平成25(ワ)3360特許権侵害差止請求事件

平成２７年９月２９日判決言渡 同日原本交付 裁判所書記官 東 敏美
平成２５年（ワ）第３３６０号 特許権侵害差止請求事件
口頭弁論終結日 平成２７年７月１６日
判 決
東京都千代田区＜以下略＞
原 告 Ｊ Ｘ 日 鉱 日石 金 属 株 式 会社
同訴訟代理人弁護士 高 橋 雄 一 郎
同訴訟代理人弁理士 望 月 尚 子
東京都千代田区＜以下略＞
被 告 田中貴金属工業株式会社
同訴訟代理人弁護士 鈴 木 修
大 平 茂
大 西 千 尋
磯 田 直 也
同訴訟復代理人弁護士 森 下 梓
同訴訟代理人弁理士 松 山 美 奈 子
主 文
原告の請求をいずれも棄却する。
訴訟費用は原告の負担とする。
事 実 及 び 理 由
第１ 請求
１ 被告は，別紙被告製品目録記載２及び３の各製品（以下，それぞれを「被
告製品２」，「被告製品３」という。）を，生産し，使用し，譲渡し，譲渡
の申出をしてはならない。
２ 被告は，原告に対し，３０万円及びこれに対する平成２６年１１月５日か
ら支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
第２ 事案の概要
本件は，原告が被告に対し，被告による別紙被告製品目録記載１の製品
（以下「被告製品１」という。）並びに被告製品２及び３の製造，販売等が
原告の特許権の侵害に当たる旨主張して，特許法１００条１項に基づき被告
製品２及び３の製造等の差止めを，民法７０９条，特許法１０２条２項に基
づき被告製品１の販売による損害賠償金３０万円及びこれに対する特許権侵
害行為の後の日である平成２６年１１月５日（同年１０月３１日付け訴え変
る遅延損害金の支払を求めた事案である。
１ 前提事実（当事者間に争いのない事実並びに後掲の証拠及び弁論の全趣旨
により明らかに認められる事実）
当事者
原告及び被告は，いずれも，ＨＤＤ用磁性材ターゲットの製造，販売等
を行う会社である。
原告の特許権
ア 原告は，次の特許権（以下「本件特許権」といい，その特許出願の願書
に添付された明細書及び図面を「本件明細書」という。）を有している。
発明の名称 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット
特許番号 第４９７５６４７号
出 願 日 平成１８年１２月２６日
優 先 日 平成１８年１月１３日
登 録 日 平成２４年４月２０日
イ 本件特許権の特許請求の範囲請求項１の記載は次のとおりであり（以下，
この発明を「本件発明１」という。），下記の構成要件（以下，それぞれ
を「構成要件１－Ａ」などという。）に分説される。
「Ｃｏ若しくはＦｅ又は双方を主成分とする材料の強磁性材の中に酸化物，
窒化物，炭化物，珪化物から選択した１成分以上の材料からなる非磁性
材の粒子が分散した材料からなる焼結体スパッタリングターゲットであ
って，前記材料の研磨面で観察される組織の非磁性材の全粒子は，非磁
性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての仮想円よ
りも小さいか，又は該仮想円と，強磁性材と非磁性材の界面との間で，
少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子とから
なり，研磨面で観察される非磁性材の粒子が存在しない領域の最大径が
４０μｍ以下であり，直径１０μｍ以上４０μｍ以下の非磁性材の粒子
が存在しない領域の個数が１０００個／ｍｍ ２ 以下であることを特徴と
する焼結体からなる非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲ
ット。」
記
１－Ａ Ｃｏ若しくはＦｅ又は双方を主成分とする材料の強磁性材の中に
酸化物，窒化物，炭化物，珪化物から選択した１成分以上の材料からな
る非磁性材の粒子が分散した材料からなる焼結体スパッタリングターゲ
ットであって，
１－Ｂ 前記材料の研磨面で観察される組織の非磁性材の全粒子は，非磁
性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての仮想円よ
りも小さいか，又は該仮想円と，強磁性材と非磁性材の界面との間で，
少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子とから
なり，
１－Ｃ 研磨面で観察される非磁性材の粒子が存在しない領域の最大径が
４０μｍ以下であり，
１－Ｄ 直径１０μｍ以上４０μｍ以下の非磁性材の粒子が存在しない領
域の個数が１０００個／ｍｍ ２以下である
１－Ｅ ことを特徴とする焼結体からなる非磁性材粒子分散型強磁性材ス
パッタリングターゲット。
ウ 本件特許権の特許請求の範囲請求項２の記載は次のとおりであり（以下，
この発明を「本件発明２」という。），下記の構成要件（以下，それぞれ
を「構成要件２－Ａ」などという。）に分説される。
「前記材料の研磨面で観察される組織の非磁性材の全粒子は，非磁性材料
粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての仮想円よりも小
さいか，又は仮想円と，強磁性材と非磁性材の界面との間で，少なくと
も２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子とからなり，研
磨面で観察される非磁性材の粒子が存在しない領域の最大径が４０μｍ
以下であり，直径が１０μｍ以上４０μｍ以下の非磁性材の粒子が存在
しない領域の個数が１０００個／ｍｍ ２以下であることを特徴とする請
求項１記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲッ
ト。」
記
２－Ａ 前記材料の研磨面で観察される組織の非磁性材の全粒子は，非磁
性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての仮想円よ
りも小さいか，又は仮想円と，強磁性材と非磁性材の界面との間で，少
なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子とからな
り，
２－Ｂ 研磨面で観察される非磁性材の粒子が存在しない領域の最大径が
４０μｍ以下であり，
２－Ｃ 直径が１０μｍ以上４０μｍ以下の非磁性材の粒子が存在しない
領域の個数が１０００個／ｍｍ ２以下である
２－Ｄ ことを特徴とする請求項１記載の非磁性材粒子分散型強磁性材ス
パッタリングターゲット。
エ 本件特許権の特許請求の範囲請求項３の記載は次のとおりであり（以下，
この発明を「本件発明３」という。），下記の構成要件（以下，それぞれ
を「構成要件３－Ａ」などという。）に分説される。
「前記仮想円と，強磁性材と非磁性材の界面との間で，少なくとも２点以
上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子は，紐状またはヒトデ状
の粒子であることを特徴とする請求項１又は２記載の非磁性材粒子分散
型強磁性材スパッタリングターゲット。」
記
３－Ａ 前記仮想円と，強磁性材と非磁性材の界面との間で，少なくとも
２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子は，紐状またはヒ
トデ状の粒子である
３－Ｂ ことを特徴とする請求項１又は２記載の非磁性材粒子分散型強磁
性材スパッタリングターゲット。
オ 本件特許権の特許請求の範囲請求項６の記載は次のとおりであり（以下，
この発明を「本件発明６」といい，本件発明１～３と合わせて「本件各発
明」という。），下記の構成要件（以下，それぞれを「構成要件６－Ａ」
などという。）に分説される。
「ＤＣスパッタリング用ターゲットであることを特徴とする請求項１～５
のいずれかに記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲ
ット。」
記
６－Ａ ＤＣスパッタリング用ターゲットである
６－Ｂ ことを特徴とする請求項１～５のいずれかに記載の非磁性材粒子
分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
被告製品１（甲４，弁論の全趣旨）
被告は，別紙被告製品目録の１項に記載された会社（以下「セミコンライ
ト社」という。）の依頼を受けて被告製品１を製造し，これをサンプル品と
して同社に譲渡した。原告は，同社から未使用の被告製品１を入手した。
鑑定嘱託の結果
構成要件１－Ｂは，換言すると，研磨面で観察される組織の非磁性材の
全粒子が半径２μｍの仮想円を内包する大きさの粒子ではないということ
である（以下，上記大きさの粒子を「粗大粒子」という。）。
当裁判所は，被告製品１につき，鑑定事項を「研磨面において観察され
る非磁性材料粒子に，半径２μｍの仮想円を内包する大きさのものが存在
するか」とする鑑定嘱託を行った。観察の手順は，要旨，被告製品１の刻
印がない面の一部である「観察試料１」及び同面の別の部分である「観察
試料３」の表面を研磨し，研磨面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し
て黒い領域の有無を確認し，黒い領域がある場合はＳｉ及びＯの面分析を
行うというものである。観察の結果，① 観察試料１及び３の表面積はそれ
ぞれ１２６．９ｍｍ ２，９８．３ｍｍ ２であった，② １回目の研磨後の観察
では，観察試料１及び３のいずれにも非磁性材の粗大粒子は確認できなか
った，③ ２回目の研磨後の観察では，観察試料１につき１か所，観察試料
３につき６か所，非磁性材の粗大粒子を確認できたとされた。ただし，原
告は上記③の観察試料３のうち３か所は粗大粒子でない旨，被告は上記②
の観察試料１に２か所の粗大粒子が観察される旨，それぞれ主張している。
２ 争点
被告製品１について，構成要件１－Ｂの充足性（被告は被告製品１が本
件発明１の他の構成要件を充足することを争っていない。また，被告製品
１が構成要件１－Ｂを充足しないとすれば，本件発明２の構成要件２－Ａ，
本件発明３の構成要件３－Ｂ及び本件発明６の構成要件６－Ｂをいずれも
充足しないことになる。）
被告製品２について，本件各発明の構成要件充足性
被告製品３について，対象物件の特定の当否及び本件各発明の構成要件
充足性
本件各発明に係る特許（以下「本件特許」という。）の無効理由の有無
ア 特開平１０－８８３３３号公報（乙２３。以下「乙２３文献」といい，
これに記載された発明を「乙２３発明」という。）に基づく新規性又は
進歩性の欠如
イ 特開２００４－３３９５８６号公報（乙９（不提出扱いとした乙２６
と同じもの）。以下「乙９文献」といい，これに記載された発明を「乙
９発明」という。）に基づく進歩性欠如
ウ 特開２００１－２３６６４３号公報（乙１９（不提出扱いとした乙２
７と同じもの）。以下「乙１９文献」といい，これに記載された発明を
「乙１９発明」という。）に基づく進歩性欠如
エ 特開２００６－１７６８１０号公報（乙２８。以下「乙２８文献」と
いい，これに記載された発明を「乙２８発明」という。）に基づくいわ
ゆる拡大先願要件（特許法２９条の２）の違反
オ サポート要件（同法３６条６項１号）の違反
被告製品１について，原告の損害額
被告製品２及び３について，差止請求の可否
３ 争点に関する当事者の主張
（原告の主張）
ア 被告製品１の研磨面で観察される非磁性材の粒子は全て半径２μｍの
仮想円より小さい。このことは，被告製品１の研磨面を撮影した６５０
枚ものＳＥＭ写真において粗大粒子が観察されないこと（甲４，７，４
３）から明らかである。なお，上記ＳＥＭ写真は被告製品１の研磨面全
体を撮影したものでないが，本件発明１の技術分野ではスパッタリング
ターゲットの組織の均一性が要求されること，被告のパンフレット等
（甲３，６，４５，５２）においても，酸化物を磁性材料中に微細かつ
均一に分散させた旨記載され，微細な粒子が分散しているＳＥＭ写真が
掲載される一方，巨大な凝集物の存在に触れられていないことからすれ
ば，被告製品１の研磨面全体に粗大粒子が存在しないと認めることがで
きる。
イ これに対し，被告は，① 被告が被告製品１と同一の原料及び方法で製
造したという製品（以下「本件再製品」という。）の研磨面に粗大粒子
が存在すること（乙２），② 鑑定嘱託の結果によれば粗大粒子が複数観
察されたことから，構成要件１－Ｂを充足しない旨主張する。
しかし，上記①につき，本件再製品が被告製品１と同様の組織を有す
るか否かは明らかでない上，仮に粗大粒子が存在するとしても，製造上
不可避的な粗大粒子（後記ウ）であるから，これにより構成要件１－Ｂ
の充足が否定されることはない。また，上記②については以下のとおり
であり，被告製品１は本件発明１の技術的範囲に含まれる。
構成要件１－Ｂにいう「研磨面」は１回目の研磨後の表面をいうと
ころ（後記エ），１回目の研磨後に粗大粒子は確認できなかったとす
るのが鑑定嘱託の結果であって，２回目の研磨後の粗大粒子の存否は
充足性に関係しない。
鑑定嘱託において粗大粒子と判断されたＳＥＭ写真上の黒色の領域
は，その内部に白色の領域を含んでいる。後者は，強磁性材であるの
で，仮想円から除外されるべきである。そうすると，黒色の領域は半
径２μｍの仮想円を内包するものとならないから，非磁性材の粗大粒
子は存在しないことになる。
仮に１回目の研磨後に非磁性材の粗大粒子が存在し，又は２回目の
研磨後の表面が「研磨面」に含まれるとしても，観察された粗大粒子
は不可避的な粗大粒子（後記ウ）であるから，その存在により構成要
件１－Ｂの充足は否定されない。
仮に被告製品１に粗大粒子が存在することにより構成要件１－Ｂを
文言上は充足しないと判断されるとしても，そのような粒子は観察試
料１及び３の表面積に照らせばごく僅かである。他の非磁性材の粒子
は全て構成要件１－Ｂに規定する大きさであり，被告製品１は本件発
明１の作用効果を奏するから，本件発明１の構成と均等ということが
できる。
ウ 本件発明１に係るスパッタリングターゲットは工業製品であり，自然
現象を利用して製造する以上，非磁性材の大きさをどんなに制御しても
粗大粒子が生成されることは避けられない。したがって，構成要件１－
Ｂにいう「非磁性材の全粒子」にはそのような例外的に存在する不可避
的な粗大粒子は含まれないと解するのが相当である。本件発明１は，不
可避的な粗大粒子をなくす発明ではなく，そのことは本件明細書の実施
例１～３並びに比較例１及び２から明らかである。
エ 本件明細書には，ターゲットの表面のＳＥＭ写真が掲載されているの
みであり，ターゲットの組織を観察するために準備された研磨面を更に
掘り下げた面を用いて組織を観察することは記載されていない。ターゲ
ットの組織は数枚のＳＥＭ写真で観察されるものがターゲット全面に同
様に広がっていると評価するのがターゲットの分野における技術常識で
ある。したがって，構成要件１－Ｂにいう「前記材料の研磨面」には，
一度研磨した面を更に掘り下げた面は含まれない。
（被告の主張）
ア 被告製品１は被告がセミコンライト社に納入するため１枚だけ製造し
たものであるので，被告はこれと同一の原料及び方法により本件再製品
を製造した。そして，その研磨面を観察したところ非磁性材の粗大粒子
が存在したので，被告製品１にも同様の粗大粒子が存在すると考えられ
る。
また，鑑定嘱託の結果によれば，被告製品１に非磁性材の粗大粒子が
含まれることは明らかである。
したがって，被告製品１は構成要件１－Ｂを充足しない。
イ これに対し，原告は，① 不可避的な粗大粒子は構成要件１－Ｂの「全
粒子」に含まれないこと，② 構成要件１－Ｂの「研磨面」とは１回目の
研磨後のものをいうこと，③ 非磁性材の粒子中に含まれる強磁性材を除
外すべきこと，④ 被告製品１は本件発明１の構成と均等であることを理
由に，構成要件１－Ｂの充足性を主張する。
しかし，上記①につき，本件明細書に非磁性材の粗大粒子の存在を許
容する記載はなく，原告は本件特許の出願経過において非磁性材の粗大
粒子がないことが公知技術と区別されるべき本件発明１の特徴である旨
繰り返し述べていた。したがって，構成要件１－Ｂにいう「全粒子」は
文字どおり全ての粒子をいうと解すべきである。
上記②につき，スパッタリングターゲットは，スパッタリングの進行
に従って内部がターゲット面として露出してくるから，表面と内部の組
織は同じでなければならない。したがって，２回目の研磨後も「研磨
面」に含まれる。なお，１回目の研磨後につき，鑑定嘱託の結果では粗
大粒子が存在しないとされているが，正しく観察すれば２か所に存在が
認められる。
上記③につき，非磁性材の粒子は小さな粒子が多数集まって形成され
るものであるから，内部に強磁性材が取り込まれたとしても全体として
一つの凝集物とみるべきである。
上記④につき，原告は作用効果の同一をいうのみであり，均等による
特許権侵害成立のための要件を主張していない。
ウ 被告製品１は，被告がセミコンライト社（なお，原告は被告製品１の
入手経路を明らかにしなかったが，その成分割合が被告の製造したスパ
ッタリングターゲットの中で特殊なものであったので，被告はこれをセ
ミコンライト社に納入した２枚のサンプル品の一つと特定することがで
きた。）の依頼により，同社からの具体的な指示に従って製造したもの
である。被告は被告製品１を包装袋に密封してセミコンライト社に提供
したが，原告は密封された状態の被告製品１を入手した上，その分析を
行ったところ本件各発明の構成要件を全て充足していたと主張して，本
件訴訟を提起した（他の１枚のサンプル品についても，原告は別の特許
権に基づいて被告を提訴している。）。このような事情からすれば，原
告は，特許権侵害訴訟を提起する目的で，被告に被告製品１を製造させ
たということができるから，仮にこれが本件発明１の技術的範囲に含ま
れるとするならば，その製造については原告の許諾があると評価するこ
とができる。
（原告の主張）
垂直磁気記録メディア用ターゲットは，金属の粗粒を含有しない微細化
品と，金属の粗粒を含有することによりＰＴＦ（漏洩磁束）値を高くした
高ＰＴＦ品に大きく分類されるところ，被告製品１は微細化品に属する。
また，原告が被告製品２と同一の仕様で同じターゲットユーザーに納品し
ている製品は微細化品であるので，被告製品２も微細化品である蓋然性が
高い。そして，同じターゲットメーカーが製造する微細化品は，高品質か
つ安定供給などの観点から，いずれも同様の組織となる。したがって，被
告製品２は，被告製品１と同様に本件各発明の構成要件を全て充足する。
（被告の主張）
垂直磁気記録メディア用ターゲットが微細化品と高ＰＴＦ品の２種類に
分類されるという事実はない。また，あるターゲットメーカーが製造する
ターゲットが原告のいう「微細化品」であれば同様の組織となることもな
い。
（原告の主張）
ア 原告は，被告製品３の特定に当たり，納品先と組織及び組成を組み合
わせ，さらに，「幅が１０μｍ以上の金属の相が研摩面で観察されな
い」という限定により微細化品に限定しているから，特定として十分で
ある。
イ 同じターゲットユーザーに納品されている製品は，原告製造のものも
被告製造のものも同様の組成であり，同様の性能を有すると合理的に推
測される。そして，被告製品１と同様の組成である被告製品３は，被告
製品１と同様の組織を有している。したがって，被告製品３は，被告製
品１と同様に本件各発明の構成要件を全て充足する。
（被告の主張）
原告による被告製品３の特定は，組成や製品番号等による限定が不十分
であり，実質的に被告が製造する全てのスパッタリングターゲットを包含
しかねないものであって，不当である。
（被告の主張）
本件特許には以下の無効理由があるから，原告は本件特許権を行使する
ことができない（特許法１０４条の３第１項）。
ア 乙２３文献に基づく新規性及び進歩性の欠如
乙２３発明は，以下の構成を備えている。なお，ターゲットの組織
を示す乙２３文献の図１は不鮮明であるが，この公開特許公報に係る
特許願に鮮明な図面（図面代用写真。以下「乙２４写真」という。）
が添付されており，これによれば，乙２３発明のターゲットは次のｂ
～ｄの構成を備えると認められる。
ａ ＳｉＯ ２がＣｏ ８２Ｃｒ １３Ｔａ ５合金中に分散した組織を有する非磁
性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットであって，
ｂ 前記ターゲットの研磨面で観察される組織のＳｉＯ ２の全粒子は，
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての
仮想円よりも小さいか，又は該仮想円と少なくとも２点以上の接点
又は交点を有する形状及び寸法の粒子からなり，
ｃ ＳｉＯ２粒子が存在しない領域の最大径が１０μｍ以下であり，
ｄ 直径１０μｍ以上４０μｍ以下のＳｉＯ ２粒子が存在しない領域の
個数が０個／ｍｍ２である
ｅ ことを特徴とする焼結体からなる酸化物分散型Ｃｏ系合金スパッ
タリングターゲット。
乙２３発明の上記各構成は，それぞれ本件発明１の構成要件１－Ａ
～１－Ｅと一致する。また，上記構成ｂは，本件発明２の構成要件２
－Ａと一致し，本件発明３の構成要件３－Ａに含まれるから，乙２３
発明と本件発明２及び３の間に相違点はない。本件発明６についても，
乙２３発明がＤＣスパッタリング用ターゲットに限定されていない点
で一応相違するが，乙２３発明をＤＣスパッタリングに用い得ること
は乙２３文献の記載から明らかである。
したがって，本件各発明は，いずれも乙２３発明と実質的に同一で
あるから，新規性を欠く。
乙２３文献の図１が不鮮明であり，乙２３発明が本件各発明と同一
であると認められないとしても，当業者は，乙２３文献に記載の実施
例を再現することによってターゲットを作製し，その組織を容易に確
認することができる（乙２５）。また，本件発明６につき，当業者が
乙２３文献の記載及び周知技術に基づいて乙２３発明をＤＣスパッタ
リングに用いることは容易である。
したがって，本件各発明は，進歩性を欠く。
イ 乙９文献に基づく進歩性欠如
乙９発明は，① ＳｉＯ ２ の全粒子が半径２μｍの全ての仮想円より小
さいといえない点，② 直径１０～４０μｍのＳｉＯ ２ 粒子が存在しない
領域が１０００個／ｍｍ ２以下か否か明確でない点で本件各発明と相違し，
さらに，③ ＤＣスパッタリング用ターゲットに限定されていない点で本
件発明６と相違するが，その余の構成は一致する。
上記①につき，乙９発明はシリカ相の平均幅を０．９μｍとするもの
であるが，本件各発明と乙９発明は非磁性材粒子を微細粒子とすること
でパーティクル発生を阻止するという原理において共通するから，シリ
カ相の幅を半径２μｍの仮想円より小さくすることを容易に想到し得る。
上記②につき，当業者であれば，乙９文献の記載及び技術常識に基づき，
混合条件を変更するなどして，より一層均一に混在した組織を達成する
ことができる。上記③につき，乙９発明をＤＣスパッタリングに用い得
ることは当業者が容易に想到し得る事項である。
したがって，本件各発明は，いずれも進歩性を欠く。
ウ 乙１９文献に基づく進歩性欠如
乙１９発明は，① 非磁性材の全粒子が半径２μｍの全ての仮想円より
小さいといえない点，② 直径１０～４０μｍの非磁性材の粒子が存在し
ない領域が１０００個／ｍｍ ２以下か否か明確でない点で本件各発明と相
違し，さらに，③ ＤＣスパッタリング用ターゲットでない点で本件発明
６と相違するが，その余の構成は一致する。
上記①につき，乙１９文献の記載によれば，非磁性材粒子の粒径が５
μｍ以下であっても２μｍ以下であってもパーティクルの発生抑制につ
いて同一の効果を発揮するといえるから，この点は実質的な相違でない。
上記②につき，乙１９文献にはＳｉＯ ２粒子が微細かつ均一に合金相中に
分散した組織となることが開示されているから，本件各発明の構成は当
業者が技術常識に基づいて容易に達成できるものである。上記③につき，
乙１９発明をＤＣスパッタリングに用い得ることは当業者が容易に想到
し得る事項である。
したがって，本件各発明は，いずれも進歩性を欠く。
エ 乙２８文献に基づく拡大先願要件の違反
本件発明１の構成は，乙２８発明と一致する。
乙２８発明は，非磁性材の全粒子が半径１μｍの仮想円より小さい
といえない点で本件発明２，３及び６と一応相違するが，乙２８文献
には平均粒径０．１～１０μｍのＳｉＯ ２ 粉末を用いることで微細な組
織が得られることが開示されているから，この点に実質的な相違はな
い。また，乙２８発明をＤＣスパッタリングに用いることは当業者の
技術常識の範囲内である。
したがって，本件各発明は，本件特許より前に出願され，その後に
公開された乙２８文献に記載された発明と同一であるから，特許を受
けることができない。
オ サポート要件違反
本件特許は，① Ｃｏ又はＦｅを主成分とし，酸化物等からなる非磁性
材の粒子が分散しているとするのみで，ターゲットの成分組成を特定し
ていない点，② 非磁性材の粒子の形状及び寸法につき，観察の対象，方
法，条件等が不明な点，③ 非磁性材の粒子が存在しない領域の最大径な
いし個数の意義及び決定方法が記載されていない点，④ 本件発明６につ
き，ＤＣスパッタリング用ターゲットとする根拠が示されていない点に
おいて，本件明細書の発明の詳細な説明に記載された範囲を超えて特許
を請求するものであるから，サポート要件に違反する。
（原告の主張）
以下のとおり，被告の無効主張はいずれも失当である。
ア 乙２３文献に基づく新規性及び進歩性の欠如の主張について
被告は，乙２３文献の発明の詳細な説明の記載及び図１（乙２４写真
を含む。）に基づいて乙２３発明の構成を特定している。
しかし，原告が検討したところ，乙２３文献の記載には信ぴょう性が
なく，技術的に意味がないことが分かった。すなわち，乙２３文献に記
載された合金と酸化物（ＳｉＯ ２）の重量％に基づいてモル比率及び体積
比率を換算すると，酸化物の体積比率は１１．５％となる。他方，図１
の一部を酸化物の領域を示す黒い部分と金属素地の部分に２値化し，面
積比率を算出すると，酸化物の領域は１．８％となる。また，マトリッ
クス相と分散相が均一に分散したバルク体における分散相の体積比率は，
任意に選択した組織面で観察される分散相の面積比率と一致するのが技
術常識である。ところが，乙２３文献においては面積比率が体積比率の
約６分の１となっており，技術常識に反している。
以上のとおり，乙２３発明を本件各発明の先行技術と位置付けること
はできないから，乙２３文献に基づく無効主張は認められない。
イ 乙９文献に基づく進歩性欠如，乙１９文献に基づく進歩性欠如及び乙
２８文献に基づく拡大先願要件違反の主張について
被告はこれら各文献の記載に基づいて乙９発明，乙１９発明及び乙２
８発明の各構成を特定したとするが，これらの文献にはターゲットの組
織写真が存在せず，又は掲載された組織写真が不鮮明であって，ターゲ
ットの具体的な組織は分からない。したがって，被告主張のように各発
明の構成を特定することは不可能であり，本件各発明と対比して進歩性
等を判断することはできない。
ウ サポート要件違反の主張について
本件各発明の特許請求の範囲の記載は明確であり，具体的構成，効果
等も本件明細書に記載されているから，サポート要件の違反はない。
（原告の主張）
原告と被告は競合関係にあり，被告が特許権侵害行為により得た利益の
額は原告の受けた損害の額と推定される（特許法１０２条２項）。被告製
品１の販売による被告の利益額は３０万円を下らない。
（被告の主張）
争う。
（原告の主張）
被告は，被告製品２及び３を現に製造販売し，本件特許権の侵害行為を
継続しているから，原告は，被告に対し，特許法１００条１項に基づき，
被告製品２及び３の生産，使用，譲渡及び譲渡の申出の差止めを求める。
（被告の主張）
争う。
第３ 当裁判所の判断
１
非磁性材の全粒子が粗大粒子（半径２μｍの仮想円を内包する大きさの粒
子）でないことを要件とするところ，鑑定嘱託の結果及び当事者の主張に
よれば，被告製品１には２回目の研磨後の研磨面に少なくとも４か所の粗
大粒子が存在することが明らかである。そうすると，被告製品１は構成要
件１－Ｂを充足せず，本件発明１の技術的範囲に属しない（したがって，
本件発明２，３及び６の技術的範囲にも属しない）と判断するのが相当で
ある。
これに対し，原告は，① 不可避的な粗大粒子は「全粒子」に含まれない，
② 「研磨面」とは１回目の研磨後の面をいう，③ 非磁性材の粒子中に含
まれる強磁性材は除外される，④ 被告製品１は本件発明１の構成と均等で
あるとして，構成要件１－Ｂを充足する旨主張するが，以下のとおり，い
ずれも失当と解すべきである。
ア 上記①（不可避的な粗大粒子）について
構成要件１－Ｂに係る特許請求の範囲の記載は「前記材料の研磨面
で観察される組織の非磁性材の全粒子は，非磁性材料粒子内の任意の
点を中心に形成した半径２μｍの全ての仮想円よりも小さいか，又は
該仮想円と，強磁性材と非磁性材の界面との間で，少なくとも２点以
上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子とからなり，」という
ものであり，非磁性材の全ての粒子が「非磁性材料粒子内の任意の点
を中心に形成した半径２μｍの全ての仮想円よりも小さい」か，又は
「該仮想円と，強磁性材と非磁性材の界面との間で，少なくとも２点
以上の接点又は交点を有する」形状及び寸法であること，すなわち，
半径２μｍの仮想円を内包する大きさでないことを要件としている。
そうすると，特許請求の範囲の文言上，非磁性材の粗大粒子が存在す
る場合には構成要件１－Ｂを充足しないと解するのが相当である。
とができる。
本件明細書には次の趣旨の記載がある一方，本件発明１において非
磁性材の粗大粒子の存在が許容されることをうかがわせる記載は見当
たらない。（甲２）
ａ 背景技術（段落【０００５】，【０００６】）
酸化物等の非磁性材料を細かく球状に分散させた組織を持つスパ
ッタリングターゲットの工夫がされているが，パーティクルが大量
に発生するという問題があった。公知技術はいくつかあるが，その
ような方法では，スパッタリングによって膜を形成する際にパーテ
ィクルが極端に増加し，ターゲット材料には適合しないことが強く
予想される。
ｂ 発明が解決しようとする課題（段落【０００７】）
本件各発明は，スパッタリングによって膜を形成する際にＤＣス
パッタによる高速成膜が可能であり，さらに，スパッタ時に発生す
るパーティクル（発塵）やノジュールを低減させ，品質のばらつき
が少なく量産性を向上させることができ，かつ，結晶粒が微細であ
り高密度の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット
を得ることを目的とする。
ｃ 課題を解決するための手段（段落【０００８】～【００１０】）
上記の課題を解決するため，発明者らが鋭意研究を行った結果，
非磁性材粒子分散の形態を調整し，導電性を保有させてＤＣスパッ
タを可能とし，かつ，密度を高め，さらに，スパッタ時に発生する
パーティクルやノジュールを大幅に低減できるとの知見を得た。本
件各発明のスパッタリングターゲットは，強磁性材の中に非磁性材
の粒子が分散した材料の研磨面で観察される組織中の非磁性材の全
粒子が特許請求の範囲に記載された形状及び寸法を備えていること
を特徴とする。すなわち，半径２μｍの仮想円が非磁性材料粒子に
内包されるような粗大化した粒子は，本件各発明に含まれない。上
記条件を満たせば，非磁性材料粒子の形状及び大きさに特に制限は
ない。球状の場合は直径が４．０μｍ以下となり，このような微細
粒子はパーティクルの発生にほとんど影響しない。非磁性材の粒子
は，球状である必要はなく，むしろ，ひも状，ヒトデ状又は網目状
が望ましいとすらいえる。研磨面で観察される大型の球状物は脱粒
を起こしやすく，脱粒した場合にパーティクル発生量はその影響を
強く受けるからである。
ｄ 発明の効果（段落【００１４】）
本件各発明のスパッタリングターゲットを使用することにより，
品質の優れた材料を得ることができ，特に磁性材料を低コストで安
定して製造できるという著しい効果がある。さらに，スパッタリン
グターゲットの密度向上は，非磁性材と強磁性材の密着性を高める
ことにより，非磁性材の脱粒を抑制することができ，また，空孔を
減少させ結晶粒を微細化し，ターゲットのスパッタ面を均一かつ平
滑にすることができるので，スパッタリング時のパーティクルやノ
ジュールを低減させ，さらに，ターゲットライフも長くすることが
できるという著しい効果を有する。
子が存在することによりパーティクルが発生するとの従来技術の問題
点を解決するため，非磁性材の粒子を特許請求の範囲に記載された形
状及び寸法に限定するという構成を採用したものであり，これにより
上記の効果が得られたと認められる。そうすると，非磁性材の粒子の
大きさが上記の範囲内にあること，すなわち，非磁性材の粗大粒子が
存在しないことは課題解決のための本質的部分であり，粗大粒子の存
在は本件発明１の目的に反するとみることができる。
これに加え，原告は，本件特許の出願経過において，① 本件各発明
のスパッタリングターゲットにおいては，半径２μｍの仮想円を超え
る球形の粒子は存在せず，球形以外の粒子については仮想円と少なく
とも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法を有しており，こ
れ以外の粒子が存在すると発明の目的を達成することができないので，
その存在は許容されない旨（早期審査に関する事情説明書。乙８），
② 存在しては困る非磁性材の粒子は，半径２μｍの全ての仮想円より
も大きく，しかも２点以上の接点又は交点を有しない形状及び寸法の
粒子であり，このような「太った粒子」が存在すると，本件各発明の
効果を得ることができない旨（拒絶理由通知に対する意見書。乙６）
を述べている。そうすると，原告が不可避的な粗大粒子が存在しても
構成要件１－Ｂを充足すると主張することは許されないと解すべきで
ある。
イ 上記②（研磨面）について
構成要件１－Ｂに係る特許請求の範囲には「前記材料の研磨面」と
記載されているところ，この「前記材料」は，直前の「非磁性材の粒
子が分散した材料からなる焼結体スパッタリングターゲットであっ
て」との記載を受けたものであるから，スパッタリングターゲット自
体ではなく，その材料を指すと認められる。そうすると，特許請求の
範囲の文言上，「研磨面」が１回目の研磨後のターゲットの表面に限
られるとみることは困難である。
また，証拠（甲２）及び弁論の全趣旨によれば，スパッタリングタ
ーゲットを用いたスパッタリング法とは，正の電極となる基板と負の
電極となるターゲットを対向させ，不活性ガス雰囲気下で基板とター
ゲットの間に高電圧又は高周波を印加して電場を発生させてプラズマ
を形成し，プラズマ中の陽イオンがターゲット表面に衝突してターゲ
ット構成原子をたたき出し，この原子が対向する基板表面に付着して
膜が形成されるという原理を用いたものであり，スパッタリングの進
行に伴ってターゲットの表面が消耗するとターゲットの内部が露出し，
その部分もスパッタリングに供されることが認められる。そうすると，
非磁性材の粗大粒子によるパーティクル発生の防止という課題は，非
磁性材がターゲットの表面にある場合だけでなく，ターゲットの内部
にある場合にも共通すると解される。
以上によれば，構成要件１－Ｂにいう「前記材料の研磨面」は，焼
結体スパッタリングターゲットの材料の表面又は内部の任意の箇所を
研磨した面を意味し，２回目以降の研磨後の面も含むと判断するのが
相当である。
なお，鑑定嘱託の結果報告書中の１回目の研磨後の観察試料１のＳ
ＥＭ写真を精査すると，半径２μｍの仮想円を内包する大きさの非磁
性材の粒子が２か所存在するとみることが可能である（乙４１参照）。
そうであるとすれば，「研磨面」につき原告主張の解釈を採用したと
しても，被告製品１は構成要件１－Ｂを充足しないことになる。
ウ 上記③（強磁性材の除外）について
本件明細書（甲２）には，本件発明１のスパッタリングターゲットの
製造方法として，強磁性材及び非磁性材の１～５μｍの微粉（実施例１
～３並びに比較例１及び２では平均粒径１μｍの非磁性材の微粉が用い
られている。）を混合した後に焼結することが記載されており，比較例
１では直径５～８μｍ程度の擬似球状の粗大なＳｉＯ ２（非磁性材）粒子
が分散していたと，比較例２では非常に大きな強磁性材粒子の粒界にＳ
ｉＯ ２ の粗大粒子が分散した層が存在したとされている（段落【００１
６】，【００２２】，【００２５】，【００２７】，【００２９】，
【００３１】）。上記の製造方法に照らすと，比較例における非磁性材
の粗大粒子は微粉が凝集して粗大化したものと推認され，その過程で強
磁性材の微粉を取り込むことがあると想定されるが，本件明細書には，
上記各比較例の非磁性材の粗大粒子に関して，強磁性材の含有の有無や
これによる本件発明１の効果との関係等を出願人が考慮したとうかがわ
せる記載はない。
また，粗大粒子が脱粒することがパーティクル発生の原因とされると
含んでいるか否かにより変わるものでないと解される。
そうすると，非磁性材の粗大粒子中の強磁性材の存在は構成要件１－
Ｂの充足性と関係がないと解すべきである。
エ 上記④（均等）について
原告は，被告製品１と本件発明１の作用効果の共通をいうものの，均
等の成立を認めるに足りる要件の主張をしていない。かえって，前記ア
部分というべきものであるから，これが存在する被告製品１につき均等
による特許権侵害を認めることはできない。
したがって，その余の点について判断するまでもなく，被告製品１に係
る原告の損害賠償請求は理由がない。
２
成要件充足性）について
原告は，被告製品１が本件各発明の技術的範囲に属することを前提に，被
告製品２及び３の組織がいずれも被告製品１と同一であることから，被告製
品２及び３の製造販売等も本件特許権を侵害する旨主張する。しかし，被告
製品１が本件各発明の技術的範囲に属しないことは上記１において判断した
とおりであるから，被告製品２及び３に係る原告の請求は，前提を欠き，そ
の余の点について判断するまでもなく，いずれも理由がない。
３
被告製品１～３がいずれも本件各発明の技術的範囲に属しないことは上記
新規性及び進歩性の欠如について更に判断する。
原告は，乙２３文献は酸化物の体積比率と面積比率がかい離する点で記
載内容に信ぴょう性がないから，これに基づく無効主張は認められない旨
主張する。
そこで判断するに，まず，仮に乙２３文献に誤りがあるとしても，その
ことから直ちに同文献が特許法２９条１項３号所定の「刊行物」に当たら
ないとすることはできない。
また，原告は，従業員作成の陳述書（甲５３）を根拠に，乙２３発明の
ターゲットに含まれる酸化物の体積比率及び面積比率を算出した旨主張す
るが，体積比率については，ターゲット中の金属部分及び酸化物粒子それ
ぞれの密度が不明であるなど，これを算出した過程が明らかでなく，その
正確性は判断し難い。面積比率については，図１から分析対象として抜き
出す範囲の選定及び黒い部分とそれ以外に２値化した基準のいずれについ
ても客観的に適正であることの裏付けに欠けている（なお，原告は，本件
特許の出願経過において，乙２３文献の図１は不鮮明であり，これに記載
されている組織は全く判別できない旨述べており（乙８），２値化をいう
こと自体がこれと矛盾するというほかない。）。さらに，体積比率と面積
比率が一致するとの技術常識を認めるべき証拠もない。
したがって，原告の上記主張を採用することはできない。
進んで，乙２３文献の記載と本件各発明の構成を対比すると，証拠（乙
２３，２４）及び弁論の全趣旨によれば，乙２３文献には
れていると認めることができる。なお，乙２３文献の図１は不鮮明であり，
非磁性材の粒子の大きさや分散状況を認定するのは困難であるが，乙２４
写真は何人も閲覧可能であるので（特許法１８６条１項参照），これを含
めて上記ａ～ｅの構成が公知であったと認められる。
そうすると，本件発明１～３は，乙２３発明と同一であり，新規性を欠
くと判断すべきものとなる。
また，本件発明６は，ＤＣスパッタリング用とされる点において，その
ような限定のない乙２３発明と相違するが，乙２３発明は合金中に少量の
酸化物（実施例においては３重量％）を均一かつ微細に分散させたもので
あり，同種の組成のターゲットをＤＣスパッタリングに用いることが公知
であったこと（乙２９～３１）に照らせば，この点は当業者が容易に推考
することができたと解される。
以上によれば，本件特許は無効にされるべきものであるから，原告が本
件特許権を行使することはできない（特許法１０４条の３第１項）。
第４ 結論
よって，原告の請求はいずれも理由がないから棄却することとし，主文の
とおり判決する。
東京地方裁判所民事第４６部
裁判長裁判官 長 谷 川 浩 二
裁判官 清 野 正 彦
裁判官 藤 原 典 子
別 紙
被 告 製 品 目 録
１ Ｃｏを含有し，さらに，Ｃｒ：６－１０ｍｏｌ％，Ｐｔ：１１－１５ｍｏｌ％，
ＳｉＯ２：８－１２ｍｏｌ％を含有する磁気記録メディア用ターゲット（大韓民
国京畿道龍仁市＜以下略＞所在のセミコン・ライト株式会社向け製品であって，
被告社内の品名コードが２３０１３５３５０８であるものに限る。）
２ ●（省略）●
３ アメリカ合衆国９５０１４カリファルニア州クッパチーノ市＜以下略＞所在の
シーゲイト・テクノロジー社，アメリカ合衆国９２６１２カリファルニア州アー
バイン市＜以下略＞所在のウエスタンデジタル社，東京都港区＜以下略＞所在の
昭和電工株式会社，東京都品川区＜以下略＞所在の富士電機株式会社及びアメリ
カ合衆国９５１３５カリファルニア州サンノゼ市＜以下略＞所在のＨＧＳＴ社向
けの磁気記録メディア用ターゲットであって，Ｃｏを主成分とする強磁性材の中
に酸化物を含有するが，幅が１０μｍ以上の金属の相が研摩面で観察されない磁
気記録メディア用ターゲット（但し，被告製品１，２，●（省略）●を除く。）
以 上