特表2021-529149(P2021-529149A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特表2021-529149ＦＺ法により半導体材料から単結晶を製造する方法、この方法を実施するための装置、およびシリコン半導体ウェハ
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