特表2019-523991(P2019-523991A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特表2019-523991半導体ウェハを保持するためのサセプタ、半導体ウェハの表面上にエピタキシャル層を堆積する方法、およびエピタキシャル層を有する半導体ウェハ
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  • 特表2019523991-半導体ウェハを保持するためのサセプタ、半導体ウェハの表面上にエピタキシャル層を堆積する方法、およびエピタキシャル層を有する半導体ウェハ 図000003
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