特許7751782ＳｉＣ種結晶及びその製造方法、当該ＳｉＣ種結晶を成長させたＳｉＣインゴット及びその製造方法、並びに、当該ＳｉＣインゴットより製造されるＳｉＣウェハ、エピタキシャル膜付きＳｉＣウェハ及びこれらの製造方法

発明の名称　ＳｉＣ種結晶及びその製造方法、当該ＳｉＣ種結晶を成長させたＳｉＣインゴット及びその製造方法、並びに、当該ＳｉＣインゴットより製造されるＳｉＣウェハ、エピタキシャル膜付きＳｉＣウェハ及びこれらの製造方法

出願人　学校法人関西学院　（識別番号 503092180）

　　　　特許公開件数ランキング 1214 位（7件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 671 位（13件）（共同出願を含む）

出願人　豊田通商株式会社　（識別番号 241485）

　　　　特許公開件数ランキング 14682 位（7件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 12559 位（2件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7751782

公報発行日　2025年10月9

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7751782

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