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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-05-12
(45)【発行日】2023-05-22
(54)【発明の名称】ＳｉＣ半導体基板及びその製造方法及びその製造装置
(51)【国際特許分類】
C30B 29/36 20060101AFI20230515BHJP
C30B 25/20 20060101ALI20230515BHJP
H01L 21/205 20060101ALI20230515BHJP
【ＦＩ】
C30B29/36 A
C30B25/20
H01L21/205
【請求項の数】
18
(21)【出願番号】P 2020556059
(86)(22)【出願日】2019-11-05
(86)【国際出願番号】 JP2019043203
(87)【国際公開番号】W WO2020095872
(87)【国際公開日】2020-05-14
【審査請求日】2022-02-22
(31)【優先権主張番号】P 2018208475
(32)【優先日】2018-11-05
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】503092180
【氏名又は名称】学校法人関西学院
(73)【特許権者】
【識別番号】000241485
【氏名又は名称】豊田通商株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100137338
【弁理士】
【氏名又は名称】辻田 朋子
(74)【代理人】
【識別番号】100196313
【弁理士】
【氏名又は名称】村松 大輔
(72)【発明者】
【氏名】金子 忠昭
(72)【発明者】
【氏名】芦田 晃嗣
(72)【発明者】
【氏名】井原 知也
(72)【発明者】
【氏名】堂島 大地
【審査官】有田 恭子
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１８－１１３３０３（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１７／０１８５３３（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１７－０５９６７０（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１４／１９９６１５（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１７／１８８３８１（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１４／１２５５５０（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１８／１７４１０５（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ３０Ｂ １／００－３５／００
Ｈ０１Ｌ ２１／２０５
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ＳｉＣ基板の歪層を除去する歪層除去工程と、１ユニットセル高さのステップが表面に配列したＳｉＣ基板であって、前記歪層除去工程に供された前記ＳｉＣ基板を、前記ＳｉＣ基板のテラス幅が増大する条件で成長させるエピタキシャル成長工程と、を含む、ＳｉＣ半導体基板の製造方法。
【請求項2】
前記エピタキシャル成長工程は、ＳｉＣ－Ｃ平衡蒸気圧環境下で成長させる、請求項１に記載のＳｉＣ半導体基板の製造方法。
【請求項3】
前記エピタキシャル成長工程は、原料供給空間内の原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下となるよう、Ｓｉ原子供給源及びＣ原子供給源を配置して成長させる、請求項１又は請求項２に記載のＳｉＣ半導体基板の製造方法。
【請求項4】
前記エピタキシャル成長工程は、ＣＶＤ法を用いて前記ＳｉＣ基板をＣリッチ環境下で成長させる、請求項１に記載のＳｉＣ半導体基板の製造方法。
【請求項5】
前記エピタキシャル成長工程は、オフ方向が＜１１－２０＞であるＳｉＣ基板に対して成長させた際に、ステップ端形状がジグザグ形状のマクロステップバンチングが形成される成長条件でエピタキシャル成長を行う、請求項１～４の何れかに記載のＳｉＣ半導体基板の製造方法。
【請求項6】
前記エピタキシャル成長工程は、１６００℃以上の温度で行う、請求項１～５の何れかに記載のＳｉＣ半導体基板の製造方法。
【請求項7】
前記エピタキシャル成長工程後に、マクロステップバンチングを分解させるバンチング分解工程をさらに含む、請求項１～６の何れかに記載のＳｉＣ半導体基板の製造方法。
【請求項8】
基底面転位を有するバルク層と、前記基底面転位を基底面転位以外に変換させる成長層と、を備え、
前記成長層における前記基底面転位の変換率は９９．９５％より大きく、
前記バルク層の表面は、１ユニットセル高さのステップが配列している、ＳｉＣ半導体基板。
【請求項9】
歪層を有さず、かつ１ユニットセル高さのステップが表面に配列したＳｉＣ基板に対して、前記ＳｉＣ基板のテラス幅が増大する条件で成長させるエピタキシャル成長工程を含む、ＳｉＣ半導体基板の基底面転位を低減する方法。
【請求項10】
歪層を有さず、かつ１ユニットセル高さのステップが表面に配列したＳｉＣ基板に対して、前記ＳｉＣ基板をＳｉＣ－Ｃ平衡蒸気圧環境下でエピタキシャル成長させるエピタキシャル成長工程を含む、ＳｉＣ半導体基板の基底面転位を低減する方法。
【請求項11】
前記エピタキシャル成長工程は、テラス幅が４０ｎｍ未満である前記ＳｉＣ基板にエピタキシャル成長させる、請求項９又は請求項１０に記載のＳｉＣ半導体基板の基底面転位を低減する方法。
【請求項12】
前記エピタキシャル成長工程は、原料供給空間内の原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下となるよう、Ｓｉ原子供給源及びＣ原子供給源を配置して成長させる、請求項９～１１の何れかに記載のＳｉＣ半導体基板の基底面転位を低減する方法。
【請求項13】
歪層を有さず、かつ１ユニットセル高さのステップが表面に配列したＳｉＣ基板に対して、前記ＳｉＣ基板をＳｉＣ－Ｃ平衡蒸気圧環境下で成長させるエピタキシャル成長工程を含む、ＳｉＣ半導体基板の製造方法。
【請求項14】
前記エピタキシャル成長工程は、テラス幅が４０ｎｍ未満である前記ＳｉＣ基板にエピタキシャル成長させる、請求項１３に記載のＳｉＣ半導体基板の製造方法。
【請求項15】
前記エピタキシャル成長工程は、原料供給空間内の原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下となるよう、Ｓｉ原子供給源及びＣ原子供給源を配置して成長させる、請求項１３又は請求項１４に記載のＳｉＣ半導体基板の製造方法。
【請求項16】
基底面転位を有するバルク層と、前記基底面転位を基底面転位以外に変換させる成長層と、を備え、
前記バルク層の表面の基底面転位の密度は、２０００個／ｃｍ２以上であり、前記成長層の表面の基底面転位の密度は、１００個／ｃｍ２以下であり、
前記バルク層の表面は、１ユニットセル高さのステップが配列している、ＳｉＣ半導体基板。
【請求項17】
前記成長層の表面の基底面転位の密度は、１個／ｃｍ２未満である、請求項１６に記載のＳｉＣ半導体基板。
【請求項18】
前記成長層の表面の基底面転位の密度は、０個／ｃｍ２である、請求項１６に記載のＳｉＣ半導体基板。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ＳｉＣ半導体基板及びその製造方法及びその製造装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
ＳｉＣ（炭化珪素）基板上にＳｉＣをエピタキシャル成長させたエピタキシャルウェハには、多くの結晶欠陥・転位が存在しており、これらがＳｉＣ半導体デバイスの特性に悪影響を与えている。
【0003】
特に、エピタキシャル成長させた層（以下、エピ層という。）中の基底面転位（ＢＰＤ：Ｂａｓａｌ Ｐｌａｎｅ Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ）は、ＳｉＣ半導体デバイスをバイポーラ動作させた際に積層欠陥に拡張する。この積層欠陥は、ＳｉＣ半導体デバイスのオン電圧を上昇させ、バイポーラ劣化の発生につながるため、エピ層中のＢＰＤを低減する技術が強く求められている。
【0004】
ＢＰＤは、通常、ＳｉＣ基板中に数百～数千個／ｃｍ２の密度で存在している。これらＢＰＤの多くは、エピタキシャル成長中に貫通刃状転位（ＴＥＤ：Ｔｈｒｅａｄｉｎｇ Ｅｄｇｅ Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ）に変換されることが知られている。しかしながら、ＢＰＤの一部は、（例えば、０．１～数個／ｃｍ２の密度で）エピ層へ引き継がれてしまうという問題あった。
【0005】
このような問題に対し、ＴＥＤへの変換率を向上させる技術が種々提案されている。例えば、特許文献１や特許文献２には、ＳｉＣ基板に含まれる転位に対応するピットを形成し、その後ピットが形成された表面に対してエピタキシャル成長を施すことで、エピ層内のＢＰＤの密度を低減することが可能な技術が記載されている。
【0006】
しかしながら、非特許文献１には、ピットが形成された表面にエピタキシャル成長を行う際、エピタキシャル成長時にピットの形状が引き継がれてしまい、エピ層の表面が荒れてしまうという問題が指摘されている。
さらに、非特許文献２には、このようなエピ層に作りこまれたｐｎ接合ダイオードでは、オン状態の特性の信頼性はＢＰＤ密度の減少によって確かに向上しているものの、オフ状態の特性は逆に悪化することが報告されている。
さらに、非特許文献２には、このようなエピ層に作りこまれたｐｎ接合ダイオードでは、オン状態の特性の信頼性はＢＰＤ密度の減少によって確かに向上しているものの、オフ状態の特性は逆に悪化することが報告されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【文献】特表２００７－５０６２８９号公報
【文献】特開２０１７－７１５２５号公報
【非特許文献】
【0008】
【文献】Ａｐｐｌ.Ｐｈｙｓ.Ｌｅｔｔ.２００６，８９（８），Ｎｏ.０８１９１０．
【文献】Ｍａｔｅｒ．Ｓｃｉ．Ｆｏｒｕｍ．５２７－５２９，（２００６）ｐｐ．１３２９－１３３４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
本発明は、エピ層中のＢＰＤ密度を低減可能なＳｉＣ半導体基板の製造方法及びその製造装置を提供することを課題とする。
また、本発明は、ＢＰＤの変換率が９９．９５％より大きい成長層を有するＳｉＣ半導体基板及びその製造方法及びその製造装置を提供することを課題とする。
また、本発明は、ＢＰＤの変換率が９９．９５％より大きい成長層を有するＳｉＣ半導体基板及びその製造方法及びその製造装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記課題を解決するため、本発明の一態様のＳｉＣ半導体基板の製造方法は、ＳｉＣ基板の表面に導入された歪層を除去する歪層除去工程と、前記ＳｉＣ基板のテラス幅が増大する条件で成長させるエピタキシャル成長工程と、を含む。
【0011】
このように、歪層を除去したＳｉＣ基板に対し、テラス幅を増大させる条件でエピタキシャル成長させるエピタキシャル成長工程を含むことにより、成長層中のＢＰＤ密度を低減させることができる。
【0012】
この態様において、前記エピタキシャル成長工程は、ＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境下で成長させる。
このように、ＳｉＣ基板をＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境下で成長させるエピタキシャル成長工程を含むことにより、成長層中のＢＰＤ密度を低減させることができる。
このように、ＳｉＣ基板をＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境下で成長させるエピタキシャル成長工程を含むことにより、成長層中のＢＰＤ密度を低減させることができる。
【0013】
この態様において、前記エピタキシャル成長工程は、原料供給空間内の原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下となるよう、Ｓｉ原子供給源及びＣ原子供給源を配置して成長させる。
このように、Ｓｉ原子供給源及びＣ原子供給源を配置することにより、原料供給空間内にＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境を形成することができる。
このように、Ｓｉ原子供給源及びＣ原子供給源を配置することにより、原料供給空間内にＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境を形成することができる。
【0014】
この態様において、前記エピタキシャル成長工程は、ＣＶＤ法を用いて前記ＳｉＣ基板をＣリッチ環境下で成長させる。
このように、ＣＶＤ法を用いてＳｉＣ基板をＣリッチ環境下で成長させるエピタキシャル成長工程を含むことにより、成長層中のＢＰＤ密度を低減させることができる。
このように、ＣＶＤ法を用いてＳｉＣ基板をＣリッチ環境下で成長させるエピタキシャル成長工程を含むことにより、成長層中のＢＰＤ密度を低減させることができる。
【0015】
この態様において、前記エピタキシャル成長工程は、マクロステップバンチングが形成されていないＳｉＣ基板に対して成長させる。
このように、マクロステップバンチングが形成されていない表面に対して成長させるエピタキシャル成長工程を含むことにより、成長層中のＢＰＤ変換率を９９．９５％より大きくすることができる。
このように、マクロステップバンチングが形成されていない表面に対して成長させるエピタキシャル成長工程を含むことにより、成長層中のＢＰＤ変換率を９９．９５％より大きくすることができる。
【0016】
この態様において、前記エピタキシャル成長工程は、オフ方向が＜１１－２０＞であるＳｉＣ基板に対して成長させた際に、ステップ端形状がジグザグ形状のマクロステップバンチングが形成される成長条件でエピタキシャル成長を行う。
【0017】
この態様において、前記エピタキシャル成長工程は、１６００℃以上の温度で行う。
このような温度領域でエピタキシャル成長を行うことにより、高品質かつ高速に成長層を形成することができる。
このような温度領域でエピタキシャル成長を行うことにより、高品質かつ高速に成長層を形成することができる。
【0018】
この態様において、前記エピタキシャル成長工程後に、マクロステップバンチングを分解させるバンチング分解工程をさらに含む。
このように、成長層上のＭＳＢを分解するバンチング分解工程を含むことにより、ＳｉＣ半導体デバイスに好ましい表面を提供することができる。
このように、成長層上のＭＳＢを分解するバンチング分解工程を含むことにより、ＳｉＣ半導体デバイスに好ましい表面を提供することができる。
【0019】
また、本発明はＳｉＣ半導体基板にも関する。すなわち、本発明の一態様のＳｉＣ半導体基板は、基底面転位を有するバルク層と、前記基底面転位を基底面転位以外に変換させる成長層と、を備え、前記成長層における前記基底面転位の変換率は９９．９５％より大きい。
このように、成長層における前記基底面転位の変換率が９９．９５％より大きいことにより、ＢＰＤ起因の積層欠陥の発生を抑制することができる。
このように、成長層における前記基底面転位の変換率が９９．９５％より大きいことにより、ＢＰＤ起因の積層欠陥の発生を抑制することができる。
【0020】
この態様において、前記バルク層の表面は、１ユニットセル高さのステップが配列している。
このように、バルク層の表面が１ユニットセル高さのステップが配列していることにより、成長層における前記基底面転位の変換率が９９．９５％より大きくなる。すなわち、ＢＰＤ起因の積層欠陥の発生を抑制することができる。
このように、バルク層の表面が１ユニットセル高さのステップが配列していることにより、成長層における前記基底面転位の変換率が９９．９５％より大きくなる。すなわち、ＢＰＤ起因の積層欠陥の発生を抑制することができる。
【0021】
また、本発明は、上述したＳｉＣ半導体基板の製造装置にも関する。すなわち、本発明の一態様のＳｉＣ半導体基板の製造装置は、ＳｉＣ基板にＳｉ原子及びＣ原子を供給して成長させる原料供給空間と、前記原料供給空間を加熱可能な高温真空炉と、を備え、前記原料供給空間は、Ｓｉ原子供給源と、Ｃ原子供給源と、を有し、前記Ｓｉ原子供給源及び前記Ｃ原子供給源は、前記原料供給空間内の原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下となるよう配置される。
このような構成とすることにより、原料供給空間内にＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境を形成してＳｉＣ基板を成長させることができる。その結果、成長層中のＢＰＤを低減することができる。
このような構成とすることにより、原料供給空間内にＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境を形成してＳｉＣ基板を成長させることができる。その結果、成長層中のＢＰＤを低減することができる。
【0022】
この態様において、Ｓｉ蒸気圧環境が形成されるＳｉ蒸気圧空間をさらに備え、前記原料供給空間は、前記Ｓｉ蒸気圧空間を介して排気される。
このように、原料供給空間は、Ｓｉ蒸気圧空間を介して排気（真空引き）されることにより、原料供給空間内のＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境を長時間維持することができる。
このように、原料供給空間は、Ｓｉ蒸気圧空間を介して排気（真空引き）されることにより、原料供給空間内のＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境を長時間維持することができる。
【0023】
この態様において、前記原料供給空間を有する原料容器と、前記Ｓｉ蒸気圧空間を有する浸炭容器と、を備える。
【0024】
この態様において、前記原料供給空間内には、前記ＳｉＣ基板に向かって温度が下がるような温度勾配が設けられている。
このような温度勾配が設けられていることにより、効率よく原料をＳｉＣ基板へ輸送することができる。
このような温度勾配が設けられていることにより、効率よく原料をＳｉＣ基板へ輸送することができる。
【0025】
この態様において、前記高温真空炉は、前記原料供給空間を加熱可能な本加熱室と、前記本加熱室に接続する予備加熱室と、前記原料供給空間を移動させる移動手段と、を有し、前記移動手段は、前記本加熱室と前記予備加熱室の間を移動可能に構成されている。
このように、原料供給空間を本加熱室から予備加熱室へ移動可能な構成とすることにより、ＳｉＣ基板を急速に昇温及び降温させることが可能である。
このように、原料供給空間を本加熱室から予備加熱室へ移動可能な構成とすることにより、ＳｉＣ基板を急速に昇温及び降温させることが可能である。
【0026】
また、本発明は、ＳｉＣ半導体基板の基底面転位を低減する方法にも関する。すなわち、本発明の一態様のＳｉＣ半導体基板の基底面転位を低減する方法は、ＳｉＣ基板に単結晶ＳｉＣを成長させるエピタキシャル成長工程を含むＳｉＣ半導体基板の製造方法において、ＳｉＣ基板のテラス幅が増大する条件で成長させるエピタキシャル成長工程を含む、ＳｉＣ半導体基板の基底面転位を低減する方法である。
【0027】
本発明の一態様のＳｉＣ半導体基板の基底面転位を低減する方法は、ＳｉＣ基板に単結晶ＳｉＣを成長させるエピタキシャル成長工程を含むＳｉＣ半導体基板の製造方法において、前記ＳｉＣ基板をＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境下でエピタキシャル成長させることにより、ＳｉＣ半導体基板の基底面転位を低減する方法である。
【0028】
この態様において、前記エピタキシャル成長工程は、テラス幅が４０ｎｍ未満である前記ＳｉＣ基板にエピタキシャル成長させる。
【0029】
この態様において、前記エピタキシャル成長工程は、原料供給空間内の原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下となるよう、Ｓｉ原子供給源及びＣ原子供給源を配置して成長させる。
【0030】
この態様において、前記エピタキシャル成長工程は、マクロステップバンチングが形成されていないＳｉＣ基板に対して成長させる。
【0031】
また、本発明はＳｉＣ半導体基板の製造方法にも関する。すなわち、本発明の一態様のＳｉＣ半導体基板の製造方法は、ＳｉＣ基板をＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境下で成長させるエピタキシャル成長工程を含む。
【0032】
この態様において、前記エピタキシャル成長工程は、テラス幅が４０ｎｍ未満である前記ＳｉＣ基板にエピタキシャル成長させる。
【0033】
この態様において、前記エピタキシャル成長工程は、原料供給空間内の原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下となるよう、Ｓｉ原子供給源及びＣ原子供給源を配置して成長させる。
【0034】
この態様において、前記エピタキシャル成長工程は、マクロステップバンチングが形成されていないＳｉＣ基板に対して成長させる。
【0035】
また、本発明の一態様のＳｉＣ半導体基板は、基底面転位を有するバルク層と、前記基底面転位を基底面転位以外に変換させる成長層と、を備え、前記バルク層の表面の基底面転位の密度は、２０００個／ｃｍ２以上であり、前記成長層の表面の基底面転位の密度は、１００個／ｃｍ２以下である。
【0036】
また、本発明の一態様のＳｉＣ半導体基板は、基底面転位を有するバルク層と、前記基底面転位を基底面転位以外に変換させる成長層と、を備え、前記バルク層の表面の基底面転位の密度は、２０００個／ｃｍ２以上であり、前記成長層の表面の基底面転位の密度は、１個／ｃｍ２未満である。
【0037】
また、本発明の一態様のＳｉＣ半導体基板は、基底面転位を有するバルク層と、前記基底面転位を基底面転位以外に変換させる成長層と、を備え、前記バルク層の表面の基底面転位の密度は、２０００個／ｃｍ２以上であり、前記成長層の表面の基底面転位の密度は、０個／ｃｍ２である。
【発明の効果】
【0038】
開示した技術によれば、成長層中の基底面転位（ＢＰＤ）の密度を低減可能なＳｉＣ半導体基板の製造方法及びその装置を提供することができる。
また、本発明は、ＢＰＤの変換率が９９．９５％より大きい成長層を有するＳｉＣ半導体基板及びその製造方法及びその製造装置を提供することができる。
また、本発明は、ＢＰＤの変換率が９９．９５％より大きい成長層を有するＳｉＣ半導体基板及びその製造方法及びその製造装置を提供することができる。
【0039】
他の課題、特徴及び利点は、図面及び特許請求の範囲とともに取り上げられる際に、以下に記載される発明を実施するための形態を読むことにより明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0040】
【図1】一実施の形態のＳｉＣ半導体基板の製造工程を示す概略図である。
【図2】一実施の形態のＳｉＣ半導体基板の製造工程における歪層除去工程からバンチング分解工程までを示す説明図である。
【図3】一実施の形態のＳｉＣ半導体基板の製造工程の歪層除去工程の説明図である。
【図4】一実施の形態のＳｉＣ半導体基板の製造工程の歪層除去工程の説明図である。
【図5】一実施の形態のＳｉＣ半導体基板の製造工程の歪層除去工程の説明図である。
【図6】一実施の形態のＳｉＣ半導体基板の製造工程のエピタキシャル成長工程の説明図である。
【図7】一実施の形態のＳｉＣ半導体基板の製造工程のエピタキシャル成長工程の説明図である。
【図8】一実施の形態のＳｉＣ半導体基板の製造工程のエピタキシャル成長工程の説明図である。
【図9】一実施の形態のＳｉＣ半導体基板の製造工程のＢＰＤ変換率を求める手法の説明図である。
【図10】一実施の形態のＳｉＣ半導体基板の製造工程で用いる高温真空炉の概略図である。
【図11】一実施の形態のＳｉＣ半導体基板の製造工程のＢＰＤ変換率とテラス幅増大率の関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0041】
以下、本発明を図面に示した好ましい一実施形態について、図１～図１１を用いて詳細に説明する。本発明の技術的範囲は、添付図面に示した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、適宜変更が可能である。
【0042】
［ＳｉＣ半導体基板の製造方法］
以下、本発明の一実施形態であるＳｉＣ半導体基板の製造方法について詳細に説明する。
以下、本発明の一実施形態であるＳｉＣ半導体基板の製造方法について詳細に説明する。
【0043】
本発明の一実施形態であるＳｉＣ半導体基板の製造方法は、図１に示すように、ＳｉＣ基板１０の表面に導入された歪層１１を除去する歪層除去工程（ステップＳ１０）と、ＳｉＣ基板１０のテラス幅Ｗが増大する条件で成長させるエピタキシャル成長工程（ステップＳ２０）と、エピタキシャル成長工程Ｓ２０中に形成されたマクロステップバンチング（ＭＳＢ：Ｍａｃｒｏ Ｓｔｅｐ Ｂｕｎｃｈｉｎｇ）を分解させるバンチング分解工程（ステップＳ３０）と、を含む。
【0044】
このように、歪層１１が除去されたＳｉＣ基板１０を、テラス幅Ｗが増大する条件で成長させることにより、ＢＰＤが他の欠陥・転位に変換される変換率（ＢＰＤ変換率）を向上させ、成長層１３中のＢＰＤ密度を低減することができる。このテラス幅Ｗが増大する条件とは、成長前のテラス幅Ｗ１と比較して成長後のテラス幅Ｗ２が増大する条件であり、例えば、ＳｉＣ－Ｃ平衡蒸気圧環境やＣリッチ環境で成長させることで実現することができる。
【0045】
なお、歪層除去工程Ｓ１０においては、歪層１１を除去すると共に、ＳｉＣ基板１０表面のＭＳＢを分解する手法を用いることが望ましい。また、歪層１１を除去する歪層除去工程Ｓ１０後に、別途、ＭＳＢを分解させるバンチング分解工程Ｓ１１をさらに含んでも良い（図１参照）。
【0046】
＜ＳｉＣ基板＞
ＳｉＣ基板１０としては、何れのポリタイプのものも用いることができる。ＳｉＣ半導体デバイスの基板としては昇華法等で作製したバルク結晶から加工したＳｉＣ基板１０を用いる。
ＳｉＣ基板１０としては、何れのポリタイプのものも用いることができる。ＳｉＣ半導体デバイスの基板としては昇華法等で作製したバルク結晶から加工したＳｉＣ基板１０を用いる。
【0047】
通常、機械的な加工（スライスや研磨・研削）を経たＳｉＣ基板１０は、図２に示すように、歪み１１１や傷１１２、潜傷１１３等の加工ダメージが導入された歪層１１と、このような加工ダメージが導入されていないバルク層１２と、を有している。
この歪層１１の有無は、ＳＥＭ－ＥＢＳＤやＴＥＭ、μＸＲＤ等で確認することができる。
この歪層１１の有無は、ＳＥＭ－ＥＢＳＤやＴＥＭ、μＸＲＤ等で確認することができる。
【0048】
本明細書中の説明においては、ＳｉＣ基板１０の半導体素子を作る面（具体的には成長層１３を堆積する面）を主面といい、この主面に相対する面を裏面という。また、主面及び裏面を合わせて表面という。
【0049】
なお、主面としては、（０００１）面や（０００－１）面から数度（例えば、０．４～８°）のオフ角を設けた表面を例示することができる。（なお、本明細書では、ミラー指数の表記において、“－”はその直後の指数につくバーを意味する）。
【0050】
原子レベルで平坦化されたＳｉＣ基板１０及び成長層１３を堆積したＳｉＣ半導体基板１４の表面には、ステップ－テラス構造が確認される。このステップ－テラス構造は、１分子層以上の段差部位であるステップ１５と、{０００１}面が露出した平坦部位であるテラス１６と、が交互に並んだ階段構造となっている。
【0051】
ステップ１５は、１分子層（０．２５ｎｍ）が最小高さ（最小単位）であり、この１分子層が複数層重なることで、様々なステップ高さを形成している。本明細書中の説明においては、ステップ１５が束化（バンチング）して巨大化し、各ポリタイプの１ユニットセルを超えた高さを有するものをマクロステップバンチング（ＭＳＢ：Ｍａｃｒｏ Ｓｔｅｐ Ｂｕｎｃｈｉｎｇ）という。
【0052】
すなわち、ＭＳＢとは、４Ｈ-ＳｉＣの場合には４分子層を超えて（５分子層以上）バンチングしたステップ１５であり、６Ｈ-ＳｉＣの場合には６分子層を超えて（７分子層以上）バンチングしたステップ１５である。
【0053】
＜歪層除去工程＞
歪層除去工程Ｓ１０は、ＳｉＣ基板１０の表面に存在する歪層１１を除去する工程である。この歪層除去工程Ｓ１０は、歪層１１を除去可能な手法であれば当然に採用することができ、Ｓｉ蒸気圧エッチング法やＨ２エッチング法等を例示することができる。
以下、本工程の実施形態について説明する。
歪層除去工程Ｓ１０は、ＳｉＣ基板１０の表面に存在する歪層１１を除去する工程である。この歪層除去工程Ｓ１０は、歪層１１を除去可能な手法であれば当然に採用することができ、Ｓｉ蒸気圧エッチング法やＨ２エッチング法等を例示することができる。
以下、本工程の実施形態について説明する。
【0054】
（１）Ｓｉ蒸気圧エッチング法
Ｓｉ蒸気圧エッチング法（ＳｉＶＥ：Ｓｉ-Ｖａｐｏｒ Ｅｔｃｈｉｎｇ）は、Ｓｉ雰囲気下で、ＳｉＣ基板１０の温度を約１４００～２３００℃に加熱することで、ＳｉＣ基板１０表面をエッチングする手法である。
Ｓｉ蒸気圧エッチング法（ＳｉＶＥ：Ｓｉ-Ｖａｐｏｒ Ｅｔｃｈｉｎｇ）は、Ｓｉ雰囲気下で、ＳｉＣ基板１０の温度を約１４００～２３００℃に加熱することで、ＳｉＣ基板１０表面をエッチングする手法である。
【0055】
本発明の実施形態に係るＳｉ蒸気圧エッチング法では、図３（ａ）に示すように、Ｃ原子吸蔵機能（浸炭機能）を有した浸炭容器２０内にＳｉＣ基板１０を収容して加熱する。浸炭容器２０は、容器内のＣ原子を内壁面から浸炭容器２０内に取り込むことができ、浸炭容器２０内にＳｉ蒸気圧空間Ｓ１を形成することができる。これにより、Ｓｉ蒸気圧空間Ｓ１にＳｉＣ基板１０が配置され、ＳｉＣ基板１０表面のエッチングが達成される。
【0056】
浸炭容器２０は、Ｓｉ蒸気圧空間Ｓ１内にＳｉＣ基板１０を収容可能な構成であればよく、例えば、上容器２１と、この上容器２１に嵌合可能な下容器２２と、を備えている。この浸炭容器２０は、上容器２１と下容器２２の嵌合部には、微小な間隙２３が形成されており、この間隙２３から浸炭容器２０内が排気される。
【0057】
浸炭容器２０の内壁面は、複数の層から構成されており、Ｓｉ蒸気圧空間Ｓ１側から外部側に向かって順に、タンタルシリサイド層２４（ＴａＳｉ２又はＴａ５Ｓｉ３等）、タンタルカーバイド層２５（ＴａＣ及びＴａ２Ｃ）、タンタル層２６（Ｔａ）、を有している。
【0058】
このタンタルシリサイド層２４は、加熱することで浸炭容器２０のＳｉ蒸気圧空間Ｓ１内にＳｉ原子を供給する。さらに、浸炭容器２０は内側から、タンタルシリサイド層２４、タンタルカーバイド層２５、タンタル層２６が形成されていることにより、Ｓｉ蒸気圧空間Ｓ１内に存在するＣ原子を容器自体に取り込む（浸炭させる）ことができる。その結果、Ｓｉ蒸気圧空間Ｓ１内を高純度のＳｉ雰囲気とすることができる。
このように、Ｃ原子を取り込んでＳｉ蒸気圧空間Ｓ１にＳｉ蒸気圧環境を形成可能であれば、浸炭容器２０として採用することができる。
このように、Ｃ原子を取り込んでＳｉ蒸気圧空間Ｓ１にＳｉ蒸気圧環境を形成可能であれば、浸炭容器２０として採用することができる。
【0059】
また、タンタルシリサイド層２４を設けることに代えて、Ｓｉ基板等のＳｉ原子供給源をＳｉ蒸気圧空間Ｓ1内に配置しても良い。この場合、加熱時にＳｉ原子が昇華することで、Ｓｉ蒸気圧空間Ｓ１内を高純度のＳｉ雰囲気とすることができる。
【0060】
本手法におけるＳｉ蒸気圧空間Ｓ１内の原子数比Ｓｉ／Ｃは、タンタルシリサイド層２４の組成を選択することにより、制御することができる。すなわち、タンタルシリサイド層２４の組成により、浸炭容器２０のＳｉ蒸気圧空間Ｓ１へのＳｉ供給量が異なる。例えば、Ｔａ５Ｓｉ３は、ＴａＳｉ２と比べて加熱時のＳｉ供給量が多い。そのため、Ｔａ５Ｓｉ３を選択することでＳｉ蒸気圧空間Ｓ１内の原子数比Ｓｉ／Ｃを増大させて、ＳｉＣ基板１０のエッチング速度を向上させることができる。
【0061】
さらに、浸炭容器２０の加熱温度により、Ｓｉ蒸気圧空間Ｓ１へのＳｉ供給量が異なる。具体的には、高温で加熱する程Ｓｉ供給量が多くなるため、ＳｉＣ基板１０のエッチング速度を向上させることができる。
【0062】
このように、浸炭容器２０内に形成されたタンタルシリサイド層２４の種類と、浸炭容器２０の加熱温度と、を選択することで、Ｓｉ蒸気圧空間Ｓ１のＳｉ蒸気圧量を調整し、ＳｉＣ基板１０のエッチング速度を制御することができる。
【0063】
本手法における加熱温度は、好ましくは１４００～２２００℃の範囲で設定され、より好ましくは１４００～２０００℃の範囲で設定される。
本手法におけるタンタルシリサイド層２４の組成は、好ましくはＴａＳｉ２，Ｔａ５Ｓｉ３等が選択され、さらに好ましくはＴａ５Ｓｉ３が選択される。
本手法におけるエッチング速度は、上記加熱温度及びタンタルシリサイド層２４の組成によって制御することができ、１～１００００ｎｍ／ｍｉｎの範囲で設定することが可能である（図４参照）。
本手法におけるエッチング量は、ＳｉＣ基板１０に導入された歪層１１を除去可能な範囲に設定される。このエッチング量としては、市販のＣＭＰ後のＳｉＣウェハに導入された歪層１１厚さとして１～５μｍを例示することができる。
なお、エッチング時間は、所望のエッチング量となるよう、任意の時間に設定することができる。例えば、エッチング速度を１μｍ／ｍｉｎの条件で、エッチング量を３μｍとしたい場合には、エッチング時間は３分となる。
本手法で用いる高温真空炉４０（本加熱室４１）の真空度は、１０－５～１０Ｐａであり、より好ましくは１０－４～１０－２Ｐａである。
本手法においては、エッチング中に不活性ガスを導入することも可能である。この不活性ガスは、Ａｒ等を選択することができ、この不活性ガスを１０－５～１００００Ｐａの範囲で導入することによって、高温真空炉４０（本加熱室４１）の真空度を調整することができる。
本手法におけるタンタルシリサイド層２４の組成は、好ましくはＴａＳｉ２，Ｔａ５Ｓｉ３等が選択され、さらに好ましくはＴａ５Ｓｉ３が選択される。
本手法におけるエッチング速度は、上記加熱温度及びタンタルシリサイド層２４の組成によって制御することができ、１～１００００ｎｍ／ｍｉｎの範囲で設定することが可能である（図４参照）。
本手法におけるエッチング量は、ＳｉＣ基板１０に導入された歪層１１を除去可能な範囲に設定される。このエッチング量としては、市販のＣＭＰ後のＳｉＣウェハに導入された歪層１１厚さとして１～５μｍを例示することができる。
なお、エッチング時間は、所望のエッチング量となるよう、任意の時間に設定することができる。例えば、エッチング速度を１μｍ／ｍｉｎの条件で、エッチング量を３μｍとしたい場合には、エッチング時間は３分となる。
本手法で用いる高温真空炉４０（本加熱室４１）の真空度は、１０－５～１０Ｐａであり、より好ましくは１０－４～１０－２Ｐａである。
本手法においては、エッチング中に不活性ガスを導入することも可能である。この不活性ガスは、Ａｒ等を選択することができ、この不活性ガスを１０－５～１００００Ｐａの範囲で導入することによって、高温真空炉４０（本加熱室４１）の真空度を調整することができる。
【0064】
図３（ｂ）は、エッチング機構の概要を示す説明図である。ＳｉＣ基板１０を配置したＳｉ蒸気圧空間Ｓ１を、１４００℃以上２３００℃以下の温度範囲で加熱することで、以下１）～４）の反応が持続的に行われ、結果としてエッチングが進行すると考えられている。
【0065】
１） ＳｉＣ（ｓ）→Ｓｉ（ｖ）I＋Ｃ（ｓ）
２） ＴａxＳｉy→Ｓｉ（ｖ）II＋Ｔａx’Ｓｉy’
３） ２Ｃ（ｓ）＋Ｓｉ（ｖ）I+II→ＳｉＣ２（ｖ）
４） Ｃ（ｓ）＋２Ｓｉ（ｖ）I+II→Ｓｉ２Ｃ（ｖ）
２） ＴａxＳｉy→Ｓｉ（ｖ）II＋Ｔａx’Ｓｉy’
３） ２Ｃ（ｓ）＋Ｓｉ（ｖ）I+II→ＳｉＣ２（ｖ）
４） Ｃ（ｓ）＋２Ｓｉ（ｖ）I+II→Ｓｉ２Ｃ（ｖ）
【0066】
１）の説明:ＳｉＣ基板１０（ＳｉＣ（ｓ））がＳｉ蒸気圧下で加熱されることで、熱分解によってＳｉＣからＳｉ原子（Ｓｉ（ｖ）I）が脱離する。
２）の説明:タンタルシリサイド層（ＴａxＳｉy）からＳｉ蒸気（Ｓｉ（ｖ）II）が供給される。
３）及び４）の説明:熱分解によってＳｉ原子（Ｓｉ（ｖ）I）が脱離することで残存したＣ（Ｃ（ｓ））は、Ｓｉ蒸気（Ｓｉ（ｖ）I及びＳｉ（ｖ）II）と反応することで、Ｓｉ２Ｃ又はＳｉＣ２等となって昇華する。
２）の説明:タンタルシリサイド層（ＴａxＳｉy）からＳｉ蒸気（Ｓｉ（ｖ）II）が供給される。
３）及び４）の説明:熱分解によってＳｉ原子（Ｓｉ（ｖ）I）が脱離することで残存したＣ（Ｃ（ｓ））は、Ｓｉ蒸気（Ｓｉ（ｖ）I及びＳｉ（ｖ）II）と反応することで、Ｓｉ２Ｃ又はＳｉＣ２等となって昇華する。
【0067】
上述したように、Ｓｉ蒸気圧エッチング法では、Ｓｉ蒸気圧空間Ｓ１のＳｉ蒸気圧量を調整することができ、これによりＳｉＣ基板１０表面のＭＳＢの形成及び分解を制御することができる。
図４は、Ｓｉ蒸気圧エッチング法における、加熱温度とエッチング速度の関係を示すグラフである。このグラフの横軸は温度の逆数であり、このグラフの縦軸はエッチング速度を対数表示している。このグラフでは、Ｔａ５Ｓｉ３のタンタルシリサイド層２４を有した浸炭容器２０を用いてＳｉ蒸気圧エッチングを施した結果を〇印及び△印で、ＴａＳｉ２のタンタルシリサイド層２４を有した浸炭容器２０を用いてＳｉ蒸気圧エッチングを施した結果を●印及び▲印でそれぞれ示している。また、ＭＳＢが形成されなかった条件を〇印及び●印で示し、ＭＳＢが形成された条件を△印及び▲印で示している。さらに、図４中の破線はタンタルシリサイド層２４がＴａ５Ｓｉ３の結果のアレニウスプロットであり、二点鎖線はタンタルシリサイド層２４がＴａＳｉ２の結果のアレニウスプロットである。
図４は、Ｓｉ蒸気圧エッチング法における、加熱温度とエッチング速度の関係を示すグラフである。このグラフの横軸は温度の逆数であり、このグラフの縦軸はエッチング速度を対数表示している。このグラフでは、Ｔａ５Ｓｉ３のタンタルシリサイド層２４を有した浸炭容器２０を用いてＳｉ蒸気圧エッチングを施した結果を〇印及び△印で、ＴａＳｉ２のタンタルシリサイド層２４を有した浸炭容器２０を用いてＳｉ蒸気圧エッチングを施した結果を●印及び▲印でそれぞれ示している。また、ＭＳＢが形成されなかった条件を〇印及び●印で示し、ＭＳＢが形成された条件を△印及び▲印で示している。さらに、図４中の破線はタンタルシリサイド層２４がＴａ５Ｓｉ３の結果のアレニウスプロットであり、二点鎖線はタンタルシリサイド層２４がＴａＳｉ２の結果のアレニウスプロットである。
【0068】
図５（ａ）は、図４の○印箇所の一例であり、Ｔａ５Ｓｉ３のタンタルシリサイド層２４を有した浸炭容器２０を用いて１８００℃で加熱処理した４Ｈ－ＳｉＣ（０００１）面側のＳＥＭ像である。この表面では、テラス幅が１４ｎｍ、ステップ高さが１.０ｎｍ（フルユニットセル）のステップ－テラス構造が形成されており、ＭＳＢは形成されていない。
一方で、図５（ｂ）は、図４の▲印箇所の一例であり、ＴａＳｉ２のタンタルシリサイド層２４を有した浸炭容器２０を用いて１８００℃で加熱処理した４Ｈ－ＳｉＣ（０００１）面側のＳＥＭ像である。この表面では、例えば、テラス幅が４０～２００ｎｍ、ステップ高さが３～１４ｎｍのステップ－テラス構造が形成されており、ＭＳＢが形成されている。
また、加熱温度や加熱時間、タンタルシリサイド層の種類、Ａｒガスの導入の有無等、の条件を適宜変更することにより、テラス幅が異なるＳｉＣ基板１０を得ることができる。
なお、このステップ高さやテラス幅は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）や特開２０１５－１７９０８２号公報に記載の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像コントラストを評価する手法により確認することができる。
一方で、図５（ｂ）は、図４の▲印箇所の一例であり、ＴａＳｉ２のタンタルシリサイド層２４を有した浸炭容器２０を用いて１８００℃で加熱処理した４Ｈ－ＳｉＣ（０００１）面側のＳＥＭ像である。この表面では、例えば、テラス幅が４０～２００ｎｍ、ステップ高さが３～１４ｎｍのステップ－テラス構造が形成されており、ＭＳＢが形成されている。
また、加熱温度や加熱時間、タンタルシリサイド層の種類、Ａｒガスの導入の有無等、の条件を適宜変更することにより、テラス幅が異なるＳｉＣ基板１０を得ることができる。
なお、このステップ高さやテラス幅は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）や特開２０１５－１７９０８２号公報に記載の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像コントラストを評価する手法により確認することができる。
【0069】
このように、Ｓｉ蒸気圧エッチングでは、浸炭容器２０内に形成されたタンタルシリサイド層２４の組成と加熱温度を適宜選択することにより、Ｓｉ蒸気圧空間Ｓ１のＳｉ蒸気圧量を調整して、ＭＳＢの形成・分解を制御することができる。
また、同じ加熱温度であっても、テラス幅とＭＳＢの形成・分解を制御することができる。
また、同じ加熱温度であっても、テラス幅とＭＳＢの形成・分解を制御することができる。
【0070】
また、さらに、ＭＳＢが分解可能なＳｉ蒸気圧量条件であっても、Ａｒガスを導入することでエッチング速度を低下させて、ＭＳＢを形成することも可能である。
【0071】
本発明に係る歪層除去工程Ｓ１０は、Ｓｉ蒸気圧エッチング法を採用することにより、ＳｉＣ基板１０から歪層１１を除去することが可能である。Ｓｉ蒸気圧エッチング法においては、機械的な加工が施されないため、新たな歪層１１が導入されることがない。結果として、歪層１１が除去されたＳｉＣ基板１０を得ることができる。
【0072】
また、本発明に係る歪層除去工程Ｓ１０は、Ｓｉ蒸気圧エッチング法を採用することにより、歪層１１の除去と共に、ＳｉＣ基板１０表面に存在するＭＳＢを分解することができる。
【0073】
（２）Ｈ２エッチング法
Ｈ２エッチング法は、水素雰囲気下で、ＳｉＣ基板１０の温度を１４００～１７００℃に加熱することで、ＳｉＣ基板１０表面をエッチングする手法である。このＨ２エッチング法を用いて、歪層１１を除去しても良い。
Ｈ２エッチング法は、水素雰囲気下で、ＳｉＣ基板１０の温度を１４００～１７００℃に加熱することで、ＳｉＣ基板１０表面をエッチングする手法である。このＨ２エッチング法を用いて、歪層１１を除去しても良い。
【0074】
なお、歪層除去工程Ｓ１０にてＭＳＢが形成されてしまう場合には、エピタキシャル成長工程Ｓ２０前に、ＭＳＢを分解可能なバンチング分解工程Ｓ１１を別途施しても良い（図１参照）。このバンチング分解工程Ｓ１１には、後述するバンチング分解工程Ｓ３０と同様の手法を採用することができる。
【0075】
＜エピタキシャル成長工程＞
エピタキシャル成長工程Ｓ２０は、歪層１１を除去したＳｉＣ基板１０上に、成長層１３をエピタキシャル成長させる工程である（図２参照）。このエピタキシャル成長工程Ｓ２０は、ＳｉＣ基板１０をＳｉＣ－Ｃ平衡蒸気圧環境下やＣリッチ環境下で成長可能な手法であれば当然に採用することができ、昇華法や化学蒸着法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等を例示することができる。
以下、本工程の実施形態について説明する。
エピタキシャル成長工程Ｓ２０は、歪層１１を除去したＳｉＣ基板１０上に、成長層１３をエピタキシャル成長させる工程である（図２参照）。このエピタキシャル成長工程Ｓ２０は、ＳｉＣ基板１０をＳｉＣ－Ｃ平衡蒸気圧環境下やＣリッチ環境下で成長可能な手法であれば当然に採用することができ、昇華法や化学蒸着法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等を例示することができる。
以下、本工程の実施形態について説明する。
【0076】
なお、エピタキシャル成長工程Ｓ２０を施すＳｉＣ基板１０のテラス幅Ｗ１は、好ましくは４０ｎｍ未満であり、より好ましくは３０ｎｍ未満であり、さらに好ましくは２０ｎｍ未満であり、さらに好ましくは１５ｎｍ未満である。
【0077】
（１）昇華法
昇華法は、原料とＳｉＣ基板１０を成長空間内に配置し加熱することで、原料から昇華した原料ガスをＳｉＣ基板１０上に輸送して再結晶化・成長させる手法である。
昇華法は、原料とＳｉＣ基板１０を成長空間内に配置し加熱することで、原料から昇華した原料ガスをＳｉＣ基板１０上に輸送して再結晶化・成長させる手法である。
【0078】
本発明の実施形態に係る昇華法では、Ｓｉ蒸気圧空間Ｓ１を介して排気される原料供給空間Ｓ２にＳｉＣ基板１０が配置される。すなわち、図６（ａ）に示すように、Ｓｉ蒸気圧空間Ｓ１を有する浸炭容器２０内に、原料供給空間Ｓ２を有する原料容器３０を配置され、さらにこの原料容器３０内にＳｉＣ基板１０を配置される。
【0079】
この原料供給空間Ｓ２内には、Ｓｉ原子供給源及びＣ原子供給源が配置されており、原料容器３０を加熱することにより、原料供給空間Ｓ２内にＳｉＣ基板１０の原料となるＳｉ原子及びＣ原子を供給する。このＳｉ原子及びＣ原子がＳｉＣ基板１０表面に輸送され再結晶化することにより、エピタキシャル成長が進行する。
【0080】
浸炭容器２０は、歪層除去工程Ｓ１０で用いた浸炭容器２０と同じものを採用することができる。すなわち、上容器２１と、この上容器２１に嵌合可能な下容器２２と、を備え、内部側から外部側に向かって順に、タンタルシリサイド層２４（ＴａＳｉ２又はＴａ５Ｓｉ３等）、タンタルカーバイド層２５（ＴａＣ又はＴａ２Ｃ）、タンタル層２６（Ｔａ）を有している。そのため、加熱することで浸炭容器２０内にＳｉ蒸気圧空間Ｓ１を形成することができる。
【0081】
原料容器３０は、浸炭容器２０と同様に、上容器３１と、この上容器３１に嵌合可能な下容器３２と、を備えており、容器内にはＳｉＣ基板１０を成長させる原料供給空間Ｓ２を有している。この時、上容器３１と下容器３２の嵌合部には、微小な間隙３３が形成されており、この間隙３３から排気されることとなる。
【0082】
Ｓｉ原子供給源及びＣ原子供給源としては、Ｓｉ基板等のＳｉ原子を供給可能な材料や黒鉛等のＣ原子を供給可能な材料、ＳｉＣ基板等のＳｉ原子及びＣ原子を供給可能な材料を採用することができる。また、原料容器３０の少なくとも一部を多結晶ＳｉＣ（Ｐｏｌｙ-ＳｉＣ）で形成することにより、原料容器３０自体をＳｉ原子供給源及びＣ原子供給源とすることができる。
【0083】
図６（ａ）は、多結晶ＳｉＣ製の原料容器３０を採用し、この原料容器３０が原料供給空間Ｓ２内にＳｉ原子及びＣ原子を供給する形態となっている。このＳｉ原子供給源及びＣ原子供給源の配置はこの形態に限られず、原料供給空間Ｓ２内にＳｉ原子及びＣ原子を供給可能な形態であればよい。例えば、原料容器３０は多結晶ＳｉＣ以外の材料を採用しても良いし、原料供給空間Ｓ２内にＳｉ材料，Ｃ材料，ＳｉＣ材料を配置する形態を採用しても良い。
なお、原料に多結晶ＳｉＣを用いる場合には、多結晶ＳｉＣ(原料)と単結晶ＳｉＣ(ＳｉＣ基板１０)の蒸気圧差(化学ポテンシャル差)を成長駆動力とすることができる。
なお、原料に多結晶ＳｉＣを用いる場合には、多結晶ＳｉＣ(原料)と単結晶ＳｉＣ(ＳｉＣ基板１０)の蒸気圧差(化学ポテンシャル差)を成長駆動力とすることができる。
【0084】
また、原料供給空間Ｓ２内には、ＳｉＣ基板１０に向かって温度が下がるような温度勾配が設けられていることが望ましい。この温度勾配を成長駆動力として、ＳｉＣ基板１０へのＳｉ原子及びＣ原子の輸送が起こるため、成長層１３の成長速度が上昇する。
【0085】
すなわち、原料容器３０及び浸炭容器２０内には、浸炭容器２０を支える台座部分（移動手段４３）と浸炭容器２０の接触部（底面付近）からの微小な熱の逃げにより、底面方向に（上から下に）向かって温度が下がるように僅かな温度勾配が設けられている。この温度勾配を成長駆動力として、上容器３１からＳｉＣ基板１０へ原料の輸送が起こり、エピタキシャル成長を進行させることができる。
なお、温度勾配としては、上から下に向かって温度が下がる場合を示したが、これに限られず任意の方向に温度勾配がつくよう高温真空炉４０を設計しても良い。
なお、温度勾配としては、上から下に向かって温度が下がる場合を示したが、これに限られず任意の方向に温度勾配がつくよう高温真空炉４０を設計しても良い。
【0086】
さらに、ＳｉＣ基板１０に効率よくＳｉ原子とＣ原子を到達させるために、Ｓｉ原子供給源及びＣ原子供給源をＳｉＣ基板１０に近接させても良い。図６（ａ）においては、Ｓｉ原子供給源及びＣ原子供給源となる多結晶ＳｉＣ製の上容器３１をＳｉＣ基板１０と平行に近接配置した形態を示している。
【0087】
このＳｉＣ基板１０主面と上容器３１天面との距離Ｌは、好ましくは０．５～２０ｍｍの範囲に、より好ましくは０．７～１０ｍｍの範囲に設定されている。
【0088】
この距離Ｌが０．５ｍｍ以上である場合には、ＳｉＣ基板１０主面と上容器３１天面の温度差が大きくなる。その結果成長駆動力が大きくなり成長速度が増大する。
一方、距離Ｌが２０ｍｍ以下である場合には、原料と基板との距離が近くなり、原料ガスの輸送が効率良く行われ、成長速度が増大する。
一方、距離Ｌが２０ｍｍ以下である場合には、原料と基板との距離が近くなり、原料ガスの輸送が効率良く行われ、成長速度が増大する。
【0089】
本手法における加熱温度は、好ましくは１４００～２２００℃の範囲で設定され、より好ましくは１６００～２０００℃の範囲で設定される。
本手法における成長速度は、上記温度領域や成長環境によって制御することができ、０．００１～１μｍ／ｍｉｎの範囲で選択することが可能である。
本手法における成長量は、好ましくは５～１５μｍであり、より好ましくは８～１０μｍである。
本手法における成長時間は、所望の成長量となるよう任意の時間に設定することができる。例えば、成長速度が１０ｎｍ／ｍｉｎの時に、成長量を１０μｍとしたい場合には、成長時間は１００分間成長させればよい。
本手法における真空度（本加熱室４１）は、１０－５～１０Ｐａであり、より好ましくは１０－３～１Ｐａである。
本手法においては、成長中に不活性ガスを導入することも可能である。この不活性ガスは、Ａｒ等を選択することができ、この不活性ガスを１０－５～１００００Ｐａの範囲で導入することによって、高温真空炉４０（本加熱室４１）の真空度を調整することができる。
本手法における成長速度は、上記温度領域や成長環境によって制御することができ、０．００１～１μｍ／ｍｉｎの範囲で選択することが可能である。
本手法における成長量は、好ましくは５～１５μｍであり、より好ましくは８～１０μｍである。
本手法における成長時間は、所望の成長量となるよう任意の時間に設定することができる。例えば、成長速度が１０ｎｍ／ｍｉｎの時に、成長量を１０μｍとしたい場合には、成長時間は１００分間成長させればよい。
本手法における真空度（本加熱室４１）は、１０－５～１０Ｐａであり、より好ましくは１０－３～１Ｐａである。
本手法においては、成長中に不活性ガスを導入することも可能である。この不活性ガスは、Ａｒ等を選択することができ、この不活性ガスを１０－５～１００００Ｐａの範囲で導入することによって、高温真空炉４０（本加熱室４１）の真空度を調整することができる。
【0090】
図６（ｂ）は、成長機構の概要を示す説明図である。ＳｉＣ基板１０を配置した原料供給空間Ｓ２を、１４００℃以上２２００℃以下の温度範囲で加熱することで、以下１）～５）の反応が持続的に行われ、結果として成長が進行すると考えられる。
【0091】
１） Ｐｏｌｙ-ＳｉＣ（ｓ）→Ｓｉ（ｖ）＋Ｃ（s）
２） ２Ｃ（ｓ）＋Ｓｉ（ｖ）→ＳｉＣ２（ｖ）
３） Ｃ（ｓ）＋２Ｓｉ（ｖ）→Ｓｉ２Ｃ（ｖ）
４） Ｓｉ（ｖ）＋ＳｉＣ２（ｖ）→２ＳｉＣ（ｓ）
５） Ｓｉ２Ｃ（ｖ）→Ｓｉ（ｖ）＋ＳｉＣ（ｓ）
２） ２Ｃ（ｓ）＋Ｓｉ（ｖ）→ＳｉＣ２（ｖ）
３） Ｃ（ｓ）＋２Ｓｉ（ｖ）→Ｓｉ２Ｃ（ｖ）
４） Ｓｉ（ｖ）＋ＳｉＣ２（ｖ）→２ＳｉＣ（ｓ）
５） Ｓｉ２Ｃ（ｖ）→Ｓｉ（ｖ）＋ＳｉＣ（ｓ）
【0092】
１）の説明:原料容器３０（Ｐｏｌｙ-ＳｉＣ（ｓ））が加熱されることで、熱分解によってＳｉＣからＳｉ原子（Ｓｉ（ｖ））が脱離する。
２）及び３）の説明:Ｓｉ原子（Ｓｉ（ｖ））が脱離することで残存したＣ（Ｃ（ｓ））は、原料供給空間Ｓ２内のＳｉ蒸気（Ｓｉ（ｖ））と反応することで、Ｓｉ２Ｃ又はＳｉＣ２等となって原料供給空間Ｓ２内に昇華する。
４）及び５）の説明:昇華したＳｉ２Ｃ又はＳｉＣ２等が、温度勾配（及び化学ポテンシャル差）によってＳｉＣ基板１０のテラス１６に到達・拡散し、ステップ１５に到達することで下地のＳｉＣ基板１０の多型を引き継いで成長する（ステップフロー成長）。
２）及び３）の説明:Ｓｉ原子（Ｓｉ（ｖ））が脱離することで残存したＣ（Ｃ（ｓ））は、原料供給空間Ｓ２内のＳｉ蒸気（Ｓｉ（ｖ））と反応することで、Ｓｉ２Ｃ又はＳｉＣ２等となって原料供給空間Ｓ２内に昇華する。
４）及び５）の説明:昇華したＳｉ２Ｃ又はＳｉＣ２等が、温度勾配（及び化学ポテンシャル差）によってＳｉＣ基板１０のテラス１６に到達・拡散し、ステップ１５に到達することで下地のＳｉＣ基板１０の多型を引き継いで成長する（ステップフロー成長）。
【0093】
本発明の実施形態に係る成長工程における成長環境は、ＳｉＣ－Ｃ平衡蒸気圧環境であることを特徴とする。以下、ＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境及びＳｉＣ-Ｓｉ平衡蒸気圧環境について詳細に説明する。なお、本明細書におけるＳｉＣ－Ｃ平衡蒸気圧環境及びＳｉＣ-Ｓｉ平衡蒸気圧環境とは、理論的な熱平衡環境から導かれた成長速度と成長温度の関係を満たす近熱平衡蒸気圧環境を含む。
【0094】
ＳｉＣ-Ｓｉ平衡蒸気圧環境とは、ＳｉＣ（固相）とＳｉ（液相）と気相の三相が平衡状態となっているときの蒸気圧の環境のことを言う。
言い換えれば、本明細書における「ＳｉＣ－Ｓｉ蒸気圧環境」とは、ＳｉＣ（固体）とＳｉ（液相）とが気相を介して相平衡状態となっているときの蒸気圧の環境を指す。
ＳｉＣ－Ｓｉ平衡蒸気圧環境は、例えば、原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間が熱処理されることで形成される。具体的には、化学量論比１：１を満たすＳｉＣ製の原料容器３０内に、化学量論比１：１を満たすＳｉＣ基板１０と、Ｓｉ蒸気供給源（Ｓｉ基板やＳｉペレット等）と、を配置した場合には、原料容器３０内の原子数比Ｓｉ／Ｃは１を超える。
なお、本明細書における「準閉鎖空間」とは、容器内の真空引きは可能であるが、容器内に発生した蒸気の少なくとも一部を閉じ込め可能な空間のことをいう。この準閉鎖空間は、原料容器３０内や浸炭容器２０内に形成することができる。
言い換えれば、本明細書における「ＳｉＣ－Ｓｉ蒸気圧環境」とは、ＳｉＣ（固体）とＳｉ（液相）とが気相を介して相平衡状態となっているときの蒸気圧の環境を指す。
ＳｉＣ－Ｓｉ平衡蒸気圧環境は、例えば、原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間が熱処理されることで形成される。具体的には、化学量論比１：１を満たすＳｉＣ製の原料容器３０内に、化学量論比１：１を満たすＳｉＣ基板１０と、Ｓｉ蒸気供給源（Ｓｉ基板やＳｉペレット等）と、を配置した場合には、原料容器３０内の原子数比Ｓｉ／Ｃは１を超える。
なお、本明細書における「準閉鎖空間」とは、容器内の真空引きは可能であるが、容器内に発生した蒸気の少なくとも一部を閉じ込め可能な空間のことをいう。この準閉鎖空間は、原料容器３０内や浸炭容器２０内に形成することができる。
【0095】
また、ＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境とは、ＳｉＣ（固相）とＣ（固相）と気相の三相が平衡状態となっているときの蒸気圧の環境のことを言う。
言い換えれば、本明細書における「ＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境」とは、ＳｉＣ（固相）とＣ（固相）とが気相を介して相平衡状態となっているときの蒸気圧の環境を指す。
ＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境は、例えば、原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間が熱処理されることで形成される。具体的には、化学量論比１：１を満たすＳｉＣ製の原料容器３０内に、化学量論比１：１を満たすＳｉＣ基板１０を配置した場合には、原料容器３０内の原子数比Ｓｉ／Ｃは１となる。また、Ｃ蒸気供給源（Ｃペレット等）を配置して原子数比Ｓｉ／Ｃを１以下としても良い。
言い換えれば、本明細書における「ＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境」とは、ＳｉＣ（固相）とＣ（固相）とが気相を介して相平衡状態となっているときの蒸気圧の環境を指す。
ＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境は、例えば、原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間が熱処理されることで形成される。具体的には、化学量論比１：１を満たすＳｉＣ製の原料容器３０内に、化学量論比１：１を満たすＳｉＣ基板１０を配置した場合には、原料容器３０内の原子数比Ｓｉ／Ｃは１となる。また、Ｃ蒸気供給源（Ｃペレット等）を配置して原子数比Ｓｉ／Ｃを１以下としても良い。
【0096】
ＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境の気相中の原子数比Ｓｉ／Ｃは、ＳｉＣ-Ｓｉ平衡蒸気圧環境の気相中の原子数比Ｓｉ／Ｃよりも小さい。
【0097】
本手法においては、ＳｉＣ原料とＳｉＣ基板間の蒸気圧環境がＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境となる条件下で、多結晶ＳｉＣ(ＳｉＣ原料)と単結晶ＳｉＣ(ＳｉＣ基板１０)の蒸気圧差（化学ポテンシャル差）や温度勾配を成長駆動力として、ＳｉＣ基板１０を成長させている。
【0098】
ここで、ＳｉＣ原料とＳｉＣ基板の蒸気圧差を成長量とした場合、ＳｉＣの成長速度は以下の数１で求められる。
【0099】
【数1】
【0100】
ここで、ＴはＳｉＣ原料側の温度、ｍｉは気相種（ＳｉｘＣｙ）の１分子の質量、ｋはボルツマン定数である。
また、Ｐ原料ｉ－Ｐ基板ｉは、原料ガスが過飽和な状態となって、ＳｉＣとして析出した成長量であり、原料ガスとしてはＳｉＣ，Ｓｉ２Ｃ，ＳｉＣ２が想定される。
また、Ｐ原料ｉ－Ｐ基板ｉは、原料ガスが過飽和な状態となって、ＳｉＣとして析出した成長量であり、原料ガスとしてはＳｉＣ，Ｓｉ２Ｃ，ＳｉＣ２が想定される。
【0101】
本手法においては、ＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境は、原料供給空間Ｓ２内の原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下となるよう、Ｓｉ原子供給源及びＣ原子供給源を配置することで形成することができる。対して、ＳｉＣ-Ｓｉ平衡蒸気圧環境は、原料供給空間Ｓ２内の原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超えるよう配置することで形成される。
【0102】
図７は、本発明に係るＳｉＣ半導体基板の製造方法にて成長させた加熱温度と成長速度の関係を示すグラフである。このグラフの横軸は温度の逆数であり、このグラフの縦軸は成長速度を対数表示している。原料供給空間Ｓ２内の原子数比Ｓｉ／Ｃが１又は１未満となるよう配置して成長させた結果を〇印で示し、原料供給空間Ｓ２内の原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超えるように配置して成長させた結果を×印で示している。
【0103】
また図７のグラフでは、ＳｉＣ-Ｓｉ平衡蒸気圧環境におけるＳｉＣ基板成長の熱力学計算の結果を破線（アレニウスプロット）で、ＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境におけるＳｉＣ基板成長の熱力学計算の結果を二点鎖線（アレニウスプロット）にて示している。
【0104】
すなわち、破線は、ＳｉＣ（固相）とＳｉ（液相）と気相の三相が平衡状態となるような蒸気圧環境において、多結晶ＳｉＣを原料として単結晶ＳｉＣを成長させた際の熱力学計算の結果である。具体的には、数１を用いて、以下の条件（ｉ）～（ｉｖ）で熱力学計算を行った。（ｉ）体積一定のＳｉＣ+Ｓｉ系であること，（ｉｉ）成長駆動力は、原料供給空間Ｓ２内の温度勾配と、多結晶ＳｉＣと単結晶ＳｉＣの蒸気圧差（化学ポテンシャル差）であること，（ｉｉｉ）原料ガスは、ＳｉＣ，Ｓｉ２Ｃ，ＳｉＣ２であること，（ｉｖ）原料がステップ１５に吸着する吸着係数は０．００１であること。
【0105】
また、二点鎖線は、ＳｉＣ（固相）とＣ（固相）と気相の三相が平衡状態となるような蒸気圧環境において、多結晶ＳｉＣを原料として単結晶ＳｉＣを成長させた際の熱力学計算の結果である。具体的には、数１を用いて、以下の条件（ｉ）～（ｉｖ）で熱力学計算を行った。（ｉ）体積一定のＳｉＣ+Ｃ系であること，（ｉｉ）成長駆動力は、原料供給空間Ｓ２内の温度勾配と、多結晶ＳｉＣと単結晶ＳｉＣの蒸気圧差（化学ポテンシャル差）であること，（ｉｉｉ）原料ガスはＳｉＣ，Ｓｉ２Ｃ，ＳｉＣ２であること，（ｉｖ）原料がステップ１５に吸着する吸着係数は０．００１であること。
【0106】
なお、熱力学計算に用いた各化学種のデータはＪＡＮＡＦ熱化学表の値を採用した。
【0107】
図８（ａ）は、ＳｉＣ基板１０を原料供給空間Ｓ２内の原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下となるよう配置し、１８００℃でエピタキシャル成長を施した４Ｈ－ＳｉＣ（０００１）面側のＳＥＭ像である。すなわち、図７の○印箇所の一例であり、ＳｉＣ基板１０をＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境下で成長させた表面の一例である。この表面では、例えば、テラス幅が４０～２００ｎｍ、ステップ高さが３～１４ｎｍのステップ－テラス構造が形成されており、ステップ端の形状がジグザグ形状のＭＳＢが形成されている。
一方で、図８（ｂ）は、ＳｉＣ基板１０を原料供給空間Ｓ２内の原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下を超えるよう配置し、１８００℃でエピタキシャル成長を施した４Ｈ－ＳｉＣ（０００１）面側のＳＥＭ像である。すなわち、図７の×印箇所の一例であり、ＳｉＣ-Ｓｉ平衡蒸気圧環境下で成長させた表面の一例である。この表面では、テラス幅が１４ｎｍ、ステップ高さが１.０ｎｍ（フルユニットセル）のステップ－テラス構造が形成されており、ＭＳＢは形成されていない。
なお、このステップ高さやテラス幅は、ＡＦＭや特開２０１５－１７９０８２号公報に記載のＳＥＭ像コントラストを評価する手法により確認することができる。
一方で、図８（ｂ）は、ＳｉＣ基板１０を原料供給空間Ｓ２内の原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下を超えるよう配置し、１８００℃でエピタキシャル成長を施した４Ｈ－ＳｉＣ（０００１）面側のＳＥＭ像である。すなわち、図７の×印箇所の一例であり、ＳｉＣ-Ｓｉ平衡蒸気圧環境下で成長させた表面の一例である。この表面では、テラス幅が１４ｎｍ、ステップ高さが１.０ｎｍ（フルユニットセル）のステップ－テラス構造が形成されており、ＭＳＢは形成されていない。
なお、このステップ高さやテラス幅は、ＡＦＭや特開２０１５－１７９０８２号公報に記載のＳＥＭ像コントラストを評価する手法により確認することができる。
【0108】
（２）ＣＶＤ法
ＣＶＤ法は、ＳｉＣ基板１０温度を１４００～１７００℃に加熱し、水素ガスをキャリアガスに用いてＳｉＨ４ガスとＣ３Ｈ８ガスを供給することで、ＳｉＣ基板１０上に成長層１３を形成する手法である。このＣＶＤ法は、ＳｉＨ４ガスとＣ３Ｈ８ガスの供給量により、成長環境中の原子数比Ｓｉ／Ｃを制御することができる。そのため、Ｃリッチ環境下でＳｉＣ基板１０を成長させることができる。なお、本明細書におけるＣリッチ環境とは、成長中の原料ガスの原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下であることを言う。
このＣＶＤ法において、ＳｉＣ基板をＣリッチ環境下で成長させた場合には、図８（ａ）に示したようなＭＳＢが形成された表面を得ることができる。
ＣＶＤ法は、ＳｉＣ基板１０温度を１４００～１７００℃に加熱し、水素ガスをキャリアガスに用いてＳｉＨ４ガスとＣ３Ｈ８ガスを供給することで、ＳｉＣ基板１０上に成長層１３を形成する手法である。このＣＶＤ法は、ＳｉＨ４ガスとＣ３Ｈ８ガスの供給量により、成長環境中の原子数比Ｓｉ／Ｃを制御することができる。そのため、Ｃリッチ環境下でＳｉＣ基板１０を成長させることができる。なお、本明細書におけるＣリッチ環境とは、成長中の原料ガスの原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下であることを言う。
このＣＶＤ法において、ＳｉＣ基板をＣリッチ環境下で成長させた場合には、図８（ａ）に示したようなＭＳＢが形成された表面を得ることができる。
【0109】
＜バンチング分解工程＞
バンチング分解工程Ｓ３０は、ＳｉＣ半導体基板１４の表面に形成されたＭＳＢを分解する工程である（図２参照）。本発明の一実施形態に係るＳｉＣ半導体基板の製造方法においては、バンチング分解工程Ｓ３０として、上述したＳｉ蒸気圧エッチング法や昇華法を採用することができる。また、これらの手法以外であっても、ＭＳＢを分解可能な手法であれば当然に採用することができる。
バンチング分解工程Ｓ３０は、ＳｉＣ半導体基板１４の表面に形成されたＭＳＢを分解する工程である（図２参照）。本発明の一実施形態に係るＳｉＣ半導体基板の製造方法においては、バンチング分解工程Ｓ３０として、上述したＳｉ蒸気圧エッチング法や昇華法を採用することができる。また、これらの手法以外であっても、ＭＳＢを分解可能な手法であれば当然に採用することができる。
【0110】
（１）Ｓｉ蒸気圧エッチング法
図４の○印及び●印で示した条件で、Ｓｉ蒸気圧エッチング法によるエッチングを施すことにより、エピタキシャル成長工程Ｓ２０で形成されたＭＳＢを分解することができる（図５（ａ）参照）。
図４の○印及び●印で示した条件で、Ｓｉ蒸気圧エッチング法によるエッチングを施すことにより、エピタキシャル成長工程Ｓ２０で形成されたＭＳＢを分解することができる（図５（ａ）参照）。
【0111】
【0112】
このように、バンチング分解工程Ｓ３０は、近接昇華法やＳｉ蒸気圧エッチング法を採用することにより、エピタキシャル成長工程Ｓ２０で形成されたＭＳＢを分解することができる。なお、このバンチング分解工程Ｓ３０は、歪層除去工程Ｓ１０やエピタキシャル成長工程Ｓ２０と同じ製造装置を用いて行うことができ、ＭＳＢの除去されたＳｉＣ半導体基板１４を製造することができる。
【0113】
＜成長層中のＢＰＤ変換率＞
図９は、エピタキシャル成長工程Ｓ２０中にＢＰＤから他の欠陥・転位（ＴＥＤ等）に変換した変換率を求める手法の説明図である。
図９（ａ）は、歪層１１を有したＳｉＣ基板１０を示している。この段階ではバルク層１２から歪層１１まで、ＢＰＤが存在している。
図９（ｂ）は、歪層除去工程Ｓ１０により歪層１１を除去したＳｉＣ基板１０を示している。この段階では、バルク層１２にＢＰＤが存在している。
図９（ｃ）は、エピタキシャル成長工程Ｓ２０により成長層１３を成長させたＳｉＣ半導体基板１４を示している。この工程でバルク層１２に存在していたＢＰＤが、ある確率でＴＥＤに変換される。ここで成長層１３の表面には、１００％変換されない限り、ＴＥＤとＢＰＤが混在していることとなる。
図９（ｄ）は、エピタキシャル成長工程Ｓ２０後のＳｉＣ半導体基板１４に対し、ＫＯＨ溶解エッチング法を用いて成長層１３中の欠陥を確認した様子を示している。このＫＯＨ溶解エッチング法は、約５００℃に加熱した溶解塩（ＫＯＨ等）にＳｉＣ基板を浸し、転位や欠陥部分にエッチピットを形成し、そのエッチピットの大きさ・形状により転位の種類を判別する手法である。この手法により、エピタキシャル成長工程Ｓ２０後の成長層１３中を伝播したＢＰＤの数を得る。
図９（ｅ）は、ＫＯＨ溶解エッチング法後に成長層１３を除去する様子を示している。本手法では、エッチピット深さまで機械研磨やＣＭＰ等により平坦化した後、Ｓｉ蒸気圧エッチング法により成長層１３を除去し、バルク層１２を表出させている。
図９（ｆ）は、成長層１３を除去したバルク層１２に対し、ＫＯＨ溶解エッチング法を用いてバルク層１２中の欠陥を確認した様子を示している。この手法により、成長層１３直下のバルク層１２に存在しているＢＰＤの数を得る。
図９は、エピタキシャル成長工程Ｓ２０中にＢＰＤから他の欠陥・転位（ＴＥＤ等）に変換した変換率を求める手法の説明図である。
図９（ａ）は、歪層１１を有したＳｉＣ基板１０を示している。この段階ではバルク層１２から歪層１１まで、ＢＰＤが存在している。
図９（ｂ）は、歪層除去工程Ｓ１０により歪層１１を除去したＳｉＣ基板１０を示している。この段階では、バルク層１２にＢＰＤが存在している。
図９（ｃ）は、エピタキシャル成長工程Ｓ２０により成長層１３を成長させたＳｉＣ半導体基板１４を示している。この工程でバルク層１２に存在していたＢＰＤが、ある確率でＴＥＤに変換される。ここで成長層１３の表面には、１００％変換されない限り、ＴＥＤとＢＰＤが混在していることとなる。
図９（ｄ）は、エピタキシャル成長工程Ｓ２０後のＳｉＣ半導体基板１４に対し、ＫＯＨ溶解エッチング法を用いて成長層１３中の欠陥を確認した様子を示している。このＫＯＨ溶解エッチング法は、約５００℃に加熱した溶解塩（ＫＯＨ等）にＳｉＣ基板を浸し、転位や欠陥部分にエッチピットを形成し、そのエッチピットの大きさ・形状により転位の種類を判別する手法である。この手法により、エピタキシャル成長工程Ｓ２０後の成長層１３中を伝播したＢＰＤの数を得る。
図９（ｅ）は、ＫＯＨ溶解エッチング法後に成長層１３を除去する様子を示している。本手法では、エッチピット深さまで機械研磨やＣＭＰ等により平坦化した後、Ｓｉ蒸気圧エッチング法により成長層１３を除去し、バルク層１２を表出させている。
図９（ｆ）は、成長層１３を除去したバルク層１２に対し、ＫＯＨ溶解エッチング法を用いてバルク層１２中の欠陥を確認した様子を示している。この手法により、成長層１３直下のバルク層１２に存在しているＢＰＤの数を得る。
【0114】
図９に示した一連の順序により、図９（ｄ）における成長層１３中を伝搬したＢＰＤの数と、図９（ｆ）におけるバルク層１２表面に存在したＢＰＤの数を比較することで、エピタキシャル成長工程Ｓ２０中に、ＢＰＤから他の欠陥・転位に変換したＢＰＤ変換率を得ることができる。
【0115】
本発明のＳｉＣ半導体基板の製造方法によれば、ＳｉＣ基板１０の表面に導入された歪層１１を除去する歪層除去工程Ｓ１０と、ＳｉＣ基板１０をＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境下で成長させるエピタキシャル成長工程Ｓ２０と、を含むことにより、成長層１３中のＢＰＤ変換率を向上させることができる。
【0116】
また、本発明のＳｉＣ半導体基板の製造方法によれば、エピタキシャル成長工程Ｓ２０は、ＭＳＢが形成されていないＳｉＣ基板１０に対してエピタキシャル成長させることにより、成長層１３中のＢＰＤ変換率を略１００％とすることができる。
【0117】
また、本発明のＳｉＣ半導体基板の製造方法によれば、エピタキシャル成長工程Ｓ２０後に、ＭＳＢを分解させるバンチング分解工程Ｓ３０をさらに含む。これにより、耐圧層となるエピ層表面にステップバンチング起因の欠陥が発生することを抑制するＳｉＣ半導体基板１４を提供することができる。また、ＭＯＳＦＥＴの動作性能および信頼性に致命的な影響を与えるＭＳＢを除去したＳｉＣ半導体基板１４を提供することができる。
【0118】
また、本発明のＳｉＣ半導体基板の製造方法によれば、ＳｉＣ基板１０をＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境下で成長させるエピタキシャル成長工程Ｓ２０を含むことにより、成長層１３中のＢＰＤ変換率を向上させることができる。
【0119】
また、本発明のＳｉＣ半導体基板の製造方法によれば、前記エピタキシャル成長工程は、テラス幅が４０ｎｍ未満である前記ＳｉＣ基板にエピタキシャル成長させる。このように、テラス幅が４０ｎｍ未満である前記ＳｉＣ基板をＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境下で成長させることにより、前記ＳｉＣ基板のテラス幅が増大させつつ成長させることができる。
【0120】
また、本発明は、ＳｉＣ基板１０に単結晶ＳｉＣを成長させるエピタキシャル成長工程Ｓ２０を含むＳｉＣ半導体基板の製造方法において、ＳｉＣ基板１０のテラス幅Ｗが増大する条件で成長させるエピタキシャル成長工程を含む、ＳｉＣ半導体基板の基底面転位を低減する方法である。
【0121】
また、本発明は、ＳｉＣ基板１０に単結晶ＳｉＣを成長させるエピタキシャル成長工程Ｓ２０を含むＳｉＣ半導体基板の製造方法において、前記ＳｉＣ基板１０をＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境下でエピタキシャル成長させるエピタキシャル成長工程を含む、ＳｉＣ半導体基板の基底面転位を低減する方法である。
【0122】
［ＳｉＣ半導体基板］
本発明の一実施形態のＳｉＣ半導体基板１４は、ＢＰＤを有するバルク層１２と、ＢＰＤをＢＰＤ以外の転位・欠陥に変換させる成長層１３と、を備え、成長層１３におけるＢＰＤの変換率が略１００％となっている。具体的には、前記変換率は９９．９５％より大きく、好ましくは９９．９６％以上であり、また好ましくは９９．９７％以上であり、また好ましくは９９．９８％以上であり、また好ましくは９９．９９％以上である。
すなわち、ＳｉＣ半導体基板１４は、バルク層１２に存在していたＢＰＤが、エピタキシャル成長工程Ｓ２０中に他の転位・欠陥に変換されるため、表面にＢＰＤが存在していない成長層１３を有している。
本発明の一実施形態のＳｉＣ半導体基板１４は、ＢＰＤを有するバルク層１２と、ＢＰＤをＢＰＤ以外の転位・欠陥に変換させる成長層１３と、を備え、成長層１３におけるＢＰＤの変換率が略１００％となっている。具体的には、前記変換率は９９．９５％より大きく、好ましくは９９．９６％以上であり、また好ましくは９９．９７％以上であり、また好ましくは９９．９８％以上であり、また好ましくは９９．９９％以上である。
すなわち、ＳｉＣ半導体基板１４は、バルク層１２に存在していたＢＰＤが、エピタキシャル成長工程Ｓ２０中に他の転位・欠陥に変換されるため、表面にＢＰＤが存在していない成長層１３を有している。
【0123】
具体的には、バルク層１２のＢＰＤ密度は、２０００個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、１個／ｃｍ２未満である、ＳｉＣ半導体基板１４である。
例えば、本発明のＳｉＣ半導体基板１４は、１０ｍｍ×５ｍｍの面積において、バルク層１２表面のＢＰＤの個数は１２００個以上であり、成長層１３表面のＢＰＤの個数は０個である。
すなわち、バルク層１２のＢＰＤ密度は、２４００個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、０個／ｃｍ２である、ＳｉＣ半導体基板１４である。
例えば、本発明のＳｉＣ半導体基板１４は、１０ｍｍ×５ｍｍの面積において、バルク層１２表面のＢＰＤの個数は１２００個以上であり、成長層１３表面のＢＰＤの個数は０個である。
すなわち、バルク層１２のＢＰＤ密度は、２４００個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、０個／ｃｍ２である、ＳｉＣ半導体基板１４である。
【0124】
本発明の他の実施形態のＳｉＣ半導体基板１４は、ＢＰＤを有するバルク層１２と、ＢＰＤをＢＰＤ以外に変換させる成長層１３と、を備え、この成長層１３におけるＢＰＤ変換率は９９．５％より大きい。
【0125】
具体的には、バルク層１２のＢＰＤ密度は、１０００個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、５個／ｃｍ２未満である、ＳｉＣ半導体基板１４である。
例えば、本発明の他の実施形態のＳｉＣ半導体基板１４は、１０ｍｍ×５ｍｍの面積において、バルク層１２表面のＢＰＤの個数は６６９個以上であり、成長層１３表面のＢＰＤの個数は２個以下である。すなわち、バルク層１２のＢＰＤ密度は、１３３８個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、４個／ｃｍ２以下である、ＳｉＣ半導体基板１４である。
例えば、本発明の他の実施形態のＳｉＣ半導体基板１４は、１０ｍｍ×５ｍｍの面積において、バルク層１２表面のＢＰＤの個数は６６９個以上であり、成長層１３表面のＢＰＤの個数は２個以下である。すなわち、バルク層１２のＢＰＤ密度は、１３３８個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、４個／ｃｍ２以下である、ＳｉＣ半導体基板１４である。
【0126】
本発明の他の実施形態のＳｉＣ半導体基板１４は、ＢＰＤを有するバルク層１２と、ＢＰＤをＢＰＤ以外に変換させる成長層１３と、を備え、この成長層１３におけるＢＰＤ変換率は９５％より大きい。
【0127】
具体的には、バルク層１２のＢＰＤ密度は、２０００個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、１００個／ｃｍ２以下である、ＳｉＣ半導体基板１４である。
また、バルク層１２のＢＰＤ密度は、１０００個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、５０個／ｃｍ２以下である、ＳｉＣ半導体基板１４である。
また、バルク層１２のＢＰＤ密度は、５００個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、２５個／ｃｍ２以下である、ＳｉＣ半導体基板１４である。
また、バルク層１２のＢＰＤ密度は、１００個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、５個／ｃｍ２以下である、ＳｉＣ半導体基板１４である。
また、バルク層１２のＢＰＤ密度は、１０００個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、５０個／ｃｍ２以下である、ＳｉＣ半導体基板１４である。
また、バルク層１２のＢＰＤ密度は、５００個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、２５個／ｃｍ２以下である、ＳｉＣ半導体基板１４である。
また、バルク層１２のＢＰＤ密度は、１００個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、５個／ｃｍ２以下である、ＳｉＣ半導体基板１４である。
【0128】
例えば、本発明の他の実施形態のＳｉＣ半導体基板１４は、１０ｍｍ×５ｍｍの面積において、バルク層１２表面のＢＰＤの個数は１２００個以上であり、成長層１３表面のＢＰＤの個数は０個である。すなわち、バルク層１２のＢＰＤ密度は、２４００個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、０個／ｃｍ２である、ＳｉＣ半導体基板１４である。
また、本発明の他の実施形態のＳｉＣ半導体基板１４は、１０ｍｍ×５ｍｍの面積において、バルク層１２表面のＢＰＤの個数は６６９個以上であり、成長層１３表面のＢＰＤの個数は２個である。すなわち、バルク層１２のＢＰＤ密度は、１３３８個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、４個／ｃｍ２以下である、ＳｉＣ半導体基板１４である。
例えば、本発明の他の実施形態のＳｉＣ半導体基板１４は、１０ｍｍ×５ｍｍの面積において、バルク層１２表面のＢＰＤの個数は２７６個以上であり、成長層１３表面のＢＰＤの個数は１２個である。すなわち、バルク層１２のＢＰＤ密度は、５５２個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、２４個／ｃｍ２以下である、ＳｉＣ半導体基板１４である。
例えば、本発明の他の実施形態のＳｉＣ半導体基板１４は、１０ｍｍ×５ｍｍの面積において、バルク層１２表面のＢＰＤの個数は６２個以上であり、成長層１３表面のＢＰＤの個数は２個である。すなわち、バルク層１２のＢＰＤ密度は、１２４個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、４個／ｃｍ２以下である、ＳｉＣ半導体基板１４である。
また、本発明の他の実施形態のＳｉＣ半導体基板１４は、１０ｍｍ×５ｍｍの面積において、バルク層１２表面のＢＰＤの個数は６６９個以上であり、成長層１３表面のＢＰＤの個数は２個である。すなわち、バルク層１２のＢＰＤ密度は、１３３８個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、４個／ｃｍ２以下である、ＳｉＣ半導体基板１４である。
例えば、本発明の他の実施形態のＳｉＣ半導体基板１４は、１０ｍｍ×５ｍｍの面積において、バルク層１２表面のＢＰＤの個数は２７６個以上であり、成長層１３表面のＢＰＤの個数は１２個である。すなわち、バルク層１２のＢＰＤ密度は、５５２個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、２４個／ｃｍ２以下である、ＳｉＣ半導体基板１４である。
例えば、本発明の他の実施形態のＳｉＣ半導体基板１４は、１０ｍｍ×５ｍｍの面積において、バルク層１２表面のＢＰＤの個数は６２個以上であり、成長層１３表面のＢＰＤの個数は２個である。すなわち、バルク層１２のＢＰＤ密度は、１２４個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、４個／ｃｍ２以下である、ＳｉＣ半導体基板１４である。
【0129】
本発明のＳｉＣ半導体基板によれば、バルク層１２の表面は、１ユニットセル高さのステップ１５が配列している。すなわち、図５（ａ）に示したように、１ｎｍ（１ユニットセル）高さのステップ１５が配列した表面にエピタキシャル成長することを特徴とする。このバルク層１２のステップ高さやテラス幅は、ＳｉＣ半導体基板１４の断面ＳＥＭ像等により確認することができる。
このように、バルク層１２表面に同じ高さのステップ１５が配列していることにより、成長層１３におけるＢＰＤの変換率を９９．９５％より大きくすることができる。
このように、バルク層１２表面に同じ高さのステップ１５が配列していることにより、成長層１３におけるＢＰＤの変換率を９９．９５％より大きくすることができる。
【0130】
また、本発明のＳｉＣ半導体基板によれば、成長層１３の表面は、１ユニットセル高さのステップ１５が配列している。このステップ高さやテラス幅は、ＡＦＭや特開２０１５－１７９０８２号公報に記載のＳＥＭ像コントラストを評価する手法により確認することができる。また、この成長層１３上に、昇華法やＣＶＤ法等を用いて、耐圧層となるエピ層をさらに形成しても良い。
【0131】
［ＳｉＣ半導体基板の製造装置］
以下、本発明に係るＳｉＣ半導体基板の製造装置について、図１０を参照して詳細に説明する。この実施形態に係る製造装置は、Ｓｉ蒸気圧空間Ｓ１を有する浸炭容器２０と、原料供給空間Ｓ２を有する原料容器３０と、原料供給空間Ｓ２を加熱可能な高温真空炉４０備える。なお、同実施形態において、先のＳｉＣ半導体基板及びその製造方法と基本的に同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を簡略化する。
以下、本発明に係るＳｉＣ半導体基板の製造装置について、図１０を参照して詳細に説明する。この実施形態に係る製造装置は、Ｓｉ蒸気圧空間Ｓ１を有する浸炭容器２０と、原料供給空間Ｓ２を有する原料容器３０と、原料供給空間Ｓ２を加熱可能な高温真空炉４０備える。なお、同実施形態において、先のＳｉＣ半導体基板及びその製造方法と基本的に同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を簡略化する。
【0132】
原料供給空間Ｓ２は、Ｓｉ原子供給源と、Ｃ原子供給源と、を有しており、Ｓｉ原子供給源及び前記Ｃ原子供給源は、原料供給空間Ｓ２内の原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下となるよう配置される。これにより、原料供給空間Ｓ２内にＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境を形成してＳｉＣ基板１０を成長させることができる。
【0133】
高温真空炉４０は、本加熱室４１と、予備加熱室４２と、浸炭容器２０を予備加熱室４２から本加熱室４１へ移動可能な移動手段４３（移動台）と、を備えている。本加熱室４１は、ＳｉＣ基板１０を１０００℃以上２３００℃以下の温度に加熱することができる。予備加熱室４２は、ＳｉＣ基板１０を本加熱室４１で加熱する前に予備加熱を行うための空間である。
【0134】
本加熱室４１には、真空形成用バルブ４４と、不活性ガス注入用バルブ４５と、真空計４６と、が接続されている。真空形成用バルブ４４は、本加熱室４１内を排気して真空引きする真空引ポンプと接続されており、本加熱室４１内の真空度を調整することができる。また、不活性ガス注入用バルブ４５は、本加熱室４１内に不活性ガス（例えば、Ａｒ等）を導入し、この圧力を調整することができる。真空計４６は、本加熱室４１内の真空度を測定することができる。
【0135】
また、本加熱室４１の内部には、ヒータ４７が備えられている。さらに、本加熱室４１の側壁及び天井には熱反射金属板が固定されており（図示せず）、この熱反射金属板は、ヒータ４７の熱を本加熱室４１の略中央部に向けて反射させるように構成されている。
これにより、ＳｉＣ基板１０を加熱し、１０００℃以上２３００℃以下の温度まで昇温させることができる。なお、ヒータ４７としては、例えば、抵抗加熱式のヒータ又は高周波誘導加熱式のヒータを用いることができる。
これにより、ＳｉＣ基板１０を加熱し、１０００℃以上２３００℃以下の温度まで昇温させることができる。なお、ヒータ４７としては、例えば、抵抗加熱式のヒータ又は高周波誘導加熱式のヒータを用いることができる。
【0136】
予備加熱室４２は、本加熱室４１と接続されており、移動手段４３により浸炭容器２０を移動可能に構成されている。これにより、原料供給空間Ｓ２が、本加熱室４１から予備加熱室４２へ、又は予備加熱室４２から本加熱室４１へ搬送される。
なお、この予備加熱室４２には、本加熱室４１のようなヒータ４７は設けられておらず、本加熱室４１の余熱により昇温される。例えば、本加熱室４１が２０００℃の場合、予備加熱室４２は１０００℃程度まで昇温し、浸炭容器２０等の脱ガス処理を行えるよう構成されている。
なお、この予備加熱室４２には、本加熱室４１のようなヒータ４７は設けられておらず、本加熱室４１の余熱により昇温される。例えば、本加熱室４１が２０００℃の場合、予備加熱室４２は１０００℃程度まで昇温し、浸炭容器２０等の脱ガス処理を行えるよう構成されている。
【0137】
また、本加熱室４１と予備加熱室４２間の搬送は、移動手段４３により最短１分程で完了するため、１～１０００℃／ｍｉｎでの昇温・降温を実現することができる。このように急速昇温及び急速降温が行えるため、従来の装置では困難であった、昇温中及び降温中の低温成長履歴を持たない表面形状を観察することが可能である。
また、図５においては、本加熱室４１の下方に予備加熱室４２を配置しているが、これに限られず、任意の方向に設置することができる。
また、図５においては、本加熱室４１の下方に予備加熱室４２を配置しているが、これに限られず、任意の方向に設置することができる。
【0138】
移動手段４３は、浸炭容器２０を配置する台であり、この浸炭容器２０との接触部より微小な熱を逃がしている。これにより、浸炭容器２０内乃至原料供給空間Ｓ２内に温度勾配が生まれ、ＳｉＣ基板１０の成長駆動力となっている。図５に示したように、下から浸炭容器２０を支持する場合には、浸炭容器２０の底面方向に（上から下に）向かって温度が下がるように温度勾配が設けられる。
【0139】
なお、この温度勾配は、移動手段４３の設計を変更することで任意の方向に設けることができ、例えば、移動手段４３に吊り下げ式等を採用した場合には、熱が上方向に逃げるため、温度勾配は、浸炭容器２０の天面方向に（下から上に）向かって温度が下がるように僅かな温度勾配が設けられることとなる。
【0140】
本発明のＳｉＣ半導体基板の製造装置によれば、原料容器３０はＳｉ蒸気圧環境が形成されるＳｉ蒸気圧空間Ｓ１内に配置されている。このように、Ｓｉ蒸気圧空間Ｓ１内に原料供給空間Ｓ２が配置され、Ｓｉ蒸気圧空間Ｓ１を介して原料供給空間Ｓ２内が排気（真空引き）されることで、原料供給空間Ｓ２内からＳｉ原子が減少することを抑制することができる。これにより、原料供給空間Ｓ２内を成長に好ましい原子数比Ｓｉ／Ｃを長時間維持することができる。
【0141】
すなわち、原料供給空間Ｓ２から直接排気する場合には、上容器３１と下容器３２の嵌合箇所（間隙３３）からＳｉ原子が排気されてしまう。この場合には、原料供給空間Ｓ２内の原子数比Ｓｉ／Ｃが著しく減少することにより、成長に適切な環境が維持されない。
一方、Ｓｉ蒸気圧環境のＳｉ蒸気圧空間Ｓ１を介して原料容器３０内を排気する場合には、原料供給空間Ｓ２からＳｉ原子が排気されることを抑制して、原料供給空間Ｓ２内の原子数比Ｓｉ／Ｃを保つことができる。
一方、Ｓｉ蒸気圧環境のＳｉ蒸気圧空間Ｓ１を介して原料容器３０内を排気する場合には、原料供給空間Ｓ２からＳｉ原子が排気されることを抑制して、原料供給空間Ｓ２内の原子数比Ｓｉ／Ｃを保つことができる。
【実施例】
【0142】
以下、実施例によって本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
表１に示す条件で、実施例１～４、比較例１のＳｉＣ半導体基板を製造した。なお、これらの実施例及び比較例にて使用したＳｉＣ基板１０の歪層１１の深さは、ＳＥＭ－ＥＢＳＤにより５μｍ程度と確認した。また、使用した浸炭容器２０のサイズは直径１６０ｍｍ×高さ６０ｍｍであり、原料容器３０のサイズは直径６０ｍｍ×高さ４ｍｍである。
表１に示す条件で、実施例１～４、比較例１のＳｉＣ半導体基板を製造した。なお、これらの実施例及び比較例にて使用したＳｉＣ基板１０の歪層１１の深さは、ＳＥＭ－ＥＢＳＤにより５μｍ程度と確認した。また、使用した浸炭容器２０のサイズは直径１６０ｍｍ×高さ６０ｍｍであり、原料容器３０のサイズは直径６０ｍｍ×高さ４ｍｍである。
【0143】
なお、テラス幅Ｗ（テラス幅Ｗ１及びテラス幅Ｗ２含む）の値としては、撮影したＳＥＭ像のステップ１５に対して垂直なラインを引き、このライン上に存在するステップ１５数をカウントすることで、テラス幅の平均値を採用した（テラス幅Ｗ＝ライン長さ／ライン上のステップ数）。
また、ステップ高さは、ＡＦＭにより測定した。
また、ステップ高さは、ＡＦＭにより測定した。
【0144】
【表1】
【0145】
実施例１は、Ｓｉ蒸気圧エッチング法を用いてＭＳＢが形成されない条件で歪層１１を除去し（歪層除去工程Ｓ１０）、昇華法を用いてＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境下で成長させた（エピタキシャル成長工程Ｓ２０）。その結果、成長層１３のＢＰＤ変換率は、１００％であった。この時、エピタキシャル成長工程Ｓ２０前のテラス幅Ｗ１は１４ｎｍであり、エピタキシャル成長工程Ｓ２０後のテラス幅Ｗ２は５５ｎｍであった（テラス幅増減率=２９２．８６％）。
【0146】
実施例２は、Ｓｉ蒸気圧エッチング法を用いてＭＳＢが形成される条件で歪層１１を除去し（歪層除去工程Ｓ１０）、実施例１と同じ条件下（ＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境下）で成長させた（エピタキシャル成長工程Ｓ２０）。その結果、成長層１３のＢＰＤ変換率は、９９．７％であった。この時、エピタキシャル成長工程Ｓ２０前のテラス幅Ｗ１は２６ｎｍであり、エピタキシャル成長工程Ｓ２０後のテラス幅Ｗ２は４０ｎｍであった（テラス幅増減率=５３．８５％）。
なお、この結果から、エピタキシャル成長前のＳｉＣ基板１０表面にＭＳＢが形成されている場合には、実施例１と比較してＢＰＤ変換率が低下していることがわかる。
なお、この結果から、エピタキシャル成長前のＳｉＣ基板１０表面にＭＳＢが形成されている場合には、実施例１と比較してＢＰＤ変換率が低下していることがわかる。
【0147】
実施例３は、歪層１１を除去する歪層除去工程Ｓ１０を行わずに、実施例１及び実施例２と同じ条件下（ＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境下）で成長させた（エピタキシャル成長工程Ｓ２０）。その結果、成長層１３のＢＰＤ変換率は、９５．６５％であった。この時、エピタキシャル成長工程Ｓ２０前のテラス幅Ｗ１は７ｎｍであり、エピタキシャル成長工程Ｓ２０後のテラス幅Ｗ２は４５ｎｍであった（テラス幅増減率=５４２．８６％）。
この結果から、ＳｉＣ基板１０をＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境下で成長させるエピタキシャル成長工程Ｓ２０を含むことにより、成長層１３のＢＰＤ変換率が９５％以上となることがわかる。また、エピタキシャル成長前のＳｉＣ基板１０に歪層１１が残存している場合には、実施例１及び実施例２と比較してＢＰＤ変換率が低下していることがわかる。
この結果から、ＳｉＣ基板１０をＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境下で成長させるエピタキシャル成長工程Ｓ２０を含むことにより、成長層１３のＢＰＤ変換率が９５％以上となることがわかる。また、エピタキシャル成長前のＳｉＣ基板１０に歪層１１が残存している場合には、実施例１及び実施例２と比較してＢＰＤ変換率が低下していることがわかる。
【0148】
実施例４は、ＭＳＢが形成される条件で歪層１１を除去し（歪層除去工程Ｓ１０）、実施例１及び実施例２と同じ条件下（ＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境下）で成長させた（エピタキシャル成長工程Ｓ２０）。その結果、成長層１３のＢＰＤ変換率は、９６．７７％であった。この時、エピタキシャル成長工程Ｓ２０前のテラス幅Ｗ１は５０ｎｍであり、エピタキシャル成長工程Ｓ２０後のテラス幅Ｗ２は４８ｎｍであった（テラス幅増減率=－４．００％）。
この結果から、ＳｉＣ基板１０をＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境下で成長させるエピタキシャル成長工程Ｓ２０を含むことにより、成長層１３のＢＰＤ変換率が９５％以上となることがわかる。また、エピタキシャル成長工程Ｓ２０において、ＳｉＣ基板のテラス幅が増大する条件で成長させない場合には、実施例１及び実施例２と比較してＢＰＤ変換率が低下していることがわかる。
この結果から、ＳｉＣ基板１０をＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境下で成長させるエピタキシャル成長工程Ｓ２０を含むことにより、成長層１３のＢＰＤ変換率が９５％以上となることがわかる。また、エピタキシャル成長工程Ｓ２０において、ＳｉＣ基板のテラス幅が増大する条件で成長させない場合には、実施例１及び実施例２と比較してＢＰＤ変換率が低下していることがわかる。
【0149】
実施例１によれば、１０ｍｍ×５ｍｍの面積において、バルク層１２表面のＢＰＤの個数は１２００個であり、成長層１３表面のＢＰＤの個数は０個である、ＳｉＣ半導体基板１４を製造することができる。
すなわち、実施例１によれば、バルク層１２表面のＢＰＤ密度は、２４００個／ｃｍ２であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、０個／ｃｍ２である、ＳｉＣ半導体基板１４を製造することができる。
言い換えれば、実施例１によれば、バルク層１２表面のＢＰＤ密度は、２０００個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、１個／ｃｍ２未満である、ＳｉＣ半導体基板１４を製造することができる。
すなわち、実施例１によれば、バルク層１２表面のＢＰＤ密度は、２４００個／ｃｍ２であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、０個／ｃｍ２である、ＳｉＣ半導体基板１４を製造することができる。
言い換えれば、実施例１によれば、バルク層１２表面のＢＰＤ密度は、２０００個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、１個／ｃｍ２未満である、ＳｉＣ半導体基板１４を製造することができる。
【0150】
実施例２によれば、１０ｍｍ×５ｍｍの面積において、バルク層１２表面のＢＰＤの個数は６６９個であり、成長層１３表面のＢＰＤの個数は２個である、ＳｉＣ半導体基板１４を製造することができる。
すなわち、実施例２によれば、バルク層１２表面のＢＰＤ密度は、１３３８個／ｃｍ２であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、４個／ｃｍ２である、ＳｉＣ半導体基板１４を製造することができる。
言い換えれば、実施例２によれば、バルク層１２表面のＢＰＤ密度は、１０００個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、５個／ｃｍ２未満である、ＳｉＣ半導体基板１４を製造することができる。
すなわち、実施例２によれば、バルク層１２表面のＢＰＤ密度は、１３３８個／ｃｍ２であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、４個／ｃｍ２である、ＳｉＣ半導体基板１４を製造することができる。
言い換えれば、実施例２によれば、バルク層１２表面のＢＰＤ密度は、１０００個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、５個／ｃｍ２未満である、ＳｉＣ半導体基板１４を製造することができる。
【0151】
実施例３によれば、１０ｍｍ×５ｍｍの面積において、バルク層１２表面のＢＰＤの個数は２７６個であり、成長層１３表面のＢＰＤの個数は１２個である、ＳｉＣ半導体基板１４を製造することができる。
すなわち、実施例３によれば、バルク層１２表面のＢＰＤ密度は、５５２個／ｃｍ２であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、２４個／ｃｍ２である、ＳｉＣ半導体基板１４を製造することができる。
言い換えれば、実施例３によれば、バルク層１２表面のＢＰＤ密度は、５００個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、２５個／ｃｍ２以下である、ＳｉＣ半導体基板１４を製造することができる。
すなわち、実施例３によれば、バルク層１２表面のＢＰＤ密度は、５５２個／ｃｍ２であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、２４個／ｃｍ２である、ＳｉＣ半導体基板１４を製造することができる。
言い換えれば、実施例３によれば、バルク層１２表面のＢＰＤ密度は、５００個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、２５個／ｃｍ２以下である、ＳｉＣ半導体基板１４を製造することができる。
【0152】
実施例４によれば、１０ｍｍ×５ｍｍの面積において、バルク層１２表面のＢＰＤの個数は６２個であり、成長層１３表面のＢＰＤの個数は２個である、ＳｉＣ半導体基板１４を製造することができる。
すなわち、実施例４によれば、バルク層１２表面のＢＰＤ密度は、５５２個／ｃｍ２であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、４個／ｃｍ２である、ＳｉＣ半導体基板１４を製造することができる。
言い換えれば、実施例４によれば、バルク層１２表面のＢＰＤ密度は、１００個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、５個／ｃｍ２以下である、ＳｉＣ半導体基板１４を製造することができる。
すなわち、実施例４によれば、バルク層１２表面のＢＰＤ密度は、５５２個／ｃｍ２であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、４個／ｃｍ２である、ＳｉＣ半導体基板１４を製造することができる。
言い換えれば、実施例４によれば、バルク層１２表面のＢＰＤ密度は、１００個／ｃｍ２以上であり、成長層１３表面のＢＰＤ密度は、５個／ｃｍ２以下である、ＳｉＣ半導体基板１４を製造することができる。
【0153】
なお、実施例２の歪層除去工程Ｓ１０では、Ａｒガスを１００００Ｐａ導入することでＭＳＢを形成しているのに対し、この比較例２の歪層除去工程Ｓ１０ではタンタルシリサイド層にＴａＳｉ２を採用することでＭＳＢを形成している。
【0154】
比較例１は、実施例１と同様にＭＳＢが形成されない条件で歪層１１を除去し（歪層除去工程Ｓ１０）、昇華法を用いてＳｉＣ-Ｓｉ平衡蒸気圧環境下で成長させた（エピタキシャル成長工程Ｓ２０）。なお、このＳｉＣ-Ｓｉ平衡蒸気圧環境は、原料供給空間Ｓ２内にＳｉ基板を配置することで形成している。その結果、成長層１３のＢＰＤ変換率は、９３．２４％であった。
この結果から、ＳｉＣ-Ｓｉ平衡蒸気圧環境下で成長させた場合には、実施例１～４と比較してＢＰＤ変換率が低下していることがわかる。
この結果から、ＳｉＣ-Ｓｉ平衡蒸気圧環境下で成長させた場合には、実施例１～４と比較してＢＰＤ変換率が低下していることがわかる。
【0155】
また、本発明者等は、ＢＰＤ変換率に法則性がないか鋭意検討・実験したところ、図１１に示すように、ＢＰＤ変換率はエピタキシャル成長前とエピタキシャル成長後のテラス幅Ｗの増減率（テラス幅増大率）に大きく関係していることを見出した。
【0156】
図１１は、横軸にテラス幅増大率（（成長前のテラス幅Ｗ２－成長後のテラス幅Ｗ１）／成長後のテラス幅Ｗ１）を、縦軸にＢＰＤ変換率をプロットしたグラフである。この図１１に示したプロットは、歪層１１を除去した異なるテラス幅Ｗ１を有する複数のＳｉＣ基板１０に対し、１７００℃，１８００℃，１９００℃の何れかの成長温度で、かつ、ＳｉＣ-Ｓｉ平衡蒸気圧環境下又はＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境下で、３μｍ成長させた複数の実験結果を示している。
この結果によれば、テラス幅増大率が０より大きい場合、すなわち、歪層１１を除去したＳｉＣ基板１０に対して、エピタキシャル成長中にテラス幅Ｗが増大する条件で成長させた場合には、ＢＰＤ変換率が９９．００％以上であった。
この結果によれば、テラス幅増大率が０より大きい場合、すなわち、歪層１１を除去したＳｉＣ基板１０に対して、エピタキシャル成長中にテラス幅Ｗが増大する条件で成長させた場合には、ＢＰＤ変換率が９９．００％以上であった。
【0157】
すなわち、本発明に係るＳｉＣ半導体基板の製造方法によれば、ＳｉＣ基板１０の歪層１１を除去する歪層除去工程Ｓ１０と、ＳｉＣ基板１０のテラス幅が増大する条件で成長させるエピタキシャル成長工程Ｓ２０と、を含むことにより、成長層１３中のＢＰＤ密度を低減させることができる。さらに、ＭＳＢが形成されていないＳｉＣ基板１０に対して、Ｃリッチ環境下でエピタキシャル成長を行うことにより、ＢＰＤ変換率を１００％とすることができる。
【0158】
なお、エピタキシャル成長工程Ｓ２０において、ＳｉＣ基板１０をＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境下で成長させた場合には、テラス幅Ｗ２が４０～２００ｎｍ、ステップ高さが３～１４ｎｍのステップ－テラス構造が形成される。そのため、エピタキシャル成長工程Ｓ２０前のＳｉＣ基板１０のテラス幅Ｗ１は、好ましくは４０ｎｍ未満であり、より好ましくは３０ｎｍ未満であり、さらに好ましくは２０ｎｍ未満であり、さらに好ましくは１５ｎｍ未満であり、さらに好ましくは１４ｎｍである。
【符号の説明】
【0159】
Ｓ１０ 歪層除去工程
Ｓ２０ エピタキシャル成長工程
Ｓ３０ バンチング分解工程
１０ ＳｉＣ基板
１１ 歪層
１２ バルク層
１３ 成長層
１４ ＳｉＣ半導体基板
１５ ステップ
１６ テラス
２０ 浸炭容器
３０ 原料容器
４０ 高温真空炉
４１ 本加熱室
４２ 予備加熱室
４３ 移動手段
Ｓ１ Ｓｉ蒸気圧空間
Ｓ２ 原料供給空間
ＢＰＤ 基底面転位
ＭＳＢ マクロステップバンチング
Ｗ テラス幅
Ｓ２０ エピタキシャル成長工程
Ｓ３０ バンチング分解工程
１０ ＳｉＣ基板
１１ 歪層
１２ バルク層
１３ 成長層
１４ ＳｉＣ半導体基板
１５ ステップ
１６ テラス
２０ 浸炭容器
３０ 原料容器
４０ 高温真空炉
４１ 本加熱室
４２ 予備加熱室
４３ 移動手段
Ｓ１ Ｓｉ蒸気圧空間
Ｓ２ 原料供給空間
ＢＰＤ 基底面転位
ＭＳＢ マクロステップバンチング
Ｗ テラス幅
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
