▶ 株式会社トクヤマの特許一覧 ▶ 国立大学法人大阪大学の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024064832
(43)【公開日】2024-05-14
(54)【発明の名称】Ｃ－アリールグリコシド誘導体の製造方法
(51)【国際特許分類】
C07D 309/10 20060101AFI20240507BHJP
【ＦＩ】
C07D309/10
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022173737
(22)【出願日】2022-10-28
(71)【出願人】
【識別番号】000003182
【氏名又は名称】株式会社トクヤマ
(71)【出願人】
【識別番号】504176911
【氏名又は名称】国立大学法人大阪大学
(74)【代理人】
【識別番号】100120031
【弁理士】
【氏名又は名称】宮嶋 学
(74)【代理人】
【識別番号】100120617
【弁理士】
【氏名又は名称】浅野 真理
(74)【代理人】
【識別番号】100126099
【弁理士】
【氏名又は名称】反町 洋
(74)【代理人】
【識別番号】100172557
【弁理士】
【氏名又は名称】鈴木 啓靖
(72)【発明者】
【氏名】関 雅彦
(72)【発明者】
【氏名】真島 和志
(72)【発明者】
【氏名】ムラニ シャヘーン カシム
(72)【発明者】
【氏名】タプキル サンジープ ラメシュラオ
(72)【発明者】
【氏名】ナディヴェードヒ マヘシュワラ レディ
(57)【要約】 （修正有）
【課題】Ｃ－アリールグリコシド誘導体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表されるＣ－アリールグリコシド誘導体を製造する方法であって、還元剤の存在下、式（ＩＩ）で表されるヒドロキシケトン体と酸とを接触させ、前記Ｃ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）を形成する工程を含む、前記方法を提供する。
【選択図】なし
【解決手段】式（Ｉ）で表されるＣ－アリールグリコシド誘導体を製造する方法であって、還元剤の存在下、式（ＩＩ）で表されるヒドロキシケトン体と酸とを接触させ、前記Ｃ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）を形成する工程を含む、前記方法を提供する。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記式（Ｉ）：
［式中、
Ｒは、それぞれ独立して、ヒドロキシ基保護基を表し、
Ａｒは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいヘテロシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、置換基を有していてもよいアリールアルキル基、又は、置換基を有していてもよいアリールアルケニル基を表す。］
で表されるＣ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）を製造する方法であって、
還元剤の存在下、下記式（ＩＩ）：
［式中、Ｒ及びＡｒは前記と同義である。］
で表されるヒドロキシケトン体（ＩＩ）と酸とを接触させ、前記Ｃ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）を形成する工程
を含む、前記方法。
【化1】
Ｒは、それぞれ独立して、ヒドロキシ基保護基を表し、
Ａｒは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいヘテロシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、置換基を有していてもよいアリールアルキル基、又は、置換基を有していてもよいアリールアルケニル基を表す。］
で表されるＣ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）を製造する方法であって、
還元剤の存在下、下記式（ＩＩ）：
【化2】
で表されるヒドロキシケトン体（ＩＩ）と酸とを接触させ、前記Ｃ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）を形成する工程
を含む、前記方法。
【請求項2】
前記酸が、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体、四塩化チタン、三塩化鉄、トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸及びトリフルオロメタンスルホン酸から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
前記酸の使用量が、前記ヒドロキシケトン体（ＩＩ） １モルに対して、０．００１モル以上５モル以下である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項4】
前記還元剤が、シラン化合物である、請求項１に記載の方法。
【請求項5】
前記シラン化合物が、トリエチルシラン、トリイソプロピルシラン及びトリフェニルシランから選択される、請求項４に記載の方法。
【請求項6】
前記還元剤の使用量が、前記ヒドロキシケトン体（ＩＩ） １モルに対して、１モル以上１０モル以下である、請求項１、４又は５に記載の方法。
【請求項7】
前記工程において、前記還元剤の存在下、前記ヒドロキシケトン体（ＩＩ）と前記酸とを、－１１０℃以上６０℃以下の温度で接触させる、請求項１、２、４又は５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、Ｃ－アリールグリコシド誘導体の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
ＳＧＬＴ２阻害剤は、抗糖尿病薬として有用である。なお、「ＳＧＬＴ２」は、ナトリウム－グルコース共輸送担体－２を意味する。ＳＧＬＴ２阻害剤としては、例えば、カナグリフロジン（１－（β－Ｄ－グリコピラノシル）－４－メチル－３－［５－（４－フルオロフェニル）－２－チエニルメチル］ベンゼン）、エンパグリフロジン（（１Ｓ）－１，５－アンヒドロ－１－Ｃ－｛４－クロロ－３－［（４－｛［（３Ｓ）－オキソラン－３－イル］オキシ｝フェニル）メチル］フェニル｝－Ｄ－グルシトール）、イプラグリフロジン（（１Ｓ）－１，５－アンヒドロ－１－Ｃ－｛３－［（１－ベンゾチオフェン－２－イル）メチル］－４－フルオロフェニル｝－Ｄ－グルシトール－（２Ｓ）－ピロリジン－２－カルボン酸）、ダパグリフロジン（（２Ｓ，３Ｒ，４Ｒ，５Ｓ，６Ｒ）－２－［４－クロロ－３－（４－エチルオキシベンジル）フェニル］－６－（ヒドロキシメチル）テトラヒドロ－２Ｈ－ピラン－３，４，５－チオール）等が知られている。
【0003】
ＳＧＬＴ２阻害剤の製造方法として、１－（β－Ｄ－グリコピラノシル）－４－メチル－３－［５－（４－フルオロフェニル）－２－チエニルメチル］ベンゼン前駆体の保護基を脱保護してカナグリフロジンを合成することが提案されている（特許文献１参照）。１－（β－Ｄ－グリコピラノシル）－４－メチル－３－［５－（４－フルオロフェニル）－２－チエニルメチル］ベンゼン前駆体は、Ｃ－アリールヒドロキシグリコサイド誘導体とも称され、ＳＧＬＴ－２阻害薬を製造するための中間体として注目されている（特許文献１～２及び非特許文献１～３）。
【0004】
Ｃ－アリールヒドロキシグリコサイド誘導体の製造方法として種々の提案がされており、例えば、－７８℃の超低温下において、Ｄ－グルコノラクトン誘導体にアリールリチウムを作用させてアリール基を付加反応させる方法（非特許文献１及び３）、－２０～－１０℃の低温下において、Ｄ－グルコノラクトン誘導体にＡｒＭｇＢｒ・ＬｉＣｌ（Ａｒはアリール基を表す）等のターボグリニャール試薬を作用させてアリール基を付加反応させる方法（非特許文献２）、リチウムトリｎ－ブチルマグネサート（ｎＢｕ３ＭｇＬｉ）から得られたマグネシウムアート錯体を用いて、－１５℃程度の温度環境下、Ｄ－グルコノラクトン誘導体にアリール基を付加反応させる方法（特許文献２）等が知られている。また、ニッケル触媒存在下でチオエステル誘導体に有機亜鉛試薬を反応させることによりカップリングが起こり、ケトン誘導体が得られることが報告されている（非特許文献４及び５）。
【0005】
また、下記式（Ｘ）で表されるレムデシビル（Ｒｅｍｄｅｓｉｖｉｒ）は、抗ウイルス薬として用い得る化合物である。レムデシビルは、例えば、ＲＳウイルス、コロナウイルス等の一本鎖ＲＮＡウイルスに対して抗ウイルス活性を示す。
【0006】
【化1】
【0007】
特許文献３には、レムデシビル及びその中間体の製造方法が開示されている。特許文献３には、クロロトリメチルシラン（ＴＭＳＣｌ）及びｎ－ブチルリチウム存在下、下記式（ＸＩ）で表されるラクトンと、下記式（Ａｒ’’）で表されるブロモピラゾールとを、－７８℃で反応させることにより、下記式（ＸＩＩ）で表されるヒドロキシヌクレオシドが得られることが記載されている。このヒドロキシヌクレオシドは、レムデシビル合成のための中間体として用いることができる。なお、「Ｂｎ」はベンジル基を表す。
【0008】
【化2】
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【特許文献1】ＷＯ２０１０／０４３６８２号公報
【特許文献2】ＷＯ２０１５／０１２１１０号公報
【特許文献3】ＷＯ２０１２／０１２７７６号公報
【非特許文献】
【0010】
【非特許文献1】Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．２００８，５１，１１４５－１１４９
【非特許文献2】Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．２０１４，１６，４０９０－４０９３
【非特許文献3】Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９８９，５４，６１０－６１２
【非特許文献4】Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ ２００２，４３，１０３９－１０４２
【非特許文献5】Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．２０１８，２４，８７７４－８７７８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
本発明は、Ｃ－アリールグリコシド誘導体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本件特許出願人は、Ｃ－アリール－ヒドロキシグリコサイド誘導体の製造方法及びＣ－アリールグリコシド誘導体の製造方法について、特許出願を行っている（特願２０２２－０８１９２５）。
【0013】
上記特許出願に係るＣ－アリール－ヒドロキシグリコサイド誘導体の製造方法（以下「第１の方法」という。）は、次の通りである：
下記式（Ｖ）：
［式中、
Ｗ２は、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいヘテロシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、置換基を有していてもよいアリールアルキル基、又は、置換基を有していてもよいアリールアルケニル基を表し、
Ｒ１００は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、又は、置換基を有していてもよいアリール基を表し、
ｎは、１又は２を表す。］
で表されるＣ－アリール－ヒドロキシグリコサイド誘導体（Ｖ）を製造する方法であって、
下記式（ＩＩ）：
［式中、
Ｗ２は、上記と同義であり、
Ｒは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよいアルキル基を表し、
ｎは、１又は２を表す。］
で表されるケトン誘導体（ＩＩ）と塩基とを接触させて、ケトン誘導体（ＩＩ）から式：－ＣＯ－Ｒで表されるヒドロキシ基保護基を脱離させた後、酸をさらに接触させて、Ｃ－アリール－ヒドロキシグリコサイド誘導体（Ｖ）を製造する工程を含む、方法。
下記式（Ｖ）：
【化3】
Ｗ２は、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいヘテロシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、置換基を有していてもよいアリールアルキル基、又は、置換基を有していてもよいアリールアルケニル基を表し、
Ｒ１００は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、又は、置換基を有していてもよいアリール基を表し、
ｎは、１又は２を表す。］
で表されるＣ－アリール－ヒドロキシグリコサイド誘導体（Ｖ）を製造する方法であって、
下記式（ＩＩ）：
【化4】
Ｗ２は、上記と同義であり、
Ｒは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよいアルキル基を表し、
ｎは、１又は２を表す。］
で表されるケトン誘導体（ＩＩ）と塩基とを接触させて、ケトン誘導体（ＩＩ）から式：－ＣＯ－Ｒで表されるヒドロキシ基保護基を脱離させた後、酸をさらに接触させて、Ｃ－アリール－ヒドロキシグリコサイド誘導体（Ｖ）を製造する工程を含む、方法。
【0014】
上記特許出願に係るＣ－アリールグリコシド誘導体の製造方法（以下「第２の方法」という。）は、次の通りである：
下記式（ＶＩＩ）：
［式中、Ｗ２及びｎは、上記と同義である。］
で表されるＣ－アリールグリコシド誘導体（ＶＩＩ）を製造する方法であって、
上記第１の方法によりＣ－アリール－ヒドロキシグリコサイド誘導体（Ｖ）を製造した後、得られたＣ－アリール－ヒドロキシグリコサイド誘導体（Ｖ）とシラン化合物とを接触させて、Ｃ－アリールグリコシド誘導体（ＶＩＩ）を製造する工程を含む、方法。
下記式（ＶＩＩ）：
【化5】
で表されるＣ－アリールグリコシド誘導体（ＶＩＩ）を製造する方法であって、
上記第１の方法によりＣ－アリール－ヒドロキシグリコサイド誘導体（Ｖ）を製造した後、得られたＣ－アリール－ヒドロキシグリコサイド誘導体（Ｖ）とシラン化合物とを接触させて、Ｃ－アリールグリコシド誘導体（ＶＩＩ）を製造する工程を含む、方法。
【0015】
上記第１及び第２の方法によれば、ケトン誘導体（ＩＩ）からＣ－アリール－ヒドロキシグリコサイド誘導体（Ｖ）が製造された後、Ｃ－アリール－ヒドロキシグリコサイド誘導体（Ｖ）からＣ－アリールグリコシド誘導体（ＶＩＩ）が製造される。
【0016】
本発明者らは、上記第１及び第２の方法を改良すべく鋭意検討した結果、還元剤の存在下、ケトン誘導体（ＩＩ）（本発明におけるヒドロキシケトン体（ＩＩ）に対応）と酸とを接触させることにより、環化及び還元が一挙に進行し、１つの工程でＣ－アリールグリコシド誘導体（ＶＩＩ）（本発明におけるＣ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）に対応）が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。なお、還元剤の不存在下でケトン誘導体（ＩＩ）と酸とを接触させても、Ｃ－アリールグリコシド誘導体（ＶＩＩ）は得られない。
【0017】
すなわち、本発明は、以下の発明を提供する。
［１］下記式（Ｉ）：
［式中、
Ｒは、それぞれ独立して、ヒドロキシ基保護基を表し、
Ａｒは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいヘテロシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、置換基を有していてもよいアリールアルキル基、又は、置換基を有していてもよいアリールアルケニル基を表す。］
で表されるＣ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）を製造する方法であって、
還元剤の存在下、下記式（ＩＩ）：
［式中、Ｒ及びＡｒは前記と同義である。］
で表されるヒドロキシケトン体（ＩＩ）と酸とを接触させ、前記Ｃ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）を形成する工程
を含む、前記方法。
［２］前記酸が、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体、四塩化チタン、三塩化鉄、トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸及びトリフルオロメタンスルホン酸から選択される、請求項１に記載の方法。
［３］前記酸の使用量が、前記ヒドロキシケトン体（ＩＩ） １モルに対して、０．００１モル以上５モル以下である、［１］又は［２］に記載の方法。
［４］前記還元剤が、シラン化合物である、［１］～［３］のいずれかに記載の方法。
［５］前記シラン化合物が、トリエチルシラン、トリイソプロピルシラン及びトリフェニルシランから選択される、［４］に記載の方法。
［６］前記還元剤の使用量が、前記ヒドロキシケトン体（ＩＩ） １モルに対して、１モル以上１０モル以下である、［１］～［５］のいずれかに記載の方法。
［７］前記工程において、前記還元剤の存在下、前記ヒドロキシケトン体（ＩＩ）と前記酸とを、－１１０℃以上６０℃以下の温度で接触させる、［１］～［６］のいずれかに記載の方法。
［１］下記式（Ｉ）：
【化6】
Ｒは、それぞれ独立して、ヒドロキシ基保護基を表し、
Ａｒは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいヘテロシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基、置換基を有していてもよいアリールアルキル基、又は、置換基を有していてもよいアリールアルケニル基を表す。］
で表されるＣ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）を製造する方法であって、
還元剤の存在下、下記式（ＩＩ）：
【化7】
で表されるヒドロキシケトン体（ＩＩ）と酸とを接触させ、前記Ｃ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）を形成する工程
を含む、前記方法。
［２］前記酸が、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体、四塩化チタン、三塩化鉄、トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸及びトリフルオロメタンスルホン酸から選択される、請求項１に記載の方法。
［３］前記酸の使用量が、前記ヒドロキシケトン体（ＩＩ） １モルに対して、０．００１モル以上５モル以下である、［１］又は［２］に記載の方法。
［４］前記還元剤が、シラン化合物である、［１］～［３］のいずれかに記載の方法。
［５］前記シラン化合物が、トリエチルシラン、トリイソプロピルシラン及びトリフェニルシランから選択される、［４］に記載の方法。
［６］前記還元剤の使用量が、前記ヒドロキシケトン体（ＩＩ） １モルに対して、１モル以上１０モル以下である、［１］～［５］のいずれかに記載の方法。
［７］前記工程において、前記還元剤の存在下、前記ヒドロキシケトン体（ＩＩ）と前記酸とを、－１１０℃以上６０℃以下の温度で接触させる、［１］～［６］のいずれかに記載の方法。
【発明の効果】
【0018】
本発明によれば、Ｃ－アリールグリコシド誘導体の製造方法が提供される。
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下、本発明について説明する。
【0020】
≪用語の説明≫
以下、本明細書で用いられる用語について説明する。以下の説明は、別段規定される場合を除き、本明細書を通じて適用される。なお、「値Ａ～値Ｂ」という表現は、別段規定される場合を除き、値Ａ以上値Ｂ以下を意味する。
以下、本明細書で用いられる用語について説明する。以下の説明は、別段規定される場合を除き、本明細書を通じて適用される。なお、「値Ａ～値Ｂ」という表現は、別段規定される場合を除き、値Ａ以上値Ｂ以下を意味する。
【0021】
有機溶媒
有機溶媒としては、例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒；テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、２－メチル－ＴＨＦ、シクロペンチルメチルエーテル、ジブチルエーテル、１，４－ジオキサン、ｔ－ブチルメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシエタン、ジグライム等のエーテル系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン等のケトン系溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒；ジクロロメタン（ＤＣＭ）、クロロホルム、四塩化炭素、１，２－ジクロロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒等が挙げられる。
有機溶媒としては、例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒；テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、２－メチル－ＴＨＦ、シクロペンチルメチルエーテル、ジブチルエーテル、１，４－ジオキサン、ｔ－ブチルメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシエタン、ジグライム等のエーテル系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン等のケトン系溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒；ジクロロメタン（ＤＣＭ）、クロロホルム、四塩化炭素、１，２－ジクロロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒等が挙げられる。
【0022】
ハロゲン原子
ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子から選択される。
ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子から選択される。
【0023】
アルキル基
アルキル基の炭素数は、例えば１～２０、好ましくは１～１５、より好ましくは１～１２（例えば、１～１０、１～８、１～６、１～５、１～４、１～３又は１～２）である。アルキル基は、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよい。直鎖状のアルキル基の炭素数は１以上であり、分岐鎖状のアルキル基の炭素数は３以上である。
アルキル基の炭素数は、例えば１～２０、好ましくは１～１５、より好ましくは１～１２（例えば、１～１０、１～８、１～６、１～５、１～４、１～３又は１～２）である。アルキル基は、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよい。直鎖状のアルキル基の炭素数は１以上であり、分岐鎖状のアルキル基の炭素数は３以上である。
【0024】
アルケニル基
アルケニル基の炭素数は、例えば２～２０、好ましくは２～１５、より好ましくは２～１２（例えば、２～１０、２～８、２～６、２～５、２～４又は２～３）である。アルケニル基は、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよい。直鎖状のアルケニル基の炭素数は２以上であり、分岐鎖状のアルケニル基の炭素数は３以上である。
アルケニル基の炭素数は、例えば２～２０、好ましくは２～１５、より好ましくは２～１２（例えば、２～１０、２～８、２～６、２～５、２～４又は２～３）である。アルケニル基は、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよい。直鎖状のアルケニル基の炭素数は２以上であり、分岐鎖状のアルケニル基の炭素数は３以上である。
【0025】
シクロアルキル基
シクロアルキル基の炭素数は、例えば３～１０、好ましくは３～８、より好ましくは３～６である。
シクロアルキル基の炭素数は、例えば３～１０、好ましくは３～８、より好ましくは３～６である。
【0026】
ヘテロシクロアルキル基
ヘテロシクロアルキル基は、環構成原子として、炭素原子に加えて、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子からなる群から独立して選択される１個以上のヘテロ原子を含む単環式の飽和脂肪族複素環基である。飽和脂肪族複素環基は、飽和結合のみによって環が構成された脂肪族複素環基である。ヘテロ原子の数は、例えば１～４個、好ましくは１～３個、より好ましくは１又は２個である。ヘテロシクロアルキル基の員数は、例えば３～８員、好ましくは４～７員、より好ましくは５～７員、より一層好ましくは５又は６員である。ヘテロシクロアルキル基としては、例えば、１～２個の酸素原子を含むもの、１～２個の硫黄原子を含むもの、１～２個の酸素原子と１～２個の硫黄原子とを含むもの、１～４個の窒素原子を含むもの、１～３個の窒素原子と１～２個の硫黄原子及び／又は１～２個の酸素原子とを含むもの等が挙げられる。ヘテロシクロアルキル基は、酸素原子をヘテロ原子として含むことが好ましい。ヘテロシクロアルキル基としては、アジリジニル基、オキシラニル基、チイラニル基、アゼチジニル基、オキセタニル基、チエタニル基、テトラヒドロチエニル基、テトラヒドロフラニル基、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、オキサゾリジニル基、ピラゾリジニル基、チアゾリジニル基、テトラヒドロイソチアゾリル基、テトラヒドロオキサゾリル基、テトラヒドロイソオキサゾリル基、ピペリジニル基、ピペラジニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、モルホリニル基、チオモルホリニル基（環上の硫黄原子は酸化されてもよい）、アゼパニル基、ジアゼパニル基、オキセパニル基、アゾカニル基、ジアゾカニル基等が挙げられる。
ヘテロシクロアルキル基は、環構成原子として、炭素原子に加えて、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子からなる群から独立して選択される１個以上のヘテロ原子を含む単環式の飽和脂肪族複素環基である。飽和脂肪族複素環基は、飽和結合のみによって環が構成された脂肪族複素環基である。ヘテロ原子の数は、例えば１～４個、好ましくは１～３個、より好ましくは１又は２個である。ヘテロシクロアルキル基の員数は、例えば３～８員、好ましくは４～７員、より好ましくは５～７員、より一層好ましくは５又は６員である。ヘテロシクロアルキル基としては、例えば、１～２個の酸素原子を含むもの、１～２個の硫黄原子を含むもの、１～２個の酸素原子と１～２個の硫黄原子とを含むもの、１～４個の窒素原子を含むもの、１～３個の窒素原子と１～２個の硫黄原子及び／又は１～２個の酸素原子とを含むもの等が挙げられる。ヘテロシクロアルキル基は、酸素原子をヘテロ原子として含むことが好ましい。ヘテロシクロアルキル基としては、アジリジニル基、オキシラニル基、チイラニル基、アゼチジニル基、オキセタニル基、チエタニル基、テトラヒドロチエニル基、テトラヒドロフラニル基、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、オキサゾリジニル基、ピラゾリジニル基、チアゾリジニル基、テトラヒドロイソチアゾリル基、テトラヒドロオキサゾリル基、テトラヒドロイソオキサゾリル基、ピペリジニル基、ピペラジニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、モルホリニル基、チオモルホリニル基（環上の硫黄原子は酸化されてもよい）、アゼパニル基、ジアゼパニル基、オキセパニル基、アゾカニル基、ジアゾカニル基等が挙げられる。
【0027】
一実施形態において、ヘテロシクロアルキル基は、テトラヒドロフラニル基及びテトラヒドロピラニル基から選択される。ヘテロシクロアルキル基は、好ましくは、テトラヒドロフラニル基である。
【0028】
アリール基
アリール基は、例えば、単環式又は多環式（例えば二環式又は三環式）の炭素数４～１４、好ましくは６～１４、より好ましくは６～１０の芳香族炭化水素環基である。多環式は、好ましくは、縮合環式である。アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。アリール基は、好ましくは、フェニル基である。
アリール基は、例えば、単環式又は多環式（例えば二環式又は三環式）の炭素数４～１４、好ましくは６～１４、より好ましくは６～１０の芳香族炭化水素環基である。多環式は、好ましくは、縮合環式である。アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。アリール基は、好ましくは、フェニル基である。
【0029】
ヘテロアリール基
ヘテロアリール基は、環構成原子として、炭素原子に加えて、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子からなる群から独立して選択される１個以上のヘテロ原子を含む単環式又は多環式（例えば二環式又は三環式）の芳香族複素環基である。多環式は、好ましくは、縮合環式である。ヘテロ原子の数は、例えば１～４個、好ましくは１～３個、より好ましくは１又は２個である。ヘテロアリール基の員数は、好ましくは４～１４員、より好ましくは５～１０員である。ヘテロアリール基としては、例えば、１～２個の酸素原子を含むもの、１～２個の硫黄原子を含むもの、１～２個の酸素原子と１～２個の硫黄原子とを含むもの、１～４個の窒素原子を含むもの、１～３個の窒素原子と１～２個の硫黄原子及び／又は１～２個の酸素原子とを含むもの等が挙げられる。ヘテロアリール基は、好ましくは単環式又は二環式の４～１０員、好ましくは５～１０員の芳香族複素環基である。
ヘテロアリール基は、環構成原子として、炭素原子に加えて、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子からなる群から独立して選択される１個以上のヘテロ原子を含む単環式又は多環式（例えば二環式又は三環式）の芳香族複素環基である。多環式は、好ましくは、縮合環式である。ヘテロ原子の数は、例えば１～４個、好ましくは１～３個、より好ましくは１又は２個である。ヘテロアリール基の員数は、好ましくは４～１４員、より好ましくは５～１０員である。ヘテロアリール基としては、例えば、１～２個の酸素原子を含むもの、１～２個の硫黄原子を含むもの、１～２個の酸素原子と１～２個の硫黄原子とを含むもの、１～４個の窒素原子を含むもの、１～３個の窒素原子と１～２個の硫黄原子及び／又は１～２個の酸素原子とを含むもの等が挙げられる。ヘテロアリール基は、好ましくは単環式又は二環式の４～１０員、好ましくは５～１０員の芳香族複素環基である。
【0030】
単環式の芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、チエニル基、ピロリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、フリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基（例えば、１，２，４－オキサジアゾリル基、１，３，４－オキサジアゾリル基等）、チアジアゾリル基（例えば、１，２，４－チアジアゾリル基、１，３，４－チアジアゾリル基等）、トリアゾリル基（例えば、１，２，３－トリアゾリル基、１，２，４－トリアゾリル基等）、テトラゾリル基、トリアジニル基等の５～７員の単環式の芳香族複素環基が挙げられる。
【0031】
縮合多環式の芳香族複素環基としては、例えば、ベンゾチオフェニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、イミダゾピリジニル基、チエノピリジニル基、フロピリジニル基、ピロロピリジニル基、ピラゾロピリジニル基、オキサゾロピリジニル基、チアゾロピリジニル基、イミダゾピラジニル基、イミダゾピリミジニル基、チエノピリミジニル基、フロピリミジニル基、ピロロピリミジニル基、ピラゾロピリミジニル基、オキサゾロピリミジニル基、チアゾロピリミジニル基、ピラゾロトリアジニル基、ナフト［２，３－ｂ］チエニル基、フェノキサチイニル基、インドリル基、イソインドリル基、１Ｈ－インダゾリル基、プリニル基、イソキノリル基、キノリル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、カルバゾリル基、α－カルボリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基等の８～１４員の縮合多環式（好ましくは２環式又は３環式）の芳香族複素環基等が挙げられる。
【0032】
一実施形態において、ヘテロアリール基は、チエニル基、ベンゾチオフェニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基及びピリジル基から選択される。ヘテロアリール基は、好ましくは、チエニル基及びベンゾチオフェニル基から選択される。
【0033】
ハロアルキル基、ハロアリール基及びハロヘテロアリール基
ハロアルキル基、ハロアリール基及びハロヘテロアリール基は、それぞれ、１以上のハロゲン原子を有するアルキル基、アリール基及びヘテロアリール基であり、アルキル基、アリール基及びヘテロアリール基に関する説明は、上記の通りである。ハロアルキル基、ハロアリール基又はハロヘテロアリール基が有するハロゲン原子の数は、例えば１～３、好ましくは１又は２、より好ましくは１である。
ハロアルキル基、ハロアリール基及びハロヘテロアリール基は、それぞれ、１以上のハロゲン原子を有するアルキル基、アリール基及びヘテロアリール基であり、アルキル基、アリール基及びヘテロアリール基に関する説明は、上記の通りである。ハロアルキル基、ハロアリール基又はハロヘテロアリール基が有するハロゲン原子の数は、例えば１～３、好ましくは１又は２、より好ましくは１である。
【0034】
アルキレン基、アリーレン基及びヘテロアリーレン基
アルキレン基、アリーレン基及びヘテロアリーレン基は、それぞれ、アルキル基、アリール基及びヘテロアリール基から１個の水素原子を除去することにより生成される２価の官能基であり、アルキル基、アリール基及びヘテロアリール基に関する説明は、上記の通りである。
アルキレン基、アリーレン基及びヘテロアリーレン基は、それぞれ、アルキル基、アリール基及びヘテロアリール基から１個の水素原子を除去することにより生成される２価の官能基であり、アルキル基、アリール基及びヘテロアリール基に関する説明は、上記の通りである。
【0035】
ハロアルキレン基、ハロアリーレン基及びハロヘテロアリーレン基
ハロアルキレン基、ハロアリーレン基及びハロヘテロアリーレン基は、それぞれ、ハロアルキル基、ハロアリール基及びハロヘテロアリール基から１個の水素原子を除去することにより生成される２価の官能基であり、ハロアルキル基、ハロアリール基及びハロヘテロアリール基に関する説明は、上記の通りである。
ハロアルキレン基、ハロアリーレン基及びハロヘテロアリーレン基は、それぞれ、ハロアルキル基、ハロアリール基及びハロヘテロアリール基から１個の水素原子を除去することにより生成される２価の官能基であり、ハロアルキル基、ハロアリール基及びハロヘテロアリール基に関する説明は、上記の通りである。
【0036】
アリールアルキル基
アリールアルキル基は、１以上のアリール基を有するアルキル基であり、アルキル基及びアリール基に関する説明は、上記の通りである。アリールアルキル基が有するアリール基の数は、例えば１～３、好ましくは１又は２、より好ましくは１である。
アリールアルキル基は、１以上のアリール基を有するアルキル基であり、アルキル基及びアリール基に関する説明は、上記の通りである。アリールアルキル基が有するアリール基の数は、例えば１～３、好ましくは１又は２、より好ましくは１である。
【0037】
アリールアルケニル基
アリールアルケニル基は、１以上のアリール基を有するアルケニル基であり、アルケニル基及びアリール基に関する説明は、上記の通りである。アリールアルケニル基が有するアリール基の数は、例えば１～３、好ましくは１又は２、より好ましくは１である。
アリールアルケニル基は、１以上のアリール基を有するアルケニル基であり、アルケニル基及びアリール基に関する説明は、上記の通りである。アリールアルケニル基が有するアリール基の数は、例えば１～３、好ましくは１又は２、より好ましくは１である。
【0038】
アルキルカルボニル基及びアリールカルボニル基
アルキルカルボニル基及びアリールカルボニル基は、それぞれ、式：－ＣＯ－アルキル基及び式：－ＣＯ－アリール基で表される基であり、アルキル基及びアリール基に関する説明は、上記の通りである。
アルキルカルボニル基及びアリールカルボニル基は、それぞれ、式：－ＣＯ－アルキル基及び式：－ＣＯ－アリール基で表される基であり、アルキル基及びアリール基に関する説明は、上記の通りである。
【0039】
アルキルオキシ基、ハロアルキルオキシ基、ヘテロシクロアルキルオキシ基及びアリールアルキルオキシ基
アルキルオキシ基、ハロアルキルオキシ基、ヘテロシクロアルキルオキシ基及びアリールアルキルオキシ基は、それぞれ、式：－Ｏ－アルキル基、式：－Ｏ－ハロアルキル基、式：－Ｏ－ヘテロシクロアルキル基及び式：－Ｏ－アリールアルキル基で表される基であり、アルキル基、ハロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基及びアリールアルキル基に関する説明は、上記の通りである。
アルキルオキシ基、ハロアルキルオキシ基、ヘテロシクロアルキルオキシ基及びアリールアルキルオキシ基は、それぞれ、式：－Ｏ－アルキル基、式：－Ｏ－ハロアルキル基、式：－Ｏ－ヘテロシクロアルキル基及び式：－Ｏ－アリールアルキル基で表される基であり、アルキル基、ハロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基及びアリールアルキル基に関する説明は、上記の通りである。
【0040】
アルキルチオ基、ハロアルキルチオ基、ヘテロシクロアルキルチオ基及びアリールアルキルチオ基
アルキルチオ基、ハロアルキルチオ基、ヘテロシクロアルキルチオ基及びアリールアルキルチオ基は、それぞれ、式：－Ｓ－アルキル基、式：－Ｓ－ハロアルキル基、式：－Ｓ－ヘテロシクロアルキル基及び式：－Ｓ－アリールアルキル基で表される基であり、アルキル基、ハロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基及びアリールアルキル基に関する説明は、上記の通りである。
アルキルチオ基、ハロアルキルチオ基、ヘテロシクロアルキルチオ基及びアリールアルキルチオ基は、それぞれ、式：－Ｓ－アルキル基、式：－Ｓ－ハロアルキル基、式：－Ｓ－ヘテロシクロアルキル基及び式：－Ｓ－アリールアルキル基で表される基であり、アルキル基、ハロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基及びアリールアルキル基に関する説明は、上記の通りである。
【0041】
アルキルオキシカルボニル基
アルキルオキシカルボニル基は、式：－ＣＯ－Ｏ－アルキル基で表される基であり、アルキル基に関する説明は、上記の通りである。アルキルオキシカルボニル基に含まれるアルキル基の炭素数は、好ましくは１～１０、より好ましくは１～８、より一層好ましくは１～６、より一層好ましくは１～４、より一層好ましくは１～３、より一層好ましくは１又は２である。
アルキルオキシカルボニル基は、式：－ＣＯ－Ｏ－アルキル基で表される基であり、アルキル基に関する説明は、上記の通りである。アルキルオキシカルボニル基に含まれるアルキル基の炭素数は、好ましくは１～１０、より好ましくは１～８、より一層好ましくは１～６、より一層好ましくは１～４、より一層好ましくは１～３、より一層好ましくは１又は２である。
【0042】
アミノ基
アミノ基は、式：－ＮＨ２で表される基（１級アミノ基）である。
アミノ基は、式：－ＮＨ２で表される基（１級アミノ基）である。
【0043】
モノアルキルアミノ基
モノアルキルアミノ基は、式：－ＮＨ（－Ｑ１）［式中、Ｑ１は、アルキル基を表す。］で表される基であり、アルキル基に関する説明は、上記の通りである。Ｑ１で表されるアルキル基の炭素数は、好ましくは１～１０、より好ましくは１～８、より一層好ましくは１～６、より一層好ましくは１～４、より一層好ましくは１～３、より一層好ましくは１又は２である。
モノアルキルアミノ基は、式：－ＮＨ（－Ｑ１）［式中、Ｑ１は、アルキル基を表す。］で表される基であり、アルキル基に関する説明は、上記の通りである。Ｑ１で表されるアルキル基の炭素数は、好ましくは１～１０、より好ましくは１～８、より一層好ましくは１～６、より一層好ましくは１～４、より一層好ましくは１～３、より一層好ましくは１又は２である。
【0044】
ジアルキルアミノ基
ジアルキルアミノ基は、式：－Ｎ（－Ｑ２）（－Ｑ３）［式中、Ｑ２及びＱ３は、それぞれ独立して、アルキル基を表す。］で表される基であり、アルキル基に関する説明は、上記の通りである。Ｑ２又はＱ３で表されるアルキル基の炭素数は、好ましくは１～１０、より好ましくは１～８、より一層好ましくは１～６、より一層好ましくは１～４、より一層好ましくは１～３、より一層好ましくは１又は２である。
ジアルキルアミノ基は、式：－Ｎ（－Ｑ２）（－Ｑ３）［式中、Ｑ２及びＱ３は、それぞれ独立して、アルキル基を表す。］で表される基であり、アルキル基に関する説明は、上記の通りである。Ｑ２又はＱ３で表されるアルキル基の炭素数は、好ましくは１～１０、より好ましくは１～８、より一層好ましくは１～６、より一層好ましくは１～４、より一層好ましくは１～３、より一層好ましくは１又は２である。
【0045】
脂環式アミノ基
脂環式アミノ基は、例えば、５又は６員環の脂環式アミノ基であり、５又は６員環の脂環式アミノ基としては、例えば、モルホリノ基、チオモルホリノ基、ピロリジン－１－イル基、ピラゾリジン－１－イル基、イミダゾリジン－１－イル基、ピペリジン－１－イル基等が挙げられる。脂環式アミノ基は、脂環式アミノ基の結合手を有する窒素原子に加えて、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子からなる群から独立して選択されるヘテロ原子（例えば、１個のヘテロ原子）を含んでいてもよい。脂環式アミノ基は、好ましくは、モルホリノ基である。
脂環式アミノ基は、例えば、５又は６員環の脂環式アミノ基であり、５又は６員環の脂環式アミノ基としては、例えば、モルホリノ基、チオモルホリノ基、ピロリジン－１－イル基、ピラゾリジン－１－イル基、イミダゾリジン－１－イル基、ピペリジン－１－イル基等が挙げられる。脂環式アミノ基は、脂環式アミノ基の結合手を有する窒素原子に加えて、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子からなる群から独立して選択されるヘテロ原子（例えば、１個のヘテロ原子）を含んでいてもよい。脂環式アミノ基は、好ましくは、モルホリノ基である。
【0046】
アミノカルボニル基、モノアルキルアミノカルボニル基、ジアルキルアミノカルボニル基及び脂環式アミノカルボニル基
アミノカルボニル基、モノアルキルアミノカルボニル基、ジアルキルアミノカルボニル基及び脂環式アミノカルボニル基は、それぞれ、式：－ＣＯ－アミノ基、式：－ＣＯ－モノアルキルアミノ基、式：－ＣＯ－ジアルキルアミノ基及び式：－ＣＯ－脂環式アミノ基で表される基であり、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基及び脂環式アミノ基に関する説明は、上記の通りである。
アミノカルボニル基、モノアルキルアミノカルボニル基、ジアルキルアミノカルボニル基及び脂環式アミノカルボニル基は、それぞれ、式：－ＣＯ－アミノ基、式：－ＣＯ－モノアルキルアミノ基、式：－ＣＯ－ジアルキルアミノ基及び式：－ＣＯ－脂環式アミノ基で表される基であり、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基及び脂環式アミノ基に関する説明は、上記の通りである。
【0047】
置換基群α
置換基群αは、以下の置換基で構成される。
（α－１）ハロゲン原子
（α－２）ニトリル基
（α－３）ニトロ基
（α－４）アミノ基
（α－５）アルキル基
（α－６）ハロアルキル基
（α－７）モノアルキルアミノ基
（α－８）ジアルキルアミノ基
（α－９）脂環式アミノ基
（α－１０）アルキルオキシカルボニル基
（α－１１）アミノカルボニル基
（α－１２）モノアルキルアミノカルボニル基
（α－１３）ジアルキルアミノカルボニル基
（α－１４）脂環式アミノカルボニル基
（α－１５）保護基で保護されていてもよいヒドロキシ基
（α－１６）保護基で保護されていてもよいチオール基
置換基群αは、以下の置換基で構成される。
（α－１）ハロゲン原子
（α－２）ニトリル基
（α－３）ニトロ基
（α－４）アミノ基
（α－５）アルキル基
（α－６）ハロアルキル基
（α－７）モノアルキルアミノ基
（α－８）ジアルキルアミノ基
（α－９）脂環式アミノ基
（α－１０）アルキルオキシカルボニル基
（α－１１）アミノカルボニル基
（α－１２）モノアルキルアミノカルボニル基
（α－１３）ジアルキルアミノカルボニル基
（α－１４）脂環式アミノカルボニル基
（α－１５）保護基で保護されていてもよいヒドロキシ基
（α－１６）保護基で保護されていてもよいチオール基
【0048】
置換基群β
置換基群βは、式（ｉｉ）で表される置換基で構成される。
置換基群βは、式（ｉｉ）で表される置換基で構成される。
【0049】
以下、置換基群α及びβについて説明する。
【0050】
（α－５）において、アルキル基の炭素数は、好ましくは１～１０、より好ましくは１～８、より一層好ましくは１～６、より一層好ましくは１～４、より一層好ましくは１～３、より一層好ましくは１又は２である。
【0051】
（α－６）において、ハロアルキル基の炭素数は、好ましくは１～１０、より好ましくは１～８、より一層好ましくは１～６、より一層好ましくは１～４、より一層好ましくは１～３、より一層好ましくは１又は２である。ハロアルキル基が有するハロゲン原子の数は、好ましくは１～３、より好ましくは１又は２、より一層好ましくは１である。
【0052】
保護基で保護されていてもよいヒドロキシ基
ヒドロキシ基保護基は、目的の反応を行う際にはヒドロキシ基を保護することができ、目的の反応の終了後にはヒドロキシ基から脱離させることができるものであることが好ましい。ヒドロキシ基保護基としては、例えば、アルキルカルボニル型保護基、アリールカルボニル型保護基、アリールアルキル型保護基、アルキル型保護基、アリールアルキルオキシアルキル型保護基、アルキルオキシアルキル型保護基、シリル型保護基、オキシカルボニル型保護基、アセタール型保護基、アリール型保護基等が挙げられる。これらの保護基は、１以上のハロゲン原子を有していてもよい。
ヒドロキシ基保護基は、目的の反応を行う際にはヒドロキシ基を保護することができ、目的の反応の終了後にはヒドロキシ基から脱離させることができるものであることが好ましい。ヒドロキシ基保護基としては、例えば、アルキルカルボニル型保護基、アリールカルボニル型保護基、アリールアルキル型保護基、アルキル型保護基、アリールアルキルオキシアルキル型保護基、アルキルオキシアルキル型保護基、シリル型保護基、オキシカルボニル型保護基、アセタール型保護基、アリール型保護基等が挙げられる。これらの保護基は、１以上のハロゲン原子を有していてもよい。
【0053】
アルキルカルボニル型保護基としては、例えば、１以上の置換基を有していてもよい炭素数２～１０のアルキルカルボニル基が挙げられる。置換基は、例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、フェニル基、炭素数１～１０（好ましくは炭素数１～８、より好ましくは炭素数１～６、より一層好ましくは炭素数１～４）のアルキル基、炭素数１～１０（好ましくは炭素数１～８、より好ましくは炭素数１～６、より一層好ましくは炭素数１～４）のアルキルオキシ基、炭素数２～１１（好ましくは炭素数２～９、より好ましくは炭素数２～７、より一層好ましくは炭素数２～５）のアルキルオキシカルボニル基等から選択することができる。１以上の置換基を有していてもよい炭素数２～１０のアルキルカルボニル基としては、例えば、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、イソプロパノイル基、ピバロイル基等が挙げられる。アルキルカルボニル型保護基は、好ましくは、炭素数２～５のアルキルカルボニル基であり、より好ましくは、アセチル基又はピバロイル基であり、より一層好ましくは、アセチル基である。
【0054】
アリールカルボニル型保護基としては、例えば、１以上の置換基を有していてもよい炭素数７～１１のアリールカルボニル基等が挙げられる。置換基の具体例は、アルキルカルボニル型保護基と同様である。１以上の置換基を有していてもよい炭素数７～１１のアリールカルボニル基としては、例えば、ベンゾイル基、４－ニトロベンゾイル基、４－メチルオキシベンゾイル基、４－メチルベンゾイル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル基、４－フルオロベンゾイル基、４－クロロベンゾイル基、４－ブロモベンゾイル基、４－フェニルベンゾイル基、４－メチルオキシカルボニルベンゾイル基等が挙げられる。
【0055】
アリールアルキル型保護基としては、例えば、１以上の置換基を有していてもよい炭素数７～１１のアリールアルキル基等が挙げられる。置換基の具体例は、アルキルカルボニル型保護基と同様である。１以上の置換基を有していてもよい炭素数７～１１のアリールアルキル基としては、例えば、ベンジル基、１－フェニルエチル基、ジフェニルメチル基、１，１－ジフェニルエチル基、ナフチルメチル基、トリチル基等が挙げられる。アリールアルキル型保護基は、好ましくは、ベンジル基である。
【0056】
アルキル型保護基としては、例えば、１以上の置換基を有していてもよい炭素数１～１０のアルキル基等が挙げられる。置換基の具体例は、アルキルカルボニル型保護基と同様である。アルキル型保護基は、好ましくは、１以上の置換基を有していてもよい炭素数１～５のアルキル基、より好ましくは、メチル基、エチル基又はｔｅｒｔ－ブチル基、より一層好ましくは、メチル基である。
【0057】
アリールアルキルオキシアルキル型保護基としては、例えば、１以上の置換基を有していてもよい炭素数８～１２のアリールアルキルオキシメチル基、１以上の置換基を有していてもよい炭素数９～１３のアリールアルキルオキシエチル基、１以上の置換基を有していてもよい炭素数１０～１４のアリールアルキルオキシプロピル基等のアリールアルキルオキシアルキル基が挙げられる。置換基の具体例は、アルキルカルボニル型保護基と同様である。アリールアルキルオキシアルキル型保護基は、例えば、１以上の置換基を有していてもよいベンジルオキシメチル基、好ましくは、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メチル基又はメチルオキシ基で置換されていてもよいベンジルオキシメチル基、より好ましくはベンジルオキシメチル基である。
【0058】
アルキルオキシアルキル型保護基としては、例えば、１以上の置換基を有していてもよい炭素数２～１０のアルキルオキシメチル基、１以上の置換基を有していてもよい炭素数３～１０のアルキルオキシエチル基、１以上の置換基を有していてもよい炭素数４～１０のアルキルオキシプロピル基等のアルキルオキシアルキル基が挙げられる。置換基の具体例は、アルキルカルボニル型保護基と同様である。アルキルオキシアルキル型保護基は、好ましくは、１以上の置換基を有していてもよい炭素数２～１０のアルキルオキシメチル基、より好ましくは、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メチルオキシ基又はエチルオキシ基を有していてもよい炭素数２～６のアルキルオキシメチル基、より一層好ましくは、メチルオキシメチル基である。
【0059】
シリル型保護基としては、例えば、１以上の置換基を有していてもよい炭素数１～１０のアルキル基、１以上の置換基を有していてもよい炭素数７～１１のアリールアルキル基及び１以上の置換基を有していてもよい炭素数６～１０のアリール基から選択される官能基を有するシリル基が挙げられる。置換基の具体例は、アルキルカルボニル型保護基と同様である。シリル型保護基は、好ましくは、炭素数１～１０のアルキル基及び炭素数６～１０のアリール基から選択される官能基を有するシリル基、より好ましくは、炭素数１～５のアルキル基及びフェニル基から選択される官能基を有するシリル基、より一層好ましくは、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル基又はｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリル基である。
【0060】
オキシカルボニル型保護基としては、例えば、１以上の置換基を有していてもよい炭素数２～１０のアルキルオキシカルボニル基、１以上の置換基を有していてもよい炭素数３～１０のアルケニルオキシカルボニル基、１以上の置換基を有していてもよい炭素数８～１２のアリールアルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。置換基の具体例は、アルキルカルボニル型保護基と同様である。オキシカルボニル型保護基は、好ましくは、炭素数２～６のアルキルオキシカルボニル基、炭素数３～６のアルケニルオキシカルボニル基又はベンジルオキシカルボニル基、より好ましく、メチルオキシメチル基、アリルオキシカルボニル基又はベンジルオキシカルボニル基である。
【0061】
アセタール型保護基としては、例えば、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基等が挙げられる。
【0062】
アリール型保護基としては、例えば、フェニル基等のアリール基が挙げられる。
【0063】
保護基で保護されたヒドロキシ基は、式：－Ｏ－Ｑで表される基であることが好ましい。Ｒは、アルキル基、ハロアルキル基、アリール基、ハロアリール基、ヘテロシクロアルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基又はアリールアルキル基を表す。式：－Ｏ－Ｑで表される基の炭素数は、好ましくは１～１０、より好ましくは１～８である。Ｑは、アルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アルキルカルボニル基又はアリールアルキル基であることが好ましく、エチル基、テトラヒドロフラニル基、アセチル基又はベンジル基であることがより好ましい。
【0064】
保護基で保護されていてもよいチオール基
チオール基保護基は、目的の反応を行う際にはチオール基を保護することができ、目的の反応の終了後にはチオール基から脱離させることができるものであることが好ましい。チオール基保護基としては、例えば、アルキルカルボニル型保護基、アリールカルボニル型保護基、アリールアルキル型保護基、アルキル型保護基、アリールアルキルオキシアルキル型保護基、アルキルオキシアルキル型保護基、シリル型保護基、オキシカルボニル型保護基、アセタール型保護基、アリール型保護基等が挙げられる。これらの保護基は、１以上のハロゲン原子を有していてもよい。これらの保護基に関する説明は、上記の通りである。
チオール基保護基は、目的の反応を行う際にはチオール基を保護することができ、目的の反応の終了後にはチオール基から脱離させることができるものであることが好ましい。チオール基保護基としては、例えば、アルキルカルボニル型保護基、アリールカルボニル型保護基、アリールアルキル型保護基、アルキル型保護基、アリールアルキルオキシアルキル型保護基、アルキルオキシアルキル型保護基、シリル型保護基、オキシカルボニル型保護基、アセタール型保護基、アリール型保護基等が挙げられる。これらの保護基は、１以上のハロゲン原子を有していてもよい。これらの保護基に関する説明は、上記の通りである。
【0065】
保護基で保護されたチオール基は、式：－Ｓ－Ｑで表される基であることが好ましい。Ｑに関する説明は、上記の通りである。
【0066】
式（ｉｉ）で表される置換基
【化8】
【0067】
式（ｉｉ）において、Ｖ１０は、アルキレン基、ハロアルキレン基、アリーレン基、ハロアリーレン基、ヘテロアリーレン基、ハロヘテロアリーレン基、エステル結合、エーテル結合又はカルボニル基を表す。アルキレン基又はハロアルキレン基の炭素数は、１～１０であることが好ましく、１～８であることがより好ましい。アリーレン基、ハロアリーレン基、ヘテロアリーレン基又はハロヘテロアリーレン基の炭素数は、４～１４であることが好ましく、６～１４であることがより好ましい。Ｖ１０は、アルキレン基であることが好ましく、メチレン基又はエチレン基であることがより好ましい。
【0068】
式（ｉｉ）において、ｂは、０又は１を表す。ｂは、１であることが好ましい。
【0069】
式（ｉｉ）において、Ｗ１０は、アルキレン基、ハロアルキレン基、アリーレン基、ハロアリーレン基、ヘテロアリーレン基、ハロヘテロアリーレン基、エステル結合、エーテル結合又はカルボニル基を表す。Ｗ１０は、ヘテロアリーレン基であることが好ましく、硫黄原子をヘテロ原子として含む５員環のヘテロアリーレン基であることがより好ましく、チエニレンであることがより一層好ましい。
【0070】
式（ｉｉ）において、ｃは、０又は１を表す。ｃは、１であることが好ましい。
【0071】
式（ｉｉ）において、Ｘ１０は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表す。
【0072】
Ｘ１０で表されるアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基は、１以上の置換基を有していてもよく、１以上の置換基は、それぞれ独立して、置換基群αから選択することができる。１以上の置換基は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、アルキル基、ハロアルキル基、アルキルオキシ基、ハロアルキルオキシ基、アルキルチオ基、ハロアルキルチオ基、ヘテロシクロアルキルオキシ基及びヘテロシクロアルキルチオ基から選択することが好ましく、ハロゲン原子、炭素数１～３のアルキルオキシ基及びヘテロシクロアルキルオキシ基から選択することがより好ましく、フッ素原子、エチルオキシ基及びテトラヒドロフラニルオキシ基から選択することがより一層好ましい。
【0073】
Ｘ１０は、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基であることが好ましく、ハロゲン原子、炭素数１～３のアルキルオキシ基又は酸素原子をヘテロ原子として含むヘテロシクロアルキルオキシ基を有するアリール基、或いは、非置換のヘテロアリール基であることがより好ましく、フッ素原子、エチルオキシ基又はテトラヒドロフラニルオキシ基を有するフェニル基、或いは、非置換のベンゾチオフェニル基であることがより一層好ましい。
【0074】
≪Ｃ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）≫
Ｃ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）は、下記式（Ｉ）で表される。
Ｃ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）は、下記式（Ｉ）で表される。
【0075】
【化9】
【0076】
式（Ｉ）において、Ｒは、それぞれ独立して、ヒドロキシ基保護基を表す。ヒドロキシ基保護基としては、例えば、アルキルカルボニル型保護基、アリールカルボニル型保護基、アリールアルキル型保護基、アルキル型保護基、アリールアルキルオキシアルキル型保護基、アルキルオキシアルキル型保護基、シリル型保護基、オキシカルボニル型保護基、アセタール型保護基、アリール型保護基等が挙げられる。これらの保護基は、１以上のハロゲン原子を有していてもよい。これらの保護基に関する説明は上記と同様である。
【0077】
一実施形態において、Ｒは、それぞれ独立して、アセチル基、ベンゾイル基、ベンズヒドリル基、トリチル基、ピバロイル基、ベンジル基、４－メトキシベンジル基、４－ニトロベンジル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリル基及びｔ－ブチルジフェニルシリル基から選択することができる。
【0078】
別の実施形態において、Ｒは、それぞれ独立して、式：－ＣＯ－Ｒ１で表されるヒドロキシ基保護基から選択することができる。Ｒ１は、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。アルキル基に関する説明は、上記の通りである。アルキル基は、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよいが、直鎖状であることが好ましい。アルキル基の炭素数は、好ましくは１～１０、より好ましくは１～８、より一層好ましくは１～６、より一層好ましくは１～４、より一層好ましくは１～３である。アルキル基は、１以上の置換基を有していてもよい。置換基の数は、好ましくは１～３、より好ましくは１又は２である。１以上の置換基は、それぞれ独立して、置換基群αから選択することができる。１以上の置換基は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、アルキル基、ハロアルキル基、アルキルオキシ基、ハロアルキルオキシ基、アルキルチオ基及びハロアルキルチオ基から選択することが好ましく、ハロゲン原子、炭素数１～３のアルキル基、炭素数１～３のハロアルキル基、炭素数１～３のアルキルオキシ基及び炭素数１～３のハロアルキルオキシ基から選択することがより好ましく、ハロゲン原子、炭素数１～３のアルキル基及び炭素数１～３のアルキルオキシ基から選択することがより一層好ましい。
【0079】
式（Ｉ）において、４個のＲは、異なるヒドロキシ基保護基であってもよいが、ヒドロキシ基保護基の効率的な導入及び除去の観点から、同一のヒドロキシ基保護基であることが好ましい。一実施形態において、４個のＲはすべてアセチル基である。
【0080】
式（Ｉ）において、Ａｒは、
（１）置換基を有していてもよいアルキル基、
（２）置換基を有していてもよいアルケニル基、
（３）置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
（４）置換基を有していてもよいヘテロシクロアルキル基、
（５）置換基を有していてもよいアリール基、
（６）置換基を有していてもよいヘテロアリール基、
（７）置換基を有していてもよいアリールアルキル基、又は、
（８）置換基を有していてもよいアリールアルケニル基を表す。
（１）置換基を有していてもよいアルキル基、
（２）置換基を有していてもよいアルケニル基、
（３）置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
（４）置換基を有していてもよいヘテロシクロアルキル基、
（５）置換基を有していてもよいアリール基、
（６）置換基を有していてもよいヘテロアリール基、
（７）置換基を有していてもよいアリールアルキル基、又は、
（８）置換基を有していてもよいアリールアルケニル基を表す。
【0081】
以下、官能基（１）～（８）について説明する。
【0082】
置換基を有していてもよいアルキル基
アルキル基に関する説明は、上記の通りである。アルキル基は、１以上の置換基を有していてもよい。置換基の数は、好ましくは１～３、より好ましくは１又は２である。１以上の置換基は、それぞれ独立して、置換基群α及びβから選択することができる。置換基群αから１以上の置換基を選択するとともに、置換基群βから１以上の置換基を選択してもよい。
アルキル基に関する説明は、上記の通りである。アルキル基は、１以上の置換基を有していてもよい。置換基の数は、好ましくは１～３、より好ましくは１又は２である。１以上の置換基は、それぞれ独立して、置換基群α及びβから選択することができる。置換基群αから１以上の置換基を選択するとともに、置換基群βから１以上の置換基を選択してもよい。
【0083】
置換基を有していてもよいアルケニル基
アルケニル基に関する説明は、上記の通りである。アルケニル基は、１以上の置換基を有していてもよい。置換基の数は、好ましくは１～３、より好ましくは１又は２である。１以上の置換基は、それぞれ独立して、置換基群α及びβから選択することができる。置換基群αから１以上の置換基を選択するとともに、置換基群βから１以上の置換基を選択してもよい。
アルケニル基に関する説明は、上記の通りである。アルケニル基は、１以上の置換基を有していてもよい。置換基の数は、好ましくは１～３、より好ましくは１又は２である。１以上の置換基は、それぞれ独立して、置換基群α及びβから選択することができる。置換基群αから１以上の置換基を選択するとともに、置換基群βから１以上の置換基を選択してもよい。
【0084】
置換基を有していてもよいシクロアルキル基
シクロアルキル基に関する説明は、上記の通りである。シクロアルキル基は、１以上の置換基を有していてもよい。置換基の数は、好ましくは１～３、より好ましくは１又は２である。１以上の置換基は、それぞれ独立して、置換基群α及びβから選択することができる。置換基群αから１以上の置換基を選択するとともに、置換基群βから１以上の置換基を選択してもよい。
シクロアルキル基に関する説明は、上記の通りである。シクロアルキル基は、１以上の置換基を有していてもよい。置換基の数は、好ましくは１～３、より好ましくは１又は２である。１以上の置換基は、それぞれ独立して、置換基群α及びβから選択することができる。置換基群αから１以上の置換基を選択するとともに、置換基群βから１以上の置換基を選択してもよい。
【0085】
置換基を有していてもよいヘテロシクロアルキル基
ヘテロシクロアルキル基に関する説明は、上記の通りである。ヘテロシクロアルキル基は、１以上の置換基を有していてもよい。置換基の数は、好ましくは１～３、より好ましくは１又は２である。１以上の置換基は、それぞれ独立して、置換基群α及びβから選択することができる。置換基群αから１以上の置換基を選択するとともに、置換基群βから１以上の置換基を選択してもよい。
ヘテロシクロアルキル基に関する説明は、上記の通りである。ヘテロシクロアルキル基は、１以上の置換基を有していてもよい。置換基の数は、好ましくは１～３、より好ましくは１又は２である。１以上の置換基は、それぞれ独立して、置換基群α及びβから選択することができる。置換基群αから１以上の置換基を選択するとともに、置換基群βから１以上の置換基を選択してもよい。
【0086】
置換基を有していてもよいアリール基
アリール基に関する説明は、上記の通りである。アリール基は、１以上の置換基を有していてもよい。置換基の数は、好ましくは１～３、より好ましくは１又は２である。１以上の置換基は、それぞれ独立して、置換基群α及びβから選択することができる。置換基群αから１以上の置換基を選択するとともに、置換基群βから１以上の置換基を選択してもよい。
アリール基に関する説明は、上記の通りである。アリール基は、１以上の置換基を有していてもよい。置換基の数は、好ましくは１～３、より好ましくは１又は２である。１以上の置換基は、それぞれ独立して、置換基群α及びβから選択することができる。置換基群αから１以上の置換基を選択するとともに、置換基群βから１以上の置換基を選択してもよい。
【0087】
置換基を有していてもよいヘテロアリール基
ヘテロアリール基に関する説明は、上記の通りである。ヘテロアリール基は、１以上の置換基を有していてもよい。置換基の数は、好ましくは１～３、より好ましくは１又は２である。１以上の置換基は、それぞれ独立して、置換基群α及びβから選択することができる。置換基群αから１以上の置換基を選択するとともに、置換基群βから１以上の置換基を選択してもよい。
ヘテロアリール基に関する説明は、上記の通りである。ヘテロアリール基は、１以上の置換基を有していてもよい。置換基の数は、好ましくは１～３、より好ましくは１又は２である。１以上の置換基は、それぞれ独立して、置換基群α及びβから選択することができる。置換基群αから１以上の置換基を選択するとともに、置換基群βから１以上の置換基を選択してもよい。
【0088】
置換基を有していてもよいアリールアルキル基
アリールアルキル基に関する説明は、上記の通りである。アリールアルキル基は、１以上の置換基を有していてもよい。置換基の数は、好ましくは１～３、より好ましくは１又は２である。１以上の置換基は、それぞれ独立して、置換基群α及びβから選択することができる。置換基群αから１以上の置換基を選択するとともに、置換基群βから１以上の置換基を選択してもよい。
アリールアルキル基に関する説明は、上記の通りである。アリールアルキル基は、１以上の置換基を有していてもよい。置換基の数は、好ましくは１～３、より好ましくは１又は２である。１以上の置換基は、それぞれ独立して、置換基群α及びβから選択することができる。置換基群αから１以上の置換基を選択するとともに、置換基群βから１以上の置換基を選択してもよい。
【0089】
置換基を有していてもよいアリールアルケニル基
アリールアルケニル基に関する説明は、上記の通りである。アリールアルケニル基は、１以上の置換基を有していてもよい。置換基の数は、好ましくは１～３、より好ましくは１又は２である。１以上の置換基は、それぞれ独立して、置換基群α及びβから選択することができる。置換基群αから１以上の置換基を選択するとともに、置換基群βから１以上の置換基を選択してもよい。
アリールアルケニル基に関する説明は、上記の通りである。アリールアルケニル基は、１以上の置換基を有していてもよい。置換基の数は、好ましくは１～３、より好ましくは１又は２である。１以上の置換基は、それぞれ独立して、置換基群α及びβから選択することができる。置換基群αから１以上の置換基を選択するとともに、置換基群βから１以上の置換基を選択してもよい。
【0090】
式（Ｉ）におけるＡｒは、下記式（ｉｖ）で表されることが好ましい。
【0091】
【化10】
【0092】
式（ｉｖ）において、Ｙ１０は、置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を有していてもよいアリーレン基、又は置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基を表す。アルキレン基の炭素数は、１～１０であることが好ましく、１～８であることがより好ましい。アリーレン基又はヘテロアリーレン基の炭素数は、４～１４であることが好ましく、６～１４であることがより好ましい。
【0093】
Ｙ１０で表されるアルキレン基、アリーレン基又はヘテロアリーレン基は、１以上の置換基を有していてもよく、１以上の置換基は、それぞれ独立して、置換基群αから選択することができる。１以上の置換基は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、アルキル基、ハロアルキル基、アルキルオキシ基、ハロアルキルオキシ基、アルキルチオ基及びハロアルキルチオ基から選択することが好ましく、ハロゲン原子、炭素数１～３のアルキル基、炭素数１～３のハロアルキル基、炭素数１～３のアルキルオキシ基及び炭素数１～３のハロアルキルオキシ基から選択することがより好ましく、ハロゲン原子、炭素数１～３のアルキル基及び炭素数１～３のアルキルオキシ基から選択することがより一層好ましい。
【0094】
Ｙ１０は、置換基を有するアリーレン基であることが好ましく、ハロゲン原子又は炭素数１～３のアルキル基を有するアリーレン基であることがより好ましく、フッ素原子、塩素原子又はメチル基を有するフェニレン基であることがより好ましい。
【0095】
Ｙ１０は、Ａｒの結合手を有する炭素原子の両隣に位置する炭素原子は置換基を有さず、残りの炭素原子は置換基を有していてもよいアリーレン基、又は、Ａｒの結合手を有する炭素原子の両隣に位置する炭素原子若しくはヘテロ原子は置換基を有さず、残りの炭素原子若しくはヘテロ原子は置換基を有していてもよいヘテロアリーレン基であることが好ましい。Ｙ１０は、Ａｒの結合手を有する炭素原子に対してオルト位には置換基を有さず、メタ位及び／又はパラ位には置換基を有していてもよいフェニレン基であることがより好ましい。
【0096】
式（ｉｖ）において、Ｖ１０、Ｗ１０、Ｘ１０、ｂ及びｃは、それぞれ、式（ｉｉ）と同義である。
【0097】
あるいは、式（Ｉ）におけるＡｒは、下記式（ｖｉ）で表されることが好ましい。
【0098】
【化11】
【0099】
式（ｖｉ）において、Ｒ４１及びＲ４２は、それぞれ独立して、水素原子又はアミノ基の保護基を表す。アミノ基の保護基としては、カルバメート系、アシル系、アミド系、スルホンアミド系、フタロイル基等、いずれの保護基を用いてもよい。カルバメート系の保護基としては、例えば、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、９－フルオレニルメチルオキシカルボニル基、２，２，２－トリクロロエトキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基等が挙げられる。アシル系の保護基としては、例えば、アセチル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等が挙げられる。アミド系の保護基としては、例えば、トリフルオロアセチル基等が挙げられる。スルホンアミド系の保護基としては、例えば、ｐ－トルエンスルホニル基、２－ニトロベンゼンスルホニル基等が挙げられる。アミノ基の保護基は、アシル系又はアミド系の保護基であることが好ましい。アミノ基の保護基は、ピバロイル基又はトリフルオロアセチル基であることがより好ましい。Ｒ４１及びＲ４２は、互いに結合してフタロイル基等のアミノ基の保護基を形成していてもよい。Ａｒが式（ｖｉ）の構造を有していると、レムデシビルの中間体として好適に用いることができる。
【0100】
式（Ｉ）におけるＡｒは、Ｃ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）をＳＧＬＴ－２阻害薬の製造原料として使用する観点から、ＳＧＬＴ－２阻害薬が有する官能基と同一であるか、ＳＧＬＴ－２阻害薬が有する官能基を誘導化した官能基であることが好ましい。
【0101】
ここで、カナグリフロジン（１－（β－Ｄ－グリコピラノシル）－４－メチル－３－［５－（４－フルオロフェニル）－２－チエニルメチル］ベンゼン）、エンパグリフロジン（（１Ｓ）－１，５－アンヒドロ－１－Ｃ－｛４－クロロ－３－［（４－｛［（３Ｓ）－オキソラン－３－イル］オキシ｝フェニル）メチル］フェニル｝－Ｄ－グルシトール）、イプラグリフロジン（（１Ｓ）－１，５－アンヒドロ－１－Ｃ－｛３－［（１－ベンゾチオフェン－２－イル）メチル］－４－フルオロフェニル｝－Ｄ－グルシトール－（２Ｓ）－ピロリジン－２－カルボン酸）及びダパグリフロジン（（２Ｓ，３Ｒ，４Ｒ，５Ｓ，６Ｒ）－２－［４－クロロ－３－（４－エチルオキシベンジル）フェニル］－６－（ヒドロキシメチル）テトラヒドロ－２Ｈ－ピラン－３，４，５－チオール）をはじめとするＳＧＬＴ－２阻害剤は、下記式（Ａ）で表される基を有する。
【0102】
したがって、式（Ｉ）におけるＡｒは、下記式（Ａ）で表される基であることが好ましい。
【0103】
【化12】
【0104】
式（Ａ）において、ｄは、０～４の整数を表す。ｄは、好ましくは１～３、より好ましくは１又は２であり、より好ましくは１である。ｄが２以上である場合、ｄ個のＲａは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【0105】
式（Ａ）において、ｄ個のＲａは、それぞれ独立して、置換基群αから選択することができる。ｄ個のＲａは、それぞれ独立して、ハロゲン原子、アルキル基、ハロアルキル基、アルキルオキシ基、ハロアルキルオキシ基、アルキルチオ及びハロアルキルチオ基から選択することが好ましく、ハロゲン原子、炭素数１～３のアルキル基、炭素数１～３のハロアルキル基、炭素数１～３のアルキルオキシ基及び炭素数１～３のハロアルキルオキシ基から選択することがより好ましく、ハロゲン原子、炭素数１～３のアルキル基及び炭素数１～３のアルキルオキシ基から選択することがより一層好ましい。
【0106】
式（Ａ）において、Ａｒ’は、下記式（ｖ）で表される基である。
【0107】
【化13】
【0108】
式（ｖ）において、Ｗ１０、Ｘ１０及びｃは、それぞれ、式（ｉｉ）と同義である。
【0109】
式（Ａ）において、Ａｒ’は、以下の式（Ａｒ’－１）、（Ａｒ’－２）又は（Ａｒ’－３）で表される基であることが好ましい。
【0110】
【化14】
【0111】
式（Ａｒ’－１）、（Ａｒ’－２）及び（Ａｒ’－３）において、ｐは、０～５の整数である。ｐは、好ましくは０～３の整数、より好ましくは０～２の整数、より一層好ましくは０又は１である。
【0112】
式（Ａｒ’－１）、（Ａｒ’－２）及び（Ａｒ’－３）において、ｐ個のＲｂは、それぞれ独立して、置換基群α、置換基群αから選択される１以上の置換基を有していてもよいアリール基、及び、置換基群αから選択される１以上の置換基を有していてもよいヘテロアリール基から選択することができる。ｐ個のＲｂは、それぞれ独立して、置換基群α、及び、置換基群αから選択される１以上の置換基を有していてもよいアリール基から選択することが好ましい。置換基群αから選択される１以上の置換基は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、アルキル基、ハロアルキル基、アルキルオキシ基、ハロアルキルオキシ基、アルキルチオ基、ハロアルキルチオ基、ヘテロシクロアルキルオキシ基及びヘテロシクロアルキルチオ基から選択することが好ましく、ハロゲン原子、炭素数１～３のアルキル基、炭素数１～３のアルキルオキシ基及びヘテロシクロアルキルオキシ基から選択することがより好ましく、フッ素原子、エチルオキシ基及びテトラヒドロフラニルオキシ基から選択することがより好ましい。
【0113】
ｐが２以上である場合、ｐ個のＲｂは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【0114】
式（Ａｒ’－１）において、ｐは、好ましくは１であり、Ｒｂは、好ましくは、置換基を有していてもよいフェニル基であり、より好ましくは、ハロゲン原子を有するフェニル基であり、より好ましくは、フッ素原子を有するフェニル基である。非置換又は置換のフェニル基が結合している位置は、好ましくは、チオフェン環の２位である。ハロゲン原子を有するフェニル基において、ハロゲン原子が結合している位置は、好ましくは、ベンゼン環の４位である。
【0115】
式（Ａｒ’－２）において、ｐは、好ましくは０である。
【0116】
式（Ａｒ’－３）において、ｐは、好ましくは１であり、Ｒｂは、好ましくは、置換基を有していてもよいアルキルオキシ基又は置換基を有していてもよいヘテロシクロアルキルオキシ基である。置換基を有していてもよいアルキルオキシ基は、好ましくは、炭素数１～３のアルキルオキシ基であり、より好ましくは、メトキシ基又はエトキシ基である。置換基を有していてもよいヘテロシクロアルキルオキシ基は、好ましくは、テトラヒドロフラニルオキシ基である。置換基を有していてもよいアルキルオキシ基又は置換基を有していてもよいヘテロシクロアルキルオキシ基が結合している位置は、好ましくは、ベンゼン環の４位である。
【0117】
ｄ＝１である場合、式（Ａ）で表される基は、下記式（Ｂ）で表される基であることが好ましい。
【0118】
【化15】
【0119】
式（Ｂ）において、Ｒａ及びＡｒ’は、式（Ａ）と同義である。
【0120】
式（Ａ）又は（Ｂ）で表される基は、下記式（Ａｒ－１）、（Ａｒ－２）、（Ａｒ－３）又は（Ａｒ－４）で表される基であることが好ましい。なお、「Ｅｔ」は、エチル基を表す。
【0121】
【化16】
【0122】
≪ヒドロキシケトン体（ＩＩ）≫
ヒドロキシケトン体（ＩＩ）は、下記式（ＩＩ）で表される。
ヒドロキシケトン体（ＩＩ）は、下記式（ＩＩ）で表される。
【0123】
【化17】
【0124】
式（ＩＩ）において、Ｒ及びＡｒは、式（Ｉ）と同義である。
【0125】
≪Ｃ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）を製造する方法≫
Ｃ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）は、還元剤の存在下、ヒドロキシケトン体（ＩＩ）と酸とを接触させることにより、Ｃ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）を形成する工程を含む方法により製造することができる。この方法によれば、還元剤の存在下、ヒドロキシケトン体（ＩＩ）と酸とを接触させることにより、環化及び還元が一挙に進行し、１つの工程でＣ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）を得ることができる。なお、還元剤の不存在下でヒドロキシケトン体（ＩＩ）と酸とを接触させても、Ｃ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）は得られない。
Ｃ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）は、還元剤の存在下、ヒドロキシケトン体（ＩＩ）と酸とを接触させることにより、Ｃ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）を形成する工程を含む方法により製造することができる。この方法によれば、還元剤の存在下、ヒドロキシケトン体（ＩＩ）と酸とを接触させることにより、環化及び還元が一挙に進行し、１つの工程でＣ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）を得ることができる。なお、還元剤の不存在下でヒドロキシケトン体（ＩＩ）と酸とを接触させても、Ｃ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）は得られない。
【0126】
ヒドロキシケトン体（ＩＩ）は、市販品であってもよいし、常法に従って製造してもよい。
【0127】
還元剤としては、例えば、シラン化合物が挙げられる。シラン化合物は、Ｈ－Ｓｉ－Ｒ１（－Ｒ２）（－Ｒ３）で表される化合物から選択することができる。Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表す。アルキル基及びアリール基に関する説明は、上記の通りである。アルキル基の炭素数は、好ましくは１～１０、より好ましくは１～８、より一層好ましくは１～６、より一層好ましくは１～４、より一層好ましくは１～３である。アルキル基は、１以上の置換基を有していてもよい。アルキル基が有する置換基の数は、好ましくは１～３、より好ましくは１又は２である。アルキル基が有する１以上の置換基は、それぞれ独立して、置換基群αから選択することができる。アルキル基が有する１以上の置換基は、炭素数１～４のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｔ－ブチル基等）から選択することが好ましい。アリール基は、１以上の置換基を有していてもよい。アリール基が有する置換基の数は、好ましくは１～３、より好ましくは１又は２である。アリール基が有する１以上の置換基は、それぞれ独立して、置換基群αから選択することができる。アリール基が有する１以上の置換基は、炭素数１～４のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｔ－ブチル基等）から選択することが好ましい。
【0128】
一実施形態において、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３のうちの１個が置換基を有していてもよいアルキル基であり、残りの２個が置換基を有していてもよいアリール基である。別の実施形態において、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３のうちの２個が置換基を有していてもよいアルキル基であり、残りの１個が置換基を有していてもよいアリール基である。さらに別の実施形態において、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３の全てが置換基を有していてもよいアルキル基である。さらに別の実施形態において、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３の全てが置換基を有していてもよいアリール基である。Ｒ１、Ｒ２及びＲ３のうちの１個以上が置換基を有していてもよいアルキル基であることが好ましく、２個以上が置換基を有していてもよいアルキル基であることがより好ましく、３個すべてが置換基を有していてもよいアルキル基であることがより一層好ましい。
【0129】
シラン化合物としては、例えば、トリエチルシラン、トリイソプロピルシラン、トリフェニルシラン、ジメチルフェニルシラン、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシラン等が挙げられる。１種のシラン化合物を単独で用いてもよいし、２種以上のシラン化合物を組み合わせて用いてもよい。シラン化合物は、トリエチルシラン、トリイソプロピルシラン及びトリフェニルシランから選択することが好ましく、トリエチルシラン及びトリイソプロピルシランから選択することがより好ましい。
【0130】
還元剤の使用量は、ヒドロキシケトン体（ＩＩ） １モルに対して、例えば１モル以上１０モル以下、好ましくは１モル以上５モル以下である。
【0131】
酸としては、例えば、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体、四塩化チタン、三塩化鉄、四塩化スズ、トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸、塩酸、硫酸、酢酸等が挙げられる。１種の酸を単独で用いてもよいし、２種以上の酸を組み合わせて用いてもよい。酸は、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体、四塩化チタン、三塩化鉄、トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸及びトリフルオロメタンスルホン酸から選択することが好ましく、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体であることがより好ましい。
【0132】
酸の使用量は、ヒドロキシケトン体（ＩＩ） １モルに対して、例えば０．００１モル以上５モル以下、好ましくは０．０１モル以上１０モル以下、より好ましくは０．０５モル以上５モル以下である。
【0133】
ヒドロキシケトン体（ＩＩ）と酸との接触は、溶媒中で行われることが好ましい。ヒドロキシケトン体（ＩＩ）と酸とを溶媒中で混合することにより、ヒドロキシケトン体（ＩＩ）と酸とを接触させることができる。溶媒は、好ましくは有機溶媒である。溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、２－メチルＴＨＦ、１，４－ジオキサン、ｔｅｒｔ－ブチルメチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、ジグライム、塩化メチレン、トルエン、キシレン、アセトニトリル、ヘキサン、ヘプタン等が挙げられる。１種の溶媒を単独で用いてもよいし、２種以上の溶媒を組み合わせて用いてもよい。溶媒は、好ましくは、塩化メチレン、アセトニトリル又はこれらの混合溶媒である。
【0134】
溶媒の使用量は、ヒドロキシケトン体（ＩＩ） １ｇに対して、例えば１ｍＬ以上１００ｍＬ以下、好ましくは２ｍＬ以上２０ｍＬ以下である。
【0135】
還元剤の存在下、ヒドロキシケトン体（ＩＩ）と酸とを接触させる際、接触温度（反応温度）は、例えば－１１０℃以上６０℃以下、好ましくは－６０℃以上５０℃以下、好ましくは－４０℃以上４０℃以下であり、接触時間（反応時間）は、例えば０．５時間以上４８時間以下、好ましくは１時間以上１７時間以下である。
【0136】
得られたＣ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）は、以下の方法で単離することができる。
【0137】
先ず、反応液にクエンチ液（例えば、水、ＨＣｌ水溶液等）を加えて、反応を停止させる。クエンチ液を加えた反応液を撹拌して、水層と有機層とに分離させる。有機層を抽出した後、水層に有機溶媒を加えて、有機層と水層とに再び分離させる。有機層を抽出し、先に抽出した有機層と合わせて総有機層を得る。総有機層を、洗浄液（例えば、水、ＨＣｌ水溶液、飽和ＮａＨＣＯ３水溶液、食塩水等）で洗浄した後、硫酸ナトリウム等を用いて乾燥させて、Ｃ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）を含む残渣を得る。
【0138】
水層に加えられる有機溶媒の具体例は、ヒドロキシケトン体（ＩＩ）と酸とを接触させる際に使用される溶媒の具体例と同様である。１種の有機溶媒を単独で用いてもよいし、２種以上の有機溶媒を組み合わせて用いてもよい。有機溶媒は、好ましくは、塩化メチレン、アセトニトリル又はこれらの混合溶媒である。
【0139】
得られたＣ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）は、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで単離してもよいし、濃縮残渣として未精製のまま次工程で使用してもよい。
【0140】
Ｃ－アリールグリコシド誘導体（Ｉ）の構造は、例えば、核磁気共鳴（ＮＭＲ）分光分析により確認することができる。
【実施例0141】
〔実施例１〕
下記式で示される反応を行い、化合物Ｘｊから、化合物ＸＩＩを製造した。
下記式で示される反応を行い、化合物Ｘｊから、化合物ＸＩＩを製造した。
【0142】
【化18】
【0143】
窒素雰囲気下、丸底フラスコに化合物Ｘｊ（２３０ｍｇ ｃｒｕｄｅ，０．３９ｍｍｏｌ）を加え、ＣＨ２Ｃｌ２（１ｍＬ）で溶解し、０℃に冷却した。次いで、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（ＢＦ３Ｅｔ２Ｏ）（９６μＬ，０．７８ｍｍｏｌ）を１分かけてゆっくりと加え、０℃で５分間撹拌した。次いで、トリエチルシラン（１２４μＬ，０．７８ｍｍｏｌ）を１分かけてゆっくりと加えた。次いで、室温で４時間撹拌し、反応を進行させた。出発物質が完全に消費されたことをＴＬＣで確認した後、反応混合物をメチルｔｅｒｔ－ブチルエーテル（ＭＴＢＥ）で希釈し、ＮａＨＣＯ３飽和水溶液（１０ｍＬ）でクエンチし、二相分離し、有機層を塩水（１０ｍＬ）で洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４で乾燥し、ロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／ｎ－ヘキサン＝３／７）で精製し、化合物ＸＩＩ（５５ｍｇ，化合物Ｘｊからの収率 ２５％）を無色オイル状物質として得た（ジアステレオマー比率（β体：α体）＝３：１，Ｒｆ値 ０．５）。なお、β体が目的物質である。
【0144】
得られた化合物ＸＩＩの核磁気共鳴（ＮＭＲ）分光分析結果及び質量分析（ＨＲＭＳ）結果は、次の通りであった。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ） δ ７．３３（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ），７．２３（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ），７．２０（ｓ，１Ｈ），７．１０（ｓ，２Ｈ），７．０６（ｄｄ，Ｊ＝５．２，３．１Ｈｚ，１Ｈ），６．８３（ｓ，２Ｈ），５．３５－５．３２（ｍ，１Ｈ），５．３１－５．２８（ｍ，１Ｈ），４．９０（ｄｄ，Ｊ＝１３．３，２．３Ｈｚ，２Ｈ），４．６２（ｄｄ，Ｊ＝１２．３，１．９Ｈｚ，１Ｈ），４．３７（ｄｄ，Ｊ＝９．２，３．０Ｈｚ，１Ｈ），４．１４－４．１１（ｍ，１Ｈ），４．０１－３．９５（ｍ，４Ｈ），２．１３（ｄ，Ｊ＝０．６Ｈｚ，３Ｈ），２．０８（ｄ，Ｊ＝０．７Ｈｚ，３Ｈ），２．００（ｄ，Ｊ＝０．６Ｈｚ，３Ｈ），１．８１（ｄ，Ｊ＝０．７Ｈｚ，３Ｈ），１．３８（ｔｄ，Ｊ＝６．９，０．５Ｈｚ，３Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２６ＭＨｚ） δ １７０．７，１６９．７，１６９．４，１５７．６，１３９．２，１３８．９，１３７．３，１３４．４，１３３．７，１３１．２，１２９．９，１２９．５，１２９．３，１２８．５，１２６．１，１２５．３，１１４．６，８５．７，８３．３，８２．２，７８．５，７８．１，７７．４，７７．２，７６．９，７５．３，６７．８，６３．７，６３，３８．５，２９．８，２０．８９５，２０．６，２０．４，１５．０．
質量分析（ＨＲＭＳ）：［Ｍ＋Ｎａ］＋ 計算値 Ｃ２９Ｈ３３ＣｌＯ１０ ５９９．１６６０，実測値 ５９９．１６５４．
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ） δ ７．３３（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ），７．２３（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ），７．２０（ｓ，１Ｈ），７．１０（ｓ，２Ｈ），７．０６（ｄｄ，Ｊ＝５．２，３．１Ｈｚ，１Ｈ），６．８３（ｓ，２Ｈ），５．３５－５．３２（ｍ，１Ｈ），５．３１－５．２８（ｍ，１Ｈ），４．９０（ｄｄ，Ｊ＝１３．３，２．３Ｈｚ，２Ｈ），４．６２（ｄｄ，Ｊ＝１２．３，１．９Ｈｚ，１Ｈ），４．３７（ｄｄ，Ｊ＝９．２，３．０Ｈｚ，１Ｈ），４．１４－４．１１（ｍ，１Ｈ），４．０１－３．９５（ｍ，４Ｈ），２．１３（ｄ，Ｊ＝０．６Ｈｚ，３Ｈ），２．０８（ｄ，Ｊ＝０．７Ｈｚ，３Ｈ），２．００（ｄ，Ｊ＝０．６Ｈｚ，３Ｈ），１．８１（ｄ，Ｊ＝０．７Ｈｚ，３Ｈ），１．３８（ｔｄ，Ｊ＝６．９，０．５Ｈｚ，３Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２６ＭＨｚ） δ １７０．７，１６９．７，１６９．４，１５７．６，１３９．２，１３８．９，１３７．３，１３４．４，１３３．７，１３１．２，１２９．９，１２９．５，１２９．３，１２８．５，１２６．１，１２５．３，１１４．６，８５．７，８３．３，８２．２，７８．５，７８．１，７７．４，７７．２，７６．９，７５．３，６７．８，６３．７，６３，３８．５，２９．８，２０．８９５，２０．６，２０．４，１５．０．
質量分析（ＨＲＭＳ）：［Ｍ＋Ｎａ］＋ 計算値 Ｃ２９Ｈ３３ＣｌＯ１０ ５９９．１６６０，実測値 ５９９．１６５４．