０のｘ－ｚ平面における側面図を示す。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス調整アセンブリ４５０は、プロセスガス調整アセンブリ４００と、（主）表面実装基板１０２の横方向側壁１２２から横方向に延びる副基板４５２と、を備え得る。少なくとも１つの実装形態では、副基板４５２は、たとえば、表面実装構成要素４５４および４５６に適応するための、構築において表面実装基板１０２と同様の副次的ガス流基板を提供し得る。表面実装構成要素４５４および４５６は、表面実装構成要素４０２および４０４よりも物理的に小さくなり得る。少なくとも１つの実装形態では、副基板４５２上に実装されたより小さいサイズの表面実装構成要素が、たとえば、キャリアガスの細流のより効率的な処理を可能にし得る。少なくとも１つの実装形態では、プラットフォーム４０６、リザーバハウジングブロック４０８および４１０など、他の構成要素は、プロセスガス調整アセンブリ４００について説明されたものと実質的に同じであり得る。
【0125】
図４Ｃは、少なくとも１つの実装形態による、プロセスガス調整アセンブリ４６０のｘ－ｙ平面における平面図を示す。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス調整アセンブリ４６０は、表面実装基板４６２と、プロセスガスリザーバサブアセンブリ４６４および４６６と、を備える。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスリザーバサブアセンブリ４６４および４６６、ならびに表面実装基板４６２は、支持プレート４６８上に実装され得る。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスリザーバサブアセンブリ４６４および４６６は、それぞれ、ブロック４６５および４６７を備える。少なくとも１つの実装形態では、両方、側壁４７０に沿って互いから変位して、表面実装基板４６２の側壁４７０に隣接する。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスリザーバサブアセンブリ４６４および４６６は、それぞれ、リザーバウェル４７６および４７８内に収められた、それぞれ、チャージボリュームリザーバ４７２および４７４をさらに備える（矢印が、隠れ線によって示されたリザーバウェルの開口を指す）。少なくとも１つの実装形態では、それぞれ、リザーバウェル４７６および４７８内に部分的に収められた、チャージボリュームリザーバ４７２および４７４が示されている。
【0126】
少なくとも１つの実装形態では、リザーバウェル４７６および４７８は、表面実装基板４６２の側壁４７０に平行に配向される。少なくとも１つの実装形態では、リザーバウェル４７６および４７８は、側壁４７０に実質的に平行な、図のｙ方向に沿って延びる。少なくとも１つの実装形態では、リザーバウェル４７６および４７８の、直交ではなく平行の配向が、プロセスガス調整アセンブリ４６０のよりコンパクトなアーキテクチャを可能にし得る。
【0127】
少なくとも１つの実装形態では、ブロック４６５および４６７は、それぞれ、非平面側壁４８０および４８２を備える。少なくとも１つの実装形態では、非平面側壁４８０および４８２は、それぞれ、複数の凹んだ輪郭４８４および４８６、ならびに、それぞれ、複数の溝４８８および４９０を備える。少なくとも１つの実装形態では、個々の溝４８８および４９０は、凹んだ輪郭４８４および４８６の深さの下方に延びる深さまで非平面側壁４８０および４８２に入り込む。少なくとも１つの実装形態では、溝４８８および４９０は、非平面側壁４８２から、あらかじめ決定された距離まで延びるように、図示のように、凹んだ輪郭を４８４および４８６を通り抜け得る。
【0128】
少なくとも１つの実装形態では、（図のｚ方向に延びる）ライザー４９２を備える複数のガスライン管セクションが、表面実装基板４６２から横方向に延び得る。少なくとも１つの実装形態では、それぞれ、非平面側壁４８０および４８２からの溝４８８および４９０の深さが、表面実装基板４６２の側壁４７０からのライザー４９２の横方向変位に適応するように、あらかじめ決定され得る。ライザー４９２は、垂直方向に（たとえば、図のｚ方向に）少なくとも部分的に配向され得る、溝４８８および４９０に沿って延び得る。少なくとも１つの実装形態では、ライザー４９２は、溝４８８および４９０の壁と熱的に接触していることがある。少なくとも１つの実装形態では、熱的接触は、ライザー４９２の壁と、溝４８８および４９０の壁と、の間の直接の機械的接触であり得る。少なくとも１つの実装形態では、ライザー４９２と、溝４８８および４９０と、は、直接の機械的接触を有しないことがある。少なくとも１つの実装形態では、ライザー４９２と、溝４８８および４９０と、の間に、小さいギャップ（たとえば、１ｍｍ以下）が存在し得る。
【0129】
少なくとも１つの実装形態では、凹んだ輪郭４８４および４８６は、表面実装基板４６２上の表面実装構成要素４９４を部分的に囲み得る円弧を含み得る。少なくとも１つの実装形態では、凹んだ輪郭４８４および４８６は、上記で説明されたように、表面実装構成要素４９４と熱的に接触していることがある。少なくとも１つの実装形態では、凹んだ輪郭４８４および４８６の壁が、表面実装構成要素４９４と直接機械的に接触していることがある。少なくとも１つの実装形態では、凹んだ輪郭の壁と、表面実装構成要素４９４の表面と、の間に、ギャップ（１ｍｍ以下）が存在し得る。
【0130】
図５Ａは、少なくとも１つの実装形態による、プロセスガス調整アセンブリ５００のｘ－ｙ平面における平面図を示す。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス調整アセンブリ５００は、プロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８および１２０が側面に位置する、表面実装基板５０２を備える。少なくとも１つの実装形態では、表面実装基板５０２は、表面５０４の下方に延びる３つのガス流通路（図示せず）を備える。少なくとも１つの実装形態では、個々の表面下流通路は、それぞれ、表面実装構成要素１０４に流体的に結合され得る。少なくとも１つの実装形態では、表面実装構成要素１０４は、表面下ガス流通路に整合され得る（破線ボックスによって示された）３つの列５０６、５０８、および５１０にグループ化される。
【0131】
表面実装基板５０２を除いて、上記で与えられた、プロセスガス調整アセンブリ１００についての説明は、実質的に、プロセスガス調整アセンブリ５００に適用され得る。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８および１２０は、実質的に、上記で説明された、ならびに図１Ａおよび図１Ｂに示されているようなものである。少なくとも１つの実装形態では、トリプル流通路アーキテクチャを有する表面実装基板５０２は、デュアル流通路アーキテクチャを備える表面実装基板１０２の拡張であり得る。少なくとも１つの実装形態では、ガス調整基板が、４つまたはそれ以上のプロセスガス流通路を備え得る。少なくとも１つの実装形態では、表面実装基板１０２と、表面実装基板５０２と、は、それぞれ、交換可能であり得る。少なくとも１つの実装形態では、（たとえば、トリプル流通路基板モジュールとしての）表面実装基板５０２は、表面実装基板１０２（たとえば、デュアル流通路基板モジュール）と交換され、これは、プロセスガス調整アセンブリ５００へのプロセスガス調整アセンブリ１００または３００の変換を可能にし得る。
【0132】
少なくとも１つの実装形態では、３つの表面下プロセスガス流通路を備える表面実装基板５０２は、２つの前駆体ガスが、第３のガスストリームと混合される、実装形態のために採用され得る。少なくとも１つの実装形態では、第３のガスストリームは、反応性プロセスガスを含み得る。少なくとも１つの実装形態では、第３のストリームは、ヒドラジン、水素および／またはアンモニアを含んでいる還元混合物を含み得る。少なくとも１つの実装形態では、その混合物はまた、酸化混合物であり、水蒸気、酸素、オゾン、亜酸化窒素などを含み得る。
【0133】
少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス調整アセンブリ５００は、図１Ｅに示されている加熱されるエンドプレート１８４など、加熱されるエンドプレートをさらに備え得る。少なくとも１つの実装形態では、図３Ａおよび図３Ｂに示されている加熱されるパネル３０２など、加熱されるパネルが、プロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８および／または１２０の一方または両方と交換され得る。
【0134】
図５Ｂは、少なくとも１つの実装形態による、表面実装基板５０２と、プロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８および１２０と、を備えるプロセスガス調整アセンブリ５００のｘ－ｚ平面における分解側面図を示す。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８および１２０は、それぞれ、リザーバヨーク２００ａおよびリザーバヨーク２００ｂを備え得る。少なくとも１つの実装形態では、リザーバヨーク２００ａおよび２００ｂは、図２に示されているような、および上記で説明された、プロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８と実質的に同様であり得る。少なくとも１つの実装形態では、リザーバヨーク２００ａおよび２００ｂは、それぞれ、チャージボリュームキャニスター２０２ａおよび２０２ｂを備える。
【0135】
少なくとも１つの実装形態では、チャージボリュームキャニスター２０２ａおよび２０２ｂは、リザーバハウジングブロック１２６中のリザーバウェル１３０および１３８内に収まり得る、図示せず）。少なくとも１つの実装形態では、チャージボリュームキャニスター２０２ａおよび２０２ｂは、リザーバウェル１３０およびリザーバウェル１３８内に収まり得る。少なくとも１つの実装形態では、リザーバウェル１３０および１３８の垂直方向の範囲が、リザーバハウジングブロック１２６および１２８中の隠れ線によって示されている。
【0136】
図５Ｂは、少なくとも１つの実装形態による、表面実装基板５０２の前面側壁５１８中の終端ポート５１２、５１４、および５１６をも示す。少なくとも１つの実装形態では、終端ポート５１２～５１６は、表面実装基板５０２との３つの表面下プロセスガス流通路に通じ得る。少なくとも１つの実装形態では、終端ポート５１２～５１６は、たとえば、アルゴンなどの不活性キャリアガスを表面下流通路に移送するプロセスガスラインのための、入るポイントであり得る。
【0137】
図６Ａは、少なくとも１つの実装形態による、スタックアセンブリにおいて配列された２つまたはそれ以上のプレートを備える予熱器アセンブリ６００のｘ－ｙ平面における分解平面図を示す。少なくとも１つの実装形態では、予熱器アセンブリ６００は、プロセスガス調整アセンブリ１００または５００の構成要素であり得る。少なくとも１つの実装形態では、予熱器アセンブリ６００は、プロセスガス調整アセンブリの表面実装基板構成要素（たとえば、表面実装基板５０２）へのプロセスガスの導入より前にいくつかのプロセスガスを予熱するために採用され得る。少なくとも１つの実装形態では、予熱器アセンブリは、プレート６０２、６０４、６０６、および６０８を備える。少なくとも１つの実装形態では、プレート６０２～６０８は、スタックアセンブリにおいて配列され得る。少なくとも１つの実装形態では、プレート６０２～６０８は、予熱器アセンブリ６００を通過するガスライン管セクションへの熱の伝達のための熱質量を提供し得る。少なくとも１つの実装形態では、以下で説明されるガスライン管セクションは、隣接するプレート間を通過し得る。少なくとも１つの実装形態では、プレート６０２～６０８は、限定はしないが、アルミニウム、銅、真鍮、またはステンレス鋼など、熱伝導性材料を備え得る。少なくとも１つの実装形態では、プレート６０２～６０８は、平面図に示されているように、偏菱形断面を有し得る。少なくとも１つの実装形態では、プレート６０２～８０８の偏菱形断面は、偏菱形フットプリントを予熱器アセンブリ６００に付与し得る。少なくとも１つの実装形態では、偏菱形形状は、予熱器アセンブリ６００の横方向フットプリントを最小化し得る。
【0138】
図６Ａの分解図では、プレート６０２～６０８は、ガスライン管セクション６１０、６１２、および６１４を示すために分離されている。少なくとも１つの実装形態では、破線ボックスによって示されたガスライン管セクション６１０、６１２、および６１４は、個々のプレートのペア間に位置し得る。少なくとも１つの実装形態では、ガスライン管セクション６１０は、プレート６０２と、プレート６０４と、の間に位置する。少なくとも１つの実装形態では、ガスライン管セクション６１２は、プレート６０４と、プレート６０６と、の間に位置し得、ガスライン管セクション６１２は、プレート６０６と、プレート６０８と、の間に位置し得る。ガスライン管セクション６１０～６１４は、通常、組み立てられた状態において、プレート６０２～６０８内に組み込まれることを理解されたい。少なくとも１つの実装形態では、プレート６０２、６０４、６０６、および６０８のうちのいくつかが、それぞれ、ガスライン管セクション６１０、６１２、および６１４を組み込むための溝６１６、６１８、および６２０を備え得る。
【0139】
少なくとも１つの実装形態では、ガスライン管セクション６１０～６１４は、それぞれ、複数のサブセクション６２２、６２４、および６２６を備え得る。少なくとも１つの実装形態では、ガスライン管セクション６１６～６２０は、たとえば、９０°エルボー６２８、６３０、および６３２によって蛇行構成において相互接続され得る。少なくとも１つの実装形態では、ガスライン管セクション６１０～６１４の蛇行構成は、予熱器アセンブリ６００のコンパクトなボリュームのために、プレート６０２～６０８と、ガスライン管セクション６１０～６１４と、の間の熱的接触を最大化し得る。図６Ａの平面図は、図の平面に平行に延びるいくつかの相互接続ガスライン管セクションを示すが、いくつかのセクションは、平行セクションに対して直交して（たとえば、図の平面の下方に）延びることを理解されたい。相互接続ガスライン管セクションの蛇行配列の一例が、図６Ｂに示されている。少なくとも１つの実装形態では、プレート６０２～６０８は、少なくとも１つの平面（たとえば、ｘ－ｙ平面）における偏菱形断面を有し得る。少なくとも１つの実装形態では、予熱器アセンブリ６００の偏菱形断面は、ガスライン管セクション６１０～６１４との最大熱的接触を提供しながら、コンパクトなフットプリントを提供し得る。
【0140】
少なくとも１つの実装形態では、ガスライン管セクション６１０～６１４は、プロセスガスを別個のラインにおいてプロセスガス調整アセンブリにルーティングする、別個で独立したガス移送流路のセクションであり得る。
【0141】
少なくとも１つの実装形態では、プレート６０４および６０６は、スタックアセンブリの中間部分において隣接しており、加熱器カートリッジを収めるための、それぞれ、加熱器カートリッジウェル６３４および６３６を備える。少なくとも１つの実装形態では、プレート６０４および６０６は、モジュラーであり、したがって、予熱器アセンブリ６００は、より大きいまたはより小さい数のガスライン管セクションの適応のためのカスタムサイズに構築され得る。少なくとも１つの実装形態では、プレート６０４および６０６は、実質的に同等である少なくとも２つの中間プレートであり得る。中間プレート（たとえば、プレート６０４および６０６）は、「ブックエンド」または「エンドキャップ」プレート６０２と、「ブックエンド」または「エンドキャップ」プレート６０８と、の間に位置し得る。図６Ａに示されている、２つの中間プレートおよび２つのエンドキャッププレートは、３つの個々のガスラインに適応し得る。少なくとも１つの実装形態では、中間プレート（たとえば、プレート６０２および６０８）は、互いと実質的に同等であるが、プレート６０４および６０６とは異なる設計を有し得る。合計４つのプレートが、図示の実施形態において示されている予熱器アセンブリ６００中に含まれるが、プレート６０４および６０６と同様または同等の任意の好適な数の中間プレートが含まれ得る。少なくとも１つの実装形態では、スタックアセンブリ内の６つのプレート（たとえば、２つのエンドキャッププレート間に４つの中間プレート）が、５つのガスラインが、予熱器アセンブリ６００を通過することを可能にし得る。少なくとも１つの実装形態では、予熱器アセンブリ６００のモジュラリティは、より多くのプレートが、必要に応じて追加されることを可能にし得る。少なくとも１つの実装形態では、より大きいプレート数が、予熱器アセンブリ６００を通過すべき個々のガスライン管セクションのより大きい数を可能にする。少なくとも１つの実装形態では、Ｎ個のプレートのスタックが、Ｎ－１個の個々のガスラインに適応し得る。
【0142】
少なくとも１つの実装形態では、加熱器カートリッジは、ガスライン管セクション６１０～６１４に熱を提供するために加熱器カートリッジウェル６３４および６３６内に収まり得る。少なくとも１つの実装形態では、好適な数の加熱器カートリッジが、予熱器アセンブリ６００を通過するガスラインセクション内の流れるガスに十分な熱を提供するために採用され得る。
【0143】
図６Ｂは、少なくとも１つの実装形態による、予熱器アセンブリ６００のｙ－ｚ平面における断面図を示す。図示の実装形態は、プレート６０２に隣接するおよびプレート６０２に対して当接された単一のガスラインセクションとして、（破線ボックスによって示された）ガスライン管セクション６１０を示す。プレート６０２が、図示の実装形態において示されているが、予熱器アセンブリ６００のスタック内の、他のプレート６０４、６０６、および６０８、ならびに隣接するガスライン管セクション６１２および６１４が、等しく示され得ることが理解され得る。少なくとも１つの実装形態では、ガスライン管セクション６１０は、溝６１６内に収められ得る。少なくとも１つの実装形態では、溝６１６は、図示のように、ガスライン管セクション６１０の蛇行構成に従う複数の直交セグメントを含み得る。少なくとも１つの実装形態では、上側管スタブ６３８および下側管スタブ６４０が、外部ガスライン管への圧縮継手６４２を通した相互接続を提供し得る。
【0144】
図６Ｃは、少なくとも１つの実装形態による、予熱器アセンブリ６００ａおよび６００ｂを備えるプロセスガス調整アセンブリ５００のｘ－ｙ平面における平面図を示す。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス調整アセンブリ５００は、図示のように、デュアル予熱器アセンブリ（たとえば、予熱器アセンブリ６００ａおよび６００ｂ）を備える。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス調整アセンブリ５００は、単一の予熱器アセンブリ（たとえば、予熱器アセンブリ６００ａまたは予熱器アセンブリ６００ｂのいずれか）を備え得る。少なくとも１つの実装形態では、予熱器アセンブリ６００ａは、リザーバハウジングブロック１２６の上側表面上に実装されたマニホルド２０６ａの上に位置する。
【0145】
少なくとも１つの実装形態では、予熱器アセンブリ６００ａおよび６００ｂは、それぞれ、リザーバハウジングブロック１２６および１２８に隣接する１つまたは複数のライザー１５２に結合され得る。少なくとも１つの実装形態では、ガスライン管セクション６１０ａ、６１２ａ、および６１４ａが、下側管スタブ６４０（これは図６Ｃ中の隠れ線によって示されている。図６Ｂおよび図６Ｄ参照）の終端上の圧縮継手６４２を通って表面実装基板５０２（たとえば、左側）から延びるライザー１５２に結合され得る。少なくとも１つの実装形態では、予熱器アセンブリ６００ａは、図６Ｄに示されているように、ほぼ下側管スタブ６４０の長さだけ、リザーバハウジングブロック１２６の上側表面（たとえば、表面１３４）上のマニホルド２０６ａから垂直方向にオフセットされ得る。
【0146】
少なくとも１つの実装形態では、予熱器アセンブリ６００ｂは、リザーバハウジングブロック１２８上のマニホルド２０６ｂの上に位置し得る。少なくとも１つの実装形態では、ガスライン管セクション６１０ｂ、６１２ｂ、および６１４ｂが、リザーバハウジングブロック１２８に隣接する表面実装基板５０２（たとえば、右側）から延びるライザー１５２に結合され得る。少なくとも１つの実装形態では、予熱器アセンブリ６００ｂ上の（隠れ線によって示されている）下側管スタブ６４０も、予熱器アセンブリ６００ａの同様のまたは実質的に同じオフセット距離だけ、マニホルド２０６ｂから垂直方向にオフセットされ得る。
【0147】
少なくとも１つの実装形態では、予熱器アセンブリ６００ａおよび６００ｂは、少なくとも１つの平面（たとえば、図示のようなｘ－ｙ平面）における偏菱形断面を有し得る。上述のように、予熱器アセンブリ６００ａおよび６００ｂの偏菱形形状は、予熱器アセンブリ６００ａおよび６００ｂの幅ｗ（たとえば、図のｘ方向における横方向範囲）を制限し得る。少なくとも１つの実装形態では、予熱器アセンブリ６００の内側壁と、ガスライン管セクション６１０～６１４と、の間の熱的接触が、偏菱形角度αを最適化することによって最大化され得る。少なくとも１つの実装形態では、角度αは、予熱器スタックプレート（たとえば、図６Ａ中のプレート６０２～６０８）と接触しているガスライン管セクション６１０～６１４の全長を最大化するように調節され得る。同時に、予熱器アセンブリ６００ａおよび６００ｂの幅ｗは、角度αの最適化によって最小化され得る。
【0148】
図６Ｄは、図６Ｃに示されている予熱器アセンブリ６００ａおよび６００ｂを備える、プロセスガス調整アセンブリ５００のｘ－ｚ平面における側面図を示す。図６Ｄは、少なくとも１つの実装形態による、それぞれ、リザーバハウジングブロック１２６および１２８との垂直関係にある予熱器アセンブリ６００ａおよび６００ｂを示す。少なくとも１つの実装形態では、ガスライン管セクション（たとえば、ガスライン管セクション６１０～６１４）が、予熱器アセンブリ６００ａおよび６００ｂ内の隠れ線によって示されている。少なくとも１つの実装形態では、ガスライン管セクションは、たとえば、図示のように蛇行編成において、予熱器アセンブリ６００ａおよび６００ｂ内に組み込まれ得る。少なくとも１つの実装形態では、予熱器アセンブリ６００ａおよび６００ｂは、表面実装基板５０２の、互いに反対の側にあるライザー１５２に結合された下側管スタブ６４０ａおよび６４０ｂを通してプロセスガス調整アセンブリに結合され得る。少なくとも１つの実装形態では、予熱器アセンブリ６００ａおよび６００ｂは、リザーバハウジングブロック１２６および１２８の上側表面上に実装されたマニホルド２０６ａおよび２０６ｂからの高さｈだけ垂直方向にオフセットされ得る。少なくとも１つの実装形態では、高さｈは、実質的に、下側管スタブ６４０ａおよび６４０ｂの長さに依存し得る。
【0149】
少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス調整アセンブリ５００に結合された外部ガスラインが、いくつかのプロセスガス（たとえば、水素）を加熱するためのフォアライン加熱器ジャケット６４４を含み得る。少なくとも１つの実装形態では、フォアライン加熱器ジャケット６４４は、予熱器アセンブリ６００ａおよび／または６００ｂと一列に並んでいることがあり、たとえば、上側管スタブ６３８ａおよび６３８ｂに結合される。少なくとも１つの実装形態では、フォアライン加熱器ジャケット６４４は、追加の加熱を提供し得る。少なくとも１つの実装形態では、１つまたは複数の加熱されるバルブ６４６が、プロセスガス外部流路中に含まれ得る。
【0150】
図７は、少なくとも１つの実装形態による、プロセスガス調整アセンブリ５００を備える半導体プロセスツール７００のｘ－ｚ平面における断面図を示す。（図５Ａおよび図５Ｂに示されている）プロセスガス調整アセンブリ５００が、本例において示されているが、プロセスガス調整アセンブリ１００およびプロセスガス調整アセンブリ３００など、プロセスガス調整アセンブリの他の開示される実装形態が、本例において等しく採用され得ることが理解され得る。少なくとも１つの実装形態では、半導体プロセスツール７００は、真空チャンバ７０２を備える。少なくとも１つの実装形態では、シャワーヘッド７０４が、真空チャンバ７０２内で、上側壁７０６の近くに配設される。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス調整アセンブリ５００は、シャワーヘッド入口アダプタ７２１を通って延びる導管７０８、導管７１０、および導管７１２を通してシャワーヘッド７０４に流体的に結合され得る。少なくとも１つの実装形態では、シャワーヘッド入口アダプタ７２１はまた、プロセスガス調整アセンブリ５００の機械的支持、ならびに導管７０８、７１０、および７１２のためのハウジングを提供し得る。
【0151】
図示の実施形態では、導管７０８および７１０は、表面実装基板５０２の下側表面７２０から延びる。少なくとも１つの実装形態では、導管７０８、７１０、および７１２は、表面実装基板５０２内の３つの表面下ガス流通路に流体的に結合され得る。少なくとも１つの実装形態では、導管７０８～７１２は、図示のように、シャワーヘッド入口アダプタ７２１のキャビティ７２３（たとえば、管状キャビティ）を通って延び得る。少なくとも１つの実装形態では、個々の導管７０８～７１２は、シャワーヘッド７０４のチャンバに通じる環状アパーチャ（図示せず）において終端し得る。少なくとも１つの実装形態では、３つの表面下プロセスガス流通路は、表面実装基板５０２の前面側壁５１８上の終端ポート５１２、５１４、および５１６に結合され得る。少なくとも１つの実装形態では、終端ポート５１２、５１４、および５１６は、アルゴンまたは窒素など、不活性キャリアガスを表面実装基板５０２中の表面下ガス流通路に移送するガスライン管に結合され得る。少なくとも１つの実装形態では、導管７０８、７１０、および７１２と、表面実装基板５０２中の内側流通路と、の間の内部結合が、表面実装基板５０２の下側表面７２０と、それぞれ、終端ポート５１２、５１４、および５１６と、の間に延びる隠れ線によって示されている。少なくとも１つの実装形態では、導管７０８および７１２は、それぞれ、第１の事前調整された前駆体プロセスガス（たとえば、第１の前駆体物質の蒸気）および第２の事前調整された前駆体プロセスガス（たとえば、第２の前駆体物質の蒸気）をシャワーヘッド７０４に移送し得る。少なくとも１つの実装形態では、導管７１０は、第３の事前調整されたプロセスガスを、蒸気または反応性ガスとしてシャワーヘッド７０４に移送し得る。少なくとも１つの実装形態では、導管７０８～７１２によって移送される３つの別個のプロセスガスは、シャワーヘッド７０４内で混合するか、またはシャワーヘッド７０４のフェースプレート７２２を通して真空チャンバ７０２に別個に噴出し得る。
【0152】
少なくとも１つの実装形態では、シャワーヘッド７０４は、事前調整されたプロセスガスを真空チャンバ７０２に分配するように動作可能であり得る。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスは、プロセスガス調整アセンブリ５００を通る通路によって事前調整され得る。少なくとも１つの実装形態では、動作中に、たとえば、第１のプロセスガスおよび第２のプロセスガスは、チャージボリュームリザーバ（たとえば、図５Ｂに示されているようにリザーバヨーク２００ａおよび２００ｂによって担持されるチャージボリュームキャニスター２０２ａおよび２０２ｂ）内の圧力下で保持され得る。少なくとも１つの実装形態では、それぞれ、リザーバハウジングブロック１２６および１２８上に収められた、それぞれ、リザーバヨーク２００ａおよび２００ｂのマニホルド２０６ａおよび２０６ｂが示されている。少なくとも１つの実装形態では、チャージボリュームキャニスター２０２ａおよび２０２ｂは、リザーバハウジングブロック１２６および１２８中のリザーバウェル１３０および１３８内に挿入される。少なくとも１つの実装形態では、第３のプロセスガス（たとえば、不活性または反応性キャリアガス）が、一方のまたは両方のライザー１５２と、ガスライン管１６０と、を通して表面実装基板１０２内の表面下流通路に導入され得る。少なくとも１つの実装形態では、ライザー１５２は、プロセスガス供給源７２４に結合され得る。
【0153】
少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスは、たとえば、（たとえば、図６Ａ～図６Ｄについて説明されたような）予熱器アセンブリ７２５および７２７、ならびに、表面実装基板５０２上の表面実装構成要素（たとえば、表面実装構成要素１０４）を通る、通路によって、事前調整され得る。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス処理構成要素が、流量制御バルブと、混合器と、ガスフィルタと、を含み得る。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスリザーバサブアセンブリ１１８および１２０は、リザーバハウジングブロック１２６および１２８内の加熱器カートリッジ７２６によって加熱され得、したがって、チャージボリュームキャニスター（たとえば、チャージボリュームキャニスター２０２ａおよび２０２ｂ、図５Ｂ）内に保持されるプロセスガスが、高い温度において維持され得る。少なくとも１つの実装形態では、加熱器カートリッジ７２６は、温度コントローラ７２８に結合された電気加熱器カートリッジであり得る。
【0154】
少なくとも１つの実装形態では、たとえば、表面実装構成要素１０４内の低温スポットが、その表面実装構成要素の内部通路内での凝縮または結晶化につながり得る。少なくとも１つの実装形態では、表面実装構成要素１０４は、それぞれ、非平面側壁１４４および１５４との熱的接触によって加熱され得る。少なくとも１つの実装形態では、ライザー１５２も、それぞれ、リザーバハウジングブロック１２６および１２８中の側壁溝（たとえば、非平面側壁１４４内の溝１５０、および非平面側壁１５４内の溝１５８）との熱的接触によって、高い温度において維持され得る。
【0155】
少なくとも１つの実装形態では、シャワーヘッド入口アダプタ７２１はまた、シャワーヘッド７０４に入るより前の、導管７０８、７１０、および７１２内での蒸気の凝縮を防ぐための、内部加熱要素を備え得る。少なくとも１つの実装形態では、動作中に、プロセスガスは、シャワーヘッド７０４から真空チャンバ７０２に噴出し得る。少なくとも１つの実装形態では、シャワーヘッド７０４から噴出するプロセスガスは、チャック７３４と、カラム７３６と、を備える台座７３２上で支持されるウエハ７３０に向けられ得る。少なくとも１つの実装形態では、シャワーヘッド７０４は、原子層堆積（ＡＬＤ）または化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセスのためにプロセスガスを層流において分配し得る。少なくとも１つの実装形態では、ＡＬＤまたはＣＶＤプロセスは、ウエハ７３０の表面上に、アモルファス膜、単結晶膜、または多結晶膜を形成し得る。少なくとも１つの実装形態では、ウエハ７３０は、チャック７３４によって高い温度まで加熱され、アモルファス膜、単結晶膜、または多結晶膜の形成をサポートし得る。
【0156】
図８は、少なくとも１つの実装形態による、プロセスガス調整アセンブリ１００（また、プロセスガス調整アセンブリ３００および５００）を動作させるための方法のためのフローチャート８００を示す。フローチャート８００の様々な動作が、ハードウェア、ソフトウェア、またはそれらの組合せによって実施され得る。少なくとも１つの実装形態では、方法フローチャート８００は、半導体プロセス動作において採用されるプロセスガスを事前調整するための、プロセスガス調整アセンブリ１００など、開示されるプロセスガス調整アセンブリの例示的な動作を示す。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスは、たとえば、半導体プロセスツール（たとえば、図７に示されている半導体プロセスツール７００）に入るより前に、プロセスガス調整アセンブリ１００によって事前調整され得る。
【0157】
少なくとも１つの実装形態では、動作８０１において、プロセスガス調整アセンブリ１００は、あらかじめ決定された高い温度まで予熱される。少なくとも１つの実装形態では、予熱は、温度コントローラによって一体の加熱カートリッジを加熱することのアクティブ化を含み得る。
【0158】
少なくとも１つの実装形態では、プロセスガス調整アセンブリの温度が安定した１００とき、変化ボリュームキャニスター（たとえば、図２に示されているチャージボリュームキャニスター２０２および２０４）内に保持されるプロセスガスが、表面実装基板（たとえば、表面実装基板１０２または５０２）の表面下流通路（たとえば、ガス流通路１０８）内に流れ始め得る。
【0159】
少なくとも１つの実装形態では、動作８０２および８０３において、表面実装基板に結合されたガスライン管へのプロセスガスの流れを起こすために、表面実装バルブが、たとえば、そのバルブ上でアクチュエータに送られた電子コマンドによって、開き得る。少なくとも１つの実装形態では、ガスライン管は、予熱器段（たとえば、予熱器アセンブリ６００）を通過し得る。少なくとも１つの実装形態では、予熱器段は、ガスライン管内に流れるプロセスガスを、プロセスガス調整アセンブリの温度にぴったり一致する温度まで予熱し得る。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスの流れは、次いで、表面下流通路内に進み得る。
【0160】
少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスはまた、表面実装基板に取り付けられた表面実装構成要素が、表面下流通路に流体的に結合されるので、それらの表面実装構成要素を通って流れ得る。少なくとも１つの実装形態では、表面実装構成要素は、流量を制御する、流れを他の経路に分流する、反応性プロセスガスを不活性または反応性キャリアガスと混合する、プロセスガスからの微粒子をフィルタリングする、などを行い得る。少なくとも１つの実装形態では、半導体プロセスツールに入るより前にプロセスガスを事前調整することは、表面実装基板中の表面下流通路内に流れるプロセスガスの受動加熱、混合、およびフィルタリングを含み得る。
【0161】
少なくとも１つの実装形態では、動作８０４および８０５において、プロセスガス流は、半導体プロセスツール（たとえば、半導体プロセスツール７００）の堆積プロセスチャンバ（たとえば、図７に示されている真空チャンバ７０２）に入り得る。堆積プロセスチャンバ内で、堆積プロセスが、事前調整されたプロセスガスをシャワーヘッド（たとえば、図７に示されているシャワーヘッド７０４）を通して堆積プロセスチャンバに噴出することによって、実施され得る。少なくとも１つの実装形態では、そのチャンバは、高真空において保持されるので、事前調整されたプロセスガスは、シャワーヘッド中のオリフィスから複数の層流噴射口において噴出し得る。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスは、室温において液体または固体である前駆体物質からの、反応性および不活性キャリアガス、混合ガス、ならびに蒸気を含み得る。
【0162】
少なくとも１つの実装形態では、事前調整されたプロセスガスは、シャワーヘッドの下方のウエハ（たとえば、図７に示されているウエハ７３０）に当たり得る。少なくとも１つの実装形態では、プロセス条件と、表面反応と、前駆体物質の性質と、に応じて、結晶薄膜が、原子層または分子層としてウエハ上に成長させられ得る。少なくとも１つの実装形態では、層が、所望の厚さの膜を形成するように構築され得る。少なくとも１つの実装形態では、いくつかのプロセスでは、上記薄膜はアモルファスである。
【0163】
少なくとも１つの実装形態では、動作８０６において、プロセスは、プロセスガス流を中止することによって停止され得る。少なくとも１つの実装形態では、プロセスガスの流れを止めることは、表面実装基板上の制御表面実装バルブを閉じることを含み得る。少なくとも１つの実装形態では、加熱カートリッジは、キャリアガスが、残りの凝縮性蒸気をパージすることを可能にするために、アクティブ化されたままであり得る。少なくとも１つの実装形態では、パージ持続時間が、あらかじめ決定され得る。少なくとも１つの実装形態では、すべての凝縮性蒸気がパージされると、加熱カートリッジは、プロセスガス調整アセンブリが冷却することを可能にするために、電源切断され得る。
【0164】
様々な実施形態を示す以下の例が、提供される。それらの例は、他の例と組み合わせられ得る。したがって、様々な実施形態は、本発明の範囲を変更することなしに他の実施形態と組み合わせられ得る。
【0165】
例１は、表面実装基板であって、表面実装基板が、複数のアパーチャを備え、第１のガス流通路が、表面実装基板内に延び、第２のガス流通路が、第１のガス流通路に隣接する、表面実装基板と、プロセスガスリザーバサブアセンブリであって、プロセスガスリザーバサブアセンブリが、表面実装基板に隣接し、リザーバハウジングブロックと、リザーバヨークと、を備え、リザーバヨークが、リザーバハウジングブロック内の少なくとも１つのガスリザーバを備え、リザーバハウジングブロックが、表面実装基板に隣接する非平面側壁を備え、非平面側壁が、複数の凹んだ輪郭と、非平面側壁に沿って延びる複数の溝と、を備える、プロセスガスリザーバサブアセンブリと、を備える、ガス調整アセンブリであって、１つまたは複数の凹んだ輪郭が、表面実装基板上に実装された１つまたは複数の表面実装構成要素と熱的に接触しており、１つまたは複数の溝が、表面実装基板から延びる１つまたは複数のガスライン管セクションと熱的に接触している、ガス調整アセンブリである。
【0166】
例２は、上記例のいずれか、特に例１に記載のガス調整アセンブラであって、１つまたは複数の第１の表面実装構成要素が、第１のガス流通路に流体的に結合され、１つまたは複数の第２の表面実装構成要素が、第２のガス流通路に流体的に結合された、ガス調整アセンブラである。
【0167】
例３は、上記例のいずれか、特に例１に記載のガス調整アセンブラであって、１つまたは複数のガスライン管セクションが、１つまたは複数の溝と熱的に接触している、ガス調整アセンブラである。
【0168】
例４は、上記例のいずれか、特に例１に記載のガス調整アセンブラであって、少なくとも１つのガスリザーバが、第１のガス流通路に流体的に結合された、ガス調整アセンブラである。
【0169】
例５は、上記例のいずれか、特に例１に記載のガス調整アセンブラであって、リザーバハウジングブロックが、非平面側壁に直交する表面を備え、少なくとも１つのリザーバウェルが、表面に実質的に直交する、ガス調整アセンブラである。
【0170】
例６は、上記例のいずれか、特に例１に記載のガス調整アセンブラであって、リザーバハウジングブロックが、表面を備え、少なくとも１つのリザーバウェルが、表面に実質的に平行である、ガス調整アセンブラである。
【0171】
例７は、上記例のいずれか、特に例６に記載のガス調整アセンブラであって、１つまたは複数の表面実装構成要素が、入口と、出口と、を備え、入口が、表面実装基板の表面上の第１のアパーチャに流体的に結合され、出口が、表面実装基板の表面上の第２のアパーチャに流体的に結合された、ガス調整アセンブラである。
【0172】
例８は、上記例のいずれか、特に例１に記載のガス調整アセンブラであって、リザーバハウジングブロックが、第１の複数の加熱器カートリッジをさらに備える、ガス調整アセンブラである。
【0173】
例９は、上記例のいずれか、特に例１に記載のガス調整アセンブラであって、１つまたは複数の凹んだ輪郭が、円弧を含む、ガス調整アセンブラである。
【0174】
例１０は、上記例のいずれか、特に例１に記載のガス調整アセンブラであって、１つまたは複数の凹んだ輪郭が、１つまたは複数の表面実装構成要素と機械的に接触している、ガス調整アセンブラである。
【0175】
例１１は、上記例のいずれか、特に例１に記載のガス調整アセンブラであって、１つまたは複数の凹んだ輪郭と、１つまたは複数の表面実装構成要素と、の間にギャップがある、ガス調整アセンブラである。
【0176】
例１２は、上記例のいずれか、特に例１に記載のガス調整アセンブラであって、加熱されるパネルをさらに備え、加熱されるパネルが、第１の面と、第２の面と、を備え、第１の面が、リザーバハウジングブロックの第１の前面側壁に隣接し、第１の面が、表面実装基板の第２の前面側壁に隣接する、ガス調整アセンブラである。
【0177】
例１３は、上記例のいずれか、特に例１２に記載のガス調整アセンブラであって、１つまたは複数の溝が、第１の面に沿って延び、１つまたは複数の溝が、１つまたは複数のガスライン管セクションと熱的に接触している、ガス調整アセンブラである。
【0178】
例１４は、上記例のいずれか、特に例１２に記載のガス調整アセンブラであって、加熱されるパネルが、第１の面と、第２の面と、の間に延びる、加熱器カートリッジウェル内の、１つまたは複数の加熱器カートリッジを備える、ガス調整アセンブラである。
【0179】
例１５は、上記例のいずれか、特に例１に記載のガス調整アセンブラであって、非平面側壁が、第１の非平面側壁であり、第１の非平面側壁が、１つまたは複数の第１の凹んだ輪郭を備え、１つまたは複数の溝が、第１の溝を含み、加熱されるパネルが、表面実装基板に隣接し、加熱されるパネルが、表面実装基板に隣接する第２の非平面側壁を備え、第２の非平面側壁が、複数の第２の凹んだ輪郭と、第２の非平面側壁に沿って延びる複数の第２の溝と、を備える、ガス調整アセンブラである。
【0180】
例１６は、上記例のいずれか、特に例１に記載のガス調整アセンブラであって、リザーバヨークが、少なくとも１つのガスリザーバに流体的に結合されたマニホルドを備える、ガス調整アセンブラである。
【0181】
例１７は、真空チャンバと、真空チャンバ内のシャワーヘッドと、真空チャンバに機械的に結合されたガス調整アセンブリであって、ガス調整アセンブリは、表面実装基板であって、表面実装基板が、複数のアパーチャを備え、第１のガス流通路が、表面実装基板内に延び、第２のガス流通路が、第１のガス流通路に隣接する、表面実装基板と、プロセスガスリザーバサブアセンブリであって、プロセスガスリザーバサブアセンブリが、表面実装基板に隣接し、リザーバハウジングブロックと、リザーバヨークと、を備え、リザーバヨークが、リザーバハウジングブロック内の少なくとも１つのガスリザーバを備え、リザーバハウジングブロックが、表面実装基板に隣接する非平面側壁を備え、非平面側壁が、複数の凹んだ輪郭と、非平面側壁に沿って延びる複数の溝と、を備える、プロセスガスリザーバサブアセンブリと、を備え、１つまたは複数の凹んだ輪郭が、表面実装基板上に実装された１つまたは複数の表面実装構成要素と熱的に接触しており、１つまたは複数の溝が、表面実装基板から延びる１つまたは複数のガスライン管セクションと熱的に接触している、ガス調整アセンブリと、を備える、半導体プロセスツールであって、ガス調整アセンブリが、シャワーヘッドに流体的に結合された、半導体プロセスツールである。
【0182】
例１８は、上記例のいずれか、特に例１７に記載の半導体プロセスツールであって、第１の導管および第２の導管が、表面実装基板と、シャワーヘッドと、の間に延び、第１の導管が、第１のガス流通路におよびシャワーヘッドに流体的に結合され、第２の導管が、第２のガス流通路におよびシャワーヘッドに流体的に結合された、半導体プロセスツールである。
【0183】
例１９は、上記例のいずれか、特に例１８に記載の半導体プロセスツールであって、第１の導管および第２の導管が、シャワーヘッド入口アダプタ内に延び、シャワーヘッド入口アダプタが、キャビティを備え、第１の導管および第２の導管が、キャビティ内に延び、少なくとも第１の導管が、第１の環状アパーチャにおいて終端し、第１の環状アパーチャが、シャワーヘッドに通じる、半導体プロセスツールである。
【0184】
例２０は、上記例のいずれか、特に例１９に記載の半導体プロセスツールであって、第３のガス流通路が、表面実装基板内に延び、第３のガス流通路が、第１のガス流通路におよび第２のガス流通路に隣接し、第３の導管が、シャワーヘッド入口アダプタとともに延び、第３の導管が、第３のガス流通路に流体的に結合され、第２の環状アパーチャにおいて終端し、第２の環状アパーチャが、シャワーヘッドに通じる、半導体プロセスツールである。
【0185】
例２１は、上記例のいずれか、特に例１７に記載の半導体プロセスツールであって、ガス調整アセンブリが、１つまたは複数のガスライン管セクションに結合された少なくとも１つの予熱器アセンブリをさらに備える、半導体プロセスツールである。
【0186】
例２２は、上記例のいずれか、特に例２１に記載の半導体プロセスツールであって、少なくとも１つの予熱器アセンブリが、スタックアセンブリ中の２つまたはそれ以上のプレートを備え、１つまたは複数のガスライン管セクションが、隣接するプレート間に延び、２つまたはそれ以上のプレートが、加熱器カートリッジを備える、半導体プロセスツールである。
【0187】
例２３は、上記例のいずれか、特に例２２に記載の半導体プロセスツールであって、２つまたはそれ以上のプレートが、第１のエンドキャッププレートと、第２のエンドキャッププレートと、の間の少なくとも２つの中間プレートを備え、少なくとも２つの中間プレートが、実質的に同等である、半導体プロセスツールである。
【0188】
例２４は、上記例のいずれか、特に例２２に記載の半導体プロセスツールであって、１つまたは複数のガスライン管セクションが、蛇行構成において配列され、１つまたは複数のガスライン管セクションが、２つまたはそれ以上のプレート上の１つまたは複数の溝内に延びる、半導体プロセスツールである。
【0189】
例２５は、上記例のいずれか、特に例２１に記載の半導体プロセスツールであって、少なくとも１つの予熱器アセンブリが、少なくとも１つの平面における偏菱形断面を有する、半導体プロセスツールである。
【0190】
例２６は、プロセスガスを調整するための方法であって、方法は、プロセスガス調整アセンブリを備える半導体プロセスツールを提供することであって、プロセスガス調整アセンブリが、表面実装基板であって、表面実装基板が、複数のアパーチャを備え、第１のガス流通路が、表面実装基板内に延び、第２のガス流通路が、第１のガス流通路に隣接する、表面実装基板と、プロセスガスリザーバサブアセンブリであって、プロセスガスリザーバサブアセンブリが、表面実装基板に隣接し、リザーバハウジングブロックと、リザーバヨークと、を備え、リザーバヨークが、リザーバハウジングブロック内の少なくとも１つのガスリザーバを備え、リザーバハウジングブロックが、表面実装基板に隣接する非平面側壁を備え、非平面側壁が、複数の凹んだ輪郭と、非平面側壁に沿って延びる複数の溝と、を備える、プロセスガスリザーバサブアセンブリと、を備え、１つまたは複数の凹んだ輪郭が、表面実装基板上に実装された１つまたは複数の表面実装構成要素と熱的に接触しており、１つまたは複数の溝が、表面実装基板から延びる１つまたは複数のガスライン管セクションと熱的に接触している、半導体プロセスツールの提供と、表面実装基板と、プロセスガスリザーバサブアセンブリのリザーバハウジングブロックと、を高い温度まで予熱することと、表面実装基板内の少なくとも第１のガス流通路を通って流れる少なくとも１つのプロセスガスを事前調整することであって、少なくとも１つのプロセスガスが、予熱される、少なくとも１つのプロセスガスの事前調整と、少なくとも１つのプロセスガスを、シャワーヘッドを通して半導体プロセスツールの真空チャンバに流すことと、を含む、方法である。
【0191】
例２７は、上記例のいずれか、特に例２６に記載の方法であって、少なくとも１つのプロセスガスを事前調整することが、少なくとも１つのプロセスガスを、１つまたは複数のガスライン管セクションを通して流すことを含み、１つまたは複数のガスライン管セクションが、リザーバハウジングブロックの非平面側壁内に延びる１つまたは複数の溝と熱的に接触している、方法である。
【0192】
例２８は、上記例のいずれか、特に例２６に記載の方法であって、少なくとも１つのプロセスガスを、シャワーヘッドを通して真空チャンバに流すことが、少なくとも１つのプロセスガスを、少なくとも１つの導管を通して流すことを含み、少なくとも１つの導管が、少なくとも第１のガス流通路と、シャワーヘッドと、に流体的に結合された、方法である。
【0193】
例２９は、上記例のいずれか、特に例２８に記載の方法であって、少なくとも１つのプロセスガスを、少なくとも１つの導管を通して流すことが、少なくとも１つのプロセスガスを、シャワーヘッド入口アダプタ内の環状アパーチャを通してシャワーヘッドに流すことを含み、少なくとも１つの導管が、シャワーヘッド入口アダプタを通って延び、環状アパーチャが、シャワーヘッドに流体的に結合された、方法である。
【0194】
本明細書で説明されることのほかに、開示される実施形態およびそれらの実装形態に対して、それらの範囲から逸脱することなく、様々な修正が行われ得る。したがって、本明細書の実施形態の説明は、本開示の範囲を限定するものではなく、例としてのみ解釈されるべきである。本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲を参照することによってのみ評価されるべきである。
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図1E】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図7】
【図8】
【国際調査報告】