特表2016-517627(P2016-517627A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特表2016-517627InGaNを含んでいる活性領域を有している半導体構造、このような半導体構造を形成する方法、及びこのような半導体構造から形成された発光デバイス