特許 6694518 パターニングデバイス冷却装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6694518

(24)【登録日】2020年4月21日

(45)【発行日】2020年5月13日

(54)【発明の名称】パターニングデバイス冷却装置

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/20 20060101AFI20200427BHJP

【ＦＩ】

   G03F7/20 501

   G03F7/20 521

【請求項の数】13

【全頁数】24

(21)【出願番号】特願2018-547981(P2018-547981)

(86)(22)【出願日】2017年3月8日

(65)【公表番号】特表2019-511744(P2019-511744A)

(43)【公表日】2019年4月25日

(86)【国際出願番号】EP2017055407

(87)【国際公開番号】WO2017174284

(87)【国際公開日】20171012

【審査請求日】2018年10月17日

(31)【優先権主張番号】62/318,098

(32)【優先日】2016年4月4日

(33)【優先権主張国】US

(73)【特許権者】

【識別番号】504151804

【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．

(73)【特許権者】

【識別番号】503195263

【氏名又は名称】エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ．

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100109346

【弁理士】

【氏名又は名称】大貫 敏史

(74)【代理人】

【識別番号】100117189

【弁理士】

【氏名又は名称】江口 昭彦

(74)【代理人】

【識別番号】100134120

【弁理士】

【氏名又は名称】内藤 和彦

(72)【発明者】

【氏名】ナキボグル，ギュネス

(72)【発明者】

【氏名】ベイカー，ロウェル，レーン

(72)【発明者】

【氏名】ブロックス，ルート，ヘンドリカス，マルティヌス，ヨハネス

(72)【発明者】

【氏名】セクリ，ハッキ，エルグン

(72)【発明者】

【氏名】シュルツ，ジェフリー，アラン

(72)【発明者】

【氏名】ヴァン ボクホヴェン，ロウレンティウス，ヨハネス，アドリアヌス

(72)【発明者】

【氏名】ヴァン ボクステル，フランク，ヨハネス，ヤコブス

(72)【発明者】

【氏名】ヴァン ダメ，ジャン−フィリップ，サヴィエ

(72)【発明者】

【氏名】ワード，クリストファー，チャールズ

【審査官】 長谷 潮

(56)【参考文献】

【文献】 特開昭６４−０４１２１５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００１−２１７１７７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０８−０２１９１１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−１１０５３８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−１２９６３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００１−１３５５６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許第０６８０９７９３（ＵＳ，Ｂ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０３Ｆ ７／２０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

リソグラフィ装置用のパターニング装置であって、
平面を有するパターニングデバイスを支持するパターニングデバイスサポート構造と、
前記平面全体に渡って第１のガス流を供給する第１のガスアウトレット及び前記平面全体に渡って第２のガス流を供給する第２のガスアウトレットを備えるパターニングデバイス調節システムであって、前記第１のガスアウトレット及び前記第２のガスアウトレットは前記平面に垂直な異なる距離に前記第２のガスアウトレットが前記第１のガスアウトレットの上部になるように配置され、前記パターニングデバイス調節システムは、前記第１のガスアウトレットからのガス及び前記第２のガスアウトレットからのガスを互いに異なる時間に供給する、パターニングデバイス調節システムと、を備え、
前記第１のガスアウトレットを出てゆくガスの第１の運動量及び前記第２のガスアウトレットを出てゆくガスの第２の運動量は独立して制御される、パターニング装置。

【請求項2】

前記第１のガスアウトレットを出てゆくガスは、前記平面に対して第１の角度をなしており、
前記第２のガスアウトレットを出てゆくガスは、前記パターニングデバイスの前記平面に対して第２の角度をなしている、請求項１に記載のパターニング装置。

【請求項3】

前記第１の角度は、前記第２の角度とは異なっている、請求項２に記載のパターニング装置。

【請求項4】

リソグラフィ装置用のパターニング装置であって、
平面を有するパターニングデバイスを支持するパターニングデバイスサポート構造と、
前記平面全体に渡って第１のガス流を供給する第１のガスアウトレット及び前記平面全体に渡って第２のガス流を供給する第２のガスアウトレットを備えるパターニングデバイス調節システムであって、前記パターニングデバイス調節システムは、前記第１のガスアウトレット及び前記第２のガスアウトレットを同時に出てゆくガスを供給し、前記第１のガスアウトレット及び前記第２のガスアウトレットは前記平面と垂直な異なる距離に前記第２のガスアウトレットが前記第１のガスアウトレットの上部になるように配置される、パターニングデバイス調節システムと、を備え、
前記第１のガスアウトレットを出てゆくガスの第１の運動量及び前記第２のガスアウトレットを出てゆくガスの第２の運動量は独立して制御され、
前記第１のガスアウトレットを出てゆくガスは、前記平面に対して第１の角度をなしており、
前記第２のガスアウトレットを出てゆくガスは、前記パターニングデバイスの前記平面に対して第２の角度をなしており、
前記第１の角度は、前記第２の角度とは異なっている、パターニング装置。

【請求項5】

前記第１の運動量と前記第２の運動量とを制御する制御システムを更に備える、請求項２〜４のいずれか一項に記載のパターニング装置。

【請求項6】

前記第１の運動量は、前記第２の運動量とは異なっている、請求項１〜５のいずれか一項に記載のパターニング装置。

【請求項7】

前記制御システムは、前記第１の角度及び／又は前記第２の角度を制御する、請求項５に記載のパターニング装置。

【請求項8】

前記第１のガスアウトレット及び前記第２のガスアウトレットの幅は、前記パターニングデバイスの幅と実質的に同じ幅を有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載のパターニング装置。

【請求項9】

前記制御システムは、前記第１のガスアウトレットを出ていくガスの温度及び第２のガスアウトレットを出ていくガスの温度を、当該ガスの予想された下流温度プロファイルに基づいて、又は、前記パターニングデバイスに入射する放射ビームの強度に応じて設定する、請求項５又は７のいずれかに記載のパターニング装置。

【請求項10】

前記第１のガスアウトレット及び前記第２のガスアウトレットは、平面視で前記パターニングデバイスの同じ側に設けられている、請求項１〜９のいずれか一項に記載のパターニング装置。

【請求項11】

前記平面上に更なるガス流を供給する更なるガスアウトレットを備え、
少なくとも前記第１のガスアウトレット及び前記第２のガスアウトレットは、平面視で前記パターニングデバイスの同じ側に設けられ、
前記更なるガスアウトレットは、平面視で前記パターニングデバイスの別の側に配置され、
前記更なるガスアウトレットは、前記第１のガスアウトレット及び／又は前記第２のガスアウトレットを出てゆくガスとは実質的に反対の方向に前記更なるガス流を供給する、請求項１〜９のいずれか一項に記載のパターニング装置。

【請求項12】

前記更なるガスアウトレットを出てゆく前記ガスの前記更なる運動量は、独立して制御される、請求項１１に記載のパターニング装置。

【請求項13】

請求項１〜１２のいずれか一項に記載のパターニング装置を含む、リソグラフィ装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
[0001] 本出願は２０１６年４月４日に出願された米国特許出願第６２／３１８，０９８号の優先権を主張し、この出願はその全体が参照により本明細書に組み込まれる。

【0002】

[0002] 本開示は、例えばリソグラフィ装置内のパターニングデバイスなどの対象物の表面全体に渡ってガスを流すことによって、対象物の温度を制御するための装置及び方法に関する。

【背景技術】

【0003】

[0003] リソグラフィ装置は、基板に、通常は基板のターゲット部分に、所望のパターンを施す機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）を製造するために使用することができる。そのような場合、パターニングデバイス、例えばマスク又はレチクルは、ＩＣの個々の層上に形成されるべき回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つ又は複数のダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は、通常、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像を介する。一般的に、単一の基板は、連続的にパターン形成される隣接するターゲット部分のネットワークを含む。従来のリソグラフィ装置は、いわゆるステッパ及びいわゆるスキャナを含み、ステッパでは、一度にターゲット部分上に全体パターンを露光することにより各ターゲット部分を照射し、またスキャナでは、所与の方向（「走査」方向）に放射ビームによってパターンを走査しながら、同時にこの方向に平行に又は逆平行に基板を走査することにより、各ターゲット部分を照射する。

【発明の概要】

【0004】

[0004] リソグラフィ装置では、放射ビームはパターニングデバイス内に熱的効果（例えば、熱膨張）を引き起こすことがある。パターニングデバイスは、放射ビーム、例えば深紫外線放射の放射に対して実質的に透過性の基材、例えば、融解石英を含むことがあり、また、実質的に非透過性の材料、例えばクロムで出来ているパターンを含むことがある。熱的効果は、パターニングデバイスの非透過性部分による、放射ビームの放射の吸収に起因することがある。更に、放射ビームからの放射は、サポート構造の周りのガスも加熱することがあり、このガスは、次いで、対流加熱によってパターニングデバイスを加熱し、熱的効果をもたらすことがある。熱的効果は、パターニングデバイスの少なくとも一部の位置を変えてしまうことがあり、例えば、基板上に形成されたパターンのアライメントエラー及び／又はオーバーレイエラーを引き起こすことがある。パターニングデバイスの熱的効果に起因するこれらのエラーを補正するために、リソグラフィ装置は、補正システムに頼ることがある。例えば、そのような補正システムは、レチクル若しくは基板アライメントシステム、倍率補正システム、膨張予測用のフィードフォワードシステム、レンズ補正システム、又はそれらの組み合わせを含むことがある。しかしながら、デバイスの寸法を縮小しようとする傾向が続く中、これらの補正システムでは、これらの縮小されたデバイスの開発に必要とされる所望の水準のアライメント及び／又はオーバーレイ精度を提供することができない。

【0005】

[0005] 従って、実施形態によっては、パターニングデバイスの温度を制御するパターニング装置及び方法が提供される。

【0006】

[0006] 実施形態によっては、リソグラフィ装置用のパターニング装置が提供され、このパターニング装置は、平面を有するパターニングデバイスを支持するように構成されたパターニングデバイスサポート構造と、使用時にこの平面上に第１のガス流を供給するように構成された第１のガスアウトレット、及び、使用時にこの平面上に第２のガス流を供給するように構成された第２のガスアウトレットを備えるパターニングデバイス調節システムであって、第１のガスアウトレット及び第２のガスアウトレットは、この平面に垂直な異なる距離に配置される、パターニングデバイス調節システムと、第１のガスアウトレットを出てゆくガスの第１の運動量及び第２のガスアウトレットを出てゆくガスの第２の運動量を独立して制御するように構成された制御システムとを備える。

【0007】

[0007] 実施形態によっては、リソグラフィ装置を使用したデバイス製造方法が提供され、この方法は、パターニングデバイスを介してビームを投影することであって、このビームはパターニングデバイスによってパターン付けされることと、第１のガスアウトレットからの使用時のパターニングデバイスの平面上の第１のガス流及び／又は第２のガスアウトレットからの使用時のパターニングデバイスの平面上の第２のガス流を独立して変化させることであって、第１のガスアウトレット及び第２のガスアウトレットは、パターニングデバイスの平面に垂直な異なる距離にあることと、ビームを基板上に向けることと、を含む。

【0008】

[0008] 実施形態の更なる特徴及び利点、並びに様々な実施形態の構造及び動作について、添付の図面を参照して、以下で詳細に説明する。なお、本発明は、本明細書で説明する特定の実施形態に限定されない。そのような実施形態は、説明目的のためにのみ、本明細書で提示される。本明細書に含まれる教示に基づいて、更なる実施形態が、当業者には明らかになるであろう。

【0009】

[0009] 本明細書に組み込まれ本明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明の実施形態を例示し、また、説明文と併せて、実施形態の原理を説明し、当業者が本発明を実施し使用できるように更に機能する。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1A】[0010]一実施形態による反射型リソグラフィ装置の概略図である。

【図1B】[0011]一実施形態による透過型リソグラフィ装置の概略図である。

【図2】[0012]一実施形態によるパターニング装置の概略側面図である。

【図3】[0013]図２に示したパターニング装置の概略平面図である。

【図4】[0014]一実施形態によるパターニング装置の概略側面図である。

【図5】[0015]一実施形態によるパターニング装置の概略側面図である。

【図6A】[0016]一実施形態によるパターニング装置の概略側面図である。

【図6B】[0016]一実施形態によるパターニング装置の概略側面図である。

【図6C】[0016]一実施形態によるパターニング装置の概略側面図である。

【図7】[0017]一実施形態によるパターニング装置の概略側面図である。

【図8】[0018]図７に示したパターニング装置の概略平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

[0019] 開示した実施形態の特徴及び利点は、図面と併せて以下に記載する詳細な説明から、より明らかになるであろう。図面では、同様の参照符号は全体を通じて対応する要素を特定する。図面では、同様の参照番号は一般的に同一の、機能的に類似の、かつ／又は構造的に類似の要素を示す。特に断りのない限り、本開示を通じて提供される図面は、縮尺通りの図面として解釈されるべきではない。

【0012】

[0020] しかしながら、そのような実施形態をより詳細に説明する前に、本開示の実施形態を実施することができる例示的な環境を提示することが有益である。

【0013】

[0021] 図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ、本開示の実施形態を実施することができる、リソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’の概略図である。リソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’は、それぞれ、以下のものを含む、即ち、放射ビームＢ（例えば、ＤＵＶ又はＥＵＶ放射）を調節するように構成されたイルミネータ（照明システム）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク、レチクル、又はダイナミックパターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジスト塗布ウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された、基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、を含む。リソグラフィ装置１００及び１００’は、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを、基板Ｗの（例えば、１つ又は複数のダイの一部を含む）ターゲット部分Ｃに投影するように構成された、投影システムＰＳも有する。リソグラフィ装置１００では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは反射型である。リソグラフィ装置１００’では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは透過型である。実施形態によっては、投影システムＰＳは反射屈折型である。

【0014】

[0022] 照明システムＩＬは、放射ビームＢの方向決め、成形、又は制御のための、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電気型などの様々な種類の光学コンポーネント、又は他の種類の光学コンポーネント、又はそれらの任意の組み合わせを含むことがある。

【0015】

[0023] サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置１００及び１００’の設計、並びにパターニングデバイスＭＡが真空環境に保持されているか否かなどの他の条件に依存する態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電気式、又は他のクランプ技術を使用して、パターニングデバイスＭＡを保持することがある。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定であることも又は可動であることもあるフレーム又はテーブルであり得る。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが、例えば投影システムＰＳに対して所望の位置にあることを確実にすることができる。

【0016】

[0024] 「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するように、放射ビームＢの断面にパターンを付与するために使用することができる任意のデバイスを指すものとして、広く解釈されるべきである。放射ビームＢに付与されたパターンは、集積回路などの、ターゲット部分Ｃに生成されるデバイスの特定の機能層に対応することができる。

【0017】

[0025] パターニングデバイスＭＡは、（図１Ｂのリソグラフィ装置１００’のように）透過型であっても、又は（図１Ａのリソグラフィ装置１００のように）反射型であってもよい。パターニングデバイスＭＡの例としては、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが挙げられる。マスクは、リソグラフィではよく知られており、バイナリ型、レベンソン型（交互位相シフト型）、及びハーフトーン型（減衰位相シフト型）などのマスクタイプ、並びに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型のミラーのマトリックス配置が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームＢを異なる方向に反射するように、個々に傾斜していることがある。傾斜したミラーは、ミラーのマトリックスによって反射される放射ビームＢにパターンを付与する。

【0018】

[0026] 「投影システム」ＰＳという用語は、使用される露光放射に適した、又は液浸液の使用若しくは真空の使用などの他の要因に適した、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁気型、及び静電気型の光学系、若しくはそれらの任意の組み合わせを含む、任意の種類の投影システムを包含することができる。真空環境は、ＥＵＶ又は電子ビーム放射用に使用することができる、というのも、他のガスは、放射線又は電子をあまりに多く吸収することがあるからである。従って、真空壁及び真空ポンプの助けを借りて、ビームパス全体に真空環境を提供することができる。

【0019】

[0027] リソグラフィ装置１００及び／又はリソグラフィ装置１００’は、２つ以上のテーブル（又はステージ若しくはサポート）、例えば、２つ以上の基板テーブル（又はパターニングデバイステーブル）、又は、投影システムＰＳの特性を測定するように構成され、かつ基板Ｗを保持するようには構成されていない１つ又は複数のセンサ若しくは測定テーブルと１つ又は複数の基板テーブルとの組み合わせ、を有する種類のものであり得る。そのような「マルチステージ」の機械では、追加の基板テーブルＷＴを並行して使用することができ、又は、１つ又は複数の他の基板テーブルＷＴを露光用に使用している間に、１つ又は複数のテーブルで準備工程を実行することができる。

【0020】

[0028] 図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、イルミネータＩＬが放射源ＳＯから放射ビームＢを受け取る。例えば、放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置１００、１００’は、別個の要素であることがある。そのような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００又は１００’の一部を形成するとはみなされず、放射ビームＢは、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビーム拡大器を含む、ビームデリバリシステムＢＤ（図１Ｂ）の助けを借りて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと通過する。他の場合では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプである場合には、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１００、１００’の一体化された部分とすることができる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと纏めて、放射システムと呼ばれることがある。

【0021】

[0029] イルミネータＩＬは、放射ビームＢの角度強度分布を調節するように構成されたアジャスタＡＤ（図１Ｂ）を含むことができる。一般的に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側の半径範囲（一般的に、それぞれ「σ-outer」及び「σ-inner」と呼ばれる）を調節することができる。更に、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの様々な他の構成要素（図１Ｂ）を含むことができる。イルミネータＩＬを使用して、放射ビームＢの断面において所望の均一性及び強度分布になるように放射ビームＢを調節することができる。放射源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置１００、１００’の一部を形成するとみなされてもよいし、又はみなされなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置１００、１００’の一体部分であることがあり、又は、リソグラフィ装置１００、１００’とは別個の要素であることがある。後者の場合、リソグラフィ装置１００、１００’は、イルミネータＩＬがその上にマウントされるように構成されることがある。任意選択的に、イルミネータＩＬは着脱可能であり、（例えば、リソグラフィ装置の製造者又は別の供給業者によって）別個に提供されてもよい。

【0022】

[0030] 図１Ａを参照すると、放射ビームＢが、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン付けされる。リソグラフィ装置１００では、放射ビームＢはパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは放射ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に集束させる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴを、（例えば、放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように）正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使用して、放射ビームＢの経路に対して正確にパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを位置決めすることができる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。

【0023】

[0031] 図１Ｂを参照すると、放射ビームＢが、サポート構造ＭＴ（例えば、マスクテーブル）上に保持されたパターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク）に入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン付けされる。マスクを横断した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に集束させる。投影システムＰＳは、照明システムの瞳ＩＰＵに結合した瞳ＰＰＵを有する。放射の部分は、照明システムの瞳ＩＰＵでの強度分布から放射され、パターニングデバイスパターンでの回折による影響を受けることなくパターニングデバイスパターンを通り抜け、照明システムの瞳ＩＰＵにおける強度分布の像を生成する。

【0024】

[0032] 第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴを、（例えば、放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように）正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１Ｂには図示せず）を使用して、（例えば、マスクライブラリの機械検索の後で、又は走査中に）放射ビームＢの経路に対して正確にパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを位置決めすることができる。

【0025】

[0033] 一般的に、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成する、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けを借りて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成する、ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現することができる。（スキャナとは対照的に）ステッパの場合、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴはショートストロークアクチュエータのみに接続されるか、又は固定されることがある。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は（図示するように）専用のターゲット部分Ｃを占めるが、これらのマークはターゲット部分同士の間のスペースに配置することもできる（スクライブレーンアライメントマークとして知られる）。同様に、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に２つ以上のダイが設けられる場合には、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２はダイの間に配置されることがある。

【0026】

[0034] サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及びパターニングデバイスＭＡは真空チャンバ内にあることがあり、真空チャンバでは、真空内ロボットＩＶＲを使用して、マスクなどのパターニングデバイスＭＡを真空チャンバの内外へ移動させることができる。或いは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及びパターニングデバイスＭＡが真空チャンバの外側にある場合、真空内ロボットＩＶＲと同様に、真空外ロボットを様々な運搬動作用に使用することができる。真空内及び真空外ロボットの両方とも、移送ステーションの固定されたキネマティックマウントへ任意のペイロード（例えば、マスク）をスムーズに移送するために、較正する必要がある。

【0027】

[0035] リソグラフィ装置１００及び１００’は、以下のモードのうちの少なくとも１つで使用することができる。

【0028】

[0036] １．ステップモードでは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちながら、放射ビームＢに付与された全体パターンを、ターゲット部分Ｃに一度に投影する（即ち、単一静的露光）。次いで、基板テーブルＷＴは、異なるターゲット部分Ｃを露光することができるように、Ｘ及び／又はＹ方向にシフトされる。

【0029】

[0037] ２．スキャンモードでは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期して走査しながら、放射ビームＢに付与されたパターンを、ターゲット部分Ｃに投影する（即ち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）倍率及び像反転特性によって決定されることがある。

【0030】

[0038] ３．別のモードでは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを、プログラマブルパターニングデバイスを保持させながら実質的に静止状態に保ち、また、基板テーブルＷＴを移動させるか又は走査しながら、放射ビームＢに付与されたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。パルス放射源ＳＯを使用することができ、また、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各移動の後で、又は走査中の連続的な放射パルスの合間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、本明細書で言及する種類のプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

【0031】

[0039] 説明された使用モードの組み合わせ及び／若しくは変形例、又は全く異なる使用モードを使用することもできる。

【0032】

[0040] 更なる実施形態では、リソグラフィ装置１００は、ＥＵＶリソグラフィ用のＥＵＶ放射のビームを生成するように構成された、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を含む。一般的に、ＥＵＶ放射源は放射システム内に構成され、対応する照明システムは、ＥＵＶ放射源のＥＵＶ放射ビームを調節するように構成される。

【0033】

[0041] パターニング装置は、パターニングデバイスの表面上にガス流を供給して、何らかの態様でパターニングデバイスの温度を変更又は制御して、パターニングデバイスの熱的変動によって誘起されるエラーを低減することができる。そのようなパターニング装置は、ガス流を制御して熱的変動の影響を制御し低減することができる。しかしながら、そのような装置は、パターニングデバイスの熱的変動によって誘起されるエラーを適切に低減しないことがある。特に、パターニングデバイスの熱的変動は不均一であることがある。これは、パターニングデバイスの温度勾配をもたらす。温度勾配は小さく思われることがあるが、誘起されるオーバーレイエラーはかなりのものであり得る。従来のシステムは、パターニングデバイスの温度を低下させることに的を絞っていることがあるが、温度勾配を適切に低減するように温度を制御していないことがある。従って、パターニングデバイスの表面上の熱的変動を考慮にいれるために、現在利用可能である制御よりも、より特定の制御が必要であり得る。一実施形態では、パターニングデバイスの温度を制御してパターニングデバイスの温度の均一性を改善するように構成された、パターニング装置及び方法が提供される。従って、一実施形態では、パターニングデバイス全体に渡ってより均一な温度を提供し、かつパターニングデバイス全体に渡って温度を低減することができる、パターニング装置及び方法が提供される。一実施形態では、以下で説明するようなガスアウトレットを有する調節システムを備えるパターニング装置が提供される。

【0034】

[0042] 図２は、パターニングデバイス１１を支持するように構成されたパターニングデバイスサポート構造１３を備える、パターニング装置１０の概略側面図である。パターニングデバイスサポート構造１３は、図１Ａ及び図１Ｂに関して説明したようなサポート構造ＭＴ（例えば、マスクテーブル）と同一であることがあり、これ以降では、サポート構造１３と呼ばれる。サポート構造１３は、パターニングデバイス１１を支持するように構成される。パターニングデバイス１１は、図１Ａ及び図１Ｂに関連して説明したようなパターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク、レチクル、又はダイナミックパターニングデバイス等）と同一であることがある。パターニングデバイス１１を使用して放射ビーム１５にパターンを付与することができるように、放射ビーム１５をパターニングデバイス１１に向けることがある。放射ビーム１５は、図１Ａ又は図１Ｂに関連して説明したような放射ビームＢ（例えば、ＤＵＶ又はＥＵＶ放射）と同一であることがある。一般的に、放射ビーム１５は、パターニングデバイス１１から反射されるか、又はパターニングデバイス１１を通過する。従って、放射ビーム１５は一般的に、パターニングデバイス１１の表面上に瞬間的に存在する。放射ビーム１５及び／又はパターニングデバイス１１の温度変化は、パターニングデバイス１１の周囲のガスを加熱することがある。従って、温度変化がパターニングデバイス１１に持ち込まれることがある。

【0035】

[0043] パターニングデバイス１１の表面は平面１２であることがあり、平面１２は放射ビーム１５によって加熱されることがある。平面１２は、実質的に平坦であることがある。しかしながら、平面１２は平坦でないこともあり、平面１２は基準として使用される平面であることがある。例えば、平面１２は、パターニングデバイス１１の表面の最上部における平面、例えば、パターニングデバイス１１の最高地点が位置する平面であることがある。

【0036】

[0044] サポート構造１３は、機械式、真空式、静電式、又は他のクランプ技術を使用して、パターニングデバイス１１を所定の位置に保持し、かつ／又は任意選択的に、パターニングデバイス１１を、サポート構造１３上にパターニングデバイス１１を直接的に支持するサポートテーブル（図２には図示せず）に留めることがある。サポート構造１３は、パターニングデバイス１１が、例えば、パターニング装置１０の外部の他の構成要素に対して確実に特定の位置に存在するように構成されることがある。例えば、サポート構造１３は、上述したショート及び／又はロングストロークモジュールなどの可動の構成要素を含むことがあり、この可動の構成要素は、（例えば、図３に示すＸ軸及び／又はＹ軸に沿って）パターニングデバイス１１を位置決めするように正確に構成される。サポート構造１３は、パターニングデバイス１１を支持するための任意の適切な形状とすることができ、図中に示すように、パターニングデバイス１１の下に開口部を有することがあり、又は、パターニングデバイス１１の下は固体であることがある（図示せず）。

【0037】

[0045] パターニング装置１０は、パターニングデバイス調節システムを更に備え、このシステムは、これ以降は調節システムと呼ばれる。調節システムは、例えば、図２の側面図から示されるように、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０を備える。第１のガスアウトレット２０は、使用時に、パターニングデバイス１１の平面１２上に第１のガス流２５を供給するように構成される。第２のガスアウトレット３０は、使用時に、パターニングデバイス１１の平面１２上に第２のガス流３５を供給するように構成される。換言すると、第１のガス流２５及び第２のガス流３５の両方とも、パターニングデバイス１１の同じ表面上に供給される。第１のガスアウトレット２０は、例えばパターニングデバイス１１の幅に渡って、複数のガスアウトレットを含むことがある。即ち、図３のパターニングデバイス１１の側面に渡って示された第１のガスアウトレット２０は、複数の、個々のガスアウトレットを含むことがある。同様に、第２のガスアウトレット３０は、例えばパターニングデバイス１１の幅に渡って、複数のガスアウトレットを含むことがある。

【0038】

[0046] 上述したように、放射ビーム１５はパターニングデバイス１１に向けられるので、放射ビーム１５が入射するパターニングデバイス１１の熱的変動をもたらす。既知のシステムでは、一般的にパターニングデバイス１１の温度を下げるために、ひいては、この熱的変動の結果として生じるエラーを低減又は回避するために、ガス流がパターニングデバイス１１の平面１２上に供給されることがある。しかしながら、多くの場合、この温度制御は、これらのエラーを許容可能な程度まで低減するのには不十分である。これは、ガスが供給される位置の下流では、パターニングデバイスの表面上の流れの冷却効果が低下することが一因である。これについては、様々な理由があり得るが、パターニングデバイス１１の平面１２上での境界層の発生に起因することがあり、また、流れの加熱にも起因することがある。

【0039】

[0047] 一般的に、乱流を使用してパターニングデバイス１１の表面を冷却することがより効率的である、というのも、流れの乱流混合は、ガス流中のより高温のガスをより低温のガスと混合し、このより低温のガスは、パターニングデバイス１１の表面から熱を除去するのに役立つからである。しかしながら、ガスがパターニングデバイス１１の平面１２に沿って流れるにつれて、表面に沿って境界層が形成され、境界層は層状になっていることがある。層状の境界層は、パターニングデバイス１１の平面１２から熱を伝搬することにおいては、乱流ほどには効果的ではない。従って、調節システムによって放出されるガスは、しばしば、流れの開始地点、即ちアウトレットからの出口の近傍に向かうほどより効率的である、というのも、境界層がまだ形成されておらず、従って、より良好な混合が起こり得るからである。境界層が下流で発達するにつれて、パターニングデバイス１１の平面１２に垂直な方向におけるガスの混合は低減する。従って、パターニングデバイス１１の平面１２上での境界層の形成は、調節システムの効率を低減する。

【0040】

[0048] 更に、第１のガス流２５及び第２のガス流３５のガスは、パターニングデバイス１１の平面１２上を通過するにつれて、即ち下流に進むにつれて、加熱される。ガスは、パターニングデバイス１１によって、又は放射ビーム１５からの放射によって、加熱されることがある。ガスは、すぐに加熱されることがあり、パターニングデバイス１１の平面１２と周囲のガス（即ち、第１のガス流２５のガス、及び第２のガス流３５のガス）との間の温度差が低減されることがある。温度差は、ガス流が下流に進むにつれて、更に低減されることがある。温度差が低減されると、冷却の効率が低下することにつながる。

【0041】

[0049] 一実施形態では、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０は、平面１２に垂直な異なる距離に配置される。図２に示すように、第２のガスアウトレット３０は、パターニングデバイス１１の平面１２から第１のガスアウトレット２０よりも遠い距離に配置される。図２では、パターニングデバイス１１の平面１２からの距離は、Ｚ方向の矢印によって示されている。

【0042】

[0050] パターニング装置１０は、第１のガスアウトレット２０を出てゆくガス及び／又は第２のガスアウトレット３０を出てゆくガスの少なくとも１つのパラメータを別個に制御するように構成された制御システム１４を更に備える。換言すると、第１のガスアウトレット２０を出てゆくガス及び／又は第２のガスアウトレット３０を出てゆくガスの少なくとも１つのパラメータは、個別に制御される。従って、制御システム１４は、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０を独立して制御する。制御システム１４は、第１のガスアウトレット２０を出てゆくガスの第１の運動量を制御するように構成され、かつ、第２のガスアウトレット３０を出てゆくガスの第２の運動量を独立して制御するように構成される。このようにして、制御システム１４は、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０のそれぞれから、互いに異なる又は同一の運動量を有するガスを供給することができる。例えば、制御システム１４は、第１のガスアウトレット２０及び／又は第２のガスアウトレット３０に供給されるガスの量及び／又はガスの速度を変更して、第１の運動量及び／又は第２の運動量をそれぞれ変更することができる。制御システム１４は、第１のガスアウトレット２０及び／又は第２のガスアウトレット３０を出てゆくガスの更なるパラメータ、例えば、温度及び／又はガス湿度を制御するように構成されることがある。

【0043】

[0051] パターニングデバイス１１の平面１２に垂直な異なる距離に配置された第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０を備える調節システムを設けることにより、パターニングデバイス１１の平面１２上でのガスの流れをより有利に制御することが可能になる。複数のアウトレット（即ち、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０）を有することにより、パターニングデバイス１１の表面上のガス流の下流特性を変更するために、それらのガスアウトレットを別個に制御することが可能になる。従って、第１の高さに第１のガスアウトレット２０を設け、第２の高さに（即ち、平面１２に垂直な異なる距離に）第２のガスアウトレット３０を設けることは有益である、というのも、これにより上述した境界層の発達を低減することができ、冷却流の加熱を低減するのに役立つことがあるからである。

【0044】

[0052] 個別に制御することができる第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０を設けることにより、第１のガスアウトレット２０を出てゆく第１のガス流２５及び第２のガスアウトレット３０を出てゆく第２のガス流３５を、独立して、任意選択的に異なる値で、制御することが可能になる。第１のガス流２５及び第２のガス流３５は、独立して最適化されることがある。第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０の各々を出てゆくガスの運動量を制御することにより、パターニング装置１０の熱的変動を考慮に入れてパターニングデバイス１１上の温度変化をより正確に制御して、熱的変動を低減することが可能になる。

【0045】

[0053] 第１、第２等に関する用語は交換可能であり、どのガスアウトレットが言及されているかを単に識別するために使用されることを、理解されたい。

【0046】

[0054] 第１のガス流２５及び／又は第２のガス流３５は、実質的に除湿されたガスであることがある。第１のガス流２５及び／又は第２のガス流３５は、非常にクリーンなガス若しくは空気を含むことがあるか、又は、非常にクリーンなガス若しくは空気から本質的になることがある。第１のガス流２５及び／又は第２のガス流３５は、非常にクリーンな乾燥空気（即ち、時にはＸＣＤＡと呼ばれることもある濾過され除湿された空気）を含むか、又は非常にクリーンな乾燥空気から本質的になることがある。第１のガス流２５及び／又は第２のガス流３５は、二酸化炭素、ヘリウム、アルゴン、窒素及び／又は水素を含むことがある。第１のガス流２５及び／又は第２のガス流３５は、これらのガスのうちの少なくとも１種を含むか、又はその組み合わせであり得る。第１のガス流２５及び／又は第２のガス流３５は、パターニングデバイス１１がサポート構造１３に装填されるか又はサポート構造１３から取り外される間は、一時的に又は選択的に停止して、装填プロセスを邪魔しないようにすることがある。実施形態によっては、第１のガス流２５及び／又は第２のガス流３５は、パターニングデバイス１１の冷却が必要ではない場合には、一時的にかつ選択的に停止することができる。

【0047】

[0055] 図２に示すように、第１のガスアウトレット２０は、パターニングデバイス１１の平面１２を横切って進む第１のガス流２５を生成するように配置され構成される。第２のガスアウトレット３０は、やはりパターニングデバイス１１の平面１２を横切って進む第２のガス流３５を生成するように配置され構成される。換言すると、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０は、パターニングデバイス１１の同じ表面にガスを供給する。図３は、図２のパターニング装置１０を平面図で示す。第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０は、図３ではわずかに位置がずれて示されているが、これらのアウトレットは同じサイズであり位置合わせされていることがある（即ち、実質上一方が他方の上部にある）か、又は、異なるアウトレットは位置合わせされておらず、かつ／若しくはサイズが異なっていることがある。

【0048】

[0056] 調節システムが複数の第１のガスアウトレット２０を備える場合、この複数の第１のガスアウトレット２０は、独立して又は纏めて制御されることがある。個々の第１のガスアウトレット２０の各々を別個に制御する必要はなく、例えば、第１のガスアウトレット２０は、複数の接続された開口部を含むことがある。調節システムが複数の第２のガスアウトレット３０を備える場合、この複数の第２のガスアウトレット３０は、独立して又は纏めて制御されることがある。個々の第２のガスアウトレット３０の各々を別個に制御する必要はなく、例えば、第２のガスアウトレット３０は、複数の接続された開口部を含むことがある。

【0049】

[0057] 一実施形態では、制御システム１４は、第１のガス流２５を、第２のガス流３５とは異なる運動量で制御するように構成される。当業者であれば、運動量の制御は、ガス流量の制御と交換可能であり得ることを理解するであろう。ガス流量と運動量とは流れの異なる特徴であるが、これらは、上述したように、パターニングデバイス１１上に流れを供給するために制御システム１４によって測定し制御することができる特性として、パターニング装置１０によって交換可能に使用することができる。

【0050】

[0058] 上述したように、パターニングデバイス１１に渡る熱的変動は均一ではないことがある。不均一性は、第１のガス流２５及び第２のガス流３５の下流で生じることがある。例えば、図２及び図３に示すように、Ｘ方向に沿ってパターニングデバイス１１の平面１２の温度の変動が起こり得る。制御システム１４を使用して第１のガスアウトレット２０を出てゆくガスの第１の運動量と第２のガスアウトレット３０を出てゆくガスの第２の運動量とを独立して制御することにより、調節システムがこの不均一性を打ち破ることが可能になる。更に、第２のガス流３５とは異なる運動量の第１のガス流２５を有することにより、この不均一性を低減するための更なる制御及び変動がもたらされる。

【0051】

[0059] 図２及び図３に示すように、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０は、平面図においてパターニングデバイス１１の同じ側に位置することがある。換言すると、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０は、使用時のパターニングデバイス１１の同じ縁部に沿って位置することがある。第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０からのガスは、パターニングデバイス１１の平面１２上に供給されることができ、平面図として見たときに類似の方向から供給されることができる。第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０を（平面図で）パターニングデバイス１１の同じ側に沿って有することには利点がある、というのも、アウトレットを設け、かつアウトレットにガスを供給するために必要とされる構成要素は、（平面図で）パターニングデバイス１１の他方の側に設けられる必要はなく、一方の側にのみ配置されることが必要だからである。

【0052】

[0060] 第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０の位置はパターニングデバイス１１に関して説明されるが、これは使用中でのことであり、この装置はパターニングデバイス１１が存在していようといまいと、説明した態様で構成されることができることを理解されたい。従って、パターニング装置１０がパターニングデバイス１１を支持するために使用される場合、例えば、使用中は、パターニング装置１０の構成は、明細書の全体を通じて説明される通りである。

【0053】

[0061] 一実施形態では、制御システム１４は、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０を出てゆくガスを制御して同時に発生させる、即ち、第１のガス流２５及び第２のガス流３５が同時に発生するようにすることができる。換言すると、第１のガスアウトレット２０を出てゆく第１のガス流２５は、第２のガス流３５が第２のガスアウトレット３０によって供給されるのと同時に供給されることができる。

【0054】

[0062] 第１のガスアウトレット２０と第２のガスアウトレット３０との両方を同時に使用し、かつ、第１のガスアウトレット２０を第２のガスアウトレット３０とは異なる平面１２に対する垂直距離に有することは、有利であり得る。上述したように、第１のアウトレット２０及び第２のアウトレット３０からのガスの運動量は制御することができる。従って、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０から同時にガスを供給することにより、更なる調節能力がもたらされる、というのも、第１のガス流２５及び第２のガス流３５は、互いに相互作用し得るからである。例えば、第１の流れ２５の第１の運動量及び角度並びに第２の流れ３５の第２の運動量及び角度は、第２のガス流３５を使用してジェットが生成され、次いで第１のガス流２５がそのジェットに同伴されるように、選択することができる。そのようなジェット流が生成されると、ジェット流と周囲の流体との間の速度差に起因して、せん断層が発生する。せん断層は非常に不安定であり、下流でのジェット速度の低下をもたらす。しかしながら、せん断層は、同時に第１のガスアウトレット２５からガスを供給することにより低減される、というのも、第１のガス流２５からのガスはジェットに同伴され、ジェット流と第１のガス流２５との間の速度差は、ジェットと他の周囲の流体との間の差よりも小さくなるからである。従って、ジェット流はより大きな運動量を有して更に下流に到達することができる。更に、ガスは、パターニング装置１０を囲むガスではなく、第１のガス流２５に同伴され、従って、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０をこのように使用することは、パターニングデバイス１１上での調節システムによって供給されるガスの外部のガスの混合がより少なくなることを意味する。これは更なる制御をもたらす、というのも、パターニングデバイス１１の温度のより効率的な制御を提供することができる、パターニングデバイス１１の平面１２上で使用される第１のガス流２５及び第２のガス流３５以外のガスを、低減又は防止するからである。

【0055】

[0063] 或いは、調節システムは、第１のガスアウトレット２０及び／又は第２のガスアウトレット３０のうちの一方又は他方を非同期で使用するように構成されることがある。換言すると、制御システム１４は、ガスが第１のガスアウトレット２０又は第２のガスアウトレット３０から互いに異なる時間に供給されるように、即ち、第１のガス流２５又は第２のガス流３５のみが一度にパターニングデバイス１１上を通過するように、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０を出てゆくガスを制御することがある。このレベルの制御を提供することにより、上述したように不均一性を低減することができる、というのも、パターニング装置１０は、パターニングデバイス１１上のガス流を、必要に応じて第１のガスアウトレット２０から、又は第２のガスアウトレット３０から、又は両方から出すように変更することができるからである。

【0056】

[0064] 第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０の形状は、互いに同じであることがある。或いは、第１のガスアウトレット２０の形状は、第２のガスアウトレット３０とは異なっていることがある。第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０の各々の形状は、そのアウトレットからの所望される流れのタイプに応じて選択することができる。これは、ｚ方向におけるアウトレットの位置、即ち平面１２からの垂直距離に依存することがある。第１のガスアウトレット２０及び／又は第２のガスアウトレット３０の開口部の形状は、個別に最適化することができる。更に、第１のガスアウトレット２０及び／又は第２のガスアウトレット３０は、可変成形開口部を有することがある。これらのアウトレットの各々の断面積（即ち、開口部）は、それぞれの開口部を出てゆくガス流の特性を変更するように可変であることがある。制御システム１４は、第１のガスアウトレット２０及び／又は第２のガスアウトレット３０の断面積を制御して、第１のガス流２５の運動量及び／又は第２のガス流３５の運動量をそれぞれ変更するように構成されることがある。

【0057】

[0065] 第１のガス流２５及び第２のガス流３５はそれぞれ、図では個々の矢印として示されているが、第１のガス流２５及び第２のガス流３５の幅は、各ガスアウトレット、例えば、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０のそれぞれによって決定される。このことは、任意の追加のガスアウトレットから供給される任意の追加のガス流にも当てはまる。第１のガス流２５及び／又は第２のガス流３５がパターニングデバイス１１を横切って進む際のガス流の幅は、ガス流が第１のガスアウトレット２０及び／又は第２のガスアウトレット３０をそれぞれ出てゆく際と実質的に同じ幅であることがある。

【0058】

[0066] 第１のガス流２５は、第１のガスアウトレット２０と実質的に同じ幅を有することがある。例えば、図３に示したようなパターニング装置１０では、第１のガスアウトレット２０を出てゆく第１のガス流２５は、第１のガスアウトレット２０と実質的に同じ幅を有することがある。従って、第１のガス流２５は、図３に示すように、パターニングデバイス１１の幅と実質的に同じ幅を有することがある。同様に、第２のガス流３５は、第２のガスアウトレット３０と実質的に同じ幅を有することがある。例えば、図３に示すパターニング装置１０では、第２のガスアウトレット３０を出てゆく第２のガス流３５は、第２のガスアウトレット３０と実質的に同じ幅を有することがある。従って、第２のガス流３５は、図３に示すように、パターニングデバイス１１の幅と実質的に同じ幅を有することがある。

【0059】

[0067] 上記の実施形態のいずれにおいても、パターニング装置１０は、図４に示すようなガス抽出器１６を更に備えることがある。ガス抽出器１６は、パターニングデバイス１１の上方でガスを抽出する、即ち、第１のガス流２５及び／又は第２のガス流３５を抽出するように構成される。ガス抽出器１６は、実施形態のいずれにも任意選択的に含めることができる。ガス抽出器１６は、パターニングデバイス１１の平面１２を横切って進む第１のガス流２５及び第２のガス流３５を受け取るように配置され構成される。ガス抽出器１６は、平面図として見たとき、例えば、上から見た場合に、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０とはパターニングデバイス１１の実質的に反対側に配置されることがある。これは、例えば図４に側面図で示されている。ガス抽出器１６は、平面図として見た場合に、第１のガス流２５及び第２のガス流３５が、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０からパターニングデバイス１１の反対側に到達したときに、即ち、第１のガス流２５及び第２のガス流３５が、側面図を示している図４の右側から図４の左側まで移動したときに、ガスを抽出することができる。実施形態によっては、ガス抽出器１６でのガスの抽出は、能動的又は受動的であり得る。ガス抽出器１６は、任意の数のガスインレット開口部を備えることができ、ガスを引き込むための低圧システムを備えることがある。

【0060】

[0068] 一実施形態では、第１のガスアウトレット２０及び／又は第２のガスアウトレット３０を出てゆくガスの速度は、約１０ｍ／ｓ〜８０ｍ／ｓの間、又は望ましくは約２０ｍ／ｓ〜６０ｍ／ｓの間に制御される。一実施形態では、第１のガスアウトレット２０及び／又は第２のガスアウトレット３０を出てゆくガスの速度は、約８０ｍ／ｓ以下、望ましくは約６０ｍ／ｓ以下に制御される。一実施形態では、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０を出てゆくガスの速度は、約１０ｍ／ｓ以上、望ましくは約２０ｍ／ｓ以上に制御される。

【0061】

[0069]一実施形態では、第１のガスアウトレット３０及び／又は第２のガスアウトレット３０を出てゆくガスの温度は、約１９℃〜２３℃の間、望ましくは約２０．５℃〜２２．５℃の間、又は望ましくは約２１℃〜約２２℃の間に制御される。一実施形態では、第１のガスアウトレット２０及び／又は第２のガスアウトレット３０を出てゆくガスの温度は、約２３℃以下、望ましくは約２２．５℃以下、又は望ましくは約２２℃以下に制御される。一実施形態では、第１のガスアウトレット２０及び／又は第２のガスアウトレット３０を出てゆくガスの温度は、約１９℃以上、望ましくは約２０．５℃以上、又は望ましくは約２１℃以上に制御される。

【0062】

[0070] 一実施形態では、ガスは、ガス源から第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０に供給されることがある。ガス源（図示せず）は、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０に対して同じであることがある。或いは、ガスは、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０に異なるガス源からガスを供給することができるガス供給システム（図示せず）から供給されることがある。いずれにせよ、制御システム１４は、第１のガスアウトレット２０を出てゆくガス及び第２のガスアウトレット３０を出てゆくガスを制御して、上述したように少なくともガスの運動量、並びに任意選択的に温度、及び任意選択的にガスの任意の他のパラメータを制御するように構成される。調節システムは、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０を出てゆくガスの温度を制御するために、実施形態のいずれかにおいてヒータ（図示せず）を任意選択的に備えることがある。

【0063】

[0071] 上記の実施形態のいずれにおいても、第１のガスアウトレット２０を出てゆくガスは、第１の角度で第１の平均速度を有することがあり、第２のガスアウトレット３０を出てゆくガスは、第２の角度で第２の平均速度を有することがある。第１の角度及び第２の角度は、パターニングデバイス１１の平面１２に対して決定されることがある。換言すると、第１のガス流２５及び／又は第２のガス流３０は、平面１２に対して傾いていることがある。ガスの平均速度は、平均速度及び平均方向を有するように決定される。角度は、平面１２に対する平均方向によって決定される。第１のガス流２５の平均速度の角度は、第１の角度θ_１であり得る。第２のガス流３５の角度は、第２の角度θ_２であり得る。第１の角度θ_１、及び第２の角度θ_２は、同じであってもよい。実施形態によっては、第１のガスアウトレット２０からの第１のガス流２５及び／又は第２のガスアウトレット３０からの第２のガス流３５は、図２に示すように、パターニングデバイス１１の平面１２と実質的に平行に進む、即ち、θ_１＝θ_２＝０である。第１の角度θ_１及び第２の角度θ_２は、制御システム１４によって独立して制御されることがある。

【0064】

[0072] 例示的な実施形態を、図５に示す。ガス流がパターニングデバイス１１の平面１２の表面に対して平行になるように、いずれのガス流についても角度はゼロであり得る。図５では、第１の角度θ_１は０である（従って、ラベル付けされていない）。しかしながら、第２のガス流３５の方向（第２のガス流３５の平均速度の方向を示す）は、パターニングデバイス１１の平面１２に対して第２の角度θ_２であるものとして示されている。従って、第１の角度θ_１は、第２の角度θ_２とは異なっていることがある。

【0065】

[0073] これは、特に有益であることがある、というのも、異なる開口部がそれぞれのガス流を異なる下流位置に向けることができるからである。例えば、図４に示すように、第１のガス開口部２０からの第１のガス流２５は、パターニングデバイス１１の平面１２に実質的に平行な方向に進むことができる。しかしながら、第２のガスアウトレット３０からの第２のガス流３５は、方向の下方成分を有する。従って、第２のガス流３５は、平面１２の下流の位置に向けられる。

【0066】

[0074] 一実施形態では、第１の角度θ_１は、上述したように第２の角度θ_２とは異なる。一実施形態では、第１の角度θ_１及び第２の角度θ_２は、変化することができる。ガスアウトレットは、図５ではサポート構造１３と一体であるように描かれているが、ガスアウトレットは、代わりにサポート構造１３に取り付けられるか、又はサポート構造１３によって保持されることがあり、サポート構造１３に対して可動であることがある。例えば、アクチュエータを設けて、第１の角度θ_１及び／又は第２の角度θ_２を制御することができるように、第１のガス開口部２０及び／又は第２のガス開口部３０の角度を変化させることがある。このようにして、第１の角度θ_１及び／又は第２の角度θ_２は、変化することがある。第１の角度θ_１及び第２の角度θ_２は、独立して又は互いに制御されることがある。第１の角度θ_１及び／又は第２の角度θ_２は、連続的に変化する角度でガスを供給するように、振動することがある。例えば、第１の角度θ_１及び／又は第２の角度θ_２は、最小角度と最大角度との間で振動することがある。最小角度及び最大角度は、平面１２からのそれぞれのアウトレットの距離、即ち、ｚ方向の高さに依存することがある。例えば、第１の角度θ_１及び／又は第２の角度θ_２は、任意の適切な値を使用することができるが、約２０°〜７０°の間で振動することがある。

【0067】

[0075] 一実施形態では、制御システム１４は、第１の角度θ_１に加えて、第１のガス流２５の第１の運動量を変化させることがある。追加的に又は代替的に、制御システム１４は、第２の角度θ_２に加えて、第２のガス流３５の第２の運動量を変化させることがある。例えば、ガス流を更に下流に向けるために角度が増加される場合、運動量が増加されることがある。

【0068】

[0076] 更なる例示的な実施形態が、図６Ａ、６Ｂ、及び６Ｃに示されている。これらの図は、第３のガスアウトレット５０を有する実施形態を示している。第３のガスアウトレット５０は、第３のガス流５５を供給するように構成される。第３のガスアウトレットは、以下に説明する差異を除いて、第１のガスアウトレット２０及び／又は第２のガスアウトレット３０のいずれかと同じであることがある。同様に、第３のガス流５５は、以下に説明する点を除いて、第１のガス流２５又は第２のガス流３５のいずれかと同じであることがある。この実施形態に示すように、第１のガス流２５は、第１の角度θ_１で供給される。第２のガス流３５は、第２の角度θ_２で供給される。第３のガス流５５は、第３の角度θ_３で供給される。これらの角度は、パターニングデバイス１１の平面１２に対して決定される。３つのガスアウトレットを使用してより明確に示されるように、ガス流は、ガスアウトレットの各々から同じ平面１２に供給される。しかしながら、第１のアウトレット２０、第２のアウトレット３０、及び第３のアウトレット５０の各々からの平面１２上へのガス流は、平面１２上のガスに、異なる態様で影響を与えることがある。

【0069】

[0077] 例えば、第１のガス流２５は、パターニングデバイスの平面１２と実質的に平行に進む、即ち、θ_１＝０であることがある。しかしながら、第２の角度θ_２で供給される第２のガス流３５は、第１のガスアウトレット２０から平面１２からより遠い距離で供給される。従って、第２のガス流３５は、第１のガス流２５よりも、第２の開口部３０から更に下流の平面１２に到達することができる。これは、第３のガスアウトレット５０から供給される第３のガス流５５によって、更に示される。第３のガスアウトレットは、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０とは異なる平面１２に垂直な距離に配置される。従って、第３のガス流５５は、パターニングデバイス１１の平面１２の、第１のガス流２５及び第２のガス流３５とは異なる下流地点に到達することができる。第１の角度θ_１、第２の角度θ_２、及び／又は第３の角度θ_３のいずれかが互いに同じであってもよく、又は、これらの角度は全て互いに異なっていてもよく、又は、それらの任意の組み合わせ（例えば、２つが同じで１つが異なっている）でもよいことを理解されたい。

【0070】

[0078] ガス流を、平面１２から異なる垂直距離で、任意選択的に平面１２に対して１つ又は複数の異なる角度で供給することは、これらの流れが、平面１２上の流れに異なる影響を及ぼすことを意味する。このようにして、図５に示すような第１のアウトレット２０及び第２のアウトレット３０からの、又は更には第１のアウトレット２０、第２のアウトレット３０、及び第３のアウトレット５０からの異なるガス流を使用して、平面１２上に形成される下流の境界層を変化させることができる。異なるガス流を使用して、平面１２上の流れを混合し、従って、境界層を低減し、平面１２上の流れが加熱されるのを低減することができる。ガス流を独立して制御することができるので、例えば図６Ａ、６Ｂ、及び６Ｃのいずれにも示すように、一度に１つのガス流を供給するか、又は独立して制御される運動量を有する複数のガス流を供給することが可能である。パターニングデバイス１１のより均一な冷却をもたらすために、様々なガス流を制御して、開口部の下流の異なる距離においてそれらのガス流をパターニングデバイス１１の平面１２に隣接するガスと相互作用させることがある。

【0071】

[0079] 同様に、図６Ａ、６Ｂ、及び６Ｃ中の第１の角度θ_１、第２の角度θ_２、及び／又は第３の角度θ_３は、上記で第１の角度θ_１及び第２の角度θ_２について述べたように、変化することがある。

【0072】

[0080] 上記の説明は第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０に言及しているが、任意の数の適切なガスアウトレットを使用することができる。調節システムは、更なるガスアウトレットを含んで、パターニングデバイス１１上に更なるガス流を供給することがある。従って、調節システムは、他のガスアウトレットとは別個に、即ち独立して制御される任意の数の追加のガスアウトレットを含むことがある。追加のガスアウトレットは、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０に関連して上述したのと同じ特徴を有することがある。これらの追加のガスアウトレットは、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０と平面図でパターニングデバイス１１の同じ側上にあることがある。例えば、第３のガスアウトレット５０が、図６Ａ、６Ｂ、及び６Ｃに関連して説明したように設けられることがあるが、更なる追加のガスアウトレットも設けられ得る。

【0073】

[0081] 一実施形態では、調節システムは、図７に示すように更なるガスアウトレット４０を備える。更なるガスアウトレット４０は、パターニングデバイス１１上に更なるガス流４５を供給するように構成される。更なるガスアウトレット４０は、以下に説明する点を除いて、上述したような第１のガスアウトレット２０、第２のガスアウトレット３０、及び／又は第３のガスアウトレット５０と類似していることがある。更なるガス流４５は、独立して制御され得る。図２から図５に示す上記の実施形態では、平面図において、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０は、パターニングデバイス１１の同じ側に設けられることがある。換言すると、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０は、平面図でパターニングデバイス１１の同じ側から第１のガス流２５及び第２のガス流３５をそれぞれ供給するように配置されることがある。この平面図は、図３に示されている。一実施形態では、更なるガスアウトレット４０は、平面図でパターニングデバイス１１の別の側に、例えば、パターニングデバイス１１の反対側に配置される。従って、更なるガスアウトレット４０は、パターニングデバイス１１の同じ平面１２に更なるガス流４５を供給する。しかしながら、例えば、更なるガスアウトレット４０は、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０とは異なるパターニングデバイス１１の縁部に沿って配置される。

【0074】

[0082] 更なるガスアウトレット４０は、パターニングデバイス１１の平面１２上に、更なる別個に制御されたガス流４５を供給する。この実施形態では、制御システム１４は、更なるガスアウトレット４０を出てゆくガスの少なくとも１つのパラメータを独立して制御するように更に構成される。換言すると、制御システム１４は、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０のいずれかを出てゆくガスを制御するのとは別に、更なるガスアウトレット４０を出てゆくガスの少なくとも１つのパラメータを制御するように構成される。制御システム１４は、更なるガスアウトレット４０を出てゆくガスの運動量を制御するように構成されることがある。制御システム１４は、更なるガスアウトレット４０を出てゆくガスの運動量が、第１のガスアウトレット２０及び／又は第２のガスアウトレット３０を出てゆくガスの運動量と実質的に同じになるように、更なるガスアウトレット４０を出てゆくガスの運動量を制御することがある。制御システム１４は、パターニングデバイス１１上でのガスの速度が、パターニング装置１０の両側から実質的に均一になるように、第１のガスアウトレット２０、第２のガスアウトレット３０、及び更なるガスアウトレット４０を出てゆくガスの運動量を制御するように構成されることがある。一実施形態では、コントローラ１４は、更なるガス流４５の異なるパラメータ、例えば、温度及び／又はガス湿度を代替的に又は追加的に制御することがある。

【0075】

[0083] 別個に制御される、パターニングデバイス１１の反対側からの又は反対側へのガス流を供給することは有益である、というのも、これにより、パターニングデバイス１１の温度の更なる制御がもたらされるからである。更なるガスアウトレット４０は、パターニングデバイス１１の冷却を高めることができる追加のガス流を供給することができる。パターニングデバイス１１の反対側（即ち、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０から下流側）では、ガスは加熱され、パターニングデバイス１１の温度に及ぼす影響はより少ないことがある。従って、例えば、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０の反対側に配置される更なるガスアウトレット４０を設けることは、第１のガス流２５及び第２のガス流３５によって効果的に冷却することができないパターニングデバイス１１の平面１２の領域にガスを供給することを意味する。

【0076】

[0084] 更に、（平面図で）パターニングデバイス１１の反対側から更なるガス流４５を供給すると、パターニングデバイス１１の平面１２上によどみ領域が発生することがある。よどみ領域は、ガス流が合流する領域であり、異なるガス流の相互作用に起因してガスの速度が低下する、場合によってはゼロになる領域であることがある。よどみ領域は、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０の反対側に更なるガスアウトレット４０を設ける有効性を低減することがある。しかしながら、更なるガスアウトレット４０を出てゆくガスの運動量を独立して制御することは、運動量を変更できる（又は、第１のガス流２５及び／又は第２のガス流３５の運動量が変化しても、同じままであり得る）ことを意味する。第１のガス流２５、第２のガス流３５、及び／又は第３のガス流４５のいずれかの、互いに対する変化は、よどみ領域の位置を移動させることがある。これは、よどみ領域を、パターニングデバイス１１の平面１２上の異なる位置に移動させて、パターニングデバイス１１の温度をより良く制御し得ることを意味する。

【0077】

[0085] 更なるガスアウトレット５０は、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０のみを有する図７及び図８に示されているが、上述した第３のガスアウトレット５０が、第１のガスアウトレット２０及び第２のガスアウトレット３０と平面図で同じ側に設けられてもよい。更に、追加のガスアウトレットが、更なるガスアウトレット４０と平面図で同じ側に設けられてもよい。追加のガスアウトレットは、更なるガスアウトレット４０とは異なる平面１２からの垂直距離に設けられることがある。

【0078】

[0086] 上記の実施形態のいずれにおいても、制御システム１４は、第１のガスアウトレット２０及び／又は第２のガスアウトレット３０、及び／又は、適切な場合には第３のガスアウトレット５０及び／又は更なるガスアウトレット４０の各々を出てゆくガスの温度を、特定の又は所定の温度に制御するように構成されることがある。温度は、予測された下流温度プロファイルに基づくことがある。一実施形態では、温度は、第１のガスアウトレット２０、及び／又は第２のガスアウトレット３０、及び／又は、適切な場合には第３のガスアウトレット５０及び／又は更なるガスアウトレット４０に対して決定された最適値に設定されることがある。温度は、パターニングデバイス１１に入射する放射ビーム１５に応じて、例えば、パターニングデバイス１１を横切る放射ビーム１５の強度に応じて、設定されることがある。

【0079】

[0087] 上記の実施形態のいずれにおいても、ガスアウトレットのうちの少なくとも１つを出てゆくガスの温度を、動的に制御することができる。例えば、パターニング装置１０は、少なくとも１つのセンサ、例えば、図７及び図８に示すようなセンサ１８を含むセンサシステムを備えることがある。センサ１８は、図７及び図８に示す実施形態に任意選択的に設けられることがあり、かつ／又は、図２〜図６Ｃに示したような任意の他の実施形態に任意選択的に設けられることがある。センサ１８は、パターニング装置１０の特性を決定するために使用されることがある。例えば、センサ１８を使用して、センサ１８を取り囲むガスの温度を測定することができる。センサ１８によって行われた測定結果は、制御システム１４に送信されることがある。制御システム１４は、センサ１４からの測定値を使用して、例えば、第１のガスアウトレット２０、及び／又は第２のガスアウトレット３０、及び／又は適切である場合には第３のガスアウトレット５０及び／又は更なるガスアウトレット４０から選択される１つ又は複数を出てゆくガスの温度を必要に応じて調節することにより、これらのガスアウトレットのうちの少なくとも１つを出てゆくガスを動的に制御するように構成されることがある。

【0080】

[0088] 上記の実施形態は、放射ビーム１５が入射するパターニングデバイス１１の平面１２に関して図示され説明された。この平面１２は、上部表面として説明され得るが、パターニング装置１０の向きは、平面１２がもはや最上部にはないように変更することができる。第１のガスアウトレット２０、第２のガスアウトレット３０、第３のガスアウトレット５０、及び／又は更なるガスアウトレット４０は、平面１２の上方にあることがある。しかしながら、調節システムは、異なる表面、例えば、側面図にてパターニングデバイス１１の他方の側に適用されることがある。この他の表面は、実際にはパターニングデバイス１４の底面であり得る。或いは、パターニング装置１０の１つの側面に放射ビーム１５が供給される場合であっても、上記の実施形態のいずれかで説明したようなガスアウトレットが、側面図でパターニング装置１０の他の側面の表面上に設けられ制御されることがある。例えば、放射ビーム１５が上面に入射した場合、ガスアウトレットは底面上にガス流を供給することがある。

【0081】

[0089] 実施形態によっては、図１Ａ及び図１Ｂを参照して上記で説明したようなリソグラフィ装置１００又は１００’において、パターニング装置１０を使用することができる。例えば、パターニング装置１０は、上記の図１Ａ及び図１Ｂで考察した放射ビームＢを調節するように構成されたイルミネータＩＬを含むリソグラフィ装置１００又は１００’と共に使用することができる。

【0082】

[0090] 一実施形態では、デバイス製造方法が提供される。この方法は、パターニングデバイスを介してビームを投影することと、なお、このビームはパターニングデバイスによってパターン付けされ、また、第１のガスアウトレットからの使用時のパターニングデバイスの平面上の第１のガス流、及び／又は第２のガスアウトレットからの使用時のパターニングデバイスの平面上の第２のガス流を独立して変動させることと、なお、第１のガスアウトレット及び第２のガスアウトレットは、パターニングデバイスの平面に垂直な異なる距離にあり、また、ビームを基板上に向けることとを含む。この方法は、上記の実施形態のいずれかに記載したようなパターニング装置１０を使用することがある。

【0083】

[0091] 本明細書の語句又は用語は、説明の目的のためのものであり、限定するものではなく、本明細書の用語又は語句は、関連技術分野の当業者によって、本明細書の教示に照らし合わせて解釈されるべきものであることを、理解されたい。

【0084】

[0092] 本明細書で使用する「基板」という用語は、一般的に、その上に後続の材料層が追加される材料を表す。実施形態では、基板自体がパターン付けされることがあり、基板の上部に追加された材料もパターン付けされることがあるか、又はパターン付けされないままであることがある。

【0085】

[0093] 本明細書で説明した実施形態では、状況が許す場合、「レンズ」という用語は、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、及び静電気型の光学コンポーネントを含む、様々なタイプの光学コンポーネントのうちのいずれか１つ又は組み合わせを指すことがある。

【0086】

[0094] 更に、本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７又は１２６ｎｍの波長λを有する）、極端紫外線（ＥＵＶ又は軟Ｘ線）放射（例えば、１３．５ｎｍなど５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、又は５ｎｍ未満で動作する硬Ｘ線、並びにイオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームを含む、全ての種類の電磁放射を包含する。一般的に、約７８０〜３０００ｎｍ（又はそれ以上）の間の波長を有する放射は、赤外放射とみなされる。ＵＶは、約１００〜４００ｎｍの波長を有する放射を指す。リソグラフィの中では、「ＵＶ」という用語は、水銀放電ランプによって生成することができる波長、即ち、Ｇ線４３６ｎｍ、Ｈ線４０５ｎｍ、及び／又はＩ線３６５ｎｍ、にも当てはまる。真空ＵＶ、又はＶＵＶ（即ち、ガスによって吸収されるＵＶ）は、約１００〜２００ｎｍの波長を有する放射を指す。深紫外線（ＤＵＶ）は、一般的に、１２６ｎｍから４２８ｎｍまでの範囲の波長を有する放射を指し、一実施形態では、エキシマレーザは、リソグラフィ装置内部で使用されるＤＵＶ放射を生成することができる。例えば、５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する放射は、少なくともその一部が５〜２０ｎｍの範囲内にある特定の波長帯域を有する放射に関係することを理解されたい。

【0087】

[0095] 本明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及されていることがあるが、本明細書で説明するパターニング装置及びリソグラフィ装置は、磁区メモリ、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、及び薄膜磁気ヘッドのためのガイダンス及び検出パターン、集積光学システムの製造などの、他の用途を有することがあることを理解されたい。当業者であれば、そのような代替の用途の文脈において、本明細書での「ウェーハ」又は「ダイ」という用語の使用は、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」というより一般的な用語の同義としてみなすことができることを、理解するであろう。本明細書で言及される基板は、露光の前又は後で、例えば、トラック（通常、レジストの層を基板に塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、計測ツール及び／又は検査ツールで処理することができる。適用可能である場合、本明細書の開示は、そのような他の基板処理ツールに適用することができる。更に、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために２度以上処理されることがあり、その結果、本明細書で使用する基板という用語は、１つ又は複数の処理済層を既に包含している基板を指すこともできる。

【0088】

[0096] 光リソグラフィに関連して実施形態の使用について上記で具体的に言及してきたが、本実施形態は他の用途、例えばインプリントリソグラフィにおいても使用することができ、状況が許せば、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが、基板上に生成されるパターンを規定する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジストの層にプレスされることがあり、基板上では、電磁放射、熱、圧力、又はそれらの組み合わせを印加することにより、レジストが硬化される。パターニングデバイスはレジストから外部に移動され、レジストが硬化された後でレジストにパターンを残す。

【0089】

[0097] 記載される実施形態、及び「一例」、「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的な実施形態」、「幾つかの実施形態」等への明細書中での言及は、説明される実施形態が、特定の特徴、構造、又は特性を含み得ることを示すが、必ずしも全ての実施形態が、その特定の特徴、構造、又は特性を含んでいなくてもよい。更に、そのような語句は、必ずしも同一の実施形態を指していない。更に、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性が説明される場合、明示的に説明されていようといまいと、そのような特徴、構造、又は特性を他の実施形態に関連してもたらすことは、当業者の知識の範囲内であると理解される。

【0090】

[0098] 特定の実施形態についての前述の説明は、本発明の一般的性質を完全に明らかにしているので、当分野の技術の範疇の知識を応用することによって、他者が、本発明の一般的な概念から逸脱することなく、不適当な実験を行うことなしに、そのような特定の実施形態を容易に修正するかつ／又は様々な用途へ適合させることができる。従って、そのような適合及び修正は、本明細書で提示された教示及び指導に基づいて、開示された実施形態の均等物の効力及び範囲の内部にあることが意図されている。本明細書の語句又は用語は、説明の目的のためのものであり、限定するものではなく、本明細書の用語又は語句は、教示及び指導に照らし合わせて、当業者によって解釈されるべきものであることを、理解されたい。

【0091】

[0099] 具体的な実施形態について上記で説明したが、これらの実施形態は、説明したものとは別の態様で実施されることがあることを、理解されたい。説明は、例示的であることを意図しており、本発明を限定することは意図していない。従って、以下に記載する特許請求の範囲から逸脱することなく、説明したような本発明に修正を加え得ることが、当業者には明らかであろう。

【0092】

[00100] 「発明の概要」及び「要約」の章は、発明者らによって企図された例示的な実施形態の、全てではないが１つ又は複数を記載していることがあり、従って、特許請求される本発明を限定することを意図してはいない。

【0093】

[00101] 開示される実施形態は、本発明を単に例示するに過ぎない。本発明の広さ及び範囲は、上述した例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、以降の請求項及びそれらの均等物に従ってのみ、規定されるべきである。

【図1A】

【図1B】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図7】

【図8】