再表2013-164940被処理基体にドーパントを注入する方法、及びプラズマドーピング装置

発明の名称　被処理基体にドーパントを注入する方法、及びプラズマドーピング装置

出願人　東京エレクトロン株式会社　（識別番号 219967）

　　　　特許公開件数ランキング 36 位（601件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 20 位（798件）（共同出願を含む）

公報番号　再表-2013-164940

公報発行日　2015年12月24

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-S-2013-164940

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