特許5850489ＳｉＣ単結晶の製造方法

発明の名称　ＳｉＣ単結晶の製造方法

出願人　独立行政法人産業技術総合研究所　（識別番号 301021533）

　　　　特許公開件数ランキング 187 位（254件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 136 位（264件）（共同出願を含む）

出願人　日立化成株式会社　（識別番号 4455）

　　　　特許公開件数ランキング 83 位（332件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 46 位（438件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-5850489

公報発行日　2016年2月3

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5850489

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