特開2020-164356(P2020-164356A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

ホーム > 特許ランキング > 株式会社サイオクス

このエントリーをはてなブックマークに追加

知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」

▶ 株式会社サイオクスの特許一覧 ▶ 住友化学株式会社の特許一覧 ▶ 国立大学法人東京農工大学の特許一覧

特開2020-164356ＧａＮ結晶、ＧａＮ自立基板、ＧａＮ結晶成長用種基板、ＧａＮ結晶の製造方法およびＧａＮ自立基板の製造方法
<>
  • 特開2020164356-ＧａＮ結晶、ＧａＮ自立基板、ＧａＮ結晶成長用種基板、ＧａＮ結晶の製造方法およびＧａＮ自立基板の製造方法 図000002
  • 特開2020164356-ＧａＮ結晶、ＧａＮ自立基板、ＧａＮ結晶成長用種基板、ＧａＮ結晶の製造方法およびＧａＮ自立基板の製造方法 図000003
  • 特開2020164356-ＧａＮ結晶、ＧａＮ自立基板、ＧａＮ結晶成長用種基板、ＧａＮ結晶の製造方法およびＧａＮ自立基板の製造方法 図000004
  • 特開2020164356-ＧａＮ結晶、ＧａＮ自立基板、ＧａＮ結晶成長用種基板、ＧａＮ結晶の製造方法およびＧａＮ自立基板の製造方法 図000005
  • 特開2020164356-ＧａＮ結晶、ＧａＮ自立基板、ＧａＮ結晶成長用種基板、ＧａＮ結晶の製造方法およびＧａＮ自立基板の製造方法 図000006
  • 特開2020164356-ＧａＮ結晶、ＧａＮ自立基板、ＧａＮ結晶成長用種基板、ＧａＮ結晶の製造方法およびＧａＮ自立基板の製造方法 図000007
  • 特開2020164356-ＧａＮ結晶、ＧａＮ自立基板、ＧａＮ結晶成長用種基板、ＧａＮ結晶の製造方法およびＧａＮ自立基板の製造方法 図000008
  • 特開2020164356-ＧａＮ結晶、ＧａＮ自立基板、ＧａＮ結晶成長用種基板、ＧａＮ結晶の製造方法およびＧａＮ自立基板の製造方法 図000009
  • 特開2020164356-ＧａＮ結晶、ＧａＮ自立基板、ＧａＮ結晶成長用種基板、ＧａＮ結晶の製造方法およびＧａＮ自立基板の製造方法 図000010
< >
Copyright © 2010-2024 Science Impact Inc. All Rights Reserved.