特開 2021-130585出願番号 特願 2020-26844
窒化ガリウム結晶の製造方法
出願人 株式会社サイオクス（識別番号 515131378）
2026年 特許公開件数ランキング 26491位 0件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 21872位 0件（※）
出願人 住友化学株式会社（識別番号 2093）
2026年 特許公開件数ランキング 39位 454件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 55位 320件（※）
出願人 国立大学法人東京農工大学（識別番号 504132881）
2026年 特許公開件数ランキング 940位 35件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 837位 40件（※）
公報発行日 2021年9月9
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2021-130585 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】高品質なＧａＮ結晶を得ることができる製造方法の提供。【解決手段】（ａ）窒化ガリウムの単結晶からなる種基板２００の−ｃ面により構成された主面２０１の一部を除去することにより、種基板２００上に、主面２０１から掘り下げられた底部２２０と、底部２２０から突出し、主面２０１が残された複数の凸部２１０とを形成する工程と、（ｂ）種基板２００に対して三ハロゲン化ガリウムガスと窒化水素ガスとを含む原料ガスを供給する工程と、を有する窒化ガリウム結晶の製造方法。（ｂ）では、複数の凸部２１０上に、窒化ガリウムの単結晶からなる複数の成長結晶２３０を、主面２０１の沿面方向に拡径させつつ−ｃ軸方向にエピタキシャル成長させ、複数の成長結晶２３０を互いに結合させる窒化ガリウム結晶の製造方法。（ｂ）では、底部２２０から成長する結晶を、複数の成長結晶２３０に接触しない程度に成長させる窒化ガリウム結晶の製造方法。
【選択図】図３
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の目的は、高品質なＧａＮ結晶を得ることができる技術を提供することである。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】図１は、本発明の第１ＧａＮ結晶の結晶製造装置１００の概略構成図である。
【図2】図２は、本発明の第１ＧａＮ結晶の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図3】図３（ａ）は、本発明の第１種基板準備工程Ｓ１０１における種基板２００を模式的に示す概略断面図であり、図３（ｂ）はその平面図である。図３（ｃ）は、本発明の第１凸部形成工程Ｓ１０２における種基板２００を模式的に示す概略断面図であり、図３（ｄ）はその平面図である。図３（ｅ）は、本発明の第１成長工程Ｓ１０３における種基板２００および種基板２００上に成長したＧａＮ結晶を模式的に示す概略断面図であり、図３（ｆ）はその平面図である。
選択図 図3出願人が指定した本件の代表的な図
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