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特許第6596692号(P6596692)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6596692ＩＩＩ族元素窒化物結晶製造方法、ＩＩＩ族元素窒化物結晶、半導体装置、半導体装置の製造方法およびＩＩＩ族元素窒化物結晶製造装置

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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