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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-08-06
(45)【発行日】2024-08-15
(54)【発明の名称】ＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法及びその製造装置
(51)【国際特許分類】
C30B 29/36 20060101AFI20240807BHJP
C30B 23/06 20060101ALI20240807BHJP
【ＦＩ】
C30B29/36 A
C30B23/06
【請求項の数】
28
(21)【出願番号】P 2021504118
(86)(22)【出願日】2020-03-03
(86)【国際出願番号】 JP2020008967
(87)【国際公開番号】W WO2020179796
(87)【国際公開日】2020-09-10
【審査請求日】2022-12-12
(31)【優先権主張番号】P 2019040072
(32)【優先日】2019-03-05
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2019069280
(32)【優先日】2019-03-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2019069281
(32)【優先日】2019-03-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】503092180
【氏名又は名称】学校法人関西学院
(73)【特許権者】
【識別番号】000241485
【氏名又は名称】豊田通商株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100137338
【弁理士】
【氏名又は名称】辻田 朋子
(74)【代理人】
【識別番号】100196313
【弁理士】
【氏名又は名称】村松 大輔
(72)【発明者】
【氏名】金子 忠昭
【審査官】末松 佳記
(56)【参考文献】
【文献】特開２００３－１０４７９９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－０６５９９６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００８－０７４６６４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－０４７０９０（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ３０Ｂ １／００－３５／００
Ｈ０１Ｌ ２１／００－２１／９８
ＪＳＴＰｌｕｓ／ＪＳＴ７５８０／ＪＳＴＣｈｉｎａ （ＪＤｒｅａｍＩＩＩ）
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ＳｉＣ基板と前記ＳｉＣ基板よりもドーピング濃度が低いＳｉＣ材料とを相対させて加熱し、前記ＳｉＣ材料から前記ＳｉＣ基板に原料を輸送してＳｉＣエピタキシャル層を形成する工程を含む、ＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法であって、
前記ＳｉＣエピタキシャル層を形成する工程は、
前記ＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置し加熱した後、前記ＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間に配置し加熱することで、基底面転位密度を低減させたＳｉＣエピタキシャル層を形成する、ＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項2】
ＳｉＣ基板と前記ＳｉＣ基板よりもドーピング濃度が低いＳｉＣ材料とを相対させて加熱し、前記ＳｉＣ材料から前記ＳｉＣ基板に原料を輸送してＳｉＣエピタキシャル層を形成する工程を含み、
前記ＳｉＣ材料は、本体容器であり、
前記ＳｉＣ基板は前記本体容器内に収容された状態で加熱される、
ＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項3】
前記ＳｉＣ材料のドーピング濃度は、１×１０１７ｃｍ－３以下である、請求項１又は２に記載のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項4】
前記ＳｉＣ基板と前記ＳｉＣ材料の間に温度勾配を有する原料輸送空間を形成するよう加熱し、前記ＳｉＣ材料を高温側に、前記ＳｉＣ基板を低温側に配置することで原料を輸送する、請求項１～３の何れかに記載のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項5】
前記ＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置し加熱することで、前記ＳｉＣエピタキシャル層中の基底面転位密度を低減する、請求項２～４の何れかに記載のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項6】
前記ＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間に配置し加熱することで、前記ＳｉＣエピタキシャル層の表面を平坦化する、請求項１～４の何れかに記載のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項7】
前記ＳｉＣ基板を１６００℃以上の温度領域で加熱する、請求項１～６の何れかに記載のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項8】
表面の基底面転位密度が１．０個ｃｍ－２以下であるＳｉＣエピタキシャル層を形成する、請求項１～７の何れかに記載のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項9】
ＳｉＣ基板を収容可能な本体容器を備え、前記本体容器は、前記ＳｉＣ基板を設置する基板設置部と、
この基板設置部に相対するＳｉＣ材料と、を有し、
前記ＳｉＣ材料は、ドーパントを含み、ドーピング濃度が１×１０ １７ ｃｍ －３ 以下であり、
前記ＳｉＣ材料は前記本体容器である、
ＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置。
【請求項10】
前記ＳｉＣ材料のドーピング濃度は、１×１０１７ｃｍ－３以下である、請求項９に記載のＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置。
【請求項11】
前記本体容器は、前記ＳｉＣ基板と前記ＳｉＣ材料の間に設けられる支持具を有する、請求項９又は１０に記載のＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置。
【請求項12】
前記ＳｉＣ基板と前記ＳｉＣ材料の間に温度勾配が形成されるように加熱する加熱炉を、さらに備える、請求項９～１１の何れかに記載のＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置。
【請求項13】
前記加熱炉は、前記本体容器を収容可能な高融点容器と、この高融点容器内にＳｉ蒸気を供給可能なＳｉ蒸気供給源と、を有する、請求項１２に記載のＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置。
【請求項14】
前記本体容器は、容器内にＳｉ蒸気を供給可能なＳｉ蒸気供給源を有し、前記Ｓｉ蒸気供給源は、前記本体容器内の原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超えるよう配置される、請求項９～１３の何れかに記載のＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置。
【請求項15】
ＳｉＣ基板とＳｉＣ材料とを相対させて加熱することで、前記ＳｉＣ材料から前記ＳｉＣ基板に原料を輸送し、１．０μｍ／ｍｉｎ以上の成長速度でＳｉＣエピタキシャル層を形成する工程を含む、ＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法であって、
前記ＳｉＣエピタキシャル層を形成する工程は、
前記ＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置し加熱した後、前記ＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間に配置し加熱することで、基底面転位密度を低減させたＳｉＣエピタキシャル層を形成することを含む、ＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項16】
ＳｉＣ基板とＳｉＣ材料とを相対させて、ＳｉＣ－Ｓｉ平衡蒸気圧環境下で１９６０℃以上に加熱することで、又は
ＳｉＣ基板とＳｉＣ材料とを相対させて、ＳｉＣ－Ｃ平衡蒸気圧環境下で２０００℃以上に加熱することで、
前記ＳｉＣ材料から前記ＳｉＣ基板に原料を輸送し、１．０μｍ／ｍｉｎ以上の成長速度でＳｉＣエピタキシャル層を形成する、ＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項17】
前記成長速度は、２．０μｍ／ｍｉｎ以上である、請求項１５又は１６に記載のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項18】
前記ＳｉＣ材料は、ＳｉＣ基板よりもドーピング濃度が低い、請求項１５～１７の何れかに記載のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項19】
前記ＳｉＣ材料のドーピング濃度は、１×１０１７ｃｍ－３以下である、請求項１８に記載のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項20】
前記ＳｉＣ基板を１９００℃以上の温度領域で加熱する、請求項１５～１９の何れかに記載のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項21】
前記ＳｉＣエピタキシャル層を３０μｍ以上成長させる、請求項１５～２０の何れかに記載のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項22】
前記ＳｉＣエピタキシャル層を１００μｍ以上成長させる、請求項１５～２１の何れかに記載のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項23】
前記ＳｉＣ基板と前記ＳｉＣ材料の間に温度勾配を有する原料輸送空間を形成するよう加熱し、前記ＳｉＣ材料を高温側に、前記ＳｉＣ基板を低温側に配置することで原料を輸送する、請求項１５～２２の何れかに記載のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項24】
前記ＳｉＣ基板と前記ＳｉＣ材料を準閉鎖空間に配置し加熱する、請求項１５～２３の何れかに記載のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項25】
前記ＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置し加熱することで、前記ＳｉＣエピタキシャル層中の基底面転位密度を低減する、請求項１５～２４の何れかに記載のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項26】
前記ＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間に配置し加熱することで、前記ＳｉＣエピタキシャル層の表面を平坦化する、請求項１５～２５の何れかに記載のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項27】
前記ＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置し加熱した後、前記ＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間に配置し加熱することで、前記ＳｉＣエピタキシャル層中の基底面転位密度を低減する、請求項１５～２６の何れかに記載のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法。
【請求項28】
請求項１～８の何れかに記載の製造方法により製造されたＳｉＣ基板。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法及びその製造装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、炭化ケイ素（ＳｉＣ）半導体デバイスは、シリコン（Ｓｉ）やガリウムヒ素（ＧａＡｓ）半導体デバイスに比べて高耐圧及び高効率であり、さらに高温動作が可能であるため、高性能半導体デバイスとして注目されている。
【0003】
通常、ＳｉＣ半導体デバイスは、ＳｉＣ単結晶基板上にデバイスの活性領域となるＳｉＣエピタキシャル層を成長させたＳｉＣエピタキシャル基板を用いて作製される。このＳｉＣエピタキシャル層は、化学的気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）によって形成されるのが一般的である（例えば、特許文献１参照。）。
【0004】
化学気相成長法は、原料ガスがキャリアガス中で熱分解し、ＳｉＣ単結晶基板上にシリコン（Ｓｉ）原子及びカーボン（Ｃ）原子を連続的に堆積させることでＳｉＣエピタキシャル層を形成する手法である。一般的に、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ４）ガス及びジメチルメタン（Ｃ３Ｈ８）ガスが用いられ、キャリアガスとして水素（Ｈ２）ガスが用いられる。
【0005】
また、化学気相成長法においては、上記原料ガス及びキャリアガスに加えて、ドーパントガスが適宜添加される。このドーパントガスの流量を制御することで、半導体デバイスの耐圧層に適したドーピング濃度のＳｉＣエピタキシャル層を形成している。ドープされるドーパントとしては、窒素（Ｎ）やリン（Ｐ）、アルミニウム（Ａｌ）やボロン（Ｂ）等を例示することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【文献】特開２０１４－４７０９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、化学気相成長法においては、ＳｉＣ単結晶基板の成長環境に、原料ガス、キャリアガス及びドーパントガスが混在するため、成長環境の制御が難しいという問題があった。特に、各ガスの流量やＳｉＣ単結晶基板の加熱温度等、複数のパラメータを最適化する必要があった。
【0008】
本発明は、新規なＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法及びその製造装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記課題を解決する本発明は、ＳｉＣ基板と前記ＳｉＣ基板よりもドーピング濃度が低いＳｉＣ材料とを相対させて加熱し、前記ＳｉＣ材料から前記ＳｉＣ基板に原料を輸送してＳｉＣエピタキシャル層を形成する、ＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法である。
【0010】
このように、ＳｉＣ基板と、このＳｉＣ基板よりもドーピング濃度が低いＳｉＣ材料とを相対させて成長させることにより、従来法（化学気相成長法）と比較して制御するパラメータを削減することができる。また、所望のドーピング濃度のＳｉＣ材料を選択することにより、ＳｉＣエピタキシャル層のドーピング濃度を制御することができる。
【0011】
本発明の好ましい形態では、前記ＳｉＣ材料のドーピング濃度は、１×１０１７ｃｍ－３以下である。
このようなドーピング濃度のＳｉＣ材料を用いることにより、耐圧層に適したドーピング濃度のＳｉＣエピタキシャル層を形成することができる。
このようなドーピング濃度のＳｉＣ材料を用いることにより、耐圧層に適したドーピング濃度のＳｉＣエピタキシャル層を形成することができる。
【0012】
本発明の好ましい形態では、前記ＳｉＣ基板と前記ＳｉＣ材料の間に温度勾配を有する原料輸送空間を形成するよう加熱し、前記ＳｉＣ材料を高温側に、前記ＳｉＣ基板を低温側に配置することで原料を輸送する。
このように、ＳｉＣ基板とＳｉＣ材料との間に温度勾配を設けることにより、容易に原料を輸送することができる。
このように、ＳｉＣ基板とＳｉＣ材料との間に温度勾配を設けることにより、容易に原料を輸送することができる。
【0013】
本発明の好ましい形態では、前記ＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置し加熱することで、前記ＳｉＣエピタキシャル層中の基底面転位密度を低減する。
このようにＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置して、加熱することにより、基底面転位密度が低減されたＳｉＣエピタキシャル層を形成することができる。
このようにＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置して、加熱することにより、基底面転位密度が低減されたＳｉＣエピタキシャル層を形成することができる。
【0014】
本発明の好ましい形態では、前記ＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間に配置し加熱することで、前記ＳｉＣエピタキシャル層の表面を平坦化する。
このようにＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間に配置して、加熱することにより、マクロステップバンチングが分解された表面を有するＳｉＣエピタキシャル層を形成することができる。
このようにＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間に配置して、加熱することにより、マクロステップバンチングが分解された表面を有するＳｉＣエピタキシャル層を形成することができる。
【0015】
本発明の好ましい形態では、前記ＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置し加熱した後、原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間に配置し加熱することで、前記ＳｉＣエピタキシャル層中の基底面転位密度を低減する。
このように原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置して加熱した後、原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間に配置して、加熱することにより、基底面転位密度が低減されたＳｉＣエピタキシャル層を形成することができる。
このように原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置して加熱した後、原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間に配置して、加熱することにより、基底面転位密度が低減されたＳｉＣエピタキシャル層を形成することができる。
【0016】
本発明の好ましい形態では、前記ＳｉＣ基板を１６００℃以上の温度領域で加熱する。
このような温度領域で加熱することにより、高速にＳｉＣエピタキシャル層を形成することができる。
このような温度領域で加熱することにより、高速にＳｉＣエピタキシャル層を形成することができる。
【0017】
本発明の好ましい形態では、表面の基底面転位密度が１．０個ｃｍ－２以下であるＳｉＣエピタキシャル層を形成する。
【0018】
また、本発明はＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置にも関する。すなわち、上記課題を解決する本発明は、ＳｉＣ基板を収容可能な本体容器を備え、前記本体容器は、前記ＳｉＣ基板を設置する基板設置部と、この基板設置部に相対するＳｉＣ材料と、を有し、前記ＳｉＣ材料は、前記ＳｉＣ基板よりもドーピング濃度が低い、ＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置である。
【0019】
本発明の好ましい形態では、前記本体容器は、前記ＳｉＣ材料で構成されている。
このように、本体容器自体をＳｉＣ材料で構成することにより、本体容器を用いることで、準閉鎖空間を形成しつつ、原料の供給源となることができる。
このように、本体容器自体をＳｉＣ材料で構成することにより、本体容器を用いることで、準閉鎖空間を形成しつつ、原料の供給源となることができる。
【0020】
また、上記課題を解決する本発明は、ＳｉＣ基板を収容可能な本体容器を備え、前記本体容器は、前記ＳｉＣ基板を設置する基板設置部と、この基板設置部に相対する位置にＳｉＣ材料を設置するＳｉＣ材料設置部と、を有し、前記ＳｉＣ材料は、前記ＳｉＣ基板よりもドーピング濃度が低い、ＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置である。
このように、ＳｉＣ材料を設置するＳｉＣ材料設置部を設けることにより、本体容器を任意の材料で構成することができる。
このように、ＳｉＣ材料を設置するＳｉＣ材料設置部を設けることにより、本体容器を任意の材料で構成することができる。
【0021】
本発明の好ましい形態では、前記ＳｉＣ材料のドーピング濃度は、１×１０１７ｃｍ－３以下である。
【0022】
本発明の好ましい形態では、前記本体容器は、前記ＳｉＣ基板と前記ＳｉＣ材料の間に設けられる支持具を有する。
【0023】
本発明の好ましい形態では、前記ＳｉＣ基板と前記ＳｉＣ材料の間に温度勾配が形成されるように加熱する加熱炉を、さらに備える。
【0024】
本発明の好ましい形態では、前記加熱炉は、前記本体容器を収容可能な高融点容器と、この高融点容器内にＳｉ蒸気を供給可能なＳｉ蒸気供給源と、を有する。
【0025】
本発明の好ましい形態では、前記本体容器は、容器内にＳｉ蒸気を供給可能なＳｉ蒸気供給源を有し、前記Ｓｉ蒸気供給源は、前記本体容器内の原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超えるよう配置される。
【0026】
また、本発明はＳｉＣ半導体基板の製造方法にも関する。すなわち、本発明の一態様のＳｉＣ半導体基板の製造方法は、ＳｉＣ基板とＳｉＣ材料とを相対させて加熱することで、前記ＳｉＣ材料から前記ＳｉＣ基板に原料を輸送し、１．０μｍ／ｍｉｎ以上の成長速度でＳｉＣエピタキシャル層を形成する。
【0027】
このように、ＳｉＣ基板と、このＳｉＣ基板よりもドーピング濃度が低いＳｉＣ材料とを相対させて成長させることにより、従来法（化学気相成長法）と比較して制御するパラメータを削減することができる。また、ＳｉＣエピタキシャル層の成長速度を１．０μ／ｍｉｎ以上に設定することができる。
【0028】
本発明の好ましい形態では、前記成長速度は、２．０μｍ／ｍｉｎ以上である。
【0029】
本発明の好ましい形態では、前記ＳｉＣ材料は、ＳｉＣ基板よりもドーピング濃度が低い。
また、本発明の好ましい形態では、前記ＳｉＣ材料のドーピング濃度は、１×１０１７ｃｍ－３以下である。
このようなドーピング濃度のＳｉＣ材料を用いることにより、耐圧層に適したドーピング濃度のＳｉＣエピタキシャル層を形成することができる。
また、本発明の好ましい形態では、前記ＳｉＣ材料のドーピング濃度は、１×１０１７ｃｍ－３以下である。
このようなドーピング濃度のＳｉＣ材料を用いることにより、耐圧層に適したドーピング濃度のＳｉＣエピタキシャル層を形成することができる。
【0030】
本発明の好ましい形態では、前記ＳｉＣ基板を１９００℃以上の温度領域で加熱する。
このような温度領域で加熱することにより、高速にＳｉＣエピタキシャル層を形成することができる。
このような温度領域で加熱することにより、高速にＳｉＣエピタキシャル層を形成することができる。
【0031】
本発明の好ましい形態では、前記ＳｉＣエピタキシャル層を３０μｍ以上成長させる。
このように、３０μｍ以上ＳｉＣエピタキシャル層を成長させることにより、高耐圧半導体デバイスに適した耐圧層を形成することができる。
このように、３０μｍ以上ＳｉＣエピタキシャル層を成長させることにより、高耐圧半導体デバイスに適した耐圧層を形成することができる。
【0032】
本発明の好ましい形態では、前記ＳｉＣエピタキシャル層を１００μｍ以上成長させる。
【0033】
本発明の好ましい形態では、前記ＳｉＣ基板と前記ＳｉＣ材料の間に温度勾配を有する原料輸送空間を形成するよう加熱し、前記ＳｉＣ材料を高温側に、前記ＳｉＣ基板を低温側に配置することで原料を輸送する。
このように、ＳｉＣ基板とＳｉＣ材料との間に温度勾配を設けることにより、容易に原料を輸送することができる。
このように、ＳｉＣ基板とＳｉＣ材料との間に温度勾配を設けることにより、容易に原料を輸送することができる。
【0034】
本発明の好ましい形態では、前記ＳｉＣ基板と前記ＳｉＣ材料を準閉鎖空間に配置し加熱する。
【0035】
本発明の好ましい形態では、前記ＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置し加熱することで、前記ＳｉＣエピタキシャル層中の基底面転位密度を低減する。
このようにＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置し加熱することにより、基底面転位密度が低減されたＳｉＣエピタキシャル層を形成することができる。
このようにＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置し加熱することにより、基底面転位密度が低減されたＳｉＣエピタキシャル層を形成することができる。
【0036】
本発明の好ましい形態では、前記ＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間に配置し加熱することで、前記ＳｉＣエピタキシャル層の表面を平坦化する。
このようにＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間に配置し加熱することにより、マクロステップバンチングが分解された表面を有するＳｉＣエピタキシャル層を形成することができる。
このようにＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間に配置し加熱することにより、マクロステップバンチングが分解された表面を有するＳｉＣエピタキシャル層を形成することができる。
【0037】
本発明の好ましい形態では、前記ＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置し加熱した後、前記ＳｉＣ基板を原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間に配置し加熱することで、前記ＳｉＣエピタキシャル層中の基底面転位密度を低減する。
このように原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置し加熱した後、原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間に配置し加熱することにより、基底面転位（ＢＰＤ）密度が低減されたＳｉＣエピタキシャル層を形成することができる。
このように原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置し加熱した後、原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間に配置し加熱することにより、基底面転位（ＢＰＤ）密度が低減されたＳｉＣエピタキシャル層を形成することができる。
【発明の効果】
【0038】
開示した技術によれば、新規なＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法及びその製造装置を提供することができる。
【0039】
他の課題、特徴及び利点は、図面及び特許請求の範囲とともに取り上げられる際に、以下に記載される発明を実施するための形態を読むことにより明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0040】
【図1】一実施の形態のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法の説明図である。
【図2】一実施の形態のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法の説明図である。
【図3】実施形態１に係るＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置の説明図である。
【図4】実施形態１に係るＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置の説明図である。
【図5】実施形態１に係るＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置の説明図である。
【図6】実施形態２に係るＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置の説明図である。
【図7】実施形態３に係るＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置の説明図である。
【図8】一実施の形態のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法でＳｉＣエピタキシャル層を形成したＳｉＣ基板の断面ＳＥＭ像である。
【図9】一実施の形態のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法のＢＰＤ変換率を求める手法の説明図である。
【図10】一実施の形態のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法のＳｉＣエピタキシャル層成長前に観察されるＳｉＣ基板表面のＳＥＭ像である。
【図11】一実施の形態のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法のＳｉＣエピタキシャル層成長後に観察されるＳｉＣ基板表面のＳＥＭ像である。
【図12】一実施の形態のＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法の成長速度を示すアレニウスプロットである。
【発明を実施するための形態】
【0041】
以下、本発明を図面に示した好ましい実施形態について、図１～図１２を用いて詳細に説明する。本発明の技術的範囲は、添付図面に示した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、適宜変更が可能である。
【0042】
《ＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法》
本発明は、ＳｉＣ基板１０とＳｉＣ基板１０よりもドーピング濃度が低いＳｉＣ材料２０とを相対させて加熱し、ＳｉＣ材料２０からＳｉＣ基板１０に原料を輸送してＳｉＣエピタキシャル層１１を形成する、ＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法として把握できる。
本発明は、ＳｉＣ基板１０とＳｉＣ基板１０よりもドーピング濃度が低いＳｉＣ材料２０とを相対させて加熱し、ＳｉＣ材料２０からＳｉＣ基板１０に原料を輸送してＳｉＣエピタキシャル層１１を形成する、ＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法として把握できる。
【0043】
具体的には、本発明に係るＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法は、図１に示すように、ＳｉＣ基板１０とＳｉＣ基板１０よりもドーピング濃度が低いＳｉＣ材料２０とを相対させて配置する配置工程と、加熱することによりＳｉＣ材料２０からＳｉＣ基板１０に原料を輸送してＳｉＣエピタキシャル層１１を形成する加熱工程と、を含む。
【0044】
また、本発明は、ＳｉＣ基板１０とＳｉＣ材料２０とを相対させて加熱することで、ＳｉＣ材料２０からＳｉＣ基板１０に原料を輸送し、１．０μｍ／ｍｉｎ以上の成長速度でＳｉＣエピタキシャル層１１を形成する、ＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法として把握できる。
【0045】
具体的には、本発明に係るＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法は、図１に示すように、ＳｉＣ基板１０とＳｉＣ基板１０よりもドーピング濃度が低いＳｉＣ材料２０とを相対させて配置する配置工程と、加熱することによりＳｉＣ材料２０からＳｉＣ基板１０に原料を輸送して、１．０μｍ／ｍｉｎ以上の成長速度でＳｉＣエピタキシャル層１１を形成する加熱工程と、を含む。
【0046】
〈配置工程〉
本発明に係る配置工程は、ＳｉＣ基板１０と、このＳｉＣ基板１０のＳｉＣエピタキシャル層１１の原料となるＳｉＣ材料２０と、を相対（対峙）させて配置する工程である。このＳｉＣ基板１０とＳｉＣ材料２０との間には、ＳｉＣ材料２０からＳｉＣ基板１０の表面へ原料を輸送する原料輸送空間Ｓ１が形成されている。
本発明に係る配置工程は、ＳｉＣ基板１０と、このＳｉＣ基板１０のＳｉＣエピタキシャル層１１の原料となるＳｉＣ材料２０と、を相対（対峙）させて配置する工程である。このＳｉＣ基板１０とＳｉＣ材料２０との間には、ＳｉＣ材料２０からＳｉＣ基板１０の表面へ原料を輸送する原料輸送空間Ｓ１が形成されている。
【0047】
なお、ＳｉＣエピタキシャル層１１が均一に成長するよう、ＳｉＣ基板１０とＳｉＣ材料２０とは、ＳｉＣ基板１０表面とＳｉＣ材料２０表面とが略平行となるよう配置することが好ましい。
【0048】
また、ＳｉＣ基板１０とＳｉＣ材料２０は、準閉鎖空間に配置されることが好ましい。この準閉鎖空間は、例えば、本体容器３０内に収容することで形成することができる。
なお、本明細書における「準閉鎖空間」とは、容器内の真空引きは可能であるが、容器内に発生した蒸気の少なくとも一部を閉じ込め可能な空間のことをいう。
なお、本明細書における「準閉鎖空間」とは、容器内の真空引きは可能であるが、容器内に発生した蒸気の少なくとも一部を閉じ込め可能な空間のことをいう。
【0049】
（ＳｉＣ基板）
ＳｉＣ基板１０は、昇華法等で作製したインゴットから円盤状にスライスしたＳｉＣウェハや、単結晶ＳｉＣを薄板状に加工したＳｉＣ基板を含む。なお、単結晶ＳｉＣの結晶多形としては、何れのポリタイプのものも採用することができる。
ＳｉＣ基板１０は、昇華法等で作製したインゴットから円盤状にスライスしたＳｉＣウェハや、単結晶ＳｉＣを薄板状に加工したＳｉＣ基板を含む。なお、単結晶ＳｉＣの結晶多形としては、何れのポリタイプのものも採用することができる。
【0050】
ドーパントは、一般的にＳｉＣ基板１０にドープされる元素であればよい。具体的には、窒素（Ｎ）やリン（Ｐ）、アルミニウム（Ａｌ）やボロン（Ｂ）などが好ましい。
【0051】
ＳｉＣ基板１０のドーピング濃度は、好ましくは１×１０１７ｃｍ－３より高濃度であり、より好ましくは１×１０１８ｃｍ－３以上であり、更に好ましくは１×１０１９ｃｍ－３以上である。
【0052】
ドーパント及びドーピング濃度は、ラマン分光法や二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）により確認することができる。
【0053】
本明細書中の説明においては、ＳｉＣ基板１０の半導体素子を作る面（具体的にはＳｉＣエピタキシャル層１１を堆積する面）を主面１０１といい、この主面１０１に相対する面を裏面１０２という。また、主面１０１及び裏面１０２を合わせて表面といい、主面１０１と裏面１０２を貫通する方向を表裏方向という。
【0054】
なお、主面１０１としては、（０００１）面や（０００－１）面から数度（例えば、０．４～８°）のオフ角を設けた表面を例示することができる（なお、本明細書では、ミラー指数の表記において、“－”はその直後の指数につくバーを意味する。）。
【0055】
原子レベルで平坦化されたＳｉＣ基板１０の表面には、ステップ／テラス構造が確認される。このステップ／テラス構造は、１分子層以上の段差部位であるステップと、{０００１}面が露出した平坦部位であるテラスと、が交互に並んだ階段構造となっている。
【0056】
ステップは、１分子層（０．２５ｎｍ）が最小高さ（最小単位）であり、この１分子層が複数層重なることで、様々なステップ高さを形成している。本明細書中の説明においては、ステップが束化（バンチング）して巨大化し、各ポリタイプの１ユニットセルを超えた高さを有するものをマクロステップバンチング（Ｍａｃｒｏ Ｓｔｅｐ Ｂｕｎｃｈｉｎｇ:ＭＳＢ）という。
【0057】
すなわち、ＭＳＢとは、４Ｈ-ＳｉＣの場合には４分子層を超えて（５分子層以上）バンチングしたステップであり、６Ｈ-ＳｉＣの場合には６分子層を超えて（７分子層以上）バンチングしたステップである。
【0058】
なお、ＳｉＣ基板１０上に成長させるＳｉＣエピタキシャル層１１は、表面に基底面転位（Ｂａｓａｌ Ｐｌａｎｅ Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ:ＢＰＤ）が存在していないことが好ましい。そのため、表面にＢＰＤが存在していないＳｉＣ基板１０上にＳｉＣエピタキシャル層１１を形成することが好ましい。また、ＳｉＣエピタキシャル層１１の形成中に、ＢＰＤから他の欠陥・転位に変換することが好ましい。
【0059】
なお、ＳｉＣ基板１０の大きさとしては、数センチ角のチップサイズから、６インチウェハや８インチウェハ、若しくはそれ以上の大きさを例示することができる。
【0060】
（ＳｉＣ材料）
ＳｉＣ材料２０は、ＳｉＣ基板１０と相対させて加熱することで、ＳｉＣ基板１０にＳｉ元素と、Ｃ元素と、ドーパントと、を供給可能なＳｉＣで構成される。例えば、ＳｉＣ製の容器（本体容器３０）やＳｉＣ製の基板（ＳｉＣ部材３６）を含む。なお、ＳｉＣ材料の結晶多形としては、何れのポリタイプのものも採用することができ、多結晶ＳｉＣを採用しても良い。
ＳｉＣ材料２０は、ＳｉＣ基板１０と相対させて加熱することで、ＳｉＣ基板１０にＳｉ元素と、Ｃ元素と、ドーパントと、を供給可能なＳｉＣで構成される。例えば、ＳｉＣ製の容器（本体容器３０）やＳｉＣ製の基板（ＳｉＣ部材３６）を含む。なお、ＳｉＣ材料の結晶多形としては、何れのポリタイプのものも採用することができ、多結晶ＳｉＣを採用しても良い。
【0061】
ドーパントは、ＳｉＣ基板１０と同様の元素を採用することができる。具体的には、窒素（Ｎ）やリン（Ｐ）、アルミニウム（Ａｌ）やボロン（Ｂ）などが好ましい。
【0062】
ＳｉＣ材料２０のドーピング濃度は、好ましくは１×１０１７ｃｍ－３以下であり、より好ましくは１×１０１６ｃｍ－３以下であり、更に好ましくは１×１０１５ｃｍ－３以下である。
【0063】
ドーパント及びドーピング濃度は、ラマン分光法や二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）により確認することができる。
【0064】
（準閉鎖空間）
準閉鎖空間は、原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下となるよう構成しても良い。例えば、化学量論比１：１を満たすＳｉＣ製の本体容器３０内に、化学量論比１：１を満たすＳｉＣ基板１０と、化学量論比１：１を満たすＳｉＣ材料２０と、を配置した場合には、本体容器３０内の原子数比Ｓｉ／Ｃは１となる（図４参照）。また、Ｃ蒸気供給源（Ｃペレット等）を配置して原子数比Ｓｉ／Ｃを１以下としても良い。
準閉鎖空間は、原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下となるよう構成しても良い。例えば、化学量論比１：１を満たすＳｉＣ製の本体容器３０内に、化学量論比１：１を満たすＳｉＣ基板１０と、化学量論比１：１を満たすＳｉＣ材料２０と、を配置した場合には、本体容器３０内の原子数比Ｓｉ／Ｃは１となる（図４参照）。また、Ｃ蒸気供給源（Ｃペレット等）を配置して原子数比Ｓｉ／Ｃを１以下としても良い。
【0065】
また、準閉鎖空間は、原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超えるよう構成しても良い。例えば、化学量論比１：１を満たすＳｉＣ製の本体容器３０内に、化学量論比１：１を満たすＳｉＣ基板１０と、化学量論比１：１を満たすＳｉＣ材料２０と、Ｓｉ蒸気供給源３５（Ｓｉペレット等）と、を配置した場合には、本体容器３０内の原子数比Ｓｉ／Ｃは１を超える（図５参照）。
【0066】
〈加熱工程〉
本発明に係る加熱工程は、ＳｉＣ基板１０とＳｉＣ材料２０を加熱することで、原料輸送空間Ｓ１を介して、ＳｉＣ材料２０の原料（Ｓｉ元素、Ｃ元素及びドーパント）をＳｉＣ基板１０表面へ輸送する工程である。
本発明に係る加熱工程は、ＳｉＣ基板１０とＳｉＣ材料２０を加熱することで、原料輸送空間Ｓ１を介して、ＳｉＣ材料２０の原料（Ｓｉ元素、Ｃ元素及びドーパント）をＳｉＣ基板１０表面へ輸送する工程である。
【0067】
原料を輸送する駆動力としては、温度勾配やＳｉＣ基板１０とＳｉＣ材料２０間の化学ポテンシャル差を採用することができる。
【0068】
具体的には、準閉鎖空間内で、ＳｉＣ材料２０から昇華したＳｉ元素とＣ元素とドーパントからなる蒸気が、原料輸送空間Ｓ１中を拡散することにより輸送され、ＳｉＣ材料２０より温度の低く設定されたＳｉＣ基板１０上に過飽和となって凝結する。
【0069】
また、ＳｉＣ基板１０に単結晶ＳｉＣを、ＳｉＣ材料２０に多結晶ＳｉＣを、それぞれ採用する場合には、多結晶ＳｉＣと単結晶ＳｉＣの表面で発生する分圧差（化学ポテンシャル差）を輸送の駆動力とすることができる。
【0070】
図２は、成長機構の概要を示す説明図である。ＳｉＣ基板１０とＳｉＣ材料２０を相対させて配置し、１４００℃以上２３００℃以下の温度範囲で加熱することで、以下１）～５）の反応が原料輸送空間Ｓ１内で持続的に行われ、結果としてＳｉＣエピタキシャル層１１の成長が進行すると考えられる。
【0071】
１） ＳｉＣ（ｓ）→Ｓｉ（ｖ）＋Ｃ（ｓ）
２） ２Ｃ（ｓ）＋Ｓｉ（ｖ）→ＳｉＣ２（ｖ）
３） Ｃ（ｓ）＋２Ｓｉ（ｖ）→Ｓｉ２Ｃ（ｖ）
４） Ｓｉ（ｖ）＋ＳｉＣ２（ｖ）→２ＳｉＣ（ｓ）
５） Ｓｉ２Ｃ（ｖ）→Ｓｉ（ｖ）＋ＳｉＣ（ｓ）
２） ２Ｃ（ｓ）＋Ｓｉ（ｖ）→ＳｉＣ２（ｖ）
３） Ｃ（ｓ）＋２Ｓｉ（ｖ）→Ｓｉ２Ｃ（ｖ）
４） Ｓｉ（ｖ）＋ＳｉＣ２（ｖ）→２ＳｉＣ（ｓ）
５） Ｓｉ２Ｃ（ｖ）→Ｓｉ（ｖ）＋ＳｉＣ（ｓ）
【0072】
１）の説明:ＳｉＣ材料２０（ＳｉＣ（ｓ））が加熱されることで、熱分解によりＳｉＣからＳｉ原子（Ｓｉ（ｖ））が脱離する。
２）及び３）の説明:Ｓｉ原子（Ｓｉ（ｖ））が脱離することでＳｉＣ基板１０表面に残存したＣ（Ｃ（ｓ））は、原料輸送空間Ｓ１のＳｉ蒸気（Ｓｉ（ｖ））と反応することで、Ｓｉ２Ｃ又はＳｉＣ２等となって原料輸送空間Ｓ１に昇華する。
４）及び５）の説明:昇華したＳｉ２Ｃ又はＳｉＣ２等が、温度勾配や化学ポテンシャル差によってＳｉＣ基板１０のテラスに到達・拡散し、ステップに到達することでＳｉＣ基板１０の結晶多形を引き継いでＳｉＣエピタキシャル層１１が成長する（ステップフロー成長）。
２）及び３）の説明:Ｓｉ原子（Ｓｉ（ｖ））が脱離することでＳｉＣ基板１０表面に残存したＣ（Ｃ（ｓ））は、原料輸送空間Ｓ１のＳｉ蒸気（Ｓｉ（ｖ））と反応することで、Ｓｉ２Ｃ又はＳｉＣ２等となって原料輸送空間Ｓ１に昇華する。
４）及び５）の説明:昇華したＳｉ２Ｃ又はＳｉＣ２等が、温度勾配や化学ポテンシャル差によってＳｉＣ基板１０のテラスに到達・拡散し、ステップに到達することでＳｉＣ基板１０の結晶多形を引き継いでＳｉＣエピタキシャル層１１が成長する（ステップフロー成長）。
【0073】
この時、ＳｉＣ材料２０のドーパントも原料と共に輸送されるため、ＳｉＣ材料２０のドーピング濃度を引きついでＳｉＣエピタキシャル層１１が成長する。
【0074】
加熱工程における加熱温度は、好ましくは１４００～２３００℃の範囲に設定され、より好ましくは１６００℃以上に設定される。
また、加熱工程における加熱温度は、好ましくは１４００～２３００℃の範囲であり、より好ましくは１９００℃以上であり、より好ましくは１９５０℃以上であり、より好ましくは２０００℃以上であり、更に好ましくは２０５０℃以上である。
加熱工程におけるＳｉＣエピタキシャル層１１の成長速度は、上記温度領域によって制御することができ、０．００１～２μｍ／ｍｉｎの範囲で選択することが可能である。
また、加熱工程におけるＳｉＣエピタキシャル層１１の成長速度は、上記温度領域によって制御することができ、好ましくは、１．０μｍ／ｍｉｎ以上であり、より好ましくは１．５μｍ／ｍｉｎ以上であり、より好ましくは１．８μｍ／ｍｉｎ以上であり、更に好ましくは２．０μｍ／ｍｉｎ以上である。
加熱工程における加熱時間は、所望の成長量となるよう任意の時間に設定することができる。例えば、成長速度が１μｍ／ｍｉｎの時に、成長量を１μｍとしたい場合には、加熱時間は１分間となる。
加熱工程におけるＳｉＣエピタキシャル層１１の成長量は、成長温度と成長時間により、所望の成長量となるよう設定することができる。例えば、ＳｉＣエピタキシャル層１１を３０μｍ以上成長させることが好ましい。また、ＳｉＣエピタキシャル層１１を１００μｍ以上成長させることが好ましい。
加熱工程における原料輸送空間Ｓ１の温度勾配は、０．１～５℃／ｍｍの範囲に設定される。
また、所望のドーピング濃度に応じて、ドーパントガスを供給してもよい。
また、加熱工程における加熱温度は、好ましくは１４００～２３００℃の範囲であり、より好ましくは１９００℃以上であり、より好ましくは１９５０℃以上であり、より好ましくは２０００℃以上であり、更に好ましくは２０５０℃以上である。
加熱工程におけるＳｉＣエピタキシャル層１１の成長速度は、上記温度領域によって制御することができ、０．００１～２μｍ／ｍｉｎの範囲で選択することが可能である。
また、加熱工程におけるＳｉＣエピタキシャル層１１の成長速度は、上記温度領域によって制御することができ、好ましくは、１．０μｍ／ｍｉｎ以上であり、より好ましくは１．５μｍ／ｍｉｎ以上であり、より好ましくは１．８μｍ／ｍｉｎ以上であり、更に好ましくは２．０μｍ／ｍｉｎ以上である。
加熱工程における加熱時間は、所望の成長量となるよう任意の時間に設定することができる。例えば、成長速度が１μｍ／ｍｉｎの時に、成長量を１μｍとしたい場合には、加熱時間は１分間となる。
加熱工程におけるＳｉＣエピタキシャル層１１の成長量は、成長温度と成長時間により、所望の成長量となるよう設定することができる。例えば、ＳｉＣエピタキシャル層１１を３０μｍ以上成長させることが好ましい。また、ＳｉＣエピタキシャル層１１を１００μｍ以上成長させることが好ましい。
加熱工程における原料輸送空間Ｓ１の温度勾配は、０．１～５℃／ｍｍの範囲に設定される。
また、所望のドーピング濃度に応じて、ドーパントガスを供給してもよい。
【0075】
加熱工程は、ＳｉＣ基板１０を原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置し加熱することで、ＳｉＣエピタキシャル層１１中のＢＰＤ密度を低減する工程（基底面転位低減工程）を含むことが好ましい。この基底面転位低減工程では、例えば、表面のＢＰＤ密度が１０００個ｃｍ－２であるＳｉＣ基板１０を、原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置し加熱する。これにより、表面のＢＰＤ密度が１．０個ｃｍ－２以下であるＳｉＣエピタキシャル層１１を形成し得る。
【0076】
また、加熱工程は、ＳｉＣ基板１０を原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間に配置し加熱することで、ＳｉＣエピタキシャル層１１の表面を平坦化する工程（平坦化工程）を含むことが好ましい。この平坦化工程では、例えば、表面にＭＳＢが存在するＳｉＣ基板１０を、原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間に配置し加熱する。これにより、ＭＳＢが分解された表面のＳｉＣエピタキシャル層１１を形成し得る。
【0077】
また、加熱工程は、ＳｉＣ基板１０を原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置し加熱することで、ＳｉＣエピタキシャル層１１の表面を平坦化した（平坦化工程）後、ＳｉＣ基板１０を原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間に配置し加熱することで、ＳｉＣエピタキシャル層１１中のＢＰＤ密度を低減する工程（基底面転位低減工程）と、を含むことが好ましい。
このように、平坦化工程にてＭＳＢが分解された表面を有するＳｉＣ基板１０を、原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置し加熱することにより、ＢＰＤが低減・除去された表面のＳｉＣエピタキシャル層１１を形成し得る。
このように、平坦化工程にてＭＳＢが分解された表面を有するＳｉＣ基板１０を、原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置し加熱することにより、ＢＰＤが低減・除去された表面のＳｉＣエピタキシャル層１１を形成し得る。
【0078】
本発明に係るＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法は、ＳｉＣ基板１０とＳｉＣ基板１０よりもドーピング濃度が低いＳｉＣ材料２０とを相対させて加熱し、ＳｉＣ材料２０からＳｉＣ基板１０に原料を輸送してＳｉＣエピタキシャル層１１を形成する。これにより、加熱温度をパラメータとして、ＳｉＣ半導体デバイスの耐圧層となるＳｉＣエピタキシャル層１１を成長させることができる。
【0079】
すなわち、本発明に係るＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法は、従来法（化学気相成長法）と異なり、複数のガス（原料ガスやドーピングガス）の流量を制御することなく、ドーピング濃度が制御されたＳｉＣエピタキシャル層１１を形成することができる。
【0080】
本発明に係るＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法の一つの形態として、ドーピング濃度が３×１０１８ｃｍ－３であるＳｉＣ基板１０の片面に対して、ドーピング濃度が１×１０１７ｃｍ－３以下のＳｉＣエピタキシャル層１１を成長させつつ、ＳｉＣ基板１０の他の片面をエッチングする形態が挙げられる。
また、本発明に係るＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法の一つの形態として、ドーピング濃度が３×１０１８ｃｍ－３であるＳｉＣ基板１０の片面に対して、ドーピング濃度が１×１０１７ｃｍ－３以下のＳｉＣエピタキシャル層１１を成長させつつ、ＳｉＣ基板１０の他の片面をエッチングする形態を含まない形態が挙げられる。
また、本発明に係るＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法の一つの形態として、ドーピング濃度が３×１０１８ｃｍ－３であるＳｉＣ基板１０の片面に対して、ドーピング濃度が１×１０１７ｃｍ－３以下のＳｉＣエピタキシャル層１１を成長させつつ、ＳｉＣ基板１０の他の片面をエッチングする形態を含まない形態が挙げられる。
【0081】
《ＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置》
〈実施形態１〉
以下、本発明の実施形態１に係るＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置について詳細に説明する。なお、この実施形態において、先の製造方法に示した構成と基本的に同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を簡略化する。
〈実施形態１〉
以下、本発明の実施形態１に係るＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置について詳細に説明する。なお、この実施形態において、先の製造方法に示した構成と基本的に同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を簡略化する。
【0082】
実施形態１に係るＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置は、図３に示すように、ＳｉＣ基板１０を収容可能でありＳｉＣ材料２０で構成された本体容器３０と、ＳｉＣ基板１０とＳｉＣ材料２０との間に温度勾配が形成されるよう加熱可能な加熱炉４０と、を備える。
【0083】
（本体容器）
本体容器３０は、ＳｉＣ基板１０を設置する基板設置部３１と、互いに嵌合可能な上容器３２及び下容器３３と、を備える嵌合容器である。上容器３２と下容器３３の嵌合部には、微小な間隙３４が形成されており、この間隙３４から本体容器３０内の排気（真空引き）が可能なよう構成されている。
本体容器３０は、ＳｉＣ基板１０を設置する基板設置部３１と、互いに嵌合可能な上容器３２及び下容器３３と、を備える嵌合容器である。上容器３２と下容器３３の嵌合部には、微小な間隙３４が形成されており、この間隙３４から本体容器３０内の排気（真空引き）が可能なよう構成されている。
【0084】
基板設置部３１は、下容器３３の底面側に設けられており、ＳｉＣ基板１０が設置される。なお図示はしていないが、ＳｉＣ基板１０を支持する台座等を設けても良い。
上容器３２は、多結晶ＳｉＣで構成されている。そのため、ＳｉＣ基板１０に原料を供給するＳｉＣ材料２０となる。なお、この上容器３２は、ＳｉＣ基板１０よりも低いドーピング濃度に設定されている。
下容器３３は、上容器３２と同様に多結晶ＳｉＣで構成されている。また、高熱に耐えられる高融点材料で構成されていればよく、後述する高融点容器５０と同様の材料を採用することができる。
上容器３２は、多結晶ＳｉＣで構成されている。そのため、ＳｉＣ基板１０に原料を供給するＳｉＣ材料２０となる。なお、この上容器３２は、ＳｉＣ基板１０よりも低いドーピング濃度に設定されている。
下容器３３は、上容器３２と同様に多結晶ＳｉＣで構成されている。また、高熱に耐えられる高融点材料で構成されていればよく、後述する高融点容器５０と同様の材料を採用することができる。
【0085】
すなわち、本体容器３０は、ＳｉＣ基板１０を設置する基板設置部３１と、この基板設置部３１に相対するＳｉＣ材料２０と、ＳｉＣ材料２０からＳｉＣ基板１０へ原料を輸送するための原料輸送空間Ｓ１と、を有する。そして、ＳｉＣ材料２０のドーピング濃度は、ＳｉＣ基板１０のドーピング濃度よりも低く設定されている。
【0086】
本体容器３０は、ＳｉＣ基板１０を収容した状態で熱処理した際に、内部空間にＳｉ元素及びＣ元素を含む雰囲気を発生させる構成となっている。実施形態１に係る本体容器３０は、本体容器３０の全体が多結晶ＳｉＣで構成されている。この本体容器３０を加熱することで、内部空間内にＳｉ元素及びＣ元素を含む雰囲気を形成することができる。
【0087】
また、加熱処理された本体容器３０内の空間は、Ｓｉ元素を含む気相種及びＣ元素を含む気相種の混合系の蒸気圧環境となることが望ましい。このＳｉ元素を含む気相種としては、Ｓｉ，Ｓｉ２，Ｓｉ３，Ｓｉ２Ｃ，ＳｉＣ２，ＳｉＣが例示できる。また、Ｃ元素を含む気相種としては、Ｓｉ２Ｃ，ＳｉＣ２，ＳｉＣ，Ｃが例示できる。すなわち、ＳｉＣ系ガスが準閉鎖空間に存在している状態となるのが好ましい。
【0088】
原料輸送空間Ｓ１は、ＳｉＣ基板１０とＳｉＣ材料２０との間に設けられる温度勾配や化学ポテンシャル差を駆動力として、原料をＳｉＣ基板１０表面に輸送する空間である。
【0089】
例えば、ＳｉＣ基板１０の表面（主面１０１又は裏面１０２）の温度と、この主面１０１に相対するＳｉＣ材料２０（上容器３２）の温度を比較した際に、ＳｉＣ基板１０側の温度が低く、上容器３２の温度が高くなるよう、ＳｉＣ基板１０を配置する（図４参照）。このように、主面１０１と上容器３２の間に温度差を設けた空間（原料輸送空間Ｓ１）を形成することで、温度差を駆動力として、ＳｉＣ材料２０の原料（Ｓｉ元素、Ｃ元素及びドーパント）をＳｉＣ基板１０の表面に輸送することができる。
【0090】
また、本体容器３０は、容器内にＳｉ蒸気を供給可能なＳｉ蒸気供給源３５を設けても良い。このＳｉ蒸気供給源３５としては、固体のＳｉ（単結晶Ｓｉ片やＳｉ粉末等のＳｉペレット）やＳｉ化合物を例示することができる。
【0091】
例えば、本実施形態のように本体容器３０の全体が多結晶ＳｉＣで構成されている場合には、Ｓｉ蒸気供給源を配置することで、本体容器３０内の原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える。
具体的には、化学量論比１：１を満たす多結晶ＳｉＣの本体容器３０内に、化学量論比１：１を満たすＳｉＣ基板１０と、Ｓｉ蒸気供給源３５（Ｓｉペレット等）と、を配置した場合には、本体容器３０内の原子数比Ｓｉ／Ｃは１を超えることとなる（図５参照）。
具体的には、化学量論比１：１を満たす多結晶ＳｉＣの本体容器３０内に、化学量論比１：１を満たすＳｉＣ基板１０と、Ｓｉ蒸気供給源３５（Ｓｉペレット等）と、を配置した場合には、本体容器３０内の原子数比Ｓｉ／Ｃは１を超えることとなる（図５参照）。
【0092】
このように、原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える空間を加熱することで、ＳｉＣ（固体）とＳｉ（液相）とが気相を介して相平衡状態となっているときの蒸気圧の環境（ＳｉＣ－Ｓｉ平衡蒸気圧環境）に近づけることができる。
【0093】
一方、本体容器３０内にＳｉ蒸気供給源を設けない場合には、本体容器３０内の原子数比Ｓｉ／Ｃは１若しくは１以下となる。
具体的には、化学量論比１：１を満たす多結晶ＳｉＣの本体容器３０内に、化学量論比１：１を満たすＳｉＣ基板１０と、を配置した場合には、本体容器３０内の原子数比Ｓｉ／Ｃは１となる（図４参照）。
具体的には、化学量論比１：１を満たす多結晶ＳｉＣの本体容器３０内に、化学量論比１：１を満たすＳｉＣ基板１０と、を配置した場合には、本体容器３０内の原子数比Ｓｉ／Ｃは１となる（図４参照）。
【0094】
このように、原子数比Ｓｉ／Ｃが１若しくは１以下の空間を加熱することで、ＳｉＣ（固相）とＣ（固相）とが気相を介して相平衡状態となっているときの蒸気圧の環境（ＳｉＣ－Ｃ平衡蒸気圧環境）に近づけることができる。
【0095】
なお、本明細書におけるＳｉＣ－Ｓｉ平衡蒸気圧環境及びＳｉＣ－Ｃ平衡蒸気圧環境とは、理論的な熱平衡環境から導かれた成長速度と成長温度の関係を満たす近熱平衡蒸気圧環境を含む。
【0096】
ＳｉＣ-Ｓｉ蒸気圧環境とは、ＳｉＣ（固体）とＳｉ（液相）とが気相を介して相平衡状態となっているときの蒸気圧の環境のことを言う。
ＳｉＣ－Ｓｉ平衡蒸気圧環境は、例えば、原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間が熱処理されることで形成される。
ＳｉＣ－Ｓｉ平衡蒸気圧環境は、例えば、原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間が熱処理されることで形成される。
【0097】
ＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境とは、ＳｉＣ（固相）とＣ（固相）とが気相を介して相平衡状態となっているときの蒸気圧の環境のことを言う。
ＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境は、例えば、原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間が熱処理されることで形成される。
ＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境は、例えば、原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間が熱処理されることで形成される。
【0098】
（加熱炉）
加熱炉４０は、図３に示すように、被処理物（ＳｉＣ基板１０等）を１０００℃以上２３００℃以下の温度に加熱することが可能な本加熱室４１と、被処理物を５００℃以上の温度に予備加熱可能な予備加熱室４２と、本体容器３０を収容可能な高融点容器５０と、この高融点容器５０を予備加熱室４２から本加熱室４１へ移動可能な移動手段４３（移動台）と、を備えている。
加熱炉４０は、図３に示すように、被処理物（ＳｉＣ基板１０等）を１０００℃以上２３００℃以下の温度に加熱することが可能な本加熱室４１と、被処理物を５００℃以上の温度に予備加熱可能な予備加熱室４２と、本体容器３０を収容可能な高融点容器５０と、この高融点容器５０を予備加熱室４２から本加熱室４１へ移動可能な移動手段４３（移動台）と、を備えている。
【0099】
本加熱室４１は、平面断面視で正六角形に形成されており、その内側に高融点容器５０が配置される。
本加熱室４１の内部には、加熱ヒータ４４（メッシュヒーター）が備えられている。また、本加熱室４１の側壁や天井には多層熱反射金属板が固定されている（図示せず。）。この多層熱反射金属板は、加熱ヒータ４４の熱を本加熱室４１の略中央部に向けて反射させるように構成されている。
本加熱室４１の内部には、加熱ヒータ４４（メッシュヒーター）が備えられている。また、本加熱室４１の側壁や天井には多層熱反射金属板が固定されている（図示せず。）。この多層熱反射金属板は、加熱ヒータ４４の熱を本加熱室４１の略中央部に向けて反射させるように構成されている。
【0100】
これにより、本加熱室４１内において、被処理物が収容される高融点容器５０を取り囲むように加熱ヒータ４４が配置され、更にその外側に多層熱反射金属板が配置されることで、１０００℃以上２３００℃以下の温度まで昇温させることができる。
なお、加熱ヒータ４４としては、例えば、抵抗加熱式のヒータや高周波誘導加熱式のヒータを用いることができる。
なお、加熱ヒータ４４としては、例えば、抵抗加熱式のヒータや高周波誘導加熱式のヒータを用いることができる。
【0101】
また、加熱ヒータ４４は、高融点容器５０内に温度勾配を形成可能な構成を採用しても良い。例えば、加熱ヒータ４４は、上側に多くのヒータが配置されるよう構成しても良い。また、加熱ヒータ４４は、上側に向かうにつれて幅が大きくなるように構成しても良い。あるいは、加熱ヒータ４４は、上側に向かうにつれて供給される電力を大きくすることが可能なよう構成しても良い。
【0102】
また、本加熱室４１には、本加熱室４１内の排気を行う真空形成用バルブ４５と、本加熱室４１内に不活性ガスを導入する不活性ガス注入用バルブ４６と、本加熱室４１内の真空度を測定する真空計４７と、が接続されている。
【0103】
真空形成用バルブ４５は、本加熱室４１内を排気して真空引きする真空引ポンプと接続されている（図示せず。）。この真空形成用バルブ４５及び真空引きポンプにより、本加熱室４１内の真空度は、例えば、１０Ｐａ以下、より好ましくは１Ｐａ以下、さらに好ましくは１０－３Ｐａ以下に調整することができる。この真空引きポンプとしては、ターボ分子ポンプを例示することができる。
【0104】
不活性ガス注入用バルブ４６は、不活性ガス供給源と接続されている（図示せず。）。この不活性ガス注入用バルブ４６及び不活性ガス供給源により、本加熱室４１内に不活性ガスを１０－５～１００００Ｐａの範囲で導入することができる。この不活性ガスとしては、ＡｒやＨｅ、Ｎ２等を選択することができる。
【0105】
また、不活性ガス注入用バルブ４６は、本体容器３０内にドーパントガスを供給可能なドーパントガス供給手段である。すなわち、不活性ガスにドーパントガス（例えば、Ｎ２等）を選択することにより、ＳｉＣエピタキシャル層１１のドーピング濃度を調整することができる。
【0106】
予備加熱室４２は、本加熱室４１と接続されており、移動手段４３により高融点容器５０を移動可能に構成されている。なお、本実施形態の予備加熱室４２には、本加熱室４１の加熱ヒータ４４の余熱により昇温可能なよう構成されている。例えば、本加熱室４１を２０００℃まで昇温した場合には、予備加熱室４２は１０００℃程度まで昇温され、被処理物（ＳｉＣ基板１０や本体容器３０、高融点容器５０等）の脱ガス処理を行うことができる。
【0107】
移動手段４３は、高融点容器５０を載置して、本加熱室４１と予備加熱室４２を移動可能に構成されている。この移動手段４３による本加熱室４１と予備加熱室４２間の搬送は、最短１分程で完了するため、１～１０００℃／ｍｉｎでの昇温・降温を実現することができる。
このように急速昇温及び急速降温が行えるため、従来の装置では困難であった、昇温中及び降温中の低温成長履歴を持たない表面形状を観察することが可能である。
また、図３においては、本加熱室４１の下方に予備加熱室４２を配置しているが、これに限られず、何れの方向に配置しても良い。
このように急速昇温及び急速降温が行えるため、従来の装置では困難であった、昇温中及び降温中の低温成長履歴を持たない表面形状を観察することが可能である。
また、図３においては、本加熱室４１の下方に予備加熱室４２を配置しているが、これに限られず、何れの方向に配置しても良い。
【0108】
また、本実施形態に係る移動手段４３は、高融点容器５０を載置する移動台である。この移動台と高融点容器５０の接触部から、微小な熱を逃がしている。これにより、高融点容器５０内（及び本体容器３０内）に温度勾配を形成することができる。
すなわち、本実施形態の加熱炉４０は、高融点容器５０の底部が移動台と接触しているため、高融点容器５０の上容器５１から下容器５２に向かって温度が下がるように温度勾配が設けられる。この温度勾配は、ＳｉＣ基板１０の表裏方向に沿って形成されていることが望ましい。
また、上述したように、加熱ヒータ４４の構成により、温度勾配を形成してもよい。
すなわち、本実施形態の加熱炉４０は、高融点容器５０の底部が移動台と接触しているため、高融点容器５０の上容器５１から下容器５２に向かって温度が下がるように温度勾配が設けられる。この温度勾配は、ＳｉＣ基板１０の表裏方向に沿って形成されていることが望ましい。
また、上述したように、加熱ヒータ４４の構成により、温度勾配を形成してもよい。
【0109】
（高融点容器）
加熱炉４０は、Ｓｉ元素を含む雰囲気を形成し、この雰囲気内で本体容器３０を加熱可能であることが好ましい。本実施形態に係る加熱炉４０内のＳｉ元素を含む雰囲気は、高融点容器５０及びＳｉ蒸気供給源５４を用いて形成している。
なお、本体容器３０の周囲にＳｉ元素を含む雰囲気を形成可能な方法であれば、当然に採用することができる。
加熱炉４０は、Ｓｉ元素を含む雰囲気を形成し、この雰囲気内で本体容器３０を加熱可能であることが好ましい。本実施形態に係る加熱炉４０内のＳｉ元素を含む雰囲気は、高融点容器５０及びＳｉ蒸気供給源５４を用いて形成している。
なお、本体容器３０の周囲にＳｉ元素を含む雰囲気を形成可能な方法であれば、当然に採用することができる。
【0110】
高融点容器５０は、高融点材料を含んで構成されている。例えば、汎用耐熱部材であるＣ、高融点金属であるＷ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｔａ，Ｍｏ、炭化物であるＴａ９Ｃ８，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＮｂＣ，ＺｒＣ，Ｔａ２Ｃ，ＴｉＣ，ＷＣ，ＭｏＣ、窒化物であるＨｆＮ，ＴａＮ，ＢＮ，Ｔａ２Ｎ，ＺｒＮ，ＴｉＮ、ホウ化物であるＨｆＢ２，ＴａＢ２，ＺｒＢ２，ＮＢ２，ＴｉＢ２，多結晶ＳｉＣ等を例示することができる。
【0111】
この高融点容器５０は、本体容器３０と同様に、互いに嵌合可能な上容器５１と下容器５２とを備える嵌合容器であり、本体容器３０を収容可能に構成されている。上容器５１と下容器５２の嵌合部には、微小な間隙５３が形成されており、この間隙５３から高融点容器５０内の排気（真空引き）が可能なよう構成されている。
【0112】
高融点容器５０は、高融点容器５０内にＳｉ元素を含む気相種の蒸気圧を供給可能なＳｉ蒸気供給源５４を有していることが好ましい。Ｓｉ蒸気供給源５４は、加熱処理時にＳｉ蒸気を高融点容器５０内に発生させる構成であれば良く、例えば、固体のＳｉ（単結晶Ｓｉ片やＳｉ粉末等のＳｉペレット）やＳｉ化合物を例示することができる。
【0113】
本実施形態に係るＳｉＣ基板の製造装置は、高融点容器５０の材料としてＴａＣを採用し、Ｓｉ蒸気供給源５４としてタンタルシリサイドを採用している。すなわち、図４に示すように、高融点容器５０の内側にタンタルシリサイド層が形成されており、加熱処理時にタンタルシリサイド層からＳｉ蒸気が容器内に供給されることにより、Ｓｉ蒸気圧環境が形成されるように構成されている。
この他にも、加熱処理時に高融点容器５０内にＳｉ元素を含む気相種の蒸気圧が形成される構成であれば採用することができる。
この他にも、加熱処理時に高融点容器５０内にＳｉ元素を含む気相種の蒸気圧が形成される構成であれば採用することができる。
【0114】
本発明に係るＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置は、ＳｉＣ基板１０とＳｉＣ基板１０よりもドーピング濃度が低いＳｉＣ材料２０とを相対させて加熱し、ＳｉＣ材料２０からＳｉＣ基板１０に原料を輸送してＳｉＣエピタキシャル層１１を形成する。これにより、加熱温度をパラメータとして、ＳｉＣ半導体デバイスの耐圧層として機能するＳｉＣエピタキシャル層１１を成長させることができる。
【0115】
また、本発明に係るＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置は、ＳｉＣ材料２０のドーピング濃度を引き継いだドーピング濃度のＳｉＣエピタキシャル層１１を形成することができる。そのため、所望のドーピング濃度のＳｉＣ材料２０を選択することにより、ＳｉＣエピタキシャル層１１のドーピング濃度を制御することができる。
【0116】
〈実施形態２〉
図６は、実施形態２に係るＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置の説明図である。この実施形態２に係る本体容器３０は、ＳｉＣ部材３６からＳｉＣ基板１０へ原料を供給可能に構成されている。なお、同実施形態において、先の実施形態と基本的に同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を簡略化する。
図６は、実施形態２に係るＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置の説明図である。この実施形態２に係る本体容器３０は、ＳｉＣ部材３６からＳｉＣ基板１０へ原料を供給可能に構成されている。なお、同実施形態において、先の実施形態と基本的に同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を簡略化する。
【0117】
（本体容器）
実施形態２に係る本体容器３０は、ＳｉＣ基板１０を設置する基板設置部３１と、この基板設置部３１に相対する位置にＳｉＣ部材３６（ＳｉＣ材料２０）を設置するＳｉＣ材料設置部３７と、ＳｉＣ部材３６からＳｉＣ基板１０へ原料を輸送するための原料輸送空間Ｓ１と、ＳｉＣ基板１０とＳｉＣ部材３６の間に設けられる支持具３８と、を有する。
そして、ＳｉＣ部材３６のドーピング濃度は、ＳｉＣ基板１０のドーピング濃度よりも低く設定されている。
実施形態２に係る本体容器３０は、ＳｉＣ基板１０を設置する基板設置部３１と、この基板設置部３１に相対する位置にＳｉＣ部材３６（ＳｉＣ材料２０）を設置するＳｉＣ材料設置部３７と、ＳｉＣ部材３６からＳｉＣ基板１０へ原料を輸送するための原料輸送空間Ｓ１と、ＳｉＣ基板１０とＳｉＣ部材３６の間に設けられる支持具３８と、を有する。
そして、ＳｉＣ部材３６のドーピング濃度は、ＳｉＣ基板１０のドーピング濃度よりも低く設定されている。
【0118】
支持具３８は、高融点容器５０と同様の高融点材料で構成されていることが望ましい。
【0119】
本実施形態に係るＳｉＣ基板の製造装置は、本体容器３０内にＳｉＣ部材３６を設置し、このＳｉＣ部材３６からＳｉＣ基板１０に原料を輸送する構成となっている。そのため、本体容器３０を任意の材料で構成することができる。具体的には、高融点容器５０と同様の高融点材料を採用することができる。
【0120】
〈実施形態３〉
図７は、実施形態３に係るＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置の説明図である。この実施形態３に係る本体容器３０は、先の実施形態とは異なる温度勾配で成長可能なよう構成されている。なお、同実施形態において、先の実施形態と基本的に同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を簡略化する。
図７は、実施形態３に係るＳｉＣエピタキシャル基板の製造装置の説明図である。この実施形態３に係る本体容器３０は、先の実施形態とは異なる温度勾配で成長可能なよう構成されている。なお、同実施形態において、先の実施形態と基本的に同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を簡略化する。
【0121】
（本体容器）
実施形態３に係る本体容器３０は、ＳｉＣ基板１０を設置する基板設置部３１と、ＳｉＣ基板１０とＳｉＣ材料２０の間に設けられる支持具３８と、ＳｉＣ材料２０からＳｉＣ基板１０へ原料を輸送するための原料輸送空間Ｓ１と、を有する。
実施形態３に係る本体容器３０は、ＳｉＣ基板１０を設置する基板設置部３１と、ＳｉＣ基板１０とＳｉＣ材料２０の間に設けられる支持具３８と、ＳｉＣ材料２０からＳｉＣ基板１０へ原料を輸送するための原料輸送空間Ｓ１と、を有する。
【0122】
ＳｉＣ材料２０は、図６に示すように、多結晶ＳｉＣで構成された下容器３３を採用してもよいし、ＳｉＣ部材３６を支持具３８の下に配置しても良い。
【0123】
（加熱炉）
本実施形態の加熱炉４０は、高融点容器５０の下容器５２から上容器５１に向かって温度が下がるように温度勾配が形成される。
この温度勾配は、例えば、移動台との接触部を高融点容器５０の天井に設け、上方向に熱が逃げるように構成することで形成される。
また、例えば、加熱ヒータ４４は、上側に多くのヒータが配置されるよう構成しても良い。また、加熱ヒータ４４は、上側に向かうにつれて幅が大きくなるように構成しても良い。あるいは、加熱ヒータ４４は、上側に向かうにつれて供給される電力を大きくすることが可能なよう構成しても良い。
本実施形態の加熱炉４０は、高融点容器５０の下容器５２から上容器５１に向かって温度が下がるように温度勾配が形成される。
この温度勾配は、例えば、移動台との接触部を高融点容器５０の天井に設け、上方向に熱が逃げるように構成することで形成される。
また、例えば、加熱ヒータ４４は、上側に多くのヒータが配置されるよう構成しても良い。また、加熱ヒータ４４は、上側に向かうにつれて幅が大きくなるように構成しても良い。あるいは、加熱ヒータ４４は、上側に向かうにつれて供給される電力を大きくすることが可能なよう構成しても良い。
【0124】
本実施形態に係るＳｉＣ基板の製造装置は、ＳｉＣ基板１０の主面１０１を下に向けた状態でＳｉＣエピタキシャル層１１を成長させることができる。そのため、重力方向に移動するダウンフォールがＳｉＣ基板１０表面に混入することを抑制することができる。
【実施例】
【0125】
実施例１、実施例２を挙げて本発明をより具体的に説明する。
《実施例１》
〈配置工程〉
以下の条件で、ＳｉＣ基板１０を本体容器３０に収容し、さらに本体容器３０を高融点容器５０に収容した。
《実施例１》
〈配置工程〉
以下の条件で、ＳｉＣ基板１０を本体容器３０に収容し、さらに本体容器３０を高融点容器５０に収容した。
【0126】
（ＳｉＣ基板）
多型:４Ｈ－ＳｉＣ
基板サイズ:横幅１０ｍｍ×縦幅１０ｍｍ×厚み０．３ｍｍ
オフ方向及びオフ角:＜１１－２０＞方向４°オフ
成長面:（０００１）面
ドーパント:Ｎ
ドーピング濃度:３×１０１８ｃｍ－３
マクロステップバンチングの有無:無し
多型:４Ｈ－ＳｉＣ
基板サイズ:横幅１０ｍｍ×縦幅１０ｍｍ×厚み０．３ｍｍ
オフ方向及びオフ角:＜１１－２０＞方向４°オフ
成長面:（０００１）面
ドーパント:Ｎ
ドーピング濃度:３×１０１８ｃｍ－３
マクロステップバンチングの有無:無し
【0127】
なお、ＳｉＣ基板１０のドーパント及びドーピング濃度は、ラマン分光法により確認した。
【0128】
（本体容器）
材料:多結晶ＳｉＣ
容器サイズ:直径６０ｍｍ×高さ４ｍｍ
ＳｉＣ基板１０とＳｉＣ材料２０との距離：２ｍｍ
ドーパント:Ｎ
ドーピング濃度:１×１０１７ｃｍ－３以下（ラマン分光法検出限界以下）
容器内の原子数比Ｓｉ／Ｃ:１以下
材料:多結晶ＳｉＣ
容器サイズ:直径６０ｍｍ×高さ４ｍｍ
ＳｉＣ基板１０とＳｉＣ材料２０との距離：２ｍｍ
ドーパント:Ｎ
ドーピング濃度:１×１０１７ｃｍ－３以下（ラマン分光法検出限界以下）
容器内の原子数比Ｓｉ／Ｃ:１以下
【0129】
（高融点容器）
材料:ＴａＣ
容器サイズ:直径１６０ｍｍ×高さ６０ｍｍ
Ｓｉ蒸気供給源５４（Ｓｉ化合物）:ＴａＳｉ２
材料:ＴａＣ
容器サイズ:直径１６０ｍｍ×高さ６０ｍｍ
Ｓｉ蒸気供給源５４（Ｓｉ化合物）:ＴａＳｉ２
【0130】
〈加熱工程〉
上記条件で配置したＳｉＣ基板１０を、以下の条件で加熱処理した。
加熱温度：１７００℃
加熱時間:３００ｍｉｎ
温度勾配:１℃／ｍｍ
成長速度:５ｎｍ／ｍｉｎ
本加熱室４１真空度:１０－５Ｐａ
上記条件で配置したＳｉＣ基板１０を、以下の条件で加熱処理した。
加熱温度：１７００℃
加熱時間:３００ｍｉｎ
温度勾配:１℃／ｍｍ
成長速度:５ｎｍ／ｍｉｎ
本加熱室４１真空度:１０－５Ｐａ
【0131】
図８は、上記条件で成長及びエッチングした実施例１のＳｉＣ基板を断面から倍率×１００００で観察したＳＥＭ像である。この実施例１のＳｉＣエピタキシャル層１１の厚みは１．５μｍであった。
【0132】
また、この実施例１のＳｉＣエピタキシャル層１１のドーピング濃度は１×１０１７ｃｍ－３以下であり、ＳｉＣ基板１０のドーピング濃度は３×１０１８ｃｍ－３であった。図８に示すように、ＳｉＣエピタキシャル層１１がＳｉＣ基板１０よりもＳＥＭ像コントラストが明るいことから、ＳｉＣエピタキシャル層１１のドーピング濃度はＳｉＣ基板１０よりも低いことが把握できる。
【0133】
〈ＳｉＣエピタキシャル成長層中のＢＰＤ変換率〉
図９は、ＳｉＣエピタキシャル層１１において、ＢＰＤから他の欠陥・転位（ＴＥＤ等）に変換した変換率を求める手法の説明図である。
図９（ａ）は、加熱工程によりＳｉＣエピタキシャル層１１を成長させた様子を示している。この加熱工程では、ＳｉＣ基板１０に存在していたＢＰＤが、ある確率でＴＥＤに変換される。そのため、ＳｉＣエピタキシャル層１１の表面には、１００％変換されない限り、ＴＥＤとＢＰＤが混在していることとなる。
図９（ｂ）は、ＫＯＨ溶解エッチング法を用いてＳｉＣエピタキシャル層１１中の欠陥を確認した様子を示している。このＫＯＨ溶解エッチング法は、約５００℃に加熱した溶解塩（ＫＯＨ等）にＳｉＣ基板を浸し、転位や欠陥部分にエッチピットを形成し、そのエッチピットの大きさ・形状により転位の種類を判別する手法である。この手法により、ＳｉＣエピタキシャル層１１表面に存在しているＢＰＤ数を得る。
図９（ｃ）は、ＫＯＨ溶解エッチング後にＳｉＣエピタキシャル層１１を除去する様子を示している。本手法では、エッチピット深さまで機械研磨やＣＭＰ等により平坦化した後、熱エッチングによりＳｉＣエピタキシャル層１１を除去して、ＳｉＣ基板１０の表面を表出させている。
図９（ｄ）は、ＳｉＣエピタキシャル層１１を除去したＳｉＣ基板１０に対し、ＫＯＨ溶解エッチング法を用いてＳｉＣ基板１０中の欠陥を確認した様子を示している。この手法により、ＳｉＣ基板１０表面に存在しているＢＰＤ数を得る。
図９は、ＳｉＣエピタキシャル層１１において、ＢＰＤから他の欠陥・転位（ＴＥＤ等）に変換した変換率を求める手法の説明図である。
図９（ａ）は、加熱工程によりＳｉＣエピタキシャル層１１を成長させた様子を示している。この加熱工程では、ＳｉＣ基板１０に存在していたＢＰＤが、ある確率でＴＥＤに変換される。そのため、ＳｉＣエピタキシャル層１１の表面には、１００％変換されない限り、ＴＥＤとＢＰＤが混在していることとなる。
図９（ｂ）は、ＫＯＨ溶解エッチング法を用いてＳｉＣエピタキシャル層１１中の欠陥を確認した様子を示している。このＫＯＨ溶解エッチング法は、約５００℃に加熱した溶解塩（ＫＯＨ等）にＳｉＣ基板を浸し、転位や欠陥部分にエッチピットを形成し、そのエッチピットの大きさ・形状により転位の種類を判別する手法である。この手法により、ＳｉＣエピタキシャル層１１表面に存在しているＢＰＤ数を得る。
図９（ｃ）は、ＫＯＨ溶解エッチング後にＳｉＣエピタキシャル層１１を除去する様子を示している。本手法では、エッチピット深さまで機械研磨やＣＭＰ等により平坦化した後、熱エッチングによりＳｉＣエピタキシャル層１１を除去して、ＳｉＣ基板１０の表面を表出させている。
図９（ｄ）は、ＳｉＣエピタキシャル層１１を除去したＳｉＣ基板１０に対し、ＫＯＨ溶解エッチング法を用いてＳｉＣ基板１０中の欠陥を確認した様子を示している。この手法により、ＳｉＣ基板１０表面に存在しているＢＰＤ数を得る。
【0134】
図９に示した一連の順序により、ＳｉＣエピタキシャル層１１表面に存在するＢＰＤの数（図９（ｂ）参照）と、ＳｉＣ基板１０表面に存在するＢＰＤの数（図９（ｄ）参照）と、を比較することで、加熱工程中にＢＰＤから他の欠陥・転位に変換したＢＰＤ変換率を得ることができる。
【0135】
実施例１のＳｉＣエピタキシャル層１１表面に存在するＢＰＤの数は約０個ｃｍ－２であり、ＳｉＣ基板１０表面に存在するＢＰＤの数は１０００個ｃｍ－２であった。
すなわち、表面にＭＳＢが存在しないＳｉＣ基板１０を、原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置し加熱することにより、ＢＰＤが低減・除去されることが把握できる。
すなわち、表面にＭＳＢが存在しないＳｉＣ基板１０を、原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置し加熱することにより、ＢＰＤが低減・除去されることが把握できる。
【0136】
本発明によれば、ＳｉＣ基板１０とＳｉＣ基板１０よりもドーピング濃度が低いＳｉＣ材料２０とを相対させて加熱し、ＳｉＣ材料２０からＳｉＣ基板１０に原料を輸送してＳｉＣエピタキシャル層１１を形成する。これにより、半導体デバイスの耐圧層として機能し得るドーピング濃度のＳｉＣエピタキシャル層１１を成長させることができる。
【0137】
また、本発明によれば、ＳｉＣ基板１０を原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である準閉鎖空間に配置し加熱することにより、耐圧層として機能し、かつ、ＢＰＤが低減・除去された表面のＳｉＣエピタキシャル層１１を形成し得る。
【0138】
《実施例２》
〈配置工程〉
以下の条件で、ＳｉＣ基板１０を本体容器３０に収容し、さらに本体容器３０を高融点容器５０に収容した。
〈配置工程〉
以下の条件で、ＳｉＣ基板１０を本体容器３０に収容し、さらに本体容器３０を高融点容器５０に収容した。
【0139】
（ＳｉＣ基板）
多型:４Ｈ－ＳｉＣ
基板サイズ:横幅１０ｍｍ×縦幅１０ｍｍ×厚み０．３ｍｍ
オフ方向及びオフ角:＜１１－２０＞方向４°オフ
成長面:（０００１）面
ドーパント:Ｎ
ドーピング濃度:３×１０１８ｃｍ－３
マクロステップバンチングの有無:有り
多型:４Ｈ－ＳｉＣ
基板サイズ:横幅１０ｍｍ×縦幅１０ｍｍ×厚み０．３ｍｍ
オフ方向及びオフ角:＜１１－２０＞方向４°オフ
成長面:（０００１）面
ドーパント:Ｎ
ドーピング濃度:３×１０１８ｃｍ－３
マクロステップバンチングの有無:有り
【0140】
なお、ＳｉＣ基板１０のドーパント及びドーピング濃度は、ラマン分光法により確認した。
【0141】
（本体容器）
材料:多結晶ＳｉＣ
容器サイズ:直径６０ｍｍ×高さ４ｍｍ
ＳｉＣ基板１０とＳｉＣ材料２０との距離：２ｍｍ
ドーパント:Ｎ
ドーピング濃度:１×１０１７ｃｍ－３以下（ラマン分光法検出限界以下）
Ｓｉ蒸気供給源３５:Ｓｉ片
容器内の原子数比Ｓｉ／Ｃ:１を超える
材料:多結晶ＳｉＣ
容器サイズ:直径６０ｍｍ×高さ４ｍｍ
ＳｉＣ基板１０とＳｉＣ材料２０との距離：２ｍｍ
ドーパント:Ｎ
ドーピング濃度:１×１０１７ｃｍ－３以下（ラマン分光法検出限界以下）
Ｓｉ蒸気供給源３５:Ｓｉ片
容器内の原子数比Ｓｉ／Ｃ:１を超える
【0142】
本体容器３０内に、ＳｉＣ基板１０と共にＳｉ片を収容することで、容器内の原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える。
【0143】
（高融点容器）
材料:ＴａＣ
容器サイズ:直径１６０ｍｍ×高さ６０ｍｍ
Ｓｉ蒸気供給源５４（Ｓｉ化合物）:ＴａＳｉ２
材料:ＴａＣ
容器サイズ:直径１６０ｍｍ×高さ６０ｍｍ
Ｓｉ蒸気供給源５４（Ｓｉ化合物）:ＴａＳｉ２
【0144】
〈加熱工程〉
上記条件で配置したＳｉＣ基板１０を、以下の条件で加熱処理した。
加熱温度：１８００℃
加熱時間:６０ｍｉｎ
温度勾配:１℃／ｍｍ
成長速度:６８ｎｍ／ｍｉｎ
本加熱室４１真空度:１０－５Ｐａ
上記条件で配置したＳｉＣ基板１０を、以下の条件で加熱処理した。
加熱温度：１８００℃
加熱時間:６０ｍｉｎ
温度勾配:１℃／ｍｍ
成長速度:６８ｎｍ／ｍｉｎ
本加熱室４１真空度:１０－５Ｐａ
【0145】
図１０は、ＳｉＣエピタキシャル層１１成長前のＳｉＣ基板１０表面のＳＥＭ像である。図１０（ａ）は倍率×１０００で観察したＳＥＭ像であり、図１０（ｂ）は倍率×１０００００で観察したＳＥＭ像である。
このＳｉＣエピタキシャル層１１成長前のＳｉＣ基板１０表面には、ＭＳＢが形成されており、高さ３ｎｍ以上のステップが、平均４２ｎｍのテラス幅で配列していることが把握できる。なお、ステップ高さは、ＡＦＭにより測定した。
このＳｉＣエピタキシャル層１１成長前のＳｉＣ基板１０表面には、ＭＳＢが形成されており、高さ３ｎｍ以上のステップが、平均４２ｎｍのテラス幅で配列していることが把握できる。なお、ステップ高さは、ＡＦＭにより測定した。
【0146】
図１１は、ＳｉＣエピタキシャル層１１成長後のＳｉＣ基板１０表面のＳＥＭ像である。図１１（ａ）は倍率×１０００で観察したＳＥＭ像であり、図１１（ｂ）は倍率×１０００００で観察したＳＥＭ像である。
この実施例２のＳｉＣエピタキシャル層１１表面には、ＭＳＢは形成されておらず、１．０ｎｍ（フルユニットセル）のステップが、１４ｎｍのテラス幅で規則正しく配列していることが把握できる。なお、ステップ高さは、ＡＦＭにより測定した。
この実施例２のＳｉＣエピタキシャル層１１表面には、ＭＳＢは形成されておらず、１．０ｎｍ（フルユニットセル）のステップが、１４ｎｍのテラス幅で規則正しく配列していることが把握できる。なお、ステップ高さは、ＡＦＭにより測定した。
【0147】
そのため、表面にＭＳＢが存在するＳｉＣ基板１０を、原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間に配置し加熱することにより、ＭＳＢが分解された表面のＳｉＣエピタキシャル層１１を形成されることが把握できる。
【0148】
本発明によれば、ＳｉＣ基板１０を原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える準閉鎖空間に配置し加熱することにより、耐圧層として機能し、かつ、ＭＳＢが分解された表面のＳｉＣエピタキシャル層１１を形成し得る。
【0149】
〈ＳｉＣエピタキシャル成長層の成長速度〉
図１２は、本発明に係るＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法にて成長させた加熱温度と成長速度の関係を示すグラフである。このグラフの横軸は温度の逆数であり、このグラフの縦軸は成長速度を対数表示している。ＳｉＣ基板１０を原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える空間（本体容器３０内）に配置して、ＳｉＣ基板１０にＳｉＣエピタキシャル層１１を成長させた結果を〇印で示す。また、ＳｉＣ基板１０を原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である空間（本体容器３０内）に配置して、ＳｉＣ基板１０にＳｉＣエピタキシャル層１１を成長させた結果を×印で示している。
図１２は、本発明に係るＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法にて成長させた加熱温度と成長速度の関係を示すグラフである。このグラフの横軸は温度の逆数であり、このグラフの縦軸は成長速度を対数表示している。ＳｉＣ基板１０を原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える空間（本体容器３０内）に配置して、ＳｉＣ基板１０にＳｉＣエピタキシャル層１１を成長させた結果を〇印で示す。また、ＳｉＣ基板１０を原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である空間（本体容器３０内）に配置して、ＳｉＣ基板１０にＳｉＣエピタキシャル層１１を成長させた結果を×印で示している。
【0150】
また、図１２のグラフでは、ＳｉＣ-Ｓｉ平衡蒸気圧環境におけるＳｉＣ基板成長の熱力学計算の結果を破線（アレニウスプロット）で、ＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境におけるＳｉＣ基板成長の熱力学計算の結果を二点鎖線（アレニウスプロット）にて示している。
【0151】
本手法においては、ＳｉＣ原料とＳｉＣ基板間の蒸気圧環境が、ＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境又はＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境となる条件下で、化学ポテンシャル差や温度勾配を成長駆動力として、ＳｉＣ基板１０を成長させている。この化学ポテンシャル差は、多結晶ＳｉＣ（ＳｉＣ材料２０）と単結晶ＳｉＣ（ＳｉＣ基板１０）の表面で発生する気相種の分圧差を例示することができる。
【0152】
ここで、ＳｉＣ原料とＳｉＣ基板から発生する蒸気の分圧差を成長量とした場合、ＳｉＣの成長速度は以下の数１で求められる。
【0153】
【数1】
【0154】
ここで、ＴはＳｉＣ原料側の温度、ｍｉは気相種（ＳｉxＣｙ）の分子量、ｋはボルツマン定数である。
また、Ｐ原料－Ｐ基板は、原料ガスが過飽和な状態となって、ＳｉＣとして析出した成長量であり、原料ガスとしてはＳｉＣ，Ｓｉ２Ｃ，ＳｉＣ２が想定される。
また、Ｐ原料－Ｐ基板は、原料ガスが過飽和な状態となって、ＳｉＣとして析出した成長量であり、原料ガスとしてはＳｉＣ，Ｓｉ２Ｃ，ＳｉＣ２が想定される。
【0155】
すなわち、破線は、ＳｉＣ（固体）とＳｉ（液相）とが気相を介して相平衡状態となっているときの蒸気圧環境において、多結晶ＳｉＣを原料として単結晶ＳｉＣを成長させた際の熱力学計算の結果である。
具体的には、数１を用いて、以下の条件（ｉ）～（ｉｖ）で熱力学計算を行った。（ｉ）体積一定のＳｉＣ-Ｓｉ平衡蒸気圧環境であること，（ｉｉ）成長駆動力は、本体容器３０内の温度勾配と、多結晶ＳｉＣと単結晶ＳｉＣの蒸気圧差（化学ポテンシャル差）であること，（ｉｉｉ）原料ガスは、ＳｉＣ，Ｓｉ２Ｃ，ＳｉＣ２であること，（ｉｖ）原料がＳｉＣ基板１０のステップに吸着する吸着係数は０．００１であること。
具体的には、数１を用いて、以下の条件（ｉ）～（ｉｖ）で熱力学計算を行った。（ｉ）体積一定のＳｉＣ-Ｓｉ平衡蒸気圧環境であること，（ｉｉ）成長駆動力は、本体容器３０内の温度勾配と、多結晶ＳｉＣと単結晶ＳｉＣの蒸気圧差（化学ポテンシャル差）であること，（ｉｉｉ）原料ガスは、ＳｉＣ，Ｓｉ２Ｃ，ＳｉＣ２であること，（ｉｖ）原料がＳｉＣ基板１０のステップに吸着する吸着係数は０．００１であること。
【0156】
また、二点鎖線は、ＳｉＣ（固相）とＣ（固相）とが気相を介して相平衡状態となっているときの蒸気圧環境において、多結晶ＳｉＣを原料として単結晶ＳｉＣを成長させた際の熱力学計算の結果である。
具体的には、数１を用いて、以下の条件（ｉ）～（ｉｖ）で熱力学計算を行った。（ｉ）体積一定のＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境であること，（ｉｉ）成長駆動力は、本体容器３０内の温度勾配と、多結晶ＳｉＣと単結晶ＳｉＣの蒸気圧差（化学ポテンシャル差）であること，（ｉｉｉ）原料ガスはＳｉＣ，Ｓｉ２Ｃ，ＳｉＣ２であること，（ｉｖ）原料がＳｉＣ基板１０のステップに吸着する吸着係数は０．００１であること。
なお、熱力学計算に用いた各化学種のデータはＪＡＮＡＦ熱化学表の値を採用した。
具体的には、数１を用いて、以下の条件（ｉ）～（ｉｖ）で熱力学計算を行った。（ｉ）体積一定のＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境であること，（ｉｉ）成長駆動力は、本体容器３０内の温度勾配と、多結晶ＳｉＣと単結晶ＳｉＣの蒸気圧差（化学ポテンシャル差）であること，（ｉｉｉ）原料ガスはＳｉＣ，Ｓｉ２Ｃ，ＳｉＣ２であること，（ｉｖ）原料がＳｉＣ基板１０のステップに吸着する吸着係数は０．００１であること。
なお、熱力学計算に用いた各化学種のデータはＪＡＮＡＦ熱化学表の値を採用した。
【0157】
この図１２のグラフによれば、ＳｉＣ基板１０を原子数比Ｓｉ／Ｃが１を超える空間（本体容器３０内）に配置して、ＳｉＣ基板１０にＳｉＣエピタキシャル層１１を成長させた結果（〇印）は、ＳｉＣ-Ｓｉ平衡蒸気圧環境におけるＳｉＣ基板成長の熱力学計算の結果と傾向が一致していることがわかる。
また、ＳｉＣ基板１０を原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である空間（本体容器３０内）に配置して、ＳｉＣ基板１０にＳｉＣエピタキシャル層１１を成長させた結果（×印）は、ＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境におけるＳｉＣ基板成長の熱力学計算の結果と傾向が一致していることがわかる。
また、ＳｉＣ基板１０を原子数比Ｓｉ／Ｃが１以下である空間（本体容器３０内）に配置して、ＳｉＣ基板１０にＳｉＣエピタキシャル層１１を成長させた結果（×印）は、ＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境におけるＳｉＣ基板成長の熱力学計算の結果と傾向が一致していることがわかる。
【0158】
ＳｉＣ-Ｓｉ平衡蒸気圧環境下においては、１９６０℃の加熱温度で１．０μｍ／ｍｉｎ以上の成長速度を達成することが推定される。また、２０００℃以上の加熱温度で２．０μｍ／ｍｉｎ以上の成長速度を達成することが推定される。
一方、ＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境下においては、２０００℃の加熱温度で１．０μｍ／ｍｉｎ以上の成長速度を達成することが推定される。また、２０３０℃以上の加熱温度で２．０μｍ／ｍｉｎ以上の成長速度を達成することが推定される。
一方、ＳｉＣ-Ｃ平衡蒸気圧環境下においては、２０００℃の加熱温度で１．０μｍ／ｍｉｎ以上の成長速度を達成することが推定される。また、２０３０℃以上の加熱温度で２．０μｍ／ｍｉｎ以上の成長速度を達成することが推定される。
【0159】
また、本発明によれば、ＳｉＣエピタキシャル層の成長速度を１．０μ／ｍｉｎ以上に設定することができ、高速に耐圧層を成長させることができる。
【符号の説明】
【0160】
１０ ＳｉＣ基板
１１ ＳｉＣエピタキシャル層
２０ ＳｉＣ材料
３０ 本体容器
３１ 基板設置部
４０ 加熱炉
５０ 高融点容器
５４ Ｓｉ蒸気供給源
Ｓ１ 原料輸送空間
１１ ＳｉＣエピタキシャル層
２０ ＳｉＣ材料
３０ 本体容器
３１ 基板設置部
４０ 加熱炉
５０ 高融点容器
５４ Ｓｉ蒸気供給源
Ｓ１ 原料輸送空間
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】