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■ 2026年 出願公開件数ランキング 第2900位 5件
(
2025年:第1300位 17件)
■ 2026年 特許取得件数ランキング 第1065位 15件
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2025年:第1055位 19件)
(ランキング更新日:2026年10月15日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7920462 | 単結晶シリコンで作られた半導体ウェハの熱による応力に対する堅牢性を試験する方法 | 2026年 9月14日 | |
| 特許 7913126 | シリコンウェハを処理するためのシステムおよび方法 | 2026年 8月31日 | |
| 特許 7913190 | 分離プロセス中にワイヤソーによってワークピースから複数のスライスを分離するための方法 | 2026年 8月31日 | |
| 特許 7896090 | 半導体ウエハを洗浄するための洗浄モジュール用カバーおよび半導体ウエハを洗浄ラインにおいて洗浄するための方法 | 2026年 7月28日 | |
| 特許 7888706 | 単結晶シリコンからエピタキシャルコーティングされた半導体ウェハを製造する方法 | 2026年 7月13日 | |
| 特許 7884951 | ワイヤソーによる複数のスライス作業中に被加工物から複数のウェハをスライスして切り出す方法、および単結晶ケイ素の半導体ウェハ | 2026年 7月 6日 | |
| 特許 7885144 | 一連の切断動作中にワイヤソーによって被加工物から複数のスライスを切断する方法 | 2026年 7月 6日 | |
| 特許 7868075 | シリコンからなるドープ単結晶ロッドの製造装置および製造方法 | 2026年 6月 1日 | |
| 特許 7864867 | 垂直に立てられた半導体ウエハを搬送するためのグリッパおよび半導体ウエハを洗浄するための方法 | 2026年 5月25日 | |
| 特許 7855701 | 導電性バルクβ-GA2O3単結晶を製造するための方法および装置ならびに導電性バルクβ-GA2O3単結晶 | 2026年 5月 8日 | |
| 特許 7815269 | ゾーン引上げ設備においてシリコンから単結晶ロッドを製造するための装置および方法 | 2026年 2月17日 | |
| 特許 7809750 | 単結晶シリコンの結晶片 | 2026年 2月 2日 | |
| 特許 7809796 | 単結晶シリコン半導体ウェハおよびそれを製造するための方法 | 2026年 2月 2日 | |
| 特許 7809826 | III-V族デバイスをその上に構築するための基板ウェハを製造するための方法、およびIII-V族デバイスをその上に構築するための基板ウェハ | 2026年 2月 2日 | |
| 特許 7797541 | ワークピースから複数のディスクを同時に切り出すための方法 | 2026年 1月13日 |
15 件中 1-15 件を表示
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7920462 7913126 7913190 7896090 7888706 7884951 7885144 7868075 7864867 7855701 7815269 7809750 7809796 7809826 7797541
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