特許7758908半導体基板の製造方法、半導体基板、及び、成長層を形成する方法

発明の名称　半導体基板の製造方法、半導体基板、及び、成長層を形成する方法

出願人　学校法人関西学院　（識別番号 503092180）

　　　　特許公開件数ランキング 1908 位（16件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 571 位（42件）（共同出願を含む）

出願人　豊田通商株式会社　（識別番号 241485）

　　　　特許公開件数ランキング 31345 位（11件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 9401 位（24件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7758908

公報発行日　2025年10月23

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7758908

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