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特許 7872962出願番号 特願 2024-204609
半導体ナノ粒子およびその製造方法ならびに発光デバイス
出願人 国立大学法人名古屋大学（識別番号 504139662）
2026年 特許公開件数ランキング 238位 131件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 282位 121件（※）
出願人 国立大学法人大阪大学（識別番号 504176911）
2026年 特許公開件数ランキング 301位 168件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 262位 121件（※）
出願人 日亜化学工業株式会社（識別番号 226057）
2026年 特許公開件数ランキング 88位 217件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 124位 141件（※）
公報発行日 2026年6月11
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7872962 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
半導体ナノ粒子およびその製造方法ならびに発光デバイス
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかしながら、特許文献３および４に記載の半導体ナノ粒子は、発光ピーク波長を比較的長波長の領域に有している。従って本発明の一態様は、バンド端発光を示し、短波長の発光ピーク波長を有する半導体ナノ粒子を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
第一の態様は、Ａｇ、Ｉｎ、ＧａおよびＳを含み、ＩｎとＧａの原子数の合計に対するＧａの原子数の比が０．９５以下あり、光照射により５００ｎｍ以上５９０ｎｍ未満の範囲に発光ピーク波長を有し、発光ピークの半値幅が７０ｎｍ以下である光を発し、平均粒径が１０ｎｍ以下である半導体ナノ粒子である。
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一態様によれば、バンド端発光を示し、短波長の発光ピーク波長を有する半導体ナノ粒子を提供することができる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
半導体ナノ粒子の発光スペクトルを示す図である。
【図2】
半導体ナノ粒子の吸収スペクトルを示す図である。
【図3】
実施例４に係る半導体ナノ粒子のＸＲＤパターンである。
【図4】
半導体ナノ粒子の発光スペクトルを示す図である。
【図5】
半導体ナノ粒子の吸収スペクトルを示す図である。
【図6】
実施例１２から１６に係るコアシェル型半導体ナノ粒子の発光スペクトルを示す図である。
【図7】
実施例１７および１８に係るコアシェル型半導体ナノ粒子の発光スペクトルを示す図である。
【図8】
実施例１９のＴＯＰ修飾コアシェル型半導体ナノ粒子の発光スペクトルを示す図である。
代表図 図1本件の代表的な図
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