【技術分野】

【0001】

【0002】

【背景技術】

【0003】

【0004】

【0005】

【0006】

【0007】

【0008】

【0009】

【発明の概要】

本発明は、問題点に鑑みてなされたものであり、熱電変換素子の熱電変換材料、太陽電池などのように多様な用途に活用することができ、熱電変換性能に優れた化合物半導体物質及びその製造方法、並びにこれを用いた熱電変換素子、太陽電池などを提供することを目的とする。 本発明の他の目的及び長所は、下記する説明によって理解でき、本発明の実施例によってより明らかに分かるであろう。また、本発明の目的及び長所は、特許請求の範囲に示される手段及びその組合せによって実現することができる。

の課題を達成するため、本発明者は、化合物半導体に関する研究を重ねた末、下記の化学式１で表される化合物半導体を合成することに成功し、この化合物が、熱電変換素子の熱電変換材料または太陽電池の光吸収層などに使用できることを確認し、本発明を完成するに至った。
＜化１＞
Ｂｉ_１−ｘＭ_ｘＣｕ_１−ｗＴ_ｗＯ_ａ−ｙＱ１_ｙＴｅ_ｂＳｅ_ｚ 化学式１において、Ｍは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｃｓ、Ｋ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ａｓ及びＳｂからなる群より選択されたいずれか一種またはこれらの二種以上の元素であり、Ｑ１は、Ｓ、Ｓｅ、Ａｓ及びＳｂからなる群より選択されたいずれか一種またはこれらの二種以上の元素であり、Ｔは、転移金属元素より選択されたいずれか一種または二種以上の元素であり、０≦ｘ＜１、０＜ｗ＜１、０．２＜ａ＜１．５、０≦ｙ＜１．５、０≦ｂ＜１．５及び０≦ｚ＜１．５である。 ここで、化学式１のＴは、転移金属のうち、Ｃｕサイトに置換されたとき、置換元素のｄ軌道のエネルギー準位がフェルミ準位周辺の１０ｅＶ以内に位置できる元素、例えば、Ｃｏ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ及びＣｒからなる群より選択されたいずれか一種またはこれらの二種以上の元素を含み得る。 また、化学式１のｗは、０＜ｗ＜０．０５であり得る。 また、化学式１のｘ、ｙ及びｚは、それぞれ、ｘ＝０、ｙ＝０及びｚ＝０であり得る。 また、化学式１は、ＢｉＣｕ_１−ｗＣｏ_ｗＯＴｅで表される。 また、化学式１のＭはＰｂであり、ｙ、ｂ及びｚは、それぞれｙ＝０、ｂ＝０及びｚ＝１であり得る。 また、化学式１は、Ｂｉ_１−ｘＰｂ_ｘＣｕ_１−ｗＣｏ_ｗＯＳｅで表される。 また、本発明による化合物半導体は、３００Ｋ〜８００Ｋの温度条件において、パワーファクターが５．０μＷ／ｃｍＫ^２以上であり得る。 また、の課題を達成するための本発明の一面による化合物半導体の製造方法は、Ｂｉ_２Ｏ_３、Ｂｉ及びＣｕの各粉末と、Ｔｅ、Ｓ、Ｓｅ、Ａｓ及びＳｂからなる群より選択されたいずれか一種またはこれらの二種以上の元素またはその酸化物からなる粉末と、転移金属元素より選択されたいずれか一種またはこれらの二種以上の元素またはその酸化物からなる粉末と、を混合し、選択的にＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｃｓ、Ｋ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ａｓ及びＳｂからなる群より選択されたいずれか一種またはこれらの二種以上の元素またはその酸化物からなる粉末をさらに混合して混合物を形成する段階と、前記混合物を加圧焼結する段階と、を含む。 望ましくは、前記混合物の形成段階で混合される転移金属元素は、Ｃｏ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ及びＣｒを含む。 また、望ましくは、前記加圧焼結段階の前に、前記混合物を熱処理する段階をさらに含む。 より望ましくは、前記混合物の熱処理段階は、固相反応方式によって行われる。 また、望ましくは、前記加圧焼結段階は、放電プラズマ焼結方式またはホットプレス方式によって行われる。 また、の課題を達成するための本発明による熱電変換素子は、前述の化合物半導体を含む。 また、の課題を達成するための本発明による太陽電池は、前述の化合物半導体を含む。 また、の課題を達成するための本発明によるバルク型熱電材料は、前述の化合物半導体を含む。

本発明によれば、熱電変換素子または太陽電池などに用いることができる化合物半導体物質が提供される。 特に、本発明による化合物半導体は、従来の化合物半導体を代替するか、従来の化合物半導体に加えてさらに他の一素材として用いることができる。 また、本発明の一面によれば、化合物半導体が熱電変換素子の熱電変換材料として用いられ得る。この場合、高いＺＴ値が確保され、優れた熱電変換性能を有する熱電変換素子を製造することができる。さらに、本発明によれば、１００℃〜５００℃の範囲で高いＺＴ値を有する熱電変換材料が提供できるため、中・高温用の熱電変換素子にさらに好適に適用可能である。 特に、本発明による化合物半導体は、Ｐタイプ熱電変換材料に用いることができる。 また、本発明の他面によれば、化合物半導体を太陽電池に用いることができる。特に、本発明による化合物半導体は、太陽電池の光吸収層として用いることができる。 そのうえ、本発明のさらなる他面によれば、化合物半導体が赤外線を選択的に通過させる赤外線ウィンドウ（ＩＲ ｗｉｎｄｏｗ）及び赤外線センサー、磁気デバイス、メモリなどにも用いることができる。

【図面の簡単な説明】

【0035】

【0036】

【図1】本発明の一面による化合物半導体の製造方法を概略的に示すフローチャートである。

【図2】本発明によって製造した実施例及び比較例の化合物半導体の温度変化に応じたＺＴ値を示したグラフである。

【発明を実施するための形態】

以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施例を詳しく説明する。これに先立ち、本明細書及び特許請求の範囲に使われた用語や単語は通常的や辞書的な意味に限定して解釈されてはならず、発明者自らは発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義できるという原則に則して本発明の技術的な思想に応ずる意味及び概念で解釈されねばならない。

したがって、本明細書に記載された実施例及び図面に示された構成は、本発明のもっとも望ましい一実施例に過ぎず、本発明の技術的な思想のすべてを代弁するものではないため、本出願の時点においてこれらに代替できる多様な均等物及び変形例があり得ることを理解せねばならない。

本発明は、以下のような化学式１で表される新規な化合物半導体を提供する。
＜化１＞
Ｂｉ_１−ｘＭ_ｘＣｕ_１−ｗＴ_ｗＯ_ａ−ｙＱ１_ｙＴｅ_ｂＳｅ_ｚ

化学式１において、Ｍは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｃｓ、Ｋ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ａｓ及びＳｂからなる群より選択されたいずれか一種またはこれらの二種以上の元素であり、Ｑ１は、Ｓ、Ｓｅ、Ａｓ及びＳｂからなる群より選択されたいずれか一種またはこれらの二種以上の元素であり、Ｔは、転移金属元素より選択されたいずれか一種または二種以上の元素であり、０≦ｘ＜１、０＜ｗ＜１、０．２＜ａ＜１．５、０≦ｙ＜１．５、０≦ｂ＜１．５及び０≦ｚ＜１．５である。

特に、本発明による化合物半導体は、Ｂｉ_１−ｘＭ_ｘＣｕＯ_ａ−ｙＱ１_ｙＴｅ_ｂＳｅ_ｚで表される化合物半導体に対し、Ｃｕサイトの一部が転移金属元素に置換された形態で構成される。そして、このような構成的特徴により、本発明による化合物半導体は、Ｂｉ_１−ｘＭ_ｘＣｕＯ_ａ−ｙＱ１_ｙＴｅ_ｂＳｅ_ｚで表される化合物半導体、例えば、ＢｉＣｕＯＴｅまたはＢｉＣｕＯＳｅよりも熱電変換性能が向上できる。これについてより具体的に説明すれば、Ｃｕサイトの一部に置換された転移金属のｄ軌道のエネルギー準位が、フェルミ準位の数ｅＶ以内に位置するようになれば、フェルミ準位の周辺における状態密度（ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ｓｔａｔｅ）及びエントロピーが増加することによって、化合物半導体のゼーベック係数が増加できる。このとき、転移金属のｄ軌道のエネルギー準位がフェルミ準位に近いほどゼーベック係数増加の程度が向上する。そして、置換された転移金属の種を選択することで、化合物半導体のキャリア濃度を調節することができる。また、置換元素は、点欠陥（ｐｏｉｎｔ ｄｅｆｅｃｔ）としてフォノン散乱の程度を向上させ、化合物半導体の熱伝導度を低下させることができる。このように、Ｃｕサイトの一部が転移金属に置換されたＢｉ_１−ｘＭ_ｘＣｕ_１−ｗＴ_ｗＯ_ａ−ｙＱ１_ｙＴｅ_ｂＳｅ_ｚ化合物半導体は、ゼーベック係数の増加、キャリア濃度の制御、熱伝導度の低下効果によってその熱電性能指数であるＺＴが向上できる。

望ましくは、本発明による化合物半導体において、Ｃｕを置換する転移金属元素は、Ｃｕサイトに置換されたとき、置換元素のｄ軌道のエネルギー準位がフェルミ準位の周辺１０ｅＶ以内に位置できる元素であることが望ましい。例えば、本発明による化合物半導体は、Ｃｕの一部がＣｏ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒまたはこれらの二種以上の元素に置換されるように構成することで、熱電変換性能が向上できる。特に、本発明による化合物半導体は、Ｃｕの一部がＡｇ、Ｚｎ及びＣｒのうち少なくとも一種に置換され得る。

また望ましくは、化学式１のｗは、０＜ｗ＜０．０５であることが望ましい。その理由は、Ｃｕサイトに置換される転移金属の量が、ｗ＞０．０５以上である場合は、本化合物半導体のなじみ性がよくないか、熱電性能の向上効果が劣るか、希望しない二次相が生成されることがあるためである。

例えば、化学式１において、ｗは０．０３であり得る。即ち、本発明による化合物半導体は、Ｂｉ_１−ｘＭ_ｘＣｕＯ_ａ−ｙＱ１_ｙＴｅ_ｂＳｅ_ｚで表される化合物半導体に対し、Ｃｕサイトの３％がＣｏのような転移金属元素に置換されるようにすることができる。

また、化学式１において、ｘ＝０、ｙ＝０、ｚ＝０であり得る。この場合、化学式１は、以下のような化学式で表される。
ＢｉＣｕ_１−ｗＴ_ｗＯ_ａＴｅ_ｂ

さらに、前記化学式において、ａ＝１、ｂ＝１であり得る。この場合、化学式１は、以下のような化学式で表される。
ＢｉＣｕ_１−ｗＴ_ｗＯＴｅ

ここで、ＴがＣｏである場合、前記化学式は、以下のような化学式で表される。
ＢｉＣｕ_１−ｗＣｏ_ｗＯＴｅ

また、化学式１において、ＭはＰｂであり、ｘ、ｙ及びｂは、それぞれｘ＝０．０５、ｙ＝０、ｂ＝０であり得る。この場合、化学式１は、以下のような化学式で表される。
Ｂｉ_０．９５Ｐｂ_０．０５Ｃｕ_１−ｗＴ_ｗＯ_ａＳｅ_ｚ

さらに、前記化学式において、ａ＝０．９８、ｚ＝１であり得る。この場合、化学式１は、以下のような化学式で表される。
Ｂｉ_０．９５Ｐｂ_０．０５Ｃｕ_１−ｗＴ_ｗＯ_０．９８Ｓｅ

ここで、ＴがＡｇである場合、前記化学式は、以下のような化学式で表される。
Ｂｉ_０．９５Ｐｂ_０．０５Ｃｕ_１−ｗＡｇ_ｗＯ_０．９８Ｓｅ

また、化学式１において、ＭはＰｂであり、ｙ、ｂ及びｚは、それぞれｙ＝０、ｂ＝０及びｚ＝１であり得る。この場合、化学式１は、以下のような化学式で表される。
Ｂｉ_１−ｘＰｂ_ｘＣｕ_１−ｗＴ_ｗＯ_ａＳｅ

ここで、ＴがＣｏであり、ａ＝０．９８である場合、化学式１は、以下のような化学式で表される。
Ｂｉ_１−ｘＰｂ_ｘＣｕ_１−ｗＣｏ_ｗＯ_０．９８Ｓｅ

また、本発明による化合物半導体は、Ｏを含み得、このようなＯは、他の元素（Ｑ１）に少なくとも一部が置換され得る。即ち、化学式１において、０＜ｙであり得る。特に、Ｏを置換する元素であるＱ１は、Ｓ、Ａｓ及びＳｂのうち少なくとも一種であり得る。

また、本発明による化合物半導体は、Ｂｉを必ず含む。このとき、Ｂｉの一部サイトは、他の元素（Ｍ）に置換され得る。即ち、化学式１において、０＜ｘであり得る。特に、Ｂｉを置換する元素であるＭは、Ｃｓ、Ｋ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ａｓ及びＳｂのうち少なくとも一種であり得る。

このように本発明による化合物半導体は、ＢｉＣｕＯＴｅ系材料またはＢｉＣｕＯＳｅ系材料において、Ｃｕの一部がＣｏまたはＡｇのような転移金属元素に置換された構造で形成され得る。そして、このような構成的特徴によって、本発明による化合物半導体は、ＢｉＣｕＯＴｅまたはＢｉＣｕＯＳｅのみからなる化合物半導体に比べて高いＺＴ値を有することができ、熱電変換性能を効果的に改善できる。

図１は、本発明の一面による化合物半導体の製造方法を概略的に示したフローチャートである。

図１を参照すれば、本発明による化合物半導体を製造する方法は、化学式１を構成する各原料物質を混合して混合物を形成する段階（Ｓ１１０）及び前記混合物を加圧焼結する段階（Ｓ１３０）を含み得る。

ここで、Ｓ１１０段階では、化学式１を構成する原料物質として、Ｂｉ_２Ｏ_３、Ｂｉ及びＣｕの各粉末と、Ｔｅ、Ｓ、Ｓｅ、Ａｓ及びＳｂからなる群より選択されたいずれか一種またはこれらの二種以上の元素またはその酸化物からなる粉末と、転移金属元素より選択されたいずれか一種またはこれらの二種以上の元素またはその酸化物からなる粉末と、を混合し得る。

望ましくは、Ｓ１１０段階で混合される転移金属元素は、Ｃｏ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ及びＣｒを含み得る。

また、Ｓ１１０段階では、選択的に、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｃｓ、Ｋ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ａｓ及びＳｂからなる群より選択されたいずれか一種またはこれらの二種以上の元素またはその酸化物からなる粉末をさらに混合して混合物を形成し得る。

望ましくは、Ｓ１３０段階は、放電プラズマ焼結（Ｓｐａｒｋ Ｐｌａｓｍａ Ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ；ＳＰＳ）方式またはホットプレス（Ｈｏｔ Ｐｒｅｓｓ；ＨＰ）方式によって行われ得る。本発明による化合物半導体の場合、このような加圧焼結方式によって焼結されるとき、高い焼結密度とそれに伴う電気伝導度を容易に得ることができる。

加圧焼結段階（Ｓ１３０）は、３０ＭＰａ〜２００ＭＰａの圧力条件下で行うことが望ましい。また、加圧焼結段階（Ｓ１３０）は、４００℃〜６５０℃の温度条件下で行うことが望ましい。

また望ましくは、本発明による化合物半導体の製造方法は、図１に示したように、混合物を加圧焼結する前に、混合物を熱処理する段階（Ｓ１２０）をさらに含み得る。このような熱処理段階（Ｓ１２０）は、混合物内に含まれている各元素間の反応を容易にすることができる。このとき、熱処理段階（Ｓ１２０）は、４００℃〜６５０℃の温度範囲で、１時間〜２４時間行われ得る。

ここで、熱処理段階（Ｓ１２０）は、固相反応（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｒｅａｃｔｉｏｎ；ＳＳＲ）方式によって行うことが望ましい。同一組成の熱電材料であるとしても、熱処理方式によって熱電性能に差があり得、本発明による化合物半導体の場合、他の方式、例えば、メルティング（ｍｅｌｔｉｎｇ）方式よりはＳＳＲ方式によって各原料を反応させるとき、製造された化合物半導体の熱電性能がより向上できる。

化合物半導体の場合、製造方法によって熱電性能に差があり得、本発明による化合物半導体は、前述の化合物半導体の製造方法によって製造することが望ましい。この場合、化合物半導体に対して高いＺＴ値を確保することができ、特に、１００℃〜５００℃の温度範囲で高いＺＴ値を確保するのに有利である。

但し、必ずしも本発明がこのような製造方法に限定されることではなく、他の製造方法によって化学式１の化合物半導体を製造することができる。

本発明による熱電変換素子は、前述の化合物半導体を含む。即ち、本発明による化合物半導体は、熱電変換素子の熱電変換材料に用い得る。特に、本発明による熱電変換素子は、前述の化合物半導体をＰタイプ熱電材料として含み得る。

本発明による化合物半導体は、熱電変換材料の性能指数値であるＺＴが大きい。また、ゼーベック係数及び電気伝導度が大きく、熱伝導度が低くて熱電変換性能に優れる。したがって、本発明による化合物半導体は、従来の熱電変換材料を代替するか、従来の化合物半導体に加えて熱電変換素子に有用に利用できる。

また、本発明による化合物半導体は、バルク型熱電変換材料に適用され得る。即ち、本発明によるバルク熱電材料は、前述の化合物半導体を含む。

また、本発明による太陽電池は、前述の化合物半導体を含み得る。即ち、本発明による化合物半導体は、太陽電池、特に太陽電池の光吸収層として用いることができる。

太陽電池は、太陽光が入射する方向から順次に、前面透明電極、バッファー層、光吸収層、背面電極及び基板などが積層された構造で製造することができる。最下部に位置する基板は硝子からなり、その上に全面的に形成される背面電極はＭｏなどの金属を蒸着することで形成され得る。

続いて、背面電極の上部に本発明による化合物半導体を、電子ビーム蒸着法、ゾルゲル（ｓｏｌ−ｇｅｌ）法、ＰＬＤ（Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの方法で積層することで、光吸収層を形成することができる。このような光吸収層の上部には、前面透明電極として用いられるＺｎＯ層と光吸収層との格子定数差及びバンドギャップ差を緩衝するバッファー層が存在し得、このようなバッファー層はＣｄＳなどの材料をＣＢＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｂａｔｈ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの方法で蒸着することで形成され得る。その後、バッファー層の上にＺｎＯまたはＺｎＯとＩＴＯとの積層膜として前面透明電極がスパッタリングなどの方法で形成され得る。

本発明による太陽電池は多様に変形することができる。例えば、本発明による化合物半導体を光吸収層に用いた太陽電池を積層した積層型太陽電池を製造し得る。また、このように積層された他の太陽電池には、シリコンや知られた他の化合物半導体を用いた太陽電池を使い得る。

また、本発明の化合物半導体のバンドギャップを変化させることで、互いに異なるバンドギャップを有する化合物半導体を光吸収層として用いる複数の太陽電池を積層することもできる。本発明による化合物半導体のバンドギャップは、この化合物を成す構成元素、例えば、Ｔｅの組成比を変化させることで調節することができる。

また、本発明による化合物半導体は、赤外線を選択的に通過させる赤外線ウィンドウ（ＩＲ ｗｉｎｄｏｗ）や赤外線センサーなどにも適用することができる。

以下、本発明を具体的な実施例を挙げて説明する。しかし、本発明による実施例は多くの他の形態に変形されることができ、本発明の範囲が後述する実施例に限定されると解釈されてはならない。本発明の実施例は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。

（比較例１）
ＢｉＣｕＯＴｅの合成のために、Ｂｉ_２Ｏ_３（Ａｌｄｒｉｃｈ、９９．９％、１０μｍ）２１．７ｇ、Ｂｉ（５Ｎ＋、９９．９９９％、ｓｈｏｔ）９．７ｇ、Ｃｕ（Ａｌｄｒｉｃｈ、９９．７％、３μｍ）８．９ｇ、Ｔｅ（５Ｎ＋、９９．９９９％、ｓｈｏｔ）１７．８ｇをめのう乳鉢（ａｇａｔｅ ｍｏｒｔａｒ）を用いてよく混合した。混合された材料は、シリカチューブ（ｓｉｌｉｃａ ｔｕｂｅ）に入れて真空密封し、５００℃で１２時間の加熱を行うことでＢｉＣｕＯＴｅ粉末を得た。熱処理された試料のｘ線回折パターンを分析した結果、本比較例１によって得られた物質がＢｉＣｕＯＴｅであることが同定された。

（比較例２〜比較例６）
パウダー形態のＬａ、Ｌａ_２Ｏ_３、ＳｒＯ、Ｃｕ及びＳｅを多様な添加量で組み合わせて比較例１と同様の方式で混合及び加熱した。加熱は８００℃で１２時間を行った。このような比較例２〜比較例６によるものの化学式は、以下のように表される。
比較例２：ＬａＣｕＯＳｅ
比較例３：Ｌａ_０．９５Ｓｒ_０．０５ＣｕＯＳｅ
比較例４：Ｌａ_０．９０Ｓｒ_０．１０ＣｕＯＳｅ
比較例５：Ｌａ_０．８５Ｓｒ_０．１５ＣｕＯＳｅ
比較例６：Ｌａ_０．８０Ｓｒ_０．２０ＣｕＯＳｅ

（実施例１〜実施例４）
ＢｉＣｕＯＴｅにおけるＣｕの一部を転移金属（Ｃｏ、Ｚｎ）に置換するために、各原料粉末の混合量を以下のように調節して混合したことを除いては、前述の比較例１と基本的に同様の方法でＢｉＣｕ_１−ｗＴ_ｗＯＴｅを合成した。この際、Ｃｏ及びＺｎ粉末は、それぞれ９９．０％及び９９．９％の純度を有するものを用いた。そして、合成のための各原料粉末の混合量は、以下の表１に記載のとおりである（それぞれの単位はｇである）。

ここで、各実施例の化学式は、以下のように表される。
実施例１：ＢｉＣｕ_{０．０８５}Ｃｏ_{０．０１５}ＯＴｅ
実施例２：ＢｉＣｕ_{０．０７０}Ｃｏ_{０．０３０}ＯＴｅ
実施例３：ＢｉＣｕ_{０．０７０}Ｚｎ_{０．０３０}ＯＴｅ
実施例４：ＢｉＣｕ_{０．０７０}Ｃｏ_{０．０１５}Ｚｎ_{０．０１５}ＯＴｅ

（実施例５及び実施例６）
Ｂｉ_０．９５Ｐｂ_０．０５ＣｕＯ_ａＳｅにおけるＣｕの一部をＡｇに置換するために、各原料粉末の混合量を以下のように調節して混合したことを除いては、前述の比較例１と基本的に同様の方法でＢｉ_０．９５Ｐｂ_０．０５Ｃｕ_１−ｗＡｇ_ｗＯ_ａＳｅを合成した。この際、Ａｇ粉末は９９．９％、４５μｍのものを用いた。そして、合成のための各原料粉末の混合量は、以下の表２に示す（それぞれの単位はｇである）。

ここで、各実施例によるものの化学式は、以下のように表される。
実施例５：Ｂｉ_０．９５Ｐｂ_０．０５Ｃｕ_０．９７Ａｇ_０．０３ＯＳｅ
実施例６：Ｂｉ_０．９５Ｐｂ_０．０５Ｃｕ_０．９８Ａｇ_０．０２Ｏ_０．９８Ｓｅ

各実施例の化合物に対し、比較例１と同様の方法でｘ線回折分析を行い、各実施例から得られた物質を同定した。

前述の方法で合成した比較例と実施例の各試料のうち、一部をそれぞれ直径１２ｍｍの黒鉛モールドに入れた後、ＳＰＳを用いて５０ＭＰａの圧力で加圧した。続いて、比較例１及び実施例１〜実施例４は５００℃で、比較例２〜比較例６は８００℃で、実施例５及び実施例６は６００℃で５分間焼結を行った。

次に、このように焼結した各試料に対し、ＺＥＭ−３（Ｕｌｖａｃ−Ｒｉｃｏ，Ｉｎｃ製）を用いて所定温度の間隔で電気伝導度（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ）及びゼーベック係数（Ｓｅｅｂｅｃｋ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）を測定してパワーファクター（Ｐｏｗｅｒ Ｆａｃｔｏｒ；ＰＦ）を計算し、ＬＦＡ４５７（Ｎｅｔｃｈ社製）を用いて各試料の熱伝導度（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ）を測定した。その後、得られた測定値から各試料の熱電性能指数ＺＴ値を確認した。

ここで、比較例１に対して測定された電気伝導度、ゼーベック係数、熱伝導度及び確認されたＺＴ値を表３に示した。また、比較例２〜比較例６に対し、３００Ｋ及び／または６７３Ｋにおいて測定された電気伝導度、ゼーベック係数及びパワーファクターの測定結果を表４に示した。また、実施例１〜実施例６に対して測定された電気伝導度、ぜーベック係数、熱伝導度及び確認されたＺＴ値を表５〜表１０に示した。

なお、表３及び表５〜表１０に示した比較例１及び実施例１〜実施例６のＺＴ値の測定結果に対しては、比較の便宜のために図２に示した。

先ず、表３、表５〜表１０の結果及び図２を参照すれば、表３に示した比較例１の化合物半導体（ＢｉＣｕＯＴｅ）に比べ、表５〜表１０に示した実施例１〜実施例６による化合物半導体の場合、パワーファクターが大幅向上し、熱伝導度が大幅低下したことが分かる。また、実施例１〜実施例６による化合物半導体のＺＴ値が、比較例の化合物半導体のＺＴ値に比べて著しく向上したことが分かる。

特に、図２の結果を参照すれば、本発明の多くの実施例による化合物半導体は、比較例の化合物半導体に比べてＺＴ値が向上したことが分かる。

例えば、約４７３Ｋの温度条件で、比較例１のＺＴ値は０．５０であることに対し、実施例１〜６のＺＴ値は全てそれよりも高い値であって、０．５２以上、高くは０．６０以上、さらに高くは０．６５以上の向上した値を有する。また、約５７３Ｋの温度条件で、比較例１のＺＴ値は０．６２であることに対し、実施例１〜実施例６のＺＴ値は全てそれよりも高い値であって、０．６５以上、高くは０．７０以上、さらに高くは０．７５以上の値を有し、比較例１とは大きい差を見せている。また、約６７３Ｋの温度条件で、比較例１のＺＴ値は０．７０であることに対し、実施例１〜実施例６のＺＴ値は０．７４以上、高くは０．８０以上、さらに高くは０．９０以上の値を有し、比較例１と著しい差を見せている。また、約７７３Ｋの温度条件で、比較例１のＺＴ値は０．６９であることに対し、実施例１〜実施例６のＺＴ値は全てそれよりも高い値であって、０．７６以上、高くは０．８０以上、より高くは０．９以上、さらに高くは１．９以上の値を有し、比較例１とは大きい差を見せている。

次に、表４及び表５〜表１０の結果を参照すれは、３００Ｋ付近または６７３Ｋ付近の中・低温において、比較例２〜比較例６の化合物半導体に比べ、実施例１〜実施例６の化合物半導体のパワーファクターが著しく高かったことが分かる。

特に、本発明の一面による化合物半導体は、３００Ｋ〜８００Ｋの温度範囲で、パワーファクターが５．０μＷ／ｃｍＫ^２以上であり得る。

より具体的に、表５〜表１０の結果を見れば、実施例１〜実施例６の化合物半導体は、３００Ｋ〜８００Ｋの温度範囲の全体において、パワーファクターが５．５μＷ／ｃｍＫ^２以上の値を示している。

さらに、本発明の一実施例による化合物半導体は、３００Ｋ〜８００Ｋの温度条件で、パワーファクターが６．０μＷ／ｃｍＫ^２以上であり得る。特に、本発明の一実施例による化合物半導体は、３００Ｋ〜８００Ｋの温度条件で、パワーファクターが６．５μＷ／ｃｍＫ^２以上、高くは７．０μＷ／ｃｍＫ^２以上、さらに高くは７．５μＷ／ｃｍＫ^２以上の値を有し得る。

これに対し、比較例２〜比較例６の化合物半導体の場合、実施例１〜実施例６とは異なり、Ｂｉを含んでもＣｕの一部が転移金属に置換されてもいない。このような比較例２〜比較例６の化合物半導体は、表４の結果に示したように、パワーファクターが３００Ｋまたは６７３Ｋの温度条件において０．１〜１．３μＷ／ｃｍＫ^２程度に過ぎず、本願発明に比べて非常に低い値を示している。

したがって、このような実施例及び比較例の結果をまとめれば、本発明による化合物半導体の場合、熱電変換性能に優れていることが分かる。

以上のように、本発明を限定された実施例と図面によって説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の属する技術分野における通常の知識を持つ者によって本発明の技術思想と以下に記載する特許請求の範囲の均等範囲内で、多様な修正及び変形が可能であることは言うまでもない。