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特表2019-520703(P2019-520703A)
IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版
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特表
2019-520703
イオン注入チャネリング技術により形成される超接合パワーシリコンカーバイド半導体デバイス及び関連方法
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