(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2023-12-07
(45)【発行日】2023-12-15
(54)【発明の名称】銅酸化物粒子組成物、導電性ペースト及び導電性インク
(51)【国際特許分類】
C01G 3/02 20060101AFI20231208BHJP
C09D 11/52 20140101ALI20231208BHJP
C09D 5/24 20060101ALI20231208BHJP
C09D 201/00 20060101ALI20231208BHJP
C09D 7/61 20180101ALI20231208BHJP
C09D 7/62 20180101ALI20231208BHJP
B22F 1/00 20220101ALI20231208BHJP
B22F 9/00 20060101ALI20231208BHJP
B22F 9/24 20060101ALI20231208BHJP
B22F 1/0545 20220101ALI20231208BHJP
H01B 1/20 20060101ALI20231208BHJP
B82Y 30/00 20110101ALN20231208BHJP
【FI】
C01G3/02
C09D11/52
C09D5/24
C09D201/00
C09D7/61
C09D7/62
B22F1/00 L
B22F9/00 B
B22F9/24 B
B22F1/0545
H01B1/20 A
B82Y30/00
(21)【出願番号】P 2022100508
(22)【出願日】2022-06-22
(62)【分割の表示】P 2018238587の分割
【原出願日】2018-12-20
【審査請求日】2022-06-23
(31)【優先権主張番号】P 2017245424
(32)【優先日】2017-12-21
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2018153706
(32)【優先日】2018-08-17
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】504173471
【氏名又は名称】国立大学法人北海道大学
(73)【特許権者】
【識別番号】000183303
【氏名又は名称】住友金属鉱山株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100106002
【氏名又は名称】正林 真之
(74)【代理人】
【識別番号】100120891
【氏名又は名称】林 一好
(72)【発明者】
【氏名】米澤 徹
(72)【発明者】
【氏名】塚本 宏樹
(72)【発明者】
【氏名】西本 大夢
【審査官】浅野 昭
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第2015/129466(WO,A1)
【文献】国際公開第2012/067016(WO,A1)
【文献】特許第5920541(JP,B1)
【文献】特開2016-139488(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
C01G 1/00-23/08
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
Cu
64O粒子及びCu
8O粒子のうち少なくとも1つを含み、
前記Cu
64O粒子及び前記Cu
8O粒子のうち少なくとも1つの平均粒径が20nm以下であ
り、
前記Cu
64
O粒子及び前記Cu
8
O粒子のうち少なくとも1つは、表面がアミン系化合物で被覆されている
銅酸化物粒子組成物。
【請求項2】
前記アミン系化合物は、アルカノールアミン、ジアミン及びアミノカルボン酸からなる群から選択される1種以上である
請求項
1に記載の銅酸化物粒子組成物。
【請求項3】
前記アミン系化合物の含有量は、前記Cu
64O粒子及び前記Cu
8O粒子に含まれるCuの総量に対し、モル比で0.05倍以上である
請求項
1又は
2に記載の銅酸化物粒子組成物。
【請求項4】
150℃以下で焼結してCu焼結体を構成するための
請求項1乃至
3いずれか1項に記載の銅酸化物粒子組成物。
【請求項5】
請求項1乃至
4いずれか1項に記載の銅酸化物粒子組成物と、分散媒と、を含む
導電性インク。
【請求項6】
請求項1乃至
4いずれか1項に記載の銅酸化物粒子組成物と、分散媒と、バインダ樹脂と、を含む
導電性ペースト。
【請求項7】
請求項
5に記載の導電性インクを塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜を焼結する、銅焼結体の製造方法。
【請求項8】
請求項
6に記載の導電性ペーストを塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜を焼結する、銅焼結体の製造方法。
【請求項9】
前記塗布膜を、膜厚30μm以上となるように形成し、該塗布膜を加熱焼結するに際し、昇温速度を2℃/分以下とする、請求項
7又は
8に記載の銅焼結体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、銅酸化物粒子組成物、導電性ペースト及び導電性インクに関する。
【背景技術】
【0002】
従来、電子部品の配線材料や接合材料として、Ag粒子が最も広く用いられている。しかし、Ag粒子は高コストであり、またマイグレーションも起きやすいことから、代替材料としてCu粒子を用いることが検討されている。
【0003】
一方、近年ではプリンテッドエレクトロニクスに注目が集まっている。このような分野では、PET等のプラスチック基板上の配線材料や接合材料の粒子を150℃以下の低温焼結させる技術が求められている。
【0004】
これまで、低温焼結用のCu粒子として、様々な粒径や形態のものが検討されてきたが、150℃以下での低温焼結により、低い抵抗率を有する焼結体を構成するCu粒子は得られていない。この原因として、Cu粒子が酸化されて生成したCuOやCu2Oが粒子同士の焼結を阻害することや、例えば粒径が大きい場合にはナノサイズ効果による融点の降下の効果が得られないこと等が挙げられる。
【0005】
特許文献1には、炭素数3~6の1級アルコール、炭素数3~6の2級アルコール及びこれらの誘導体が保護剤として被覆された微細な金属Cuナノ粒子を用いて低温焼結を行う技術が開示されている。また、非特許文献1には、このような金属Cuナノ粒子と粒子径の異なるCu微粒子とを混合して低温焼結を行う技術が開示されている。しかしながら、このような方法で得られる金属Cuナノ粒子は、表面に存在する保護剤によりある程度酸化が抑制されているが、比表面積が大きいため大気中で酸化してCuOやCu2Oが生成し、焼結しようとする際に低温焼結を阻害するおそれがある。したがって、より低温で焼結体を得るためには、なお改良の余地がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【非特許文献】
【0007】
【文献】ACS Appl.Mater.Interfaces,2017,9(24),20852-20858
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、金属Cuナノ粒子を使用することなく、低温焼結性に優れる銅焼結体の原料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明者らは、上述した課題を解決するために鋭意検討を重ねた。その結果、所定の粒径のCu64O粒子及びCu8O粒子を含む銅酸化物粒子組成物が低温焼結性に優れることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的に、本発明は、以下のものを提供する。
【0010】
(1)本発明の第1の発明は、Cu64O粒子及びCu8O粒子のうち少なくとも1つを含み、前記Cu64O粒子及び前記Cu8O粒子のうち少なくとも1つの平均粒径が20nm以下である、銅酸化物粒子組成物である。
【0011】
(2)本発明の第2の発明は、第1の発明において、前記Cu64O粒子及び前記Cu8O粒子のうち少なくとも1つは、表面がアミン系化合物で被覆されている、銅酸化物粒子組成物である。
【0012】
(3)本発明の第3の発明は、第2の発明において、前記アミン系化合物は、アルカノールアミン、ジアミン及びアミノカルボン酸からなる群から選択される1種以上である、銅酸化物粒子組成物である。
【0013】
(4)本発明の第4の発明は、第2又は第3の発明において、前記アミン系化合物の含有量は、前記Cu64O粒子及び前記Cu8O粒子に含まれるCuの総量に対し、モル比で0.05倍以上である、銅酸化物粒子組成物である。
【0014】
(5)本発明の第5の発明は、第1乃至第4いずれかの発明において、150℃以下で焼結してCu焼結体を構成するための、銅酸化物粒子組成物である。
【0015】
(6)本発明の第6の発明は、平均粒径が20nm以下である銅酸化物粒子と、平均粒径が20nm超1μm以下の金属銅粒子と、を含み、前記銅酸化物粒子は、Cu64O粒子及び前記Cu8O粒子のうち少なくとも1つである、混合粒子である。
【0016】
(7)本発明の第7の発明は、第1乃至第5いずれかの発明に係る銅酸化物粒子組成物と、分散媒と、を含む、導電性インクである。
【0017】
(8)本発明の第8の発明は、第6の発明に係る混合粒子と、分散媒と、を含む、導電性インクである。
【0018】
(9)本発明の第9の発明は、第1乃至第5いずれかの発明に係る銅酸化物粒子組成物と、分散媒と、バインダ樹脂と、を含む、導電性ペーストである。
【0019】
(10)本発明の第10の発明は、第6の発明に係る混合粒子と、分散媒と、バインダ樹脂と、を含む、導電性ペーストである。
【0020】
(11)本発明の第11の発明は、第6の発明に係る混合粒子を製造する方法であって、少なくともCuイオンと、該Cuイオンの含有量に対しモル比で0.5倍以上2倍未満のアミン系化合物とを含む反応溶液に、還元剤を添加する、混合粒子の製造方法である。
【0021】
(12)本発明の第12の発明は、第7又は第8の発明に係る導電性インクを塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜を焼結する、銅焼結体の製造方法である。
【0022】
(13)本発明の第13の発明は、第9又は第10の発明に係る導電性ペーストを塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜を焼結する、銅焼結体の製造方法である。
【0023】
(14)本発明の第14の発明は、第12又は第13の発明において、前記塗布膜を、膜厚30μm以上となるように形成し、該塗布膜を加熱焼結するに際し、昇温速度を2℃/分以下とする、銅焼結体の製造方法である。
【発明の効果】
【0024】
本発明によれば、低温焼結性に優れる銅焼結体の原料を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0025】
【
図1】実施例1において得られた試料のTEM写真図である。
【
図2】実施例1において得られた試料のXRDパターンである。
【
図3】実施例1において得られた銅酸化物粒子組成物のTG-DTA分析結果である。
【
図4】実施例1において得られた自己発熱後の銅焼結体のSEM写真図である。
【
図5】実施例1において得られた自己発熱後の銅焼結体のXRDパターンである。
【
図6】実施例1において得られた加熱後の銅焼結体のSEM写真図である。
【
図7】実施例2において得られた試料のXRDパターンである。
【
図8】実施例5において得られた試料のTEM写真図である。
【
図9】実施例5において得られた試料のXRDパターンである。
【
図10】実施例5において得られた焼結膜のSEM写真図である。
【
図11】実施例6において得られた焼結膜のSEM写真図である。
【
図12】実施例7において得られた焼結膜のSEM写真図である。
【
図13】実施例8において得られた焼結膜のSEM写真図である。
【発明を実施するための形態】
【0026】
以下、本発明の具体的な実施形態(以下「本実施の形態」という)について、詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的の範囲内において適宜変更を加えて実施することができる。
【0027】
≪1.銅酸化物粒子組成物≫
本実施の形態に係る銅酸化物粒子組成物は、Cu64O粒子及びCu8O粒子のうち少なくとも1つを含むものであり、Cu64O粒子及びCu8O粒子のうち少なくとも1つの平均粒径が20nm以下であることを特徴とするものである。
【0028】
銅の酸化物としては、CuO、Cu2O、Cu4O3、Cu8O及びCu64Oの5種が知られている。このうち、Cu64O及びCu8Oは、安定相であるCuOやCu2Oと比較して酸素原子の割合が少なく、安定性の低いものである。そしてこのようなCu64O及びCu8Oが酸素に接触すると、発熱するとともに酸化還元反応(自己酸化分解)が起こることで、Cu64OやCu8Oの表面の銅原子が動きやすくなり、焼結が促進される。したがって、このような焼結により、例えば150℃以下での低温焼結を達成することができる。なお、このような発熱はエネルギーが非常に高く、Cu64O及びCu8Oが金属Cu粒子やその他の銅酸化物(Cu2O、Cu4O3)に僅少量混合されているだけでも、低温焼結を達成することができる。
【0029】
ここで、Cu64O粒子及びCu8O粒子のうち少なくとも1つの平均粒径が20nm以下であると、酸素に接触する面積が特に大きくなる。また、一つの粒子を構成する原子全体に対する粒子表面に存在する原子の割合が増加する。粒子表面に存在する原子は結合が不飽和な状態であり、結合が飽和な状態にある粒子内部に存在する原子よりも高いエネルギーを有している。すなわち、平均粒径が20nm以下であると、粒子においてエネルギーの高い粒子表面の原子の割合が大きくなる。このように、本来高いエネルギーを有しているCu8O粒子及びCu64O粒子を微細化することにより、酸素との接触面積を増加させるとともに高いエネルギー状態の原子を増加させて発熱量を高め、低温焼結を可能とする。なお、本願における「平均粒径」とは、TEM写真図から無作為に選択した200個の粒子それぞれの端部から端部までの距離のうち最長の距離を平均したものをいう。
【0030】
ここで、銅酸化物粒子組成物には、Cu64O粒子及びCu8O粒子のいずれか一方が含まれていても、両者の混合物であってもよい。ただし、混合物であることにより、いずれか一方を含む場合に比べてより乱れを誘発し、化学反応が起きやすくなり、低温で焼結が進みやすくなると考えられる。また、Cu64Oよりも、Cu8Oの方が化学的に安定であるため、Cu64Oのみよりも混合物の方が安定して存在させることができる。
【0031】
Cu64O粒子及びCu8O粒子のうち少なくとも1つの平均粒径としては、20nm以下であれば特に限定されないが、例えば15nm以下であることが好ましく、10nm以下であることがより好ましい。
【0032】
(添加物)
Cu64O粒子又はCu8O粒子は、還元性を有する化合物を含有することが好ましい。
【0033】
銅酸化物粒子組成物の焼結時に生成した銅が、雰囲気中の酸素により酸化されるおそれがあるが、Cu64O粒子又はCu8O粒子が還元性を有する化合物を含有することにより、生成した銅の酸化を防止することができる。また、焼結時に、銅酸化物粒子組成物が酸化されることにより生じたCuOやCu2O等抵抗を高め得る酸化銅を還元し、このような酸化銅の含有を抑制することができる。
【0034】
還元性を有する化合物の含有状態としては、特に限定されないが、Cu64O粒子及びCu8O粒子の少なくともいずれかの表面を被覆した状態であることが好ましい。このような有機物としては、例えばアミノ基を有する化合物(以下、「アミン系化合物」ということもある。)が挙げられる。これにより、銅の酸化による酸化銅の発生をより強く抑制するとともに、銅酸化物粒子組成物の急速な焼結を防止することができる。
【0035】
アミノ基を有する化合物としては、特に限定されず、例えばアルカノールアミン、ジアミン及びアミノカルボン酸等を用いることが好ましい。その中でも、アルカノールアミンを用いることがより好ましい。アルカノールアミンとしては、例えば、2-アミノ-1-ブタノール、1-アミノ-2-プロパノール、2-アミノ-2-エチル-1,3-プロパンジオール、2-アミノ-2-ヒドロキシメチル-1,3-プロパンジオール、1,3-ジアミノ-2-プロパノール、1-アミノ-2-ブタノール、2-アミノエタノール等が挙げられる。このように還元性基として、アミノ基を複数有しているか、アミノ基と他の還元性基を有していることにより、還元作用を高めることができる。中でも、PET等の高分子基板への焼成膜の密着性の観点から2-アミノ-2-ヒドロキシメチル-1,3-プロパンジオールを用いることがより好ましい。
【0036】
アミノ基を有する化合物の含有量としては、特に限定されないが、Cu64O粒子及びCu8O粒子に含まれるCuの総量に対し、例えばモル比で0.05倍以上であることが好ましく、0.07倍以上であることがより好ましく、0.1倍以上であることがさらに好ましい。このような比であることにより、粒子の急速な反応をより適切に防止するとともに、保存時等における酸化銅(より酸化数が大きく安定なCu2OやCuO)の発生をより強く抑制することができる。一方で、アミノ基を有する化合物の含有量としては、0.5倍以下であることが好ましく、0.3倍以下であることがより好ましい。
【0037】
Cu64O粒子やCu8O粒子に有機物を被覆する方法としては、特に限定されず、各種表面処理の手法を採用することができ、例えばCu64O粒子又はCu8O粒子と、有機物を混合するだけで被覆することもできる。また、具体的な一つの例は後述するが、例えば被覆する有機物を添加して、液相法によりCu64O粒子やCu8O粒子を合成し、表面に有機物が被覆されたものを製造することもできる。
【0038】
銅酸化物粒子組成物は、例えば還元剤を含むことができる。上述したような、Cu64O粒子又はCu8O粒子に還元性を有する化合物を被覆される効果と同様の効果を得ることができる。
【0039】
(製造方法)
このような銅酸化物粒子組成物の製造方法は、特に限定されず、Cu64O粒子及びCu8O粒子をそれぞれ、固相法や液相法等の公知の方法にて合成して混合して製造することができる。また、Cu64O及びCu8Oをそれぞれ公知の方法にてバルク状態又はある程度の粒径を有する粒子として合成した後、粉砕等により微細化し混合して製造することができる。なお、この場合において、混合と粉砕の順は特に限定されず、例えばCu64O及びCu8Oをそれぞれ公知の方法にてバルク状又粗粒子状として合成して混合した後、粉砕等により微細化して製造することもできる。さらに、Cu64O及びCu8Oを、粗粒子状又はバルク状として同時に合成し、このようにして得たCu64O及びCu8Oを粉砕して、目的とする銅酸化物粒子組成物を製造することができる。
【0040】
Cu64O及びCu8Oを同時に、平均粒径20nm以下のナノ粒子状として合成する方法としては、例えば銅イオンとアミン系表面処理剤を含有する反応溶液に還元剤を添加する、液相還元法が挙げられる。
【0041】
具体的に、このような液相還元法において反応溶液としては、銅イオンと、アミノ基を有する化合物とを反応溶媒に溶解させてなる溶液を用いる。この反応溶液中で、銅イオンは、アミン系化合物と錯体を形成している。このような反応溶液に還元剤を添加することで、銅イオンが還元されてより酸化数の低いCu64O及びCu8Oが生成する。
【0042】
銅イオンの供給源としては、銅イオンを供給し得るものであれば特に限定されず、例えば硫酸銅、酢酸銅、酸化銅等を用いることができる。
【0043】
アミン系化合物としては、特に限定されず、例えば、上述したようにアルカノールアミン、ジアミン、アミノカルボン酸等を用いることができる。
【0044】
アミン系化合物の添加量としては、特に限定されないが、反応溶液に含まれる銅イオンの含有量に対し、例えばモル比で2倍以上であることが好ましく、2.5倍以上であることがより好ましく、3倍以上であることがさらに好ましい。このような比であることにより、粒子の急速な反応をより適切に防止するとともに、保存時等における酸化銅(より酸化数が大きく安定なCu2OやCuO)の発生をより強く抑制することができる。
【0045】
反応溶媒としては、特に限定されず、例えばエチレングリコール等の多価アルコール類、メタノール、エタノール、2-プロパノール等の低級アルコール類、アセトン等のケトン類、水等を用いることができる。特に、環境への影響が小さく、廃液処理が容易との理由から水を用いることが好ましい。
【0046】
還元剤としては、特に限定されず、ヒドラジン、塩酸ヒドラジン、硫酸ヒドラジン、抱水ヒドラジン等のヒドラジン系還元剤、クエン酸、アスコルビン酸類、水素化ホウ素ナトリウム等の水素化ホウ素酸塩等を用いることができる。
【0047】
上述の還元法によって得られた銅酸化物粒子組成物は、その後洗浄溶媒により精製することが好ましい。洗浄溶媒としては特に限定されないが、N,N-ジメチルアセトアミド、トルエン、ヘキサン等の有機溶媒を用いることができる。銅酸化物粒子組成物は、例えば、遠心分離やろ過を用いて精製する。
【0048】
以上のような銅酸化物粒子組成物によれば、その高い焼結性により例えば150℃以下の低温で焼結することができ、このようにして得られる焼結体は、CuOやCu2O等抵抗を高め得る酸化銅の含有量が少ない。
【0049】
≪2.混合粒子≫
本実施の形態に係る混合粒子は、平均粒径が20nm以下である銅酸化物粒子と、
平均粒径が20nm超1μm以下の金属銅粒子と、を含むものであり、銅酸化物粒子は、Cu64O粒子及びCu8O粒子のうち少なくとも1つであることを特徴とするものである。
【0050】
このような混合粒子は、上述した特定の金属銅粒子を含むことにより、Cu64O粒子やCu8O粒子によって焼結して生じる焼結体中において、大きな粒界(グレイン)を形成しそれが導電パスとなり、焼結体の導電性を高めることができる。
【0051】
このような混合粒子において、銅酸化物粒子の詳細は、上述した銅酸化物粒子組成物と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。
【0052】
(金属銅粒子)
金属銅粒子は、平均粒径が20nm超1μm以下である。金属銅粒子は、上述したとおり、焼結体中において、大きな粒界を形成しそれが導電パスとなり、焼結体の導電性を高めるものである。もっとも、上述した銅酸化物粒子組成物のようにCu64O粒子やCu8O粒子だけでも十分な導電性を備える焼結体が得られるが、Cu64O粒子やCu8O粒子は粒径が比較的小さいことから、それらのみで焼結を行うと粒界が多い焼結体となる。このようにして形成される粒界は、焼結体中で僅かではあるが抵抗を増加させる。したがって、粒界をより少なくする観点から、金属銅粒子の平均粒径を20nm超とする。一方で、焼結性を高める観点から、金属銅粒子の平均粒径を1μm以下とする。なお、銅酸化物粒子としてのCu64O粒子やCu8O粒子は、高い焼結性を有しているため、銅粒子が混在していても十分に焼結を行うことができる。このような平均粒径とすることにより、銅クラスターや、Cu64O粒子及びCu8O粒子との粒径の差が生じるため、焼結体の銅充填率を高めることができ、より低抵抗な焼結体を得ることができる。
【0053】
金属銅粒子の平均粒径としては、50nm以上であることが好ましく、100nm以上であることがより好ましい。金属銅粒子の平均粒径が以上のような範囲であることにより、より粒界を大きくして、得られる焼結体の導電性を高めることができる。一方で、金属銅粒子の平均粒径としては、900nm以下であることが好ましく、800nm以下であることがより好ましい。金属銅粒子の平均粒径が以上のような範囲であることにより、焼結性を高めることができる。
【0054】
(添加物)
第2の態様の混合粒子においては、Cu64O粒子又はCu8O粒子だけでなく、上述した金属銅粒子も同様にアミノ基を有する化合物で被覆することができる。すなわち、このような混合粒子においては、Cu64O粒子、Cu8O粒子及び金属銅粒子のうち少なくとも1つは、アミノ基を有する化合物を含んでなることが好ましい。
【0055】
また、アミノ基を有する化合物の種類、被覆する方法及びその他の添加物については、上述したことと同様である。また、アミノ基を有する化合物の含有量についても、上述したことと同様に混合粒子に含まれるCuの含有量に対し、例えばモル比で0.05倍以上であることが好ましく、0.07倍以上であることがより好ましく、0.1倍以上であることがさらに好ましい。一方で、アミノ基を有する化合物の含有量としては、0.5倍以下であることが好ましく、0.3倍以下であることがより好ましい。ただし、「混合粒子に含まれるCuの含有量」は、金属銅粒子を構成するCuの量をも含むものとする。このように、金属銅粒子がアミン基を有する化合物を有することにより、酸化銅(Cu2OやCuO)の生成を抑制することができる。
【0056】
(製造方法)
このような混合粒子の製造方法は、上述した銅酸化物粒子の製造方法の具体例と、アミノ基を有する化合物の添加量以外は同様である。すなわち、このような製造方法は、少なくともCuイオンと、そのCuイオンの含有量に対しモル比で0.5倍以上2倍未満のアミン系化合物とを含む反応溶液に、還元剤を添加することを特徴とするものである。
【0057】
アミノ基を有する化合物の添加量としては、反応溶液に含まれるCuイオンの含有量に対し、例えばモル比で0.5倍以上2倍未満である。このような比であることにより、Cu64O粒子及びCu8O粒子以外に、金属銅粒子を生成させることができる。また、アミノ基を有する化合物の添加量としては、1.7倍以下であることがより好ましく、1.5倍以上であることがさらに好ましい。一方で、アミノ基を有する化合物の添加量としては、0.6倍以上であることが好ましく、0.7倍以上であることがより好ましい。
【0058】
≪3.導電性インク及び導電性ペースト≫
本実施の形態に係る導電性インク又は導電性ペーストは、上述の銅酸化物粒子組成物又は混合粒子を分散媒に分散してなるものである。ここで、「導電性ペースト」とは、少なくとも銅酸化物粒子組成物又は混合粒子と、分散媒と、バインダ樹脂とを含むものである。一方で、「導電性インク」とは、少なくとも銅酸化物粒子組成物又は混合粒子と分散媒とを含むものである。すなわち、「導電性ペースト」と「導電性インク」との相違は樹脂バインダを含むものか否かである。
【0059】
銅酸化物粒子組成物又は混合粒子の分散方法としては、特に制限されないが、例えば、撹拌、自転公転ミキサー等の方法を用いることができる。
【0060】
分散媒としては、銅酸化物粒子組成物又は混合粒子を分散させることができるものであれば特に制限されないが、分散安定性の観点から、極性分子であることが好ましい。具体的には例えば、水やアルコール等が挙げられる。上述の銅酸化物粒子組成物や混合粒子は、比較的親水性が高いため、これらの分散媒への分散性が高い。また、その他の分散媒としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、グリセリン、ターピネオール等の有機分散媒を用いることができる。また、その分散媒の量は、特に限定されないが、スクリーン印刷やディスペンサー等の導電膜形成方法に適した粘度となるように、銅粉の平均粒径を考慮して添加量を調整することができる。
【0061】
導電性インク又は導電性ペーストには、金属Cu粒子や、Cu64O及びCu8O以外の酸化銅の粒子(CuO、Cu2O、Cu3O4)を含有することができる。上述したように、特定の粒径のCu64O粒子及びCu8O粒子から生じる発熱はエネルギーが非常に高く、Cu8O及びCu64Oが金属Cu粒子やその他の銅酸化物(CuO、Cu2O、Cu3O4)に僅少量混合されているだけでも、低温焼結を達成することができるからである。金属Cu粒子、酸化銅の粒子の平均粒子径としては、特に限定されないが、例えば50nm以上800nm未満であることが好ましい。
【0062】
導電性インク又は導電性ペーストには、構成成分として、上述した銅酸化物粒子組成物及び分散媒の他に、硬化後の導電性を改善するための酸化防止剤やカップリング剤等の添加剤を配合させることができる。
【0063】
バインダ樹脂としては、特に限定されず、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、エチルセルロース樹脂等を用いることができる。
【0064】
また、酸化防止剤としては、特に限定されず、例えばヒドロキシカルボン酸等を挙げることができる。より具体的には、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、乳酸等のヒドロキシカルボン酸が好ましく、銅への吸着力が高いクエン酸又はリンゴ酸が特に好ましい。その他にカップリング剤、粘度調整剤、分散剤、難燃剤、沈降防止剤等を使用することができる。
【0065】
導電性インク又は導電性ペーストは、上述した構成成分を均一に分散させることができる限り、従来技術と同様の方法により製造できる。例えば各構成成分を、3本ロールミル等により均一に混練することにより製造できる。
【0066】
≪4.銅焼結体の製造方法≫
本実施の形態に係る銅焼結体の製造方法は、上述した導電性インク又は導電性ペーストを塗布して塗布膜を形成し、塗布膜を焼結するものである。
【0067】
このような塗布膜によれば、Cu64OやCu8Oを含むため高い焼結性を有し、例えば室温~130℃の比較的低温でも十分に焼結された焼結体が得られる。
【0068】
ところで、導電性インク又は導電性ペーストを塗布して形成した塗布膜では、その膜厚が30μm以上になると、得られる焼結体にクラックが生じそれに起因して導電性が低下するおそれがある。したがって、このような塗布膜を焼結する場合、昇温速度を2℃/分以下とすることが好ましく、1.5℃/分以下とすることがより好ましい。一方で、膜厚が30μm未満の場合、昇温速度は、例えば、20℃/分以下とすることができる。
【0069】
導電性インク及び導電性ペーストを塗布する基板としては、アルミナ、ポリイミド、PET等を用いることができる。ポリイミドやPET基板を用いる場合、導電性インク及び導電性ペーストと基板との濡れ性を良くするために、オゾンや紫外線によってその表面を親水化処理することができる。オゾンや紫外線による処理を行うための装置としては、例えばフィルジェン製UVオゾンクリーナー(UV253)等を用いることができる。
【0070】
導電性インクや導電性ペーストの印刷装置としては、例えばドクターブレードやバーコーターを用いることができる。
【実施例】
【0071】
以下、実施例を示して本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら制限されるものではない。
【0072】
以下に示す操作により、銅酸化物粒子を合成した。試薬として、酢酸銅(和光純薬工業株式会社製)、ヒドラジン一水和物(純正化学株式会社製)、エチレングリコール(純正化学株式会社製)、2-アミノ-1-ブタノール(東京化成工業株式会社製)、2-アミノ-2-ヒドロキシメチル-1,3-プロパンジオール(関東化学株式会社製)、N,N-ジメチルアセトアミド(関東化学株式会社製)、トルエン(関東化学株式会社製)及びヘキサン(純正化学株式会社製)を用いた。
【0073】
<焼結性及び導電性>
〔実施例1〕
溶媒としてエチレングリコール30mLと表面処理剤としての2-アミノ-1-ブタノール14.1mLとの混合溶液中に、銅原料である酢酸銅2.73gを添加し、超音波分散させて均一に混合し、Cu錯体を形成させ、錯体溶液を調製した。なお、このときのCuと表面処理剤のモル比は1:10である。次いで、この錯体溶液を1100rpmで撹拌しながら、還元剤であるヒドラジン一水和物7.3mLを投入した。その後、室温で24時間、1100rpmで撹拌保持した。得られたCu酸化物ナノ粒子分散液5.7mLに、N,N-ジメチルアセトアミド40mLを添加し懸濁液を調整し、6000rpmで5分撹拌した後、遠心分離を行い、上澄み液を除去し、沈殿物を採取した。採取した沈殿物をN,N-ジメチルアセトアミドで洗浄し、さらにトルエン、ヘキサンで洗浄・精製し、試料を調製した。
【0074】
得られた試料をエタノールに分散させて得た分散液を、透過型電子顕微鏡(TEM)用のグリッド上に滴下し、自然乾燥させた。このようにして得られたTEM用グリッドを用いて、TEM観察を行った。TEM観察は、JEOL社製JEM2000-ESを用いて、加速電圧200kVの条件で行った。
図1は、実施例1において得られた試料のTEM写真図である。凝集が見られず、粒径が5nm程度の分散性の高い粒子が得られたことが分かった。
【0075】
得られた試料について、リガク社製MiniFlex2を用いてX線回折(XRD)測定を行った。測定は、CuKα線を用い、スキャン速度は20°min
-1に設定した。
図2は、実施例1において得られた試料のXRDパターンである。
図2のXRDパターンにおいて、金属Cuのピークは観測されなかった一方、Cu
64O及びCu
8Oのピークが観測された。このことから、Cu
64O及びCu
8Oが生成していることが分かった。
【0076】
得られた銅酸化物粒子組成物について、島津製作所製DTG-60Hを用いて、熱重量・示差熱(TG-DTA)分析を行った。測定は、窒素雰囲気下、昇温速度5℃/分、ガス流量100mL/分で行った。
図3は、実施例1において得られた銅酸化物粒子組成物のTG-DTA分析結果である。
図3より、実施例1において得られた銅酸化物粒子組成物では、約18%の重量減少が観測された。この重量減少は、表面処理剤としての2-アミノ-1-ブタノールの脱離・分解によるものであると考えられる。この重量減少から求めたCuの総量に対する2-アミノ-1-ブタノールの量(2-アミノ-1-ブタノール/Cu)は、モル比で0.15であった。
【0077】
得られた銅酸化物粒子組成物について、窒素フロー下で十分に乾燥させた後、大気中に取り出したところ、発熱して焼結体が得られた。得られた焼結体についてSEM観察を行った。
図4は、実施例1において得られた自己発熱後の銅焼結体のSEM写真図である。
図4のSEM写真図から、実施例1において得られた自己発熱後の銅焼結体は、ナノレベルの粒子が連結して構成していることが分かった。
【0078】
また、
図5は、実施例1において得られた自己発熱後の銅焼結体のXRDパターンである。XRDパターンから、Cuの強いピークとCu
2Oの僅かなピークとが観測され、多量のCuと僅少量のCu
2Oが生成していることが分かった。
【0079】
実施例1において得られた銅酸化物粒子組成物と溶媒(プロピレングリコールとグリセリンの1:1体積%混合溶液)を混合し、Cu濃度45質量%のナノインクを作製した。得られたナノインクを膜厚が10μmとなるように、アルミナ基板上に印刷し、窒素雰囲気中、80℃で1時間乾燥した後、150℃で15分間焼成した。このときの昇温速度を3℃/分とした。得られた焼結体についてSEM観察を行った。
図6は、実施例1において得られた加熱後の銅焼結体のSEM写真図である。
図6のSEM写真図から、実施例1において得られた加熱後の銅焼結体は、ナノレベルの粒子が連結して構成していることが分かった。また、焼結体の抵抗率は、4.6×10
-3Ω・cmであった。
【0080】
〔実施例2〕
溶媒として超純水(電気伝導率>18.2MΩcm)を20mL、表面処理剤として2-アミノ-2-ヒドロキシメチル-1,3-プロパンジオール9.7gを用い、酢酸銅の添加量を1.82g、ヒドラジン一水和物の添加量を4.9mLに変更した以外は、実施例1-1と同様にして試料を調製した。なお、このときのCuと表面処理剤のモル比は1:8である。
【0081】
得られた試料について、XRD測定を行った。
図7は、実施例2において得られた試料のXRDパターンである。
図7のXRDパターンにおいて、Cu
64O及びCu
8Oのピークが観測された。この結果から、水を溶媒としても、銅酸化物粒子組成物を合成できることが分かった。
【0082】
得られた試料について、TG-DTA分析を行った結果、約25%の重量減少が確認された。この重量減少から求めたCuの総量に対する2-アミノ-2-ヒドロキシメチル-1,3-プロパンジオールの量(2-アミノ-2-ヒドロキシメチル-1,3-プロパンジオール/Cu)は、モル比で0.17であった。
【0083】
得られた銅酸化物粒子組成物について、窒素フロー下で十分に乾燥させた後、大気中に取り出したところ、発熱して焼結体が得られた。得られた焼結体についてSEM観察を行ったところ、実施例2において得られた自己発熱後の銅焼結体は、ナノレベルの粒子が連結して構成していることが分かった。
【0084】
また、実施例2の試料を用いてナノインクを作製し、実施例1と同様にして、150℃での加熱焼結を行った結果、焼結体の抵抗率は、8.7×10-4Ω・cmであった。
【0085】
〔実施例3〕
表面処理剤として2-アミノ-1-ブタノールの添加量を7.3mLとした以外は、実施例1と同様にして試料を調製した。なお、このときのCuと表面処理剤のモル比は1:5である。
【0086】
得られた試料について、XRD測定を行った。その結果、実施例1及び2と同様にCu64O及びCu8Oのピークが観測された。
【0087】
得られた銅酸化物粒子組成物について、窒素フロー下で十分に乾燥させた後、大気中に取り出したところ、発熱して焼結体が得られた。得られた焼結体についてSEM観察を行ったところ、実施例3において得られた自己発熱後の銅焼結体は、ナノレベルの粒子が連結して構成していることが分かった。
【0088】
〔実施例4〕
表面処理剤として1-アミノ-2-プロパノール11.6mLを用いた以外は、実施例1と同様にして試料を調製した。なお、このときのCuと表面処理剤のモル比は1:10である。
【0089】
実施例4で得られた試料について、TG-DTA分析を行った結果、約17.1%の重量減少が確認された。この重量減少から求めたCuの総量に対する1-アミノ-2-プロパノールの量(1-アミノ-2-プロパノール/Cu)は、モル比で0.17であった。
【0090】
実施例4の試料を用いてナノインクを作製し、実施例1と同様にしてアルミナ基板上に印刷した後、150℃での加熱焼結を行った結果、焼結体の抵抗率は、5.2×10-4Ω・cmであった。
【0091】
実施例4の試料を用いてナノインクを作製し、基板としてO3処理を施したPET基板を用いた以外、実施例1と同様にして焼結膜を調製した。得られた焼結膜の抵抗率は、2.0×10-4Ω・cmであった。また、PET基材を用いても焼結体は剥がれることなく、高い密着性を有していた。
【0092】
〔実施例5〕
表面処理剤として1-アミノ-2-プロパノール1.2mLを用いた以外は、実施例1と同様にして試料を調製した。なお、このときのCuと表面処理剤のモル比は1:1である。
【0093】
実施例5で得られた試料について、TEM観察を行った。
図8は、実施例5において得られた試料のTEM写真図である。
図8から、微細な5~10nm程度の粒子に加えて、約200nmまで成長したコントラストが濃い粒子が確認された。
【0094】
実施例5で得られた試料について、XRD測定を行った。
図9は、実施例5において得られた試料のXRDパターンである。
図9から、Cu
64O及びCu
8Oのピーク以外に、Cuのシャープなピークが観測された。TEM観察及びXRD測定の結果より、約200nmまで成長したコントラストが濃い粒子は、Cu粒子であると考えられる。
【0095】
実施例5で得られた試料について、TG-DTA分析を行った結果、約13.6%の重量減少が確認された。この重量減少から求めたCuの総量に対する1-アミノ-2-プロパノールの量(1-アミノ-2-プロパノール/Cu)は、モル比で0.13であった。
【0096】
実施例5の試料を用いてナノインクを作製し、実施例1と同様にしてアルミナ基板上に印刷した後、150℃での加熱焼結を行った結果、焼結体の抵抗率は、2.7×10-5Ω・cmであった。
【0097】
図10は、実施例5で得られた加熱後の銅焼結体のSEM写真図である。焼成膜中に約200nmの粒子が観察された。異なる粒径の粒子が存在し、焼成膜中の粒子の充填密度が高くなったために、低抵抗率となったと考えられる。
【0098】
<膜厚と昇温速度の関係>
〔実施例6〕
膜厚を20μmとした以外、実施例4と同様にして焼結膜を調製した。得られた焼結膜の抵抗率は、1.6×10-3Ω・cmであった。
【0099】
得られた焼結膜について、SEM観察を行った。
図11は、実施例6において得られた焼結膜のSEM写真図である。この焼結膜においては、表面に少量のクラックが確認された。
【0100】
〔実施例7〕
膜厚を40μmとした以外、実施例4と同様にして焼結膜を調製した。得られた焼結膜の抵抗率は、2.1×10-2Ω・cmであった。
【0101】
得られた焼結膜について、SEM観察を行った。
図12は、実施例7において得られた焼結膜のSEM写真図である。この焼結膜においては、表面に少量のクラックが確認された。
【0102】
〔実施例8〕
膜厚を40μm、昇温速度を1℃/分とした以外、実施例4と同様にして焼結膜を調製した。得られた焼結膜の抵抗率は、3.6×10-4Ω・cmであった。
【0103】
得られた焼結膜について、SEM観察を行った。
図13は、実施例8において得られた焼結膜のSEM写真図である。この焼結膜においては、表面に僅かなクラックが確認された。