特表2021-513211層移転により半導体オンインシュレータ型構造を製造するための方法

発明の名称　層移転により半導体オンインシュレータ型構造を製造するための方法

出願人　ソイテック　（識別番号 598054968）

　　　　特許公開件数ランキング 808 位（10件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 1866 位（3件）（共同出願を含む）

公報番号　特表-2021-513211

公報発行日　2021年5月20

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-T-2021-513211

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