特表 2015-534264 基板処理システム及び基板を処理する方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】特表2015-534264(P2015-534264A)

(43)【公表日】2015年11月26日

(54)【発明の名称】基板処理システム及び基板を処理する方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/677 20060101AFI20151030BHJP

   B65G 49/06 20060101ALI20151030BHJP

   C23C 14/56 20060101ALI20151030BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/68 A

   B65G49/06 Z

   C23C14/56 G

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

【全頁数】34

(21)【出願番号】特願2015-530304(P2015-530304)

(86)(22)【出願日】2012年9月10日

(85)【翻訳文提出日】2015年4月15日

(86)【国際出願番号】EP2012067656

(87)【国際公開番号】WO2014037057

(87)【国際公開日】20140313

(81)【指定国】 AP(BW,GH,GM,KE,LR,LS,MW,MZ,NA,RW,SD,SL,SZ,TZ,UG,ZM,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,RU,TJ,TM),EP(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,RS,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GQ,GW,ML,MR,NE,SN,TD,TG),AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CZ,DE,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM,GT,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP,KE,KG,KM,KN,KP,KR,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LT,LU,LY,MA,MD,ME,MG,MK,MN,MW,MX,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PA,PE,PG,PH,PL,PT,QA,RO,RS,RU,RW,SC,SD,SE,SG,SK,SL,SM,ST,SV,SY,TH,TJ,TM,TN,TR,TT,TZ,UA,UG,US,UZ,VC

(71)【出願人】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】グラウ， オリヴァー

(72)【発明者】

【氏名】コパラル， エルカン

【テーマコード（参考）】

4K029

5F131

【Ｆターム（参考）】

4K029AA24

4K029BA03

4K029BA08

4K029BA11

4K029BA45

4K029BA50

4K029BB02

4K029CA05

4K029DC13

4K029JA01

4K029KA01

4K029KA02

4K029KA03

4K029KA09

5F131AA03

5F131BA03

5F131BB13

5F131CA32

5F131DA05

5F131DA33

5F131DA42

5F131DA52

5F131DA68

5F131DC22

5F131DC23

5F131GA05

5F131GA26

5F131GA32

(57)【要約】

基板処理システムが提供される。当該基板処理システムは、前端モジュール、ロードモジュール及び処理モジュールを含む。モジュールは、これらのモジュール間での搬送方向に沿った基板移送のために、配置される。前端モジュール、ロードモジュール、及び処理モジュールのうちの少なくとも１つは、基板又は基板キャリアを支持するための少なくとも２つの個別トラックを提供する、移送デバイスを含む。基板移送デバイスの当該少なくとも２つのトラックの２つ又はそれ以上は、搬送方向に直角の切り替え方向に互いに対して移動し得る。少なくとも第１のロードモジュール、第２のロードモジュール、及び処理モジュールの各々は、デュアルトラック移送デバイスを含み得る。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

前端モジュール、
ロードモジュール、及び
処理モジュール
を備える、基板処理システムであって、
前端モジュール、ロードモジュール、及び処理モジュールは、これらモジュール間での搬送方向に沿った基板移送のために配置され、
前端モジュール、ロードモジュール、及び処理モジュールのうち少なくとも１つは、基板もしくは基板キャリアを支持するための少なくとも２つの個別のトラックを提供する移送デバイスを備え、少なくとも２つのトラックのうち２つ以上は、互いに、搬送方向に対して直角の切り替え方向に可動である、
基板処理システム。

【請求項2】

前端モジュールは、基板又は基板キャリアを支持するための２つのトラックを提供するデュアルトラック移送デバイスを備える、デュアルトラックスイングモジュールであり、２つのトラックは、互いに、切り替え方向に可動である、請求項１に記載の基板処理システム。

【請求項3】

処理モジュールは、前端モジュールで始まるモジュールの列の最後のモジュールであり、処理モジュールは、基板又は基板キャリアを支持するための２つのトラックを提供するデュアルトラック移送デバイスを含み、２つのトラックは、切り替え方向に、互いに対して可動である、請求項１又は２に記載の基板処理システム。

【請求項4】

前端モジュール及び処理モジュールのうち少なくとも１つの、移送デバイスの２つのトラックは、切り替え方向に互いを通過するために可動である、請求項１から３のいずれか一項に記載の基板処理システム。

【請求項5】

（ａ）デュアルトラック移送デバイスを含み、任意選択的に、互いに、切り替え方向に可動である２つのトラックを提供する、第２の処理モジュール、及び
（ｂ）デュアルトラック移送デバイスを含む第３の処理モジュール
のうち少なくとも１つを備える、請求項１から４のいずれか一項に記載の基板処理システム。

【請求項6】

ロードモジュールは第１のロードモジュールであり、基板処理システムは第２のロードモジュールを備え、
これらモジュール間の基板移送のために、第１のロードモジュールは前端モジュールに連結され、第２のロードモジュールは第１のロードモジュールに連結され、
第１のロードモジュールは、第１のロードモジュールを中真空へとポンプダウンするように適合される第１のポンプシステムに連結され、第２のロードモジュールは、第２のロードモジュールを高真空へとポンプダウンするように適合される第２のポンプシステムに連結され、
第１のロードモジュールは、基板又は基板キャリアを支持するための２つの静止トラックを提供する第１の固定されたデュアルトラック移送デバイスを含み、第２のロードモジュールは、基板又は基板キャリアを支持するための２つの静止トラックを提供する第２の固定されたデュアルトラック移送デバイスを含む、
請求項１から５のいずれか一項に記載の基板処理システム。

【請求項7】

前端モジュール、
第１のロードモジュール、
第２のロードモジュール、及び
処理モジュール
を備える、基板処理システムであって、
前端モジュール、第１のロードモジュール、第２のロードモジュール、及び処理モジュールは、これらのモジュール間での搬送方向に沿った基板移送のために配置され、
第１のロードモジュール、第２のロードモジュール、及び処理モジュールの各々は、基板又は基板キャリアを支持するための、及び、基板又は基板キャリアを少なくとも搬送方向に移動させるための、厳密に２つの個別のトラックを提供する、デュアルトラック移送デバイスを備える、
基板処理システム。

【請求項8】

基板処理システムは、デュアルトラック基板処理システムであり、前端モジュールは、基板又は基板キャリアを支持するための、及び、基板又は基板キャリアを少なくとも搬送方向に移動させるための、厳密に２つの個別のトラックを提供する、デュアルトラックスイングモジュールである、請求項７に記載の基板処理システム。

【請求項9】

基板処理システムにおいて基板を処理する方法であって、
基板を、基板処理システムの真空部分へと、搬送方向に沿って移送すること、
真空部分の処理モジュールにおいて、基板を支持している第１のトラックと、第２のトラックとの間で、搬送方向に直角の切り替え方向の、相対的な移動を実施すること、及び
真空処理モジュールにおいて、基板上に層を堆積すること
を含む、方法。

【請求項10】

真空処理モジュールは、デュアルトラック真空処理モジュールであり、第２のトラックは空であり、第１のトラックと第２のトラックとが切り替え方向の相対的な移動中に互いを通過する、請求項９に記載の方法。

【請求項11】

基板を第１のトラックから隣接するモジュールへと移送すること、及び同時に、第２の基板が第２のトラックによって支持されるように、第２の基板を隣接するモジュールから処理モジュールへと移送することを含み、
隣接するモジュールは第２の処理モジュール又はロードモジュールである、請求項９又は１０に記載の方法。

【請求項12】

処理モジュールにおいて、空である第１のトラックと第２の基板を支持している第２のトラックとの間で切り替え方向の相対的な移動を実施することを含み、第１のトラックと第２のトラックとは切り替え方向の相対的な移動中に互いを通過する、請求項１１に記載の方法。

【請求項13】

基板処理システムは、基板を真空部分へと移送するための、及び、基板を真空部分から受けるための、第１のデュアルトラックロードモジュール及び第２のデュアルトラックロードモジュールを含み、方法は、
基板を第１のデュアルトラックロードモジュールの第１の静止トラックから、第２のデュアルトラックモジュールの空の第１の静止トラックへと移送することを含み、及び同時に、さらなる基板を第２のデュアルトラックロードモジュールの第２の静止トラックから第１のデュアルトラックロードモジュールの空の第２の静止トラックへと移送することを含む、請求項９から１２のいずれか一項に記載の方法。

【請求項14】

基板支持システムは、基板を第１のデュアルトラックロードモジュールへと移送するための、及び、基板を第１のデュアルトラックロードモジュールから受けるための、デュアルトラックスイングモジュールを含み、方法は、
デュアルトラックスイングモジュールにおいて、基板を支持している第１のトラックと空である第２のトラックとの間で切り替え方向の相対的な移動を実施することを含み、第１のトラックと第２のトラックとは切り替え方向の相対的な移動中に互いを通過する、請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

基板をデュアルトラックスイングモジュールの第１のトラックから、第１のデュアルロードモジュールの空の第１の静止トラックへと移送し、及び同時に、さらなる基板を第１のデュアルトラックロードモジュールの第２の静止トラックからデュアルトラックスイングモジュールの第２のトラックへと移送することを含む、請求項１４に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、基板移送のための移送デバイスを含む基板処理システム、及び、基板処理システムにおいて基板を処理する方法に関する。幾つかの実施形態は、実質的に垂直に配向された基板を処理するための基板処理システムに関する。特に、幾つかの実施形態は、デュアルトラック基板処理システムに関する。

【背景技術】

【0002】

例えばＴＦＴメタライゼーションプロセスなどの幾つかの技術的応用においては、基板上に、異なる材料の層が交互に堆積される。これは典型的には、例えばスパッタリングステップなどのコーティングステップ又は堆積ステップのシーケンスで行われ、エッチング又は構造化などの他の処理ステップもまた、様々な堆積ステップの前や、間や、後に行われる。例えば、「材料１」−「材料２」−「材料１」のシーケンスで多重層スタックを堆積することができる。種々の処理ステップにおけるコーティング速度や層の厚さの違いにより、層を堆積するための処理チャンバにおける処理時間は、大幅に変動し得る。

【0003】

多重層スタックを堆積するために、処理モジュールの幾つかの構成を提供することができる。例えば、堆積モジュールのインライン配置及びクラスタ配置を使用することができる。典型的なクラスタ配置は、中央ハンドリングモジュール及びこれに接続される幾つかの処理モジュール又は堆積モジュールを備える。コーティングモジュールは、同じ又は異なるプロセスを実施するように装備されてよい。典型的なインラインシステムは、幾つかの後続する処理モジュールを含み、複数の基板がインラインシステムで連続的に又は準連続的に処理されるように、処理ステップは１つのチャンバとその他のチャンバとで順に実行される。

【0004】

クラスタツールは異なるサイクル時間を可能にするが、基板のハンドリングがかなり複雑化し、中央ハンドリングチャンバに設けられる複雑な移送システムを要求する。インラインシステムにおける処理タクトは、典型的には最長の処理時間によって決まる。２つの搬送経路を用意して、コーティング中の第２の基板を第１の基板が追い越せるようにする。

【0005】

それでもなお、基板処理システムを改善することが求められており、所与の出力容量に対してモジュール数を低減してコストを削減することや、同一又は同等のモジュール数に対して出力容量を増大させることなどである。タクトタイムを減少させるように改善されたプロセス実施方法、及び、そのような方法を実施することが可能なシステムも求められている。

【発明の概要】

【0006】

上記に照らして、独立請求項によるシステム及び方法が提示される。さらなる詳細は、従属請求項、明細書の記載、及び図面から理解することができる。

【0007】

一実施形態によれば、基板処理システムが提供される。当該基板処理システムは、前端モジュール、ロードモジュール及び処理モジュールを含む。基板処理システムは、第２のロードモジュールを含んでもよい。モジュールは、これらのモジュール間での搬送方向に沿った基板移送のために、配置される。前端モジュール、ロードモジュール、及び処理モジュールのうちの少なくとも１つは、基板又は基板キャリアを支持するための少なくとも２つの個別トラックを提供する、基板移送デバイスを含む。基板移送デバイスの当該少なくとも２つのトラックの２つ又はそれよりも多くは、搬送方向に直角な切り替え方向に互いに対して移動し得る。基板移送デバイスはデュアルトラック基板移送デバイスであり得、当該デュアルトラック基板移送デバイスの２つのトラックは、搬送方向に対して直角の切り替え方向に、互いに対して可動であり得る。少なくとも第１のロードモジュール、第２のロードモジュール、及び処理モジュールの各々は、デュアルトラック移送デバイスを含み得る。

【0008】

別の実施形態によれば、基板処理システムにおいて基板を処理する方法が提供される。当該方法は、基板を搬送方向に沿って基板処理システムの真空部分へと移送することを含む。当該方法は、第１のトラックと第２のトラックとの間の相対的な移動を実施することをさらに含む。第１のトラックは基板を支持する。相対的な移動は、真空部分の処理モジュールにおいて、搬送方向に対して直角の切り替え方向（ｓｗｉｔｃｈ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）に実施される。方法は、真空処理モジュールにおいて基板上に層を堆積することをさらに含む。

【0009】

本発明は、記載した方法ステップを実施するための装置部分を含めて、開示した方法を実行するためのシステムにも係わっている。これらの方法ステップは、ハードウェアコンポーネント、適切なソフトウェアによってプログラムされたコンピュータ、これら２つの任意の組み合わせ、又は任意の他の方式によって実施できる。さらに、本発明は、記載したシステムが動作する又は製造される方法にも係わっている。これは、当該システムのすべての機能を実行するための方法ステップを含む。

【0010】

上記の特徴を詳細に理解することができるように、実施形態を参照することによって、より具体的な説明を得ることができる。添付の図面は実施形態に関連し、以下の記述において説明される。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】実施形態による、基板処理システムの概略図を示す。

【図2】実施形態による、基板処理システムの概略図を示す。

【図3】実施形態による、基板処理システムの概略図を示す。

【図4】実施形態による、基板上に１つの層を堆積する基板処理方法の概略図、及び、対応する基板処理システムを示す。

【図5】実施形態による、基板上に１つの層を堆積する基板処理方法の概略図、及び、対応する基板処理システムを示す。

【図6】実施形態による、基板上に１つの層を堆積する基板処理方法の概略図、及び、対応する基板処理システムを示す。

【図7】実施形態による、基板上に１つの層を堆積する基板処理方法の概略図、及び、対応する基板処理システムを示す。

【図8】実施形態による、基板上に３つの層を堆積する基板処理方法の概略図、及び、対応する基板処理システムを示す。

【図9】実施形態による、基板上に３つの層を堆積する基板処理方法の概略図、及び、対応する基板処理システムを示す。

【図10】実施形態による、基板上に３つの層を堆積する基板処理方法の概略図、及び、対応する基板処理システムを示す。

【図11】実施形態による、基板上に３つの層を堆積する基板処理方法の概略図、及び、対応する基板処理システムを示す。

【図12】実施形態による、基板上に３つの層を堆積する基板処理方法の概略図、及び、対応する基板処理システムを示す。

【図13】実施形態による、基板上に３つの層を堆積する基板処理方法の概略図、及び、対応する基板処理システムを示す。

【図14】実施形態による、基板上に３つの層を堆積する基板処理方法の概略図、及び、対応する基板処理システムを示す。

【図15】実施形態による、基板上に３つの層を堆積する基板処理方法の概略図、及び、対応する基板処理システムを示す。

【図16】実施形態による、基板上に３つの層を堆積する基板処理方法の概略図、及び、対応する基板処理システムを示す。

【図17】実施形態による、基板上に３つの層を堆積する基板処理方法の概略図、及び、対応する基板処理システムを示す。

【図18】実施形態による、基板上に３つの層を堆積する基板処理方法の概略図、及び、対応する基板処理システムを示す。

【図19】実施形態による、基板上に３つの層を堆積する基板処理方法の概略図、及び、対応する基板処理システムを示す。

【図20】実施形態による、移送デバイスを示す。

【図21】実施形態による、移送デバイスの基板支持素子を示し、移送デバイスにおいて基板を移動させる方法を示す。

【図22】実施形態による、移送デバイスの基板支持素子を示し、移送デバイスにおいて基板を移動させる方法を示す。

【図23】実施形態による、移送デバイスの基板支持素子を示し、移送デバイスにおいて基板を移動させる方法を示す。

【図24】実施形態による、移送デバイスの基板支持素子を示し、移送デバイスにおいて基板を移動させる方法を示す。

【図25】実施形態による、移送デバイスの基板支持素子を示し、移送デバイスにおいて基板を移動させる方法を示す。

【図26】実施形態による、移送デバイスの基板支持素子を示し、移送デバイスにおいて基板を移動させる方法を示す。

【図27】実施形態による、移送デバイスの基板支持素子を示し、移送デバイスにおいて基板を移動させる方法を示す。

【図28】実施形態による、基板を処理する方法を示すブロック図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

ここで、各図に一又は複数の例が示されている様々な実施形態を細部にわたり参照する。各例は説明として提示されており、限定を意味するものではない。例えば、一実施形態の一部として図示または説明された特徴を用いて、または他の実施形態と組み合わせて、さらに別の実施形態を得ることができる。本開示は、このような修正形態又は変形形態を含むことが意図されている。

【0013】

図面についての以下の説明の中で、同じ参照番号は同じ又は類似のコンポーネントを指す。全体的に、個々の実施形態に関して相違点のみが説明される。対応する実施形態のより深い理解のために、図示される構造は必ずしも縮尺通り又は角度通り描かれておらず、特徴が強調されていることがある。

【0014】

本明細書で使用する「方向」という用語は、ベクトル方向（「ＡからＢへ」）の意味に限定されず、直線をたどることのできる両方のベクトル方向（「ＡからＢへ」及び「ＢからＡへ」）を含む。例えば、垂直方向は上へ及び下への両方の概念を含む。したがって、図面において、方向は、２つの頭部を備えた矢印で示される。

【0015】

本明細書で使用する「基板」という用語は、ガラス基板などの基板を包含する。したがって、基板は、典型的には、１．４ｍ^２及びそれを上回るサイズの、典型的には５ｍ^２及びそれを上回るサイズの大面積基板である。例えば、５．５ｍ^２（Ｇｅｎ８．５）、９ｍ^２（Ｇｅｎ１０）など又はこれらよりも大きい、１．４３ｍ^２（Ｇｅｎ５）及びこれを上回る基板サイズが実現可能である。

【0016】

典型的には、基板は垂直に配向される、又は、実質的に垂直に配向される。したがって、実質的に垂直に配向される基板は、例えば、最大で１５°又は最大で１０°の、例えば、５°〜７°又はそれ未満の数度の傾斜を伴う安定した移送を可能にするために、処理システム内で、垂直配向からの幾らかの偏差を有することができることを理解されたい。したがって、基板は、実質的に又は本質的に垂直に配向されると称される。その最大表面（前面及び背面）に対する法線が実質的に水平に配向される場合、すなわち、法線が最大で数度の、例えば最大で１５°又は最大で１０°の、例えば５°から７°もしくはそれ未満の傾斜を有する場合、基板は実質的に垂直に配向される。最大表面のうちの少なくとも１つ、すなわち、前面及び背面のうちのすくなくとも１つは、典型的には、基板処理システムにおいてコーティングされ、同システム内で、実施形態による基板移送デバイスが使用できる。実質的に水平に配向される基板は、最大で１５°又は最大で１０°など、５°から７°もしくはそれ未満など、最大で数度、垂直方向から傾斜される、その最大表面に対する法線を有する。

【0017】

一実施形態によれば、基板処理システムが提供される。当該基板処理システムは、実質的に垂直に配向された基板を処理する、具体的にはコーティングするためのシステムであり得る。基板処理システムは、インラインシステムであり得る。基板処理システムは、前端モジュール、ロードモジュール及び処理モジュールを含む。基板処理システムは、さらなるロードもしくは処理モジュール、例えば、第２のロードモジュール及び／又は第２の、第３の、もしくは第４の処理モジュールを含み得る。２つのロードモジュールを備える実施形態において、第１のロードモジュールは、第１のロードモジュールを中真空へとポンプダウンするように適合される第１のポンプシステムに連結され得、第２のロードモジュールは、第２のロードモジュールを高真空へとポンプダウンするように適合される第２のポンプシステムに連結され得る。中真空は、約０．１ｍｂａｒなど、０．０５ｍｂａｒ〜１ｍｂａｒの間の範囲にあり得る。高真空は０．００１ｍｂａｒ又はこれ未満であり得、典型的には、約５^＊１０^−５ｍｂａｒなど、１０^−５ｍｂａｒ〜１０^−４ｍｂａｒの範囲にあり得る。

【0018】

幾つかの実施形態で、前端モジュールは、基板をキャリアにロードするために適合される。前端モジュールは、基板処理システムの大気部分、すなわち、真空下にない部分を形成し得る。一又は複数のロードモジュールは、基板処理システムの大気部分と真空部分との間のロックであり得る。ロードモジュールは、基板もしくは基板キャリアを真空部分内へとロードする又は真空部分内からアンロードすると見なされ得る。真空部分は、一又は複数の処理モジュールを含み得る。一又は複数の処理モジュールは、一又は複数の真空処理モジュールであり得る。基板処理システムの真空部分のモジュール内に、高真空が存在し得る。

【0019】

前端モジュール、ロードモジュール、及び処理モジュールは、これらのモジュール間での搬送方向に沿った基板移送のために、配置され得る。基板は、各々のキャリアで移送され得る。基板処理システムは、搬送方向に、互いに平行に伸びる少なくとも２つの搬送経路を有し得る。典型的には、基板処理システムは、第１の搬送経路及び第２の搬送経路を有する。第１の搬送経路及び第２の搬送経路は、搬送方向に対して直角の方向に、互いに対して変位される。この方向が切り替え方向と称される。

【0020】

前端モジュール、ロードモジュール、及び処理モジュールのうちの少なくとも１つは、例えば、デュアルトラック基板移送デバイス又はトリプルトラック基板移送デバイス、又はクアドラプルトラック基板移送デバイスなどの基板移送デバイスを含む。処理モジュールは、前端モジュールから始まるモジュールの列における、最後のモジュールであり得る。処理モジュールは、基板移送デバイスを含み得る。デュアルトラック基板移送デバイスは、基板又は基板キャリアを支持するための２つの個別トラックを提供し、トリプルトラック基板移送デバイスは、基板又は基板キャリアを支持するための３つの個別トラックを提供し、クアドラプル基板移送デバイスは、基板又は基板キャリアを支持するための４つの個別トラックを提供し、ｎタプル（ｎ−ｔｕｐｌｅ）トラックの基板移送デバイスは、基板又は基板キャリアを支持するためのｎ個の個別トラックを提供し、ここでｎは自然数である。トラックは、基板又は基板キャリアを支持することができる、画定されたスペースである。トラックは、基板支持アセンブリ又はその支持素子によって画定され得る。ｎタプルトラックの基板移送の、任意の数ｍのトラックは、搬送方向に対して直角の少なくとも一方向に、具体的には切り替え方向に、互いに対して可動であり得、ここで、ｍは０からｎの範囲外の整数である。換言すれば、基板移送デバイスの少なくとも２つのトラックのうち、２つ又はこれを上回るものは、少なくとも切り替え方向に、互いに対して可動であり得る。デュアルトラック基板移送デバイスで、２つのトラックは、搬送方向に対して直角の少なくとも一方向に、具体的には切り替え方向に、互いに対して可動であり得る。

【0021】

例えば、トラックが全く移動されることができない固定されたデュアルトラック基板移送デバイスと比較して、又は、国際出願第２００９／１５６１９６Ａ１に記載の硬直的に可動なトリプルトラック移送手段のような、硬直的にのみ可動な（ｏｎｌｙ ｒｉｇｉｄｌｙ ｍｏｖｅａｂｌｅ）移送デバイスと比較して、この種のデュアルトラック基板移送デバイスは、相対的に可動なデュアルトラック基板移送デバイスと称される。「硬直的に可動な」という用語は、トラックが、互いの固定距離を維持したまま、グループとして又は組み合わせとしてのみ移動されることができることを意味する。国際出願第２００９／１５６１９６Ａ１号の内容は、本開示の内容と適合する限りにおいて、参照により本明細書に組み込まれる。２つのトラックの切り替え方向の相対的な移動が可能であることによって、国際出願第２００９／１５６１９６Ａ１に記載の硬直的に可動なトリプルトラックの解決策と比較して、処理モジュール内で基板上への層の堆積が実施される、処理領域におけるスペースを節減することができる。このスペースを節減することにより、堆積プロセスの質に好影響を与えることができる。相対的な移動が可能であることによりプロセスの実施に関する柔軟性も増大し、したがって、タクトタイムを削減した改善された基板処理の実施が可能となり得る。

【0022】

略説すれば、厳密に２つのトラックを含むモジュールは、例えば、デュアルトラックスイングモジュール又はデュアルトラック処理モジュールなど、デュアルトラックモジュールと称される。トラックが固定された場所を有するデュアルトラックモジュールは固定されたデュアルトラックモジュールと称され、２つのトラックが互いに対して移動されることができる上述のデュアルトラックモジュールは、相対的に可動なデュアルトラックモジュールと称される。移送デバイスは、例えば、トラックが固定された場所で静止している移送デバイスに対しては固定デュアルトラック移送デバイスなど、同様の命名法で称される。トリプル、クアドラプル、又はｎタプルのデバイス、モジュール、及びシステムに対して、類似の命名法が適用される。これらは、場合によって、ｎ個のトラックのうち相対的に可動なものがない場合には「固定された」又は「硬直的に可動な」と称され、ｎ個のトラックのすべてが互いに相対的に可動である場合には「完全に相対的に可動な」と称される。簡略化するために、２つのトラックを備えるデュアルトラック基板移送デバイスを下記で説明する。記載するいかなる特徴も、トリプル、クアドラプル、及びｎタプルのデバイス、モジュール、並びにシステムの、トラックもしくはコンポーネントの幾つか又はすべてにも、さらなる記載なく適用されることを理解されたい。

【0023】

基板移送デバイスの２つのトラックは、互いから独立して少なくとも切り替え方向に可動であり得る。前端モジュール、処理モジュール、又は移送モジュールなどの他のモジュールは、２つのトラックが切り替え方向に互いを通過するように構成され得る。互いを通過することは、下記を意味する。Ｘが、第１のトラック及び第２のトラックの法線に平行な法線を有する平面であると仮定し、ここで、平面Ｘは、切り替え方向に見たときにトラック間にはない。１つの時点で、第１のトラックが第２のトラックよりも切り替え方向に測定して平面Ｘにより近い場合、第１のトラックと第２のトラックとが互いを通過した後、近位性の関係が逆転する。通過後、切り替え方向に測定して、第２のトラックは第１のトラックよりも平面Ｘにより近い。２つのトラックが切り替えられたと称されてもよい。

【0024】

第１のトラックは第１の搬送経路と位置合わせされ、異なるときに、第２の搬送経路にも位置合わせされ得る。換言すれば、第１のトラックは、第１の搬送経路と位置合わせ可能であり、代替的に第２の搬送経路と位置合わせされ得る。第２のトラックは第１の搬送経路と位置合わせされ、異なるときに、第２の搬送経路にも位置合わせされ得る。換言すれば、第２のトラックは、第１の搬送経路と位置合わせ可能であり、代替的に第２の搬送経路と位置合わせされ得る。

【0025】

処理モジュールにおいて、第１のトラック及び／又は第２のトラックは、処理位置と位置合わせ可能であり得る。処理位置は、典型的には、第１の搬送経路及び第２の搬送経路よりも堆積ソースに近い。基板又は基板キャリアは、処理位置において、堆積マスクとの位置合わせに供され得る。堆積マスクは、堆積ソースに関して固定された場所で不動であることができる。処理位置は、処理モジュールにおける第１の搬送経路又は第２の搬送経路の一部分と一致することがある。しかしながら、ここで、堆積マスクが、及び可能な場合には堆積ソースさえもが、基板又は基板キャリアの方向に、層の堆積のために移動される必要があるかもしれない。処理モジュールは、１つよりも多い堆積ソース、例えば、２つの堆積ソースを含み得る。したがって、１つよりも多い処理位置が、処理モジュールごとに存在し得る。１つよりも多い堆積ソースを備える処理モジュールは、トリプルトラック又はクアドラプルトラックモジュールでさえあり得、例えば、完全に相対的に可動なトリプルトラック又はクアドラプルトラックモジュールであり得る。それらのトラックは、１つよりも多い処理位置と位置合わせ可能であり得る。

【0026】

図１は、基板処理システム１０００の実施形態を概略的に示す。図１は、（実質的に）垂直に配向される基板が処理される場合には上面図を表し、例えば、スパッタダウン（ｓｐｕｔｔｅｒ ｄｏｗｎ）処理モジュールにおける（実質的に）水平に配向される基板が処理される場合には側面図を表す。基板処理システム１０００は、前端モジュール１１００、ロードモジュール１２００及び処理モジュール１４００を含む。処理モジュール１４００は堆積ソース１４５０を含む。実施形態によれば、堆積ソースは例えば、スパッタソース、より具体的にはロータリターゲットスパッタソースであり得る。ロータリターゲットは、平面ターゲット技術と比較して優れたターゲット表面冷却を通じて、高堆積レートを可能にし得る。処理モジュール１４００内に処理位置Ｐが示される。前端モジュール１１００は、基板をキャリアへロードする及びキャリアからアンロードするための、スイングモジュールであり得る。スイングモジュールは、基板又は基板キャリアを支持するための２つのトラックを備えるデュアルトラック移送デバイスを含む、デュアルトラックスイングモジュールであり得、ここで２つのトラックは、切り替え方向に互いに対して可動である。代替的に、前端モジュールは、基板をロードする又はアンロードするための６軸ロボットなど、一又は複数のロボットを含み得る。さらなる代替例によれば、前端モジュールは、実質的に垂直な基板ロード及びアンロードのためのデバイスを含み得る。

【0027】

基板処理モジュール１０００は、例えば、第２のロードモジュール１３００及び／又は参照記号１５００で示される一又は複数のさらなるモジュール、例えば、さらなる処理モジュールなどのさらなるモジュールを、任意選択的に含み得る。これらの任選択的なモジュールは、図１では破線で示されている。２つの搬送経路Ｔ１及びＴ２は搬送方向Ｔに沿って伸び、切り替え方向Ｓに離間されている。スイングモジュールの形態で実施される場合の前端モジュール１１００は、２つのトラック１１１２及び１１２２を有する相対的に可動なデュアルトラック基板移送デバイスを含み得る。図１の両矢印は、トラック１１１２及び１１２２が互いに対して、又は、互いから独立して、少なくとも切り替え方向Ｓに可動であることを示す。処理モジュール１４００は、２つのトラック１４１２及び１４２２を有する相対的に可動なデュアルトラック基板移送デバイスを含むように示されている。図１の両矢印は、トラック１４１２及び１４２２が互いに対して、又は、互いから独立して、少なくとも切り替え方向Ｓに可動であることを示す。

【0028】

モジュールは、隣接するモジュールのすべてのペア間での基板移送のために配置される。例えば、下記で詳述するように、各々の基板がロードされた基板又は基板キャリアは、隣接するモジュール間で交換され得、典型的には同時に交換され得る。基板又は基板キャリアは、例えば前端モジュール１１００及び処理モジュール１４００においてなど、少なくとも１つのモジュールにおいて、一方の搬送経路から他方の搬送経路へと支持するトラックと共に、相対的に可動な基板移送デバイスによって移動され得る。これにより、タクトタイム削減につながり得る素早い横断方向の移動が可能となる。さらに、基板又は基板キャリアを一方の搬送経路から他方の搬送経路へと移動させるためにハンドリングデバイスでハンドリングすることと比較して、基板又は基板キャリアをトラックと共に移動させる場合は、有害となり得る粒子が発生しない。

【0029】

図２は、前端モジュール１１００、第１のロードモジュール１２００、第２のロードモジュール１３００、及び（第１の）処理モジュール１４００、並びに任選択的な一又は複数のモジュール１５００の各々において２つの平行線によって示されるように、デュアルトラックモジュールのみを含む基板処理システムの一実施形態を示す。デュアルトラックモジュールのみを含む基板処理システムは、略してデュアルトラック基板処理システムと称される。実施形態によるデュアルトラック基板処理システムは、例えば、１つ又は複数の層でのコーティングなどの基板処理を、従来のクラスタデザイン基板処理システムと同量の処理チャンバを使用する場合にはより高い出力容量で可能にする、又は、従来のクラスタデザイン基板処理システムと比較して同じ出力容量であるが使用処理チャンバ数を減らして、可能にすることができる。さらに、例えば本明細書でより詳細に説明されるプロセス実施で、素早いタクトタイムが実現する。

【0030】

前端モジュール１１００、第１のロードモジュール１２００、第２のロードモジュール１３００、及び処理モジュール１４００は、搬送方向Ｔに沿った隣接するモジュールのすべてのペア間の基板移送のために、配置される。モジュールのデュアルトラック移送デバイスは、基板又は基板キャリアを支持するため並びに基板又は基板キャリアを少なくとも搬送方向に移動させるための、厳密に２つの個別トラックを備える。基板又は基板キャリアは、モジュールのうちの少なくとも１つにおいて、例えば、インライン基板処理システムの第１のモジュール及び最後のモジュールにおいて、１つの搬送経路Ｔ１から別の搬送経路Ｔ２へと移動され得る。

【0031】

図３は、基板処理システムのさらなる実施形態を示す。一実施形態によれば、基板上に１つの層を、例えばＩＴＯ層又はＩＧＺＯ層を、堆積するように適合される基板処理システムが提供される。この基板処理システムはデュアルトラック基板処理システムである。これは、少なくとも切り替え方向Ｓに互いに対して可動な２つのトラック１１１２及び１１２２を備える、相対的に可動なデュアルトラック前端モジュール１１００、固定されたトラック１２１５及び１２２５を備える第１の固定されたデュアルトラックロードモジュール１２００、固定されたトラック１３１５及び１３２５を備える第２の固定されたデュアルトラックロードモジュール１３００、並びに、少なくとも切り替え方向Ｓに互いに対して可動な２つのトラック１４１２及び１４２２を備える、相対的に可動なデュアルトラック処理モジュール１４００からなる。処理モジュール１４００における堆積ソースは、例えば、ロータリＩＴＯスパッタターゲット又はロータリＩＧＺＯスパッタターゲットを包含する。この基板処理システムにおいて１つの層で基板をコーティングするための可能なプロセスの実施が、図４〜７に関して説明される。

【0032】

図３に示すさらなる実施形態によれば、基板上に３つの層を、例えばＭｏ−Ａｌ−Ｍｏ層構造を、堆積するように適合される基板処理システムが提供される。この基板処理システムはデュアルトラック基板処理システムである。これは、少なくとも切り替え方向Ｓに互いに対して可動な２つのトラック１１１２及び１１２２を備える、相対的に可動なデュアルトラック前端モジュール１１００、固定されたトラック１２１５及び１２２５を備える第１の固定されたデュアルトラックロードモジュール１２００、固定されたトラック１３１５及び１３２５を備える第２の固定されたデュアルトラックロードモジュール１３００、少なくとも切り替え方向Ｓに互いに対して可動な２つのトラック１４１２及び１４２２を備える、第１の相対的に可動なデュアルトラック処理モジュール１４００、並びに、少なくとも切り替え方向Ｓに互いに対して可動な２つのトラック１５１２及び１５２２を備える、第２の相対的に可動なデュアルトラック処理モジュール１５００からなる。処理モジュール１４００における堆積ソースは、例えば、ロータリＭｏスパッタターゲットを包含し得る。処理モジュール１５００における堆積ソースは、例えば、ロータリＡｌスパッタターゲットを包含し得る。この基板処理システムにおいて３つの層で基板をコーティングするための可能なプロセスの実施が、図８〜１４に関して説明される。

【0033】

同様の基板処理システムが、基板上に２つの層を、例えばＭｏ−Ｃｕ層構造を、堆積するために適合され得る。ここで、処理チャンバ１４００はロータリＣｕスパッタターゲットを包含し得、したがって処理チャンバ１５００はロータリＭｏスパッタターゲットを包含し得る。この場合、チャンバ１４００内の移送デバイスは、相対的に可動なデュアルトラック基板移送デバイスである必要はない。少なくとも、第１のトラック及び第２のトラックのトラック切り替えもしくはトラック交換、又は、両トラックの個別の移動が可能である必要がない。チャンバ１４００内の基板移送デバイスは、例えば、処理位置と処理位置に隣接する搬送経路とに位置合わせ可能な１つの可動トラック、並びに、他方の搬送経路に位置する１つの固定されたトラックを備える、デュアルトラック移送デバイスであり得る。

【0034】

さらなる実施形態によれば、基板上に３つの層を、例えばＭｏ−Ａｌ−Ｍｏ層構造を、堆積するように適合される基板処理システムは、第３の処理モジュールを含み得る。第１の基板処理モジュールの第１の堆積ソース及び第２の基板処理モジュールの第２の堆積ソースがＭｏスパッタターゲット及びＡｌスパッタターゲットをそれぞれ包含する一方で、第３の処理モジュール内の堆積ソースは、例えば、ロータリＭｏスパッタターゲットを含み得る。この実施形態で、第１の処理モジュール及び第２の処理モジュールは、相対的に可動なデュアルトラック基板移送デバイスを含むことができるが、必須ではない。幾つかの実施形態では、インラインで設けられた数個の処理モジュールのうち最後の処理モジュールのみが、トラック切り替え又はトラック交換能力を備えた相対的に可動なデュアルトラック基板移送デバイスを含む。その他の処理モジュールは、例えば、処理位置及び処理位置に隣接する搬送経路と位置合わせ可能な１つの可動トラック、並びに、他方の搬送経路に位置する１つの固定されたトラックを備える、デュアルトラック移送デバイスを含み得る。さらなる実施形態によれば、デュアルトラック前端モジュールは、６軸ロボットなどの一又は複数のロボットを含む前端モジュールに替えてもよい。

【0035】

図４〜７は、図３に関連して基板処理システムを示し、ここで、前端モジュール１１００はロック９１０によって第１のロードモジュール１２００に連結され、第１のロードモジュール１２００はロック９２０によって第２のロードモジュール１３００に連結され、第２のロードモジュールはロック９３０によって処理モジュール１４００に連結される。図８〜１９に示す処理モジュール１４００、１５００及び１６００を連結するロック９４０及び９５０を含む、チャンバ間のロックは、それらを介したチャンバ間の基板移送を可能にする。少なくとも、真空部分におけるロック及びロードモジュール間のロック、例えば、ロック９２０、９３０、９４０、及び９５０は、真空気密であり得る。

【0036】

図４〜７で、並びに図８〜１４及び図１５〜１９でも、基板又は基板キャリアを支持するように構成されるトラックは図示されていない。基板又はキャリアのルートを示すために基板又はキャリアのみが示されており、ここで、矢印は、現在図示されている状態に後続する移動を示す。後述では、略称として、いかなる限定も含意せずに、「キャリア」という語が参照される。さらに、キャリアのルーティングは典型的には循環プロセスであり、完全なサイクルと典型的にその後実施される任意のさらなるサイクルとを理解するために必要な部分のみが示されていることを理解されたい。解説を始める状態は、任意に選択されている。図４〜１９は、基板を処理する方法の実施形態と共に、これらの図に示すキャリアルーティングスキームを含む、当該方法のすべての機能を実施するように適合された基板処理システムの実施形態を示す。

【0037】

図４〜７は、１つの層がすべての各基板上にコーティングされる、具体的なルーティングスキームを使用する実施形態を示す。図４で、キャリア１２は第２の搬送経路Ｔ２上で前端モジュール１１００に位置し、キャリア２２は第１の搬送経路Ｔ１上で第１のロードモジュール１２００に位置し、キャリア３２は第２の搬送経路上で第２のロードモジュール１３００に位置し、キャリア４２は第１の搬送経路Ｔ１上で処理モジュール１４００に位置している。処理された基板はキャリア１２からアンロードされ、新しい基板がキャリア１２にロードされる。キャリア１２は、これを支持するトラックを伴い第１の搬送経路Ｔ１へと切り替え方向Ｓに移動され、他方のトラックはトラックの切り替えを実施し、キャリア４２は、これを支持するトラックを伴い処理位置Ｐへと切り替え方向Ｓに移動され、他方のトラックはトラックの切り替えを実施し、図５に示す状態となる。

【0038】

キャリア４２の基板は堆積ソース１４５０からコーティングを受ける、例えば、ロータリスパッタターゲットからＩＴＯ又はＩＧＺＯコーティングを受ける。キャリア２２及び３２は、ロードモジュール１２００及び１３００間で同時に交換され、図６に示す状況となる。コーティングが完了すると、キャリア４２は第２の搬送経路Ｔ２へと切り替え方向に移動される。キャリア２２及び４２は、モジュール１３００及び１４００間で同時に交換され、キャリア１２及び３２は、モジュール１１００及び１２００間で交換され、図７に示す状況となる。

【0039】

図７における状況は、以前キャリア１２が占めていた位置を今度はキャリア３２が占め、以前キャリア２２が占めていた位置を今度はキャリア１２が占め、以前キャリア４２が占めていた位置を今度はキャリア２２が占め、以前キャリア３２が占めていた位置を今度はキャリア４２が占めているのみで、図４に示す状況に相当する。処理された基板はキャリア３２からアンロードされ、新しい基板がキャリア３２にロードされ、キャリアが説明されたように順序を変えられて先述のようにプロセスは続行する。

【0040】

この方式で、例えば、約５００Ａの厚さを備えるＩＴＯ層が、５０秒未満の、約４５秒もしくはそれ未満又は約３８秒もしくはそれ未満などのタクトタイムで、すべての各基板上に堆積され得る。代替的な実施例では、約５００Ａの厚さを備えるＩＧＺＯ層が、５５秒未満の、約５１秒もしくはそれ未満又は約３８秒もしくはそれ未満などのタクトタイムで、すべての各基板上に堆積され得る。

【0041】

図８〜１４は、３つの層がすべての各基板上にコーティングされる、具体的なルーティングスキームを使用する実施形態を示す。図８で、キャリア１２は第１の搬送経路Ｔ１上で前端モジュール１１００に位置し、キャリア２２は第１の搬送経路Ｔ１上で第１のロードモジュール１２００に位置し、キャリア３２は第２の搬送経路上で第２のロードモジュール１３００に位置し、キャリア４２は第１の搬送経路Ｔ１上で第１の処理モジュール１４００に位置し、キャリア８２は処理位置Ｐで第２の処理モジュール１５００に位置して堆積ソース１５５０からコーティングを受けている。キャリア４２は、第２の搬送経路Ｔ２上で静止したままであり得る他方のトラックを通過して、モジュール１４００における処理位置へと、これを支持するトラックを伴い切り替え方向Ｓに移動される。これにより、図９に示す状態となる。

【0042】

キャリア８２の基板は堆積ソース１５５０からのコーティングを、例えばロータリスパッタターゲットからのＡｌコーティングを依然として受け、キャリア４２の基板は堆積ソース１４５０からの第１のコーティングを、例えばロータリスパッタターゲットからの第１のＭｏコーティングを受ける。キャリア２２及び３２は、ロードモジュール１２００及び１３００間で同時に交換され、図１０に示す状況となる。第１のコーティングが完了すると、キャリア４２は第１の搬送経路Ｔ１へと切り替え方向に移動される。キャリア８２は、例えば、厚いＡｌコーティングなどのより厚いコーティングが必要とされるので、堆積ソース１５５０からのコーティングを依然として受け得る。これにより、図１１に示す状態となる。

【0043】

堆積ソース１５５０からのコーティングが完了すると、キャリア８２は第２の搬送経路Ｔ２へと切り替え方向に移動される。キャリア４２及び８２は、モジュール１４００及び１５００間で同時に交換され、キャリア１２及び３２は、モジュール１１００及び１２００間で交換され、図１２に示す状況となる。キャリア８２は、図８に示すよりも前の状態で第１のコーティングを既に受けたと想定すると、堆積ソース１４５０からの第２のコーティング、例えば第２のＭｏコーティングを受けるために、第２の経路Ｔ２からモジュール１４００における処理位置へと移動される。キャリア４２は、堆積ソース１５５０からのコーティングを受けるために、第１の搬送経路からモジュール１５００における処理位置へと移動される。処理された基板はキャリア３２からアンロードされ、新しい基板がキャリア３２にロードされる。キャリア３２は、モジュール１１００において第２の搬送経路Ｔ２から第１の搬送経路Ｔ１へと移動され、図１３に示す状況となる。

【0044】

キャリア８２の基板の第２のコーティングが完了すると、キャリア８２の基板は３つの層によって、例えばＭｏ−Ａｌ−Ｍｏ層構造によってコーティングされている。キャリア８２は第２の搬送経路Ｔ２へと移動される。キャリア４２の基板は、モジュール１５００において依然としてコーティングを受け得る。キャリア８２及び２２は、ロードモジュール１３００及び１４００間で同時に交換され、図１４に示す状況となる。

【0045】

図１４における状況は、以前キャリア１２が占めていた位置を今度はキャリア３２が占め、以前キャリア２２が占めていた位置を今度はキャリア１２が占め、以前キャリア４２が占めていた位置を今度はキャリア２２が占め、以前キャリア８２が占めていた位置を今度はキャリア４２が占め、以前キャリア３２が占めていた位置を今度はキャリア８２が占めているのみで、図８に示す状況に相当する。図８〜１３に関して先述したように、キャリアが説明されたように順序を変えられて、プロセスは続行する。

【0046】

この方式で、例えば、約５００Ａの厚さの第１のＭｏ層、約３５００Ａの厚さのＡｌ層、及び約５００Ａの厚さの第２のＭｏ層のＭｏ−Ａｌ−Ｍｏ層構造が、８０秒未満の、例えば７５秒又は７０未満のタクトタイムで、すべての各基板上に堆積され得る。

【0047】

変形例では、３つの処理モジュールがＭｏ−Ａｌ−Ｍｏの順でインラインで提供され、ここで、プロセスの実施が図４〜７と同様の環状プロセスであるがラインに３つの処理モジュールを備えるように、最後の処理モジュール及び前端モジュールがトラックの切り替えを実施する。２つの処理モジュールのみを備えるコンパクトなデザインはさらなる処理モジュールのコストを大幅に節減するが、環状プロセスの実施を伴う３つの処理モジュールの変形例は、タクトタイムを削減し得る。例えば７０秒未満の、例えば６８秒又は６０秒を切るタクトタイムが達成され得る。例えば、比較的厚いＡｌ層が２つの連続した処理モジュールで堆積され得る、層分割（ｌａｙｅｒ ｓｐｌｉｔ）技術が使用され、これにより３つ及び４つの処理モジュールとなる。これによりタクトタイムがさらに削減され、例えば約５１秒など５５秒未満となり得るが、さらなる処理モジュールという追加コストがかかる。

【0048】

さらなる変形例では、図８〜１４に示す基板処理システムが、Ｍｏ−Ｃｕ構造などの２層構造を堆積するために使用され得る。このプロセスの実施は、ラインに２つの処理モジュールを備えるが図４〜７と同様の環状プロセスであるように、最後の処理モジュール例えばＭｏ処理モジュール及び前端モジュールのみが、トラックの切り替えを実施する。約５００ＡのＭｏ層及び約６０００ＡのＣｕ層でのＭｏ−Ｃｕ層構造の堆積は、７５秒未満の、例えば７０秒もしくはそれ未満の、又は５０秒を切る例えば約４８秒のタクトタイムで実施され得る。

【0049】

ここでも層分割技術が使用され得る。例えば、２つの連続したＣｕ処理モジュール、すなわち合計で３つの処理モジュールが使用される場合、５０秒未満の、例えば４５秒又はそれ未満の３８秒などのタクトタイムが、やはりさらなる処理モジュールの追加コストがかかるものの、同じ層構造で達成され得る。図１５〜１９は、そのようなタクトタイムを達成できる、層分割技術による２つの異なる層の堆積、例えば、Ｍｏ−Ｃｕ層構造の堆積を示す。

【0050】

図１５〜１９は、２つの異なる層がすべての各基板上にコーティングされる、具体的なルーティングスキームを使用する実施形態を示す。図１５で、キャリア１２は第２の搬送経路Ｔ２上で前端モジュール１１００に位置し、キャリア２２は第１の搬送経路Ｔ１上で第１のロードモジュール１２００に位置し、キャリア３２は第２の搬送経路上で第２のロードモジュール１３００に位置し、キャリア４２は第１の処理モジュール１４００における処理位置に位置し、キャリア４４は第１の搬送経路Ｔ１上で第１の処理モジュール１４００に位置し、キャリア８２は第２の処理モジュール１５００における処理位置Ｐに位置し、キャリア８４は第１の搬送経路Ｔ１上で第２の処理モジュール１５００に位置し、キャリア９２は第１の搬送経路Ｔ１上で第３の処理モジュール１６００に位置している。処理モジュール１４００における堆積ソース１４５０及び処理モジュールにおける堆積ソース１５５０は、同じターゲット材料、例えば、Ｃｕを包含する。キャリア８４は、第３の処理チャンバ１６００で以前に第１の層でコーティングされたと仮定して、第２の層の第１の部分を受け、キャリア４４は、第２の処理チャンバ１５００において第２の層の第１の部分で、及び、第３の処理チャンバ１６００において第１の層で、以前にコーティングされたと仮定して、第２の層の第２の部分を受ける。キャリア９２は、それを支持しているトラックと共に、第３の処理モジュール１６００における処理位置へと切り替え方向Ｓに移動される。処理された基板はキャリア１２からアンロードされ、新しい基板がキャリア１２にロードされ得る。キャリア１２は第１の搬送経路Ｔ１へと移動される。これにより、図１６に示す状態となる。

【0051】

キャリア２２及び３２は、ロードモジュール１２００及び１３００間で同時に交換される。キャリア４４、８４、及び９２がコーティングステップを完了すると、これらはそれぞれ第２の搬送経路へと移動され、図１７に示す状況となる。キャリア１２及び３２は、モジュール１１００及び１２００間で同時に交換される。キャリア２２及び４４は、モジュール１３００及び１４００間で同時に交換される。キャリア９２及び８２は、モジュール１５００及び１６００間で同時に交換される。これにより、図１８に示す状態となる。

【0052】

処理された基板はキャリア３２からアンロードされ、新しい基板がキャリア３２にロードされる。キャリア８４は、堆積ソース１４５０から第２のコーティングの第２の部分を受けるために、処理モジュール１４００において第２の搬送経路Ｔ２から処理位置へと移動される。キャリア９２は、堆積ソース１５５０から第２のコーティングの第１の部分を受けるために、処理モジュール１４００において第２の搬送経路Ｔ２から処理位置へと移動される。これにより、図１９に示す状態となる。

【0053】

図１９における状況は、以前キャリア１２が占めていた位置を今度はキャリア３２が占め、以前キャリア２２が占めていた位置を今度はキャリア１２が占め、以前キャリア４２が占めていた位置を今度はキャリア２２が占め、以前キャリア８２が占めていた位置を今度はキャリア４２が占め、以前キャリア９２が占めていた位置を今度はキャリア８２が占め、以前キャリア８４が占めていた位置を今度はキャリア９２が占め、以前キャリア４４が占めていた位置を今度はキャリア８４が占め、以前キャリア３２が占めていた位置を今度はキャリア４４が占めているのみで、図１５に示す状況に相当する。図８〜１３に関して先述したように、キャリアが説明されたように順序を変えられて、プロセスは続行する。このプロセスの実施は環状プロセスであり、ここで、トラックの切り替えは前端モジュール１１００と第３の処理モジュール１６００とにおいてのみ発生する。

【0054】

下記では、移送デバイスの実施形態が記載される。移送デバイスのさらなる実施形態も、「基板処理システム及び基板を移動する方法（Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｄｅｖｉｃｅ ａｎｄ ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ ｍｏｖｉｎｇ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ）」と題する、本願と同日に出願され同一の出願人に譲渡された、代理人整理番号１７５９４Ｐ−ＷＯのＰＣＴ出願においてより詳細に開示され、その内容は全体として本願に組み込まれる。これら移送デバイスのすべては、基板処理システムの実施形態と、それらのさらなる実施形態が得られるように、組み合わせて使用され得る。

【0055】

実施形態によれば、搬送方向に沿った基板移送のための移送デバイス、及び、搬送方向に沿って伸びる第１の搬送経路と第２の搬送経路との間の変更のための移送デバイスは、基板処理システムのモジュールにおいて、例えば、相対的に可動なデュアルトラック前端モジュールにおいて又は相対的に可動なデュアルトラック処理モジュールにおいて、提供され得る。移送デバイスは、第１のトラックを画定する第１の基板支持アセンブリを含み得る。移送デバイスは、第２のトラックを画定する第２の基板支持アセンブリをさらに含み得る。第１の基板支持アセンブリ及び第２の基板支持アセンブリは、少なくとも切り替え方向に、互いに対して可動であり得る。移送デバイスは、一又は複数のさらなるトラックを画定する、一又は複数のさらなる基板支持アセンブリを含み得る。さらなる基板支持アセンブリのうち任意のものが、第１の基板支持アセンブリ、第２の基板支持アセンブリ、及び／又はその他のさらなる基板支持アセンブリに対して、少なくとも切り替え方向に可動であり得る。簡略化するために、２つのトラックを備えるデュアルトラック基板移送デバイスのみを下記で説明する。記載するいかなる特徴も、トリプル、クアドラプル、及びｎタプルの基板移送デバイスの、基板支持アセンブリの幾つか又はすべてにも、さらなる記載なく適用されることを理解されたい。

【0056】

さらに、前記同時係属出願の段落［００１６］〜［００２９］に記載の移送デバイスのいずれの特徴も、本明細書に記載の移送デバイスと組み合わせて使用され得る。これらの段落及び対応する図は、参照により本明細書に組み込まれる。

【0057】

図２０は移送デバイス１００を示す。トラックの搬送経路との位置合わせ、トラックの相対的な移動、及び互いを通過するトラックの状況が示されている。第１の搬送経路Ｔ１及び第２の搬送経路Ｔ２は、切り替え方向Ｓに測定した距離ｄで離間されている。第１のトラックは第１の基板支持アセンブリ１１０によって画定され、第２のトラックは基板支持アセンブリ１２０によって画定されている。基板支持アセンブリ１１０は、基板支持アセンブリ１１０の左の曲線矢印で示すように、任意選択で第１の搬送経路Ｔ１に位置合わせされ、任意選択で第２の搬送経路Ｔ２に位置合わせされる。第２の基板支持アセンブリ１２０もまた、第２の基板支持アセンブリ１２０の右の曲線矢印で示すように、任意選択で第１の搬送経路Ｔ１に位置合わせされ、任意選択で第２の搬送経路Ｔ２に位置合わせされる。図の中間部の２つの対向する矢印で示すように、第１の基板支持アセンブリ１１０は第２の基板支持アセンブリ１２０を、又は第２の基板支持アセンブリ１２０は第１の基板支持アセンブリ１１０を、通過し得る。移送デバイスが処理モジュールにおいて使用される場合、第１の基板支持アセンブリ及び第２の基板支持アセンブリは、任選択的に処理モジュールの処理位置とも位置合わせされ得る。

【0058】

先述の同時係属出願もまた、モジュールのさらなる詳細及びこれらが連結されて基板移送を可能にする方式を開示している。特に、前記同時係属出願の段落［００３１］〜［００３４］に記載のいずれの特徴も、記載のモジュールと組み合わせて使用され得る。これらの段落及び対応する図は、参照により本明細書に組み込まれる。

【0059】

図２１〜２３は、移送デバイス及び移送システム、及び、当該移送デバイス又は移送システムによって基板が移動され得る方法を示す。図２１は、第１の支持素子３１２を含む第１の基板支持アセンブリ３１０、及び、第２の支持素子３２２を含む第２の基板支持アセンブリ３２０を示す。概略的に図示する支持素子は、例えば、磁気案内素子又はローラもしくはベルトなどの機械的支持素子を表す。

【0060】

図２１に示すように、第１の基板支持アセンブリ３１０は基板５０を支持する。支持は、少なくとも部分的に第１の支持素子３１２を介して提供される。支持素子３１２は、基板５０又はそのキャリアを支持しながら処理位置Ｐに移動される。第２の基板支持アセンブリの第２の支持素子３２２は、第１の搬送経路Ｔ１へと移動される。基板５０は、そのトラックにおいて支持されながら移動される。基板５０及び第１の支持素子３１２は、処理位置Ｐへの移動の過程で第２の支持素子３２２を通過する。第１の支持素子３１２及び第２の支持素子３２２は、同時に移動し得る。代替的に、支持素子の組のうちの１つのみが移動する。例えば、基板５０を支持している第１の支持素子３１２は、まず処理位置Ｐへと移動し得、次いで第２の基板支持素子３２２が第１の搬送経路Ｔ１との位置合わせへと移動し得る。いずれの場合にも、切り替え方向に、第１の支持素子と第２の支持素子との間で相対的な移動がある。

【0061】

図２２は、基板５０が処理位置Ｐにあり堆積ソース２５０からのコーティング層を受ける状況を示す。基板５０上への層の堆積後、第１の支持素子３１２及び基板５０は、キャリア５０上の矢印で示すように、第２の搬送経路Ｔ２へと移動する。図２３は、別の処理モジュール又はロードモジュール又は前端モジュールであり得る、さらなるモジュール５００を示す。さらなるモジュール５００は第２の移送デバイスを含む。

【0062】

第２の移送デバイスは、基板支持素子４１２及び４２２をそれぞれ含む、２つのさらなる基板支持アセンブリ４１０、４２０を含む。第２の基板６０は、第１の搬送経路Ｔ１と位置合わせされ、基板支持素子４１２によって支持される。図２３は、第２の搬送経路Ｔ２に沿ったチャンバ２００からチャンバ５００への第１の基板５０の、及び、第１の搬送経路Ｔ１に沿ったチャンバ５００からチャンバ２００への第２の基板６０の、同時の移送を示す。以前は空であった支持アセンブリ４２０の支持素子４２２は、チャンバ５００において第１の基板５０を受け、以前は空であった支持アセンブリ３２０の支持素子３２２は、チャンバ２００において第２の基板６０を受ける。基板処理は、続行され得る。基板６０が移動されて、以前の基板５０と同様の方式でコーティングされる。

【0063】

先述の同時係属出願もまた、このようなタイプ及び数の支持素子のさらなる詳細を開示する。特に、前記同時係属出願の段落［００３５］〜［００３６］及び［００４３］〜［００４６］に記載のいずれの特徴も、本明細書に記載の基板移送デバイスと組み合わせて使用され得る。これらの段落及び対応する図は、参照により本明細書に組み込まれる。

【0064】

第１の基板支持アセンブリは第１の支持素子を含み得、第２の基板支持アセンブリは第２の支持素子を含み得、第１の支持素子の少なくとも部分及び第２の支持素子の少なくとも部分は、回避（ｅｖａｓｉｏｎ）方向に、互いに対して可動であり得る。回避方向は、搬送方向に対して直角であり、切り替え方向に対して直角である。第１の基板支持アセンブリの第１の支持素子及び第２の基板支持アセンブリの第２の支持素子は、切り替え方向及び回避方向の両方に、互いに対して可動であり得る。第１の支持素子は、又は少なくともその部分は、回避方向に可動であり得る。付加的に又は代替的に、第２の支持素子は、又は少なくともその部分は、回避方向に可動であり得る。第１の支持素子及び第２の支持素子は、又は少なくともその各々の部分は、回避方向に独立して可動であり得る。

【0065】

回避移動のために、支持素子は傾斜されるように構成され得る。支持素子は、傾斜を通じて回避方向に変位をとり得る。図２４〜２７は、傾斜による回避移動を概略的に示す。図示の例は、垂直に位置合わせされた基板６０及び基板キャリア６２に関する。この例は、図２１及び図２２に示す基板５０に類似した基板６０の、移動を実現する具体的な実施形態と見なされることができる。傾斜角及び他の寸法は、図示のために誇張されている。

【0066】

図２４は、堆積ソース２５０を含む真空モジュール２００を示す。真空モジュール２００は、堆積ソース２５０に対向する壁２０４を有する。搬送デバイスは、第１の基板支持アセンブリ３１０及び第２の基板支持アセンブリ３２０を有する。第１の基板支持アセンブリ３１０は、ローラ３１４の組及び磁気案内素子３１２の組を含む。第２の基板支持アセンブリ３２０は、現在基板６０を保持している基板キャリア６２を支持する、ローラ３２４の組及び磁気案内素子３２２の組を含む。ローラの軸は、真空モジュール２００の壁２０４における開口を通って非真空領域６００へと伸びる。

【0067】

キャリア６２の基板６０は、図２１の第１の搬送経路に位置合わせされる。例えば、基板６０及び基板キャリア６２は、例えば図２３と同様に、第１の搬送経路に沿ってこのモジュール内へと移送されてきた。第１の基板支持アセンブリの、現在は空の支持素子３１２及び３１４は、それらが存在する軸を傾斜することによって、回避方向Ｅに移動される。図２４に示す実施形態で、一又は複数の磁気案内素子３１２は上方に移動され、ローラ素子３１４は下方に移動され、図２５に示す状況となる。

【0068】

図２５に示すように、支持素子３１２及び３１４が傾斜した第１の基板支持アセンブリ３１０は、壁２０４の方へと切り替え方向Ｓに移動され、支持素子３２２及び３２４が基板キャリア６２を支持している第２の基板支持アセンブリ３２０は、堆積ソース２５０の方へと切り替え方向Ｓに移動される。

【0069】

図２６では、基板キャリア６２及び基板６０は、第２のトラックによって支持されながら、処理位置へと移動されている。傾斜した支持素子３１２及び３１４は、第２の基板支持アセンブリ３２０の基板６０及び支持素子３２２、３２４を通過すると、傾斜解除されることができる、すなわち、それらの軸が水平位置に戻されることができる。図２７は、第１のトラックが第１の搬送経路と位置合わせされ、基板６０を伴う第２のトラックが処理位置と位置合わせされている状況を示す。第１の基板支持アセンブリ３１０によって画定される第１のトラック、及び、第２の基板支持アセンブリ３２０によって画定される第２のトラックは、互いを通過した。基板の処理が完了した後、基板６０及び基板キャリア６２は左に移動されて第２の搬送経路と位置合わせされ、ここで、図２３と同様に、隣接するチャンバとの基板の交換が実行される。

【0070】

先述の同時係属出願はまた、支持素子の傾斜能力についてのさらなる詳細も開示する。特に、前記同時係属出願の段落［００４８］〜［００６２］に記載のいずれの特徴も、記載の基板移送デバイスと組み合わせて使用され得る。これらの段落及び対応する図は、参照により本明細書に組み込まれる。当該同時係属出願はさらに、基板支持素子のピボット移動の形態の、代替的な回避移動を開示する。段落［００６３］〜［００６８］に記載のいずれの特徴も、記載の基板移送デバイスと組み合わせて使用され得る。これらの段落及び対応する図は、参照により本明細書に組み込まれる。

【0071】

本開示の基板処理システムのモジュールと組み合わせて使用される移送デバイスは、任意の数の下記の特徴も含み得る：第１のトラックが第１の搬送経路と及び代替的に第２の搬送経路と位置合わせされるように、第１の基板支持アセンブリは少なくとも切り替え方向に可動であり得る；第２のトラックが第１の搬送経路と及び代替的に第２の搬送経路と位置合わせされ得るように、第２の基板支持アセンブリは少なくとも切り替え方向に可動であり得る。第１の基板支持アセンブリ及び第２の基板支持アセンブリは、第１のトラックと第２のトラックとが互いを切り替え方向に通過するように、互いに対して可動であり得る。第１の基板支持アセンブリは第１の支持素子を含み得、第２の基板支持アセンブリは第２の支持素子を含み得、第１の支持素子の少なくとも部分及び第２の支持素子の少なくとも部分は、搬送方向と切り替え方向との両方に対して直角の回避方向に、互いに対して可動であり得る。第１の支持素子は、第１の磁気支持素子の組を含み得；第２の支持素子は第２の磁気支持素子の組を含み得；第１の磁気支持素子の組及び第２の磁気支持素子の組のうち少なくとも一方は、磁気支持素子のそれぞれ他方の組に対して回避方向に変位を取るために、ピボットされる又は傾斜されるように構成され得る。第１の支持素子は、第１のローラ支持素子の組を含み得；第２の支持素子は第２のローラ支持素子の組を含み得；第１のローラ支持素子の組及び第２のローラ支持素子の組のうち少なくとも一方は、ローラ支持素子のそれぞれ他方の組に対して回避方向に変位を取るために、ピボットされる又は傾斜されるように構成され得る。第１の磁気支持素子の組及び第２の磁気支持素子の組は、実質的に垂直に配向された基板又は基板キャリアの最上部を支持するように構成され得る；第１のローラ支持素子の組及び第２のローラ支持素子の組は、実質的に垂直に配向された基板又は基板キャリアの底部を支持するように構成され得、；第１の磁気支持素子の組及び第２の磁気支持素子の組は上昇されるように構成され得、第１のローラ素子の組及び第２のローラ素子の組は下降されるように構成され得る。基板又は基板キャリアを保持しているとき、第１の磁気支持素子及び第１のローラ支持素子の組並びに第２の磁気支持素子及び第２のローラ支持素子は、第１の基板支持アセンブリ及び第２の基板支持アセンブリの相対的な切り替え方向の移動中、互いを通過することができる。

【0072】

さらなる実施形態によれば、基板処理システムにおいて基板を処理する方法が提供される。図２８のブロック図で示される一実施形態によれば、方法２８００は、参照記号２８１０において、基板を基板処理システムの真空部分へと搬送方向に沿って移送することを含む。方法は、参照記号２８２０で、真空部分の処理モジュールにおいて、搬送方向に直角の切り替え方向の相対的な移動を、第１のトラックと第２のトラックとの間で実施することをさらに含み、ここで第１のトラックが基板を支持している。方法は、参照記号２８３０において、真空処理モジュールにおいて基板上に層を堆積することをさらに含む。

【0073】

方法はさらに、処理モジュールにおいて、切り替え方向の相対的な移動を第１のトラックと第２のトラックとの間で実施することを含み得、第２のトラックは第２の基板を支持し、第１のトラックは空であり、第１のトラックと第２のトラックとは切り替え方向の相対的な移動中に互いを通過する。基板処理システムは、基板を真空部分へと移送するための及び基板を真空部分から受けるための、第１のデュアルトラックロードモジュール及び第２のデュアルトラックロードモジュールを含み得る。方法は、基板を第１のデュアルトラックロードモジュールの第１の静止トラックから、第２のデュアルトラックモジュールの空の第１の静止トラックへと移送することを含み得、及び、典型的には同時に、さらなる基板を第２のデュアルトラックロードモジュールの第２の静止トラックから第１のデュアルトラックロードモジュールの空の第２の静止トラックへと移送することを含み得る。この動作は、２つのモジュール間での（同時）基板交換、上記の例では２つのロードモジュール間での基板交換と称される。

【0074】

基板支持システムは、基板を第１のデュアルトラックロードモジュールへと移送するための及び基板を第１のデュアルトラックロードモジュールから受けるための、デュアルトラックスイングモジュールを含み得る。方法は、デュアルトラックスイングモジュールにおいて、第１のトラックと第２のトラックとの間で、切り替え方向の相対的な移動を実施することを含み得、ここで、第１のトラックが基板を支持する。第２のトラックは空であり得る。第１のトラック及び第２のトラックは、切り替え方向の相対的な移動中に、互いを通過し得る。方法はさらに、基板をデュアルトラックスイングロードモジュールの第１のトラックから、第１のデュアルトラックモジュールの空の第１の静止トラックへと移送することを含み得、及び、典型的には同時に、さらなる基板を第１のデュアルトラックロードモジュールの第２の静止トラックからデュアルトラックスイングモジュールの第２のトラックへと移送することを含み得る。換言すれば、方法は、スイングモジュールと第１のロードモジュールとの間の（同時）基板交換を含み得る。方法はさらに、さらなるモジュールの任意のペア間での、例えば、ロードモジュールと処理モジュールとの、又は、第１の処理モジュールと第２の処理モジュールとの間の、基板交換又は同時基板交換を含み得る。

【0075】

基板処理システムにおいて基板を処理する方法は、基板処理システムにおいて基板を移動させる方法を含み得る。基板を移動させる方法は、下記のいずれをも含み得る：第１の搬送経路に沿って基板をモジュール内へと移動させること；モジュール内で基板を、少なくとも、第１の搬送経路に直角の切り替え方向に移動させること；モジュール内で、典型的には空の基板支持アセンブリの支持素子を移動させることであり、ここで、（空の）基板支持アセンブリの基板及び支持素子は、切り替え方向に互いに対して移動され且つ互いを通過する。空の基板支持アセンブリの支持素子の移動は、下記の少なくとも１つを含み得る：第１の搬送経路と切り替え方向との両方に直角の回避方向への移動、及び、切り替え方向への移動。

【0076】

基板を移動させる方法は、基板が第１のトラックによって支持されるように基板を移送することを含み得る。第１のトラックは、第１の基板支持アセンブリの第１の支持素子によって画定され得る。空の基板支持アセンブリは、第２の基板支持アセンブリであり得、空の基板支持アセンブリの支持素子は、第２のトラックを画定する第２の支持素子であり得る。基板を移動させることは、第１のトラックが基板を支持している間に当該第１のトラックを移動させることを含み得る。基板を支持している第１のトラック及び第２の支持素子によって画定される第２のトラックは、切り替え方向に互いに対して移動され得、互いを通過し得る。

【0077】

方法は、第２の支持素子の少なくとも部分をピボットさせること又は傾斜させることを含み得る。モジュールは、処理位置を有する処理モジュールであり得る。基板を移動させることは、基板を処理位置へと移動させることを含み得る。方法は、処理位置において基板上に層を堆積することを含み得る。方法は、基板を第２の搬送経路に沿ってモジュールの外へと移送すること、及び、典型的には同時に、第２の基板を第１の搬送経路に沿ってモジュール内へと移送することを含み得、ここで、第２の基板は空の基板支持アセンブリの支持素子によって受けられる。

【0078】

先述の同時係属出願はさらに、本明細書に記載の実施形態による基板を処理する方法と組み合わせ可能な、基板を移動させる方法についての詳細を開示する。特に、前記同時係属出願の段落［００６９］〜［００７７］に記載のいずれの特徴も、本明細書に記載の方法と組み合わせて使用され得る。これらの段落及び対応する図は、参照により本明細書に組み込まれる。さらに、記載の実施形態による基板処理システムのいかなる特徴も、基板を処理する方法において使用され得、これによりさらなる実施形態が得られる。一方で、基板処理システム及びそれらのコンポーネントは、記載の方法の各々を実行するように構成され得る。記載の基板を処理する方法のうち任意のものを実施するための、本明細書に記載の実施形態の任意のものによる基板処理システムの使用が、さらなる実施形態によって提供される。

【0079】

本明細書で用いられる用語及び表現は説明するものであり限定するものではなく、そのような用語及び表現の使用において、示され説明される特徴の任意の等価物を排除する意図はない。以上の説明は実施形態を対象としているが、範囲を逸脱することなくその他の実施形態及び追加の実施形態を考案することができ、当該範囲は添付の特許請求の範囲によって定められる。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【手続補正書】

【提出日】2015年8月12日

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

前端モジュール（１１００）、
ロードモジュール（１２００，１３００）、及び
処理モジュール（１４００）
を備える、基板処理システム（１０００）であって、
前端モジュール（１１００）、ロードモジュール（１２００，１３００）、及び処理モジュール（１４００）は、これらモジュール間での搬送方向（Ｔ）に沿った基板移送のために配置され、
前端モジュール（１１００）、ロードモジュール（１２００，１３００）、及び処理モジュール（１４００）のうち少なくとも１つは、基板もしくは基板キャリア（１２，２２，３２，４２）を支持するための少なくとも２つの個別のトラック（１１１２、１１２２，１２１５，１２２５，１３１５，１３２５，１４１２，１４２２）を提供する移送デバイス（１００）を備え、少なくとも２つのトラック（１１１２，１１２２，１４１２，１４２２）のうち２つ以上は、互いに、搬送方向（Ｔ）に対して直角の切り替え方向（Ｓ）に可動である、
基板処理システム（１０００）。

【請求項2】

前端モジュール（１１００）は、基板又は基板キャリア（１２）を支持するための２つのトラック（１１１２，１１２２）を提供するデュアルトラック移送デバイス（１００）を備える、デュアルトラックスイングモジュールであり、２つのトラック（１１１２）は、互いに対して切り替え方向（Ｓ）に可動である、請求項１に記載の基板処理システム。

【請求項3】

処理モジュール（１４００）は、前端モジュール（１１００）で始まるモジュールの列の最後のモジュールであり、処理モジュール（１４００）は、基板又は基板キャリア（４２）を支持するための２つのトラック（１４１２，１４２２）を提供するデュアルトラック移送デバイス（１００）を含み、２つのトラック（１４１２，１４２２）は、互いに対して切り替え方向（Ｓ）に可動である、請求項１又は２に記載の基板処理システム（１０００）。

【請求項4】

前端モジュール（１１００）及び処理モジュールのうち少なくとも１つの、移送デバイス（１００）の２つのトラック（１１１２，１１２２，１４１２，１４２２）は、切り替え方向（Ｓ）に互いを通過するために可動である、請求項１から３のいずれか一項に記載の基板処理システム（１０００）。

【請求項5】

（ａ）デュアルトラック移送デバイス（１００）を含み、任意選択的に、互いに対して切り替え方向に可動である２つのトラックを提供する、第２の処理モジュール（１５００）、及び
（ｂ）デュアルトラック移送デバイス（１００）を含む第３の処理モジュール（１６００）
のうち少なくとも１つを備える、請求項１から４のいずれか一項に記載の基板処理システム（１０００）。

【請求項6】

ロードモジュールは第１のロードモジュール（１２００）であり、基板処理システム（１０００）は第２のロードモジュール（１３００）を備え、
これらモジュール間の基板移送のために、第１のロードモジュール（１２００）は前端モジュール（１１００）に連結され、第２のロードモジュール（１３００）は第１のロードモジュール（１２００）に連結され、
第１のロードモジュール（１２００）は、第１のロードモジュール（１２００）を中真空へとポンプダウンするように適合される第１のポンプシステムに連結され、第２のロードモジュール（１３００）は、第２のロードモジュール（１３００）を高真空へとポンプダウンするように適合される第２のポンプシステムに連結され、
第１のロードモジュール（１２００）は、基板又は基板キャリアを支持するための２つの静止トラック（１２１５，１２２５）を提供する第１の固定されたデュアルトラック移送デバイス（１００）を含み、第２のロードモジュール（１３００）は、基板又は基板キャリアを支持するための２つの静止トラック（１３１５，１３２５）を提供する第２の固定されたデュアルトラック移送デバイス（１００）を含む、
請求項１から５のいずれか一項に記載の基板処理システム（１０００）。

【請求項7】

前端モジュール（１１００）、
第１のロードモジュール（１２００）、
第２のロードモジュール（１３００）、及び
処理モジュール（１４００）
を備える、基板処理システム（１０００）であって、
前端モジュール（１１００）、第１のロードモジュール（１２００）、第２のロードモジュール（１３００）、及び処理モジュール（１４００）は、これらのモジュール間での搬送方向（Ｔ）に沿った基板移送のために配置され、
第１のロードモジュール（１２００）、第２のロードモジュール（１３００）、及び処理モジュール（１４００）の各々は、基板又は基板キャリア（１２，２２，３２，４２）を支持するための、及び、基板又は基板キャリア（１２，２２，３２，４２）を少なくとも搬送方向（Ｔ）に移動させるための、厳密に２つの個別のトラック（１１１２、１１２２，１２１５，１２２５，１３１５，１３２５，１４１２，１４２２）を提供する、デュアルトラック移送デバイス（１００）を備える、
基板処理システム（１０００）。

【請求項8】

基板処理システムは、デュアルトラック基板処理システムであり、前端モジュール（１１００）は、基板又は基板キャリア（１２）を支持するための、及び、基板又は基板キャリア（１２）を少なくとも搬送方向（Ｔ）に移動させるための、厳密に２つの個別のトラック（１１１２，１１２２）を提供する、デュアルトラックスイングモジュールである、請求項７に記載の基板処理システム（１０００）。

【請求項9】

基板処理システム（１０００）において基板を処理する方法（２８００）であって、
基板を、基板処理システム（１０００）の真空部分へと、搬送方向（Ｔ）に沿って移送すること（２８１０）、
真空部分の処理モジュール（１４００）において、基板を支持している第１のトラックと、第２のトラックとの間で、搬送方向（Ｔ）に対して直角の切り替え方向（Ｓ）における相対的な移動を実施すること、及び
真空処理モジュール（２００）において、基板上に層を堆積すること（２８３０）
を含む、方法（２８００）。

【請求項10】

真空処理モジュール（２００）は、デュアルトラック真空処理モジュールであり、第２のトラックは空であり、第１のトラックと第２のトラックとが切り替え方向（Ｓ）の相対的な移動中に互いを通過する、請求項９に記載の方法（２８００）。

【請求項11】

基板を第１のトラックから隣接するモジュールへと移送すること、及び同時に、第２の基板が第２のトラックによって支持されるように、第２の基板を隣接するモジュールから処理モジュール（１４００）へと移送することを含み、
隣接するモジュールは第２の処理モジュール（１５００）又はロードモジュール（１２００，１３００）である、請求項９又は１０に記載の方法（２８００）。

【請求項12】

処理モジュール（１４００）において、空である第１のトラックと第２の基板を支持している第２のトラックとの間で切り替え方向（Ｓ）の相対的な移動を実施することを含み、第１のトラックと第２のトラックとは切り替え方向（Ｓ）の相対的な移動中に互いを通過する、請求項１１に記載の方法（２８００）。

【請求項13】

基板処理システム（１０００）は、基板を真空部分へと移送するための、及び、基板を真空部分から受けるための、第１のデュアルトラックロードモジュール（１２００）及び第２のデュアルトラックロードモジュール（１３００）を含み、方法（２８００）は、
基板を第１のデュアルトラックロードモジュール（１２００）の第１の静止トラック（１２１５，１２２５）から、第２のデュアルトラックモジュール（１３００）の空の第１の静止トラック（１３１５，１３２５）へと移送することを含み、及び同時に、さらなる基板を第２のデュアルトラックロードモジュール（１３００）の第２の静止トラック（１３１５，１３２５）から第１のデュアルトラックロードモジュール（１２００）の空の第２の静止トラック（１２１５，１２２５）へと移送することを含む、請求項９から１２のいずれか一項に記載の方法（２８００）。

【請求項14】

基板処理システム（１０００）は、基板を第１のデュアルトラックロードモジュール（１２００）へと移送するための、及び、基板を第１のデュアルトラックロードモジュール（１２００）から受けるための、デュアルトラックスイングモジュール（１１００）を含み、方法（２８００）は、
デュアルトラックスイングモジュール（１１００）において、基板を支持している第１のトラック（１１１２）と空である第２のトラック（１１２２）との間で切り替え方向（Ｓ）の相対的な移動を実施することを含み、第１のトラック（１１１２）と第２のトラック（１１２２）とは切り替え方向の相対的な移動中に互いを通過する、請求項１３に記載の方法（２８００）。

【請求項15】

基板をデュアルトラックスイングモジュール（１１００）の第１のトラック（１１１２）から、第１のデュアルトラックロードモジュール（１２００）の空の第１の静止トラック（１２１５）へと移送し、及び同時に、さらなる基板を第１のデュアルトラックロードモジュール（１２００）の第２の静止トラック（１２１５）からデュアルトラックスイングモジュール（１１００）の第２のトラック（１１２２）へと移送することを含む、請求項１４に記載の方法（２８００）。

【手続補正2】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２０

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0020】

前端モジュール、ロードモジュール、及び処理モジュールのうちの少なくとも１つは、例えば、デュアルトラック基板移送デバイス又はトリプルトラック基板移送デバイス、又はクアドラプルトラック基板移送デバイスなどの基板移送デバイスを含む。処理モジュールは、前端モジュールから始まるモジュールの列における、最後のモジュールであり得る。処理モジュールは、基板移送デバイスを含み得る。デュアルトラック基板移送デバイスは、基板又は基板キャリアを支持するための２つの個別トラックを提供し、トリプルトラック基板移送デバイスは、基板又は基板キャリアを支持するための３つの個別トラックを提供し、クアドラプル基板移送デバイスは、基板又は基板キャリアを支持するための４つの個別トラックを提供し、ｎタプル（ｎ−ｔｕｐｌｅ）トラックの基板移送デバイスは、基板又は基板キャリアを支持するためのｎ個の個別トラックを提供し、ここでｎは自然数である。トラックは、基板又は基板キャリアを支持することができる、画定されたスペースである。トラックは、基板支持アセンブリ又はその支持素子によって画定され得る。ｎタプルトラックの基板移送デバイスの、任意の数ｍのトラックは、搬送方向に対して直角の少なくとも一方向に、具体的には切り替え方向に、互いに対して可動であり得、ここで、ｍは０からｎの範囲外の整数である。換言すれば、基板移送デバイスの少なくとも２つのトラックのうち、２つ又はこれを上回るものは、少なくとも切り替え方向に、互いに対して可動であり得る。デュアルトラック基板移送デバイスで、２つのトラックは、搬送方向に対して直角の少なくとも一方向に、具体的には切り替え方向に、互いに対して可動であり得る。

【手続補正3】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４３

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0043】

堆積ソース１５５０からのコーティングが完了すると、キャリア８２は第２の搬送経路Ｔ２へと切り替え方向に移動される。キャリア４２及び８２は、モジュール１４００及び１５００間で同時に交換され、キャリア１２及び３２は、モジュール１１００及び１２００間で交換され、図１２に示す状況となる。キャリア８２は、図８に示すよりも前の状態で第１のコーティングを既に受けたと想定すると、堆積ソース１４５０からの第２のコーティング、例えば第２のＭｏコーティングを受けるために、第２の搬送経路Ｔ２からモジュール１４００における処理位置へと移動される。キャリア４２は、堆積ソース１５５０からのコーティングを受けるために、第１の搬送経路からモジュール１５００における処理位置へと移動される。処理された基板はキャリア３２からアンロードされ、新しい基板がキャリア３２にロードされる。キャリア３２は、モジュール１１００において第２の搬送経路Ｔ２から第１の搬送経路Ｔ１へと移動され、図１３に示す状況となる。

【手続補正4】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５０

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0050】

図１５〜１９は、２つの異なる層がすべての各基板上にコーティングされる、具体的なルーティングスキームを使用する実施形態を示す。図１５で、キャリア１２は第２の搬送経路Ｔ２上で前端モジュール１１００に位置し、キャリア２２は第１の搬送経路Ｔ１上で第１のロードモジュール１２００に位置し、キャリア３２は第２の搬送経路Ｔ２上で第２のロードモジュール１３００に位置し、キャリア４４は第１の処理モジュール１４００における処理位置に位置し、キャリア４２は第１の搬送経路Ｔ１上で第１の処理モジュール１４００に位置し、キャリア８４は第２の処理モジュール１５００における処理位置Ｐに位置し、キャリア８２は第１の搬送経路Ｔ１上で第２の処理モジュール１５００に位置し、キャリア９２は第１の搬送経路Ｔ１上で第３の処理モジュール１６００に位置している。処理モジュール１４００における堆積ソース１４５０及び処理モジュールにおける堆積ソース１５５０は、同じターゲット材料、例えば、Ｃｕを包含する。キャリア８４は、第３の処理チャンバ１６００で以前に堆積ソース１６５０から第１の層でコーティングされたと仮定して、第２の層の第１の部分を受け、キャリア４４は、第２の処理チャンバ１５００において第２の層の第１の部分で、及び、第３の処理チャンバ１６００において第１の層で、以前にコーティングされたと仮定して、第２の層の第２の部分を受ける。キャリア９２は、それを支持しているトラックと共に、第３の処理モジュール１６００における処理位置へと切り替え方向Ｓに移動される。処理された基板はキャリア１２からアンロードされ、新しい基板がキャリア１２にロードされ得る。キャリア１２は第１の搬送経路Ｔ１へと移動される。これにより、図１６に示す状態となる。

【手続補正5】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５２

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0052】

処理された基板はキャリア３２からアンロードされ、新しい基板がキャリア３２にロードされる。キャリア８４は、堆積ソース１４５０から第２のコーティングの第２の部分を受けるために、処理モジュール１５００において第２の搬送経路Ｔ２から処理位置へと移動される。キャリア９２は、堆積ソース１５５０から第２のコーティングの第１の部分を受けるために、処理モジュール１４００において第２の搬送経路Ｔ２から処理位置へと移動される。これにより、図１９に示す状態となる。

【手続補正6】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７３

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0073】

方法はさらに、処理モジュールにおいて、切り替え方向の相対的な移動を第１のトラックと第２のトラックとの間で実施することを含み得、第２のトラックは第２の基板を支持し、第１のトラックは空であり、第１のトラックと第２のトラックとは切り替え方向の相対的な移動中に互いを通過する。基板処理システムは、基板を真空部分へと移送するための及び基板を真空部分から受けるための、第１のデュアルトラックロードモジュール及び第２のデュアルトラックロードモジュールを含み得る。方法は、基板を第１のデュアルトラックロードモジュールの第１の静止トラックから、第２のデュアルトラックロードモジュールの空の第１の静止トラックへと移送することを含み得、及び、典型的には同時に、さらなる基板を第２のデュアルトラックロードモジュールの第２の静止トラックから第１のデュアルトラックロードモジュールの空の第２の静止トラックへと移送することを含み得る。この動作は、２つのモジュール間での（同時）基板交換、上記の例では２つのロードモジュール間での基板交換と称される。

【手続補正7】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７４

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0074】

基板支持システムは、基板を第１のデュアルトラックロードモジュールへと移送するための及び基板を第１のデュアルトラックロードモジュールから受けるための、デュアルトラックスイングモジュールを含み得る。方法は、デュアルトラックスイングモジュールにおいて、第１のトラックと第２のトラックとの間で、切り替え方向の相対的な移動を実施することを含み得、ここで、第１のトラックが基板を支持する。第２のトラックは空であり得る。第１のトラック及び第２のトラックは、切り替え方向の相対的な移動中に、互いを通過し得る。方法はさらに、基板をデュアルトラックスイングロードモジュールの第１のトラックから、第１のデュアルトラックロードモジュールの空の第１の静止トラックへと移送することを含み得、及び、典型的には同時に、さらなる基板を第１のデュアルトラックロードモジュールの第２の静止トラックからデュアルトラックスイングモジュールの第２のトラックへと移送することを含み得る。換言すれば、方法は、スイングモジュールと第１のロードモジュールとの間の（同時）基板交換を含み得る。方法はさらに、さらなるモジュールの任意のペア間での、例えば、ロードモジュールと処理モジュールとの、又は、第１の処理モジュールと第２の処理モジュールとの間の、基板交換又は同時基板交換を含み得る。

【国際調査報告】