特許7758910炭化ケイ素基板の製造方法、炭化ケイ素基板、及び、レーザー加工により炭化ケイ素基板に導入された歪層を除去する方法

発明の名称　炭化ケイ素基板の製造方法、炭化ケイ素基板、及び、レーザー加工により炭化ケイ素基板に導入された歪層を除去する方法

出願人　学校法人関西学院　（識別番号 503092180）

　　　　特許公開件数ランキング 1329 位（6件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 736 位（11件）（共同出願を含む）

出願人　豊田通商株式会社　（識別番号 241485）

　　　　特許公開件数ランキング 13975 位（7件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 11821 位（1件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7758910

公報発行日　2025年10月23

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7758910

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