【化1】

【化2】

【技術分野】

【0001】

【背景技術】

【0002】

【発明の概要】

本出願は、ブロック共重合体及びその用途

本明細書で用語アルキル基は、特に別途規定しない限り、炭素数１〜２０、炭素数１〜１６、炭素数１〜１２、炭素数１〜８または炭素数１〜４のアルキル基を意味することができる。前記アルキル基は、直鎖、分岐鎖または環形のアルキル基であることができ、任意に１つ以上の置換基によって置換されていてもよい。 本明細書で用語アルコキシ基は、特に別途規定しない限り、炭素数１〜２０、炭素数１〜１６、炭素数１〜１２、炭素数１〜８または炭素数１〜４のアルコキシ基を意味することができる。前記アルコキシ基は、直鎖、分岐鎖または環形のアルコキシ基であることができ、任意に１つ以上の置換基によって置換されていてもよい。 本明細書で用語アルケニル基またはアルキニル基は、特に別途規定しない限り、炭素数２〜２０、炭素数２〜１６、炭素数２〜１２、炭素数２〜８または炭素数２〜４のアルケニル基またはアルキニル基を意味することができる。前記アルケニル基またはアルキニル基は、直鎖、分岐鎖または環形であることができ、任意に１つ以上の置換基によって置換されていてもよい。 本明細書で用語アルキレン基は、特に別途規定しない限り、炭素数１〜２０、炭素数１〜１６、炭素数１〜１２、炭素数１〜８または炭素数１〜４のアルキレン基を意味することができる。前記アルキレン基は、直鎖、分岐鎖または環形のアルキレン基であることができ、任意に１つ以上の置換基によって置換されていてもよい。 本明細書で用語アルケニレン基またはアルキニレン基は、特に別途規定しない限り、炭素数２〜２０、炭素数２〜１６、炭素数２〜１２、炭素数２〜８または炭素数２〜４のアルケニレン基またはアルキニレン基を意味することができる。前記アルケニレン基またはアルキニレン基は、直鎖、分岐鎖または環形であることができ、任意に１つ以上の置換基によって置換されていてもよい。 本明細書で用語アリール基またはアリレン基は、特に別途規定しない限り、１つのベンゼン環構造、２つ以上のベンゼン環が１つまたは２つの炭素原子を共有しながら連結されているか、または任意のリンカーによって連結されている構造を含む化合物またはその誘導体から由来する１価残基または２価残基を意味することができる。 前記アリール基またはアリレン基は、 特に別途規定しない限り、炭素数６〜３０、炭素数６〜２５、炭素数６〜２１、炭素数６〜１８または炭素数６〜１３のアリール基であることができる。 本出願で用語芳香族構造は、前記アリール基またはアリレン基を意味することができる。 本明細書で用語脂環族環構造は、特に別途規定しない限り、芳香族環構造ではない環形の炭化水素構造を意味する。前記脂環族環構造は、特に別途規定しない限り、例えば、炭素数３〜３０、炭素数３〜２５、炭素数３〜２１、炭素数３〜１８または炭素数３〜１３の脂環族環構造であることができる。 本出願で用語単一結合は、当該部位に別途の原子が存在しない場合を意味することができる。例えば、Ａ−Ｂ−Ｃで表示された構造でＢが単一結合である場合、Ｂで表示される部位に別途の原子が存在せず、ＡとＣが直接連結され、Ａ−Ｃで表示される構造を形成することを意味することができる。 本出願でアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アルコキシ基、アリール基、アリレン基、直鎖または芳香族構造などに任意に置換されていてもよい置換基としては、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、アクリロイル基オキシ、メタクリロイル基オキシ基、チオール基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アルコキシ基またはアリール基などが例示されることができるが、これに制限されるものではない。 本出願の例示的なブロック共重合体は、下記化学式１で表示されるブロックを含むことができる。 化学式１で、Ｘ_２は、単一結合、酸素原子、硫黄原子、−Ｓ（＝Ｏ）_２−、アルキレン基、アルケニレン基またはアルキニレン基であり、Ｒ_１〜Ｒ_５は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜８のアルキル基または９個以上の鎖形成原子を有する直鎖であり、且つＲ_１〜Ｒ_５のうち少なくとも１つは、９個以上の鎖形成原子を有する直鎖である。 化学式１でＸ_２は、他の例示で、単一結合または酸素原子であるか、単一結合であることができるが、これに制限されるものではない。 化学式１でＲ_１〜Ｒ_５は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜８のアルキル基または９個以上の鎖形成原子を有する直鎖であり、且つＲ_１〜Ｒ_５のうち少なくとも１つは、９個以上の鎖形成原子を有する直鎖である。 １つの例示でＲ_１〜Ｒ_５のうちＲ_１，Ｒ_２，Ｒ_４及びＲ_５は、それぞれ独立に、水素または炭素数１〜８のアルキル基；または水素または炭素数１〜４のアルキル基；または水素であり、Ｒ_３が前記９個以上の鎖形成原子を有する直鎖であることができる。 本出願で用語鎖形成原子は、所定鎖の直鎖構造を形成する原子を意味する。前記鎖は、直鎖形または分岐形であることができるが、鎖形成原子の数は、最も長い直鎖を形成している原子の数だけで計算され、前記鎖形成原子に結合されている他の原子（例えば、鎖形成原子が炭素原子である場合、該炭素原子に結合している水素原子など）は計算されない。また、分岐形鎖である場合、前記鎖形成原子の数は、最も長い直鎖を形成している鎖形成原子の数で計算されることができる。例えば、側鎖がｎ−ペンチル基である場合、鎖形成原子は、いずれも炭素であって、その数は５であり、側鎖が２−メチルペンチル基である場合にも、鎖形成原子は、いずれも炭素であって、その数は５である。前記鎖形成原子としては、炭素、酸素、硫黄または窒素などを例示することができ、好適な鎖形成原子は、炭素、酸素または窒素であってもよく、炭素または酸素であってもよい。前記鎖形成原子の数は、８以上、９以上、１０以上、１１以上または１２以上であることができる。前記鎖形成原子の数は、また、３０以下、２５以下、２０以下または１６以下であることができる。 化学式１の単位は、ブロック共重合体が優れた自己組織化特性を示すようにすることができる。 １つの例示で、前記鎖は、直鎖アルキル基のような直鎖炭化水素鎖であることができる。このような場合、アルキル基は、炭素数９以上、炭素数９〜３０、炭素数９〜２５、炭素数９〜２０または炭素数９〜１６のアルキル基であることができる。前記アルキル基の炭素原子のうち１つ以上は、任意に酸素原子に置換されていてもよく、前記アルキル基の少なくとも１つの水素原子は、任意に他の置換期によって置換されていてもよい。 前記直鎖炭化水素鎖は、任意に少なくとも１つのヘテロ原子を含むことができる。この際、ヘテロ原子としては、酸素原子または窒素原子を例示することができる。 前記鎖は、例えば、アルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基であることができる。このような場合、前記アルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基での炭素及び酸素原子の数は、９個以上、９個〜３０個、９個〜２５個、９個〜２０個または９個〜１６個であることができる。 ブロック共重合体に前記第１ブロックとともに含まれることができる他のブロック（以下、第２ブロックと指称することができる）の種類は、特に制限されない。 例えば、前記第２ブロックは、ポリビニルピロリドンブロック、ポリ乳酸（ｐｏｌｙｌａｃｔｉｃ ａｃｉｄ）ブロック、ポリビニルピリジンブロック、ポリスチレンまたはポリトリメチルシリルスチレン（ｐｏｌｙｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｓｔｙｒｅｎｅ）などのようなポリスチレン（ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）ブロック、ポリエチレンオキサイド（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｏｘｉｄｅ）のようなポリアルキレンオキシドブロック、ポリアクリレート（ｐｏｌｙ ａｃｒｙｌａｔｅ）ブロック、ポリブタジエン（ｐｏｌｙ ｂｕｔａｄｉｅｎｅ）ブロック、ポリイソプレン（ｐｏｌｙ ｉｓｏｐｒｅｎｅ）ブロックまたはポリエチレン（ｐｏｌｙ ｅｔｈｙｌｅｎｅ）などのポリオレフィンブロックを例示することができる。 好適な例示で、前記第２ブロックは、下記化学式２で表示されるブロックであることができる。 本出願のブロック共重合体は、下記化学式２で表示される第２ブロックをさらに含むことができる。 化学式２でＲ_１は、水素またはアルキル基であり、Ｒ_２は、アルキル基である。 化学式２でＲ_１は、他の例示で、水素または炭素数１〜４のアルキル基；水素またはメチル基；またはメチル基であることができる。 また、化学式２でＲ_２は、他の例示で、炭素数１〜２０、炭素数１〜１６、炭素数１〜１２、炭素数１〜８または炭素数１〜４のアルキル基であることができる。 本出願の前記ブロック共重合体を製造する方法は、目的するブロックを形成することができる単量体を使用してブロック共重合体の少なくとも１つのブロックを形成する段階を含む限り、特に制限されない。 例えば、ブロック共重合体は、前記単量体を使用したＬＲＰ（Ｌｉｖｉｎｇ Ｒａｄｉｃａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）方式で製造することができ、例えば、有機希土類金属複合体を重合開始剤として使用するか、有機アルカリ金属化合物を重合開始剤として使用してアルカリ金属またはアルカリ土金属の塩などの無機酸塩の存在の下に合成する陰イオン重合、有機アルカリ金属化合物を重合開始剤として使用して有機アルミニウム化合物の存在の下に合成する陰イオン重合方法、重合剤御剤として原子移動ラジカル重合剤を利用する原子移動ラジカル重合法（ＡＴＲＰ）、重合剤御剤として原子移動ラジカル重合剤を利用し、且つ電子を発生させる有機または無機還元剤の下で重合を行うＡＲＧＥＴ（Ａｃｔｉｖａｔｏｒｓ Ｒｅｇｅｎｅｒａｔｅｄ ｂｙ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）原子移動ラジカル重合法（ＡＴＲＰ）、ＩＣＡＲ（Ｉｎｉｔｉａｔｏｒｓ ｆｏｒ ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ ａｃｔｉｖａｔｏ ｒｒｅｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）原子移動ラジカル重合法（ＡＴＲＰ）、無機還元剤可逆付加−開裂連鎖移動剤を利用する可逆付加−開裂連鎖移動による重合法（ＲＡＦＴ）または有機テルル化合物を開始剤として利用する方法などがあり、このような方法のうち好適な方法を選択して適用することができる。 例えば、前記ブロック共重合体は、ラジカル開始剤及びリビングラジカル重合試薬の存在の下に、前記ブロックを形成することができる単量体を含む反応物をリビングラジカル重合法で重合することを含む方式で製造することができる。 ブロック共重合体の製造時に前記単量体を使用して形成するブロックとともに前記共重合体 に含まれる他のブロックを形成する方式は、特に制限されず、目的するブロックの種類を考慮して好適な単量体を選択して前記他のブロックを形成することができる。 ブロック共重合体の製造過程は、例えば前記過程を経て生成された重合生成物を非溶媒内で沈澱させる過程をさらに含むことができる。 ラジカル開始剤の種類は、特に制限されず、重合効率を考慮して適宜選択することができ、例えば、ＡＩＢＮ（ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）または２、２’−アゾビス−２、４−ジメチルバレロニトリル（２、２’−ａｚｏｂｉｓ−（２、４−ｄｉｍｅｔｈｙｌｖａｌｅｒｏｎｉｔｒｉｌｅ））などのアゾ化合物や、ＢＰＯ（ｂｅｎｚｏｙｌ ｐｅｒｏｘｉｄｅ）またはＤＴＢＰ（ｄｉ−ｔ−ｂｕｔｙｌ ｐｅｒｏｘｉｄｅ）などのような過酸化物系を使用することができる。 リビングラジカル重合過程は、例えば、メチレンクロライド、１、２−ジクロロエタン、コロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ベンゼン、トルエン、アセトン、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン、モノグライム、ジグライム、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドまたはジメチルアセトアミドなどのような溶媒内で行われることができる。 非溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、ノルマルプロパノールまたはイソプロパノールなどのようなアルコール、エチレングリコールなどのグリコール、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタンまたはペトロリウムエーテルなどのようなエーテル系を使用することができるが、これに制限されるものではない。 ブロック共重合体は、共有結合で連結された２つまたはそれ以上の高分子鎖を含むので、相分離が起きる。本出願のブロック共重合体は、優れた相分離特性を示し、必要に応じて微細相分離（ｍｉｃｒｏｐｈａｓｅ ｓｅｐｅｒａｔｉｏｎ）によるナノスケールの構造を形成することができる。ナノ構造の形態及びサイズは、ブロック共重合体のサイズ（分子量など）や、ブロック間の相対的な比率により調節することができる。相分離によって形成される構造としては、球形、シリンダー、ジャイロイド（ｇｙｒｏｉｄ）またはラメラ及び反転構造などを例示することができ、このような構造を形成するブロック共重合体の能力を自己組織性と称することができる。 ブロック共重合体の数平均分子量（Ｍｎ（Ｎｕｍｂｅｒ Ａｖｅｒａｇｅ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｗｅｉｇｈｔ））は、例えば、３，０００〜３００，０００の範囲内にあり得る。本明細書で用語数平均分子量は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈ）を使用して測定した標準ポリスチレンに対する換算数値であり、本明細書で用語分子量は、特に別途規定しない限り、数平均分子量を意味する。分子量（Ｍｎ）は、他の例示では、例えば、３０００以上、５０００以上、７０００以上、９０００以上、１１０００以上、１３０００以上または１５０００以上であることができる。分子量（Ｍｎ）は、さらに他の例示で、２５００００以下、２０００００以下、１８００００以下、１６００００以下、１４００００以下、１２００００以下、１０００００以下、９００００以下、８００００以下、７００００以下、６００００以下、５００００以下、４００００以下、３００００以下または２５０００以下程度であることができる。ブロック共重合体は、１．０１〜１．６０の範囲内の分散度（ｐｏｌｙｄｉｓｐｅｒｓｉｔｙ、Ｍｗ／Ｍｎ）を有することができる。分散度は、他の例示で、約１．１以上、約１．２以上、約１．３以上または約１．４以上であることができる。 このような範囲でブロック共重合体は、好適な自己組織化特性を示すことができる。ブロック共重合体の数平均分子量などは、目的する自己組織化構造などを勘案して調節することができる。 ブロック共重合体が前記第１及び第２ブロックを少なくとも含む場合に、前記ブロック共重合体内で前記化学式１の第１ブロックの比率は、１０モル％〜９０モル％の範囲内にあり得る。 本出願は、また、前記ブロック共重合体を含む高分子膜に関する。前記高分子膜は、多様な用途に使用することができ、例えば、多様な電子または電子素子、前記パターンの形成工程または磁気格納記録媒体、フラッシュメモリーなどの記録媒体またはバイオセンサーなどに使用することができる。 １つの例示で、前記高分子膜において前記ブロック共重合体は、自己組織化を通じてスピア（ｓｐｈｅｒｅ）、シリンダー（ｃｙｌｉｎｄｅｒ）、ジャイロイド（ｇｙｒｏｉｄ）またはラメラ（ｌａｍｅｌｌａｒ）などを含む周期的構造を具現することができる。 例えば、ブロック共重合体において第１または第２ブロックまたはそれと共有結合された他のブロックのセグメント内で他のセグメントがラメラ形態またはシリンダー形態などのような規則的な構造を形成していてもよい。 本出願は、また、前記ブロック共重合体を使用して高分子膜を形成する方法に関する。前記方法は、前記ブロック共重合体を含む高分子膜を自己組織化された状態で基板上に形成することを含むことができる。例えば、前記方法は、前記ブロック共重合体またはそれを適正な溶媒に希釈したコーティング液の層を塗布などによって基板上に形成し、必要に応じて、前記層を夙成するか、熱処理する過程を含むことができる。 前記熟成または熱処理は、例えば、ブロック共重合体の相転移温度またガラス転移温度を基準に行われることができ、例えば、前記ガラス転移温度または相転移温度以上の温度で行われることができる。このような熱処理が行われる時間は、特に制限されず、例えば、約１分〜７２時間の範囲内で行われることができるが、これは、必要に応じて変更することができる。また、高分子薄膜の熱処理温度は、例えば、１００℃〜２５０℃程度であることができるが、これは、使用されるブロック共重合体を考慮して変更することができる。 前記形成された層は、他の例示では、常温の非極性溶媒及び／または極性溶媒内で、約１分〜７２時間溶媒熟成されてもよい。 本出願は、また、パターン形成方法に関する。前記方法は、例えば、基板及び前記基板の表面に形成されており、自己組織化された前記ブロック共重合体を含む高分子膜を有する積層体において前記ブロック共重合体の第１または第２ブロックを選択的に除去する過程を含むことができる。前記方法は、前記基板にパターンを形成する方法であることができる。例えば、前記方法は、前記ブロック共重合体を含む高分子膜を基板に形成し、前記膜内に存在するブロック共重合体のいずれか１つまたはそれ以上のブロックを選択的に除去した後、基板をエッチングすることを含むことができる。このような方式で、例えば、ナノスケールの微細パターンの形成が可能である。また、高分子膜内のブロック共重合体の形態によって前記方式を通じてナノロッドまたはナノホールなどのような多様な形態のパターンを形成することができる。必要に応じて、パターン形成のために前記ブロック共重合体と他の共重合体あるいは単独重合体などを混合することができる。このような方式に適用される前記基板の種類は、特に制限されず、必要に応じて選択することができ、例えば、酸化ケイ素などを適用することができる。 例えば、前記方式は、高い縦横比を示す酸化ケイ素のナノスケールのパターンを形成することができる。例えば、酸化ケイ素上に前記高分子膜を形成し、前記高分子膜内のブロック共重合体が所定の構造を形成している状態でブロック共重合体のいずれか１つのブロックを選択的に除去した後、酸化ケイ素を多様な方式、例えば、反応性イオンエッチングなどでエッチングしてナノロッドまたはナノホールのパターンなどを含む多様な形態を具現することができる。また、このような方法を用いて縦横比が大きいナノパターンの具現が可能であることができる。 例えば、前記パターンは、数十ナノメートルのスケールで具現することができ、このようなパターンは、例えば、次世代情報電子用磁気記録媒体などを含む多様な用途に活用することができる。 例えば、前記方式によれば、約３ｎｍ〜４０ｎｍの幅を有するナノ構造物、例えば、ナノ線が約６ｎｍ〜８０ｎｍの間隔をもって配置されているパターンを形成することができる。他の例示では、約３ｎｍ〜４０ｎｍの幅、例えば直径を有するナノホールが約６ｎｍ〜８０ｎｍの間隔を形成しつつ配置されている構造の具現も可能である。 また、前記構造においてナノ線やナノホールが大きい縦横比（ａｓｐｅｃｔ ｒａｔｉｏ）を有するようにすることができる。 前記方法においてブロック共重合体のいずれか１つのブロックを選択的に除去する方式は、特に制限されず、例えば、高分子膜に適正な電磁気波、例えば、紫外線などを照射して相対的にソフトなブロックを除去する方式を使用することができる。この場合、紫外線の照射条件は、ブロック共重合体のブロックの種類によって決定され、例えば、約２５４ｎｍ波長の紫外線を１分〜６０分間照射して行うことができる。 紫外線の照射に引き続いて、高分子膜を酸などで処理し、紫外線によって分解されたセグメントをさらに除去する段階を行ってもよい。 選択的にブロックが除去された高分子膜をマスクとして基板をエッチングする段階は、特に制限されず、例えば、ＣＦ４／Ａｒイオンなどを使用した反応性イオンエッチング段階を通じて行うことができ、この過程に引き続いて酸素プラズマ処理などによって高分子膜を基板から除去する段階をさらに行うことができる。

本出願では、ブロック共重合体及びその用途を提供することができる。本出願のブロック共重合体は、自己組織化特性に優れていて、多様な用途で効果的に適用することができる。

【図面の簡単な説明】

【0061】

【図1】図１は、高分子膜の実施例１に対するＡＦＭ写真である。

【図2】図２は、高分子膜の実施例２に対するＡＦＭ写真である。

【発明を実施するための形態】

以下、本出願による実施例及び比較例により本出願を詳しく説明するが、本出願の範囲が下記提示された実施例によって制限されるものではない。

１．ＮＭＲ測定方式
製造例の各化合物のＮＭＲ分析は、常温で三重共鳴５ｍｍプローブ（ｐｒｏｂｅ）を有するＶａｒｉａｎＵｎｉｔｙＩｎｏｖａ（５００ＭＨｚ）分光計を含むＮＭＲ分光計を使用して行った。ＮＭＲ測定時には、ＮＭＲ測定用溶媒（ＣＤＣｌ_３）に各化合物を約１０ｍｇ／ｍｌ程度の濃度で溶解させて適用し、化学的移動は、ｐｐｍで表現した。
〈適用略語〉
ｂｒ＝広い信号、ｓ＝単一線、ｄ＝二重線、ｄｄ＝二重二重線、ｔ＝三重線、ｄｔ＝二重三重線、ｑ＝四重線、ｐ＝五重線、ｍ＝多重線。

２．ＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈ）
数平均分子量（Ｍｎ）及び分子量分布は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）を使用して測定し、測定条件は、下記の通りである。
〈ＧＰＣ測定条件〉
機器：Ａｇｉｌｅｎｔ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社の１２００ ｓｅｒｉｅｓ
カラム：Ｐｏｌｙｍｅｒ ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ社のＰＬｇｅｌ ｍｉｘｅｄ Ｂ ２個使用
溶媒：ＴＨＦ
カラム温度：３５℃
サンプル濃度：１ｍｇ／ｍＬ、２００Ｌ注入
標準試料：ポリスチレン（Ｍｐ：３９０００００、７２３０００、３１６５００、５２２００、３１４００、７２００、３９４０、４８５）

５ｍＬバイアル（ｖｉａｌ）に実施例または比較例で製造されたブロック共重合体を入れ、１ｍｇ／ｍＬとなるようにＴＨＦで希釈する。その後、Ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ用標準試料と分析しようとする試料をｓｙｒｉｎｇｅ ｆｉｌｔｅｒ（ｐｏｒｅ ｓｉｚｅ：０．４５μｍ）を通じて濾過させた後、測定した。分析プログラムは、Ａｇｉｌｅｎｔｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社のＣｈｅｍＳｔａｔｉｏｎを使用し、ＧＰＣによって試料のｅｌｕｔｉｏｎ ｔｉｍｅをｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ ｃｕｒｖｅと比較して重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）を求めた後、その比率（Ｍｗ／Ｍｎ）から分子量分布（ＰＤＩ）を計算した。

製造例１：ｐａｒａ−ドデシルスチレン（Ａ）の合成
ｐ−ドデシルスチレン（Ａ）は、次の方式で合成した。１００ｍＬフラスコに４−ブロモスチレン（４−ｂｒｏｍｏｓｔｙｒｅｎｅ）（５．０ｇ，２７．３ｍｍｏｌ）及び削り屑状マグネシウム（Ｍｇ ｔｕｒｎｉｎｇｓ）（０．６６４ｇ，２７．３１ｍｍｏｌ）を入れ、３０ｍＬの水分が除去されたテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）にとかした後、少量のヨード（ｉｏｄｉｎｅ）を触媒として添加して、常温で約６時間窒素条件の下で撹拌反応させて、グリニャール試薬（ｇｒｉｇｎａｒｄ ｒｅａｇｅｎｔ）を合成した。他の１００ｍＬフラスコに１−ブロモドデケイン（１−ｂｒｏｍｏｄｏｄｅｃａｎｅ）を入れ、前記合成したグリニャール試薬を０℃でゆっくり添加した後、Ｄｉｌｉｔｈｉｕｍ ｔｅｔｒａｃｈｌｏｒｏｃｕｐｒａｔｅ（ＩＩ）ｓｏｌｕｔｉｏｎ（８．２ｍＬ，０．８２ｍｍｏｌ）を入れた後、常温に昇温して３時間撹拌反応させた。反応が終了すれば、テトラヒドロフランを除去し、ヘキサンを移動相として利用して、カラムクロマトグラフィーを通じて透明な液状の目的化合物（２．５４ｇ，９．３２ｍｍｏｌ）を得た。
〈ＮＭＲ分析結果〉
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：ｄ７．３３（ｄｄ，２Ｈ）；ｄ７．１４（ｄｄ，２Ｈ）；δ６．７０（ｄｄ，１Ｈ）；ｄ５．７１（ｄ，１Ｈ）；ｄ５．１８（ｄ，１Ｈ）；ｄ２．５９（ｔ，２Ｈ）；ｄ１．６０（ｐ，２Ｈ）；ｄ１．３１−１．２６（ｍ，１８Ｈ）；ｄ０．８９（ｔ，３Ｈ）．

製造例２：ｐａｒａ−ドデシルオキシメチルスチレン（Ｂ）
ｐａｒａ−ドデシルオキシメチルスチレン（Ｂ）は、次の方式で合成した。５００ｍＬフラスコで４−クロロメチルスチレン（４−（ｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）ｓｔｙｒｅｎｅ）（２２．１ｇ，１４４．８ｍｍｏｌ）及び１−ドデカノール（１−ｄｏｄｅｃａｎｏｌ）（３０．０ｇ，１６０．１ｍｍｏｌ）を３００ｍＬテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）にとかした後、０℃に温度を低めた。水素化ナトリウム（ＮａＨ）（７，７ｇ，３２０．８ｍｍｏｌ）を少量ずつ分けて加えた後、１時間撹拌反応を行った後、７０℃に加熱させて２４時間反応を行った。反応終了時、室温に冷却した後、氷水上で少量の水を加えて、反応後に残っている水素化ナトリウムと反応させた後、フィルターを通じて固形分を除去した。反応溶媒であるテトラヒドロフランを除去した後、ジクロロメタン（ＤＣＭ）／二次純水で分別抽出して有機層を集めた後、得られた化合物は、ヘキサン（ｈｅｘａｎｅ）／ジクロロメタンを移動相として使用してカラムクロマトグラフィーを通じて透明な液状の目的物化合物（２３．９ｇ，７９．０ｍｍｏｌ）を得た。
〈ＮＭＲ分析結果〉
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：ｄ７．３９（ｄｄ，２Ｈ）；ｄ７．３０（ｄｄ，２Ｈ）；δ６．７１（ｄｄ，１Ｈ）；ｄ５．７４（ｄ，１Ｈ）；ｄ５．２３（ｄ，１Ｈ）；ｄ４．４９（ｓ，２Ｈ）；ｄ３．４６（ｔ，２Ｈ）；ｄ１．６１（ｐ，２Ｈ）；ｄ１．３７−１．２６（ｍ，１６Ｈ）；ｄ０．８９（ｔ，３Ｈ）．

製造例３：ｐａｒａ−ドデシルオキシメチルスチレン（Ｂ）
ｐａｒａ−ドデシルオキシメチルスチレン（Ｂ）は、次の方式で合成した。５００ｍＬフラスコで４−クロロメチルスチレン（４−（ｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈｙｌ）ｓｔｙｒｅｎｅ）（２２．１ｇ，１４４．８ｍｍｏｌ）及び１−ドデカノール（１−ｄｏｄｅｃａｎｏｌ）（３０．０ｇ，１６０．１ｍｍｏｌ）を３００ｍＬテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）にとかした後、０℃に温度を低めた。水素化ナトリウム（ＮａＨ）（７，７ｇ，３２０．８ｍｍｏｌ）を少量ずつ分けて加えた後、１時間撹拌反応を行った後、７０℃に加熱させて２４時間反応を行った。反応終了時、室温に冷却した後、氷水上で少量の水を加えて、反応後に残っている水素化ナトリウムと反応させた後、フィルターを通じて固形分を除去した。反応溶媒であるテトラヒドロフランを除去した後、ジクロロメタン（ＤＣＭ）／二次純水で分別抽出して有機層を集めた後、得られた化合物は、ヘキサン（ｈｅｘａｎｅ）／ジクロロメタンを移動相として使用してカラムクロマトグラフィーを通じて透明な液状の目的物化合物（２３．９ｇ，７９．０ｍｍｏｌ）を得た。
〈ＮＭＲ分析結果〉
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：ｄ７．３９（ｄｄ，２Ｈ）；ｄ７．３０（ｄｄ，２Ｈ）；δ６．７１（ｄｄ，１Ｈ）；ｄ５．７４（ｄ，１Ｈ）；ｄ５．２３（ｄ，１Ｈ）；ｄ４．４９（ｓ，２Ｈ）；ｄ３．４６（ｔ，２Ｈ）；ｄ１．６１（ｐ，２Ｈ）；ｄ１．３７−１．２６（ｍ，１６Ｈ）；ｄ０．８９（ｔ，３Ｈ）．

実施例１
熱開始剤としてＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）及びＲＡＦＴ剤（（Ｒｅｖｅｒｓｉｂｌｅ Ａｄｄｉｔｉｏｎ Ｆｒａｇｍｅｎｔａｔｉｏｎ ｃｈａｉｎＴｒａｎｓｆｅｒ ａｇｅｎｔ）をメチルメタアクリレート（ＭＭＡ）と反応させて巨大開始剤（数平均分子量Ｍｎ：７０００、分子量分布ＰＤＩ：１．１６）を合成した。合成された巨大開始剤と製造例１で製造された化合物（Ａ）及びＡＩＢＮ（Ａｚｏｂｉｓｉｓｏｂｕｔｙｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）を１：７０：０．５の重量の比率（巨大開始剤：化合物（Ａ）：ＡＩＢＮ）でトルエンにとかし（溶媒：２０重量％）、これを窒素雰囲気で８０℃で１６時間反応させてブロック共重合体を製造した。製造されたブロック共重合体の数平均分子量は、約１９２００であり、分子量分布は、１．１７であった。

実施例２
実施例１と同一の方式で巨大開始剤（数平均分子量Ｍｎ：８４００、分子量分布ＰＤＩ：１．１５）を合成し、製造例１の化合物（Ａ）の代わりに、製造例２の化合物（Ｂ）を使用したことを除いて、実施例２と同様に、ブロック共重合体を製造した。製造されたブロック共重合体の数平均分子量は、約２１９００であり、分子量分布は、１．１９であった。

試験例１．自己組織パターンの確認
実施例１または２で合成したブロック共重合体をトルエンに約１．０重量％の濃度で希釈させたコーティング液をスピンコーターを利用してシリコンウェーハの基板の上に３０００ｒｐｍの速度で６０秒間コーティングして高分子薄膜を形成した。このような薄膜を１６０℃で１時間熱処理を通じて薄膜の表面にナノ構造を発現させた。発現されたナノ構造をＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を通じて測定した。図１は、実施例１に対する結果であり、図２は、実施例２に対する結果である。