特表2015-514161原子層堆積法の使用によるＴｉＳｉＮ薄層の形成方法

発明の名称　原子層堆積法の使用によるＴｉＳｉＮ薄層の形成方法

出願人　アイクストロン、エスイー　（識別番号 502010251）

　　　　特許公開件数ランキング 2781 位（2件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 2289 位（2件）（共同出願を含む）

公報番号　特表-2015-514161

公報発行日　2015年5月18

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-T-2015-514161

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