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特許 7861955出願番号 特願 2023-505483
半導体ナノ粒子の製造方法、半導体ナノ粒子及び発光デバイス
出願人 国立大学法人名古屋大学（識別番号 504139662）
2026年 特許公開件数ランキング 238位 131件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 282位 121件（※）
出願人 国立大学法人大阪大学（識別番号 504176911）
2026年 特許公開件数ランキング 301位 168件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 262位 121件（※）
出願人 日亜化学工業株式会社（識別番号 226057）
2026年 特許公開件数ランキング 88位 217件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 124位 141件（※）
公報発行日 2026年5月19
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7861955 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
半導体ナノ粒子の製造方法、半導体ナノ粒子及び発光デバイス
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
国際公開第２０１８／１５９６９９号には、バンド端発光を示す半導体ナノ粒子を得るにあたり、ワンポット合成による効率的な製造方法が開示されているものの、得られた半導体ナノ粒子のバンド端発光純度において、更なる改善の余地があった。また国際公開第２０１９／１６００９４号及び国際公開第２０２０／１６２６２２号には、高いバンド端発光純度を示す半導体ナノ粒子が開示されているものの、効率的な製造方法という点では、更なる改善の余地があった。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
第一態様は、銀（Ａｇ）塩と、インジウム（Ｉｎ）塩と、ガリウム（Ｇａ）－硫黄（Ｓ）結合を有する化合物と、ガリウムハロゲン化物と、有機溶剤とを含む第１混合物を第１熱処理して第１半導体ナノ粒子を得ることを含む半導体ナノ粒子の製造方法である。
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本開示の一態様によれば、バンド端発光を示し、高いバンド端発光純度を示す半導体ナノ粒子の効率的な製造方法を提供することができる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
実施例１及び比較例１の半導体ナノ粒子の発光スペクトルの一例を示す図である。
【図2】
実施例２、３、４及び５の半導体ナノ粒子の発光スペクトルの一例を示す図である。
【図3】
実施例６、７、８及び９の半導体ナノ粒子の発光スペクトルの一例を示す図である。
【図4A】
実施例２の半導体ナノ粒子についてのエネルギー分散型Ｘ線分析による組成のライン分析の軌跡を示す透過電子顕微鏡画像の一例である。
【図4B】
実施例２の半導体ナノ粒子についてのエネルギー分散型Ｘ線分析による組成のライン分析結果の一例を示す図である。
代表図 図1本件の代表的な図
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