特表2019-519121(P2019-519121A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特表2019-519121シリコンカーバイド基板に深く注入されたＰ−型層を有する窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ
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