平成25(ワ)7478特許権侵害差止等請求事件

平成２８年１０月１４日判決言渡 同日原本交付 裁判所書記官
平成２５年(ﾜ)第７４７８号 特許権侵害差止等請求事件
口頭弁論終結日 平成２８年８月１７日
判 決
別紙当事者目録記載のとおり
主 文
１ 被告Ｅ＆Ｅ Ｊａｐａｎ株式会社は，原告に対し，３８万円及び
これに対する平成２５年４月２４日から支払済みまで年５分の割合
による金員を支払え。
２ 被告株式会社立花エレテックは，原告に対し，２０万３０００円
及びこれに対する平成２５年４月２４日から支払済みまで年５分の
割合による金員を支払え。
３ 原告のその余の請求をいずれも棄却する。
４ 訴訟費用は，原告に生じた費用の６分の１と被告Ｅ＆Ｅ Ｊａｐ
ａｎ株式会社に生じた費用の３分の１を被告Ｅ＆Ｅ Ｊａｐａｎ株
式会社の負担とし，原告に生じた費用の６分の１と被告株式会社立
花エレテックに生じた費用の３分の１を被告株式会社立花エレテッ
クの負担とし，その余を原告の負担とする。
５ この判決は，第１項及び第２項に限り，仮に執行することができ
る。
事 実 及 び 理 由
第１ 請求の趣旨
１ 被告Ｅ＆Ｅ Ｊａｐａｎ株式会社は，原告に対し，１２４万円及びこれに対
する平成２５年４月２４日（訴状送達の日の翌日）から支払済みまで年５分
の割合による金員（ただし，第２項の金員の限度で被告株式会社立花エレテ
ックと連帯して）を支払え。
２ 被告株式会社立花エレテックは，原告に対し，被告Ｅ＆Ｅ Ｊａｐａｎ株式
会社と連帯して，１０６万円及びこれに対する平成２５年４月２４日（訴状
送達の日の翌日）から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
３ 訴訟費用は被告らの負担とする。
４ 仮執行宣言
第２ 事案の概要
本件は，発明の名称を「窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法」と
する特許権（特許第２７８０６１８号）を有していた原告が，被告Ｅ＆Ｅ
Ｊａｐａｎ株式会社（以下「被告Ｅ＆Ｅ」という。）が輸入して被告株式会
社立花エレテック（以下「被告立花」という。）に販売し，被告立花におい
てこれを第三者に販売等した別紙物件目録記載の青色ＬＥＤは，上記特許権
の特許請求の範囲請求項１記載の発明の技術的範囲に属する製造方法により
製造されたものであると主張し，民法７０９条に基づく損害賠償として，被
告Ｅ＆Ｅに対しては１２４万円（ただし，１０６万円の範囲で被告立花と連
帯して），被告立花に対しては被告Ｅ＆Ｅと連帯して１０６万円，及びこれ
らに対する不法行為後の日（訴状送達の日の翌日）である平成２５年４月２
４日から各支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支払を
求めた事案である。
１ 前提事実（当事者間に争いがない事実又は文中掲記した証拠及び弁論の全趣
旨により容易に認定できる事実）
(1) 当事者
ア 原告は，半導体及び関連材料，部品，応用製品の製造，販売並びに研究
開発などを業とする株式会社である。
イ 被告Ｅ＆Ｅは，電子部品の輸出入及び販売等を業とする株式会社である。
ウ 被告立花は，各種電気機械器具，照明機械器具，電子応用機械器具等の
製造・販売，半導体素子等の輸出入及び販売等を業とする株式会社である。
(2) 原告の有していた特許権
原告は次の特許権を有していた（以下「本件特許権」といい，その特許
請求の範囲請求項１記載の発明を「本件発明」と，本件特許に係る明細書
及び図面を「本件明細書等」という。本件特許の特許公報を末尾に添付す
る。）。〔甲１，２〕
登録番号 第２７８０６１８号
発明の名称 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
出願日 平成５年１１月６日（特願平５－３００９４０号）
公開日 平成７年５月１９日（特開平７－１３１０６９号）
登録日 平成１０年５月１５日
存続期間満了日 平成２５年１１月６日
(3) 本件発明の内容
本件発明に係る特許請求の範囲の記載は末尾添付の特許公報該当欄記載の
とおりである。
(4) 構成要件の分説
本件発明を構成要件に分説すると，以下のとおりである（以下「構成要件
Ａ」などと表記する。）。
Ａ サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハー
から窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において，
Ｂ 前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を
所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると共に，第一の割
り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程と，
Ｃ 前記ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位
置で，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第
二の割り溝を形成する工程と，
Ｄ 前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って，前記ウエハーを
チップ状に分離する工程とを具備することを特徴とする
Ｅ 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。
(5) 本件特許の出願経過等
ア 原告は，平成５年１１月６日，本件特許出願をした。〔乙８〕
特許庁審査官は，平成９年８月５日付けで拒絶理由通知をした。
原告は，平成９年１０月２０日付けで本件特許出願につき手続補正
（以下「本件補正」という。）をするとともに，同日，特願平９－３０
６３９４号（以下「別件分割出願」という。）を分割出願した。
本件補正において，原告は，特許請求の範囲請求項１の記載につき，
「サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハー
から窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において，前記
ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望の
チップ形状で線状にエッチングにより形成すると共に，第一の割り溝の
一部に電極が形成できる平面を形成する工程と，前記ウエハーのサファ
イア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で，第一の割り溝の線
幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成する工
程と，前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って，前記ウエハ
ーをチップ状に分離する工程とを具備することを特徴とする窒化ガリリ
ム系（窒化ガリウム系の誤記であることにつき当事者間に争いがない。
以下「窒化ガリウム」と表記する。）化合物半導体チップの製造方法。」
（下線が補正箇所）とする補正を行った。〔乙７〕
平成１０年４月３日，本件特許につき特許査定がされた。
イ 別件分割出願については，平成１０年１２月１１日に，特許第２８６１
９９１号として設定登録がされ，平成１１年２月２４日に特許公報が発
行されたが，同年８月２４日付けで異議申立て（平成１１年異議第７３
２２１号）がされたため，原告は，平成１２年１月１７日に訂正請求を
行い，同年４月３０日付けで訂正請求書の補正を行い，同日，意見書
（乙１５）も提出したが，同年６月１６日付け異議決定により，特許が
取り消された。〔乙１０〕
(6) 無効審判請求の経緯及び原告による訂正請求
ア 台湾法人である訴外エヴァーライト エレクトロニクス カンパニー
リミテッド（以下「エヴァーライト」という。）は，平成２５年６月２
８日，本件特許の特許請求の範囲請求項１ないし４の発明につき，無効
審判請求（無効２０１３－８００１１４号事件）をした。〔甲８〕
原告は，同年９月２０日，そのうちの請求項１（本件発明）につき，
訂正請求（以下「本件訂正請求」という。）をした。〔甲９〕
イ 特許庁は，平成２６年９月１９日，本件訂正請求の一部の訂正事項は本
件特許の明細書に記載した事項の範囲内の訂正とは認められず，これを含
む本件訂正請求は特許法１３４条の２第９項で準用する同法１２６条５項
の規定に適合しないとして訂正を認めないとした上で，審判の請求は成り
立たないとの審決をした。〔甲２１〕
これに対しては，エヴァーライトが，知財高裁に対し，審決取消訴訟
（知財高裁平成２７年（行ケ）第１００１５号事件）を提起した。〔弁
論の全趣旨〕
知財高裁は，平成２８年３月１０日，上記事件につき，エヴァーライト
の請求を棄却する判決をした。〔甲２６〕
ウ 原告は，本件において，本件訂正請求に基づく訂正の再抗弁を主張して
いたが，平成２７年４月２１日の弁論準備手続期日において，当該訂正
の再抗弁の主張を撤回した。
(7) 被告らの行為
ア 被告Ｅ＆Ｅは，別紙物件目録記載１のＬＥＤ（以下「イ号ＬＥＤ」とい
う。）及び同目録記載２のＬＥＤ（以下「ロ号ＬＥＤ」といい，イ号ＬＥ
Ｄと併せて「被告ＬＥＤ」という。）を販売したことがある。
なお，被告ＬＥＤは被告Ｅ＆Ｅが株式を保有するエヴァーライトが製造
した製品である。
被告ＬＥＤはいずれも青色発光するＬＥＤであり，窒化ガリウム系半導
体チップを搭載している（以下，イ号ＬＥＤに搭載されたチップを「イ号
チップ」と，ロ号ＬＥＤに搭載されたチップを「ロ号チップ」と，これら
を併せて「被告チップ」という。）。〔弁論の全趣旨〕
イ 被告立花は，平成２４年９月，株式会社イガラシ（以下「イガラシ」と
いう。）からＬＥＤの購入に関する問い合わせを受け，同社との打ち合わ
せを経て，平成２５年１月，被告Ｅ＆Ｅからイ号ＬＥＤ１０００個及びロ
号ＬＥＤ５００個の譲渡を受けた上で，それらをイガラシに対して合計３
万円（各単価２０円）で売却した。〔丙４の１の１ないし４の８の２，
８〕
(8) 被告チップの製造方法と本件発明の構成要件との関係
ア 構成要件充足性
被告チップの製造方法（以下「被告方法」といい，このうちイ号チップ
の製造方法を「イ号方法」，ロ号チップの製造方法を「ロ号方法」とい
う。）は，本件発明の構成要件Ａ及びＥを充足する。
イ 被告方法におけるＬＭＡ法の使用（構成要件Ｃ及びＤ関係）
本件発明のようなウエハーのサファイア基盤側の加工方法には，（物理
的）スクライブ，レーザースクライブ等の方法があり，このうち，レーザ
ースクライブには，ＬＭＡ法（融解改質法。Laser Melting Alteration法。
甲２０の１３７～１３８頁）とアブレーション加工がある。
被告方法では，上記のうちＬＭＡ法が使用されている。
(9) 別件訴訟について
ア 原告は，当裁判所に対し，被告らが原告の有する特許第３９７２９４３
号（以下「別件特許権１」という。）及び特許第３７８６１１４号を侵害
していると主張して，特許権侵害差止等請求事件（当庁平成２６年（ワ）
第８９０５号。以下「別件訴訟」という。）を提起した。原告は，別件訴
訟において，被告らが本件のイ号ＬＥＤを譲渡等する行為が上記各特許権
を侵害する行為であると主張していた。
イ 同裁判所は，平成２８年６月１５日，被告らが本件のイ号ＬＥＤを譲渡
等する行為は別件特許権１を侵害する行為であると認め，被告Ｅ＆Ｅに対
しては２５万５０００円（逸失利益１０万５０００円及び弁護士費用１５
万円），被告立花に対しては１５万２０００円（逸失利益２０００円及び
弁護士費用１５万円）の支払を命じる一部認容判決を言い渡したところ，
被告らは，その後，上記認容額に遅延損害金を付した金額を原告に支払っ
た。〔乙７４ないし７６，丙１０，１１〕
(10) 本件特許の出願日前の先行文献の存在
本件特許の出願日（平成５年１１月６日）の前には，以下の先行文献が存
在する。
ア 特開平５－１２９６５８号公報（乙２。発明の名称 窒化ガリウム系化
合物半導体発光素子，出願人 豊田合成株式会社他１名，出願日 平成３年
１０月３０日。以下「乙２公報」という。）
イ 実開平４－５０６４号（実開平５－５９８６１号）のＣＤ－ＲＯＭ（乙
３。考案の名称 窒化ガリウム系化合物半導体素子，出願人 原告，出願日
平成４年１月１３日。以下「乙３公報」という。）
ウ 特開平５－１６６９２３号公報（乙６。発明の名称 窒化ガリウム系化
合物半導体ウエハーの切断方法，出願人 原告，出願日 平成３年１２月１
２日。以下「乙６公報」という。）
２ 争点
(1) 被告方法は本件発明の技術的範囲に属するか
ア 構成要件Ｂの充足性
(ｱ)「エッチングにより」の充足性
(ｲ)「第一の割り溝･･･と共に･･電極が形成できる平面を形成する」の充足
性
(ｳ)「第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する」の充足性
イ 構成要件Ｃ及びＤ「第二の割り溝」の充足性
(2) 構成要件Ｃ及びＤ「第二の割り溝」についての均等侵害の成否
(3) 本件特許が特許無効審判により無効にされるべきものか
ア 乙２公報に基づく新規性ないし進歩性欠如の有無
イ 乙３公報に基づく進歩性欠如の有無
ウ 本件補正における新規事項追加の有無
エ 乙６公報及び乙３公報に基づく進歩性欠如の有無
(4) 損害発生の有無及びその額
(5) 弁済の抗弁の成否
第３ 争点に関する当事者の主張
１ 争点(1)ア(ｱ)（構成要件Ｂの「エッチングにより」の充足性）について
〔原告の主張〕
(1) イ号方法は，サファイア基板上に窒化ガリウム系半導体を積層したウエハ
ーを，下記の模式図のように，その半導体層側から半導体層の一部をエッチ
ングで除去することにより，所定の形状のｎ型半導体層（水色部分）を露出
させる方法である。この露出面は，縦ストライプ部Ａ１（約２１μm幅：約
９μm＋約１２μm），横ストライプ部Ａ２（約３２μm幅：約１７μm＋約１
５μm）とｎ電極を形成する電極形成部Ａ３が設けられるように形成される。
ロ号方法は，ストライプ部の幅が，縦ストライプ部Ａ１では約５１μm幅
（約２４μm＋約２７μm）であり，横ストライプ部Ａ２では約５１μm幅
（約２８μm＋約２３μm）であるほかは，イ号方法と同じである。
電極形成部 A3
C C
横ストライプ部 A2
縦ストライプ部 A1
n型半導体層の露出面形成後にウエハーを半導体層側から見た一部平面図
したがって，被告方法においては，ウエハーの窒化ガリウム系化合物半
導体層側に縦ストライプ部Ａ１，横ストライプ部Ａ２及び電極形成部Ａ３
を含め，ｎ型半導体が露出した部分をエッチングにより形成しているから，
構成要件Ｂを充足する。
(2) 被告らの主張に対する反論
被告らは，被告方法がエッチングを採用していない旨主張する。
被告チップのようなＬＥＤチップを作成するに当たっては，特定領域の
半導体層の膜厚を部分的に薄くしたｎ電極形成面を形成するため，①特定
領域以外の領域のみ成長を続けさせて，特定領域の膜厚を薄くする「選択
成長」という方法か，②特定領域の半導体層を除去する「エッチング」と
いう方法のいずれかが用いられるが，実務的には，エッチングの方が工程
数は少ないこと，選択成長では結晶の面方位を考慮してマスクパターンを
作成する必要があること，選択成長ではウエハーの在庫の自由度が下がる
ことから，エッチングの方が選択成長よりも有利である。このため，ＬＥ
Ｄチップ量産時のｎ電極面形成工程において，通常，選択成長が採用され
ることはない。
また，被告チップは，エッチングに特有の形状を有している。すなわち，
被告チップの上面は，ｐｎ段差部の一部が丸みを帯びた滑らかな曲線形状
となっているが（甲１７の５頁図３），選択成長では直線状になるのであ
って，曲線形状になることはない。また，ｐｎ段差部近傍の断面は，ｐｎ
段差部が湾曲した傾斜面となっているが（甲１７の６頁図５），選択成長
では直線形状となるのであって，湾曲した傾斜面になることはない。さら
に，ｐ電極形成面の凹凸は先鋭な形状であるのに対し，ｎ電極形成面の凹
凸はエッチングにより削られたと考えられる丸みを帯びた形状である。
したがって，被告チップのｎ電極形成面はエッチングにより形成された
ものである。
〔被告らの主張〕
原告は，本件方法においてエッチングを用いたことの合理的な立証を行っ
ていない。
原告も，半導体層の形成方法として，エッチングと選択成長があることを
認めているところ，実務的にはたとえ通常は採用されない方法であるとして
も，特許権侵害を回避するために，不利な工程である選択成長を採用する可
能性は当然にあり得る。
また，原告は，被告チップがエッチングに特徴的な形状をしていると主張
するが，そのような形状は，選択成長により「第一の割り溝」を形成し，そ
の後，ｎ電極形成面を形成するに当たってエッチングをしたことによって形
成された可能性もある。その場合，選択成長により形成された「第一の割り
溝」部分が，ｎ電極形成面を形成するエッチングにより一定程度削られるこ
とは当然に起こりうることであって，被告チップのチップ外周部の割り溝が
エッチング特有の形状を有していても，「第一の割り溝」部分がエッチング
により形成されたとはいえない。
したがって，この点に関する原告の主張は失当である。
２ 争点(1)ア(ｲ)（構成要件Ｂの「第一の割り溝･･･と共に･･電極が形成できる
平面を形成する」の充足性）について
〔原告の主張〕
(1) 被告方法は，ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側に縦ストライ
プ部Ａ１，横ストライプ部Ａ２及び電極形成部Ａ３を含むｎ型半導体が露
出した部分をエッチングにより形成しているから，構成要件Ｂを充足する。
(2) 被告らの主張に対する反論
被告らは，別件分割出願に係る特許異議事件において提出された意見書
（乙１５）の記載を引用し，ｎ電極形成工程と割り溝形成工程とは別工程
となるのが技術常識であったから，被告方法においても，両工程が別工程
であった可能性があると主張する。
しかし，上記意見書（乙１５）の記載は，エッチングにより割り溝の形
成とｎ電極領域の形成とを一つの工程で実施することを提案する前の事情
を説明するものにすぎず，本件発明が公開され，エッチングにより割り溝
の形成とｎ電極領域の形成とを一つの工程で実施する技術が公知となった
以上，それ以前の技術に関する乙１５の記載は，被告らの主張を裏付ける
ものとはなり得ない。
〔被告らの主張〕
前記争点(1)ア(ｱ)〔被告らの主張〕において主張したように，被告方法の
工程としては，まず，選択成長により「第一の割り溝」が形成され，その後，
ｎ電極形成面を形成するに当たってエッチングしている可能性がある。その
場合，被告方法は，構成要件Ｂの第一の割り溝とｎ電極領域の形成工程を
「共に」に行っていることにはならない。
また，割り溝の形成工程と電極形成領域の形成工程とは，別個に行うのが
技術常識であった。この点に関しては，原告が別件分割出願に係る特許異議
事件において提出した意見書（乙１５）においても，一般にウエハーの切断
とｎ電極領域の形成とは別工程で行われる旨が述べられていることからも明
らかである。
３ 争点(1)ア(ｳ)（構成要件Ｂの「第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面
を形成する」の充足性）について
〔原告の主張〕
(1) 構成要件Ｂの「第一の割り溝の一部に」とは，「第一の割り溝の（全部で
はなく）一部の領域に」電極が形成できる平面を形成することを意味するも
のである。
そして，被告方法は，線状に形成された縦ストライプ部Ａ１及び横ストラ
イプ部Ａ２の一部領域に，略円弧状の電極形成部Ａ３を形成しているから，
「第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する」ものといえ，構
成要件Ｂを充足する。
(2) 被告の主張に対する反論
被告らは，線状にエッチングされた部分の内側に完全に取り込まれるよう
な位置に電極形成平面が形成される場合でなければ構成要件Ｂを充足しない
旨主張する。
しかし，本件明細書等における唯一の実施例である段落【００１６】及び
【図４】のように，線状にエッチングされた部分に対し「水平方向にみて別
の平面」として電極形成平面を形成する場合が含まれるように解釈されるべ
きであるし，また，「一部に」との語の通常の用法からみて上記位置関係が
含まれないとする合理的理由はない。被告の主張では，段落【００１６】及
び【図４】に記載された位置関係が含まれなくなるので，誤りである。
〔被告らの主張〕
構成要件Ｂにおいては，「線状」に形成された「第一の割り溝」の「一部」
に電極が形成できる平面を形成することが要求されている。しかるに，原告
の主張する被告方法において，線状に形成された縦ストライプ部Ａ１及び横
ストライプ部Ａ２には電極が形成できる平面は形成されていない。
この点に関して原告は，被告方法における電極形成部Ａ３も「第一の割り
溝」に含まれると主張する。
しかし，「第一の割り溝」はチップの形状を決定するものであるから，電
極形成部Ａ３のような半弧状部分を含まない形状である。仮に，原告が主張
するように，「第一の割り溝」に半弧状部分を含むとすると，「第二の割り
溝」は「第一の割り溝の線と合致する位置で」形成されなければならない以
上，「第二の割り溝」も半弧状部分が含まれるように形成されなければなら
ないが，原告の主張する被告方法の「断面Ｖ字状変質部Ｂ１及びＢ２」には
半弧状部分は形成されておらず，これを充足しないことになる。
したがって，被告方法は構成要件Ｂを充足しない。
４ 争点(1)イ（構成要件Ｃ及びＤの「第二の割り溝」の充足性）について
〔原告の主張〕
(1) 構成要件Ｃの充足性
被告方法は，ウエハーのサファイア基板側に，レーザースクライブによ
って，縦及び横に線状に延びた断面Ｖ字形状の変質部分(以下「断面Ｖ字
状変質部」という。)Ｂ１及びＢ２を形成する。この形成箇所は，半導体層
側に形成された縦ストライプ部Ａ１及び横ストライプ部Ａ２の位置にほぼ
対応している。また，断面Ｖ字状変質部Ｂ１及びＢ２の線幅は，縦及び横
ストライプ部Ａ１及びＡ２よりも細い。
D
横変質部 B2
横ストラ
イプ部 A2
E E
上端から 横変質部
の距離 B2
縦変質部 B1
D
断面Ｖ字状変質部形成後にウエハーを半 断面Ｖ字状変質部形成後
導体層側から見た一部平面図 のウエハーのD－D断面図
（電極省略）
ところで，被告方法では，レーザースクライブ（ＬＭＡ法）により切り込
みを形成している。レーザースクライブは，ダイヤモンド針等によるスクラ
イブとは異なり，サファイア基板に物理的に傷を入れるわけではない。しか
しながら，レーザー光の照射によって，もともとサファイア基板を構成して
いた単結晶サファイアが変質し，多結晶化した変質部がＶ字状に形成される
（甲２０の図３及び図４（１３８頁））。すなわち，その変質部においては，
もともと存在した単結晶サファイアは存在しなくなったのであるから，単結
晶サファイアで構成されるサファイア基板に，単結晶サファイアの存在しな
い部分，すなわち「溝」が形成されたといえる。
したがって，被告方法は構成要件Ｃを充足する。
(2) 構成要件Ｄの充足性
被告方法は，ウエハーに外力を加えて，半導体層側に形成されたストライ
プ部とサファイア基板側に形成された切り込み（変質部）に沿って割ること
によって，青色ＬＥＤチップに分割，個片化する工程を有するから，構成要
件Ｄを充足する。
〔被告らの主張〕
本件明細書等の記載からすると，本件発明でいう「第二の割り溝」は，サ
ファイア基板を「削り取る」ことにより形成されたものでなければならない。
また，「溝」という用語の一般的な意味としても，物理的に「掘られている」
ことが前提となっている。
これに対し，ＬＭＡ法の場合，サファイア基板にレーザーを照射しても，
照射された部分は，単に融解改質によって変質領域となるにすぎず，「消失」
することはない。このように，サファイア基板を「削り取る」ことや「掘る」
ことをしていない以上，「第二の割り溝」は形成されていない。
また，原告提出の証拠によっても，被告ＬＥＤのサファイア基板につき，
切り込み（変質部）が存在するように見えない。
したがって，被告方法は，構成要件Ｃ及びＤを充足しない。
５ 争点(2)（構成要件Ｃ及びＤ「第二の割り溝」についての均等侵害の成否）
について
〔原告の主張〕
(1) 仮に，被告方法が「第二の割り溝」の構成を備えていると認められないと
しても，被告方法は，ウエハーのサファイア基板側に，縦及び横の「線状の
変質部」を形成する。そして，以下のとおり，この「線状の変質部」は，本
件発明の「第二の割り溝」と均等なものとして，その技術的範囲に属する。
(2) 第１要件（非本質的部分）
ア 本件発明の窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法では，サファ
イア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーにおいて，
半導体層側から第一の割り溝を形成し，サファイア基板側からスクライバ
ーなどによって第二の割り溝を形成し，第一の割り溝と第二の割り溝に沿
ってウエハーを割ることでチップ分離を行うが，その重要な特徴は，第一
の割り溝を電極形成平面と同時にエッチングによって形成し，第一の割り
溝の線幅Ｗ１を第二の割り溝の線幅Ｗ２よりも大きくしておく点にある。
すなわち，本件発明の本質的部分は，半導体層側に第一の割り溝を電極
形成平面と同時にエッチングにより形成する点と，半導体層側に形成され
る第一の割り溝の線幅を，サファイア基板側に形成される第二の割り溝の
線幅よりも大きくしておくという線幅の点にあるといえる。これに対し，
被告方法は，サファイア基板側に形成される第二の割り溝につき，ダイヤ
モンドスクライバー等による物理的スクライブに代えてレーザー光の照射
によるレーザースクライブを行うに当たり，物理的スクライブにおいて形
成される「割り溝」が，レーザースクライブにおいて形成される「線状の
変質部」に置換されたというだけにすぎないから，上記本質的部分に何ら
変更を加えるものでない。
したがって，被告方法は第１要件を充足する。
イ 被告らの主張に対する反論
被告らは，本件発明の課題はレーザースクライブには存在しない旨主張
する。
しかし，本件発明の具体的な課題は，サファイアを基板とする窒化物半
導体ウエハーをチップ状に分離するに際し，切断面が斜めに曲がり，ｐ－
ｎ接合界面まで切断されてチップ不良が出るという点を解決することにあ
るところ（本件明細書等の段落【００１０】，【００１２】参照），当該
課題は，ダイヤモンドスクライバー等による物理的スクライブであれ，Ｌ
ＭＡ法のレーザースクライブであれ，スクライビングにおけるブレーキン
グ工程においては等しく生じるものである。また，ＬＭＡ法のレーザース
クライブの場合であっても，切断面が斜めに曲がる危険性はある。
したがって，被告らの上記主張は失当である。
(3) 第２要件（置換可能性）
物理的スクライブに代えてレーザースクライブを行うに当たり，本件発明
の「割り溝」との構成を「線状の変質部」に置換したとしても，レーザース
クライブにおける「線状の変質部」が，スクライビングにおけるブレーキン
グの起点として機能することは，物理的スクライブにおける「割り溝」の場
合と全く異ならないから，「サファイアを基板とする窒化物半導体ウエハー
をチップ状に分離するに際し，切断面のクラック，チッピングの発生を防止
し，歩留良く，所望の形状，サイズを得るチップの製造方法を提供すること」
（本件明細書等の段落【０００６】）等という，本件発明の目的及び作用効
果は達成される。
したがって，被告方法は第２要件を充足する。
(4) 第３要件（置換容易性）
レーザースクライブが，従来の物理的スクライブの置換技術として発展し
てきたことに照らせば，被告チップが製造された当時，物理的スクライブに
代えてレーザースクライブを行い，それに伴い，本件発明の「割り溝」を
「線状の変質部」に置換することは，当業者にとって容易に想到し得ること
であった。
したがって，被告方法は第３要件を充足する。
(5) 第４要件（被告方法の公知技術との同一性または容易推考性）及び第５要
件（意識的除外等の特段の事情）
被告方法の構成が，本件特許出願時において当業者が公知技術から容易に
想到し得るものであったはずはない。また，出願手続において，本件発明の
第二の「割り溝」を，「線状の変質部」に置換した技術を意識的に除外した
などの事情も存在しない。
したがって，被告方法は第４及び第５要件を充足する。
〔被告らの主張〕
以下のとおり，原告の均等の主張は成り立たない。
(1) 第１要件（非本質的部分）
ア 本件発明における課題は，「切断面にクラックやチッピングが多数発生
し，しかもサファイア基板上の窒化物半導体層に加わるダメージも極めて
大きい」ということ，及び，「クラックやチッピングはなお残っており，
またスクライブの際に窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性が傷む」とい
うことであるが，このような課題が生じるのは，従来技術のダイサーでの
ダイシング及びスクライバーによるスクライビングが「接触型」というも
のであったことに起因する。このような課題を解決するための本件発明に
おいては，クラックやチッピングを生じ得る「第二の割り溝」が形成され
ることも本質的なものであるといえる。
これに対し，レーザースクライビングは，「非接触」であるため，「ク
ラックやチッピング」は生ぜず，「窒化物半導体の結晶性を傷め」ること
もない。
イ また，本件発明では，ウエハーをチップにブレーキング（分割）する際，
「斜めになって割れ」てしまうという課題があるのに対し，ＬＭＡ法のレ
ーザースクライビングでは，ほぼ垂直に分割されることから，このような
課題は存在しない。
ウ 以上のとおり，ＬＭＡ法によるレーザースクライビングでは，本件発明
の課題が存在しないのであるから，本件発明の本質的部分を用いていない。
そうすると，本件発明と被告方法とは本質的部分において異なるから，
被告方法は第１要件を充足しない。
(2) 第２要件（置換可能性）
上記(1)で主張したとおり，ＬＭＡ法のレーザースクライビングでは，本
件発明の課題が存在しないから，「サファイアを基板とする窒化物半導体ウ
エハーをチップ状に分離するに際し，切断面のクラック，チッピングの発生
を防止し，歩留良く，所望の形状，サイズを得るチップの製造方法を提供す
ることにある。」という，本件発明の作用効果は存在しない。
したがって，被告方法は第２要件を充足しない。
(3) 第３要件（置換容易性）
原告の引用する「ＬＥＤ革新のための最新技術と展望」と題する文献（甲
２０）の「１－１ スクライビングのレーザー応用化」において，レーザー
スクライブについて「まだ，『高生産性』と『光量損失無し』を同時に提供
できる技術の確立には至っていない」（１３３～１３４頁）と記載されてい
ることなどからすると，被告チップの製造時に物理的スクライブをレーザー
スクライブに「置換することが容易」であったとはいえない。
したがって，被告方法は第３要件を充足しない。
６ 争点(3)ア（乙２公報に基づく新規性ないし進歩性欠如）について
〔被告らの主張〕
(1) 乙２公報に基づく新規性欠如
ア 本件特許出願日（平成５年１１月６日）前の平成５年５月２５日に頒布
された乙２公報に開示された発明（以下「乙２発明」という。）と本件発
明とを対比すると，次の点で一致する。
（一致点）
サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハー
から窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において，
前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を
所望のチップ形状で線状に形成すると共に，第一の割り溝の一部に電極
が形成できる平面を形成する工程と，
前記ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位
置で，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第
二の割り溝を形成する工程と，
前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って，前記ウエハーを
チップ状に分離する工程とを具備する
ことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。
イ 本件発明と乙２発明とでは，本件発明においては，第一の割り溝をエッ
チングにより形成するのに対し，乙２発明においては，第一の割り溝に相
当する切れ込みをダイシングにより形成する点で，一応相違する可能性が
ある。
しかし，乙２公報においては，ダイシングにより形成する上記切れ込み
に第２の電極８のＡ１層８ａが形成されている。この点，乙２公報におい
ては，他の実施例において，ｎ層４に接続する第２の電極８のＡｌ層８ａ
を形成するための「凹部２１」について，反応性イオンエッチングにより
形成している。そうすると，乙２発明において，第２の電極８のＡｌ層８
ａが形成される「切り込み」を，ダイシングにより形成するのではなく，
反応性イオンエッチングにより形成することも，乙２公報に記載されてい
るに等しいといえる。
したがって，上記の相違する可能性がある点については，相違点ではな
く，実質的には乙２公報に記載されている事項であるから，本件発明と乙
２発明とは同一である。
ウ そうすると，本件発明は，乙２公報に記載の発明と同一であるから，特
許法２９条１項３号の規定により特許を受けることができず，同法１２３
条１項２号の規定により無効にされるべきである。
(2) 乙２公報に基づく進歩性欠如
ア 仮に，上記(1)イの点が相違点であるとしても，乙２公報においては，他
の実施例として，ｎ層４に接続する第２の電極８のＡｌ層８ａを形成する
ための「凹部２１」を，反応性イオンエッチングにより形成しているから，
乙２発明において，第２の電極８のＡｌ層８ａが形成される「切り込み」
を，ダイシングにより形成するのではなく，反応性イオンエッチングによ
り形成することは，当業者にとって極めて容易である。
イ また，仮に，本件発明の構成要件Ｄにおける「分離」と，乙２発明にお
ける「ダイシング」による「切断」とが相違点であるとしても，本件特許
出願当時，半導体素子において，基板側に細い溝を形成してチップを分離
するということは，特開昭６２－１０５４４６号公報（乙４。以下「乙４
公報」という。），特開昭５３－１１５１９１号公報（乙５。以下「乙５
公報」という。）に記載されるように周知技術であるから，乙２発明にお
いて，サファイア基板側に細い溝を形成して，チップを分離することは極
めて容易である。
ウ したがって，本件発明は，乙２発明及び周知技術等に基づいて当業者が
容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定
により特許を受けることができず，同法１２３条１項２号の規定により無
効にされるべきである。
〔原告の主張〕
(1) 本件発明の構成要件Ｂ，Ｃ及びＤに関し，乙２発明との相違点は以下のと
おりであり，被告らの主張する相違点は誤っている。
（相違点１）（構成要件Ｂ関係）
本件発明では，第一の割り溝をエッチングにより線状に形成すると共
に，第一の割り溝の一部に電極が形成できる「平面」を形成するのに対
し，乙２発明では，第一の割り溝をダイシングにより線状に形成し，半
導体層の側面をそこに電極が形成できるように露出させる点
（相違点２）（構成要件Ｃ，Ｄ関係）
本件発明では，ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と
合致する位置で，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）
を有する第二の割り溝を形成し，前記第一の割り溝および第二の割り溝
に沿って，前記ウエハーをチップ状に分離するのに対し，乙２発明では，
第一の割り溝の線と合致する位置で，第一の割り溝よりも幅の狭いダイ
シングブレードによって切断する点
(2) 上記相違点１に関して，被告らは，乙２公報の図１２（ｂ）におけるダイ
シングによる切り込みと，エッチングによる凹部２１のいずれにも電極８が
形成されていることを理由に，図１２（ｂ）の切り込みをエッチングで形成
することが開示されているに等しいと主張する。しかしながら，凹部２１は
電極の形成のみを目的とし，深さもわずかであるのに対し，図１２（ｂ）に
おける切り込みはチップを切断する工程の一部であり，深さも深いから，乙
２公報に，切り込みをエッチングにより形成することが記載されているとは
いえない。また，乙２公報のダイシングによる切り込みをエッチングにより
形成したとしても，半導体層の側面が露出するだけで電極が形成できる「平
面」は形成されない。
したがって，相違点１は，乙２発明の凹部２１の記載に基づき当業者が容
易に想到しえないものである。
上記相違点２について，被告らは相違点ではない旨主張するが，乙２公報
にはサファイア基板側からダイサーによるカットをすることは開示されてい
ない。それを措いても，乙２公報の段落【００３５】の記載からすると，ダ
イサーによる２回目のカットによって，１回目のダイシングにより切り込み
が形成された部分（電極を含む）を一段階で切断している。２回目のカット
により図１３（ｄ）に示す状態を得ることは技術的に不可能であるし，仮に
得られるとしても，切り込みが形成された部分ではウエハーが完全に分離さ
れてしまうので「割り溝」とは呼べない。
また，被告らは，基板側に細い溝を形成してチップを分離することは乙４
ないし６の各公報に照らして周知技術であるから，乙２発明においてサファ
イア基板側に細い溝を形成してチップを分離することは極めて容易であると
主張する。
しかし，乙２公報に記載されたダイシングブレードで切断するのは，ハー
フダイスによる切り込み部に形成された電極８と残存しているサファイア基
板１の両方である。ダイサーはブレードで削るため，金属である電極８を切
断することができるが，乙４ないし６の文献で開示されるスクライバーでは，
展延性のある金属を割ることができない。したがって，乙２発明におけるダ
イシングブレードによる切断をスクライバーによる分離に置換することには
阻害要因があり，相違点２は当業者にとって容易想到とはいえない。
(3) 以上のとおり，本件特許には，乙２文献に基づく新規性欠如及び進歩性欠
如の無効理由は存しない。
７ 争点(3)イ（乙３公報に基づく進歩性欠如）について
〔被告らの主張〕
(1) 本件特許出願日（平成５年１１月６日）前の平成５年８月６日に頒布され
た乙３公報に開示された発明（以下「乙３発明」という。）と，本件発明と
を対比すると以下の相違点において相違し，その余については一致する。
（相違点）
本件発明では，第二の割り溝をウエハーのサファイア基板側から形
成する工程を具備するのに対し，乙３発明では，かかる工程があるか
不明である点
(2) 上記相違点に関しては，本件特許出願時において，基板上に半導体を形成
したウエハーについて，ウエハー側から幅広の溝を形成し，基板側から細い
幅の切れ込みを形成して，チップをカットすることは，乙４公報及び乙５公
報に開示されるように周知慣用技術であった。
そして，窒化ガリウム系化合物半導体発光素子においても，乙６公報に開
示されるように，ウエハーの基板側からスクライブすることは行われていた。
そうすると，エッチング部に沿ってウエハーをチップ状にカットする工程
を有する乙３発明において，ウエハーの半導体層側に形成された溝に一致さ
せるように，基板側に細い溝を形成してチップを分離するという乙４公報及
び乙５公報に開示された周知技術を適用し，サファイア基板側に溝を形成し
て，チップを分離することは極めて容易である。
したがって，本件発明は，乙３発明に基づいて当業者が容易に発明をする
ことができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受ける
ことができず，同法１２３条１項２号の規定により無効にされるべきである。
(3) 原告の主張に対する反論
ア 原告は，乙３公報につき，ｎ電極を形成するエッチングの際に，ペレッ
トチェックのためにｐ型層を島状にエッチングしておくことは開示されて
いるが，それ以外のｐ層のエッチングは開示されていないと主張する。
しかし，乙３公報には，ｐ型層３上にＳｉＯ２膜を形成しパターニング
したうえで，ｐ型層３をドライエッチングすることが記載されている。
そして，乙３公報の【図９】の状態のウエハーをダイシングにより分離
して【図２】及び【図１】の状態の発光素子とするためには，ダイシング
（フルカット）するのであれば，エッチングされた部分を通るようにダイ
シングする必要がある。したがって，ウエハーから青色発光素子を得る工
程が記載された乙３公報に接した当業者は，当然【図９】において，エッ
チングされた部分を通るようにダイシングすると理解する。
したがって，原告の上記主張は失当である。
イ また，原告は，乙３発明に乙６公報に開示された技術を組み合わせても，
エッチングによって半導体層側に形成した第一の割り溝の線幅Ｗ１よりも
基盤側に形成した第二の割り溝の線幅Ｗ２を細くすることは導かれないと
主張する。
しかし，乙３発明に乙６公報に開示された技術を組み合わせた場合，ス
クライブの幅が非常に細くなることは自明である。これに加えて，乙３発
明のエッチング部分の幅とスクライブの幅との関係については，特開昭５
８－６０５５８号公報（乙２２。以下「乙２２公報」という。），特開平
２－１４４９３２号公報（乙２３。以下「乙２３公報」という。），特開
昭６２－１４４４１号公報（乙２４。以下「乙２４公報」という。）等に，
十分な広さをもってスクライブライン（乙３発明のエッチング部分に相当
する）を形成することが開示されているように，分割時のダメージが及ば
ないようスクライブラインにある程度の幅を持たせることも当然のことで
あるから，スクライブの幅の方がエッチング部分の幅よりも狭いことは明
らかである。
したがって，原告の上記主張も失当である。
〔原告の主張〕
(1) 乙３公報には，ｎ電極を形成するエッチングの際に，ペレットチェックの
ためにｐ型層を島状にエッチングしておくことと，ペレットチェック後にウ
エハーをダイシングによって切断してチップ化することが開示されるにすぎ
ず，ダイシング部分の詳細やチップ化工程について教示するものではない。
乙３公報の図１の線状部分はｐ型層をエッチングしたものであるが，ｐ型
層をエッチングした線状部分をダイシングソーでカットしていることの開示
はない。仮に，【図１】，【図２】の外周線がダイサーによるダイシングの
境界線と解したとしても，境界線の外側にあるダイシング部分のダイシング
前の構造がどうなっているのかは不明であり，ダイシングされる部分がエッ
チングされている必然性はない。【図９】も，せいぜい周期的に配列された
チップをダイサーで分離するという抽象的な方法を当業者に理解させる程度
のものであり，ダイシング部分の詳細を示すものではない。
そうすると，被告らの主張とは異なり，乙３発明と本件発明との相違点は
次のとおりとなる。
（相違点１）（構成要件Ｂ関係）
本件発明が，ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の
割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成するのに対し
て，乙３発明では，ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側からｐ
型層を所望のチップ形状にエッチングしたに過ぎず，ウエハーを切断す
る部分にエッチングによる「第一の割り溝」を形成することが開示され
ていない点。
（相違点２）（構成要件Ｃ・Ｄ関係）
本件発明では，ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と
合致する位置で，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）
を有する第二の割り溝を形成し，前記第一の割り溝および第二の割り溝
に沿って，前記ウエハーをチップ状に分離するのに対し，乙３発明では，
ダイシングソーでウエハーをチップ状に切断する点。
(2) 容易想到性
ア 本件発明は，相違点１及び２が密接に関連することにより低コストで歩
留りよくチップ化できるという効果を奏するものであるから，それら相互
の関係を考慮して容易想到性の判断をする必要がある。そして，乙４公報
及び乙５公報はＧａＡｓ系やＧａＰ系ウエハーのチップ化に関する技術を
開示するものであるところ，サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半
導体を積層したウエハーでは，サファイアが極めて硬い物質であり，へき
開性を有しないため，ＧａＡｓ系やＧａＰ系ウエハーにおけるダイシング
やスクライブの技術を適用することはできなかったのであるから，そもそ
も乙４公報及び乙５公報で開示された技術を，乙３発明に組み合わせる動
機がない。仮に組み合わせても，乙４公報及び乙５公報で開示されるよう
に，半導体層側からダイシングによるハーフダイスを行い，基板側からス
クライブを行うことになるので，半導体層からの割り溝をエッチングによ
り形成することという相違点１に係る構成は導かれない。また，乙４公報
及び乙５公報は，半導体層側にダイシングにより形成した割り溝の線幅Ｗ
１が，基板側からスクライバーで形成した割り溝の線幅Ｗ２よりも太いこ
とは開示する。しかし，それは，通常，ダイサーの刃幅がスクライバーの
線幅よりも太いことによる必然的な結果を図に示したにすぎず，幅を任意
に制御できるエッチングによって割り溝を形成する場合に，その幅をどの
ように設定するかは何ら教示していない。
したがって，乙３発明に乙４公報及び乙５公報で開示される技術を組み
合わせたとしても，上記相違点１及び２は容易に想到しえない。
イ また，乙６公報はスクライブによる割り溝を開示するのみであるので，
これを乙３発明と組み合わせても，半導体層側からの割り溝を「エッチン
グ」により形成すること（相違点１）が導かれない。乙６公報にはウエハ
ーの基板側からスクライブする方法が開示されているが，半導体層からの
スクライブや半導体層及び基板側の双方からのスクライブが好ましい例と
されているので，不利な基板側からのスクライブを選択する動機はない。
仮に選択したとしても，乙３公報においてウエハー切断部分のｐ型層がエ
ッチングされているか不明であるから，やはり，上記の構成は導かれない。
また，乙６公報には，第一の割り溝の線幅Ｗ１よりも第二の割り溝の線幅
Ｗ２が細いことの開示（相違点２）もない。被告は，乙３公報の【図１】，
【図２】においてｐ型層の周囲にｎ型層が線状に露出している以上，エッ
チングによる溝（第一の割り溝）の幅Ｗ１よりも，ダイシングによってカ
ットする際に形成される溝（第二の割り溝）Ｗ２の幅が必然的に狭くなる
旨主張するが，ｐ型層の面積を無駄なく確保する（すなわち，発光に寄与
しないエッチング領域を広くしない）という乙３公報の教示に従うと，乙
３発明に乙６公報で開示されたスクライブを組み合わせた場合には，エッ
チング領域を狭く（細く）するはずであるから，被告らの上記主張は成り
立たない。
ウ さらに，被告は，相違点２について，乙３公報の「ダイシングソーでカ
ット」という記載に接した当業者は，ダイシングソーでハーフカットして
外力で割ることも当然のこととして理解する旨主張する。
しかし，この点に関しては，ブレーキング工程の記載がない以上，フル
カットによる切断と理解すべきである。また，乙３公報にはサファイア基
板側からハーフカットを形成することの記載もない。さらに，乙３公報に
は，第一の割り溝の線幅Ｗ１よりも細い第二の割り溝の線幅Ｗ２が記載さ
れていない以上，相違点２は乙３発明と本件発明との相違点である。
(3) 以上のとおり，本件特許には，乙３公報に基づく進歩性欠如の無効理由は
存しない。
８ 争点(3)ウ（本件補正における新規事項追加の有無）について
〔被告らの主張〕
(1) 原告が，平成９年１０月２０日付け手続補正書（乙７）において，第一の
割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると「共に」
（①），第一の割り溝の「一部」（②）に電極が形成できる平面を形成する
工程とした補正は，新規事項の追加に当たる。
(2) すなわち，まず，上記①（以下「新規事項①」という。）について，本件
特許出願時における明細書（乙８。以下「当初明細書」という。）には，線
状の第一の割り溝を形成するという工程の後に，「さらに」（段落【００１
６】），ｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状とすることが記載されて
いるにすぎず，「共に」の記載はない。線状部分と半弧状の切り欠き部分を
別個に形成するのが技術常識である（乙１５〔別件分割出願に係る特許の異
議事件における原告の意見書〕）から，原告の主張は失当である。
(3) また，上記②（以下「新規事項②」という。）について，当初明細書（乙
８）には，第一の割り溝ではない，ｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた部
分にｎ層の電極を形成することが記載されているにすぎず（段落【００１
６】），電極が形成できる平面が「第一の割り溝の一部」に形成される点の
記載はない。
このように，本件特許の請求項１に記載されている事項は，平成９年１０
月２０日付手続補正書（乙７）により新たに加えられた新規事項であるため，
本件特許出願は特許法１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないも
のであり，特許法１２３条１項１号の規定により無効にされるべきである。
〔原告の主張〕
(1) 被告らの主張する新規事項①について
当初明細書の【図４】，段落【０００８】，【００１２】及び【００１６】
の記載を参酌すれば，半弧状の切り欠き部分を，エッチングされる幅Ｗ１の
線状部分とは別の工程で取り除くと当業者が理解することはおよそあり得な
い。段落【００１６】は，割り溝の形状を示すと同時にチップの形状も示し
ていると記載するように，割り溝の形状と半弧状の切り欠き部分を別個に，
記載の順序に形成することを説明するものではない，このように，同段落の
「さらに」は，単なる付加を意味し，別工程を意味するものではない。
(2) 被告らの主張する新規事項②について
「第一の割り溝の一部に」の意義は，「第一の割り溝の（全部ではなく）
一部の領域に」電極が形成できる平面を形成するということである。したが
って，当初明細書の段落【００１６】及び【図４】に記載されているように，
線状の第一の割り溝とは別の平面として電極形成平面を形成することも「第
一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する」ことに該当する。
(3) 以上のとおり，上記の事項はいずれも当初明細書に記載された事項であり，
新たな技術事項を導入するものではないから，新規事項の追加に関する被告
らの主張は失当である。
９ 争点(3)エ（乙６公報及び乙３公報に基づく進歩性欠如）について
〔被告らの主張〕
(1) 本件特許の出願日より前の平成５年７月２日に頒布された乙６公報に開示
された発明（以下「乙６発明」という。）と本件発明とを対比すると，以下
の相違点１及び２において相違し，その余については一致する。
（相違点１）
本件発明では，第一の割り溝をエッチングにより形成すると共に，第
一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程であるのに対
し，乙６発明では，第一の割り溝に相当する切れ込みをスクライブによ
り形成しており，また，第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を
形成するか否かが不明である点
（相違点２）
本件発明では，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）
を有する第二の割り溝を形成しているが，乙６発明においては，線幅
の大小関係が明らかではない点
(2) 容易想到性
ア 相違点１について
第一の割り溝をエッチングにより形成することは特開昭６２－２７２５
８３公報（乙１１。以下「乙１１公報」という。）及び乙３公報に記載さ
れるように周知である。また，乙６公報のようなサファイア基板を用いた
ＧａＮ系ＬＥＤについて，ｎ側の電極形成面をエッチングで形成すること
も特開平３－２１８６２５号公報（乙１２。以下「乙１２公報」という。）
及び乙１３の文献に記載されるように周知である。そうすると，乙６発明
において，第一の割り溝とｎ側の電極形成面を同時にエッチングで行って
いる乙３公報を適用することは容易想到である。
イ 相違点２について
乙６発明に，乙３公報記載のエッチングにより第一の割り溝を形成する
とともにｎ電極面を形成するという技術を適用すれば，乙３公報の【図
９】，【図１】，【図２】から，エッチングで形成した第１の割り溝より
も第２の割り溝の方が細いことになる。加えて，ウエハーの素子構造側の
割り溝よりもウエハー側の割り溝の線幅を細くしたものは，乙４公報及び
乙５公報に記載されているように周知である。
(3) 原告の主張に対する反論
この点に関して原告は，乙６発明に乙３公報で開示された技術を適用した
場合において，スクライブライン（本件発明のエッチングによる第一の割り
溝に相当する。）をスクライブの幅よりも広く設定する動機がない旨主張す
るが，争点(3)イについて主張したとおり，スクライブラインを十分な広さ
をもって形成することは乙２２ないし２４の各公報に記載されるように技術
常識であるから，エッチングによる溝幅をスクライブの溝幅よりも広くする
動機があることは明らかである。
また，原告は，乙６公報において同一のスクライバーが使用されているの
で，線幅も同一であると主張する。
しかし，サファイア基板とＧａＮ層ではその硬度が異なるため，同一のス
クライバーを用いたとしても，スクライブ溝の線幅が同一となるとは限らな
い。
(4) 以上のとおり，本件発明は，乙６発明，乙３発明及び周知技術に基づいて
当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項
の規定により特許を受けることができず，特許法１２３条１項２号の規定に
より無効にされるべきである。
〔原告の主張〕
(1) 乙６公報では，ＧａＮ層側とサファイア基盤側の両方にスクライブライ
ンを形成して，ウエハーをチップ状に分離する方法が記載されているが，
両側で同一のスクライバーを用いているので，線幅は同一と理解される。
また，乙６公報には，エッチングにより半導体層側に電極形成平面を形成
する点の開示はない。
したがって，本件発明と乙６発明との相違点は次のとおりとなる。
（相違点１）
本件発明が，第一の割り溝をエッチングにより形成すると共に，第
一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成するのに対して，乙
６発明では，第一の割り溝をスクライバーにより形成しており，それ
と共に電極が形成できる平面を形成することが開示されていない点
（相違点２）
本件発明が，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）
を有する第二の割り溝を形成するのに対し，乙６発明では，第一の割
り溝の線幅と第二の割り溝の線幅とが同一である点
(2) 容易想到性について
争点(3)イで主張したのと同様に，相違点１及び２については，互いに
関連して低コストかつ歩留りのよいチップ化が可能となるので，それらの
関係を考慮して判断する必要がある。そして，乙３公報には，ｎ電極を形
成するエッチングの際に，ペレットチェックのためにｐ型層を島状にエッチ
ングしておくことと，ペレットチェック後にウエハーをダイシングによって
切断してチップ化することが開示されているにすぎず，エッチングにより半
導体層側に第一の割り溝を形成することや第一の割り溝の線幅については何
ら教示がない。
したがって，乙６発明に乙３公報で開示された技術を適用したとしても，
相違点１の構成を導くことはできない。
また，乙６発明に乙１１公報で開示された技術を適用しても，乙６公報
に開示された溝の形成方法がスクライバーからエッチングに変わるだけで
あり，第一の割り溝の線幅Ｗ１よりも第二の割り溝の線幅Ｗ２の方が細い
という関係を導くことはできない。
この点に関して被告は，乙６発明に乙３公報記載の技術を適用すれば，
Ｗ１よりもＷ２が細くなることが明らかである旨主張する。
しかし，乙３公報のエッチング溝の線幅はダイシングのカット幅よりも
大きくするため幅が設定されているから，ダイシングに代えて乙６公報の
スクライブを採用した場合にまでその線幅が維持される必然性はなく，よ
って，Ｗ１よりもＷ２が細くなることを導くためには積極的な動機が必要
である。被告は，乙４公報及び乙５公報にＷ１よりもＷ２が細くなること
が開示されている旨主張するが，ダイサーの刃幅がスクライバーによる割
り溝の線幅より太いことに伴う必然的な結果にすぎず，幅を任意に制御で
きるエッチングによって割り溝を形成する場合の幅をどうするかについて
何ら教示しない。
また，被告らは，スクライブラインを十分な広さをもって形成すること
は技術常識である（乙２２ないし２４の各公報）から，エッチングによる
溝幅をスクライブの溝幅よりも広くする動機付けがあることは明らかであ
る旨主張する。
しかし，乙２２ないし２４の各公報は，分割手段が直接当たる領域にチ
ップの動作領域が存在しないようにする技術であり，本件発明のように，
スクライバー等が基板裏面から当たる場合に，それと逆側の半導体層にお
いて広い線幅の割り溝を形成する技術とは異なる。
(3) 以上のとおり，本件特許には，乙６文献及び乙３公報に基づく進歩性欠如
の無効理由は存しない。
１０ 争点(4)（損害発生の有無及びその額）について
〔原告の主張〕
(1) 特許法１０２条２項の損害について
ア 本件特許の登録日である平成１０年５月１５日から現在までの被告Ｅ＆
Ｅによる被告ＬＥＤの売上げの合計は，１８０万円を下らない。原告は，
特許法１０２条２項に基づき，被告らがその侵害行為により利益を受けて
いるときは，その利益の額について自己が受けた損害の額として賠償を請
求することができるところ，本件について被告Ｅ＆Ｅが受けている利益は
被告ＬＥＤの販売額の１０％に当たる１８万円を下らず，原告は，被告Ｅ
＆Ｅに対し，特許権侵害の不法行為に基づく同額の損害賠償請求権を有す
る。
イ 本件特許の登録日である平成１０年５月１５日から現在までの被告立花
による被告ＬＥＤの売上げの合計は６０万円を下らず，本件について被告
立花が受けている利益は，販売額の１０％に当たる６万円を下らない。し
たがって，原告は，被告立花に対し，同額の損害賠償請求権を有する。
そして，被告立花は被告Ｅ＆Ｅから被告ＬＥＤを仕入れてこれを販売
しているから，被告立花による被告ＬＥＤの販売によって原告が被った損
害については，被告Ｅ＆Ｅは被告立花と連帯してこれを賠償する責任を負
う。
ウ なお，被告立花は，被告立花のイガラシに対するイ号ＬＥＤの販売につ
いて，原告がイガラシを介して購入したと主張するが，憶測にすぎない。
また，侵害行為によって直ちに逸失利益が発生して損害が確定するので，
被告立花がイ号ＬＥＤを回収するなどしても，発生した損害が消滅するこ
とはない。
(2) 弁護士費用について
被告らの侵害行為によって原告は本件訴訟を提起することを余儀なくされ
たところ，本件訴訟はもっぱら被告らの責めにより審理が遅延し，これによ
り原告の弁護士費用が嵩んだことは明らかであり，被告らの負担すべき原告
の弁護士費用は１００万円が相当である。
〔被告Ｅ＆Ｅの主張〕
(1) 否認ないし争う。
ただし，被告Ｅ＆Ｅが被告ＬＥＤを販売等したことによって得た利益の額
が１８万円であることは争わない。
(2) 原告は訴訟の遅延によって弁護士費用が嵩んだ旨主張するが，訴訟の遅延
は，原告の主張立証が不十分であることのほか，均等侵害の主張も提訴後１
年以上経過した後であるなど，もっぱら原告の責任によるものであるから，
原告の主張は失当である。
〔被告立花の主張〕
(1) 損害については否認する。
被告立花は，平成２４年９月に，イガラシからイ号ＬＥＤ１０００個の発
注を受け，その後，同社に対してこれを納品した。そうしたところ，同社は，
被告立花から購入した上記イ号ＬＥＤ１０００個全部を原告に交付している
し，原告は，購入に関する被告立花とイガラシとの間のメールや納品書等も
有している。このような事実からすると，イガラシが上記イ号ＬＥＤ１００
０個を購入した動機は，原告が訴訟提起するための証拠集めであったといえ
る。
また，被告立花は，原告により本件特許権に係る権利侵害の警告がなされ
たことから，紛争を早期に解決するために，イガラシから１０３個のイ号Ｌ
ＥＤを回収した。回収できなかったイ号ＬＥＤについても，原告が保有して
いるか，分析のために消費した。
原告による損害賠償請求が認められるためには，被告立花の行為により原
告に現実に損害が生じたこと，すなわち，特許権者の売上減少による逸失利
益の発生が必要である。ところが，上記のとおり，被告立花によるイ号ＬＥ
Ｄの販売は，原告自身がイガラシを介して発注したことに基づくものであり，
それらは被告立花が回収したか，原告が保有又は消費しており，第三者に販
売されたものはない。
(2) したがって，原告には，売上減少による逸失利益たる損害は発生していな
い。
なお，被告立花が上記回収等を行わなかったとした場合，被告立花の受け
た利益が販売額の１０％であることは争わない。
(3) 原告は訴訟の遅延によって弁護士費用が嵩んだ旨主張するが，審理の遅延
については，原告による訂正の対抗主張や均等侵害の主張の追加が大きく寄
与しており，被告立花に責任はない。
１１ 争点(5)（弁済の抗弁の成否）について
〔被告らの主張〕
別件訴訟は，本件訴訟とは請求の基礎となる特許権は異なるが，侵害物件
（イ号物件）は本件訴訟のイ号ＬＥＤである。
被告らは，別件訴訟において，特許法１０２条２項に関して，原告がイ号
物件（本件のイ号ＬＥＤ）について原告の保有する９件の特許権を侵害する
と主張していることなどを根拠として，推定される損害額のうち９５％相当
額については推定が覆滅されるべきである旨主張した。しかしながら，別件
判決では，被告らの上記主張は否定されており，本件発明を含む他の特許権
の寄与は否定されたといえる。
そうしたところ，被告Ｅ＆Ｅは，平成２８年６月２１日，原告に対し，別
件判決に基づく損害賠償金元金２５万５０００円に平成２６年４月２３日か
ら年５％の金利２万７５９０円を付した合計２８万２５９０円を支払った。
また，被告立花も，平成２８年６月２１日，原告に対し，別件判決に基づく
損害賠償金元金１５万２０００円に平成２６年４月２３日から年５％の金利
を付した合計１６万８４６６円を支払った。
以上のとおり，被告らは，別件訴訟に関し，本件訴訟のイ号ＬＥＤについ
ての損害賠償債務を弁済しており，この損害賠償債務については本件特許権
侵害に基づく損害賠償義務も評価されていることから，その弁済の範囲で本
件の損害賠償債務も消滅した。
〔原告の主張〕
否認ないし争う。
第４ 当裁判所の判断
１ 本件発明の意義
(1) 本件発明の内容
本件発明の特許請求の範囲の記載は，別添特許公報のとおりであるところ，
本件明細書等には，以下の記載がある（【図２】及び【図３】については，
別添特許公報を参照。なお，原文に付された下線についてはこれを除い
た。）。
ア 発明の詳細な説明
・「【産業上の利用分野】
本発明は，青色，緑色あるいは赤色発光ダイオード，レーザーダイオ
ード等の発光デバイスに使用される窒化ガリウム系化合物半導体チップ
の製造方法に係り，特に，サファイア基板上に一般式Ｉｎ XＡｌYＧａ1-X-
Y Ｎ（０≦X＜１，０≦Y＜１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体
（以下，窒化物半導体と記載する。）が積層された窒化物半導体ウエハ
ーをチップ状に切断する方法に関する。」（段落【０００１】）
・「【従来の技術】
一般に発光ダイオード，レーザダイオード等の発光デバイスにはステ
ム上に発光源である半導体チップが設けられている。半導体チップを構
成する材料として，例えば赤色，橙色，黄色，緑色ダイオードの場合Ｇ
ａＡｓ，ＧａＡｌＡｓ，ＧａＰ等が知られており，また青色ダイオード
であればＺｎＳｅ，ＩｎＡｌＧａＮ，ＳｉＣ等が知られている。」（段
落【０００２】）
・「従来，半導体材料が積層されたウエハーから，発光デバイス用のチッ
プに切り出す装置には一般にダイサー，またはスクライバーが使用され
ている。ダイサーとは一般にダイシングソーとも呼ばれ，刃先をダイヤ
モンドとするブレードの回転運動により，ウエハーを直接フルカットす
るか，または刃先巾よりも広い巾の溝を切り込んだ後（ハーフカット），
外力によってウエハーを割る装置である。一方，スクライバーとは同じ
く先端をダイヤモンドとする針の往復直線運動によりウエハーに極めて
細いスクライブライン（罫書線）を例えば碁盤目状に引いた後，外力に
よってウエハーを割る装置である。」（段落【０００３】）
・「例えばＧａＰ，ＧａＡｓ等のせん亜鉛構造の結晶はへき開性が＜１１
０＞方向にあるため，この性質を利用してスクライバーでこの方向にス
クライブラインを入れることにより簡単にチップ状に破断できる。」
（段落【０００４】）
・「しかしながら，一般に窒化物半導体はサファイア基板の上に積層され
るため，そのウエハーは六方晶系というサファイア結晶の性質上へき開
性を有しておらず，スクライバーで切断することは困難であった。一方，
ダイサーで切断する場合においても，窒化物半導体ウエハーは，前記し
たようにサファイアの上に窒化物半導体を積層したいわゆるヘテロエピ
タキシャル構造であり格子定数不整が大きく，また熱膨張率も異なるた
め，窒化物半導体がサファイア基板から剥がれやすいという問題があっ
た。さらにサファイア，窒化物半導体両方ともモース硬度がほぼ９と非
常に硬い物質であるため，切断面にクラック，チッピングが発生しやす
くなり正確に切断することができなかった。」（段落【０００５】）
・「【発明が解決しようとする課題】
窒化物半導体の結晶性を傷めずに，ウエハーを正確にチップ状に分離
することができれば，チップ形状を小さくでき，一枚のウエハーから多
くのチップが得られるので生産性を向上させることができる。従って，
本発明はこのような事情を鑑みてなされたもので，その目的とするとこ
ろは，サファイアを基板とする窒化物半導体ウエハーをチップ状に分離
するに際し，切断面のクラック，チッピングの発生を防止し，歩留良く，
所望の形状，サイズを得るチップの製造方法を提供することにある。」
（段落【０００６】）
・「【課題を解決するための手段】
本発明の窒化物半導体チップの製造方法は，サファイア基板上に窒化
物半導体を積層したウエハーから窒化物半導体チップを製造する方法を
改良したものである。本発明の製造方法は，ウエハーの窒化物半導体層
側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成
すると共に，第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工
程と，ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位
置で，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第
二の割り溝を形成する工程と，前記第一の割り溝，および前記第二の割
り溝に沿って前記ウエハーをチップ状に分離する工程とを具備すること
を特徴とする。」（段落【０００７】）
・「本発明の製造方法において，第一の割り溝を形成するには，最も好ま
しくはウエットエッチング，ドライエッチング等のエッチングを用いる。
なぜならエッチングが最も窒化物半導体表面，側面を傷めにくいからで
ある。ドライエッチングであれば，例えば反応性イオンエッチング，イ
オンミリング，集束ビームエッチング，ＥＣＲエッチング等の手法を用
いることができ，ウエットエッチングであれば，例えば硫酸とリン酸の
混酸を用いることができる。但し，エッチングを行う前に，窒化物半導
体表面に，所望のチップ形状となるように，所定の形状のマスクを形成
することは言うまでもない。」（段落【０００８】）
・「次に，第二の割り溝をサファイア基板側に形成するには，エッチング，
ダイシング，スクライブ等の手法を用いることができる。第二の割り溝
はサファイア基板側に形成し，直接窒化物半導体層にダイサー，スクラ
イバー等の刃先が触れることはないので，この工程では第二の割り溝を
形成する手法は特に問わないが，その中でも特に好ましくはスクライブ
を用いる。なぜなら，スクライブは第二の割り溝の線幅を，第一の割り
溝の線幅よりも狭くしやすく，また，エッチングに比べて迅速に割り溝
を形成できる。さらに，ダイシングに比べて，ウエハー切断時にサファ
イア基板を削り取る面積が少なくて済むので，単一ウエハーから多くの
チップが得られるという利点がある。」（段落【０００９】）
・「また，第二の割り溝を形成する前に，サファイア基板側を研磨して薄
くすることが好ましい。研磨後のサファイア基板の厚さは２００μｍ以
下，さらに好ましくは１５０μｍ以下に調整することが望ましい。なぜ
なら，窒化物半導体ウエハーは，サファイア基板の厚さが通常３００～
８００μｍ，その上に積層された窒化物半導体の厚さが多くとも数十μ
ｍあり，そのほとんどがサファイア基板の厚さで占められている。しか
も，前記したように窒化物半導体は格子定数，および熱膨張率の異なる
材料の上に積層されているため，非常に切断しにくい性質を有している。
サファイア基板の厚さが厚すぎると，後に第二の割り溝を形成してウエ
ハーを分離する際，第一の割り溝と，第二の割り溝とを合致させた位置
で割りにくくなる傾向にある。つまり，図１のａの破線に示すように，
第一の割り溝線の中央線と，第二の割り溝線の中央線が一致した位置で
ウエハーをチップ状に分離できることが最も好ましいのであるが，ウエ
ハーの厚みが厚すぎると，その位置が，同じく図１のｃの破線に示すよ
うに斜めになって割れ，ｐ－ｎ接合界面まで切断されて，目的としない
形状でチップ化されやすい傾向にある。従って，サファイア基板を前記
範囲内に研磨して薄くすることにより，前記割り溝の合致位置，つまり
目的とするチップ形状で，ウエハーをさらに分離しやすくすることがで
きる。基板の厚さの下限値は特に問わないが，あまり薄くすると研磨中
にウエハー自体が割れ易くなるため，実用的な値としては５０μｍ以上
が好ましい。」（段落【００１０】）
・「また基板を研磨して薄くする他に，図２に示すように，第二の割り溝
２２をエッチング，ダイシング等の手法によって，サファイア基板１に
深く形成することにより，部分的にサファイア基板１の厚さを薄くして，
第一の割り溝１１との切断距離を短くしてもよい。」（段落【００１
１】）
・「【作用】
本発明の製造方法の作用を図面を元に説明する。図１ないし図４は本発
明の製造方法の一工程を説明する図である。図１はサファイア基板１の
上にｎ型窒化物半導体層２（ｎ型層）と，ｐ型窒化物半導体層３（ｐ型
層）とを積層したウエハーの模式断面図である。それらの窒化物半導体
層側には所定のチップ形状になるように，第一の割り溝１１を線状に形
成しており，さらに第一の割り溝１１の線幅より狭い線幅の第二の割り
溝２２を，第一の割り溝１１の線の中央線と一致する位置で形成した状
態を示している。但し，この図では，第一の割り溝はｐ型層３をエッチ
ングして，ｎ型層２を露出するように形成しており，第二の割り溝はス
クライブで形成している。図１に示すように，ウエハーは第一の割り溝
１１と第二の割り溝２２の中央線が一致した点，つまり破線ａで示す位
置でまっすぐに切断できることが最も好ましいが，仮に破線ｂで示すよ
うに切断線が曲がっても，第一の割り溝１１の線幅Ｗ１を，第二の割り
溝２２の線幅Ｗ２よりも広く形成してあるため，切断位置がｐ－ｎ接合
界面にまで及ばず，チップ不良がでることがない。」（段落【００１
２】）
・「図２は第二の割り溝２２をエッチング，またはダイシングにより形成
し，サファイア基板１をハーフカットした状態を示している。この図で
は第二の割り溝２２の深さを深くして，第一の割り溝との切断距離を短
くすることにより，第一の割り溝の中央線と，第二の割り溝の中央線と
が一致した位置でまっすぐに割ることができる。」（段落【００１３】）
・「図３は第一の割り溝１１のエッチング深さを深くした状態を示してい
るが，この図も図２と同じく第一の割り溝１１と，第二の割り溝２２と
の切断距離を短くすることにより，割り溝が一致した位置でまっすぐに
切断することができる。このように割り溝を深く形成してチップを分離
する際には，割り溝１１の底部と，割り溝２２との底部との距離を２０
０μｍ以下として，サファイア基板１の厚さを薄くすることが好ましく，
サファイア基板１の厚さを部分的に薄くすることにより，両割り溝が合
致した位置でまっすぐ切断できる。なお，割り溝２２を深く形成するの
は，サファイア基板を研磨した後（２００μｍ以上の厚さで研磨する場
合）でも，研磨する前でもかまわないが，スクライブによってその深さ
を深くするのは困難である。」（段落【００１４】）
・「このように図２，図３では第一の割り溝１１の深さ，第二の割り溝２
２の深さを深くすることにより，切断距離を短くしてまっすぐに割れる
ようにしているが，前述のようにサファイア基板１を研磨して，２００
μｍ以下の厚さとすれば，図１のように第二の割り溝２２をスクライブ
で形成しただけでも，ほぼまっすぐに割ることができる。なお基板を研
磨して２００μｍ以下に調整すれば，第二の割り溝の深さを深くする必
要がないことはいうまでもない。」（段落【００１５】）
・「図４は，図１に示すウエハーを窒化物半導体層側からみた平面図であ
り，第一の割り溝１１の形状を示していると同時に，チップ形状も示し
ている。この図では，ｐ型層３を予めｎ層の電極が形成できる線幅でエ
ッチングして，第一の割り溝１１を形成し，さらにｐ型層３の隅部を半
弧状に切り欠いた形状としており，この切り欠いた部分にｎ層の電極を
形成することができる。」（段落【００１６】）
・「このように，本発明の方法では，第一の割り溝１１の線幅Ｗ１を，第
二の割り溝２２の線幅Ｗ２よりも広くしているので，仮に切断線が斜め
となってウエハーが切断された場合でも，ｐ－ｎ接合界面まで切断面が
入らずチップ不良が出ることがなく，一枚のウエハーから多数のチップ
を得ることができる。そして，さらに好ましくウエハーのサファイア基
板を研磨するか，または第二の割り溝の深さを深くすることにより，所
望とする切断位置で正確に分離することができる。」（段落【００１
７】）
イ 図面
(2) 以上によれば，本件発明は，サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半
導体（以下「窒化物半導体」ということがある。）が積層されたウエハーを
チップ状に切断する方法に関する発明であって（段落【０００１】），従来
技術では，半導体材料が積層されたウエハーからチップを切り出すには，ダ
イサーを使用して，ブレードの回転運動によりウエハーを直接フルカットす
るか，ハーフカットした上で外力によってウエハーを割り，あるいは，スク
ライバーを使用して，対象のへき開性を利用してスクライブラインを引いた
後，外力によりウエハーを割る方法が用いられていたが（段落【０００３】，
【０００４】），窒化物半導体はへき開性を有しないサファイア基板の上に
積層されるため，スクライバーで切断するのが困難であり，また，ダイサー
で切断する場合でも，窒化物半導体がサファイア基板からはがれやすく，サ
ファイア基盤が硬いためクラック等が発生しやすいために正確に切断できな
いという課題があったことから（段落【０００５】），本件発明においては，
ウエハーの半導体層から第一の割り溝を線幅Ｗ１として（これとともに，第
一の割り溝の一部に電極が形成できる平面をも）エッチングにより形成する
工程と，サファイア基盤側に第一の割り溝の線と合致する位置に第一の割り
溝の線幅Ｗ１よりも狭い線幅Ｗ２の第二の割り溝を形成する工程と，それら
の割り溝に沿ってウエハーを分離する工程を具備することにより（段落【０
００７】），クラック等の発生を防止するとともに，ウエハーをまっすぐに
割ることが可能となるか，切断線が斜めとなってウエハーが切断された場合
でも，ｐ－ｎ接合界面まで切断面が入らずチップ不良が出ることがなく，一
枚のウエハーから多数のチップを得ることができるという効果を奏する発明
であると認められる （段落【０００６】，【００１２】ないし【００１
７】）。
２ 被告チップについて
証拠（甲６，７，１７，１８〔枝番省略〕）及び弁論の全趣旨によれば，被
告チップについて次のとおり認められる。
(1) イ号チップの形状等（甲６，１７，１８）
ア 半導体層側
イ号チップは，模式図である下記図１（１）－１ないし３のとおり，白
色のサファイア基板上に水色及びピンク色の窒化ガリウム系半導体層が積
層されている（ただし，白色のサファイア基板において「切り欠き」と記
載されている部分については，「切り欠き」ではなく，後記イのとおり
ＬＭＡ法のレーザースクライブによる変質部分が残存したものであ
る。）。
半導体層は，図に水色で示したｎ型層とその上に位置するピンク色で示
したｐ型層の２段になっており，ｎ型層の一部（上にｐ型層の存在しない
部分）が露出している。そして，ｎ型層の露出面の一部には青色で示した
ｎ電極が，ｐ型層の上には赤色で示したｐ電極がそれぞれ形成されている。
半導体層を平面視すると，ｎ型層の露出面は，周囲（四方）の略直線状
の部分（以下「直線部分」ということがある。）と，ｎ電極が形成される
平面部分（以下「ｎ電極形成面」ということがある。）から成っており，
直線部分とｎ電極形成面のｎ型層としての厚さ（高さ）は，ほぼ同一であ
る。
ｎ型層の露出面のうち直線部分の幅は，チップの左端が約９μｍ，右端
が約１２μｍ，上端が約１７μｍ，下端が約１５μｍとなっている。
ｐ型層は，長方形の隅を半弧状に切り欠いた形状であり，長方形の角に
相当する部分，半弧状に切り欠いた部分の端と長方形の辺との接点に相当
する部分のいずれも，直線状ではなく，丸みを帯びた形状をしている。
また，ｐ型層とｎ型層との間には段差（以下「ｐｎ段差部」という。）
があるが，このｐｎ段差部も，直線状ではなく，湾曲した傾斜面となって
いる。
イ サファイア基板側
サファイア基板の半導体層とは反対側の底面部分には，半導体層のｎ
型層の露出面のうち直線部分に対応する位置に，ＬＭＡ法のレーザース
クライブによる断面Ｖ字形状の変質部分(断面Ｖ字状変質部)が残存して
おり，その幅は約５ないし８μｍである。
そして，証拠（甲２０）によれば，ＬＭＡ法でサファイア基盤を加工
した場合，溶融領域が発生し急激な冷却で多結晶化し，この多結晶領域
は多数のブロックに分かれるが，加工領域中央に実質の幅が極端に狭い
境界が発生し，この表面に垂直な境界線の先端に応力集中するので割れ
やすくなることが認められる。
ウ ウエハーとチップの関係
上記のイ号チップの形状等に照らすと，イ号チップは，下記の模式図
のようなウエハーを形成した上で，これを割ることにより得られたもの
と認められる。
D
横変質部 B2
横ストラ
イプ部 A2
E E
上端から 横変質部
の距離 B2
縦変質部 B1
D
断面Ｖ字状変質部形成後にウエハーを半 断面Ｖ字状変質部形成後
導体層側から見た一部平面図 のウエハーのD－D断面図
（電極省略）
(2) ロ号チップの形状等（甲７，１７，１８）
ロ号チップの形状等も，上記(1)のイ号チップと同様であるが，ｎ型層の
露出面の直線部分の幅が異なっており，チップの左端が約２４μｍ，右端が
約２７μｍ，上端が約２８μｍ，下端が約２３μｍとなっている。
３ 争点(1)ア(ｱ)（構成要件Ｂの「エッチングにより」の充足性）について
(1) 被告チップがエッチングと選択成長のいずれにより第一の割り溝に相当す
るｎ型層露出面を形成したかが争われているところ，証拠（甲１７）及び弁
論の全趣旨によれば，半導体層の一部の厚さを他の部分よりも薄くする場合
には，エッチングを採用すると，薄くなった部分と厚い部分との境界が丸み
を帯びるのに対し，選択成長を採用すると，境界は直線状の形状となること，
同様に，エッチングを採用すると，ｐｎ段差部が湾曲した形状となるのに対
し，選択成長を採用すると，ｐｎ段差部の斜面はＧａＮ結晶の特定の面に対
応するため，特定の傾斜角を有する直線形状となることが認められる。
これを被告チップについてみるに，上記２(1)アで認定したとおり，被告
チップは，ｐ型層の角に相当する部分や，ｐ型層とｎ型層との段差部分がい
ずれも丸みを帯びている。
したがって，被告チップのｎ型層露出部分は，エッチングの方法により形
成されたと認めるのが相当である。
(2) 被告らの主張に対する判断
この点に関して被告らは，被告チップの丸みを帯びた形状について，まず
「第一の割り溝」を選択成長で形成し，その後に，ｎ電極形成面をエッチン
グで形成したことによって形成された可能性があると主張する。
しかしながら，上記２で認定したとおり，被告チップのｎ型層の露出面は，
直線部分とｎ電極形成面とで，その厚さ（高さ）がほぼ同一である。そうす
ると，被告らの主張する方法を採用した場合，選択成長により形成された直
線部分の厚さと，これとは別にエッチングにより形成するｎ電極形成面の厚
さを揃えるための調整を要することになるが，技術常識に照らし，そのよう
な調整が行われるとは考え難いから，被告チップが被告らの主張する方法で
製造されたとは認められない。
したがって，被告らの上記主張は採用することができない。
(3) 以上のとおり，被告方法は，構成要件Ｂの「エッチングにより」を充足す
る。
４ 争点(1)ア(ｲ)（構成要件Ｂの「第一の割り溝･･･と共に･･･電極が形成できる
平面を形成する」の充足性）について
(1) 被告チップのｎ型層の露出面は，直線部分とｎ電極形成面とで，その厚さ
（高さ）がほぼ同じであるという上記２の認定事実に照らすと，直線部分と
ｎ電極形成面は，エッチングにより同時に形成されたものと認めるのが相当
である。
(2) 被告らの主張に対する判断
この点に関して被告らは，争点(1)ア(ｱ)と同様に，「第一の割り溝」を選
択成長で形成し，その後に，ｎ電極形成面をエッチングで形成した可能性が
あるから，構成要件Ｂの「共に」を充足しない旨主張するが，前記３(2)で
説示したのと同様の理由から，被告らの上記主張は採用することができない。
また，被告らは，割り溝の形成工程と電極形成領域の形成工程とは別個に
行うことが技術常識であると主張し，別件分割出願に係る異議事件において
原告が特許庁に提出した意見書（乙１５）にも同趣旨の記載があるとする。
しかしながら，上記意見書（乙１５）の記載によれば，当該意見書におい
ては，一般的な半導体素子の製造方法では割り溝の形成工程と電極形成領域
の形成工程とは別工程である旨が記載されているものの，親出願である本件
特許出願においてはｎ電極の形成工程とウエハー切断のための第一の割り溝
の形成工程とを一体化することが可能となる旨説明されていることが認めら
れる。そうすると，そのような本件発明の開示後についてまで，割り溝の形
成工程と電極形成領域の形成工程とが別工程で行われることが技術常識であ
ると認めることはできず，被告らの上記主張も採用することができない。
(3) 以上のとおり，被告方法は，構成要件Ｂの「第一の割り溝･･･と共に･･･一
部に電極が形成できる平面を形成する」を充足する。
５ 争点(1)ア(ｳ)（構成要件Ｂの「第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面
を形成する」の充足性）について
(1) 構成要件Ｂにおける「一部に」の意義
構成要件Ｂには，「第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成す
る」との記載がある。本件発明に係る特許請求の範囲の記載によれば，構成
要件Ｂでは，「第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより
形成すると共に」，「第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成す
る」ところ，構成要件Ｃに「第一の割り溝の線」という記載があることを併
せ考慮すると，第一の割り溝には，少なくとも「線」の部分と「電極が形成
できる平面」の部分が存するのであって，「線状」に形成される第一の割り
溝にはそれらの部分が含まれるものと解される。また，「電極が形成できる
平面」に関しては，上記のとおり，「第一の割り溝の一部に」としか特定さ
れておらず，「線」の部分の一部である（線の部分に内包される）という限
定はされていないのであって，第一の割り溝全体のうちの一部に形成されて
いれば足りると解される。このことは，本件明細書等においても，「電極が
形成できる平面」につき，段落【００１６】において，【図４】における半
弧状の切り欠き部分にｎ層の電極を形成することができる旨の記載しかなく，
【図４】には，Ｗ１の幅の「線」の部分とこれに隣接する半弧状の切り欠き
部分が一体として記載されていることにも合致する。
したがって，構成要件Ｂの「電極が形成できる平面」は，第一の割り溝の
全体のうちの一部に形成されていれば足りるのであって，「線」の部分に内
包される必要はないと解するのが相当である。
(2) 充足性
これを被告チップについてみるに，争点(1)ア(ｱ)及び(ｲ)において判示し
たとおり，被告方法では，被告チップの直線部分とｎ電極形成面とをエッチ
ングにより同時に形成しているものと認められるところ，直線部分とｎ電極
形成面とは区分されていない形状であるから，それらの全体が構成要件Ｂの
「第一の割り溝」に，その一部であるｎ電極形成面が構成要件Ｂの「電極が
形成できる平面」に該当するものと認められる。
したがって，被告チップのｎ電極形成面は，「第一の割り溝」の「一部」
にエッチングにより形成されたものであると認めることができる。
(3) 被告らの主張に対する判断
この点に関して被告らは，「第一の割り溝」はチップ形状を決定するもの
であるから，半弧状であるｎ電極形成面を含まない，これを含むとすると対
応する第二の割り溝に半弧状部分が形成されていないなどと主張する。
しかし，本件発明の実施例である本件明細書等の段落【００１６】及び
【図４】の記載に照らすと，チップ形状を示し，かつ，第二の割り溝と対応
するのは，第一の割り溝のうち「線」の部分であることは，当業者であれば
容易に理解できるといえるのであり，仮に被告の主張通りであるとすると，
上記実施例が本件発明の技術的範囲に含まれないことになり，妥当でない。
したがって，被告らの上記主張は採用することができない。
(4) 以上のとおり，被告方法は，構成要件Ｂの「第一の割り溝の一部に電極が
形成できる平面を形成する」を充足する。
６ 争点(1)イ（構成要件Ｃ及びＤの「第二の割り溝」の充足性）について
(1) 「第二の割り溝」の意義
「第二の割り溝」における「溝」の意義について検討するに，本件発明に係
る特許請求の範囲の記載には，「第二の割り溝」における「溝」の形状を示
す記載はなく，本件明細書等においても，「溝」の形状に関する定義はない。
乙２６（大辞林第２版）によれば，一般に，「溝」とは細長く掘ったもの
や細長い窪みを指すことが認められ，また，本件明細書等においても，エッ
チング，ダイシング又はスクライブ等の手法を用いることができるとされ
（段落【０００９】），【図１】ないし【図３】においても，第二の割り溝
２２として，窪みの形状が記載されている。
そうすると，第二の割り溝における「溝」とは，周囲よりも窪んでいる細
長い形状の部分を指すものと認めるのが相当である。
(2) 充足性
これを被告方法についてみるに，被告方法が，サファイア基板側の加工方
法として，ＬＭＡ法のレーザースクライブを採用していることは，当事者間
に争いがない。
そして，原告の主張によっても，サファイア基板に対してＬＭＡ法のレー
ザースクライブが行われると，元々存在していた単結晶サファイアが変質し，
多結晶化した断面Ｖ字形状変質部，すなわち，多結晶化した物質が存在して
おり，周囲よりも窪んだ状態にはなっていないのであるから，そのような部
分が本件発明における第二の割り「溝」に該当すると認めることはできない。
(3) 原告の主張に対する判断
この点に関して原告は，単結晶サファイアが存在しない部分が「溝」に該
当する旨主張するが，本件特許の特許請求の範囲の記載においても，本件明
細書等においても，「第二の割り溝」について，単結晶サファイアが存在し
ない部分を指すことを示す記載はないし，たとえ構造が異なるものであって
もそこに物質が存在する以上，その部分を窪んだ部分と認めることはできな
いというべきである。
したがって，原告の上記主張は採用することができない。
(4) 以上のとおり，被告方法は，構成要件Ｃ及びＤの「第二の割り溝」を充足
しない。
７ 争点(2)（構成要件Ｃ及びＤ「第二の割り溝」についての均等侵害の成否）
について
(1) 特許請求の範囲に記載された構成中に他人が製造等する製品又は用いる方
法(以下「対象製品等」という。)と異なる部分が存する場合であっても，①
その部分が特許発明の本質的部分ではなく(以下「第１要件」という。)，②
その部分を対象製品等におけるものと置き換えても，特許発明の目的を達す
ることができ，同一の作用効果を奏するものであって(以下「第２要件」と
いう。)，③そのように置き換えることに，特許発明の属する技術の分野に
おける通常の知識を有する者（当業者）が，対象製品等の製造等の時点にお
いて容易に想到することができたものであり(以下「第３要件」という。)，
④対象製品等が，特許発明の特許出願時における公知技術と同一又は当業者
がこれから上記出願時に容易に推考できたものではなく(以下「第４要件」
という。)，かつ，⑤対象製品等が特許発明の特許出願手続において特許請
求の範囲から意識的に除外されたものに当たるなどの特段の事情もないとき
(以下「第５要件」という。)は，対象製品等は，特許請求の範囲に記載され
た構成と均等なものとして，特許発明の技術的範囲に属するものと解するの
が相当である（最高裁平成６年（オ）第１０８３号平成１０年２月２４日第
三小法廷判決・民集５２巻１号１１３頁参照）。
(2) 上記のとおり，被告方法は，本件発明の構成要件Ａ，Ｅに加えて，構成
要件Ｂも充足するが，「第二の割り溝」ではなく，その位置にＬＭＡ法の
レーザースクライブによる変質部を形成している点で，本件発明の構成要
件Ｃ及びＤと相違する。そこで，以下，ＬＭＡ法のレーザースクライブに
より変質部を形成する被告方法が，本件発明の「第二の割り溝」を用いる
場合と均等なものといえるかについて検討する。
(3) 第１要件について
ア 特許発明における本質的部分とは，当該特許発明の特許請求の範囲の
記載のうち，従来技術に見られない特有の技術的思想を構成する特徴的
部分であると解すべきである。
そして，上記本質的部分は，特許請求の範囲及び明細書の記載に基づ
いて，特許発明の課題及び解決手段とその効果を把握した上で，特許発
明の特許請求の範囲の記載のうち，従来技術に見られない特有の技術的
思想を構成する特徴的部分が何であるかを確定することによって認定さ
れるべきである。すなわち，特許発明の実質的価値は，その技術分野に
おける従来技術と比較した貢献の程度に応じて定められることからすれ
ば，特許発明の本質的部分は，特許請求の範囲及び明細書の記載，特に
明細書記載の従来技術との比較から認定されるべきである。
ただし，明細書に従来技術が解決できなかった課題として記載されて
いるところが，出願時の従来技術に照らして客観的に見て不十分な場合
には，明細書に記載されていない従来技術も参酌して，当該特許発明の
従来技術に見られない特有の技術的思想を構成する特徴的部分が認定さ
れるべきである。そのような場合には，特許発明の本質的部分は，特許
請求の範囲及び明細書の記載のみから認定される場合に比べ，より特許
請求の範囲の記載に近接したものとなり，均等が認められる範囲がより
狭いものとなると解される。
また，第１要件の判断，すなわち対象製品等との相違部分が非本質的
部分であるかどうかを判断する際には，上記のとおり確定される特許発
明の本質的部分を対象製品等が共通に備えているかどうかを判断し，こ
れを備えていると認められる場合には，相違部分は本質的部分ではない
と判断すべきであり，対象製品等に，従来技術に見られない特有の技術
的思想を構成する特徴的部分以外で相違する部分があるとしても，その
ことは第１要件の充足を否定する理由とはならないと解すべきである
（知的財産高等裁判所平成２８年３月２５日（平成２７年(ネ)第１００
１４号）特別部判決参照）。
イ 本件特許請求の範囲は前記第２，１(4)のとおりであり，本件明細書等
の記載は前記１(1)のとおりであるところ，本件発明は，サファイア基板
上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されたウエハーをチップ状に切
断するに当たり（段落【０００１】），ウェハーを切断する従来技術と
しては，一般に，刃先をダイヤモンドとするブレードの回転運動により，
ウエハーを直接フルカットするか，または刃先巾よりも広い巾の溝を切
り込んだ後（ハーフカット），外力によってウエハーを割る装置である
ダイサー，又は，同じく先端をダイヤモンドとする針の往復直線運動に
よりウエハーに極めて細いスクライブライン（罫書線）を例えば碁盤目
状に引いた後，外力によってウエハーを割る装置であるスクライバーが
使用されていたところ（段落【０００３】），サファイア基板は硬く，
へき開性を有しないため，従来技術のスクライバーを用いる方法では切
断するのが困難であり，ダイサーを用いる方法でもクラック等が発生し
やすく，正確に切断できないという課題があったことから（段落【００
０５】），本件発明においては，ウエハーの半導体層から線幅Ｗ１の第
一の割り溝をエッチングにより形成すること，サファイア基板側に第二
の割り溝を形成すること，第二の割り溝について第一の割り溝の線と合
致する位置とすること，第二の割り溝の線幅Ｗ２を第一の割り溝の線幅
Ｗ１よりも狭くすること，それらの割り溝に沿ってウエハーを分離する
という工程を採用することで（段落【０００７】），クラック等の発生
を防止するとともに，ウエハーをまっすぐに割ることが可能となるか，
切断線が斜めとなってウエハーが切断された場合でも，ｐ－ｎ接合界面
まで切断面が入らずチップ不良が出ることがないので，一枚のウエハー
から多数のチップを得ることができるという効果を奏するようにしたも
のである（段落【０００６】，【００１２】ないし【００１７】）。
また，本件明細書等には，「第二の割り溝」を形成する方法について，
手法は特に問わないとしており，エッチング，ダイシング，スクライブ
等の手法を用いることが可能であるとされ，このうち，線幅を狭くする
ことが可能であるなどの理由から，スクライブが特に好ましいとするに
とどまっており（段落【０００９】），「第二の割り溝」に関して，そ
の形成の方法は特に限定されていない。
そして，本件においては，本件明細書等に従来技術が解決できなかっ
た課題として記載されているところが，出願時の従来技術に照らして客
観的に見て不十分であるという事情は認められない。
以上のような，本件特許の特許請求の範囲及び明細書の記載，特に明
細書記載の従来技術との比較から導かれる本件発明の課題，解決方法，
その効果に照らすと，本件発明の従来技術に見られない特有の技術的思
想を構成する特徴的部分は，サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物
半導体が積層されたウエハーをチップ状に切断するに当たり，半導体層
側にエッチングにより第一の割り溝，すなわち，切断に資する線状の部
分を形成し，サファイア基板側にも何らかの方法により第二の割り溝，
すなわち，切断に資する線状の部分を形成するとともに，それらの位置
関係を一致させ，サファイア基板側の線幅を狭くした点にあると認める
のが相当であり，サファイア基板側に形成される第二の割り溝，すなわ
ち，切断に資する線状の部分が，空洞として溝になっているかどうか，
また，線状の部分の形成方法としていかなる方法を採用するかは上記特
徴的部分に当たらないというべきである。
ウ 被告方法は，前記２で認定したように，サファイア基板上に窒化ガリ
ウム系化合物半導体が積層されたウエハーをチップ状に切断するに当た
り，半導体層側にエッチングにより切断に資する線状の部分を形成し，
サファイア基板側にもＬＭＡ法のレーザースクライブによって切断に資
する線状の変質部を形成するとともに，それらの位置関係を一致させ，
サファイア基板側の線幅を狭くしているのである。
そして，前記２(1)イで説示したとおり，ＬＭＡ法でサファイア基板
を加工した場合，溶融領域が発生し急激な冷却で多結晶化し，この多結
晶領域は多数のブロックに分かれるが，加工領域中央に実質の幅が極端
に狭い境界が発生し，この表面に垂直な境界線の先端に応力集中するの
で割れやすくなることが認められる。
そうすると，被告方法は本件発明の従来技術に見られない特有の技術
的思想を構成する特徴的部分を共通に備えているものと認められる。
したがって，本件発明と被告方法との相違部分は本質的部分ではない
というべきである。
エ 被告らの主張に対する判断
この点に関して被告らは，ＬＭＡ法のレーザースクライブについて，
対象と「非接触」であるため，クラック等が発生せず，かつ，ほぼ垂直
に分割されることから，本件発明の課題自体が存在しないことになり，
そのような方法を用いたとしても，本件発明の本質的部分に当たらない
旨主張する。
そして，乙１４（再公表特許第２００６／０６２０１７号。以下「乙
１４文献」という。）の段落【００３９】には，【図９】，【図１０】
に関して，ＬＭＡ法により形成された変質領域に隣接する正常領域のブ
レイク面が略垂直である旨の記載がある。
しかしながら，他方で，乙１４文献の段落【００４３】等には，同じ
【図９】，【図１０】に関して，デフォーカス値によっては，正常領域
のブレイク面の垂直方向につき多少の傾斜や段差が存在する旨の記載も
あるのであって，ＬＭＡ法のレーザースクライブであるからといって，
切断面が斜めになることで不良品が生じるという本件発明の課題が発生
しないと認めることはできない。
したがって，被告らの上記主張は採用することができない。
オ 以上のとおりで，被告方法は，均等の第１要件を充足すると認められ
る。
(4) 第２要件について
ア 前記(3)で検討したところによれば，本件発明は，半導体層側にエッチ
ングにより第一の割り溝を形成し，サファイア基盤側にも第二の割り溝，
すなわち，切断に資する線状の部分を形成するとともに，それらの位置関
係を一致させ，サファイア基盤側の線幅を狭くすることで，切断線が斜め
となってウエハーが切断された場合でも，ｐ－ｎ接合界面まで切断面が入
らずチップ不良が出ることがないなどといった作用効果を奏するものと認
められる。
イ これに対し，被告方法は，本件発明の第二の割り溝を，ＬＭＡ法のレー
ザースクライブにより形成された線状の変質部に置換したにすぎず，前記
２(1)イで説示したとおり，線状の変質部の存在が切断に資することに変
わりなく，また，第一の割り溝と位置関係が一致し，第一の割り溝の線幅
より狭いという構成によって，切断線が斜めとなってウエハーが切断され
た場合でも，ｐ－ｎ接合界面まで切断面が入らずチップ不良が出ることが
ないという作用効果を奏するものと認められ，本件発明と同一の作用効果
を奏するものである。
ウ この点に関して被告らは，被告方法について，ＬＭＡ法のレーザースク
ライブを用いると本件発明の課題が生じないと主張するが，上記(3)で説
示したとおり，当該主張は採用することができない。
エ したがって，被告方法は，均等の第２要件を充足すると認められる。
(5) 第３要件について
ア 前記(3)で判示したとおり，本件発明においては，第二の割り溝の形成
方法は特に限定されていないものの，スクライブが好ましいとされていた。
これに対し，証拠（甲１９，２０，乙１４）によれば，ＬＭＡ法のレー
ザースクライブは，従来技術であるダイヤモンドの針を使用して溝を形成
する物理的なスクライブや，レーザーを使用して溝を形成するアブレーシ
ョン法のレーザースクライブに対する新たな技術として開発された技術で
あると認められる。
このように，本件発明における第二の割り溝の形成方法として，溝を形
成する従来のスクライブが好ましい方法として記載されており，ＬＭＡ法
のレーザースクライブが，従来技術である溝を形成するスクライブの置換
技術である以上，スクライブ等の方法による第二の割り溝の形成を，ＬＭ
Ａ法のレーザースクライブによる線状の変質部の形成に置換することは容
易であったと認められる。
イ この点に関して被告らは，ＬＭＡ法のレーザースクライブについて，高
生産性と光量損失なしという要請の双方を同時に提供できる技術の確立に
至っていなかったこと（甲２０）から，置換は容易ではなかったと主張す
る。
しかしながら，被告らの主張によっても，高生産性と光量損失なしとい
う要請の双方が同時に提供できないというにすぎず，溝を形成するスクラ
イブの置換技術として開発済みであったことに変わりはないから，置換が
容易であるとする上記アの判断を左右するものではない。
ウ したがって，被告方法は，均等の第３要件を充足すると認められる。
(6) 第４要件及び第５要件について
均等の法理の適用が除外されるべき場合である第４要件及び第５要件につ
いては，対象製品等について均等の法理の適用を否定する者が主張立証責任
を負うと解するのが相当であるところ，本件において，被告らは，第４要件
及び第５要件について何ら主張していない。
したがって，被告方法は第４要件及び第５要件を充足すると認められる。
(7) 以上のとおり，被告方法の「線状の変質部」は，構成要件Ｃ及びＤの「第
二の割り溝」と均等なものとして，その技術的範囲に属する。
８ 争点(3)ア（乙２公報に基づく新規性ないし進歩性欠如）について
(1) 乙２公報の内容
乙２公報には，次の記載がある。
ア 発明の詳細な説明
・「【産業上の利用分野】本発明は青色や短波長領域発光の窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子に関する。」（段落【０００１】）
・「【実施例】以下，本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。図１
は，本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を適用した発光ダイ
オードの構成を示す断面図である。発光ダイオード１０はサファイア基
板１を有しており，そのサファイア基板１上には 500ÅのＡｌＮのバッ
ファ層２が形成されている。そのバッファ層２の上には ，膜厚約
2.5μm のｎ型ＧaＮから成るｎ層４が形成されている。さらに，ｎ層４
の上に膜厚約 0.2μm の半絶縁性ＧaＮ から成るｉ層５が形成されてい
る。そしてｉ層５の表面からｉ層５を貫通しｎ層４に達する凹部２１が
形成されている。この凹部２１を覆うようにｎ層４に接続する金属製の
ｎ層４のための第２の電極８が形成されている。この第２の電極８と離
間してｉ層５上に錫添加酸化インジウム（以下ＩＴＯと略す）から成る
透明導電膜のｉ層５のための第１の電極７が形成されている。第１の電
極７の隅の一部分には取出電極９が形成されている。その取出電極９は
Ｎi 層９ｂとＡu 層９ｃとの２層で構成されている。又，第２の電極８
はｎ層４に接合するＡl 層８ａとＮi 層８ｂとＡu 層８ｃとの３層で構
成されている。この構造の発光ダイオード１０のサファイア基板１の裏
面にはＡl の反射膜１３が蒸着されている。」（段落【００１７】）
・「次に，図６に示すように，フォトレジスト１２およびＳiＯ2 層１１
をマスクとして，真空度0.04Torr，高周波電力0.44W/cm2 ,CCl2 F2 ガ
スを10ml/ 分の割合で供給し，反応性イオンエッチングによりｉ層５を
貫通しｎ層４に達する凹部２１を形成した。また，エッチング後，続い
てArでドランエッチングした。そして，フォトレジスト１２およびＳi
Ｏ2 層１１をフッ酸で除去した。」（段落【００２３】）
・「次に，試料の上全面全体に，イオンプレーティングにより透明導電膜
のＩＴＯ層を約1000Åの厚さに形成した。そして，そのＩＴＯ層の上に
フォトレジストを塗布した。フォトリソグラフにより，第１の電極７の
形成部分のフォトレジストが残るように，フォトレジストを所定形状に
パターン形成した。」（段落【００２４】）
・「次に，残ったフォトレジストをマスクとして下層のＩＴＯ層の露出部
をエッチングした。そして，フォトレジストを除去した。これにより，
図７に示すようにエッチングで残ったＩＴＯ層から成る第１の電極７が
形成された。次に，試料の上全面全体に蒸着によりＡl 層を約2000Åの
厚さに形成した。そのＡl 層の上にフォトレジストを塗布して，フォト
リソグラフにより，そのフォトレジストが，第２の電極８の形成部分が
残るように，所定形状にパターン形成した。次に，そのフォトレジスト
をマスクとして下層のＡl層の露出部をエッチングし，フォトレジスト
を除去した。これにより，図８に示すように，ｎ層４に接続する第２の
電極８のＡl 層８ａが形成された。」（段落【００２５】）
・「このような発光ダイオード１０ｂは，図１２，図１３に示す工程で製
造することができる。図１２の(a) に示すように，サファイヤ基板１上
に，上述した製造方法により，順次，ＡlＮから成るバッファ層２，高
キャリヤ濃度ｎ+ 層３，低キャリヤ濃度ｎ層４ａ，ｉ層５を製造した。
次に，図１２の(b) に示すように，図１２の(a) の多層構造のウェーハ
に対して太い刃物（例えば， 250μm 厚）を用いたダイシングによりｉ
層５から低キャリヤ濃度ｎ層４ａ，高キャリヤ濃度ｎ+ 層３，バッファ
層２，サファイヤ基板１の上面一部まで格子状に所謂ハーフカットにて
切り込みを入れた。」（段落【００３３】）
・「次に，図７及び図８に示したのと同じ工程により，ＩＴＯから成る第
１の電極７と，第２の電極８のＡl 層８ａを，図１３の(c) に示すよう
に形成した。さらに，図９に示す工程により，取出電極９のＮi 層９ｂ，
Ａu 層９ｃ及び第２の電極８のＮi 層８ｂ，Ａu 層８ｃを形成した。」
（段落【００３４】）
・「次に，図１３(d) に示すように，細い刃物（例えば， 150μm 厚）を
用いたダイシングにより，格子状に第２の電極８が形成されてた切り込
みが入れられている部分において，サファイヤ基板１を格子状に切断し
た。このようにして，図１１に示す構造の発光ダイオード１０ｂを製造
することができる。」（段落【００３５】）
イ 図面
【図６】 【図８】
【図１３（ｄ）】
(2) 上記(1)の記載によれば，乙２公報には，「サファイア基板１上に窒化ガ
リウム系化合物半導体（ｎ層４，ｉ層５）を積層した窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子に関して（段落【００１７】），太い刃物（例えば，
250μm 厚）を用いたダイシングにより，窒化ガリウム系化合物半導体層側
からサファイヤ基板１の上面一部まで格子状に所謂ハーフカットにて切り
込みを入れ（段落【００３３】），そこに第２の電極８を形成し（段落
【００３４】），その次に，細い刃物（例えば， 150μm 厚）を用いたダ
イシングにより，格子状に第２の電極８が形成された切り込みが入れられ
ている部分において，サファイヤ基板１を格子状に切断する発光ダイオー
ドの製造方法（段落【００３５】）」という乙２発明が開示されているも
のと認められる。
(3) 乙２文献に基づく新規性欠如の有無について
ア 本件発明と乙２発明との対比
上記(1)及び(2)によれば，本件発明と乙２発明とは次の点で相違してい
ると認められる。
（相違点１）
本件発明では，第一の割り溝をエッチングにより線状に形成すると共に，
第一の割り溝の一部に電極が形成できる「平面」を形成するのに対し，乙
２発明では，第一の割り溝をダイシングにより線状に形成し，半導体層の
側面をそこに電極が形成できるように露出させる点
（相違点２）
本件発明では，ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合
致する位置で，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有
する第二の割り溝を形成し，前記第一の割り溝および第二の割り溝に沿っ
て，前記ウエハーをチップ状に分離するのに対し，乙２発明では，第一の
割り溝の線と合致する位置で，第一の割り溝よりも幅の狭いダイシングブ
レードによって切断する点
イ 相違点１について
この点に関して被告らは，乙２公報には他の実施例として，第２の電極
８を形成するための「凹部２１」を反応性イオンエッチングにより形成す
ることが開示されているので，上記(2)の記載における「切り込み」をエ
ッチングにより形成することも開示があると主張する。しかし，上記(1)
の記載によれば，乙２公報において，太い刃物を用いたダイシングにより
形成される「切り込み」は，単に第２の電極８を形成する目的で形成され
るのではなく，ウエハーからチップを分割するために，サファイア基板の
上面一部にまで達するように，所謂ハーフカットとして形成されるもので
ある。これに対し，乙２公報の別の実施例（段落【００２３】ないし【０
０２５】，【図６】，【図８】）においては，第２の電極８を形成するた
めに，ｎ層４（半導体層の一部）に達する凹部２１をエッチングにより形
成することが開示されるにとどまるのであって，この凹部２１はウエハー
からチップを分離するためのものではない。
したがって，乙２公報において，太い刃物を用いたダイシングにより形
成される「切り込み」につき，これをエッチングにより形成するという技
術的事項が開示されているとは認められない。
ウ 相違点２について
また，上記(1)によれば，細い刃物（例えば， 150μm 厚）を用いたダ
イシング（段落【００３５】）は，図１３(ｄ)にかかわらず一段階でなさ
れるものであって，それによってサファイア基板を切断するためのものと
認められるから，サファイア基板側に本件発明にいう「第二の割り溝」が
形成されることにもならない。
エ 以上のとおり，本件発明が乙２発明に基づき新規性を欠く旨の被告らの
主張は理由がない。
(4) 乙２文献に基づく進歩性欠如の有無について
ア 被告らは，相違点１に関し，上記(3)イで主張したのと同様に，乙２公報
には他の実施例として，第２の電極８を形成するための「凹部２１」を反
応性イオンエッチングにより形成することが開示されているので，当業者
にとって，上記相違点は容易に想到し得ると主張する。
しかし，上記(3)イで説示したとおり，乙２公報において半導体層から
ダイシングにより形成される「切り込み」は，ウエハーからチップを分割
するための所謂ハーフカットとして行われるのに対し，別の実施例におけ
るエッチングにより形成される凹部２１は，第２の電極８を形成するため
のものであって，そこからチップを分離するためのものではなく，その形
成の目的等が異なるから，上記「切り込み」の形成方法としてエッチング
を適用する示唆も動機付けもなく，上記相違点が容易に想到し得るとはい
えない。
イ また，被告らは，相違点２に関し，本件発明の構成要件Ｄにおける「分
離」と，乙２発明における「ダイシング」による「切断」とが相違点であ
るとしても，基板側に細い溝を形成してチップを分離することは，乙４公
報や乙５公報に記載されるように周知技術であったから，上記相違点につ
いても容易想到である旨主張する。
しかし，上記(1)で認定したとおり，乙２発明では，細い刃を用いたダ
イシングによって，第２の電極８が形成された部分を切断しており，第２
の電極８に支障を生じさせない切断方法を採用する必要があると解される
ところ，被告らが主張する基板側に細い溝を形成してチップを分離する技
術的事項を適用した場合，細い溝を形成した上での「分離」の際に，第２
の電極８に支障が生じる可能性も否定できないから，乙２発明に被告らが
主張する周知技術を適用することが容易であるとは認められない。
(5) 以上のとおりで，その余の点について判断するまでもなく，争点(3)アに
関する被告らの主張は理由がない。
９ 争点(3)イ（乙３公報に基づく進歩性欠如）について
(1) 乙３公報の内容
乙３公報には，次の記載がある。
ア 考案の詳細な説明
・「本考案の一実施例を示す窒化ガリウム系化合物半導体素子の平面図を
図１に表す。この窒化ガリウム系化合物半導体素子はサファイア基板１
上にｎ型層２，およびｐ型層４（判決注：ｐ型層３の誤記と思われる。）
を順に積層した後，エッチングによりｐ型層３の一部を取り除き，ｎ型
層２を露出させ，ｎ型層２の上部とｐ型層３の上部とに電極を蒸着によ
り設けたものである。しかもｐ型層３を円弧状にエッチングすることに
より，ｐ型層の面積を無駄なく確保しており，さらにｐ型層３の表面に
ｐ型層３と電気的に接触した線状電極６を設けることにより，電流がｐ
型層に均一に広がる様になっている。」（段落【００１０】）
・「【実施例】以下，一実施例に基づき，図面を参照しながら本考案を詳
説する。サファイア基板１上にＴＭＧ（トリメチルガリウム）－アンモ
ニアを用いＭＯＣＶＤ法により，厚さ３μｍのｎ型ＧａＮ層２，および
厚さ０．５μｍのｐ型ＧａＮ層３を順に積層した。その断面図を図４に
示す。」（段落【００１５】）
・「パターニングの施されたＳｉＯ2層が現れたウエハーのｐ型層３をド
ライエッチングした。その断面図を図８に示す。」（段落【００１９】）
・「残留するＳｉＯ2層を，前述のフッ酸溶液に浸漬することによって除
去した後，蒸着およびリフトオフ法により，図９に示すように，ｐ型電
極５（線状電極６）とｎ型電極４を付け，ペレットチェックをウエハー
状態で行った後，ダイシングソーでカットして本考案の青色発光素子を
得た。なお，ｐ型電極５および線状電極６はフォトレジストをｐ型層上
に形成した後，蒸着によって同時に形成した。」（段落【００２０】）
イ 図面
(2) 上記(1)によれば，乙３公報には，「サファイア基盤１上に窒化ガリウム
系化合物半導体（ｎ型層２，ｐ型層３）を積層した窒化ガリウム系化合物半
導体素子に関して（段落【００１０】），ｐ型層３側からエッチングにより，
チップの周囲に相当する線状部分とｎ型電極を形成することのできる円弧状
の平面部分を形成し（段落【００１０】，【００１９】，【００２０】，
【図１】，【図９】），エッチングされた線状部分の最も外側をダイシング
ソーでカットして青色発光素子を得る方法（段落【００２０】，【図１】，
【図９】）」という乙３発明が開示されているものと認められる。
(3) 乙６公報の内容
乙６公報の発明の詳細な説明には，次の記載がある。
ア 特許請求の範囲
・「サファイア基板上に一般式ＧａXＡｌ1-XＮ（０≦X≦１）で表される
ＧａXＡｌ1-XＮ（０≦X≦１）系化合物半導体が積層されたウエハーを
チップ状に切断する方法において，前記サファイア基板の厚さを１００
～２５０μｍとし，さらに，前記ウエハーの基板側，もしくは窒化ガリ
ウム系化合物半導体層側，またはその両側をスクライブして切断するこ
とを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法。」
（【請求項１】）
イ 発明の詳細な説明
・「【実施例】以下本発明の切断方法を実施例で詳説する。
［実施例１］① 厚さ３５０μｍ，大きさ２インチφのサファイア基板
上に，ｎ型ＧａＮ層とｐ型ＧａＮを合わせて５μｍの厚みで成長させた
発光ダイオード用のＧａＮウエハーの基板を，研磨器により研磨して１
２０μｍとする。さらに，基板側に粘着テープを貼付し，スクライバー
のテーブル上に張り付け，真空チャックで固定する。テーブルはｘ軸
（左右），ｙ軸（前後）に動き，１８０度水平に回転可能な構造となっ
ている。
② 次に，スクライバーのダイヤモンド刃でＧａＮ層をスクライブする
ことにより，テーブルに張り付けたＧａＮウエハーのＧａＮ層に３５０
μｍピッチのスクライブラインを引く。ダイヤモンド刃が設けられたバ
ーはｚ軸（上下），ｙ軸（前後）方向に移動可能な構造となっている。
ダイヤモンド刃の刃先への加重は１００ｇとし，スクライブラインの深
さを深くするため，同一のラインを５回スクライブすることにより，２
０μｍの深さにする。
③ スクライブラインを引いた後，テーブルを９０度回転させ，②と同
様にして３５０μｍピッチで，先ほど引いたスクライブラインと直行す
るラインを２０μｍの深さで引く。
④ 碁盤目状にスクライブラインを引いたＧａＮウエハーをテーブルか
ら剥し取り，サファイア基板側からローラーにより圧力を加えて，押し
割ることにより３５０μｍ角のＧａＮチップを得た。このようにして得
られた３５０μｍ角のＧａＮチップより外形不良によるものを取り除い
たところ，歩留は９５％以上であった。」（段落【００１４】）
・「［実施例２］① 実施例１に同じ。
② 実施例１と同様にしてＧａＮ層から１５０μｍピッチのスクライブ
ラインを入れる。但しスクライブ回数は２回とし，深さは８μｍとする。
③ 実施例１と同様にテーブルを回転させ，スクライブ回数２回で，直
行するスクライブラインを引く。
以上のようにしてＧａＮ層にスクライブラインを引き終えた後，サファ
イア基板に貼付した粘着テープを溶剤により取り去った後，再びスクラ
イブラインの入ったＧａＮ層に粘着テープを貼付し，同様にスクライバ
ーのテーブル１１に設置する。この際スクライバーの刃先の軌跡が先ほ
ど引いたＧａＮ層のスクライブラインと一致するように刃先を一致させ
る。後は②～③の工程と同様にして，基板側にも碁盤目状のスクライブ
ラインを引く。
④ 実施例１と同様にしてＧａＮウエハーを１５０μｍ角のチップに切
断したところ，同じく歩留は９５％以上であった。」（段落【００１
５】）
(4) 本件発明と乙３発明との対比
前記(1)及び(2)によると，本件発明と乙３発明とは，次の（一致点）で
一致し，（相違点）において相違するものと認められる。
（一致点）
サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハー
から窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において，
前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を
所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると共に，第一の割
り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程と，
前記第一の割り溝に沿って，前記ウエハーをチップ状に分離する工程
とを具備することを特徴とする
窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法である点
（相違点）
本件発明では，「前記ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝
の線と合致する位置で，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅
（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成する工程」を有し，第一の割り溝
及び第二の割り溝に沿って，前記ウエハーをチップ状に分離する工程を
具備するのに対し，乙３発明では，それらの工程があるか不明である点
(5) 容易想到性について
上記相違点について検討する。
ア 被告らは，半導体層側に幅広の溝を形成し，基板側に細い溝を形成して
チップを分離することは，乙４公報や乙５公報に記載されるように周知技
術であったと主張する。
乙４公報や乙５公報の記載によれば，これら各公報には，従来のＳｉ，
ＧａＡｓ，ＧａＡｓＰ，ＧａＰ，ＧａＡｌＡｓ等の半導体基板上に形成さ
れた半導体素子について，Ｐ層側からダイシングによりハーフダイスを行
い，基板の裏面からダイシングラインと一致するようにスクライブを行い，
その上でウエハーを割ってチップを分離する技術的事項が開示されている
ことが認められる。
しかし，上記の技術的事項については，本件発明や乙３発明のようなサ
ファイア基板上に半導体層を積層した窒化ガリウム系化合物半導体ウエハ
ーではなく，本件明細書等（段落【０００３】，【０００４】）にも記載
される従来技術，すなわち，硬いサファイア基盤を用いないＧａＡｓ等の
半導体結晶素子に関するものである。
したがって，上記の技術的事項を基板等の性質の異なる乙３発明に適用
することが容易であるとはいえない。
イ また，被告らは，窒化ガリウム系化合物半導体について，サファイア基
板側をスクライブして切断する技術的事項は，乙６公報に開示されていた
と主張する。
確かに，前記(3)で認定したところによれば，乙６公報には，サファイ
ア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーに関して，サ
ファイア基板側，半導体層側，あるいはその双方からスクライブして切断
するという技術的事項が開示されている。
しかし，乙３発明のｐ型層３側にエッチングで形成される線状部分につ
いては，乙３公報の図に線状（【図１】の平面図）又は溝状（【図９】等
の断面図）の記載があるのみであって，その線幅については何ら記載がな
く，また，乙３公報に，線状部分に関する記載ではないものの，エッチン
グの範囲に関連して「ｐ型層３を最大限確保する」ことを推奨する記載が
あることに照らすと（段落【００１３】），当業者としては，線状部分の
線幅もできる限り少なくするよう理解するものと認められる。
そうすると，乙３発明に乙６公報で開示されたサファイア基板側からス
クライブしてウエハーからチップを切断する方法を適用したとしても，半
導体層側からエッチングにより形成される線状部分の線幅（Ｗ１）とサフ
ァイア基板側からスクライブにより形成される線幅（Ｗ２）との関係は明
らかでないというべきであり，上記の相違点のうち，「第一の割り溝の線
幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝」の構成には至
らないというべきである。
ウ さらに，被告らは，乙２２ないし２４の各公報に，十分な広さをもって
スクライブライン（乙３発明のエッチング部分に相当する）を形成するこ
とが開示されているように，分割時のダメージが及ばないようスクライブ
ラインにある程度の幅を持たせることも当然のことであるから，スクライ
ブの幅の方がエッチング部分の幅よりも狭いことは明らかである旨主張す
る。
しかし，乙２２ないし２４の各公報の記載によれば，これら各公報には，
ウエハーからチップを分割するに際し，分割手段（スクライバーやダイサ
ー）が直接当たる領域について，加工のずれに対応し，あるいは加工の影
響が半導体素子の作動領域に及ばないようにするために，分割するための
領域（チップ間の間隙でもあり，スクライブラインなどと呼ばれる。）と
してスクライブやダイシングの幅よりも広い領域（スクライブラインの幅）
を確保しておく必要があるという技術的事項が開示されているにとどまる
ものと認められる。このように，これらの各公報においては，スクライバ
ー等の分割手段が直接当たる側に相応の幅を確保するための技術的事項が
開示されるにとどまり，分割手段がウエハーの基板側に当たる場合に，逆
の半導体側により広い線幅の溝を形成する技術的事項を開示するものでは
ないから，これを乙６発明に適用したとしても，半導体層側のエッチング
部分の線幅よりサファイア基板側のスクライブによる線幅が細くなるとい
う構成は導かれない。
なお，乙２４公報の記載によれば，同公報には，ウエハーの分割に際し，
主表面側に幅Ｗ１の溝を，裏面側に幅Ｗ２の溝をそれぞれ形成し，Ｗ２を
Ｗ１よりも大きく設定するという技術的事項が開示されていると認められ
る。このように，裏面側の溝幅Ｗ２の方がＷ１よりも大きく設定される以
上，これを乙６発明に適用したとしても，裏面に相当するサファイア基板
側の溝幅の方が，主表面に相当する半導体層側のエッチング部分の線幅よ
りも大きくなってしまい，相違点２に係る本件発明の構成には至らない。
エ 以上のとおり，本件発明は，乙３発明及び周知技術に基づいて当業者が
容易に発明をすることができたものとはいえない。
(6) 以上のとおりで，争点(3)イに関する被告らの主張は理由がない。
１０ 争点(3)ウ（本件補正における新規事項追加の有無）について
(1) 被告らは，原告が本件補正において，本件発明の構成要件Ｂに関して，第
一の割り溝をエッチングにより形成するのと「共に」電極が形成できる平面
を形成するという内容の補正（新規事項①）と，第一の割り溝の「一部に」
電極が形成できる平面を形成するという内容の補正（新規事項②）を行った
ことは，当初明細書に記載のない新規事項の追加に当たると主張するので，
以下，検討する。
(2) 本件特許に係る当初明細書の内容
当初明細書（乙８）には，電極が形成できる平面に関して，次の記載があ
る。
ア 発明の詳細な説明
・「図４は，図１に示すウエハーを窒化物半導体層側からみた平面図であ
り，第一の割り溝１１の形状を示していると同時に，チップ形状も示し
ている。この図では，ｐ型層３を予めｎ層の電極が形成できる線幅でエ
ッチングして，第一の割り溝１１を形成し，さらにｐ型層３の隅部を半
弧状に切り欠いた形状としており，この切り欠いた部分にｎ層の電極を
形成することができる。」（段落【００１６】）
・「【発明の効果】
（略）また図１に示すように第一の割り溝を形成すれば，第一の割り溝
の表面に電極を形成することもできる。」（段落【００２７】）
イ 図面
(3) 上記(2)で認定した当初明細書の段落【００１６】では，【図４】は【図
１】の平面図であり，第一の割り溝１１の形状を示すとされており，その
【図４】において「半弧状に切り欠いた」部分も含めた一体的な形状でｎ型
層２の露出部分が記載されていることに照らすと，段落【００１６】及び
【図４】には，第一の割り溝１１に「半弧状に切り欠いた」部分が含まれ得
ること，また，「半弧状に切り欠いた」部分を含めてエッチングにより一体
として形成することが記載されているものと認められる。
(4) この点に関して被告らは，当初明細書の段落【００１６】において，「さ
らに」という文言が使用されていることから，その前に記載された「第一の
割り溝１１」の形成と，その後に記載された「半弧状に切り欠いた」部分と
は，別個に，先後関係をもって形成されるものであり，かつ，「半弧状に切
り欠いた」部分は「第一の割り溝１１」の一部ではない旨主張する。
しかし，段落【００１６】の記載と【図４】の記載を総合して斟酌すれば，
段落【００１６】の「さらに」は，「第一の割り溝１１」に関する付加的な
説明を意味するものと解されるのであって，先後関係を示すものとは解され
ないから，被告らの上記主張を採用することはできない。
(5) 以上のとおり，被告らの主張する新規事項①及び②はいずれも新規事項の
追加には当たらず，争点(3)ウに関する被告らの主張は理由がない。
１１ 争点(3)エ（乙６公報及び乙３公報に基づく進歩性欠如）について
(1) 本件発明と乙６発明との対比
前記９(3)で認定した乙６公報の記載によれば，同公報には，「サファイ
ア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーを切断する方法
であって，前記ウエハーの半導体層側から線状にスクライブし，また，サフ
ァイア基板側からも半導体層側のスクライブラインと一致するようにスクラ
イブし，それらのスクライブラインに沿ってチップに切断する製造方法」で
ある乙６発明が開示されていると認められる。
(2) そうすると，本件発明と乙６発明とは，次の（一致点）で一致し，（相違
点１）及び（相違点２）において相違することになる。
（一致点）
サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハー
から窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において，
前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を
所望のチップ形状で線状に形成する工程と，
前記ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位
置で，第二の割り溝を形成する工程と，
前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って，前記ウエハーを
チップ状に分離する工程とを具備することを特徴とする
窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法である点
（相違点１）
本件発明が，第一の割り溝をエッチングにより形成すると共に，第一
の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成するのに対して，乙６発
明では，第一の割り溝をスクライバーにより形成しており，それと共に
電極が形成できる平面を形成することが開示されていない点
（相違点２）
本件発明が，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を
有する第二の割り溝を形成するのに対し，乙６発明では，そうであるの
か不明である点
(3) 容易想到性について
被告らは，相違点２に関して，乙３公報の【図９】，【図１】，【図２】
の記載からすると，乙６発明に乙３発明を適用すれば，第一の割り溝の線幅
よりも第二の割り溝の線幅の方が細くなる旨主張する。
しかし，上記９で説示したとおり，乙３公報の図面にはエッチングにより
形成される線状部分の線幅については何ら記載がなく，段落【００１３】の
記載から，当業者としては，線状部分の線幅もできる限り少なくするよう理
解するものと認められることに照らすと，半導体層側からエッチングにより
チップの周囲に相当する線状部分とｎ型電極を形成することのできる円弧状
の平面部分を形成する乙３発明を適用したとしても，半導体層側のエッチン
グ部分の線幅よりもサファイア基板側のスクライブの線幅が細くなるという
構成は当然には導かれないというべきである。
また，被告らは，乙３発明のエッチング部分に相当するスクライブライン
を十分な広さをもって形成することは，乙２２ないし２４の各公報に記載さ
れるように周知技術であると主張する。
しかし，前記９で説示したとおり，乙２２ないし２４の各公報に開示され
た技術的事項によっても，半導体層側のエッチング部分の線幅よりサファイ
ア基板側のスクライブの線幅が細くなるという相違点２に係る本件発明の構
成には至らない。
(4) 以上のとおり，その余の相違点について判断するまでもなく，争点(3)エ
に関する被告らの主張は理由がない。
１２ 争点(4)（損害発生の有無及びその額）について
(1) 被告Ｅ＆Ｅの販売等に係る特許法１０２条２項の損害額
特許法１０２条２項の適用に関して，本件特許の登録日である平成１０年
５月１５日から現在までの間に，被告Ｅ＆Ｅが被告ＬＥＤの販売等により得
た利益が１８万円であることは，原告と被告Ｅ＆Ｅとの間において争いがな
い。
したがって，被告Ｅ＆Ｅによる被告ＬＥＤの販売等に係る特許法１０２条
２項の損害額は１８万円と認められる。
(2) 被告立花の販売等に係る特許法１０２条２項の損害額
ア 被告立花が，平成２５年１月，イガラシに対して，イ号ＬＥＤを１００
０個，ロ号ＬＥＤを５００個，いずれも単価２０円（合計３万円）で販売
したことは前提第２，１(7)イのとおりである。また，当該売上げに係る
被告立花の限界利益率が１０％であることは，当事者間に争いがない。
この点に関して原告は，本件特許の登録日である平成１０年５月１５日
から現在までの間における被告立花による被告ＬＥＤの売上が合計６０万
円を下らない旨主張する。
しかし，本件全証拠を精査しても，被告立花が，上記の合計３万円を超
えて被告ＬＥＤを販売した事実を認めるに足りる証拠はない。
したがって，被告立花の販売等に係る特許法１０２条２項の損害額は３
０００円（３万円×０．１＝３０００円）と認めるのが相当である。
イ 被告立花の主張に対する判断
この点に関して被告立花は，上記アにおけるイ号ＬＥＤ１０００個の販
売について，原告が証拠収集のためにイガラシを介して発注したことに基
づくものであり，販売されたイ号ＬＥＤについても，被告立花が回収した
か，原告が保有又は消費しており，第三者に販売されたものはないので，
原告には売上減少による逸失利益たる損害は発生していないと主張する。
確かに，証拠（甲６の１，丙４の４，４の６，４の８の１，７の１ない
し７の９の２）によれば，原告がイ号ＬＥＤの構成を分析するために用い
た試料が１０００個入りの袋に入っており，被告立花がイガラシに販売し
たイ号ＬＥＤの個数と一致すること，また，被告立花とイガラシとの間で
イ号ＬＥＤの販売に関して交わされた電子メール，発注書，納品書等を原
告が入手しており，これを別件訴訟に証拠として提出したことは認められ
る。
しかし，イ号ＬＥＤの市場における販売数量や流通経路は明らかではな
く，上記の事実のみから直ちに，原告がイガラシを介してイ号ＬＥＤを購
入したとまで認めることはできず，その一部を原告が消費又は保有してい
ると認めることもできない。また，証拠（丙８）によれば，被告立花がイ
ガラシからイ号ＬＥＤ１０３個の返品を受けた事実は認められるが，販売
後の事情にすぎず，これにより既に発生した損害に消長を来すものと解す
ることはできない。
したがって，被告立花の上記主張は採用することができない。
ウ 原告の主張に対する判断
原告は，被告立花の販売等に係る損害について，被告Ｅ＆Ｅも連帯して
支払う義務がある（共同不法行為を主張するものと解される。）旨主張す
る。
しかし，原告の主張は，被告立花が被告ＬＥＤを被告Ｅ＆Ｅから仕入れ
て販売したというにとどまり，被告らの共謀や客観的共同関連性について
の主張はなく，また，これを認めるに足りる証拠もない。
したがって，被告立花の販売等に係る損害について被告Ｅ＆Ｅが連帯責
任を負う旨の原告の主張は理由がない。
エ 以上のとおり，被告立花の販売等に係る特許法１０２条２項の損害とし
て，被告立花は，原告に対し，３０００円の損害賠償義務を負うというべ
きである。
(3) 弁護士・弁理士費用
本件事案の内容，審理経過など，本件に表れた事情を総合すると，侵害行
為と相当因果関係のある弁護士・弁理士費用は，被告らそれぞれに対し各２
０万円と認めるのが相当である。
(4) 合計
以上のとおり，上記(1)ないし(3)の合計額は，被告Ｅ＆Ｅにつき３８万円，
被告立花につき２０万３０００円となる。
１３ 争点(5)（弁済の抗弁）について
被告らは，本件のイ号ＬＥＤをイ号物件とする別件訴訟の判決で命じられ
た損害賠償額を弁済しており，その損害賠償債務において本件特許権の侵害
に基づく損害賠償義務も評価されているから，上記弁済により，その範囲で
本件における損害賠償債務も消滅する旨主張する。しかし，別件判決（乙７
４）によれば，別件訴訟は，本件特許権とは異なる別件特許権１の侵害に係
る損害賠償の支払を命じたものであると認められる。すなわち，本件訴訟と
別件訴訟とでは訴訟物が異なるから，たとえ本件訴訟と別件訴訟における侵
害物件がイ号ＬＥＤの範囲で重なるとしても，別件訴訟の訴訟物に係る弁済
により当然に本件訴訟における損害賠償義務が消滅するとはいえない。加え
て，別件判決においては，イ号物件（本件のイ号ＬＥＤ）が原告の他の特許
権に係る発明の技術的範囲に含まれるかどうかや，含まれるとした場合の寄
与の程度が判然としないことから，推定の覆滅には十分でないと判断された
のであって，別件訴訟における原告の損害と本件訴訟における損害とが共通
することを認定したものでもない。
したがって，被告らの上記主張は採用することができない。
１４ 結論
以上によれば，原告の請求は主文掲記の限度で理由があるのでその範囲で
認容し，その余は理由がないから棄却することとし，主文のとおり判決する。
東京地方裁判所民事第４０部
裁判長裁判官
東 海 林 保
裁判官
瀬 孝
古谷健二郎裁判官は，差支えのため，署名押印することができない。
裁判長裁判官
東 海 林 保
（別紙）
当 事 者 目 録
原 告 日 亜 化 学 工 業 株 式 会 社
同訴訟代理人弁護士 古 城 春 実
同 宮 原 正 志
同 牧 野 知 彦
同 加 治 梓 子
同訴訟代理人弁理士 鮫 島 睦
同 山 尾 憲 人
同 田 村 啓
同 玄 番 佐 奈 恵
被 告 株 式 会 社 立 花 エ レ テ ッ ク
同訴訟代理人弁護士 井 上 裕 史
同 佐 合 俊 彦
同 田 上 洋 平
被 告 Ｅ＆Ｅ Ｊａｐａｎ株式会社
同訴訟代理人弁護士 黒 田 健 二
同 吉 村 誠
（別紙）
物件目録
被告らが輸入，譲渡，譲渡の申出等を行っている下記の青色ＬＥＤ。
記
１ １２５４－１５ＡＳＵＢＣ／ＸＸＸＸ－ＸＸ－Ｘ（ＸＸＸ）
２ ７３４４－１５ＡＳＵＢＣ／ＸＸＸＸ－ＸＸ－Ｘ（ＸＸＸ）
ただし，上記のＸには，任意の英数字が入る。
（別添「特許公報」は省略）