特許 7557701出願番号 特願 2021-516243
ＳｉＣ基板の製造方法、その製造装置、及び、エピタキシャル成長方法
出願人 学校法人関西学院（識別番号 503092180）
2026年 特許公開件数ランキング 1236位 15件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 717位 25件（※）
出願人 豊田通商株式会社（識別番号 241485）
2026年 特許公開件数ランキング 25705位 10件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 21207位 9件（※）
公報発行日 2024年9月30
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7557701 ログイン済みの方はこのURLへ
［この特許公報を共有したい場合］あなたがログインしてこの特許公報を表示すれば、他の人はログインしなくてもこのURLで見ることができるようになります。
※ 共同出願を含む
知財ポータルサイト IP Force にログインすれば、この公報の全文を閲覧できます。 ログインはこちら ログイン・ユーザー登録
技術分野
ＳｉＣ基板の製造方法、その製造装置、及び、エピタキシャル成長方法
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかしながら、特許文献１に記載の発明では、結晶成長における原料であるＳｉＣ容器が成長プロセスを経る毎に消耗するため、経済性の観点において改善の余地がある。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
課題を解決するため、本発明は、相対する２つのＳｉＣ単結晶基板を加熱し、一方の前記ＳｉＣ単結晶基板から他方の前記ＳｉＣ単結晶基板に原料を輸送する。
これにより、相対するＳｉＣ単結晶基板表面を互いに結晶成長の原料とすることができるため、経済性に優れたＳｉＣ基板の製造方法を実現することができる。
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
開示した技術によれば、新規なＳｉＣ基板の製造方法及びその製造装置、及び、エピタキシャル成長方法を提供することができる。
他の課題、特徴及び利点は、図面及び特許請求の範囲とともに取り上げられる際に、以下に記載される発明を実施するための形態を読むことにより明らかになるであろう。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)
この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
本発明の一実施形態のＳｉＣ基板の製造方法の説明図である。
【図2】
本発明の一実施形態のＳｉＣ基板の製造方法の説明図である。
【図3】
本発明の一実施形態のＳｉＣ基板の製造方法の説明図である。
【図4】
本発明の一実施形態のＳｉＣ基板の製造装置の説明図である。
【図5】
本発明の一実施形態のＳｉＣ基板の製造装置の説明図である。
【図6】
参考例１におけるＳｉＣ基板におけるＢＰＤ数の評価に関する説明図。
【図7】
参考例２におけるＳｉＣ基板表面のＳＥＭ像である。
【図8】
参考例２におけるＳｉＣ基板表面のＳＥＭ像である。
【図9】
参考例３におけるＳｉＣ基板の成長速度と加熱温度との相関図である。
代表図 図1本件の代表的な図
Ｓ０ 原料輸送空間
１１、１２、Ｅ１０ ＳｉＣ単結晶基板
１１３、１２３ 主面
１１４、１２４ 裏面
１１１、１２１、Ｅ１１ 成長層
２０ 本体容器
２１、２２ 設置具
２３、４１ 上容器
２４、４２ 下容器
２５、４３ 間隙
２６ Ｓｉ蒸気供給源
３０ 加熱炉
４０ 高融点容器
４４ Ｓｉ蒸気供給材料
全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録
［広告欄］
ログインすれば広告は減ります
ログインすれば広告は減ります