特表 2025-534443 調節可能な台座

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2025-10-15

(54)【発明の名称】調節可能な台座

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/31 20060101AFI20251007BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20251007BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20251007BHJP

   C23C 16/458 20060101ALI20251007BHJP

   C23C 16/44 20060101ALI20251007BHJP

【ＦＩ】

H01L21/31 C

H01L21/302 101G

H01L21/68 N

C23C16/458

C23C16/44 J

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2025519679

(86)(22)【出願日】2023-09-27

(85)【翻訳文提出日】2025-06-03

(86)【国際出願番号】 US2023033791

(87)【国際公開番号】W WO2024076479

(87)【国際公開日】2024-04-11

(31)【優先権主張番号】63/413,837

(32)【優先日】2022-10-06

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】592010081

【氏名又は名称】ラム リサーチ コーポレーション

【氏名又は名称原語表記】ＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ

(74)【代理人】

【識別番号】110000028

【氏名又は名称】弁理士法人明成国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】リンド・ギャリー・ビー．

(72)【発明者】

【氏名】コー・レオナード

(72)【発明者】

【氏名】エイブ・アンドリュー・ポール

(72)【発明者】

【氏名】グラバル・ヴィナヤカラディー

【テーマコード（参考）】

4K030

5F004

5F045

5F131

【Ｆターム（参考）】

4K030CA04

4K030EA06

4K030EA11

4K030FA03

4K030FA10

4K030GA02

4K030HA01

5F004BA03

5F004BA04

5F004BA20

5F004BB13

5F004BB14

5F004BB18

5F004BB22

5F004BB23

5F004BB25

5F004BB26

5F004BB29

5F004BC02

5F004BD04

5F004BD05

5F004CA04

5F045AA08

5F045AA15

5F045DP03

5F045DQ10

5F045EE06

5F045EE17

5F045EF05

5F045EG02

5F045EG05

5F045EH05

5F045EH11

5F045EH12

5F045EH18

5F045EK07

5F045EM05

5F045EM09

5F131AA02

5F131AA03

5F131BA03

5F131BA04

5F131BA33

5F131BA37

5F131BA39

5F131BB04

5F131DA33

5F131DA42

5F131EA03

5F131EA04

5F131EA23

5F131EB11

5F131EB82

5F131JA16

5F131JA23

5F131JA24

5F131JA35

5F131KA23

(57)【要約】

【解決手段】基板に対しバルク堆積を実施するように構成された基板処理システム用の台座アセンブリは、上昇および降下されるように構成される。台座アセンブリは、ステム部と、ステム部上に設けられたベースプレート部と、ポンピングリングアセンブリとを含む。ベースプレート部は基板を支持するように構成される。ポンピングリングアセンブリはベースプレート部の周囲に設けられ、下側ポンピングリングと、下側ポンピングリングの上方に設けられた上側ポンピングリングとを含む。ポンピングリングアセンブリは、ポンピングリングアセンブリの半径方向外側の環状容積が台座アセンブリのベースプレート部の下方に画定される容積からポンピングリングアセンブリによって分離されるように、環状容積を画定するように構成される。
【選択図】図３Ａ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板に対してバルク堆積を実施するように構成された基板処理システム用の台座アセンブリであって、
前記台座アセンブリは上昇および下降されるように構成され、
前記台座アセンブリは、
ステム部と、
前記ステム部上に設けられたベースプレート部であって、前記基板を支持するように構成されたベースプレート部と、
前記ベースプレート部の周囲に設けられたポンピングリングアセンブリと、を有し、
前記ポンピングリングアセンブリは、（ｉ）下側ポンピングリングと、（ｉｉ）前記下側ポンピングリングの上方に設けられた上側ポンピングリングと、を含み、
前記ポンピングリングアセンブリは、前記ポンピングリングアセンブリの半径方向外側の環状容積が前記台座アセンブリの前記ベースプレート部の下方に画定される容積から前記ポンピングリングアセンブリによって分離されるように、前記環状容積を画定するように構成される、台座アセンブリ。

【請求項2】

請求項１に記載の台座アセンブリであって、
前記台座アセンブリが上昇位置にあるときに前記ベースプレート部上に支持されるように構成されたカバーリングをさらに有し、
前記カバーリングは、前記基板が前記ベースプレート部上に配置されたときに前記基板の外側エッジに重なり、かつその上方に延在するように構成された内側エッジを含む、台座アセンブリ。

【請求項3】

請求項２に記載の台座アセンブリであって、前記上側ポンピングリングは前記台座アセンブリが下降位置にあるときに前記カバーリングを支持するように構成される、台座アセンブリ。

【請求項4】

請求項３に記載の台座アセンブリであって、
前記上側ポンピングリングは半径方向内向きに延在するレッジを含み、
前記カバーリングは前記レッジ上に支持される、台座アセンブリ。

【請求項5】

請求項４に記載の台座アセンブリであって、
前記上側ポンピングリングは前記レッジ内に画定された内側環状凹部を含み、
前記カバーリングは前記内側環状凹部内で支持される、台座アセンブリ。

【請求項6】

請求項３に記載の台座アセンブリであって、前記基板の前記外側エッジと前記カバーリングの前記内側エッジとの下方において前記ベースプレート部と前記カバーリングとの間に画定される裏側パージ容積をさらに含む、台座アセンブリ。

【請求項7】

請求項６に記載の台座アセンブリであって、
前記裏側パージ容積内において前記ベースプレート部の上面に画定された複数の穴をさらに有し、
前記複数の穴は前記裏側パージ容積にパージガスを供給するように構成される、台座アセンブリ。

【請求項8】

請求項１に記載の台座アセンブリであって、
前記上側ポンピングリング内に画定された複数の穴をさらに有し、
前記複数の穴は、反応物質が前記ベースプレート部の上方の堆積容積から前記ベースプレート部の下方に画定される前記容積へと流れることを可能にするように構成される、台座アセンブリ。

【請求項9】

請求項８に記載の台座アセンブリであって、
前記上側ポンピングリングと前記下側ポンピングリングとの間に画定されたギャップをさらに含み、
前記ギャップは、反応物質が前記下側ポンピングリングの下方から前記下側ポンピングリングアセンブリの半径方向外側の前記環状容積へと半径方向外向きに流れることを可能にするように構成される、台座アセンブリ。

【請求項10】

請求項９に記載の台座アセンブリであって、前記下側ポンピングリングは概して「Ｃ」字型である、台座アセンブリ。

【請求項11】

請求項１０に記載の台座アセンブリであって、前記下側ポンピングリングは、環状本体部と、前記環状本体部の上端と下端とから半径方向外向きに延在する脚部とを含む、台座アセンブリ。

【請求項12】

処理チャンバアセンブリであって、請求項１に記載の台座アセンブリを含む、処理チャンバアセンブリ。

【請求項13】

請求項１２に記載の処理チャンバアセンブリであって、
前記ベースプレート部の下方の前記容積を画定する第１のセクションをさらに有し、
前記ポンピングリングアセンブリの半径方向外側の前記環状容積は、前記第１のセクションの内面と前記下側ポンピングリングの外面との間に画定される、処理チャンバアセンブリ。

【請求項14】

請求項１３に記載の処理チャンバアセンブリであって、
前記第１のセクション上に設けられた上部プレートをさらに有し、
前記上部プレートは前記ベースプレート部の上方の堆積容積を画定する、処理チャンバアセンブリ。

【請求項15】

請求項１４に記載の処理チャンバアセンブリであって、前記下側ポンピングリングは前記上部プレートの下面に取り付けられている、処理チャンバアセンブリ。

【請求項16】

基板に対してバルク堆積を実施するように構成された基板処理システム用の基板支持体であって、
前記基板を支持するように構成されたベースプレート部と、
前記ベースプレート部の周囲に設けられたポンピングリングアセンブリであって、前記ポンピングリングアセンブリの半径方向外側の環状容積が前記基板支持体の前記ベースプレート部の下方に画定される容積から前記ポンピングリングアセンブリによって分離されるように、前記環状容積を画定するように構成されるポンピングリングアセンブリと、を有する基板支持体。

【請求項17】

請求項１６に記載の基板支持体であって、前記ポンピングリングアセンブリは、（ｉ）下側ポンピングリングと、（ｉｉ）前記下側ポンピングリングの上方に設けられた上側ポンピングリングと、を含む、基板支持体。

【請求項18】

請求項１７に記載の基板支持体であって、
前記ベースプレート部は外向きの段差を含み、
前記基板支持体は前記外向きの段差上に支持されるように構成されたカバーリングをさらに有する、基板支持体。

【請求項19】

請求項１８に記載の基板支持体であって、
前記基板支持体は上昇および下降されるように構成され、
前記カバーリングは（ｉ）前記基板支持体が上昇位置にあるときに前記外向きの段差上に支持され、（ｉｉ）前記基板支持体が下降位置にあるときに前記上側ポンピングリング上に支持されるように構成される、基板支持体。

【請求項20】

請求項１７に記載の基板支持体であって、
前記上側ポンピングリングは複数の穴を有し、
前記複数の穴は、反応物質が前記ベースプレート部の上方の堆積容積から前記ベースプレート部の下方に画定される前記容積へと流れることを可能にするように構成され、
前記下側ポンピングリングと前記上側ポンピングリングとの間に画定されるギャップは、反応物質が前記上側ポンピングリングの下方から前記ポンピングリングアセンブリの半径方向外側の前記環状容積へと流れることを可能にするように構成される、基板支持体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

［関連出願の相互参照］
本出願は、２０２２年１０月６日に出願された米国仮特許出願６３／４１３，８３７号の利益を主張する。上記で参照されている出願は、その全体の開示が参照により本明細書に組み込まれる。

【0002】

本開示は、基板処理システム用の台座の設計に関する。

【背景技術】

【0003】

ここで提供される背景の説明は、本開示の内容を概ね提示することを目的とする。この背景技術の欄において説明される範囲内における、現時点で名前を挙げられている発明者らによる研究、ならびに出願の時点で先行技術として別途みなされ得ない説明の態様は、明示または暗示を問わず、本開示に対抗する先行技術として認められない。

【0004】

基板処理ツールは、一般に、半導体ウエハなどの基板に対して堆積、エッチング、およびその他の処理を実施するための複数のステーションを有する。基板に対し実施され得るプロセスの例には、化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセス、化学強化プラズマ気相堆積（ＣＥＰＶＤ）プロセス、プラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）プロセス、スパッタリング物理気相堆積（ＰＶＤ）プロセス、原子層堆積（ＡＬＤ）、およびプラズマ強化ＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）が含まれる。基板に対して実施され得るプロセスのさらなる例には、エッチングプロセス（例えば、化学エッチング、プラズマエッチング、反応性イオンエッチングなど）およびクリーニングプロセスが含まれる。

【0005】

処理中、基板は処理チャンバ内で静電チャック（ＥＳＣ）または台座などの基板支持体の上に置かれる。処理チャンバ内にはプロセスガスが導入され、いくつかの例においては、処理チャンバ内でプラズマが打たれる。プロセスガスは、シャワーヘッドなどのガス分配装置を使用して導入される。

【発明の概要】

【0006】

基板に対してバルク堆積を実施するように構成された基板処理システム用の台座アセンブリは、上昇および降下されるように構成される。台座アセンブリは、ステム部と、ステム部上に設けられたベースプレート部と、ポンピングリングアセンブリとを含む。ベースプレート部は基板を支持するように構成される。ポンピングリングアセンブリはベースプレート部の周囲に設けられ、下側ポンピングリングと、下側ポンピングリングの上方に設けられた上側ポンピングリングとを含む。ポンピングリングアセンブリは、ポンピングリングアセンブリの半径方向外側の環状容積が台座アセンブリのベースプレート部の下方に画定される容積からポンピングリングアセンブリによって分離されるように、環状容積を画定するように構成される。

【0007】

別の特徴では、台座アセンブリは、台座アセンブリが上昇位置にあるときにベースプレート部上に支持されるように構成されたカバーリングをさらに含み、カバーリングは、基板がベースプレート部上に配置されたときに基板の外側エッジに重なり、かつその上方に延在するように構成された内側エッジを含む。上側ポンピングリングは台座アセンブリが下降位置にあるときにカバーリングを支持するように構成される。上側ポンピングリングは半径方向内向きに延在するレッジを含み、カバーリングはレッジ上に支持される。上側ポンピングリングはレッジ内に画定された内側環状凹部を含み、カバーリングは内側環状凹部内で支持される。

【0008】

別の特徴では、台座アセンブリは、基板の外側エッジとカバーリングの内側エッジとの下方においてベースプレート部とカバーリングとの間に画定される裏側パージ容積をさらに含む。台座アセンブリは、裏側パージ容積内においてベースプレート部の上面に画定された複数の穴をさらに含む。複数の穴は裏側パージ容積にパージガスを供給するように構成される。台座アセンブリは、上側ポンピングリング内に画定された複数の穴をさらに含む。複数の穴は、反応物質がベースプレート部の上方の堆積容積からベースプレート部の下方に画定される容積へと流れることを可能にするように構成される。

【0009】

別の特徴では、台座アセンブリは上側ポンピングリングと下側ポンピングリングとの間に画定されたギャップを含む。ギャップは、反応物質が下側ポンピングリングの下方からポンピングリングアセンブリの半径方向外側の環状容積へと半径方向外向きに流れることを可能にするように構成される。下側ポンピングリングは概して「Ｃ」字型である。下側ポンピングリングは、環状本体部と、環状本体部の上端と下端とから半径方向外向きに延在する脚部とを含む。

【0010】

別の特徴では、処理チャンバアセンブリが台座アセンブリを含む。処理チャンバアセンブリは、ベースプレート部の下方の容積を画定する第１のセクションをさらに含む。ポンピングリングアセンブリの半径方向外側の環状容積は、第１のセクションの内面と下側ポンピングリングの外面との間に画定される。処理チャンバアセンブリは、第１のセクション上に設けられた上部プレートをさらに含む。上部プレートはベースプレート部の上方の堆積容積を画定する。下側ポンピングリングは上部プレートの下面に取り付けられている。

【0011】

基板に対してバルク堆積を行うように構成された基板処理システム用の基板支持体は、ベースプレート部とポンピングリングアセンブリとを含む。ベースプレート部は基板を支持するように構成される。ポンピングリングアセンブリはベースプレート部の周囲に設けられる。ポンピングリングアセンブリは、ポンピングリングアセンブリの半径方向外側の環状容積が基板支持体のベースプレート部の下方に画定される容積からポンピングリングアセンブリによって分離されるように、環状容積を画定するように構成される。

【0012】

別の特徴では、ポンピングリングアセンブリは、下側ポンピングリングと、下側ポンピングリングの上方に設けられた上側ポンピングリングと、を含む。ベースプレート部は外向きの段差を含む。基板支持体は、外向きの段差上に支持されるように構成されたカバーリングをさらに含む。基板支持体は上昇および下降されるように構成されている。カバーリングは、基板支持体が上昇位置にあるときに外向きのステップ上に支持され、基板支持体が下降位置にあるときに上側ポンピングリング上に支持されるように構成される。上側ポンピングリングは、反応物質がベースプレート部の上方の堆積容積からベースプレート部の下方に画定された容積へと流れることを可能にするように構成される複数の穴を含む。下側ポンピングリングと上側ポンピングリングとの間に画定されたギャップは、反応物質が上側ポンピングリングの下方からポンピングリングアセンブリの半径方向外側の環状容積へと流れることを可能にするように構成される。

【0013】

本開示のさらなる適用範囲は、発明の詳細な説明、特許請求の範囲および図面から明らかになるであろう。発明の詳細な説明および具体的な例は説明に用いることのみを意図しており、本開示の範囲を制限することは意図されていない。

【図面の簡単な説明】

【0014】

本開示は発明の詳細な説明および添付の図面により、より完全に理解されるであろう。

【0015】

【図1】図１は、本開示に係る例示的なカバーリングを有する基板処理システムの機能ブロック図である。

【0016】

【図2】図２は、本開示に係る例示的な処理チャンバと、シャワーヘッドと、基板支持体とを示す。

【0017】

【図3A】図３Ａは、本開示に係る台座アセンブリを含む処理チャンバアセンブリを示す。

【0018】

【図3B】図３Ｂは、本開示に係る台座アセンブリの周囲に配置された例示的なポンピングリングを示す。

【0019】

【図3C】図３Ｃは、本開示に係る台座アセンブリのベースプレート部の周囲の例示的な裏側パージ容積を示す。

【0020】

図面において、参照符号は類似および／または同一の要素を特定するために再使用される場合がある。

【発明を実施するための形態】

【0021】

基板処理ツールは１つまたは複数のプロセスモジュールまたはチャンバを有する。例えば、マルチステーションモジュール（例えば、クワッドステーションモジュール（ＱＳＭ））は、基板に対して堆積、エッチング、およびその他の処理を実施するための複数のステーションを有する。それぞれのステーションでは、異なるプロセスが実施され得る。対照的に、シングルステーションモジュールは単一のステーションのみを有する。

【0022】

いくつかの例では、マルチステーションモジュールの第１のステーションで核形成プロセス（例えば、原子層堆積（ＡＬＤ）の核形成ステップ）が実施される一方、マルチステーションモジュールのその他のステーションではバルクフィル／堆積ステップが実施される。チャンバの最適な寸法と形状および／またはプロセスパラメータは、それぞれのステップで異なり得る。例えば、核形成ステップに最適なチャンバ圧力および温度は、バルク堆積ステップに最適なチャンバ圧力および温度よりも低くなり得る。しかし、マルチステーションモジュール内のステーションは同じ処理チャンバを共有しているため、処理チャンバの条件が核形成ステップにもバルク堆積ステップにも最適ではない場合がある。

【0023】

本開示に係るプロセスモジュールは、ＡＬＤプロセスのバルク堆積ステップに最適化された構成要素を有する。例えば、プロセスモジュールは核形成ステップとは独立にバルク堆積ステップを実施するために構成されたシングルステーションモジュールである。核形成ステップは、プロセスモジュールに移送されるより前に、異なるモジュールまたはツールにおいて実施されてもよい。その結果、核形成ステップとバルク堆積ステップとを、それぞれ最適なプロセス条件で実施できる。バルク堆積について説明したが、本開示の原理はその他のタイプの堆積にも適用され得る。

【0024】

プロセスモジュールは、基板支持体（例えば、１つまたは複数の加熱ゾーンを備えた台座）と、キャリアリングまたはカバーリングと、台座の周囲に配置された１つまたは複数のポンピングリングとを有する。１つまたは複数のポンピングリングは、下側ポンピングリングと上側ポンピングリングとを含んでもよい。カバーリングは基板の外側エッジの上方に延在し、かつ基板の外側エッジに重なり、基板の外側エッジ上への堆積を減らす。例えば、台座とカバーリングとの間の、基板の外側エッジの周囲のギャップに、不活性ガスが供給される。カバーリングの外側エッジは上側ポンピングリングの内側エッジ上に張り出している。その結果、台座が基板の移送のために下降された場合に、カバーリングは上側ポンピングリング上に支持される。反対に、台座が上昇された場合には、台座の外側エッジがカバーリングを支持する。

【0025】

図１を参照すると、本開示に係る、処理チャンバ１０４を有する基板処理システム１００の一例が示されている。以下でより詳細に説明するように、処理チャンバ１０４は、複数のセクションまたは部品（例えば、個別に機械加工された処理チャンバのセクション）のアセンブリで構成される。処理チャンバ１０４は、パージ中にポンピングの均一性を向上させるように構成されている。

【0026】

シャワーヘッド１０８は、処理チャンバ１０４の上面内または一部に配置される。基板１１２は処理中、基板支持体１１６（例えば、ＣＶＤおよび／またはＡＬＤ堆積用に構成された台座）に配置される。例えば、基板１１２に対してはＡＬＤプロセスのバルク堆積が実施される。

【0027】

ガス送達システム１２０は、バルブ１２４－１、１２４－２・・・、および１２４ーＮ（まとめてバルブ１２４）とマスフローコントローラ１２６－１、１２６－２・・・、および１２６－Ｎ（まとめてＭＦＣ１２６）とに接続されたガス源１２２－１、１２２－２・・・、および１２２－Ｎ（まとめてガス源１２２）を含む。ＭＦＣ１２６は、ガス源１２２から、ガスが混合されるマニホールド１２８へのガスの流れを制御する。マニホールド１２８の出力は、マニホールド１３６に供給される。マニホールド１３６の出力は、シャワーヘッド１０８（例えば、以下でより詳しく説明するように、マルチインジェクタ、マルチゾーンシャワーヘッド）に入力される。マニホールド１２８および１３６が図示されているものの、単一のマニホールドを用いてもよい。

【0028】

いくつかの例では、基板支持体１１６の温度は抵抗ヒータ１４４を使用して制御されてもよい。いくつかの例では、抵抗ヒータ１４４を異なる加熱ゾーンに配置することで、基板支持体１１６のそれぞれの加熱ゾーンにおいて温度を独立して制御できる。基板支持体１１６は、冷却剤チャネル１４６を含んでもよい。冷却剤チャネル１４６には、流体ストレージ１４８およびポンプ１５０から冷却流体が供給される。圧力を測定するために、圧力センサ１５２、１５４が、それぞれ、マニホールド１２８またはマニホールド１３６の中に配置されてもよい。バルブ１５６とポンプ１５８とは、処理チャンバ１０４から反応物質を排出（すなわち、パージ）するため、および／または処理チャンバ１０４内の圧力を制御するために使用されてもよい。

【0029】

コントローラ１６０は、シャワーヘッド１０８により提供されるドーズ量を制御するドーズコントローラ１６２を有する。コントローラ１６０は、ガス送達システム１２０からのガス送達も制御する。コントローラ１６０は、バルブ１５６とポンプ１５８とを用いて、処理チャンバ内の圧力および／または反応物のパージを制御する。コントローラ１６０は、温度フィードバック（例えば、基板支持体内のセンサ（図示しない）および／または冷却剤の温度を測定するセンサ（図示しない）からのフィードバック）に基づいて基板支持体１１６と基板１１２との温度を制御する。

【0030】

堆積プロセスを実施するように構成されると説明されているものの、基板処理システム１００はエッチングプロセスを実施するように構成されてもよい。いくつかの例では、基板処理システム１００は基板１１２に対して堆積プロセスと同じ処理チャンバ１０４内でエッチングを実施するように構成されてもよい。したがって、基板処理システム１００はＲＦ電力を生成して下部電極（例えば、図示されているように、基板支持体１１６のベースプレート）と上部電極（例えば、シャワーヘッド１０８）とのうち一方に供給するように構成されたＲＦ生成システム１６４（例えば、電圧源や電流源など）を有してもよい。下部電極と上部電極とのうち他方はＤＣ接地、ＡＣ接地、または非接地であってもよい。

【0031】

単なる例にすぎないが、ＲＦ生成システム１６４は、処理チャンバ１０４内でプラズマを生成して基板１１２をエッチングするために整合および分配ネットワーク１６８によって供給されるＲＦ電圧を生成するように構成された、ＲＦ生成器１６６を有してもよい。他の一例では、プラズマは誘導的に、または遠隔で生成されてもよい。例示を目的として示すとおり、ＲＦ生成システム１６４は容量結合プラズマ（ＣＣＰ）システムに対応している。しかし、本開示の原理は、単なる例にすぎないが、トランス結合プラズマ（ＴＣＰ）システム、ＣＣＰカソードシステム、遠隔マイクロ波プラズマ生成／送達システムなど、その他の適切なシステムによっても実装され得る。

【0032】

基板支持体１１６は、カバーリング１７０を有する。いくつかの例では、カバーリング１７０の内側エッジは基板１１２の外側エッジに重なる。いくつかの例では、基板支持体１１６は基板１１２を処理チャンバ１０４内に移送するために下降される。例えば、基板１１２は、基板支持体１１６が下降された場合に露出するリフトピン（図１には図示なし）上に移送される。以下でより詳細に説明するように、基板支持体１１６が下降されると、カバーリング１７０はポンピングリングなどの構造上に支持され得る。次に基板支持体１１６は上昇され、基板１１２およびカバーリング１７０と係合する。

【0033】

いくつかの例では、処理チャンバ１０４は、処理チャンバ１０４の底面に位置づけられた１つまたは複数のパージポート１８０（例えば、底部パージポート）を使用してパージされる。例えば、バルブ１５６とポンプ１５８とは、処理チャンバ１０４を通って下向きに、かつパージポート１８０の外へと選択的に反応物質をパージするように制御される。以下でより詳細に説明するように、本開示に係る処理チャンバ１０４と基板支持体１１６とは、処理チャンバ１０４内に画定されるパージ容積の対称性を向上させ、ポンピングフローの均一かつ環状の分布を促進するように構成される。

【0034】

図２は、本開示に係る基板支持体（すなわち、台座）２０４を有する例示的な処理チャンバ２００を示している。いくつかの例では、処理チャンバ２００は複数のパーツのアセンブリで構成される。一例では、処理チャンバ２００はシングルステーションモジュールのステーションに対応する。処理チャンバ２００は、異なる処理チャンバで実施される核形成ステップに続き、シャワーヘッド２０６から反応物質を供給して基板２０８に対しバルク堆積ステップを実施するように構成される。例えば、核形成ステップに続いて、基板２０８は、処理チャンバ２００内に配置された基板支持体（すなわち、台座）２１２に移送される。

【0035】

一例では、基板２０８は、台座２０４が下降位置にあるときに、処理チャンバ２００の側壁にあるスロットまたはその他の開口２１４を通って移送される。台座２０４が下降位置にあるとき、リフトピン２１６は台座２０４の上面の上方に延在し、基板２０８はリフトピン２１６の上に載置される（例えば、移送ロボットを使用して）。次に、図２に示すように、台座２０４が上昇されて基板２０８を上昇位置へと持ち上げて支持する。換言すると、リフトピン２１６は静的（すなわち、固定）リフトピンであり、上昇および下降しない。それに代わり、基板２０８の配置のために台座２０４が上昇および下降する。

【0036】

処理チャンバ２００と、シャワーヘッド２０６と、台座２０４とのそれぞれは、シャワーヘッド２０６と台座２０４との間に画定された堆積ゾーン２１８における方位角的な非対称性を最小化するように構成される。例えば、堆積ゾーン２１８はシャワーヘッド２０６の下側の基板に面したフェースプレート２２０と、処理チャンバ２００の環状の内面２２２と、台座２０４との間に画定される対称的な環状容積である。さらに、フェースプレート２２０と台座２０４との間のギャップは、堆積ゾーン２１８内でのプロセスガスの流れと分布の均一性を維持するために最小化される。

【0037】

シャワーヘッド２０６は、ベースまたはヘッド部２２６とステム部２２８とを有する。ステム部２２８は、処理チャンバ２００の上側の壁（例えば、蓋２３０）を通過して延在し、ヘッド部２２６に接続する。例えば、ヘッド部２２６はフェースプレート２２０と、バックプレート２３２と、フェースプレート２２０とバックプレート２３２との間に設けられた中間プレート２３４とを有する。この例では、フェースプレート２２０は処理チャンバ２００の上面として機能する。

【0038】

フェースプレート２２０と、バックプレート２３２と、中間プレート２３４とは、ヘッド部２２６内の少なくとも３つの流路と各プレナム２３８とを画定し、半径方向における調整可能性とプロセス構成可能性を提供する。例えば、１つまたは複数のプレナム２３８－１がフェースプレート２２０の上面に画定され、プレナム２３８－２が中間プレート２３４の上面に画定され、プレナム２３８－３がバックプレート２３２の上面に画定され、プレナム２３８－４がフェースプレート２２０内でプレナム２３８－１の半径方向外側に画定される。プレナム２３８－１、２３８－２、２３８－３、および２３８－４は、まとめてプレナム２３８と呼ばれる。

【0039】

図示されているように、第１の流路（実線／矢印で示す）２４０は、ステム２２８を通じて、フェースプレート２２０の中央ゾーン２４２内に画定された対応するプレナムへとガスを供給する。第２の流路（点線／矢印で示す）２４４は、ステム２２８を通じて、フェースプレート２２０の半径方向または中間ゾーン２４６内に画定された対応するプレナムへとガスを供給する。第３の流路（破線／矢印で示す）２４８は、ステム２２８を通じて、フェースプレート２２０の外側またはエッジゾーン２５０内に画定された対応するプレナムへとガスを供給する。単なる例示に過ぎないが、第１の流路２４０はステム２２８を通り、中央入口２５２－１を介して中央ゾーン２４２にガスを供給し、第２の流路２４４はバックプレート２３２と中間プレート２３４とを通り、中間入口２５２－２を介して中間ゾーン２４６にガスを供給し、第３の流路２４８はバックプレート２３２と中間プレート２３４とを通り、エッジ入口２５２－３を介してエッジゾーン２５０にガスを供給する。

【0040】

フェースプレート２２０は、プレナム２３８から処理チャンバ２００内の堆積ゾーン２１８へと延在する複数の穴２５４を含む。例えば、第１の流路２４０内のガスは中央ゾーン２４２の穴２５４を通じて流れ、第２の流路２４４内のガスは中間ゾーン２４６の穴２５４を通じて流れ、第３の流路２４８内のガスはエッジゾーン２５０の穴２５４を通じて流れる。

【0041】

中央ゾーン２４２と、中間ゾーン２４６と、エッジゾーン２５０とに供給されるガスは、基板２０８の対応する領域に供給される特定の反応物質（すなわち、ガス）を追加または削除するように独立して制御できる。例えば、バルク堆積を実施するために堆積ゾーン２１８に供給されるガス混合物は、例えばアルゴン（Ａｒ）、分子性水素（Ｈ₂）、六フッ化タングステン（ＷＦ₆）、分子性窒素（Ｎ₂）などの、さまざまな反応性および非反応性のガスを含み得る。別の例では、例えばジボラン（Ｃ₂Ｈ₆）、シラン（ＳｉＨ₄）など、別のガスおよびガス混合物が供給され得る。各ゾーン２４２、２４６、２５０に供給されるそれぞれのガスの量は、（例えば、ガス制御システム１２０のようなガス制御システムの個別に制御可能な構成要素を使用して）、基板２０８の異なる位置での堆積速度および膜の特性を調整するために制御可能である。換言すると、それぞれのゾーンに供給される各ガスの量は、独立して制御可能である。

【0042】

図２に示されるように、第３の流路２４８を介してエッジゾーン２５０に供給されるガスは、フェースプレート２２０の最も外側の穴２６０のみに供給される。換言すると、第３の流路２４８は、中央ゾーン２４２および中間ゾーン２４６にはガスを供給しない。例えば、穴２６０はフェースプレート２２０のエッジゾーン２５０内に画定されたプレナム２３８－３およびプレナム２３８－４と流体連通するが、中央ゾーン２４２および中間ゾーン２４６内に画定されたプレナム２３８－１とは流体連通しない。一例として、エッジゾーン２５０内のプレナム２３８－４は、中央ゾーン２４２および中間ゾーン２４６内のプレナム２３８－１から分離されている。

【0043】

反対に、プレナム２３８－１は中央ゾーン２４２と中間ゾーン２４６との両方に画定された単一のプレナムに対応する場合がある。その結果、第１の流路２４０と第２の流路２４４との両方を介して供給されたガスは同じプレナム２３８－１に供給される。第１の流路２４０と第２の流路２４４とを通じて供給されるガスは、プレナム２３８－１内で混合され、穴２５４を通って流れる。

【0044】

図示されているように、処理チャンバ２００は第１のセクション（例えば、上側セクション）２６４と、第２のセクション（例えば、下側セクション）２６８と、第３のセクション（例えば、底部プレート）２７２とで構成されるアセンブリである。例えば、第１のセクション２６４と、第２のセクション２６８と、第３のセクション２７２とは、独立して機械加工され、互いにろう付けされて処理チャンバ２００を構成するアルミニウム製セクションである。処理チャンバ２００は、シャワーヘッド２０６と蓋２３０とに係合して堆積ゾーン２１８を画定するように構成された第４のセクション（例えば、上部プレートまたはセクション）２７６を含んでもよい。

【0045】

本開示に係る台座２０４は、カバーリング２８０を支持するように構成される。カバーリング２８０は、基板２０８の外側エッジ上に延在し、かつ基板２０８の外側エッジに重なる／基板２０８の外側エッジを覆う内側エッジまたは縁部を含む。このように、カバーリング２８０は基板２０８の外側エッジ上への堆積を減らす。台座２０４が下降されると、カバーリング２８０は、以下で図３Ａにおいて詳細に示すように、上側ポンピングリング（図２には図示なし）の内側エッジなどのレッジ２８２上に支持される。

【0046】

図３Ａは、本開示に係る台座または台座アセンブリ３０４を含む処理チャンバアセンブリ３００を示している。いくつかの例では、本開示により詳細に示される、処理チャンバアセンブリ３００は、第１のセクション３０８－１、第２のセクション３０８－２、第３のセクション３０８－３（まとめてセクション３０８と呼ばれる）などの複数のセクションから構成される。図示を簡潔にするため、図２に示されている一部の詳細（例えば、シャワーヘッド２０６、リフトピン２１６など）は図３Ａから省略されている。セクション３０８内に画定された、さまざまなマニホールドと、プレナムまたは内部容積と、チャネルとは、破線で示されている。３つのセクション（例えば、独立して機械加工され、互いにろう付けされている）として図示されているものの、別の例では、アセンブリ３００は３つのセクションよりも少ないまたは多いセクションから構成され得る、および／または異なる作成方法で形成され得る（例えば、積層造形）。第４のセクション３１０または上部プレート（例えば、第４のセクション２７６に対応する）は、第１のセクション３０８－１上に設けられてもよい。

【0047】

第１のセクション３０８－１は、台座アセンブリ３０４の周囲の、中間部３１２－１と上部３１２－２と（下部３１２－３とともに、まとめて第１の容積３１２と呼ばれる）を含む概して環状のプレナムまたは容積を画定する。例えば、中間部３１２－１は、台座アセンブリ３０４のベースプレート部３２０の下方で台座アセンブリ３０４のステム部３１８を囲む。中間部３１２－１の直径は、ベースプレート部３２０の直径と概して同一である（または、図示されているように、ベースプレート部３２０の直径よりわずかに大きい）。上部３１２－２はベースプレート部３２０を囲んでいる。上部３１２－２は、階段状の構成を有してもよい。換言すると、図示されているように、上部３１２－２の外径はベースプレート部３２０に対して１倍以上、半径方向外向きに突き出している。上部３１２－２は、第１のマニホールドまたはマニホールディングの１段階目として機能する。

【0048】

第１のセクション３０８－１は、第１の容積３１２へのアクセスを提供する１つまたは複数のスロット３２２－１および３２２－２（まとめてスロット３２２と呼ばれる）を含んでもよい。例えば、スロット３２２－１は上記のように、台座アセンブリ３０４上へと移送される基板のためのアクセスを提供する。一方、スロット３２２－２は第１の容積３１２、台座アセンブリ３０４などへの視覚的なアクセスを可能にするのぞき窓として機能してもよい。

【0049】

第２のセクション３０８－２は、第１の容積３１２の下部３１２－３、環状の第２の容積３２４、環状の第３の容積３２８などの複数のプレナムまたは容積を画定する。下部３１２－３と第２の容積３２４とは、第２のセクション３０８－２の上面に画定される。例えば、下部３１２－３は中間部３１２－１と連続しており、ステム部３１８を囲む。第２の容積３２４は、下部３１２－３の半径方向外側に位置づけられる。第２の容積３２４は、第２のマニホールドまたはマニホールディングの２段階目として機能する。一方、第３の容積３２８は第２のセクション３０８－２の下面に画定される。例えば、第３の容積３２８は概して「Ｌ」字型の断面を有する。第３の容積３２８は、第３のマニホールドまたはマニホールディングの３段階目として機能する。

【0050】

いくつかの例では、ステム部３１８の周囲に、パージプレート３３０（例えば、環状またはディスク状のプレート）が下部３１２－３に設けられる。パージプレート３３０は、第１の容積３１２を、第２のセクション３０８－２と第３のセクション３０８－３とを通って延在する底部パージポート３３２から分離する。パージプレート３３０は、複数の穴または環状スロット３３４を含む。一方、第３の容積３２８は第３のセクション３０８－３を通る主ポンピングポート３３６と流体連通している。

【0051】

第１の容積３１２の上部３１２－２と、第２の容積３２４と、第３の容積３２８とは、それぞれ、マニホールディングの１段階目、２段階目、３段階目に対応しており、アセンブリ３００の第１、第２、および第３のセクション３０４を通る内部ポンピング通路を提供する。上部３１２－２と第２の容積３２４との間、第２の容積３２４との第３の容積３２８との間などに延在し、これらを流体連結するさまざまなチャネル３４０は、円形のパターンで配置されてもよい。チャネル３４０は、円形のパターンで配置されてもよい。例えば、チャネル３４０は第１のセクション３０８－１と第２のセクション３０８－２とに形成された複数の穴を含む。

【0052】

第１の容積３１２の上部３１２－２と、第２の容積３２４と、第３の容積３２８と、第２のチャネル３４０とは、反応物質を台座アセンブリ３０４の上方の堆積容積３４４から主ポンピングポート３３６へと排出するための第１の流路３４２を提供する内部ポンピング通路を画定する。例えば、図示されているように、第１の流路３４２は第１の容積３１２の下部３１２－１と、台座アセンブリ３０４のベースプレート部３２０との半径方向外側に位置づけられている。第１の流路３４２を画定する構成要素は、ポンピングの均一性と対称性を向上させて台座アセンブリ３０４への裏側堆積を減らすように構成される。一方、底部パージポート３３２は、所望により、第１の容積３１２から出る追加の流路３４８を介した、第１の容積３１２から出る追加のポンピング／パージのフローを提供する。

【0053】

本開示に係る台座アセンブリ３０４は、カバーリング３５２を支持する。例えば、ベースプレート部３２０の上面は、カバーリング３５２を支持するように構成された外向きの段差３５４を有する。カバーリング３５２は、台座アセンブリ３０４上に置かれた基板３６０の外側エッジ上に延在し、かつ基板３６０の外側エッジに重なる／基板３６０の外側エッジを覆う、内側縁部またはエッジ３５６を含む。カバーリング３５２の内側エッジ３５６は基板３６０の外側エッジへの堆積を減らす。

【0054】

台座アセンブリ３０４は、ベースプレート部３２０の外縁の周囲に設けられる下側ポンピングリング３６４－１と、上側ポンピングリング３６４－２と（まとめてポンピングリングアセンブリまたはポンピングリング３６４と呼ぶ）を含む。例えば、ポンピングリング３６４は環状である。ポンピングリング３６４は、第１の容積３１２の上部３１２－２を中間部３１２－１から分離する。ポンピングリング３６４は、第１の流路３４２を介した、堆積容積３４４から上部３１２－２への反応物質のフローを調整するように構成される。その結果、主ポンピングポート３３６が上記のように堆積容積３４４を排気するように作動しているとき、反応物質はポンピングリング３６４を通って、次に、第２の容積３２４と第３の容積３２８とを通って、上部３１２－２へと引き込まれる。

【0055】

図３Ａに示され、図３Ｂにさらに詳細に示されるように、上側ポンピングリング３６４－２は上部プレート３１０の底面に（例えば、上部プレート３１０と第１のセクション３０８－１との間に）取り付けられている。例えば、上側ポンピングリング３６４－２は上部プレート３１０に、ねじなどの締結具によって取り付けられている。上側ポンピングリング３６４－２は、カバーリング３５２の外側エッジの下方に設けられたレッジ（例えば、半径方向内側に延在する段差または突起）３６８を含む。その結果、ベースプレート部３２０への、またはベースプレート部３２０からの基板３６０の移送を容易にするために台座アセンブリ３０４が下降されると、カバーリング３５２はレッジ３６８上に支持される。例えば、レッジ３６８は、カバーリング３５２を支持するように構成された環状の内側凹部３７２を画定してもよい。

【0056】

図３Ｂに示されるように、レッジ３６８は複数の開口または穴３７６を含む。穴３７６は、レッジ３６８の周辺を囲んで配置される。穴３７６は、反応物質が、上側ポンピングリング３６４－２の上方（すなわち、堆積容積３４４）から、上側ポンピングリング３６４－２を通って、上側ポンピングリング３６４の下方（すなわち、第１の容積３１２）へと流れることを可能にする。

【0057】

一方、下側ポンピングリング３６４－１は、第１の容積３１２の上部３１２－２内で第１のセクション３０８－１の上面に取り付けられる。例えば、下側ポンピングリング３６４－１は概して「Ｃ」字型であり、半径方向内側の垂直部（例えば、環状本体部）３７８と、本体部３７８の上端および下端から半径方向外側に延在する水平脚部３８０とを含む。第１の容積３１２の上部３１２－２は、下側ポンピングリング３６４－１の外面と第１のセクション３０８－１の内面との間に画定される。

【0058】

下側ポンピングリング３６４－１の上面と上側ポンピングリング３６４－２の下面との間には、流路またはギャップ３８２（例えば、水平ギャップ）が画定される。ギャップ３８２は、反応物質がポンピングリング３６４の間を半径方向外側に、上部３１２－２へと流れることを可能にする。

【0059】

引き続き図３Ａおよび図３Ｂを参照しながら図３Ｃを参照すると、環状の裏側パージ容積またはギャップ３８４が、ベースプレート部３２０の外面３８６とカバーリング３５２の内面３８８との間に画定されている。パージ容積３８４の内部では外向きの段差３５４の一部に複数の穴３９０が円周方向に設けられている。穴３９０は、基板３６０の外側エッジとカバーリング３５２の内側エッジ３５６との下方において裏側パージ容積３８４内に位置づけられている。

【0060】

穴３９０を介して裏側パージ容積３８４にガス（例えば、アルゴンなどの、パージガスまたは不活性ガス）が供給される。例えば、ガスは（図３Ｂに示されるように）ベースプレート部３２０内に画定された１つまたは複数のプレナム３９２へと供給され、プレナム３９２から、穴３９０を通って、裏側パージ容積３８４へと供給されてもよい。このように裏側パージ容積３８４へと供給されたガスは、裏側パージ容積３８４を加圧し、反応物質が基板３６０の外側エッジとカバーリング３５２との間を流れることを防止する。その結果、裏側への堆積が減少する。

【0061】

さらに、基板３６０の最も外側のエッジ（例えば、最も外側の１ｍｍ、ベベル領域など）での表面への堆積（すなわち、上面への体積）は、減少する、またはなくなる。典型的には、基板ハンドリング構成要素は移送中、基板３６０の最も外側のエッジに接する。基板３６０のエッジでの基板ハンドリング構成要素と堆積材料との接触により、堆積材料の粒子が剥がれ落ち得る。したがって、裏側パージ容積３８４にパージガスを供給することにより、基板３６０の最も外側のエッジおよび／またはベベルへの堆積を防止し、粒子の発生の可能性を減らすことができる。

【0062】

上記の説明は本質的に例示的にすぎず、本開示、その応用または使用について限定することは意図していない。本開示の広範な教示はさまざまな形態で実装可能である。よって、本願は特定の例を含んではいるが、図面、明細書および以下の特許請求の範囲を検討することでその他の変形例も明らかになるであろうことから、本開示の真の対象範囲はそれらに限定されるものではない。方法における１つ以上の工程は、本開示の原理を変更することなく異なる順序で（または同時に）実施されてよいことが理解されるべきである。さらに、実施形態の各々は、特定の特徴を有するものとして記載されているが、本開示の任意の実施形態に関して記載された特徴の内の任意の１または複数の特徴を、他の実施形態のいずれかに実装できる、および／または、組み合わせが明確に記載されていないとしても、他の実施形態のいずれかの特徴と組み合わせることができる。換言すると、上述の実施形態は互いに排他的ではなく、１または複数の実施形態を互いに置き換えることは本開示の範囲内にある。

【0063】

要素の間（例えば、モジュールの間、回路要素の間、半導体層の間）の空間的関係性および機能的関係性は、「接続される」、「係合される」、「結合される」、「隣接する」、「隣に」、「の上に」、「上方に」、「下方に」、および、「設けられる」など、さまざまな用語を用いて記載されている。上記の開示に第１および第２の要素が記載されている場合には、「直接」と明確に記載されていない限り、その関係性は第１および第２の要素の間にその他の介在する要素が存在しない直接的な関係性であってもよいが、１つまたは複数の介在する要素が（空間的にも、機能的にも）第１および第２の要素の間に存在する非直接的な関係性であってもよい。本明細書において、Ａ、Ｂ、およびＣのうち少なくとも１つとの表現は、非排他的論理和ＯＲを用いて、論理和（ＡまたはＢまたはＣ）を意味するものとして解釈されるものであり、「Ａの少なくとも１つ、Ｂの少なくとも１つ、およびＣの少なくとも１つ」を意味するものとして解釈されるものではない。

【0064】

いくつかの実装形態においては、コントローラはシステムの一部であり、そのシステムは上述の例の一部であってもよい。このようなシステムは、１つもしくは複数の処理ツール、１つもしくは複数のチャンバ、１つもしくは複数の処理用プラットフォーム、および／または特定の処理構成要素（ウエハ台座、ガスフローシステムなど）などの、半導体処理機器を含んでもよい。これらのシステムは、半導体ウエハまたは基板の処理前、処理中、および処理後のシステムの動作を制御するための電子機器と一体化されていてもよい。この電子機器を、１つまたは複数のシステムの各種構成要素または副構成要素を制御し得る「コントローラ」と呼んでもよい。コントローラは、処理要件および／またはシステムの種類に応じて、本明細書に開示された、処理ガスの送達、温度設定（例えば、加熱および／または冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、高周波（ＲＦ）生成器の設定、ＲＦ整合回路の設定、周波数設定、流量設定、流体送達設定、位置および動作設定、ツールへのウエハの搬入出、ならびに、特定のシステムに接続または連動する他の搬送ツールおよび／またはロードロックへのウエハの搬入出等のいずれかのプロセスを制御するようにプログラムされていてもよい。

【0065】

大まかに言えば、コントローラは、例えば、命令を受信し、命令を出し、操作を制御し、クリーニング操作を可能とし、エンドポイント計測等を可能にする各種集積回路、ロジック、メモリ、および／またはソフトウェアを有する電子機器として定義されてよい。集積回路は、プログラム命令を格納するファームウェアの形態のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰｓ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣｓ）として定義されたチップ、および／またはプログラム命令（例えばソフトウェア）を実行する１つもしくは複数のマイクロプロセッサまたはマイクロコントローラを含んでよい。プログラム命令は、さまざまな個別設定（またはプログラムファイル）の形でコントローラに伝達される命令であって、半導体ウエハ上もしくは半導体ウエハ用に、またはシステムに対して特定のプロセスを実行する動作パラメータを定めるものであってもよい。操作パラメータは、いくつかの実施形態において、１つまたは複数の層、材料、金属、酸化物、ケイ素、二酸化ケイ素、表面、回路、および／またはウエハのダイの製造の際の１つまたは複数の処理工程を達成するためにプロセスエンジニアによって定められるレシピの一部であってよい。

【0066】

コントローラは、いくつかの実装形態において、システムと一体化された、システムに結合された、そうでなければシステムにネットワーク接続されたコンピュータの一部であってもよく、またはそのようなコンピュータに結合されていてもよく、またはそれらの組み合わせであってもよい。例えば、コントローラは、「クラウド」内、または、ウエハ処理の遠隔アクセスを可能とする製造工場のホストコンピュータシステムのすべてもしくは一部であってもよい。このコンピュータは、システムへの遠隔アクセスを可能とすることで、製造操作の現在の進行を監視し、過去の製造操作の履歴を検証し、複数の製造操作から傾向または性能基準を検証することで、現在の処理のパラメータを変更し、現在の処理に続く処理工程を設定し、または新しいプロセスを開始できる。いくつかの例では、遠隔コンピュータ（例えばサーバ）が、ローカルネットワークまたはインターネットを含み得るネットワークを通じてシステムにプロセスレシピを提供できる。遠隔コンピュータは、パラメータおよび／または設定の入力またはプログラミングを可能とするユーザインターフェースを含んでもよく、パラメータおよび／または設定は次に遠隔コンピュータからシステムに伝達される。いくつかの例では、コントローラは、１つまたは複数の操作中に行われる各処理工程のパラメータを定めたデータの形式で命令を受信する。なお、このパラメータは行われるプロセスの種類や、コントローラがインターフェース接続または制御するように構成されているツールの種類に特有のものであってもよいことを理解されたい。したがって、上述の通り、コントローラは、互いにネットワーク接続されて、本明細書に記載のプロセスや制御等の共通の目的に向かって働く１つまたは複数の別個のコントローラを含めること等により、分散されてもよい。そのような目的のために分散されたコントローラの例としては、チャンバ上のプロセスを制御するために組み合わされて、遠隔配置（例えばプラットフォームレベルで、または遠隔コンピュータの一部として）された１つまたは複数の集積回路と通信する、チャンバ上の１つまたは複数の集積回路が挙げられる。

【0067】

限定しないが、例示的なシステムは、プラズマエッチングチャンバまたはモジュール、堆積チャンバまたはモジュール、スピンリンスチャンバまたはモジュール、金属めっきチャンバまたはモジュール、クリーンチャンバまたはモジュール、ベベルエッジエッチングチャンバまたはモジュール、物理気相堆積（ＰＶＤ）チャンバまたはモジュール、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバまたはモジュール、原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバまたはモジュール、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバまたはモジュール、イオン注入チャンバまたはモジュール、トラックチャンバまたはモジュール、および半導体ウエハの製造および／または生産に関連づけられるかまたは使用され得る他の任意の半導体処理システムを含んでもよい。

【0068】

上述のように、ツールによって実施される１つまたは複数のプロセスステップに応じて、コントローラは、他のツール回路またはモジュール、他のツール部品、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接ツール、近隣ツール、工場全体に配置されたツール、メインコンピュータ、他のコントローラ、またはウエハのコンテナをツール位置および／または半導体製造工場内のロードポート内外に運ぶ材料搬送に使用されるツールのうちの、１つまたは複数と通信してもよい。

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【国際調査報告】