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ジルトロニック　アクチエンゲゼルシャフト

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ジルトロニック　アクチエンゲゼルシャフトの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 7584638	半導体材料からなる基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積させるための方法および装置	2024年11月15日
特許 7584649	半導体ウェハの表面上の未知の粒子を分類する方法	2024年11月15日
特許 7566908	ｎ型ドーパントによってドープされたシリコン単結晶を製造するための方法および装置	2024年10月15日
特許 7567067	堆積チャンバにおいて気相から堆積されるエピタキシャル層を有する半導体ウェーハを製造するためのプロセス	2024年10月15日
特許 7536903	単結晶シリコンから作られる半導体ウエハおよびその製造方法	2024年 8月20日
特許 7537008	基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積させるための方法	2024年 8月20日
特許 7532417	ウェハの表面にエピタキシャル層を堆積させる方法、およびこの方法を実施するための装置	2024年 8月13日
特許 7532533	シリコン結晶を製造するための石英ガラス坩堝および石英ガラス坩堝の製造方法	2024年 8月13日
特許 7532650	基板上にシリコンゲルマニウム層を堆積する方法	2024年 8月13日
特許 7524362	一連の切断動作中にワイヤソーによってワークピースから複数のスライスを切断するための方法	2024年 7月29日
特許 7524476	基板ウェーハ上にエピタキシャル層を堆積させるための方法	2024年 7月29日
特許 7514960	一連の切断動作中にワイヤソーによってワークピースから複数のスライスを切断するための方法	2024年 7月11日
特許 7503652	半導体材料からなる基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積するための方法および装置	2024年 6月20日
特許 7475414	ワイヤソーによって半導体ウェハを製造するための方法、ワイヤソー、および、単結晶シリコンの半導体ウェハ	2024年 4月26日
特許 7475464	スライス動作のシーケンス中にワイヤソーによって被加工物から複数のウェハをスライスする方法	2024年 4月26日

19 件中 1-15 件を表示

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7584638 7584649 7566908 7567067 7536903 7537008 7532417 7532533 7532650 7524362 7524476 7514960 7503652 7475414 7475464

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