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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023152932
(43)【公開日】2023-10-17
(54)【発明の名称】磁気記録媒体用磁性粉およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
G11B 5/706 20060101AFI20231005BHJP
G11B 5/68 20060101ALI20231005BHJP
G11B 5/78 20060101ALI20231005BHJP
G11B 5/84 20060101ALI20231005BHJP
【ＦＩ】
G11B5/706
G11B5/68
G11B5/78
G11B5/84 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023052821
(22)【出願日】2023-03-29
(31)【優先権主張番号】P 2022054709
(32)【優先日】2022-03-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】506334182
【氏名又は名称】ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】306037311
【氏名又は名称】富士フイルム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100129470
【弁理士】
【氏名又は名称】小松 高
(72)【発明者】
【氏名】小野寺 暁史
(72)【発明者】
【氏名】宮本 靖人
(72)【発明者】
【氏名】越湖 将貴
(72)【発明者】
【氏名】多田 稔生
(72)【発明者】
【氏名】藤本 貴士
【テーマコード（参考）】
5D112
【Ｆターム（参考）】
5D112AA05
5D112AA22
5D112BB04
5D112GB03
(57)【要約】
【課題】微細な粒子からなる六方晶フェライト磁性粉において、磁気記録媒体の垂直方向角形比ＳＱを向上させる効果の大きいものを提供する。
【解決手段】六方晶バリウムフェライトのＢａの一部をＳｒで置換した磁性粒子からなり、Ｄｘ体積（ｎｍ３）＝Ｄｘｃ×π×（Ｄｘａ／２）２で表されるＤｘ体積が２２００ｎｍ３以下であり、Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比が０.０１～０.１５である磁気記録媒体用磁性粉。Ｋｕ≧０.１×［Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比］＋０.１３を満たすものがより好ましい。
ここで、Ｄｘｃは六方晶フェライト結晶格子のｃ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、Ｄｘａは同結晶格子のａ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、πは円周率、Ｋｕは結晶磁気異方性定数（ＭＪ／ｍ３）である。
【選択図】図１
【解決手段】六方晶バリウムフェライトのＢａの一部をＳｒで置換した磁性粒子からなり、Ｄｘ体積（ｎｍ３）＝Ｄｘｃ×π×（Ｄｘａ／２）２で表されるＤｘ体積が２２００ｎｍ３以下であり、Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比が０.０１～０.１５である磁気記録媒体用磁性粉。Ｋｕ≧０.１×［Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比］＋０.１３を満たすものがより好ましい。
ここで、Ｄｘｃは六方晶フェライト結晶格子のｃ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、Ｄｘａは同結晶格子のａ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、πは円周率、Ｋｕは結晶磁気異方性定数（ＭＪ／ｍ３）である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
六方晶バリウムフェライトのＢａの一部をＳｒで置換した磁性粒子からなり、下記（１）式で表されるＤｘ体積が２２００ｎｍ３以下であり、Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比が０.０１～０.１５である磁気記録媒体用磁性粉。
Ｄｘ体積（ｎｍ３）＝Ｄｘｃ×π×（Ｄｘａ／２）２ …（１）
ここで、Ｄｘｃは六方晶フェライト結晶格子のｃ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、Ｄｘａは同結晶格子のａ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、πは円周率である。
Ｄｘ体積（ｎｍ３）＝Ｄｘｃ×π×（Ｄｘａ／２）２ …（１）
ここで、Ｄｘｃは六方晶フェライト結晶格子のｃ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、Ｄｘａは同結晶格子のａ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、πは円周率である。
【請求項2】
六方晶バリウムフェライトのＢａの一部をＳｒで置換した磁性粒子からなり、下記（１）式で表されるＤｘ体積が２２００ｎｍ３以下であり、Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比が０.０１～０.３０であり、結晶磁気異方性定数Ｋｕ（ＭＪ／ｍ３）とＳｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比の関係が下記（２）式を満たす磁気記録媒体用磁性粉。
Ｄｘ体積（ｎｍ３）＝Ｄｘｃ×π×（Ｄｘａ／２）２ …（１）
ここで、Ｄｘｃは六方晶フェライト結晶格子のｃ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、Ｄｘａは同結晶格子のａ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、πは円周率である。
Ｋｕ≧０.１×［Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比］＋０.１３ …（２）
Ｄｘ体積（ｎｍ３）＝Ｄｘｃ×π×（Ｄｘａ／２）２ …（１）
ここで、Ｄｘｃは六方晶フェライト結晶格子のｃ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、Ｄｘａは同結晶格子のａ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、πは円周率である。
Ｋｕ≧０.１×［Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比］＋０.１３ …（２）
【請求項3】
Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比が０.０１～０.１５である、請求項２に記載の磁気記録媒体用磁性粉。
【請求項4】
Ｂｉ／Ｆｅモル比が０.００５～０.０５の範囲でＢｉを含有する、請求項１または２に記載の磁気記録媒体用磁性粉。
【請求項5】
六方晶バリウムフェライトの構成元素としてＳｒを含む非晶質体を、６００～６７０℃の温度範囲に加熱することにより結晶化させる工程を含む、請求項１に記載の磁気記録媒体用磁性粉の製造方法。
【請求項6】
六方晶バリウムフェライトの構成元素としてＳｒを含む非晶質体を、５００～５７０℃の温度に１０時間以上保持することにより中間体を得る工程と、
前記中間体を６００～６７０℃の温度範囲に加熱することにより結晶化させる工程と、
を含む、請求項２に記載の磁気記録媒体用磁性粉の製造方法。
前記中間体を６００～６７０℃の温度範囲に加熱することにより結晶化させる工程と、
を含む、請求項２に記載の磁気記録媒体用磁性粉の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁気記録媒体の高密度記録に適したマグネトプランバイト型（Ｍ型）六方晶バリウムフェライト磁性粉およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
磁気記録媒体の高密度記録に適した磁性粉としてＭ型六方晶フェライト磁性粉が知られている。Ｍ型六方晶フェライトは化学式ＡＯ・６Ｆｅ２Ｏ３を基本構造とするものである。上記化学式中のＡ元素はＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、Ｃａなどである。磁気記録媒体用のＭ型六方晶フェライトには、Ａ元素の大部分がＢａで構成されるバリウムフェライトや、Ａ元素の大部分がＳｒで構成されるストロンチウムフェライトを適用するのが一般的である。Ｆｅサイトの一部は要求特性に応じてＣｏ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｎｂ、Ｖ等の金属元素で置換されることがある。
【0003】
特許文献１には、Ｆｅサイトの一部を所定量のＴｉ、Ｚｎ、Ｃｏで置換した組成の六方晶バリウムフェライト磁性粉が記載されている。これにより抗磁力（保磁力）の温度安定性が向上するという。上記Ａ元素にはＢａとＳｒを複合して使用してもよいとされ、実施例７にはＳｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比が０.０８であるＳｒ含有六方晶バリウムフェライト磁性粉が示されている。
【0004】
一方、六方晶ストロンチウムフェライトは結晶磁気異方性定数Ｋｕが高く、磁化の熱的安定性を高める上で有利であることが知られている。
特許文献２、３には、Ｂａを含有させることにより微粒子化を図った六方晶ストロンチウムフェライト磁性粉が記載されている。上記Ａ元素の大部分はＳｒであり、特許文献２、３に開示される磁性粉のＳｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比は約０.５～０.９５である。
特許文献２、３には、Ｂａを含有させることにより微粒子化を図った六方晶ストロンチウムフェライト磁性粉が記載されている。上記Ａ元素の大部分はＳｒであり、特許文献２、３に開示される磁性粉のＳｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比は約０.５～０.９５である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開昭６３－２３４４０９号公報
【特許文献2】特開２０１５－１２７９８４号公報
【特許文献3】特開２０１５－１２７９８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
磁気記録媒体の性能向上には、記録密度とＳＮＲ（Ｓ／Ｎ比）の両方を向上させることが重要である。記録密度向上の観点からは、磁性粒子の微細化（具体的にはＤｘ体積の微小化）が有利となる。一方、磁気記録媒体のＳＮＲ（Ｓ／Ｎ比）は、媒体特性としての垂直方向角形比ＳＱに大きく依存することが確かめられている。ＳＮＲの向上には垂直方向角形比ＳＱの向上が有効となる。垂直方向角形比ＳＱは磁性層に対し垂直方向に磁場を印加した場合の磁化曲線における角形比である。
【0007】
特許文献２、３に開示されるような六方晶ストロンチウムフェライトでは、結晶格子のａ軸方向の結晶子径Ｄｘａとｃ軸方向の結晶子径Ｄｘｃの比（Ｄｘａ／Ｄｘｃ）で表される板状比が小さくなりやすく、ｃ軸が磁性層に対してできるだけ垂直方向に揃う特性（配向性）に劣ることから、特に薄い磁性層を持つ磁気記録媒体で高い再生出力を発揮させることを意図した場合には不利となる。一方、六方晶バリウムフェライトは板状比の大きい磁性粒子を得やすいという点では有利である。しかし、六方晶バリウムフェライトは六方晶ストロンチウムフェライトに比べて結晶磁気異方性定数Ｋｕが小さく、微粒子化すると超常磁性に近づくため、垂直方向角型比ＳＱが低下してしまう。磁気記録媒体の垂直方向角形比ＳＱを向上させる効果に優れる六方晶バリウムフェライト微粒子磁性粉を実現するための手法は、確立されていない。特許文献１にはＳｒ含有六方晶バリウムフェライト磁性粉が例示されているが（実施例７）、非晶質体を経由せずに原料混合物質を直接焼成する製法で合成されているため、粒子径が大きくなり（表２の実施例７は０.１７μｍと記載されている。）、昨今の高密度記録用途には対応できない。また特許文献１には、磁気記録媒体の垂直方向角形比ＳＱを向上させることに関し、示唆はない。
【0008】
本発明は、微細な粒子からなる六方晶フェライト磁性粉において、磁気記録媒体の垂直方向角形比ＳＱを向上させる効果の大きいものを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
発明者らは研究の結果、上記Ａ元素として少量のＳｒを含有させた特定組成範囲の六方晶バリウムフェライト磁性粉において、磁気記録媒体の垂直方向角形比ＳＱを向上させる効果が生じることを発見した。すなわち、Ｓｒの含有量が増えすぎると六方晶粒子の板状比が小さくなり、磁気記録媒体における磁性粒子の配向性が悪くなって磁気記録媒体の垂直方向角形比ＳＱが低下するようになる。また、原料物質の融体を急冷して得た非晶質体に予備的な熱処理を加え、その後、焼成を行って結晶化させるというプロセスを適用することによって、結晶磁気異方性定数Ｋｕ（ＭＪ／ｍ３）とＳｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比の関係が所定範囲となる磁性粉を得ることができ、その磁性粉では磁気記録媒体の垂直方向角形比ＳＱを向上させる効果が生じる組成範囲が拡大されることを見出した。本発明はこれらの知見に基づくものである。
【0010】
上記目的は以下の発明によって達成される。
［１］六方晶バリウムフェライトのＢａの一部をＳｒで置換した磁性粒子からなり、下記（１）式で表されるＤｘ体積が２２００ｎｍ３以下であり、Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比が０.０１～０.１５である磁気記録媒体用磁性粉。
Ｄｘ体積（ｎｍ３）＝Ｄｘｃ×π×（Ｄｘａ／２）２ …（１）
ここで、Ｄｘｃは六方晶フェライト結晶格子のｃ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、Ｄｘａは同結晶格子のａ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、πは円周率である。
［２］六方晶バリウムフェライトのＢａの一部をＳｒで置換した磁性粒子からなり、下記（１）式で表されるＤｘ体積が２２００ｎｍ３以下であり、Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比が０.０１～０.３０であり、結晶磁気異方性定数Ｋｕ（ＭＪ／ｍ３）とＳｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比の関係が下記（２）式を満たす磁気記録媒体用磁性粉。
Ｄｘ体積（ｎｍ３）＝Ｄｘｃ×π×（Ｄｘａ／２）２ …（１）
ここで、Ｄｘｃは六方晶フェライト結晶格子のｃ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、Ｄｘａは同結晶格子のａ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、πは円周率である。
Ｋｕ≧０.１×［Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比］＋０.１３ …（２）
［３］Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比が０.０１～０.１５である、上記［２］に記載の磁気記録媒体用磁性粉。
［４］Ｂｉ／Ｆｅモル比が０.００５～０.０５の範囲でＢｉを含有する、上記［１］～［３］のいずれかに記載の磁気記録媒体用磁性粉。
［５］六方晶バリウムフェライトの構成元素としてＳｒを含む非晶質体を、６００～６７０℃の温度範囲に加熱することにより結晶化させる工程を含む、上記［１］に記載の磁気記録媒体用磁性粉の製造方法。
［６］六方晶バリウムフェライトの構成元素としてＳｒを含む非晶質体を、５００～５７０℃の温度に１０時間以上保持することにより中間体を得る工程と、
前記中間体を６００～６７０℃の温度範囲に加熱することにより結晶化させる工程と、
を含む、上記［２］に記載の磁気記録媒体用磁性粉の製造方法。
［１］六方晶バリウムフェライトのＢａの一部をＳｒで置換した磁性粒子からなり、下記（１）式で表されるＤｘ体積が２２００ｎｍ３以下であり、Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比が０.０１～０.１５である磁気記録媒体用磁性粉。
Ｄｘ体積（ｎｍ３）＝Ｄｘｃ×π×（Ｄｘａ／２）２ …（１）
ここで、Ｄｘｃは六方晶フェライト結晶格子のｃ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、Ｄｘａは同結晶格子のａ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、πは円周率である。
［２］六方晶バリウムフェライトのＢａの一部をＳｒで置換した磁性粒子からなり、下記（１）式で表されるＤｘ体積が２２００ｎｍ３以下であり、Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比が０.０１～０.３０であり、結晶磁気異方性定数Ｋｕ（ＭＪ／ｍ３）とＳｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比の関係が下記（２）式を満たす磁気記録媒体用磁性粉。
Ｄｘ体積（ｎｍ３）＝Ｄｘｃ×π×（Ｄｘａ／２）２ …（１）
ここで、Ｄｘｃは六方晶フェライト結晶格子のｃ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、Ｄｘａは同結晶格子のａ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、πは円周率である。
Ｋｕ≧０.１×［Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比］＋０.１３ …（２）
［３］Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比が０.０１～０.１５である、上記［２］に記載の磁気記録媒体用磁性粉。
［４］Ｂｉ／Ｆｅモル比が０.００５～０.０５の範囲でＢｉを含有する、上記［１］～［３］のいずれかに記載の磁気記録媒体用磁性粉。
［５］六方晶バリウムフェライトの構成元素としてＳｒを含む非晶質体を、６００～６７０℃の温度範囲に加熱することにより結晶化させる工程を含む、上記［１］に記載の磁気記録媒体用磁性粉の製造方法。
［６］六方晶バリウムフェライトの構成元素としてＳｒを含む非晶質体を、５００～５７０℃の温度に１０時間以上保持することにより中間体を得る工程と、
前記中間体を６００～６７０℃の温度範囲に加熱することにより結晶化させる工程と、
を含む、上記［２］に記載の磁気記録媒体用磁性粉の製造方法。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、微細な粒子で構成される六方晶フェライト磁性粉において、磁気記録媒体の垂直方向角形比ＳＱを向上させる効果が大きいものを実現することができた。したがって本発明は、磁気記録媒体の記録密度向上とＳＮＲ向上の高レベルでの両立に寄与しうる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】六方晶バリウムフェライト磁性粉のＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比と、その磁性粉を用いた磁気テープの垂直方向角型比ＳＱの関係を示すグラフ。
【図2】六方晶バリウムフェライト磁性粉のＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比と結晶磁気異方性定数Ｋｕの関係を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本発明を特定する事項について説明する。
［Ｄｘ体積］
磁気記録媒体の記録密度向上のためには、六方晶フェライト結晶粒子が微細であることが有利となる。結晶粒子のサイズ的パラメータとして、結晶子径から求まるＤｘ体積を採用することができる。Ｄｘ体積は下記（１）式により算出される。
Ｄｘ体積（ｎｍ３）＝Ｄｘｃ×π×（Ｄｘａ／２）２ …（１）
ここで、Ｄｘｃは六方晶フェライト結晶格子のｃ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、Ｄｘａは同結晶格子のａ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、πは円周率である。結晶子径は、後述の実施例に示すように、Ｃｕ－Ｋα線を用いたＸ線回折法（ＸＲＤ）により測定される回折ピークの半値幅から求めることができる。
［Ｄｘ体積］
磁気記録媒体の記録密度向上のためには、六方晶フェライト結晶粒子が微細であることが有利となる。結晶粒子のサイズ的パラメータとして、結晶子径から求まるＤｘ体積を採用することができる。Ｄｘ体積は下記（１）式により算出される。
Ｄｘ体積（ｎｍ３）＝Ｄｘｃ×π×（Ｄｘａ／２）２ …（１）
ここで、Ｄｘｃは六方晶フェライト結晶格子のｃ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、Ｄｘａは同結晶格子のａ軸方向の結晶子径（ｎｍ）、πは円周率である。結晶子径は、後述の実施例に示すように、Ｃｕ－Ｋα線を用いたＸ線回折法（ＸＲＤ）により測定される回折ピークの半値幅から求めることができる。
【0014】
発明者らの検討によれば、十分に高い記録密度を有する磁気記録媒体を得るためには、Ｄｘ体積が２２００ｎｍ３以下の六方晶バリウムフェライト磁性粉を適用することが望まれる。Ｄｘ体積は２０００ｎｍ３以下であることがより好ましい。記録密度の向上を特に重視する用途では、Ｄｘ体積を１８００ｎｍ３以下に調整することが有利であり、１７５０ｎｍ３以下に調整することもできる。一方、Ｄｘ体積を比較的高めの範囲に調整すると、磁気記録媒体の垂直方向角形比ＳＱに関しては、より高い値が実現されやすくなる。磁気記録媒体の垂直方向角形比ＳＱの向上、すなわち磁気記録媒体のＳＮＲの向上を特に重視する用途では、Ｄｘ体積を例えば１８００ｎｍ３より大きく２２００ｎｍ３以下の範囲に調整することが有利であり、１８００ｎｍ３より大きく２０００ｎｍ３以下の範囲に調整してもよい。Ｄｘ体積は、原料物質の融体を非晶質化させる過程を経由して六方晶フェライト結晶を合成するプロセスにおいて、結晶化のための焼成温度や、焼成前の熱履歴によってコントロールすることができる。Ｄｘ体積を大幅に小さくするためには焼成温度をかなり低くする必要があり、その場合には結晶性が低下することによる磁気特性の低下が懸念される。通常、Ｄｘ体積は１１００ｎｍ３以上の範囲で調整すればよく、１３００ｎｍ３以上に管理してもよい。
【0015】
［組成］
六方晶バリウムフェライトのＢａの一部を少量のＳｒで置換することによって、磁気記録媒体の垂直方向角形比ＳＱを向上させる効果（以下これを「媒体ＳＱ向上効果」と言うことがある。）が大きい磁性粉を実現することができる。具体的には、Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比を０.０１～０.１５の範囲とすることにより媒体ＳＱ向上効果を得ることができる。Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比を０.０３～０.１５の範囲とすることがより効果的であり、０.０５～０.１５の範囲とすることが更に好ましい。「Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比」は、六方晶フェライトを構成するＢａとＳｒの合計モル数に対するＳｒのモル数の割合を意味する。Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比が０.１５を超えて大きくなると、媒体ＳＱ向上効果は低下傾向に転じ、Ｓｒ無添加の場合と比較してむしろ悪化する場合もある。そのメカニズムについては未解明であるが、Ｓｒの置換割合が増加していくと、結晶磁気異方性定数Ｋｕが上昇することに伴う保磁力Ｈｃの上昇が媒体ＳＱ向上効果にプラスに作用する反面、磁性粒子の板状比（Ｄｘａ／Ｄｘｃ）が低下することに伴う磁性層中での磁性粒子の配向性低下が媒体ＳＱ向上効果にマイナスに作用し、それらのバランスによって媒体ＳＱ向上効果が有効に発現するＳｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比の範囲が生じているのではないかと推察される。
六方晶バリウムフェライトのＢａの一部を少量のＳｒで置換することによって、磁気記録媒体の垂直方向角形比ＳＱを向上させる効果（以下これを「媒体ＳＱ向上効果」と言うことがある。）が大きい磁性粉を実現することができる。具体的には、Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比を０.０１～０.１５の範囲とすることにより媒体ＳＱ向上効果を得ることができる。Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比を０.０３～０.１５の範囲とすることがより効果的であり、０.０５～０.１５の範囲とすることが更に好ましい。「Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比」は、六方晶フェライトを構成するＢａとＳｒの合計モル数に対するＳｒのモル数の割合を意味する。Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比が０.１５を超えて大きくなると、媒体ＳＱ向上効果は低下傾向に転じ、Ｓｒ無添加の場合と比較してむしろ悪化する場合もある。そのメカニズムについては未解明であるが、Ｓｒの置換割合が増加していくと、結晶磁気異方性定数Ｋｕが上昇することに伴う保磁力Ｈｃの上昇が媒体ＳＱ向上効果にプラスに作用する反面、磁性粒子の板状比（Ｄｘａ／Ｄｘｃ）が低下することに伴う磁性層中での磁性粒子の配向性低下が媒体ＳＱ向上効果にマイナスに作用し、それらのバランスによって媒体ＳＱ向上効果が有効に発現するＳｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比の範囲が生じているのではないかと推察される。
【0016】
一方、結晶磁気異方性定数Ｋｕの向上効果が大きい製造方法（後述）で得られた六方晶バリウムフェライト磁性粉を使用すると、媒体ＳＱ向上効果が発揮されるＳｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比の範囲を拡張させることが可能になる。具体的には、結晶磁気異方性定数Ｋｕ（ＭＪ／ｍ３）とＳｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比の関係が下記（２）式を満たす六方晶バリウムフェライト磁性粉では、Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比が０.０１～０.３０の範囲で媒体ＳＱ向上効果を得ることができる。Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比は０.０３～０.３０の範囲であることがより効果的であり、０.０５～０.３０の範囲であることが更に好ましい。
Ｋｕ≧０.１×［Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比］＋０.１３ …（２）
Ｋｕ≧０.１×［Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比］＋０.１３ …（２）
【0017】
六方晶バリウムフェライトのＦｅサイトについては、Ｆｅの一部が２価、４価または５価の金属元素の１種以上で置換されていてもよい。上記２価の金属元素としてはＣｏ、Ｚｎ等が挙げられ、上記４価の金属元素としてはＴｉ、Ｓｎ等が挙げられ、上記５価の金属元素としてはＮｂ、Ｖ等が挙げられる。Ｆｅサイト置換元素については［Ｆｅサイト置換元素のトータル含有量（モル）］／［Ｆｅ含有量（モル）］を０.００１～０.０６０とすることが好ましい。
【0018】
本発明で対象とする六方晶バリウムフェライト磁性粉は、Ｂｉを含有していても構わない。Ｂｉは六方晶フェライトの結晶構造を構成する元素（化学式ＡＯ・６Ｆｅ２Ｏ３のいずれかの原子サイトに入る元素）ではないが、六方晶フェライト結晶粒子の微細化や、当該磁性粉を使用した磁気記録媒体の電磁変換特性の向上に有効な添加元素である。特に、焼成温度を低くして結晶粒子の微細化を狙った場合でも磁気特性の低下を小さくする効果を有する。Ｂｉを含有させる場合、Ｂｉ／Ｆｅモル比は０.００５～０.０５の範囲とすることが効果的である。
【0019】
また、要求特性に応じて、Ｎｄ、Ｙ、Ｓｍ、Ｙ、Ｅｒ、Ｈｏ等の希土類元素の１種以上や、Ａｌを含有していても構わない。これらの元素も六方晶フェライトの結晶構造を構成するものではない。希土類元素の１種以上を含有させる場合は、希土類元素をＲと表記するとき、Ｒ／Ｆｅモル比を０.００１～０.０１０とすることが好ましい。Ａｌを含有させる場合は、Ａｌ／Ｆｅモル比を０.００１～０.０５０とすることが好ましい。
【0020】
［製造方法］
六方晶バリウムフェライト磁性粉の製造方法としては、小さい結晶粒子サイズを有する粒度分布の揃った六方晶フェライト磁性粉を得る観点から、原料物質の融体を急冷して得た非晶質体を経由するプロセスを適用することが好ましい。そのプロセスとして、下記の２つのパターンを挙げることができる。
六方晶バリウムフェライト磁性粉の製造方法としては、小さい結晶粒子サイズを有する粒度分布の揃った六方晶フェライト磁性粉を得る観点から、原料物質の融体を急冷して得た非晶質体を経由するプロセスを適用することが好ましい。そのプロセスとして、下記の２つのパターンを挙げることができる。
【0021】
（パターン１）
上記の非晶質体を焼成して結晶化させるパターン。これは、いわゆる「ガラス結晶化法」と呼ばれる手法であり、従来公知の手法が利用できる。具体的には、六方晶バリウムフェライトの構成元素としてＳｒを含む非晶質体を、６００～６７０℃の温度範囲に加熱することにより結晶化させる工程が適用できる。この「パターン１」は、Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比が０.０１～０.１５の組成範囲にある六方晶バリウムフェライト磁性粉の合成に利用でき、その組成範囲で媒体ＳＱ向上効果を得ることができる。
上記の非晶質体を焼成して結晶化させるパターン。これは、いわゆる「ガラス結晶化法」と呼ばれる手法であり、従来公知の手法が利用できる。具体的には、六方晶バリウムフェライトの構成元素としてＳｒを含む非晶質体を、６００～６７０℃の温度範囲に加熱することにより結晶化させる工程が適用できる。この「パターン１」は、Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比が０.０１～０.１５の組成範囲にある六方晶バリウムフェライト磁性粉の合成に利用でき、その組成範囲で媒体ＳＱ向上効果を得ることができる。
【0022】
（パターン２）
上記の非晶質体に予備的な熱処理を加え、その後、焼成を行って結晶化させるパターン。これは本明細書で開示する新たな手法である。具体的には、六方晶バリウムフェライトの構成元素としてＳｒを含む非晶質体を５００～５７０℃の温度に１０時間以上保持することにより中間体を得る工程と、前記中間体を６００～６７０℃の温度範囲に加熱することにより結晶化させる工程とを含むプロセスが適用できる。上記の中間体を得るための予備的な熱処理では、急冷して得られた非晶質体に含まれる２価のＦｅの大部分が３価のＦｅに酸化されると考えられる。予め３価のＦｅが形成された状態の中間体を使用することによって、焼成時に２価のＦｅから３価のＦｅへの酸化を進行させる反応が大幅に軽減されるものと考えられ、結果的に結晶磁気異方性定数Ｋｕが向上した六方晶バリウムフェライト磁性粉が合成される。この「パターン２」は、Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比が０.０１～０.３０の組成範囲にある六方晶バリウムフェライト磁性粉の合成に利用でき、その組成範囲で媒体ＳＱ向上効果を得ることができる。パターン２の手法は、媒体ＳＱ向上効果が発現するＳｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比の組成範囲の拡張をもたらすとともに、媒体ＳＱ向上効果自体の増大にも極めて有効である。
上記の非晶質体に予備的な熱処理を加え、その後、焼成を行って結晶化させるパターン。これは本明細書で開示する新たな手法である。具体的には、六方晶バリウムフェライトの構成元素としてＳｒを含む非晶質体を５００～５７０℃の温度に１０時間以上保持することにより中間体を得る工程と、前記中間体を６００～６７０℃の温度範囲に加熱することにより結晶化させる工程とを含むプロセスが適用できる。上記の中間体を得るための予備的な熱処理では、急冷して得られた非晶質体に含まれる２価のＦｅの大部分が３価のＦｅに酸化されると考えられる。予め３価のＦｅが形成された状態の中間体を使用することによって、焼成時に２価のＦｅから３価のＦｅへの酸化を進行させる反応が大幅に軽減されるものと考えられ、結果的に結晶磁気異方性定数Ｋｕが向上した六方晶バリウムフェライト磁性粉が合成される。この「パターン２」は、Ｓｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比が０.０１～０.３０の組成範囲にある六方晶バリウムフェライト磁性粉の合成に利用でき、その組成範囲で媒体ＳＱ向上効果を得ることができる。パターン２の手法は、媒体ＳＱ向上効果が発現するＳｒ／（Ｂａ＋Ｓｒ）モル比の組成範囲の拡張をもたらすとともに、媒体ＳＱ向上効果自体の増大にも極めて有効である。
【実施例0023】
［実施例１］
（六方晶バリウムフェライト磁性粉の製造）
ホウ酸Ｈ３ＢＯ３（工業用）、炭酸バリウムＢａＣＯ３（工業用）、炭酸ストロンチウムＳｒＣＯ３（工業用）、酸化鉄Ｆｅ２Ｏ３（工業用）、酸化コバルトＣｏＯ（試薬、純度９０％以上）、酸化チタンＴｉＯ２（試薬１級）、酸化ビスマスＢｉ２Ｏ３（工業用）、酸化ネオジムＮｄ２Ｏ３（工業用）、水酸化アルミニウムＡｌ(ＯＨ)３（試薬、純度９９.０％以上）を秤量して表１に示す原料配合とし、三井三池製ＦＭミキサーを用いて混合し、原料混合物を得た。上記原料混合物をペレタイザーに入れ、水を噴霧しながら球状に成形して造粒し、その後２７０℃で１４時間乾燥させ、粒径１～５０ｍｍの造粒品を得た。
（六方晶バリウムフェライト磁性粉の製造）
ホウ酸Ｈ３ＢＯ３（工業用）、炭酸バリウムＢａＣＯ３（工業用）、炭酸ストロンチウムＳｒＣＯ３（工業用）、酸化鉄Ｆｅ２Ｏ３（工業用）、酸化コバルトＣｏＯ（試薬、純度９０％以上）、酸化チタンＴｉＯ２（試薬１級）、酸化ビスマスＢｉ２Ｏ３（工業用）、酸化ネオジムＮｄ２Ｏ３（工業用）、水酸化アルミニウムＡｌ(ＯＨ)３（試薬、純度９９.０％以上）を秤量して表１に示す原料配合とし、三井三池製ＦＭミキサーを用いて混合し、原料混合物を得た。上記原料混合物をペレタイザーに入れ、水を噴霧しながら球状に成形して造粒し、その後２７０℃で１４時間乾燥させ、粒径１～５０ｍｍの造粒品を得た。
【0024】
上記造粒品を、白金るつぼを用いて溶融炉により溶融させた。１４００℃まで昇温して６０分撹拌しながら保持し、各原料物質を完全に溶融状態としたのち、その溶融物（溶湯）をノズルから出湯させて、ガスアトマイズ法にて急冷し、非晶質体を得た。
【0025】
得られた非晶質体に、以下の熱処理を順次施すプロセス（上述のパターン２）を適用して、結晶化させた。
＜予備熱処理＞
上記の非晶質体を空気中５３０℃で７２時間加熱保持することにより中間体を得た。
＜結晶化熱処理＞
得られた中間体を空気中６３０℃で６０分加熱保持することにより結晶化させた。
＜予備熱処理＞
上記の非晶質体を空気中５３０℃で７２時間加熱保持することにより中間体を得た。
＜結晶化熱処理＞
得られた中間体を空気中６３０℃で６０分加熱保持することにより結晶化させた。
【0026】
結晶化熱処理によって得られた粉体には、六方晶フェライトの他、ホウ酸バリウムを主体とする残余物質が含まれている。残余物質を除去するため、結晶化熱処理によって得られた粉体を６０℃に加温した１０質量％酢酸水溶液に浸漬させ、撹拌しながら１時間保持して上記残余物質を液中に溶解させる酸洗浄を施し、その後、ろ過により固液分離を行い、純水を加えて洗浄した。得られた固形分に純水を加えて撹拌し、スターミルで湿式解砕した。
【0027】
湿式解砕後の固形分を含むスラリーに塩化アルミニウム水溶液を添加した。塩化アルミニウムによるＡｌの添加量を固形分１００質量部に対するＡｌ(ＯＨ)３換算で３.３質量部とした。塩化アルミニウム水溶液添加後のスラリーを４０℃で１０分撹拌した。このスラリーのｐＨは３.０～４.０の範囲にあった。その後、水酸化ナトリウムを添加してｐＨを８.０～９.０に調整した後、４０℃で更に１０分撹拌することにより、反応生成物であるアルミニウム水酸化物の層を固形分の粒子（六方晶フェライト磁性粒子）の表面に形成した。その後、ろ過により固液分離を行い、純水を加え、洗浄后液（ろ液）の導電率が１０μＳ／ｃｍ以下となるまで水洗した。水洗後は１１０℃の空気中で１２時間の乾燥を行った。このようにして六方晶バリウムフェライト粒子の表面にアルミニウム水酸化物を被着させた乾燥粉を得た。このアルミニウム水酸化物は磁気記録媒体の耐久性向上に寄与する。
【0028】
仕上解砕工程として、得られた乾燥粉を、供給速度１５０ｇ／ｍｉｎでインパクトミル（ミルシステム株式会社製ファインインパクトミルＡＶＩＳ－１５０）に投入し、インパクトミルのローターのピン先端とステーターの台座との間隔を１ｍｍとして、回転数９７５０ｒｐｍで解砕した。解砕条件は予備実験により求めた適正条件範囲内において設定した。仕上解砕工程を終えた六方晶バリウムフェライト磁性粉を供試粉として以下の調査に供した。磁性粉製造条件の主な項目は表１中に示してある。
【0029】
（磁性粉の組成分析）
アジレントテクノロジー株式会社製の高周波誘導プラズマ発光分析装置ＩＣＰ（７２０－ＥＳ）により供試粉の組成分析を行った。測定波長（ｎｍ）についてはＦｅ：２５９.９４０ｎｍ、Ｂａ：２３３.５２７ｎｍ、Ｓｒ：４２１.５５２ｎｍ、Ｃｏ：２３１.１６０ｎｍ、Ｔｉ：３３４.９４１ｎｍ、Ｂｉ：２２２.８２１ｎｍ、Ｎｄ：４０６.１０８ｎｍ、Ａｌ：３９６.１５２ｎｍにて行った。なお、各金属元素の測定波長は、分析する磁性粉の組成に応じて、他元素のスペクトルの干渉がなく、検量線の直線性を得られる波長を選択するようにした。得られた定量値から、各元素のＦｅに対するモル比を算出した。ある元素Ｘ（Ｘは例えばＣｏ、Ａｌなど）についてのＸ／Ｆｅモル比は下記の式により算出される。
Ｘ／Ｆｅモル比＝Ｘ含有量（モル％）／Ｆｅ含有量（モル％）
Ｂａの含有量については、以下の式で算出されるＢａ／Ｆｅサイト元素モル比で表示した。
Ｂａ／Ｆｅサイト元素モル比＝Ｂａ含有量（モル％）／ＦｅおよびＦｅサイトの一部を置換する遷移金属元素の合計含有量（モル％）
本例の場合、Ｆｅサイトの一部を置換する遷移金属元素はＣｏとＴｉのみであるから、Ｂａ／Ｆｅサイト元素モル比＝Ｂａ含有量（モル％）／（Ｆｅ含有量（モル％）＋Ｃｏ含有量（モル％）＋Ｔｉ含有量（モル％））となる。
Ｓｒの含有量については、Ｓｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比で表示した。本例の供試粉のＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比は０.０４１であった。
アジレントテクノロジー株式会社製の高周波誘導プラズマ発光分析装置ＩＣＰ（７２０－ＥＳ）により供試粉の組成分析を行った。測定波長（ｎｍ）についてはＦｅ：２５９.９４０ｎｍ、Ｂａ：２３３.５２７ｎｍ、Ｓｒ：４２１.５５２ｎｍ、Ｃｏ：２３１.１６０ｎｍ、Ｔｉ：３３４.９４１ｎｍ、Ｂｉ：２２２.８２１ｎｍ、Ｎｄ：４０６.１０８ｎｍ、Ａｌ：３９６.１５２ｎｍにて行った。なお、各金属元素の測定波長は、分析する磁性粉の組成に応じて、他元素のスペクトルの干渉がなく、検量線の直線性を得られる波長を選択するようにした。得られた定量値から、各元素のＦｅに対するモル比を算出した。ある元素Ｘ（Ｘは例えばＣｏ、Ａｌなど）についてのＸ／Ｆｅモル比は下記の式により算出される。
Ｘ／Ｆｅモル比＝Ｘ含有量（モル％）／Ｆｅ含有量（モル％）
Ｂａの含有量については、以下の式で算出されるＢａ／Ｆｅサイト元素モル比で表示した。
Ｂａ／Ｆｅサイト元素モル比＝Ｂａ含有量（モル％）／ＦｅおよびＦｅサイトの一部を置換する遷移金属元素の合計含有量（モル％）
本例の場合、Ｆｅサイトの一部を置換する遷移金属元素はＣｏとＴｉのみであるから、Ｂａ／Ｆｅサイト元素モル比＝Ｂａ含有量（モル％）／（Ｆｅ含有量（モル％）＋Ｃｏ含有量（モル％）＋Ｔｉ含有量（モル％））となる。
Ｓｒの含有量については、Ｓｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比で表示した。本例の供試粉のＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比は０.０４１であった。
【0030】
（粉末磁気特性の測定）
供試粉をφ６ｍｍのプラスチック製容器に詰め、振動試料型磁力計（東英工業株式会社製、ＶＳＭ－Ｐ７－１５）を使用して、外部磁場７９５.８ｋＡ／ｍ（１０ｋＯｅ）、Ｍ測定レンジ０.０１０Ａ・ｍ２（１０ｅｍｕ）、ステップビット１９８（ｂｉｔ）、時定数０.０３ｓｅｃ、ウエイトタイム０.１ｓｅｃの条件で、保磁力Ｈｃ、飽和磁化σｓ、角形比ＳＱを測定した。
供試粉をφ６ｍｍのプラスチック製容器に詰め、振動試料型磁力計（東英工業株式会社製、ＶＳＭ－Ｐ７－１５）を使用して、外部磁場７９５.８ｋＡ／ｍ（１０ｋＯｅ）、Ｍ測定レンジ０.０１０Ａ・ｍ２（１０ｅｍｕ）、ステップビット１９８（ｂｉｔ）、時定数０.０３ｓｅｃ、ウエイトタイム０.１ｓｅｃの条件で、保磁力Ｈｃ、飽和磁化σｓ、角形比ＳＱを測定した。
【0031】
（ＢＥＴ比表面積の測定）
供試粉について、全自動比表面積測定装置（マウンテック株式会社製、Ｍａｃｓｏｒｂ ＨＭ Ｍｏｄｅｌ－１２１０）を用いてＢＥＴ一点法による比表面積を求めた。
供試粉について、全自動比表面積測定装置（マウンテック株式会社製、Ｍａｃｓｏｒｂ ＨＭ Ｍｏｄｅｌ－１２１０）を用いてＢＥＴ一点法による比表面積を求めた。
【0032】
（活性化体積Ｖact、結晶磁気異方定数Ｋｕの評価）
パルス磁界発生器（ＴＥＳＬＡ製、ＴＰ１５３２６）および振動試料型磁力計（東英工業社製、ＶＳＭ－５）を用いた。以下の（１）～（１０）の操作により、活性化体積Ｖact、結晶磁気異方定数Ｋｕの評価を行った。ただし、（２）～（１０）の操作は、２５±１℃で行った。残留磁化量は、Ｍ測定レンジ０.００５Ａ・ｍ２（５ｅｍｕ）、時定数０.０３ｓｅｃで測定を行った。
（１）供試分である六方晶バリウムフェライト磁性粉をφ６ｍｍのプラスチック製容器に詰めた。
（２）振動試料型磁力計により１０３４.５４ｋＡ／ｍ（１３ｋＯｅ）の磁場を印加することで磁化を飽和させ、磁場をゼロに戻した。この際、ステップビット２４０ｂｉｔ、ウエイトタイム０.８ｓｅｃとし、Ｒｅｔｕｒｎモードにして磁場を印加した。
（３）試料を振動試料型磁力計から取り外し、パルス磁界発生器に取り付けた。この際、飽和磁化方向と逆方向に磁場（逆磁場と呼ぶ）がかかるように試料を取り付けた。
（４）逆磁場印加時間０.４０ｍｓで磁場を印加し磁場をゼロに戻した。印加する磁場は、１回目はＨｃ＋２３.８８ｋＡ／ｍを目安とする。２回目以降は１回目の結果を参考にして残留磁化がゼロ付近となるように１回目と異なる逆磁場を設定する。
（５）試料をパルス磁界発生器から取り外し、試料の向きが（２）のときと同じになるように振動試料型磁力計に取り付けた。
（６）振動試料型磁力計により残留磁化量を測定した。（２）の操作終了後から残留磁化量測定まで、２０秒で操作を行った。
（７）（４）で印加する逆磁場の値を変更し、（２）～（６）までの操作をさらに４回以上繰り返した。
（８）残留磁化が０Ａｍ２／ｋｇとなる逆磁場の値Ｈｒ（０.４０ｍｓ）を内挿して求められるように測定結果を５点以上選んで直線近似し、決定係数Ｒ２の値が０.９９０以上になるまで（２）～（７）の作業を繰り返した。この近似直線から、残留磁化が０Ａｍ２／ｋｇとなるときの逆磁場の値Ｈｒ（０.４０ｍｓ）を求めた。このＨｒを残留保磁力と呼ぶこととする。磁性体のＨｒ値によって印加する逆磁場の値は適宜設定することができる。
（９）逆磁場印加時間を６.１ｍｓとして（２）～（８）と同様の操作を行い、残留磁化が０Ａｍ２／ｋｇとなるときの残留保磁力Ｈｒ（６.１ｍｓ）を求めた。
（１０）逆磁場印加時間を１７ｓ、磁場を印加する装置を振動試料型磁力計に変更し、（２）～（８）と同様の操作を行い、残留磁化が０Ａｍ２／ｋｇとなる時の残留保磁力Ｈｒ（１７ｓ）を求めた。この際、（３）～（５）の試料の付け外し作業は行わなかった。また、（７）での繰り返し回数を２回以上とし、（８）では測定結果を３点選んで直線近似し、決定係数Ｒ２の値を０.９９７以上とした。
パルス磁界発生器（ＴＥＳＬＡ製、ＴＰ１５３２６）および振動試料型磁力計（東英工業社製、ＶＳＭ－５）を用いた。以下の（１）～（１０）の操作により、活性化体積Ｖact、結晶磁気異方定数Ｋｕの評価を行った。ただし、（２）～（１０）の操作は、２５±１℃で行った。残留磁化量は、Ｍ測定レンジ０.００５Ａ・ｍ２（５ｅｍｕ）、時定数０.０３ｓｅｃで測定を行った。
（１）供試分である六方晶バリウムフェライト磁性粉をφ６ｍｍのプラスチック製容器に詰めた。
（２）振動試料型磁力計により１０３４.５４ｋＡ／ｍ（１３ｋＯｅ）の磁場を印加することで磁化を飽和させ、磁場をゼロに戻した。この際、ステップビット２４０ｂｉｔ、ウエイトタイム０.８ｓｅｃとし、Ｒｅｔｕｒｎモードにして磁場を印加した。
（３）試料を振動試料型磁力計から取り外し、パルス磁界発生器に取り付けた。この際、飽和磁化方向と逆方向に磁場（逆磁場と呼ぶ）がかかるように試料を取り付けた。
（４）逆磁場印加時間０.４０ｍｓで磁場を印加し磁場をゼロに戻した。印加する磁場は、１回目はＨｃ＋２３.８８ｋＡ／ｍを目安とする。２回目以降は１回目の結果を参考にして残留磁化がゼロ付近となるように１回目と異なる逆磁場を設定する。
（５）試料をパルス磁界発生器から取り外し、試料の向きが（２）のときと同じになるように振動試料型磁力計に取り付けた。
（６）振動試料型磁力計により残留磁化量を測定した。（２）の操作終了後から残留磁化量測定まで、２０秒で操作を行った。
（７）（４）で印加する逆磁場の値を変更し、（２）～（６）までの操作をさらに４回以上繰り返した。
（８）残留磁化が０Ａｍ２／ｋｇとなる逆磁場の値Ｈｒ（０.４０ｍｓ）を内挿して求められるように測定結果を５点以上選んで直線近似し、決定係数Ｒ２の値が０.９９０以上になるまで（２）～（７）の作業を繰り返した。この近似直線から、残留磁化が０Ａｍ２／ｋｇとなるときの逆磁場の値Ｈｒ（０.４０ｍｓ）を求めた。このＨｒを残留保磁力と呼ぶこととする。磁性体のＨｒ値によって印加する逆磁場の値は適宜設定することができる。
（９）逆磁場印加時間を６.１ｍｓとして（２）～（８）と同様の操作を行い、残留磁化が０Ａｍ２／ｋｇとなるときの残留保磁力Ｈｒ（６.１ｍｓ）を求めた。
（１０）逆磁場印加時間を１７ｓ、磁場を印加する装置を振動試料型磁力計に変更し、（２）～（８）と同様の操作を行い、残留磁化が０Ａｍ２／ｋｇとなる時の残留保磁力Ｈｒ（１７ｓ）を求めた。この際、（３）～（５）の試料の付け外し作業は行わなかった。また、（７）での繰り返し回数を２回以上とし、（８）では測定結果を３点選んで直線近似し、決定係数Ｒ２の値を０.９９７以上とした。
【0033】
Ｈｒ（０.４０ｍｓ）、Ｈｒ（６.１ｍｓ）、Ｈｒ（１７ｓ）について、データ解析用ソフトウェア（ＯｒｉｇｉｎＬａｂ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社製、Ｏｒｉｇｉｎ）を用いて解析した。Ｃｕｒｖｅ Ｆｉｔ（非線形）機能を用い、下記（３）式のＨ０、ＫｕＶ／ｋＴをフィッティングパラメータとし、最小二乗法により最適化することでＨ０、ＫｕＶ／ｋＴの値を求めた。このとき、Ｈ０、ＫｕＶ／ｋＴの初期値としてそれぞれ５０００、５０を入力した。最小二乗法により求めたＨ０、ＫｕＶ／ｋＴを下記（４）式に代入して活性化体積Ｖactを算出した。また、Ｈ０を下記（５）式に代入して結晶磁気異方性定数Ｋｕを算出した。
Ｈｒ（ｔ）＝Ｈ０｛１－［（ｋＴ／ＫｕＶ）ｌｎ（ｆ０ｔ／ｌｎ２）］０．７７｝ …（３）
ここで、ｋ：ボルツマン定数（Ｊ／Ｋ）、Ｔ：測定温度（Ｋ）、Ｋｕ：結晶磁気異方性定数（Ｊ／ｍ３）、Ｖ＝Ｖact：活性化体積（ｎｍ３）、Ｈｒ（ｔ）：逆磁場印加時間ｔにおける残留保磁力（ｋＡ／ｍ）、Ｈ０：１０－９秒での残留保磁力（ｋＡ／ｍ）、ｆ０：スピン歳差周波数（ｓ－１）、ｔ：逆磁場印加時間（ｓ）である。ｆ０の値はここでは１０９（ｓ－１）である。
Ｖact（ｎｍ３）＝１.２４９×１０４×ＫｕＶ／ｋＴ／Ｈ０ …（４）
Ｋｕ（Ｊ／ｍ３）＝３３１×Ｈ０（ｋＡ／ｍ） …（５）
ここで、（４）式の係数１.２４９×１０４、および（５）式の係数３３１は計算過程での個別の数値および単位換算係数をまとめたものである。
上記（５）式により算出されるＫｕ値の単位をＭＪ／ｍ３に変換すると、本例の供試粉の結晶磁気異方性定数Ｋｕは０.１３９ＭＪ／ｍ３と求まった。
Ｈｒ（ｔ）＝Ｈ０｛１－［（ｋＴ／ＫｕＶ）ｌｎ（ｆ０ｔ／ｌｎ２）］０．７７｝ …（３）
ここで、ｋ：ボルツマン定数（Ｊ／Ｋ）、Ｔ：測定温度（Ｋ）、Ｋｕ：結晶磁気異方性定数（Ｊ／ｍ３）、Ｖ＝Ｖact：活性化体積（ｎｍ３）、Ｈｒ（ｔ）：逆磁場印加時間ｔにおける残留保磁力（ｋＡ／ｍ）、Ｈ０：１０－９秒での残留保磁力（ｋＡ／ｍ）、ｆ０：スピン歳差周波数（ｓ－１）、ｔ：逆磁場印加時間（ｓ）である。ｆ０の値はここでは１０９（ｓ－１）である。
Ｖact（ｎｍ３）＝１.２４９×１０４×ＫｕＶ／ｋＴ／Ｈ０ …（４）
Ｋｕ（Ｊ／ｍ３）＝３３１×Ｈ０（ｋＡ／ｍ） …（５）
ここで、（４）式の係数１.２４９×１０４、および（５）式の係数３３１は計算過程での個別の数値および単位換算係数をまとめたものである。
上記（５）式により算出されるＫｕ値の単位をＭＪ／ｍ３に変換すると、本例の供試粉の結晶磁気異方性定数Ｋｕは０.１３９ＭＪ／ｍ３と求まった。
【0034】
（Ｄｘ体積、Ｄｘ比の評価）
Ｘ線回折装置（リガク製、ＵｌｔｉｍａＩＶ）により、Ｃｕ管球を用いて、六方晶フェライト結晶格子のｃ軸方向の結晶子径Ｄｘｃ（ｎｍ）、およびａ軸方向の結晶子径Ｄｘａ（ｎｍ）を下記（６）式に従って求めた。
結晶子径（ｎｍ）＝Ｋλ／（β・ｃｏｓθ） …（６）
ここで、Ｋ：シェラー定数０.９、λ：Ｃｕ－Ｋα線波長（ｎｍ）、β：Ｄｘｃの測定では六方晶（００６）面の回折ピークの半値幅（ラジアン）、Ｄｘａの測定では六方晶（２２０）面の回折ピークの半値幅（ラジアン）、θ：回折ピークのブラッグ角（回折角２θの１／２）（ラジアン）である。
Ｄｘｃは２θ：２０.５～２５°、Ｄｘａは２θ：６０～６５°の範囲をそれぞれスキャンして測定した。測定方法は集中法の連続測定法で、検出器は一次元半導体検出器（Ｄ－ｔｅｘ）を用いた。発散スリットは１／２°、散乱スリットは８ｍｍ、受光スリットは開放状態で測定を行った。サンプリング間隔Ｄｘｃ：０.０５°、Ｄｘａ：０.０２°、走査速度Ｄｘｃ：０.１°／ｍｉｎ、Ｄｘａ：０.４°／ｍｉｎ、積算回数１回とした。
Ｄｘ体積およびＤｘ比（板状比）は、Ｄｘｃ（ｎｍ）、Ｄｘａ（ｎｍ）の測定値をそれぞれ下記（１）式および（７）式に代入することにより算出した。
Ｄｘ体積（ｎｍ３）＝Ｄｘｃ×π×（Ｄｘａ／２）２ …（１）
Ｄｘ比＝Ｄｘａ／Ｄｘｃ …（７）
ここで、πは円周率である。
Ｘ線回折装置（リガク製、ＵｌｔｉｍａＩＶ）により、Ｃｕ管球を用いて、六方晶フェライト結晶格子のｃ軸方向の結晶子径Ｄｘｃ（ｎｍ）、およびａ軸方向の結晶子径Ｄｘａ（ｎｍ）を下記（６）式に従って求めた。
結晶子径（ｎｍ）＝Ｋλ／（β・ｃｏｓθ） …（６）
ここで、Ｋ：シェラー定数０.９、λ：Ｃｕ－Ｋα線波長（ｎｍ）、β：Ｄｘｃの測定では六方晶（００６）面の回折ピークの半値幅（ラジアン）、Ｄｘａの測定では六方晶（２２０）面の回折ピークの半値幅（ラジアン）、θ：回折ピークのブラッグ角（回折角２θの１／２）（ラジアン）である。
Ｄｘｃは２θ：２０.５～２５°、Ｄｘａは２θ：６０～６５°の範囲をそれぞれスキャンして測定した。測定方法は集中法の連続測定法で、検出器は一次元半導体検出器（Ｄ－ｔｅｘ）を用いた。発散スリットは１／２°、散乱スリットは８ｍｍ、受光スリットは開放状態で測定を行った。サンプリング間隔Ｄｘｃ：０.０５°、Ｄｘａ：０.０２°、走査速度Ｄｘｃ：０.１°／ｍｉｎ、Ｄｘａ：０.４°／ｍｉｎ、積算回数１回とした。
Ｄｘ体積およびＤｘ比（板状比）は、Ｄｘｃ（ｎｍ）、Ｄｘａ（ｎｍ）の測定値をそれぞれ下記（１）式および（７）式に代入することにより算出した。
Ｄｘ体積（ｎｍ３）＝Ｄｘｃ×π×（Ｄｘａ／２）２ …（１）
Ｄｘ比＝Ｄｘａ／Ｄｘｃ …（７）
ここで、πは円周率である。
【0035】
上記の供試粉（六方晶バリウムフェライト磁性粉）を用いて磁気記録媒体（磁気テープ）を以下のようにして作製した。磁気テープ作製に関して記載する「部」および「％」は、特に断らない限り、それぞれ「質量部」および「質量％」を意味する。
【0036】
（磁性層塗布液の処方）
＜磁性液＞
六方晶バリウムフェライト磁性粉粒子：１００.０部
オレイン酸：１.５部
塩化ビニル共重合体（日本ゼオン製ＭＲ－１０４）：８.０部
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂（重量平均分子量７００００、ＳＯ３Ｎａ基：０.０７ｍｅｑ／ｇ）：２.０部
アミン系ポリマー（ビックケミー社製ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１０２）：７.０部
メチルエチルケトン：１５０.０部
シクロヘキサノン：１５０.０部
＜研磨剤液＞
α－アルミナ（比表面積１９ｍ２／ｇ、真球度１.４）：６.０部
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂（重量平均分子量７００００、ＳＯ３Ｎａ基：０.１ｍｅｑ／ｇ）：０.６部
２,３－ジヒドロキシナフタレン：０.６部
シクロヘキサノン：２３.０部
＜非磁性フィラー液＞
コロイダルシリカ（平均粒子サイズ８０ｎｍ、変動係数＝７％、真球度１.０３）：２.０部
メチルエチルケトン：８.０部
＜潤滑剤・硬化剤液＞
ステアリン酸：３.０部
ステアリン酸アミド：０.３部
ステアリン酸ブチル：６.０部
メチルエチルケトン：１１０.０部
シクロヘキサノン：１１０.０部
ポリイソシアネート（日本ポリウレタン製コロネート（登録商標）Ｌ）：３部
＜磁性液＞
六方晶バリウムフェライト磁性粉粒子：１００.０部
オレイン酸：１.５部
塩化ビニル共重合体（日本ゼオン製ＭＲ－１０４）：８.０部
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂（重量平均分子量７００００、ＳＯ３Ｎａ基：０.０７ｍｅｑ／ｇ）：２.０部
アミン系ポリマー（ビックケミー社製ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１０２）：７.０部
メチルエチルケトン：１５０.０部
シクロヘキサノン：１５０.０部
＜研磨剤液＞
α－アルミナ（比表面積１９ｍ２／ｇ、真球度１.４）：６.０部
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂（重量平均分子量７００００、ＳＯ３Ｎａ基：０.１ｍｅｑ／ｇ）：０.６部
２,３－ジヒドロキシナフタレン：０.６部
シクロヘキサノン：２３.０部
＜非磁性フィラー液＞
コロイダルシリカ（平均粒子サイズ８０ｎｍ、変動係数＝７％、真球度１.０３）：２.０部
メチルエチルケトン：８.０部
＜潤滑剤・硬化剤液＞
ステアリン酸：３.０部
ステアリン酸アミド：０.３部
ステアリン酸ブチル：６.０部
メチルエチルケトン：１１０.０部
シクロヘキサノン：１１０.０部
ポリイソシアネート（日本ポリウレタン製コロネート（登録商標）Ｌ）：３部
【0037】
（非磁性層塗布液の処方）
非磁性粉体 α酸化鉄（平均長軸長１０ｎｍ、平均針状比：１.９、ＢＥＴ比表面積７５ｍ２／ｇ）：１００部
カーボンブラック（平均粒径２０ｎｍ）：２５部
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂（平均分子量７００００、ＳＯ３Ｎａ基含有量０.２ｍｅｑ／ｇ）：１８部
ステアリン酸：１部
シクロヘキサノン：３００部
メチルエチルケトン：３００部
非磁性粉体 α酸化鉄（平均長軸長１０ｎｍ、平均針状比：１.９、ＢＥＴ比表面積７５ｍ２／ｇ）：１００部
カーボンブラック（平均粒径２０ｎｍ）：２５部
ＳＯ３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂（平均分子量７００００、ＳＯ３Ｎａ基含有量０.２ｍｅｑ／ｇ）：１８部
ステアリン酸：１部
シクロヘキサノン：３００部
メチルエチルケトン：３００部
【0038】
（バックコート層塗布液の処方）
非磁性無機粉末：α酸化鉄（平均長軸長０.１５μｍ、平均針状比：７、ＢＥＴ比表面積５２ｍ２／ｇ）：８０部
カーボンブラック（平均粒径２０ｎｍ）：２０部 塩化ビニル共重合体：１３部
スルホン酸塩基含有ポリウレタン樹脂：６部
フェニルホスホン酸：３部
シクロヘキサノン：１５５部
メチルエチルケトン：１５５部
ステアリン酸：３部
ブチルステアレート：３部
ポリイソシアネート：５部
シクロヘキサノン：２００部
非磁性無機粉末：α酸化鉄（平均長軸長０.１５μｍ、平均針状比：７、ＢＥＴ比表面積５２ｍ２／ｇ）：８０部
カーボンブラック（平均粒径２０ｎｍ）：２０部 塩化ビニル共重合体：１３部
スルホン酸塩基含有ポリウレタン樹脂：６部
フェニルホスホン酸：３部
シクロヘキサノン：１５５部
メチルエチルケトン：１５５部
ステアリン酸：３部
ブチルステアレート：３部
ポリイソシアネート：５部
シクロヘキサノン：２００部
【0039】
（磁気テープの作製）
磁性層塗布液は、上記磁性層塗布液の処方に従う各物質を、バッチ式縦型サンドミルにより０.１ｍｍΦのジルコニアビーズを使用して２４時間分散し（ビーズ分散）、その後、０.５μｍの平均孔径を有するフィルターを用いてろ過することにより作製した。
非磁性層塗布液は、上記非磁性層塗布液の処方に従う各物質を、バッチ式縦型サンドミルにより０.１ｍｍΦのジルコニアビーズを使用して２４時間分散し（ビーズ分散）、その後、０.５μｍの平均孔径を有するフィルターを用いてろ過することにより作製した。 バックコート層塗布液は、上記バックコート層塗布液の処方に示した物質のうち潤滑剤（ステアリン酸およびブチルステアレート）とポリイソシアネート、シクロヘキサノン２００部を除いた各物質をオープン型ニーダにより混練・希釈した後、横型ビーズミル分散機により１ｍｍΦのジルコニアビーズを用い、ビーズ充填率８０％、ローター先端周速１０ｍ／ｓで１パス滞留時間を２分とし、１２パスの分散処理に供し、その後残りの物質を添加してディゾルバーで撹拌し、得られた分散液を１μｍの平均孔径を有するフィルターを用いてろ過することにより作製した。
磁性層塗布液は、上記磁性層塗布液の処方に従う各物質を、バッチ式縦型サンドミルにより０.１ｍｍΦのジルコニアビーズを使用して２４時間分散し（ビーズ分散）、その後、０.５μｍの平均孔径を有するフィルターを用いてろ過することにより作製した。
非磁性層塗布液は、上記非磁性層塗布液の処方に従う各物質を、バッチ式縦型サンドミルにより０.１ｍｍΦのジルコニアビーズを使用して２４時間分散し（ビーズ分散）、その後、０.５μｍの平均孔径を有するフィルターを用いてろ過することにより作製した。 バックコート層塗布液は、上記バックコート層塗布液の処方に示した物質のうち潤滑剤（ステアリン酸およびブチルステアレート）とポリイソシアネート、シクロヘキサノン２００部を除いた各物質をオープン型ニーダにより混練・希釈した後、横型ビーズミル分散機により１ｍｍΦのジルコニアビーズを用い、ビーズ充填率８０％、ローター先端周速１０ｍ／ｓで１パス滞留時間を２分とし、１２パスの分散処理に供し、その後残りの物質を添加してディゾルバーで撹拌し、得られた分散液を１μｍの平均孔径を有するフィルターを用いてろ過することにより作製した。
【0040】
厚さ５μｍのポリエチレンナフタレート製支持体（幅方向ヤング率：８ＧＰａ、縦方向ヤング率：６ＧＰａ）の表面上に、乾燥後の厚みが１００ｎｍになるように上記で調製した非磁性層塗布液を塗布、乾燥した後、その上に乾燥後の厚さが７０ｎｍになるように上記で調製した磁性層塗布液を塗布した。この磁性層塗布液が未乾状態にあるうちに、磁場強度０.３Ｔの磁場を塗布面に対し垂直方向に印加する垂直配向処理を施し、乾燥させた。その後、この支持体の反対面に乾燥後の厚さが０.４μｍになるように上記で調製したバックコート層塗布液を塗布し、乾燥させた。得られたテープを金属ロールのみから構成されるカレンダーにより、速度１００ｍ／ｍｉｎ、線圧３００ｋｇ／ｃｍ、温度１００℃で表面平滑化処理し、その後７０℃のドライ環境で３６時間の熱処理を施した。熱処理後１／２インチ幅にスリットし、磁気テープを得た。
【0041】
（垂直方向角型比ＳＱの評価）
振動試料型磁力計（東英工業株式会社製、ＶＳＭ－Ｐ７）を用いて、磁気テープの磁性層表面と直交する方向、すなわち磁気テープの厚さ方向に外部磁場を付与して垂直方向角型比ＳＱを測定した。測定条件は、温度２３℃±１℃、最大外部磁場１１９４ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）、スキャン速度４.８ｋＡ／ｍ／秒（６０Ｏｅ／秒）とした。振動試料型磁力計のサンプルプローブの磁化をバックグラウンドノイズとして差し引くことにより磁気記録媒体としての磁化曲線を求め、その磁化曲線から垂直方向角型比ＳＱを求めた。
振動試料型磁力計（東英工業株式会社製、ＶＳＭ－Ｐ７）を用いて、磁気テープの磁性層表面と直交する方向、すなわち磁気テープの厚さ方向に外部磁場を付与して垂直方向角型比ＳＱを測定した。測定条件は、温度２３℃±１℃、最大外部磁場１１９４ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）、スキャン速度４.８ｋＡ／ｍ／秒（６０Ｏｅ／秒）とした。振動試料型磁力計のサンプルプローブの磁化をバックグラウンドノイズとして差し引くことにより磁気記録媒体としての磁化曲線を求め、その磁化曲線から垂直方向角型比ＳＱを求めた。
【0042】
角形比ＳＱの原理上の最大値は１.００である。上記の条件で求めた磁気テープの垂直方向角型比ＳＱが０.６７以上となる磁性粉であれば、高記録密度が要求される磁気記録媒体において良好なＳＮＲが実現でき、高密度記録化に伴う今後の厳しいニーズに対応し得る性能を有していると評価される。
【0043】
本例の供試粉はＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が０.０４１であり、その供試粉を用いた磁気テープの垂直方向角型比ＳＱは０.６８であった。結果を表１に示してある。
【0044】
［実施例２］
表１に示す原料配合および製造条件により、実施例１と同様の手順でＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が０.０５９である六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製した。これを供試粉とし使用したことを除き、実施例１と同様の条件で磁気テープを作製して磁気特性を調べた。その結果、垂直方向角型比ＳＱは０.６９であった。結果を表１に示してある。
表１に示す原料配合および製造条件により、実施例１と同様の手順でＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が０.０５９である六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製した。これを供試粉とし使用したことを除き、実施例１と同様の条件で磁気テープを作製して磁気特性を調べた。その結果、垂直方向角型比ＳＱは０.６９であった。結果を表１に示してある。
【0045】
［実施例３］
表１に示す原料配合および製造条件により、実施例１と同様の手順でＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が０.０８３である六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製した。これを供試粉とし使用したことを除き、実施例１と同様の条件で磁気テープを作製して磁気特性を調べた。その結果、垂直方向角型比ＳＱは０.６９であった。結果を表１に示してある。
表１に示す原料配合および製造条件により、実施例１と同様の手順でＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が０.０８３である六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製した。これを供試粉とし使用したことを除き、実施例１と同様の条件で磁気テープを作製して磁気特性を調べた。その結果、垂直方向角型比ＳＱは０.６９であった。結果を表１に示してある。
【0046】
［実施例４］
表１に示す原料配合および製造条件により、実施例１と同様の手順でＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が０.０９３である六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製した。これを供試粉とし使用したことを除き、実施例１と同様の条件で磁気テープを作製して磁気特性を調べた。その結果、垂直方向角型比ＳＱは０.７０であった。結果を表１に示してある。
表１に示す原料配合および製造条件により、実施例１と同様の手順でＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が０.０９３である六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製した。これを供試粉とし使用したことを除き、実施例１と同様の条件で磁気テープを作製して磁気特性を調べた。その結果、垂直方向角型比ＳＱは０.７０であった。結果を表１に示してある。
【0047】
［実施例５］
表１に示す原料配合および製造条件により、実施例１と同様の手順でＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が０.１３２である六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製した。これを供試粉とし使用したことを除き、実施例１と同様の条件で磁気テープを作製して磁気特性を調べた。その結果、垂直方向角型比ＳＱは０.７１であった。結果を表１に示してある。
表１に示す原料配合および製造条件により、実施例１と同様の手順でＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が０.１３２である六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製した。これを供試粉とし使用したことを除き、実施例１と同様の条件で磁気テープを作製して磁気特性を調べた。その結果、垂直方向角型比ＳＱは０.７１であった。結果を表１に示してある。
【0048】
［実施例６］
表２に示す原料配合および製造条件により、実施例１と同様の手順でＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が０.２６０である六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製した。これを供試粉とし使用したことを除き、実施例１と同様の条件で磁気テープを作製して磁気特性を調べた。その結果、垂直方向角型比ＳＱは０.６９であった。結果を表２に示してある。
本例の供試粉はＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が０.１５を超えて高いが、予備熱処理を経由する上述のパターン２による製法で作製したことにより、０.６７以上の高い垂直方向角型比ＳＱを維持することができた。結果を表２に示してある。
表２に示す原料配合および製造条件により、実施例１と同様の手順でＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が０.２６０である六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製した。これを供試粉とし使用したことを除き、実施例１と同様の条件で磁気テープを作製して磁気特性を調べた。その結果、垂直方向角型比ＳＱは０.６９であった。結果を表２に示してある。
本例の供試粉はＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が０.１５を超えて高いが、予備熱処理を経由する上述のパターン２による製法で作製したことにより、０.６７以上の高い垂直方向角型比ＳＱを維持することができた。結果を表２に示してある。
【0049】
［実施例７］
表２に示す原料配合および製造条件により、予備熱処理を行わない上述のパターン１（従来プロセス）による製法でＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が０.０８６である六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製した。パターン２の過程をパターン１に変えたこと以外、実施例１と同様の手順で六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製し、その磁性粉を供試粉とした。この供試粉を用いて実施例１と同様の条件で磁気テープを作製し、磁気特性を調べた。その結果、垂直方向角型比ＳＱは０.６７であった。結果を表２に示してある。
表２に示す原料配合および製造条件により、予備熱処理を行わない上述のパターン１（従来プロセス）による製法でＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が０.０８６である六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製した。パターン２の過程をパターン１に変えたこと以外、実施例１と同様の手順で六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製し、その磁性粉を供試粉とした。この供試粉を用いて実施例１と同様の条件で磁気テープを作製し、磁気特性を調べた。その結果、垂直方向角型比ＳＱは０.６７であった。結果を表２に示してある。
【0050】
［比較例１］
表２に示す原料配合および製造条件により、予備熱処理を行わない上述のパターン１（従来プロセス）による製法でＳｒを添加せずに六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製した。分析では不可避的不純物として微量のＳｒが検出され、Ｓｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比は０.００２であった。パターン２の過程をパターン１に変えたこと以外、実施例１と同様の手順で六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製し、その磁性粉を供試粉とした。この供試粉を用いて実施例１と同様の条件で磁気テープを作製し、磁気特性を調べた。その結果、垂直方向角型比ＳＱは０.６６であった。結果を表２に示してある。
表２に示す原料配合および製造条件により、予備熱処理を行わない上述のパターン１（従来プロセス）による製法でＳｒを添加せずに六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製した。分析では不可避的不純物として微量のＳｒが検出され、Ｓｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比は０.００２であった。パターン２の過程をパターン１に変えたこと以外、実施例１と同様の手順で六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製し、その磁性粉を供試粉とした。この供試粉を用いて実施例１と同様の条件で磁気テープを作製し、磁気特性を調べた。その結果、垂直方向角型比ＳＱは０.６６であった。結果を表２に示してある。
【0051】
［比較例２］
表２に示す原料配合および製造条件により、予備熱処理を行わない上述のパターン１（従来プロセス）による製法でＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が０.２７２である六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製した。パターン２の過程をパターン１に変えたこと以外、実施例１と同様の手順で六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製し、その磁性粉を供試粉とした。この供試粉を用いて実施例１と同様の条件で磁気テープを作製し、磁気特性を調べた。その結果、垂直方向角型比ＳＱは０.６５であった。結果を表２に示してある。
表２に示す原料配合および製造条件により、予備熱処理を行わない上述のパターン１（従来プロセス）による製法でＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が０.２７２である六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製した。パターン２の過程をパターン１に変えたこと以外、実施例１と同様の手順で六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製し、その磁性粉を供試粉とした。この供試粉を用いて実施例１と同様の条件で磁気テープを作製し、磁気特性を調べた。その結果、垂直方向角型比ＳＱは０.６５であった。結果を表２に示してある。
【0052】
以下の実施例８～１０に、Ｄｘ体積を１８００ｎｍ３より大きく２０００ｎｍ３以下の範囲に調整した例を開示する。
［実施例８］
表３に示す原料配合および製造条件により、実施例１と同様の手順でＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が０.０４６、Ｄｘ体積が１８６０ｎｍ３である六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製した。これを供試粉とし使用したことを除き、実施例１と同様の条件で磁気テープを作製して磁気特性を調べた。その結果、垂直方向角型比ＳＱは０.７３であった。結果を表３に示してある。
［実施例８］
表３に示す原料配合および製造条件により、実施例１と同様の手順でＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が０.０４６、Ｄｘ体積が１８６０ｎｍ３である六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製した。これを供試粉とし使用したことを除き、実施例１と同様の条件で磁気テープを作製して磁気特性を調べた。その結果、垂直方向角型比ＳＱは０.７３であった。結果を表３に示してある。
【0053】
［実施例９］
表３に示す原料配合および製造条件により、実施例１と同様の手順でＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が０.０９２、Ｄｘ体積が１８７０ｎｍ３である六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製した。これを供試粉とし使用したことを除き、実施例１と同様の条件で磁気テープを作製して磁気特性を調べた。その結果、垂直方向角型比ＳＱは０.７３であった。結果を表３に示してある。
表３に示す原料配合および製造条件により、実施例１と同様の手順でＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が０.０９２、Ｄｘ体積が１８７０ｎｍ３である六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製した。これを供試粉とし使用したことを除き、実施例１と同様の条件で磁気テープを作製して磁気特性を調べた。その結果、垂直方向角型比ＳＱは０.７３であった。結果を表３に示してある。
【0054】
［実施例１０］
表３に示す原料配合および製造条件により、実施例１と同様の手順でＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が０.１４４、Ｄｘ体積が１９５５ｎｍ３である六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製した。これを供試粉とし使用したことを除き、実施例１と同様の条件で磁気テープを作製して磁気特性を調べた。その結果、垂直方向角型比ＳＱは０.７４であった。結果を表３に示してある。
表３に示す原料配合および製造条件により、実施例１と同様の手順でＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が０.１４４、Ｄｘ体積が１９５５ｎｍ３である六方晶バリウムフェライト磁性粉を作製した。これを供試粉とし使用したことを除き、実施例１と同様の条件で磁気テープを作製して磁気特性を調べた。その結果、垂直方向角型比ＳＱは０.７４であった。結果を表３に示してある。
【0055】
【表1】
【0056】
【表2】
【0057】
【表3】
【0058】
図１に、各例について、六方晶バリウムフェライト磁性粉のＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比と、その磁性粉を用いた磁気テープの垂直方向角型比ＳＱの関係を示す。白抜き四角プロットはＤｘ体積が１８００ｎｍ３より大きく２０００ｎｍ３以下である実施例８～１０の例である。Ｂａの一部を少量のＳｒで置換することにより垂直方向角型比ＳＱが向上することがわかる。Ｓｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比が高くなると垂直方向角型比ＳＱは低下傾向となるが、予備熱処理を経由する上述のパターン２による製法で作製した六方晶バリウムフェライト磁性粉を適用すると、垂直方向角型比ＳＱが向上する効果（媒体ＳＱ向上効果）が増大するとともに、媒体ＳＱ向上効果が発揮されるＳｒ／（Ｓｒ＋Ｂａ）モル比の範囲が拡大する。
【0059】
【図1】
【図2】