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特表2023-528964物体ホルダ、静電シートおよび静電シートを製造する方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-07-06
(54)【発明の名称】物体ホルダ、静電シートおよび静電シートを製造する方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/683 20060101AFI20230629BHJP
G03F 7/20 20060101ALI20230629BHJP
【ＦＩ】
H01L21/68 R
G03F7/20 501
G03F7/20 521
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2022575937
(86)(22)【出願日】2021-06-09
(85)【翻訳文提出日】2023-02-08
(86)【国際出願番号】 EP2021065418
(87)【国際公開番号】W WO2021250074
(87)【国際公開日】2021-12-16
(31)【優先権主張番号】20179524.2
(32)【優先日】2020-06-11
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】504151804
【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
(71)【出願人】
【識別番号】503195263
【氏名又は名称】エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ．
(74)【代理人】
【識別番号】100105924
【弁理士】
【氏名又は名称】森下 賢樹
(74)【代理人】
【識別番号】100134256
【弁理士】
【氏名又は名称】青木 武司
(72)【発明者】
【氏名】ファン デ フェン、バスチャン、ラムベルトゥス、ウィルヘルムス、マリヌス
(72)【発明者】
【氏名】ファン ベルケル、コウス
(72)【発明者】
【氏名】ファン デ ケルクホフ、マルクス、アドリアヌス
(72)【発明者】
【氏名】ハーメリンク、ロジャー、フランシスカス、マテウス、マリア
(72)【発明者】
【氏名】シェルヴィン、シャハブ
(72)【発明者】
【氏名】ヘルシューレン、マリヌス、アウグスティヌス、クリスティアーン
(72)【発明者】
【氏名】エンゲレン、ヨハネス、ベルナルデュス、チャールズ
(72)【発明者】
【氏名】クリュイツィンガ、マティアス
(72)【発明者】
【氏名】ウィッテルディユク、タムモ
(72)【発明者】
【氏名】ガラクチオノフ、オレクシー、セルギヨビッチ
(72)【発明者】
【氏名】ヤンセン、キエルド、ヘルトゥルディス、ヘンドリクス
(72)【発明者】
【氏名】ペイネンブルグ、ヨハネス、アドリアヌス、コーネリス、マリア
(72)【発明者】
【氏名】ファン デルフト、ピーター
【テーマコード（参考）】
2H197
5F131
【Ｆターム（参考）】
2H197CA10
2H197CD02
2H197CD03
2H197CD05
2H197DC03
2H197DC14
2H197GA04
2H197GA05
2H197GA06
2H197GA18
2H197HA03
2H197HA04
2H197HA05
2H197HA10
5F131AA02
5F131AA03
5F131AA32
5F131AA33
5F131BA13
5F131CA02
5F131CA03
5F131EA02
5F131EA13
5F131EA22
5F131EB11
5F131EB54
5F131EB81
5F131EB82
5F131EB84
5F131FA17
(57)【要約】
【解決手段】物体を支持するよう構成される物体ホルダである。物体ホルダは、物体を支持するための支持面内に遠位端を有する複数のバールを備える芯体と、バールの間にある静電シートであって、誘電体層の間に挟まれる電極を備える静電シートと、物体と芯体の間の空間から逃げるガスの流出を低減するための円周バリアと、を備える。
【選択図】図３ａ
【選択図】図３ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
物体を支持するよう構成される物体ホルダであって、前記物体ホルダは、前記物体を支持するための支持面内に遠位端を有する複数のバールを備える芯体と、
前記バールの間にある静電シートであって、誘電体層の間に挟まれる電極を備える静電シートと、
前記静電シートと前記芯体との間の空間から逃げるガスの流出を低減するための円周バリアと、を備える物体ホルダ。
【請求項2】
前記円周バリアは、前記静電シートと前記芯体との間に位置する、請求項１に記載の物体ホルダ。
【請求項3】
前記円周バリアは、前記静電シートによって形成される、請求項１または２に記載の物体ホルダ。
【請求項4】
前記誘電体層の一つに設けられ、前記電極が電源に接続できるようにするためのギャップをさらに備え、前記ギャップは、前記円周バリアの径方向外側にある、請求項２または３に記載の物体ホルダ。
【請求項5】
前記静電シートは、前記バールの径方向外側に設けられ、ガスが前記静電シートを貫通して流れることができるように構成される少なくとも一つのガスベントをさらに備える、請求項１から４のいずれか一項に記載の物体ホルダ。
【請求項6】
前記ガスベントは、前記物体のエッジの径方向内側にある径方向内側エッジを有する、請求項５に記載の物体ホルダ。
【請求項7】
前記円周バリアは、前記芯体によって形成され、前記電極は、前記円周バリアを貫通し、前記電極が電源に接続できるようにするための端子を形成する、請求項１に記載の物体ホルダ。
【請求項8】
前記静電シートは、接合材料によって前記芯体に接合され、前記バールの間にある前記芯体の物体対向面は、
前記接合材料が設けられる上段部と、
前記上段部に隣接し、前記静電シートの下面よりも鉛直下方にある下段部と、を備える、請求項１から７のいずれか一項に記載の物体ホルダ。
【請求項9】
前記芯体の前記物体対向面は、前記バールを取り囲む隆起段部を備え、前記隆起段部は、前記下段部に対して隆起する、請求項８に記載の物体ホルダ。
【請求項10】
電気絶縁接合層が誘電体層の間に挟まれており、または／および、前記物体ホルダは、前記物体ホルダの複数の場所の温度を検出するための複数の温度センサを備える、請求項１から９のいずれか一項に記載の物体ホルダ。
【請求項11】
前記接合層は、ベンゾシクロブテンまたは半田を備える、請求項１０に記載の物体ホルダ。
【請求項12】
前記接合層は、前記電極を電気的に絶縁するように、前記電極の平面内で前記電極を取り囲む、請求項１０から１１のいずれか一項に記載の物体ホルダ。
【請求項13】
物体を支持するよう構成される物体ホルダのための静電シートであって、前記静電シートは、前記物体を支持するための芯体のバールを収容するための穴と、
誘電体層と、
前記誘電体層の間に挟まれる電極と、を備え、
前記静電シートは、前記静電シートと前記芯体との間の空間から逃げるガスの流出を低減するための円周バリアをさらに備える、静電シート。
【請求項14】
物体を支持するよう構成される物体ホルダのための静電シートを製造する方法であって、前記方法は、誘電体層に電極を付与することと、
前記電極が誘電体層の間に挟まれるように、前記誘電体層を別の誘電体層に接合することと、を備え、
前記静電シートは、前記静電シートと前記物体との間の空間から逃げるガスの流出を低減するための円周バリアを備える、方法。
【請求項15】
前記物体ホルダの芯体のバールを収容するための穴の所望の位置に基づいて、前記誘電体層を互いに接合する前に、前記誘電体層に選択的に照射することと、前記選択的な照射に基づいて、前記誘電体層を互いに接合した後に、前記穴を形成するために材料を除去することと、を備え、
前記材料を除去するステップは、前記誘電体層の照射された部分を選択的にエッチングすることを備える、請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
［関連出願へのクロスリファレンス］
本出願は、２０２０年６月１１日に出願された欧州出願第２０１７９５２４．２号の優先権の利益を主張し、その全体が参照により本書に組み込まれる。
本出願は、２０２０年６月１１日に出願された欧州出願第２０１７９５２４．２号の優先権の利益を主張し、その全体が参照により本書に組み込まれる。
【0002】
［技術分野］
本発明は、リソグラフィ装置に用いるための物体ホルダに関連する。より具体的には、物体ホルダは、物体ホルダをテーブルにクランプするために、および／または、物体を物体ホルダにクランプするために配置される静電クランプを備える。本発明は、静電シートおよび静電シートを製造する方法にさらに関連する。
本発明は、リソグラフィ装置に用いるための物体ホルダに関連する。より具体的には、物体ホルダは、物体ホルダをテーブルにクランプするために、および／または、物体を物体ホルダにクランプするために配置される静電クランプを備える。本発明は、静電シートおよび静電シートを製造する方法にさらに関連する。
【背景技術】
【0003】
リソグラフィ装置は、基板上に所望のパターンを付与するように構成される機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用できる。リソグラフィ装置は、例えば、基板上に設けられた放射線感応材料（レジスト）の層上に、パターニングデバイス（例えば、マスクまたはレチクル）でのパターンを投影しうる。
【0004】
基板上にパターンを投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を使用しうる。この放射の波長は、基板上に形成できるフィーチャの最小サイズを決定する。４～２０ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍまたは１３．５ｎｍの波長を有する極紫外（ＥＵＶ）放射を使用するリソグラフィ装置は、例えば、１９３ｎｍの波長の放射を使用するリソグラフィ装置よりも小さなフィーチャを基板上に形成するために使用しうる。
【0005】
従来のリソグラフィ装置において、露光される基板は、基板テーブル（ミラーブロックまたはステージ、つまり、基板ホルダを支持し、基板ホルダを取り囲む上面を提供するテーブルといった物体）によって支持される基板ホルダ（つまり、基板を直接支持する物体）によって支持されうる。基板ホルダは、多くの場合、サイズおよび形状が基板に対応する平坦で堅固なディスクである（ただし、異なるサイズまたは形状を有してもよい）。それは、バールまたはピンプルと呼ばれ、少なくとも一面から突出する突起の配列を有する。基板ホルダは、二つの対向面上に突起のアレイを有してもよい。この場合、基板ホルダが基板テーブル上に配置されると、基板ホルダの一面上のバールの端部が基板テーブルの表面上にある間、基板ホルダの本体は、基板テーブルの上方に小さな距離で保持される。同様に、基板が基板ホルダの反対の面上のバールの頂部にあるとき、基板は基板ホルダの本体から離間している。この目的は、基板テーブルまたは基板ホルダのいずれかに存在しうる粒子（つまり、ダスト粒子などの汚染粒子) が基板ホルダまたは基板を歪ませることを防止するのに役立つことである。バールの総表面積は、基板または基板ホルダの総面積のほんの小さな部分であるため、いかなる粒子もバールの間にある可能性が非常に高く、その存在が何ら影響を及ぼさない可能性が非常に高い。多くの場合、基板ホルダおよび基板は、基板テーブルの凹部内に収容されるため、基板の上面が基板テーブルの上面と実質的に同一平面上にある。
【0006】
高スループットリソグラフィ装置の使用時に基板が経験する高加速度のために、基板を基板ホルダのバールに単に載せることを可能にするだけでは十分ではない。それは所定位置にクランプされる。基板を所定位置にクランプする二つの方法、すなわち真空クランプおよび静電クランプが知られている。真空クランプでは、基板ホルダと基板との間、およびオプションとして基板テーブルと基板ホルダとの間の空間が部分的に排気され、基板はその上の高圧の気体または液体によって所定位置に保持される。しかしながら、真空クランプは、ビーム経路および／または基板または基板ホルダ付近の環境が低い圧力または非常に低い圧力に保たれている場合、例えば、極紫外（ＥＵＶ）放射リソグラフィには使用できない。この場合、基板 (または基板ホルダ) のクランプに十分となる程度に大きな圧力差を基板全体にわたって発生させることができない可能性がある。したがって、静電クランプが使用されうる。静電クランプでは、基板またはその下面にメッキされた電極と、基板テーブルおよび／または基板ホルダの上または中に設けられる電極との間に電位差が確立される。二つの電極は大きなコンデンサとして動作し、合理的な電位差で実質的なクランプ力を生成できる。静電配置は、基板テーブル上の一つと、基板上の一つとである単一ペアの電極が基板テーブル、基板ホルダおよび基板の積層体全体を一緒にクランプするようにできる。既知の配置では、基板ホルダが基板テーブルにクランプされ、基板が基板ホルダに別個にクランプされるように、一以上の電極が基板ホルダの上または中に設けられてもよい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
基板ホルダを基板テーブルに、および／または基板を基板ホルダにクランプするための一以上の静電クランプを備える基板ホルダを改善する必要がある。より一般的には、物体ホルダをテーブルに保持し、および／または物体ホルダに対して物体を保持するための一以上の静電クランプを備える、パターニングデバイスホルダといった物体ホルダを改善する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の第１の態様によれば、物体を支持するよう構成される物体ホルダが提供される。この物体ホルダは、物体を支持するための支持面内に遠位端を有する複数のバールを備える芯体と；バールの間にある静電シートであって、誘電体層の間に挟まれる電極を備える静電シートと；静電シートと芯体との間の空間から逃げるガスの流出を低減するための円周バリアとを備える。
【0009】
本発明の第２の態様によれば、物体を支持するよう構成される物体ホルダのための静電シートが提供される。この静電シートは、物体を支持するための芯体のバールを収容するための穴と；誘電体層と；誘電体層の間に挟まれる電極とを備え；静電シートは、静電シートと芯体との間の空間から逃げるガスの流出を低減するための円周バリアをさらに備える。
【0010】
本発明の第３の態様によれば、物体を支持するよう構成される物体ホルダのための静電シートを製造する方法が提供される。この方法は、誘電体層に電極を付与することと； 電極が誘電体層の間に挟まれるように、誘電体層を別の誘電体層に接合することとを備え；静電シートは、静電シートと物体との間の空間から逃げるガスの流出を低減するための円周バリアを備える。
【図面の簡単な説明】
【0011】
本発明の実施の形態は、単なる例示として、添付の概略的な図面を参照しながら、以下に説明されるであろう。
【0012】
【図1】リソグラフィ装置および放射源を備えるリソグラフィシステムを示す図である。
【0013】
【図2】本発明のある実施形態に係る物体ホルダを示す断面図である。
【0014】
【0015】
【図4】本発明のある実施形態に係る物体ホルダの部分を示す拡大図である。
【0016】
【0017】
【図7】本発明のある実施形態に係る物体ホルダの断面を示す平面図である。
【0018】
【0019】
【図9】本発明のある実施形態に係る物体ホルダの部分を示す拡大図である。
【0020】
【図10】本発明のある実施形態に係る物体ホルダを製造する方法の部分の異なる段階を示す図である。
【図11】本発明のある実施形態に係る物体ホルダを製造する方法の部分の異なる段階を示す図である。
【図12】本発明のある実施形態に係る物体ホルダを製造する方法の部分の異なる段階を示す図である。
【0021】
【図13】本発明のある実施形態に係る物体ホルダの部分を示す拡大図である。
【0022】
【図14】本発明のある実施形態に係る物体ホルダの部分を示す拡大図である。
【0023】
【図15】本発明のある実施形態に係る物体ホルダの部分を示す拡大図である。
【0024】
【図16】本発明のある実施形態に係る物体ホルダの部分を示す平面図である。
【0025】
【図17】本発明のある実施形態に係る静電シートを示す断面図である。
【0026】
【0027】
【図20】本発明のある実施形態に係る静電シートを製造する方法の異なる段階を概略的に示す図である。
【図21】本発明のある実施形態に係る静電シートを製造する方法の異なる段階を概略的に示す図である。
【図22】本発明のある実施形態に係る静電シートを製造する方法の異なる段階を概略的に示す図である。
【図23】本発明のある実施形態に係る静電シートを製造する方法の異なる段階を概略的に示す図である。
【図24】本発明のある実施形態に係る静電シートを製造する方法の異なる段階を概略的に示す図である。
【図25】本発明のある実施形態に係る静電シートを製造する方法の異なる段階を概略的に示す図である。
【0028】
【図26】本発明に係る物体ホルダのある実施形態を示す断面図である。
【0029】
【0030】
【図28a】本発明のある実施形態に係る物体ホルダを製造する方法の異なる段階を概略的に示す図である。
【図28b】本発明のある実施形態に係る物体ホルダを製造する方法の異なる段階を概略的に示す図である。
【図28c】本発明のある実施形態に係る物体ホルダを製造する方法の異なる段階を概略的に示す図である。
【図28d】本発明のある実施形態に係る物体ホルダを製造する方法の異なる段階を概略的に示す図である。
【図28e】本発明のある実施形態に係る物体ホルダを製造する方法の異なる段階を概略的に示す図である。
【図28f】本発明のある実施形態に係る物体ホルダを製造する方法の異なる段階を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0031】
本発明は、様々な変形および代替的な形態を受け入れる余地があるが、それらの特定の実施形態が図面に例示され、本明細書において詳細に説明されうる。図面は縮尺どおりではないかもしれない。しかしながら、図面および詳細な説明は、本発明を開示された特定の形態に限定することを意図するものではなく、逆に、添付の請求項によって定義される本発明の精神および範囲に含まれる全ての変形、均等物および代替物を網羅することを意図していることを理解されたい。
【0032】
図１は、放射源ＳＯおよびリソグラフィ装置ＬＡを備えるリソグラフィシステムを示す。放射源ＳＯは、ＥＵＶ放射ビームＢを生成し、ＥＵＶ放射ビームＢをリソグラフィ装置ＬＡに供給するように構成される。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬと、パターニングデバイスＭＡ（例えば、マスクまたはレチクル）を支持するように構成される支持構造ＭＴと、投影システムＰＳと、基板Ｗを支持するように構成される基板テーブルＷＴとを備える。
【0033】
照明システムＩＬは、ＥＵＶ放射ビームＢがパターニングデバイスＭＡに入射する前に、ＥＵＶ放射ビームＢを調整するように構成される。それに、照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１を含んでもよい。ファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１はともに、ＥＵＶ放射ビームＢに所望の断面形状および所望の強度分布を提供する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて、または代わりに、他のミラーまたは他のデバイスを含んでもよい。
【0034】
このように調整された後、ＥＵＶ放射ビームＢは、パターニングデバイスＭＡと相互作用する。この相互作用の結果として、パターン化されたＥＵＶ放射ビームＢ’が生成される。投影システムＰＳは、パターン化されたＥＵＶ放射ビームＢ’を基板Ｗ上に投影するように構成される。その目的のために、投影システムＰＳは、パターン化されたＥＵＶ放射ビームＢ’を基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上に投影するように構成される複数のミラー１３、１４を備えてもよい。投影システムＰＳは、パターン化されたＥＵＶ放射ビームＢ’に縮小係数を適用することによって、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さなフィーチャを有する像を形成してもよい。例えば、４倍または８倍の縮小係数が適用されてもよい。投影システムＰＳは、図１において２個のミラー１３、１４のみを有するように示されているが、投影システムＰＳは、異なる数のミラー（例えば６個または８個のミラー）を含んでもよい。
【0035】
基板Ｗは、以前に形成されたパターンを含んでもよい。この場合、リソグラフィ装置ＬＡは、パターン化されたＥＵＶ放射ビームＢ’によって形成される像を、基板Ｗ上に以前に形成されたパターンに位置合わせする。
【0036】
相対的真空、つまり、大気圧よりも十分に低い圧力の少量のガス (たとえば水素)は、放射源ＳＯ、照明システムＩＬ、および／または投影システムＰＳ内に提供されてもよい。
【0037】
放射源ＳＯは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源、自由電子レーザ（ＦＥＬ）、またはＥＵＶ放射を生成可能な任意の他の放射源であってもよい。
【0038】
図２は、本発明のある実施形態に係る物体ホルダ２０の断面図である。物体ホルダ２０は、物体を支持するように構成される。以下の説明において、本発明は、物体ホルダが基板Ｗを支持するように構成される基板ホルダ２０であるという文脈で説明される。しかしながら、物体ホルダは、そのような基板ホルダ２０に限定されない。例えば、物体ホルダは、パターニングデバイスＭＡを支持するように構成されてもよい。
【0039】
ある実施形態において、基板テーブルＷＴは、基板ホルダ２０および基板ステージを備える。基板ステージは、基板ホルダ２０がその中に保持される凹部を備える。基板ホルダ２０は、基板テーブルＷＴの基板ステージに対して基板Ｗを保持するように構成される。
【0040】
図２に示されるように、ある実施形態において、基板ホルダ２０は芯体２１を備える。芯体２１は板状のディスクである。図２に示されるように、ある実施形態において、芯体２１は複数のバール２２を備える。バール２２は、芯体２１の表面で突出する突起である。図２に示されるように、ある実施形態において、バール２２は遠位端２３を有する。芯体２１は、遠位端２３が基板Ｗを支持するための支持面２４内にあるように構成される。基板Ｗの下面は、バール２２の遠位端２３と接触するようになる。基板Ｗの下面の位置は、支持面２４に対応する。バール２２は、基板Ｗが基板ホルダ２０上でほぼ平らになるように配置される。
【0041】
バール２２は、図２において縮尺どおりに示されていない。実際的な実施形態では、例えば２００ｍｍ、３００ｍｍ、または４５０ｍｍの直径の基板ホルダ２０の全体にわたって分布する数百、数千、または数万のバールが存在できる。バール２２の先端は、例えば１ｍｍ２の小さな面積を有するため、基板ホルダ２０の一面上のバール２２のすべての総面積は、基板ホルダ２０の総表面積の総面積の約１０％未満である。バール２２が配置されるため、基板Ｗ、基板ホルダ２０または基板テーブルＷＴの表面に存在しうる粒子はいずれもバール２２の間に落下し、したがって基板Ｗまたは基板ホルダ２０の変形を生じさせない可能性が高い。パターンを形成しうるバール配置は、規則的であってもよいし、基板Ｗおよび基板テーブルＷＴに適切な力分布を提供するために必要に応じて変化してもよい。バール２２は、平面視において任意の形状を有することができるが、一般に平面視において円形である。バール２２は、その高さの全体にわたって同じ形状および寸法を有することができるが、一般的にはテーパー状である。バール２２は、約１μｍから約５ｍｍ、望ましくは約５μｍから約２５０μｍ、望ましくは約１０μｍの距離で、基板ホルダ２０の物体対向面の残りの部分（つまり、静電シート２５の上面）の上方に突出できる。したがって、バール２２の遠位端２３と静電シート２５の上面との間の鉛直距離は、約１μｍから約５ｍｍ、望ましくは約５μｍから約２５０μｍ、望ましくは約１０μｍである。基板ホルダ２０の芯体２１の厚さは、約１ｍｍから約５０ｍｍの範囲、望ましくは約５ｍｍから２０ｍｍの範囲、典型的には１０ｍｍであることができる。
【0042】
芯体２１は、硬質材料で作られてもよい。材料は、高い熱伝導率を有し、保持される物体の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有することが望ましい。 望ましくは、材料は導電性である。 望ましくは、材料は高い硬度を有する。 適切な材料は、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、ＳｉＳｉＣ（ケイ素化炭化ケイ素）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）、石英、および／またはＺｅｒｏｄｕｒ（登録商標）ガラスセラミックといった様々な他のセラミックおよびガラスセラミックを含む。芯体２１は、突出するバール２２を残すようにして、関連する材料の固体ディスクから材料を選択的に除去することによって製造できる。材料を除去する適切な技術は、放電加工（ＥＤＭ）、エッチング、機械加工、および／またはレーザアブレーションを含む。芯体２１は、マスクを通じてバール２２を成長させることによっても製造できる。バール２２は、基体と同じ材料であってもよく、物理蒸着プロセスまたはスパッタリングによって成長させることができる。ある実施形態において、芯体２１は、一以上の内部チャネル（図示せず）を備える。ある実施形態において、芯体２１は、一緒に接合された複数の層を備える。ある実施形態において、複数の層は異なる材料で形成される。単なる一例として、ある実施形態において、芯体２１は、ＳｉＳｉＣの層、ガラスの層、およびＳｉＳｉＣの別の層をこの順序で備える。複数の層の他の組み合わせも可能である。
【0043】
図２に示されるように、ある実施形態において、基板ホルダ２０は、静電クランプのための一以上の電極２６を備える。電位差は、基板Ｗと基板ホルダ２０との間、および／または基板ホルダ２０と基板テーブルＷＴの基板ステージとの間に静電クランプ力を提供するために生成されてもよい。ある実施形態において、電極２６は、誘電体層（電気絶縁層としても知られる）２７、２８の間に封入される。生成される電位差は、１０ボルト程度から５，０００ボルト程度であってよい。基板の温度を局所的に制御するための一以上のヒータおよび温度センサを用いる構成は、米国公報第２０１１－０２２２０３３に記載されており、その全体は参照により本書に組み込まれ、その技術は本書の技術に適用されてもよい。
【0044】
図２に示されるように、ある実施形態において、基板ホルダ２０は静電シート２５を備える。静電シート２５は、一以上の電極２６を備える。電極２６を目的として、ある実施形態において、連続する金属膜の二つの半分（ただし、バール２２の遠位端２３から分離される）は、互いにある分離距離だけ離れて堆積され、静電クランプの正および負の要素を形成しうる。分離距離は特に限定されない。ある実施形態において、分離距離は、少なくとも約２０μｍ、オプションとして少なくとも約５０μｍ、オプションとして少なくとも約１００μｍ、オプションとして少なくとも約２００μｍ、オプションとして少なくとも約５００μｍである。ある実施形態において、分離距離は、最大で約２ｍｍ、オプションとして最大で約１ｍｍ、オプションとして最大で約５００μｍである。ある実施形態において、分離距離は約５００μｍである。したがって、二つの電極２６が存在しうる。しかしながら、静電シート２５の電極２６の個数は特に限定されず、１個であってもよいし、３個以上であってもよい。電極２６の金属線は、約２０ｎｍより大きな層厚、望ましくは約４０ｎｍより大きな層厚を有してもよい。金属線は、約１μｍ以下、望ましくは約５００ｎｍ未満、望ましくは約２００ｎｍ未満の層厚を有することが望ましい。
【0045】
上部静電シート２５の電極２６は、基板Ｗを基板ホルダ２０に静電的にクランプするように構成されてもよい。下部静電シート２５の電極２６は、基板ホルダ２０を基板テーブルＷＴの残りの部分に静電的にクランプするように構成されてもよい。
【0046】
ある実施形態において、芯体２１およびバール２２の材料は導電性である。例えば、ある実施形態において、バール２２の材料はＳｉＳｉＣである。しかしながら、芯体２１およびバール２２の材料が導電性であることは必須ではない。ある実施形態において、二以上のバール２２（オプションとして全てのバール２２）の遠位端２３をグランドまた共通電位に電気的に接続する接地層が設けられてもよい。接地層は、導電性材料からなる比較的厚い層を堆積させることによって形成されてもよい。導電性材料は特に限定されない。ある実施形態において、導電性材料はＣｒである。ある別の実施形態において、導電性材料はＣｒＮである。ある実施形態において、その後、堆積層をパターニングして接地層を形成する。パターンは、バール２２の遠位端２３を一緒に接続する一連の金属線を備えてもよい。そのようなパターンは、「マンハッタン」パターンと呼ばれることがある。ある別の実施形態において、堆積層はパターニングされない。ある実施形態において、接地層または別の層は、芯体２１および／またはバール２２の表面を覆うように配置される。接地層または他の層は、表面を滑らかにして、表面の洗浄をより容易にするのを助けることができる。
【0047】
図２に示されるように、ある実施形態において、静電シート２５は、誘電体層２７、２８の間に挟まれる電極２６を備える。図２に示されるように、ある実施形態において、バール２２および静電シート２５は、基板の両方の主面上に提供される。ある別の実施形態において、バール２２および静電シート２５は、基板ホルダ２０の二つの主面の一方のみに設けられる。図２に示されるように、ある実施形態において、静電シート２５はバール２２の間にある。例えば、図２に示されるように、静電シート２５に穴３４が設けられる。穴３４は、その位置が芯体２１のバール２２に対応するように配置される。バール２２は、誘電体層２７、２８の間に挟まれる電極２６がバール２２の間の領域に設けられるようにして、静電シート２５の各穴３４を通って突出する。
【0048】
図２に示されるように、ある実施形態において、基板ホルダ２０は接合材料２９を備える。ある実施形態において、接合材料は、少なくとも１００ｎｍ、例えば約５０μｍの厚さを有する。接合材料２９は、芯体２１に対して静電シート２５の位置が動かないように固定する。接合材料２９は、静電シート２５の穴３４がバール２２と位置合わせされた状態を維持する。ある実施形態において、バール２２は、静電シート２５の各穴３４の中央に位置決めされる。
【0049】
図２に示されるように、ある実施形態において、接合材料２９は、互いに接続しない別個の部分で形成される。 接合材料２９の異なる部分の厚さにはいくらかの変動があってもよい。ある実施形態において、接合材料２９の別個の部分は、互いに実質的に同じ厚さを有する。
【0050】
図３ａは、本発明のある実施形態に係る基板ホルダ２０の断面図である。説明を簡潔にするため、図２に示される構成と共通する図３ａに示される特徴は、以下では説明されない。代わりに、以下の説明では、図２に示されずに図３ａに示される特徴に焦点が当てられる。
【0051】
図３ａに示されるように、ある実施形態において、基板ホルダ２０は熱調節器を備える。熱調節器は、芯体２１および／または静電シート２５および／または基板Ｗを熱的に調節するように構成される。熱調節器は、例えば露光プロセス中に基板Ｗの温度を制御するために使用することができる。図３ａに示されるように、ある実施形態において、熱調節器は、熱調節流体が流れる回路３０を備える。熱調整流体は、気体または液体（例えば、水）であってもよい。ある実施形態において、回路３０は、互いに接続される一以上のチャネルを備える。図６に示されるように、ある実施形態において、回路３０のチャネルは芯体２１内に設けられる。ある実施形態において、熱調節器は、熱調節機能を制御するように制御されるヒータおよびセンサを備える。
【0052】
図３ａに示されるように、ある実施形態において、芯体２１は二つの部品で製造され、その後に接合部３１で互いに取り付けられる。回路３０のチャネルは、芯体２１の二つの部品の一方に形成されることができる。回路３０は、芯体２１の他方の部品によって取り囲まれている。芯体を二つの部品で製造することは、芯体２１の製造を容易にする。
【0053】
図３ａに示されるように、ある実施形態において、バール２２の遠位端２３にコーティングが設けられる。ある実施形態において、遠位端２３のコーティングは、腐食および摩耗に抵抗し、基板Ｗに対する望ましい摩擦係数を提供するように構成される。ある実施形態において、コーティングは窒化クロムを備える。ある実施形態において、コーティングはダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を備える。ある実施形態において、コーティングは、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）の層上にある窒化クロムの層を備える。バール２２の遠位端２３のコーティングとして他の材料を使用することもできる。
【0054】
図３ａに示されるように、ある実施形態において、基板ホルダ２０は複数の温度センサ２２２を備える。温度センサ２２２は、基板ホルダ２０内の温度分布を測定しうる。ＥＵＶ光はウェハを加熱し、基板ホルダ２０も加熱しうるため、ウェハと基板ホルダ２０の両方が変形し、オーバレイエラーが生じる。基板ホルダ２０の全体にわたる（３Ｄ）温度分布を知ることにより、オーバレイエラーが低減されうるように露光パラメータが変更されてもよい。温度センサ２２２は、芯体２１または／および静電シート２５に配置されてもよい。温度センサ２２２は、負温度係数センサ（１ｍｍ程度の長さ）であってもよい。温度センサ２２２は、基板ホルダ２０内に空間的に分布してもよい。温度センサ２２２は、回路３０よりも基板ホルダ２０の物体対向面の近くに配置されてもよい。温度センサ２２２は、基板ホルダ２０に対して径方向または軸方向に配置されてもよい。
【0055】
図３ａに示されるように、ある実施形態において、温度センサ２２２は、径方向開口部を有する穴２２０に配置される。穴２２０は、芯体２１の外縁において回路３０と静電シート２５との間に位置する。配線２２４は、温度センサ２２２に接続される。
【0056】
図３ｂは、本発明のある実施形態に係る基板ホルダ２０の断面図である。説明を簡潔にするために、図３ａに示される構成に共通する図３ｂに示される特徴は、以下では説明されない。代わりに、以下の説明では、図３ａには示されないが図３ｂに示される特徴に焦点が当てられる。図３ｂに示されるように、温度センサ２２２は、軸方向開口部を有する穴２２６に配置される。 穴２２６は、回路３０と静電シート２５との間に配置される。配線２２４は、温度センサ２２２に接続される。図３ａのセンサ構成と比較すると、図３ｂのセンサ構成は、温度センサ２２２がより広い領域に配置されうるため、より高い自由度を有する。
【0057】
図４は、本発明のある実施形態に係る基板ホルダ２０の部分の拡大図である。図４に示されるように、ある実施形態において、芯体２１は、少なくとも一つのガス供給通路３８を備える。ガス供給通路３８は、芯体２１と静電シート２５との間の鉛直ギャップ４０を介して、少なくとも一つのバール２２の径方向外側表面４１と静電シート２５との間の径方向ギャップ３９にガスを供給するように構成される。図８において、両端矢印はガスの流れを表す。
【0058】
上述した図３ａに示されるように、ある実施形態において、基板ホルダ２０は、基板Ｗを熱的に調整するように構成される熱調整器を備える。ガス供給通路３８を設けることによって、基板Ｗと基板ホルダ２０との間の熱伝達が増えるように、基板Ｗと基板ホルダ２０との間にガスを供給することができる。これは、基板Ｗの温度の制御に役立つ。図４に示されるように、ガスは、静電シート２５の直下のガス供給通路３８を通じて供給される。ガス供給通路３８は、静電シート２５の直下の芯体２１の物体対向面３７の開口部で終端する。ガスは、芯体２１と静電シート２５との間の鉛直ギャップ４０内を流れ、径方向ギャップ３９に到達する。その後、ガスは、基板Ｗと静電シート２５の上面との間のギャップを満たし、これにより、基板Ｗと基板ホルダ２０との間の熱伝導を向上させる。
【0059】
図５は、本発明のある実施形態に係る基板ホルダ２０の部分の断面図である。図５に示されるように、ある実施形態において、基板ホルダ２０は円周バリア８１、８２を備える。円周バリア８１、８２は、静電シート２５と芯体２１との間の空間から逃げる流体の流出を低減するためのものである。上述したように、ガスは静電シート２５の下に供給されてもよい。ガスは、静電シート２５の下を基板Ｗに向かって流れることができ、基板Ｗと静電シート２５との間のギャップに存在できる。円周バリア８１、８２は、芯体２１と基板Ｗとの間の熱伝導を向上させるガスの体積を密閉するように構成される。円周バリア８１、８２は、基板Ｗと基板ホルダ２０との間の流体の圧力の維持を助けるように構成される。円周バリア８１、８２は、基板Ｗを基板ホルダ２０上に制御して下降させるためのピンが貫通する基板ホルダ２０の穴の径方向外側にある。ある実施形態において、円周バリア８１、８２は、基板ホルダ２０上の基板Ｗのエッジの径方向内側にある。本発明のある実施形態は、基板Ｗと基板ホルダ２０との間の熱伝導の均一性を改善することが期待される。本発明のある実施形態は、露光プロセス中の基板Ｗの温度制御の精度を改善することが期待される。
【0060】
円周バリア８１、８２は、円周ガスフロー狭窄部を形成する。ある実施形態において、円周バリア８１、８２は、基板Ｗと基板ホルダ２０との間のガスの体積を完全に密閉しない。ある実施形態において、円周バリア８１、８２は、基板Ｗと芯体２１との間の空間からの流体（例えば水素などのガス）の漏れを許容するように構成される。円周バリア８１、８２を通じた流体のいくらかの漏れを許容することによって、基板Ｗの下のガス圧力がより急速に減少できる。これは、基板Ｗを基板ホルダ２０からより迅速にクランプ解除することを可能にする。これは、基板Ｗを別の基板とより迅速に交換することを可能にする。本発明のある実施形態は、スループットを改善することが期待される。
【0061】
図５に示されるように、ある実施形態において、円周バリア８２は、静電シート２５と芯体２１との間に位置する。ある実施形態において、静電シート２５と芯体２１との間の円周バリア８２は、接着材料などの接合材料によって形成される。例えば、ある実施形態において、円周バリア８２を形成するために使用される材料は、静電シート２５を芯体２１に取り付けるために使用される接合材料２９と同じである。円周バリア８２は、静電シート２５と芯体２１との間の接続の維持に役立つ。本発明のある実施形態は、基板ホルダ２０をより堅固にすることが期待される。
【0062】
ある実施形態において、静電シート２５と芯体２１との間の円周バリア８２は、円周の全体にわたって延在する。ある実施形態において、静電シート２５と芯体２１との間の円周バリア８２は、静電シート２５と芯体２１との間の完全な鉛直ギャップを延在させる。ある実施形態において、静電シート２５と芯体２１との間の円周バリア８２は、 実質的にガスが通過できないようにする。ある別の実施形態において、静電シート２５と芯体２１との間の円周バリア８２は、いくらかのガスが通って漏れることを許容するように構成される。ある実施形態において、ガスは、基板Ｗの下面と静電シート２５の上面との間のギャップを通じて漏れ出ることが許容される。
【0063】
図５に示されるように、ある実施形態において、静電シート２５の上側に円周バリア８１が設けられる。図５に示すように、ある実施形態において、円周バリア８１は、静電シート２５によって形成される。円周バリア８１は、 静電シート２５の一部として一体的に形成されてもよい。例えば、ある実施形態において、円周バリア８１は、静電シート２５の上部誘電体層２８の一体部分として形成される。円周バリア８１は、円周のまわり全体に延びるように構成される。図５に示されるように、ある実施形態において、円周バリア８１は、バール２２が突出する高さよりも低い高さまで基板Ｗに向かって突出するように構成される。図５に示されるように、ある実施形態において、円周バリア８１は、基板Ｗの下面と円周バリア８１の頂部８４との間にギャップが存在するように配置される。ガスは、円周バリア８１の頂部８４の上方の小さなギャップを通って漏れ出ることができる。小さなギャップを設けることによって、円周バリア８１は基板Ｗに直接接触しない。円周バリア８１は、基板Ｗの平坦性に悪影響を及ぼさない。
【0064】
任意の実施形態において、（ガス漏れ用の）小さなギャップを形成する円周バリア８１の寸法は、基板Ｗと芯体２１との間の領域から漏れ出るガスの流量を制御するように選択される。ある実施形態において、円周バリア８１は、円周バリア８１の頂部８４と基板Ｗの下面との間の鉛直ギャップ（これは、円周バリア８１の頂部８４とバール２２の遠位端２３との間の鉛直距離に対応する）が２μｍより大きくなるように構成される。図２６に示されるように、ある別の実施形態において、静電シート２５の上側の円周バリア８１が設けられない（ただし、円周バリア８２が静電シート２５の下側に設けられる）。ある実施形態において、鉛直ギャップは少なくとも３μｍであり、オプションとして少なくとも５μｍである。より大きな鉛直ギャップを提供することによって、円周バリア８１が基板Ｗの平坦性に望ましくない影響を与えないようにしながら、円周バリア８１の鉛直位置の製造公差がより大きくなる。本発明のある実施形態は、基板ホルダ２０の製造を容易にすることが期待される。上述したように、接合材料２９は、静電シート２５を芯体２１に接続するために使用される。製造公差を大きくすることによって、製造歩留まりを過度に低下させることなく接合材料２９を使用できる。接合材料の使用は、静電シート２５の鉛直位置を決定できる精度を低下させる可能性がある。さらに、接着剤を使用する場合、時間経過とともに接着剤がずれる（ドリフトする）可能性があり、約０．１μｍ程度の鉛直ずれが生じる可能性がある。本発明のある実施形態は、製造歩留まりを維持しながら接着剤の使用を可能にすることが期待される。
【0065】
ある実施形態において、円周バリア８１は、０．５ｍｍより大きい幅（基板ホルダ２０の径方向）を有するように構成される。ある実施形態において、円周バリア８１は、少なくとも０．６ｍｍ、オプションとして少なくとも１ｍｍ、例えば１．２ｍｍの径方向の幅を有する。円周バリア８１の径方向の幅を増加させることによって、基板Ｗと基板ホルダ２０との間の空間から漏れ出るガスの流量を過度に増加させることなく、基板Ｗに対する鉛直ギャップを（上記で説明したように）増加させることができる。
【0066】
図５に示されるように、ある実施形態において、接合材料２９は、静電シート２５と芯体２１との間の円周バリア８２の径方向外側で、静電シート２５を芯体２１に接合するために使用される。ある実施形態において、この径方向外側の接合材料２９は、円周バリア８２と同様に、円周の全体にわたって延在する。ある別の実施形態においては、径方向外側の接合材料２９は、静電シート２５の中央部分と芯体２１との間の接合材料２９と同様に、接合材料の個別のドットから形成される。
【0067】
図５に示されるように、ある実施形態において、静電シート２５は、基板Ｗを越えて径方向に延在する。図５に示されるように、ある実施形態において、基板ホルダ２０は、誘電体層２７、２８の一方にあるギャップ８３を備える。ギャップ８３は、電極２６を電源に接続可能にするためのものである。例えば、電極２６は高電圧電源に接続されてもよい。ある実施形態において、電極２６は、外部電源に接続されるように構成される。図５に示されるように、ある実施形態において、ギャップ８３は円周バリア８１、８２の径方向外側にある。図５に示される構成において、ギャップ８３は上部誘電体層２８に設けられる。ある別の実施形態において、ギャップ８３は下部誘電体層２７に設けられる。
【0068】
基板ホルダ２０は、基板Ｗと基板ホルダ２０との間のガスの体積を密閉しながら、電極２６が電源に電気的に接続可能となるように設計される。図５に示されるように、ある実施形態において、電極２６はガスの漏れを許容する円周バリア８１の下を通る。ある実施形態において、静電シート２５は、静電シールド４５を備える。静電シールド４５は、導電性材料から形成される。ある実施形態において、静電シールド４５は接地される。静電シールド４５は、静電シート２５から他の構成要素をシールドするように構成される。ある実施形態において、静電シールド４５は、誘電体層２８、２７内の電荷から、基板Ｗをシールドし、および／または芯体２１およびバール２２の残りの部分からシールドするように構成される。静電シールド４５は、静電シート２５の周囲の一以上の異なる位置に設けられてもよい。図５に示されるように、ある実施形態において、静電シールド４５は、円周バリア８１の頂部８４を覆うように設けられる。
【0069】
ある実施形態において、静電シールド４５は、静電シート２５の表面にある導電性メッキを備える。ある実施形態において、静電シールド４５は、化学蒸着によって付与される。ある実施形態において、静電シールド４５は、スパッタリングによって付与される。ある実施形態において、静電シールド４５は、物理蒸着によって付与される。ある実施形態において、静電シールド４５は、少なくとも５０ｎｍ、オプションとして少なくとも１００ｎｍ、オプションとして少なくとも２００ｎｍ、オプションとして少なくとも５００ｎｍの厚さを有する。ある実施形態において、静電シールド４５は、最大で１０００ｎｍ、オプションとして最大で５００ｎｍ、オプションとして最大で２００ｎｍ、オプションとして最大で１００ｎｍの厚さを有する。ある実施形態において、静電シールド４５の厚さは、静電シールドの異なるセクションごとに異なっていてもよい。
【0070】
図５に示されるように、ある実施形態において、静電シールド４５は、円周バリア８１を覆うように設けられる。静電シールド４５は、円周バリア８１の頂部８４と基板Ｗとの間のギャップにおける放電を防ぐように構成される。図５に示されるように、ある実施形態において、静電シールド４５は、円周バリアの径方向外側にある静電シート２５の上面に設けられる。静電シールド４５は、ギャップ８３にある電極２６と基板Ｗとの間の放電を防ぐように構成される。
【0071】
誘電体層２８にギャップ８３を設け、静電シート２５が基板Ｗを越えて径方向に延びることによって、電極２６と電源との間の接続が比較的簡単になる。さらに、芯体２１は製造が比較的容易である。
【0072】
ある実施形態において、静電シート２５は、基板Ｗの径方向範囲を越えて少なくとも３ｍｍ、オプションとして少なくとも５ｍｍ、オプションとして少なくとも１０ｍｍだけ径方向に延在するように構成される。例えば、ある実施形態において、基板Ｗは３００ｍｍの直径を有する。静電シート２５は、例えば、少なくとも３０６ｍｍ、オプションとして少なくとも３１０ｍｍ、オプションとして少なくとも３２０ｍｍの直径を有する。基板Ｗよりも大きい静電シート２５を設けることによって、静電シート２５の表面を、例えば基準マーカを設けるためのスペースとして使用できる。
【0073】
【0074】
図２６に示されるように、ある実施形態において、静電シート２５は、静電シート２５の基板対向面にある円周バリア８１を備えない。円周バリア８２は、静電シート２５の芯体対向面に設けられる。
【0075】
図２６に示されるように、ある実施形態において、静電シート２５は、少なくとも一つのガスベント２６２を備える。ガスベント２６２は、静電シート２５を貫通し、基板対向面を芯体対向面に接続する。ガスベント２６２は、静電シート２５の基板対向面と芯体対向面との間でのガスの流れを許容するように構成される。ガスベント２６２の寸法は、特に限定されない。ある実施形態において、ガスベント２６２は、静電シート２５の円周方向ではなく、静電シート２５の径方向にさらに延在する。ある実施形態において、ガスベント２６２は、バール２２が突出する穴３４よりも静電シート２５の径方向にさらに延在する。
【0076】
ある実施形態において、複数のガスベント２６２は、静電シート２５のまわりに円周方向に異なる位置に設けられる。基板ホルダ２０が基板Ｗを保持しているとき、基板Ｗの中央部分の下のガス圧は、基板Ｗのエッジの下のガス圧よりも高い。これは、少なくとも部分的には、基板ホルダ２０と基板Ｗとの間の熱的接続を増加させるために提供されるバックフィルガスに起因する。基板Ｗの周辺領域の下では、ガス圧は、基板Ｗのエッジに向かう方向に減少する。圧力勾配は、基板Ｗの形状といった要因に依存する。
【0077】
図２６に示されるように、ある実施形態において、ガスベント２６２は、基板Ｗのエッジの径方向内側にある径方向内側エッジを有する。ガスが基板Ｗの中央部分の下から流れるとき、ガスは、基板Ｗのエッジに到達する前にガスベント２６２を通って流れることができる。本発明のある実施形態は、圧力勾配の基板Ｗの形状に対する依存性を減少させることが期待される。本発明のある実施形態は、真空に向かうバックフィルガスの圧力勾配の制御を容易にすることが期待される。
【0078】
図２７は、図２６に示される静電シート２５の部分の平面図である。図２７に示されるように、ガスベント２６２は、バール２２のための穴３４の径方向外側にある。図２７に示されるように、ある実施形態において、ガスベント２６２は、基板Ｗのエッジ２６１を横切って延在する。
【0079】
図６は、本発明のある実施形態に係る基板ホルダ２０の部分の断面図である。図６に示されるように、ある実施形態において、円周バリア８１は芯体２１によって形成される。円周バリア８１は、芯体２１の部分として一体的に形成されてもよい。図６に示される円周バリア８１の寸法は、 上述の図５に示される円周バリア８１の寸法と同じであってもよい。したがって、説明を簡潔にするために、これらの寸法はここでは繰り返されない。
【0080】
ある実施形態において、円周バリア８１の頂部８４と基板Ｗとの間のギャップは、図５に示されるものに比べて小さくてもよい。例えば、ある実施形態において、頂部８４と基板Ｗとの間の鉛直ギャップは、最大で１０μｍ、オプションとして最大で５μｍ、オプションとして最大で２μｍである。円周バリア８１が芯体２１によって形成されることによって、円周バリア８１の頂部８４とバール２２の遠位端２３との間の鉛直距離をより正確に制御できる。本発明のある実施形態は、より厳密な製造公差を達成することが期待される。円周バリア８１の頂部８４の上方の鉛直ギャップがより小さい場合、円周バリア８１の径方向の幅はより小さくてもよい。これは、円周バリア８１の上方のギャップを通るガスの比較的変わらない流れを維持するのに役立つ。例えば、ある実施形態において、円周バリア８１の径方向幅は、最大で２ｍｍ、オプションとして最大で１ｍｍ、オプションとして最大で０．５ｍｍである。
【0081】
図６に示されるように、ある実施形態において、基板ホルダ２０は、少なくとも一つの接続線９１を備える。接続線９１は、芯体２１を通って延びる。接続線９１は、電極２６を電源に電気的に接続するためのものである。ある実施形態において、接続線９１は高電圧接続線である。ある実施形態において、接続線９１は、電極２６を外部電源に接続するように構成される。電源は高電圧電源であってもよい。
【0082】
図６に示されるように、ある実施形態において、芯体２１は、少なくとも一つの接続線チャネル９３を備える。接続線チャネル９３は、接続線９１が芯体２１を通って延在可能にするように構成される。ある実施形態において、接続線９１は、配線などの導電体である。ある実施形態において、配線は、接続線９１と芯体２１などの他の構成要素との間の電気的破壊の可能性を低減するために、その周りに絶縁材料を有する。
【0083】
図６に示されるように、ある実施形態において、接続線９１は電極２６の下側に接続される。ある実施形態において、絶縁材料９２は、接続線９１が電極２６に接続する箇所に設けられる。絶縁材料９２は、接続線９１が真空（またはほぼ真空）に接触する可能性を低減するよう構成される。ある実施形態において、接続線９１はフレキシブルである。ある実施形態において、接続線９１は、接着剤によって電極２６に接続される。 接続線チャネル９３内の接続線９１は、芯体２１を通る電気フィードスルーを形成する。
【0084】
ある別の実施形態において、接続線９１は、芯体２１を通り、静電シート２５の下方の位置で露出する電気リードを形成する。導電性エポキシは、電気リードを電極２６に機械的および電気的に接続するために使用されてもよい。
【0085】
円周バリア８１が芯体２１の部分であることによって、円周バリア８１の上方のギャップは、静電シート２５の高さとは無関係となる。これは、ギャップが、組み立て公差に依存せず、例えば時間経過とともにドリフトする接合材料に依存しないことを意味する。
【0086】
ある実施形態において、静電シート２５は、平面視で見たときに完全な円形である。本発明のある実施形態は、静電シート２５の製造を容易にすることが期待される。本発明のある実施形態は、より均一な分布の応力を有する静電シートを提供することが期待される。
【0087】
図７は、本発明のある別の実施形態に係る基板ホルダ２０の部分の断面の平面図である。図８は、図７に示される基板ホルダ２０の断面図である。図７は、円周バリア８１および電極２６を示す。図７に示されるように、ある実施形態において、電極２６は円周バリア８１を貫通し、電極２６を電源に接続可能にするための端子を形成する。ある実施形態において、電源は基板ホルダ２０の外部にある。ある実施形態において、電源は高電圧電源である。
【0088】
図７に示されるように、ある実施形態において、静電シート２５は複数の電極２６を備える。例えば、二つの電極２６が図７に示される。ある実施形態において、静電シート２５は、電極２６を分離するバリア１０１を備える。バリア１０１は、電極２６を互いに電気的に絶縁するように、電気絶縁材料によって形成される。各電極２６は電源に個別に接続される。
【0089】
図８に示されるように、ある実施形態において、円周バリア８１は芯体２１上に形成される。図８に示されるように、円周バリア８１は、一以上の開口部１０７を備える。電極２６は、開口部１０７を通って延在する。図８に示されるように、ある実施形態において、静電シート２５（誘電体層２７、２８および電極２６を含む）は、円周バリア８１の開口部１０７を通って延在する。電極２６は円周バリア８１の外側の領域まで貫通する。電極２６は、円周バリア８１の径方向外側の電源に電気的に接続されることができる。
【0090】
図７および図８に示されるように、ある実施形態において、電極２６と電源との間の電気的接続は、一以上の中間プレート１０４を備える。中間プレート１０４は、接続をより強固にする。ある実施形態において、中間プレート１０４は、給電線が実装される絶縁基体（例えば、ガラスプレート）を備える。例えば、図７に示されるように、ある実施形態において、中間プレート１０４は、高電圧トレース１０２およびグランドトレース１０３を有する。中間プレート１０４は、電極２６の端子を電源コネクタ１０５に電気的に接続するように構成される。ある実施形態において、電源コネクタ１０５は、電源の動きが静電シート２５に到達する前に減衰されるようにフレキシブルである。ある実施形態において、電源コネクタ１０５は、固定位置を有する。本発明のある実施形態は、既存のリソグラフィ装置と下位互換性があることが期待される。ある実施形態において、中間プレート１０４は、電源コネクタ１０５の動きによって基板ホルダ２０の静電シート２５に加わるかもしれない力を低減する。中間プレート１０４を設けることによって、電極２６の端子が円周バリア８１を越えて延びる距離を低減（または最小化）できる。これは、静電シート２５の製造をより容易にし、静電シート２５をより強固にする。
【0091】
電極２６が円周バリア８１の開口部１０７を貫通することによって、芯体２１の内部に接続線チャネルを製造する必要がない。本発明のある実施形態は、芯体２１の製造をより容易にすることが期待される。
【0092】
図８に示されるように、ある実施形態において、円周バリア８１は、芯体２１とは別個の構成要素として最初に形成される。円周バリア８１は、接着封止部１０８によって芯体２１に接続される。図８に示されるように、ある実施形態において、中間プレート１０４は、接着封止部１０８によって芯体２１に接続される。図８に示されるように、ある実施形態において、電極２６と中間プレート１０４との間の電気的接続は、静電シート２５の上面の接着封止部１０８によって絶縁される。図８に示されるように、ある実施形態において、中間プレート１０４と電源コネクタ１０５との間の電気的接続は、電源コネクタ１０５の上面にある接着封止部１０８によって電気的に絶縁される。
【0093】
図８に示されるように、ある実施形態において、導電性材料１０６は、電極２６と中間プレート１０４の高電圧トレース１０２との間に電気的接続を形成するようにして、静電シート２５を貫通する。
【0094】
図９は、本発明のある実施形態に係る基板ホルダ２０の部分の断面図である。図９に示されるように、ある実施形態において、静電シート２５は接合材料２９によって芯体２１に接合される。ある実施形態において、芯体２１の上面を横切る接合材料２９の複数の体積は、芯体２１を静電シート２５に接続する。接合材料２９は、例えば、接着剤または溶接材料であってもよい。接合材料２９は、バール２２の間に設けられる。
【0095】
図９に示されるように、ある実施形態において、バール２２の間にある芯体２１の物体対向面は、上段部（上位レベル）１２１および下段部（下位レベル）１２２を備える。上段部１２１は、下段部１２２よりも鉛直方向に高い（つまり、静電シート２５に対してより小さいギャップが存在するようになる）。図９に示されるように、ある実施形態において、接合材料２９は、上段部１２１上に設けられる。下段部１２２は、上段部１２１に隣接する。図９に示されるように、ある実施形態において、下段部１２２と上段部１２１との間には階段状の変化（つまり、突然の不連続な高さの変化）がある。ある別の実施形態において、下段部１２２と上段部１２１との間の高さの変化はより緩やかであってもよい。図９に示されるように、ある実施形態において、上段部１２１は、静電シート２５の下面１２３よりも鉛直下方にある。図９に示されるように、ある実施形態において、下段部１２２の少なくとも一部は、静電シート２５の下面１２３よりも鉛直下方にある。下段部１２２の一部は、静電シート２５の真下にはない。例えば、下段部１２２の一部はバール２２を直接取り囲むが、静電シート２５は下段部１２２のその部分の真上になくてもよい。しかしながら、下段部１２２の一部は静電シート２５の直下にある。
【0096】
ある実施形態において、上段部１２１は、接合パッド１２４の上面を形成する。接合パッド１２４は、芯体２１の隆起部分であり、その上に接合材料２９が配置される。接合パッド１２４の上面における上段部１２１の高さは、接合材料２９の体積の直径に影響を与える。しかしながら、下段部１２２の高さは、基板ホルダ２０の静電シート２５の高さに影響を与えない。静電シート２５の高さは、静電シート２５と芯体２１との間の接合材料２９の量によって影響される。接合材料２９の体積の直径は、接合材料２９の量に依存する。接合パッド１２４の外側における下段部１２２と静電シート２５との間により大きなギャップを設けることによって、接合材料２９の体積の直径が接合材料２９の量に影響されにくくなる。接合の剛性は、接合材料２９の体積に影響されにくくなる。接合材料２９の体積の剛性および形状は、接合パッド１２４の形状を制御することによって、より正確に制御できる。本発明のある実施形態は、基板ホルダ２０の全体にわたって、静電シート２５と芯体２１との間の接合の特性の一貫性を向上させることが期待される。接合パッドのデザインは、クランプの外周まわりの、および基板ホルダ２０上への基板Ｗの制御された下降のためにピンが貫通する穴のまわりのガスシール接着リングにも使用される。
【0097】
図１０から図１２は、芯体２１の製造プロセスの異なる段階を概略的に示す図である。図１３は、静電シート２５を芯体２１に接続した時点の基板ホルダ２０の断面図である。図１３に示されるように、ある実施形態において、上段部１２１は、下段部１２２よりも滑らかな表面を有する。下段部１２２は、接合パッド１２４の上部に比べて、より大きな表面粗さを有する。
【0098】
接合パッド１２４を設けることによって、芯体２１と静電シート２５との間の接合の特性は、接合パッド１２４の特性を制御することによって制御される。接合の特性は、接合パッド１２４を越える芯体２１の表面の特性に影響されにくい。本発明のある実施形態は、芯体２１の表面の一部について、より大きな製造の自由度を提供することが期待される。ある実施形態において、下段部１２２を準備する異なるステップに対し、上段部１２１に比べて異なる製造技術が使用される。
【0099】
図１０に示されるように、ある実施形態において、バール２２は、芯体２１の上面から材料１３１を除去することによって形成される。材料１３１は、粗い材料除去のステップで除去されてもよい。粗い材料除去ステップは、大きな公差を有してもよい。これは、バール間の表面が、粗い材料除去ステップの直後に比較的大きな粗さを有するかもしれないことを意味する。
【0100】
図１１に示されるように、芯体２１を製造する方法は、局所的な粗い材料除去のステップにおいて、さらなる材料１３１を除去する後続ステップを備えてもよい。局所的な粗い材料除去ステップによって、接合パッド１２４が形成される。材料１３１は、下段部１２２が形成されるべき箇所で除去される。材料１３１は、パッド１２４の配置が意図される箇所では局所的に除去されない。局所的な粗い材料除去ステップの後、上段部１２１および下段部１２２は、粗い表面を有してもよい。ある実施形態において、粗い材料除去ステップは、レーザアブレーションによって実行される。しかしながら、他の方法が使用されてもよい。
【0101】
図１２に示されるように、ある実施形態において、芯体２１を製造する方法は、ボンドパッド１２４の頂部から、さらなる材料１５１を除去する後続ステップを備える。ある実施形態において、さらなる材料１５１は微細材料除去ステップにおいて除去される。微細材料除去ステップは、粗い材料除去ステップに比べて厳しい公差を有する。微細材料除去ステップの後、接合パッド１２４の頂部の表面は、芯体２１の下段部１２２の表面よりも滑らかである。より滑らかな表面は、静電シート２５と芯体２１との間の接合の特性の一貫性を向上させる。
【0102】
ある実施形態において、芯体２１を製造する方法は、バール２２の遠位端２３を研磨するステップを備える。ある実施形態において、バール２２の遠位端２３を研磨するステップの後、微細材料除去ステップが実行される。これは、静電シート２５が所望の鉛直位置を有するように、接着パッド１２４における上段部１２１の高さを厳密に制御できることを意味する。異なるバール２２は、異なる長さ（つまり、遠位端２３と、バール２２の間の芯体２１の物体対向面との間の異なる鉛直距離）を有するかもしれない。バール２２の長さは、遠位端２３の全てが平坦面内にあることを保証するために異なっていてもよい。微細材料除去ステップは、静電シート２５と芯体２１との間の接合材料２９によって充填される鉛直ギャップが注意深く制御されるようにして、接合パッド１２４の高さを調整することを可能にする。基板ホルダ２０の全体にわたって、下段部１２２は異なる高さを有してもよい。
【0103】
図１４は、本発明のある実施形態に係る基板ホルダ２０の部分の断面図である。図１４に示されるように、ある実施形態において、芯体２１の物体対向面は、隆起段部（隆起レベル）１７１を備える。隆起段部１７１は、バール２２を取り囲む。隆起段部１７１は、下段部１２２に対して隆起する。ある実施形態において、隆起段部１７１は上段部１２１と同じ高さにある。しかしながら、これは必ずしもそうとは限らない。ある別の実施形態において、隆起段部１７１は上段部１２１よりも高い。さらに別の実施形態において、隆起段部１７１は上段部１２１よりも低い。バール２２を取り囲む隆起段部１７１を提供することによって、バール２２は （隆起段部１７１が下段部１２２によって置き換えられる場合に比べて）より堅固になることができる。バール２２の剛性は、隆起段部１７１の高さを制御することによって制御できる。隆起段部１７１と上段部１２１との間の下段部１２２は、静電シート２５と芯体２１との間の接合の接合材料２９の量に対する感度を低下させる。
【0104】
図１５は、３個のバール２２の間の芯体２１の上面を概略的に示す。図１５に示されるように、ある実施形態において、上段部１２１は非円形である。図１５から分かるように、接合パッド１２４を非円形にすることにより、バール２２間の接合材料２９の水平範囲（つまり、平面視における形状）を制御できる。接合材料がバール２２に近づきすぎることなく、バール２２の間に接合材料２９のより大きな面積を提供できる。本発明のある実施形態は、静電シート２５と芯体２１との間の接続の強度の向上が期待される。
【0105】
図１６は、本発明のある実施形態に係る基板ホルダ２０の平面図を示す。図１６において、静電シート２５の下の接合材料２９が図１６で見えるように、静電シート２５が透明に示されている。図１６に示されるように、ある実施形態において、接合材料２９の体積は、平面視において非円形形状を有する。接合材料の形状は、接合パッド１２４の形状に対応する。接合パッド１２４は非円形である。図１６に示されるように、ある実施形態において、接合パッド１２４および接合材料２９は、バール２２に対向する凹部エッジ１９１を有する。バール間の領域における接合部のサイズは、接合部とバール２２との間の距離を減少させることなく、より大きくなる。
【0106】
ある実施形態において、上段部１２１の高さは、静電シート２５の底部と上段部１２１との間の鉛直ギャップが少なくとも５μｍ、オプションとして少なくとも１０μｍ、オプションとして少なくとも２０μｍ、オプションとして少なくとも５０μｍとなるように構成される。これは、接合材料２９によって充填されるギャップがそこに存在するのに十分な製造公差を提供する。ある実施形態において、静電シート２５と上段部１２１との間の鉛直ギャップは、最大で２００μｍ、オプションとして最大で１００μｍ、オプションとして最大で５０μｍである。より小さなギャップは、接合材料２９によって形成される接合部の特性をより正確に制御すること可能にする。ある実施形態において、静電シート２５と下段部１２２との間の鉛直ギャップは、少なくとも５０μｍ、オプションとして少なくとも１００μｍ、オプションとして少なくとも２００μｍである。より大きなギャップは、使用する接合材料の量に対する、接合材料２９によって形成される接合部の直径の感度を低下させる。
【0107】
図１７は、本発明のある実施形態に係る静電シート２５の断面図である。図１７に示されるように、ある実施形態において、電気絶縁接合層３２が誘電体層２７、２８の間に挟まれる。接合層３２が電気絶縁性であることによって、接合層３２は、電極２６を電気的に絶縁するように構成される。ある実施形態において、接合層３２は、電極２６の平面内で電極２６を取り囲む。接合層３２は、電極２６を電気的に絶縁する。接合層３２は、バール２２が通って突出する穴３４から電極２６を電気的に絶縁する。接合層３２は、誘電体層２７、２８を互いに接合するように構成される。
【0108】
ある実施形態において、接合層３２は成形可能な状態で堆積される。接合層３２は、接合されると安定（不変）になる。ある実施形態において、電気絶縁接合層３２は接着剤を備える。ある実施形態において、接合層３２は高分子材料（ポリマー）を備える。ある実施形態において、接合層３２は有機ポリマーを備える。ある実施形態において、接合層３２は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）を備える。パリレンといった他の材料を接合層３２に使用してもよい。
【0109】
ある実施形態において、上部誘電体層２８はガラスを備える。ある実施形態において、上部誘電体層２８は酸化物を備える。ある実施形態において、ガラスは、例えばコーニング（登録商標）Ｅａｇｌｅ ＸＧ（登録商標）などのホウケイ酸ガラスである。ある別の実施形態において、上部誘電体層２８は、例えばＵＬＥ（登録商標）などのチタニアケイ酸塩ガラスを備える。
【0110】
ある実施形態において、下部誘電体層２７は、上部誘電体層２８と同じ材料を備える。ある別の実施形態において、下部誘電体層２７は、上部誘電体層２８とは異なる材料で形成される。例えば、ある実施形態において、下部誘電体層２７は、上部誘電体層２８に使用される材料に比べて低い抵抗率を有する材料で形成される。ある実施形態において、下部誘電体層２７は、ＢＯＲＯＦＬＯＡＴ（登録商標）３３などのホウケイ酸ガラスまたは別の誘電体材料を備える。
【0111】
図１８および図１９は、静電シート２５を製造する方法の異なる段階を概略的に示す。図１８に示されるように、ある実施形態において、方法は、上部誘電体層２８および下部誘電体層２７を提供することを備える。図１８の上部に示されるように、ある実施形態において、この方法は、電極２６を上部誘電体層２８に付与することを備える。電極２６を上部誘電体層２８に付与することにより、電極２６は、静電シート２５の上部により近くなる。図１８に示されるように、ある実施形態において、接合層３２は、電極２６の二つの主面の一方のみに設けられる。電極２６は、誘電体層２８上に直接付与される。接合層３２は、電極２６と静電シート２５の上部との間には存在しない。これは、電極２６によって生成される静電シート２５の上方の電界強度のより優れた制御を可能にする。図１８は上部誘電体層２８に付与される電極２６を示すが、ある別の実施形態において、電極２６は下部誘電体層２７に付与される。
【0112】
図１８に示されるように、ある実施形態において、この方法は、電気絶縁接合層３２を下部誘電体層２７に付与することを備える。電気絶縁接合層３２は、誘電体層２７、２８が互いに接合される前に付与される。ある実施形態において、接合層３２は、スピンコーティングプロセスによって誘電体層２７に付与される。しかしながら、他のプロセスが使用されてもよい。
【0113】
図１８に示される構成において、接合層３２は下部誘電体層２７に付与される。ある別の実施形態において、接合層３２は上部誘電体層２８に付与される。 図１８に示されるように、ある実施形態において、電極２６および接合層３２は、異なる誘電体層２７、２８に付与される。ある別の実施形態において（例えば、以下に説明される図２０～図２５に示されるように）、電極２６および接合層３２の両方が同じ誘電体層（これは、下部誘電体層２７または上部誘電体層２８のいずれであってもよい）に付与される。
【0114】
図１８に示されるように、ある実施形態において、静電シート２５を製造する方法は、誘電体層２７、２８を互いに接合する前に、電極２６をパターニングすることを備える。ある実施形態において、電極２６はクロムなどの金属を備える。ある実施形態において、電極２６は、少なくとも２９ｎｍ、オプションとして少なくとも５０ｎｍ、オプションとして少なくとも１００ｎｍの厚さを有する。ある実施形態において、電極２６は、最大で５００ｎｍ、オプションとして最大で２００ｎｍ、オプションとして最大で１００ｎｍの厚さを有する。ある実施形態において、電極２６は、エッチングプロセスによってパターニングされる。ある別の実施形態において、電極２６はリフトオフプロセスによってパターニングされる。
【0115】
ある実施形態において、電極２６が付与される誘電体層２８は、少なくとも１００μｍ、オプションとして少なくとも２００μｍ、オプションとして少なくとも５００μｍの厚さを有する。より厚い誘電体層２８は、静電シート２５を製造する方法の最中の取り扱いにおいてより頑丈である。ある実施形態において、電極２６が付与される誘電体層２８は、最大で２ｍｍ、オプションとして最大で１ｍｍ、オプションとして最大で５００μｍの厚さを有する。より薄い誘電体層２８は、誘電体層２７、２８が接合された後に必要とされるかもしれない薄くする量を減少させる。接合層３２が付与される誘電体層２７の厚さは、電極２６が付与される誘電体層２８の厚さと同じようにして選択されてもよい。したがって、取り得る厚さはここでは繰り返さない。
【0116】
図１９に示されるように、ある実施形態において、静電シート２５を製造する方法は、上部誘電体層２８を下部誘電体層２７に接合することを備える。誘電体層２７、２８は一緒に結合される。ある実施形態において、この方法は、例えば接合層３２を重合（ポリマー化）させるために、結合した誘電体層２７、２８を加熱することを備える。例えば、結合した誘電体層２７、２８は、２５０℃の温度で加熱されうるが、用いる温度は特に限定されない。接合層３２は、上部誘電体層２８と下部誘電体層２７との間に接合部を形成する。
【0117】
ある実施形態において、静電シート２５を製造する方法は、上部誘電体層２８および／または下部誘電体層２７を薄くすることを備える。例えば、ある実施形態において、完成した静電シートの上部誘電体層は、最大で２００μｍ、オプションとして最大で１００μｍの厚さを有する。ある実施形態において、完成した静電シート２５の下部誘電体層２７は、最大で５００μｍ、オプションとして最大で４００μｍの厚さを有する。ある実施形態において、誘電体層２７、２８は、それらが一緒に接合された後に薄くされる。誘電体層２７、２８は、より頑丈となるように接合ステップ中に厚くしてもよく、その後、破損のリスクが低減した時点で薄くしてもよい。ある別の実施形態において、誘電体層２７、２８は、一緒に接合される前に所望の厚さに薄くされる。ある実施形態において、誘電体層２７、２８は、研削プロセスおよび／または研磨プロセスによって薄くされる。
【0118】
汚染粒子は、静電シート２５の製造中に構成要素の表面に接触する可能性がある。誘電体層２７、２８が互いに接触するときに、誘電体層２７、２８の間の汚染粒子は、成形可能な接合層３２によって取り囲まれるようになる。したがって、汚染粒子の存在は、静電シート２５の製造に悪影響を与えることができない。本発明のある実施形態は、粒子の影響を受けにくい静電シート２５の製造方法を提供することが期待される。
【0119】
電気絶縁接合層３２を設けることにより、接合層３２は、電気絶縁および機械的／化学的接合の両方の機能を果たす。本発明のある実施形態は、静電シート２５の製造プロセスを簡素化することが期待される。電気絶縁および接合の機能を果たすために、別個の材料またはプロセスを提供する必要がない。
【0120】
図２０から図２５は、本発明のある実施形態に係る静電シート２５を製造する方法の異なる段階を概略的に示す。図２０に示されるように、ある実施形態において、この方法は、上部誘電体層２８および下部誘電体層２７を提供することを備える。ある実施形態において、誘電体層２７、２８の一方または両方には、一以上のアライメントマーカ２０１が設けられる。アライメントマーカ２０１は、誘電体層２７、２８を互いに対して位置合わせすることを容易にする。
【0121】
図２１に示されるように、ある実施形態において、この方法は、誘電体層２７、２８が互いに接合される前に、誘電体層２７、２８に選択的に照射することを備える。ある実施形態において、誘電体層２７、２８は、基板ホルダ２０の芯体２１のバール２２を収容するための穴３４の所望の位置に基づいて照射される。ある実施形態において、誘電体層２７、２８は、 レーザを適用することによって (選択レーザエッチングといった）エッチングの準備として照射される。図２１に示されるように、誘電体層２７、２８の照射は、照射領域２１１および非照射領域２１２をもたらす。ある実施形態において、照射領域２１１は、バール２２を収容するための穴３４の所望の位置に対応する。ある別の実施形態において、非照射領域２１２は、バール２２のための穴３４の所望の位置に対応する。
【0122】
図２２に示されるように、ある実施形態において、静電シート２５を製造する方法は、電極２６を一方の誘電体層２７に付与することを備える。ある実施形態において、薄い電気構造は、電極２６を形成するために付与される。ある実施形態において、接合層３２は、薄い電気構造上に付与される。接合層３２は、電気構造を保護する。ある実施形態において、接合層３２は有機ポリマーを備える。ある実施形態において、接合層３２は、ＢＣＢまたはパリレンを備える。図２３に示されるように、ある実施形態において、上部誘電体層２８は下部誘電体層２７に接合される。接合層３２は、誘電体層２７、２８を互いに接合するのに役立つ。
【0123】
図２４に示されるように、ある実施形態において、この方法は、芯体２１のバール２２を収容するための穴３４を形成するためにエッチングステップを適用することを備える。ある実施の形態において、誘電体層２７、２８を互いに接合した後に、穴３４を形成するために材料が除去される。材料は、選択された照射に基づいて除去される。ある実施形態において、材料を除去するステップは、例えばレーザを適用することによって、誘電体層の照射部分２１１を選択的にエッチングすることを備える。
【0124】
図２５に示されるように、ある実施形態において、この方法は、接合層３２の露出部分を除去する酸化物プラズマに静電シート２５を露出（暴露）することを備える。具体的には、誘電体層２７、２８の照射部分２１１をエッチング除去するステップの後、穴３４内の接合層３２の部分（セクション）が露出される。積層体（スタック）は、穴３４から接合層３２の材料をエッチングするために、酸化物プラズマ中に置かれる。
【0125】
図２８ａ～ｆは、本発明のある実施形態に係る基板ホルダ２０を製造する方法の異なる段階を概略的に示す。基板ホルダ２０は、図２～図２７に描かれる既出の実施形態のものと同様であり、接合材料２９は、有益な熱伝導率を有する半田２８６または溶接材料２８６を備える。半田２８６は、金属ベースであってもよい。さらに、半田２８６または溶接材料２８６は、大気から真空への移行時にクリープまたは変形しにくいかもしれないため、接着剤またはエポキシ接合に比べて、クランプ力のより好ましい均一性および安定性が提供されうる。オプションとして、白金（Ｐｔ）またはクロム（Ｃｒ）といった接着層２８２、２８４は、半田２８６と芯体２１および／または静電シート２５との間の接着を促進するために使用されてもよい。これは、半田付けにおけるフラックスの必要性を排除し、スキャナ環境におけるＨ－ラジカルおよび／またはＨ－プラズマとの互換性に有益であろう。 接着層２８２、２８４は、金属ベースの接着層であることができる。静電シート２５は、図２～図２７に描かれる既出の実施形態のものと同様である。
【0126】
図２８ａに示されるように、ある実施形態において、方法は、静電シート２５に対向する芯体２１の表面上に接着層２８２をコーティングすることを備える。表面はバール２２の間にある。
【0127】
図２８ｂに示されるように、ある実施形態において、方法は、芯体２１に対向する静電シート２５の表面上に接着層２８４をコーティングすることをさらに備える。代替的に、静電シールド４５がＰｔまたは／およびＣｒを備えてもよいため、静電シールド４５が接着層２８４として機能してもよい。
【0128】
図２８ｃに示されるように、ある実施形態において、方法は、半田２８６または溶接材料２８６を接着層２８４上に配置することをさらに備える。
【0129】
図２８ｄに示されるように、ある実施形態において、方法は、半田２８６または溶接材料２８６を加熱することをさらに備える。これは、ホットプレート２８８を用いてなされることができる。熱は、ホットプレート２８８から芯体２１を介して、半田２８６または溶接材料２８６に伝達されてもよい。
【0130】
図２８ｅに示されるように、ある実施形態において、方法は、半田２８６または溶接材料２８６が加熱されている間、静電シート２５を半田２８６または溶接材料２８６の上に配置することをさらに備える。配置することは、静電シート２５を水平にすることを備えてもよい。静電シート２５は、接着層２８４が芯体２１に対向するように、ひっくり返されてもよい。
【0131】
図２８ｆに示されるように、ある実施形態において、方法は、静電シート２５が芯体２１上に半田付けまたは溶接されるように、基板ホルダ２０を冷却することをさらに備える。
【0132】
半田２８６は、応力による変形を最小化するために付与されうる比較的低温の半田であってもよい。オプションとして、水素脆化しやすい金属は好ましくない。可能性のある半田２８６の候補は以下に列挙される：
【0133】
【表1】
【0134】
実施形態に係る物体ホルダの全ての部分を製造するために使用される材料は、既知の物体ホルダを製造するために使用される既知の材料のいずれであってもよい。特に、実施形態に係る物体ホルダの部品は、ＷＯ２０１５／１２０９２３Ａ１、ＷＯ２０１４／１５４４２８Ａ２、およびＵＳ２０１３／００９４００９Ａ１に開示される材料を用いて製造されてもよく、これらの内容の全体は参照により本書に組み込まれる。
【0135】
具体的には、電極２６に使用される金属は、ＣｒまたはＴｉであってもよい。バールの遠位端面に使用される金属は、ＣｒＮまたはＴｉＮであってもよい。絶縁部分は、酸化クロムであってもよい。芯体はＳｉＳｉＣであってもよい。静電シールド４５に使用される材料は、Ｃｒ、ＣｒＮ、またはＷであってもよい（ただし、他の多くの材料が可能である）。
【0136】
明確な説明を助けるために、物体ホルダの上面および下面を参照しながら実施形態が説明された。上面および下面は、物体ホルダの第１面および第２面である。第１面は、物体がクランプされうる表面である。第２面は、テーブルが固定されうる面である。物体ホルダが水平面内に向けられているとき、第１面は上面であり、第２面は下面である。しかしながら、実施形態は、水平面内に向けられていない物体ホルダも含む。
【0137】
実施形態は、任意のリソグラフィ装置で使用される物体ホルダを含む。リソグラフィ装置は、電子ビーム検査装置といった基板の製造、テストおよび検査に使用される任意の装置を含んでもよい。明確な説明を助けるために、物体ホルダの特徴は、基板ホルダ２０の上側が基板Ｗにクランプされる文脈で主に説明されてきた。本発明の特徴は、物体ホルダの下側にも等しく適用可能であり、例えば、基板ホルダ２０の下側が基板テーブルＷＴの残りの部分にクランプされる。単なる例として、上段部１２１、下段部１２２、および接合パッド１２４に関連する特徴は、基板ホルダ２０の下側に適用されてもよい。
【0138】
本明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及しているが、本書に記載されるリソグラフィ装置は他の用途を有してもよいことが理解されよう。可能性のある他の用途は、集積光学システム、磁区ドメインメモリ用の案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ （ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造を含む。
【0139】
本書では、リソグラフィ装置の文脈で本発明の実施形態について具体的な言及がなされたかもしれないが、本発明の実施形態は他の装置で使用されてもよい。本発明の実施形態は、マスク検査装置、計測装置、またはウェハ（または他の基板）またはマスク（または他のパターニングデバイス）といった物体を測定または処理する任意の装置の部分を形成してもよい。これらの装置は、一般にリソグラフィツールと呼ばれるかもしれない。そのようなリソグラフィツールは、真空条件または大気（非真空）条件を使用してもよい。
【0140】
上記では、光リソグラフィの文脈で本発明の実施形態の使用について具体的な言及がなされたかもしれないが、本発明は、文脈が許せば、光リソグラフィに限定されず、他の用途、例えばインプリントリソグラフィで使用されてもよいことが理解されるであろう。
【0141】
対象物の検査および光リソグラフィの文脈で本発明の実施形態を使用することについて上記で具体的に言及されたかもしれないが、本発明は、文脈が許せば、これらの文脈に限定されず、他の用途、例えばインプリントリソグラフィで使用されてもよいことが理解されるであろう。
【0142】
本発明の特定の実施形態が上述されたが、本発明は、記載以外の方法で実施されてもよいことが理解されるであろう。上記の説明は、限定ではなく、例示を意図したものである。したがって、以下の特許請求の範囲から逸脱することなく、説明された本発明に変更が加えられてもよいことは、当業者には明らかであろう。
【0143】
条項：
（項１）物体を支持するよう構成される物体ホルダであって、前記物体ホルダは、前記物体を支持するための支持面内に遠位端を有する複数のバールを備える芯体と、前記バールの間にある静電シートであって、誘電体層の間に挟まれる電極を備える静電シートと、前記静電シートと前記芯体との間の空間から逃げるガスの流出を低減するための円周バリアと、を備える物体ホルダ。
（項２）前記円周バリアは、前記静電シートと前記芯体の間に位置する、項１に記載の物体ホルダ。
（項３）前記円周バリアは、前記静電シートによって形成される、項１または２に記載の物体ホルダ。
（項４）前記誘電体層の一つに設けられ、前記電極が電源に接続できるようにするためのギャップをさらに備え、前記ギャップは、前記円周バリアの径方向外側にある、項２または３に記載の物体ホルダ。
（項５）前記静電シートは、前記バールの径方向外側に設けられ、ガスが前記静電シートを貫通して流れることができるように構成される少なくとも一つのガスベントをさらに備える、先行する項のいずれかに記載の物体ホルダ。
（項６）前記ガスベントは、前記物体のエッジの径方向内側にある径方向内側エッジを有する、項５に記載の物体ホルダ。
（項７）前記円周バリアは、前記芯体によって形成される、項１に記載の物体ホルダ。
（項８）前記電極は、前記円周バリアを貫通し、前記電極が電源に接続できるようにするための端子を形成する、項１に記載の物体ホルダ。
（項９）前記電極を電源に接続するために前記芯体を通って延在する高電圧接続線を備える、先行する項のいずれかに記載の物体ホルダ。
（項１０）前記電極シートは、接合材料によって前記芯体に接合される、先行する項のいずれかに記載の物体ホルダ。
（項１１）前記バールの間の前記芯体の物体対向面は、前記接合材料が設けられる上段部と、前記上段部に隣接し、前記静電シートの下面の鉛直下方にある下段部とを備える、項１０に記載の物体ホルダ。
（項１２）前記上段部は、前記下段部よりも滑らかな表面を有する、項１１に記載の物体ホルダ。
（項１３）前記芯体の前記物体対向面は、前記バールを取り囲む隆起段部を備え、前記隆起段部は、前記下段部に対して隆起する、項１１から１２のいずれかに記載の物体ホルダ。
（項１４）前記上段部は、非円形である、項１１から１３のいずれかに記載の物体ホルダ。
（項１５）電気絶縁接合層が誘電体層の間に挟まれており、または／および、前記物体ホルダは、前記物体ホルダの複数の場所の温度を検出するための複数の温度センサを備える、先行する項のいずれかに記載の物体ホルダ。
（項１６）前記接合層は、ポリマーを備える、項１５に記載の物体ホルダ。
（項１７）前記接合層は、ベンゾシクロブテンを備える、項１５から１６のいずれかに記載の物体ホルダ。
（項１８）前記接合層は、前記電極を電気的に絶縁するように、前記電極の平面内で前記電極を取り囲む、項１５から１７のいずれかに記載の物体ホルダ。
（項１９）前記接合層は、前記電極の二つの主面の一方のみに設けられる、項１５から１８のいずれかに記載の物体ホルダ。
（項２０）物体を支持するよう構成される物体ホルダのための静電シートであって、前記静電シートは、前記物体を支持するための芯体のバールを収容するための穴と、誘電体層と、前記誘電体層の間に挟まれる電極と、を備え、前記静電シートは、前記静電シートと前記芯体との間の空間から逃げるガスの流出を低減するための円周バリアをさらに備える、静電シート。
（項２１）物体を支持するよう構成される物体ホルダのための静電シートを製造する方法であって、前記方法は、誘電体層に電極を付与することと、前記電極が誘電体層の間に挟まれるように、前記誘電体層を別の誘電体層に接合することと、を備え、前記静電シートは、前記静電シートと前記物体との間の空間から逃げるガスの流出を低減するための円周バリアを備える、方法。
（項２２）前記誘電体層を互いに接合する前に前記電極をパターニングすることを備える、項２１に記載の方法。
（項２３）電気絶縁接合層は、前記誘電体層を互いに接合する前に前記他の誘電体層に付与される、項２１から２２のいずれかに記載の方法。
（項２４）前記物体ホルダの芯体のバールを収容するための穴の所望の位置に基づいて、前記誘電体層を互いに接合する前に、前記誘電体層に選択的に照射することと、前記選択的な照射に基づいて、前記誘電体層を互いに接合した後に、前記穴を形成するために材料を除去することと、を備える、項２１－２３のいずれかに記載の方法。
（項２５）前記材料を除去するステップは、前記誘電体層の照射された部分を選択的にエッチングすることを備える、項２４に記載の方法。
（項２６）前記誘電体層の照射された部分を選択的にエッチングするステップは、レーザを適用することによって実行される、項２５に記載の方法。
（項２７）前記材料を除去するステップは、前記接合層の露出部分を除去する酸化物プラズマに前記静電シートを露出させることを備える、項２４から２６のいずれかに記載の方法。
（項２８）項１から１９のいずれかに記載の物体ホルダを備えるリソグラフィ装置。
（項２９）項２０に記載の静電シートを備えるリソグラフィ装置。
（項１）物体を支持するよう構成される物体ホルダであって、前記物体ホルダは、前記物体を支持するための支持面内に遠位端を有する複数のバールを備える芯体と、前記バールの間にある静電シートであって、誘電体層の間に挟まれる電極を備える静電シートと、前記静電シートと前記芯体との間の空間から逃げるガスの流出を低減するための円周バリアと、を備える物体ホルダ。
（項２）前記円周バリアは、前記静電シートと前記芯体の間に位置する、項１に記載の物体ホルダ。
（項３）前記円周バリアは、前記静電シートによって形成される、項１または２に記載の物体ホルダ。
（項４）前記誘電体層の一つに設けられ、前記電極が電源に接続できるようにするためのギャップをさらに備え、前記ギャップは、前記円周バリアの径方向外側にある、項２または３に記載の物体ホルダ。
（項５）前記静電シートは、前記バールの径方向外側に設けられ、ガスが前記静電シートを貫通して流れることができるように構成される少なくとも一つのガスベントをさらに備える、先行する項のいずれかに記載の物体ホルダ。
（項６）前記ガスベントは、前記物体のエッジの径方向内側にある径方向内側エッジを有する、項５に記載の物体ホルダ。
（項７）前記円周バリアは、前記芯体によって形成される、項１に記載の物体ホルダ。
（項８）前記電極は、前記円周バリアを貫通し、前記電極が電源に接続できるようにするための端子を形成する、項１に記載の物体ホルダ。
（項９）前記電極を電源に接続するために前記芯体を通って延在する高電圧接続線を備える、先行する項のいずれかに記載の物体ホルダ。
（項１０）前記電極シートは、接合材料によって前記芯体に接合される、先行する項のいずれかに記載の物体ホルダ。
（項１１）前記バールの間の前記芯体の物体対向面は、前記接合材料が設けられる上段部と、前記上段部に隣接し、前記静電シートの下面の鉛直下方にある下段部とを備える、項１０に記載の物体ホルダ。
（項１２）前記上段部は、前記下段部よりも滑らかな表面を有する、項１１に記載の物体ホルダ。
（項１３）前記芯体の前記物体対向面は、前記バールを取り囲む隆起段部を備え、前記隆起段部は、前記下段部に対して隆起する、項１１から１２のいずれかに記載の物体ホルダ。
（項１４）前記上段部は、非円形である、項１１から１３のいずれかに記載の物体ホルダ。
（項１５）電気絶縁接合層が誘電体層の間に挟まれており、または／および、前記物体ホルダは、前記物体ホルダの複数の場所の温度を検出するための複数の温度センサを備える、先行する項のいずれかに記載の物体ホルダ。
（項１６）前記接合層は、ポリマーを備える、項１５に記載の物体ホルダ。
（項１７）前記接合層は、ベンゾシクロブテンを備える、項１５から１６のいずれかに記載の物体ホルダ。
（項１８）前記接合層は、前記電極を電気的に絶縁するように、前記電極の平面内で前記電極を取り囲む、項１５から１７のいずれかに記載の物体ホルダ。
（項１９）前記接合層は、前記電極の二つの主面の一方のみに設けられる、項１５から１８のいずれかに記載の物体ホルダ。
（項２０）物体を支持するよう構成される物体ホルダのための静電シートであって、前記静電シートは、前記物体を支持するための芯体のバールを収容するための穴と、誘電体層と、前記誘電体層の間に挟まれる電極と、を備え、前記静電シートは、前記静電シートと前記芯体との間の空間から逃げるガスの流出を低減するための円周バリアをさらに備える、静電シート。
（項２１）物体を支持するよう構成される物体ホルダのための静電シートを製造する方法であって、前記方法は、誘電体層に電極を付与することと、前記電極が誘電体層の間に挟まれるように、前記誘電体層を別の誘電体層に接合することと、を備え、前記静電シートは、前記静電シートと前記物体との間の空間から逃げるガスの流出を低減するための円周バリアを備える、方法。
（項２２）前記誘電体層を互いに接合する前に前記電極をパターニングすることを備える、項２１に記載の方法。
（項２３）電気絶縁接合層は、前記誘電体層を互いに接合する前に前記他の誘電体層に付与される、項２１から２２のいずれかに記載の方法。
（項２４）前記物体ホルダの芯体のバールを収容するための穴の所望の位置に基づいて、前記誘電体層を互いに接合する前に、前記誘電体層に選択的に照射することと、前記選択的な照射に基づいて、前記誘電体層を互いに接合した後に、前記穴を形成するために材料を除去することと、を備える、項２１－２３のいずれかに記載の方法。
（項２５）前記材料を除去するステップは、前記誘電体層の照射された部分を選択的にエッチングすることを備える、項２４に記載の方法。
（項２６）前記誘電体層の照射された部分を選択的にエッチングするステップは、レーザを適用することによって実行される、項２５に記載の方法。
（項２７）前記材料を除去するステップは、前記接合層の露出部分を除去する酸化物プラズマに前記静電シートを露出させることを備える、項２４から２６のいずれかに記載の方法。
（項２８）項１から１９のいずれかに記載の物体ホルダを備えるリソグラフィ装置。
（項２９）項２０に記載の静電シートを備えるリソグラフィ装置。
【図1】
【図2】
【図3a】
【図3b】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28a】
【図28b】
【図28c】
【図28d】
【図28e】
【図28f】
【国際調査報告】