平成29(行ケ)10099審決取消請求事件

平成２９年１２月７日判決言渡
平成２９年（行ケ）第１００９９号 審決取消請求事件
口頭弁論終結日 平成２９年１１月２８日
判 決
原 告 株式会社半導体エネルギー研究所
同訴訟代理人弁護士 伊 藤 真
平 井 佑 希
丸 田 憲 和
被 告 国立研究開発法人科学技術振興機構
被 告 Ｈ Ｏ Ｙ Ａ 株 式 会 社
上記両名訴訟代理人弁護士 高 橋 雄 一 郎
鈴 木 佑 一 郎
上記両名訴訟代理人弁理士 望 月 尚 子
主 文
１ 原告の請求を棄却する。
２ 訴訟費用は原告の負担とする。
事 実 及 び 理 由
第１ 原告の求めた裁判
特許庁が無効２０１４－８００１２０号事件について平成２９年３月２８日にし
た審決を取り消す。
第２ 事案の概要
本件は，原告が請求した特許無効審判の不成立審決に対する取消訴訟である。争
点は，①訂正要件違反の有無，②実施可能要件（特許法３６条４項１号）違反の有
無及び③サポート要件（特許法３６条６項１号）違反の有無についての判断の当否
である。
１ 手続の経緯
被告らは，平成１４年９月１１日（以下，
「本件出願日」という。）に出願され（特
願２００２－２６６０１２号）平成２０年８月８日に設定登録がされた特許
， （以下，
「本件特許」という。特許第４１６４５６２号。発明の名称「ホモロガス薄膜を活
性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ」 の特許権者である
） （甲４１）。
原告は，平成２６年７月１４日，本件特許の無効審判請求をしたところ（無効２
０１４－８００１２０号。以下，「本件審判請求」）という。 ，特許庁は，平成２７
）
年７月２８日，
「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決（以下，
「第一次審決」
という。）をした。
原告は，平成２７年９月７日，知的財産高等裁判所に，第一次審決について審決
取消訴訟を提起し（平成２７年（行ケ）第１０１７６号。以下，
「第一次訴訟」とい
う。，知的財産高等裁判所は，平成２８年１０月１２日，
） 「特許庁が無効２０１４－
８００１２０号事件について平成２７年７月２８日にした審決のうち，請求項１，
２及び４に係る部分を取り消す。原告のその余の請求を棄却する。 との判決
」 （以下，
「第一次判決」という。）をした。
特許庁は，無効２０１４－８００１２０号事件について再度審理を開始したとこ
ろ，被告らは，平成２８年１２月８日，本件特許に関し訂正請求をした（甲４２。
以下，「本件訂正」という。。特許庁は，平成２９年３月２８日，
） 「特許第４１６４
５６２号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとお
り，訂正後の請求項１－４について訂正することを認める。本件審判の請求のうち，
請求項１，２及び４に係る部分は，成り立たない。」との審決（以下，「本件審決」
という。）をし，同審決謄本は，同年４月６日に原告に送達された。
２ 本件発明の要旨
本件訂正後の本件特許の請求項１～４に係る発明（以下，それぞれ「本件発明１」，
「本件発明２」「本件発明３」「本件発明４」といい，まとめて「本件発明」とい
， ，
う。）は，次のとおりである（以下，本件特許の明細書及び図面を「本件明細書」と
いう。）
【請求項１】
ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ
＝１以上５０未満の整数）薄膜を活性層として用いることを特徴とする透明薄膜電
界効果型トランジスタ（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場
合はｍ＝１以上５未満の整数である。）。
【請求項２】
表面が原子レベルで平坦である単結晶又はアモルファスホモロガス化合物薄膜を
用いることを特徴とする請求項１記載の透明薄膜電界効果型トランジスタ。
【請求項３】
ホモロガス化合物が耐熱性，透明酸化物単結晶基板上に形成された単結晶薄膜で
あることを特徴とする請求項１記載の透明薄膜電界効果型トランジスタ。
【請求項４】
ホモロガス化合物がガラス基板上に形成されたアモルファス薄膜であることを特
徴とする請求項１記載の透明薄膜電界効果型トランジスタ。
３ 審決の理由の要旨
(1) 訂正の適否についての判断
ア 訂正内容
(ｱ) 訂正事項１
特許請求の範囲の請求項１に，
「【請求項１】
ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ， Ｆｅ， Ｇａ ,又はＡ
ｌ, ｍ＝１以上５０未満の整数)薄膜を活性層として用いることを特徴とする透明
薄膜電界効果型トランジスタ。」
とあるのを，
「【請求項１】
ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ， Ｆｅ， Ｇａ ,又はＡ
ｌ,ｍ＝１以上５０未満の整数)薄膜を活性層として用いることを特徴とする透明薄
膜電界効果型トランジスタ（ただし，該薄膜がアモルファスホモロガス化合物であ
る場合はｍ＝１以上５未満の整数である）。」
と訂正し，その結果として請求項１を引用する請求項２及び４も訂正する。
(ｲ) 訂正事項２
特許請求の範囲の請求項１を訂正事項１のとおりに訂正し，その結果として請求
項１を引用する請求項３を，
「【請求項３】
ホモロガス化合物が耐熱性，透明酸化物単結晶基板上に形成された単結晶薄膜で
あることを特徴とする請求項１記載の透明薄膜電界効果型トランジスタ。」
訂正する。
イ 訂正事項１について
(ｱ) 訂正事項１は特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
(ｲ) 甲３，４，６及び７によると，本件出願日当時，当業者は，ＩｎＧａ
Ｏ３（ＺｎＯ）ｍのｍが５以上のアモルファス薄膜の作成は極めて困難と認識して
いたものと認められる。すると，訂正事項１は，特許請求の範囲に実施可能なもの
でない薄膜が含まれることのないように，特許請求の範囲から一部の薄膜を除くも
のである。そして，上記のように一部の薄膜を除いたことにより，技術的意義を追
加し又は変更するものではなく，また，新たな効果を奏するものでもないから，訂
正事項１により，本件特許の明細書又は図面に記載した事項との関係において，新
たな技術的事項が導入されるものでないと認められる。
したがって，本件訂正事項１は，新規事項を追加するものではない。
(ｳ) 訂正事項１は，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するもので
はない。
ウ 訂正事項２について
訂正事項２についても，前記イのとおりである。
そして，訂正事項２により，請求項１に薄膜がアモルファスホモロガス化合物で
ある場合の限定が付加されたが，請求項１を引用する請求項３における薄膜は単結
晶薄膜でありアモルファスホモロガス化合物ではないから，請求項３は実質的には
訂正されておらず，してみると，訂正前の請求項３に係る発明は，確定した第一次
審決のとおり，無効理由がないから，訂正後の請求項３に係る発明も独立特許要件
を満たすものである。
エ 一群の請求項
訂正事項１及び２は，一群の請求項ごとにされたものである。
オ まとめ
以上のとおり，本件訂正は，特許法１３４条の２第１項ただし書１号に掲げる事
項を目的とするものであり，同条９項において準用する同法１２６条４項～７項の
規定に適合するので，訂正後の請求項１～４について訂正することを認める。
(2) 請求人（原告）が主張した無効理由
ア 無効理由１
下記(ｱ)～(ｳ)のとおり，本件発明１，２及び４は，本件出願日前に日本国内又は
外国において頒布された甲１，３～１４，２４～２６及び２８に記載された発明に
基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法２９条２項
の規定により特許を受けることができない。したがって，本件発明１，２及び４に
係る特許は，特許法１２３条１項２号に該当し，無効とすべきものである。
(ｱ) 本件発明１は，甲１，３～１４，２４及び２８に記載された発明に基
づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
(ｲ) 本件発明２は，甲１，３～１４，２４～２６及び２８に記載された発
明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
(ｳ) 本件発明４は，甲１及び３～１４に記載された発明に基づいて当業者
が容易に発明をすることができたものである。
イ 無効理由２
下記(ｱ)～(ｳ)のとおり，本件発明１，２及び４は，本件出願日前に日本国内又は
外国において頒布された甲１，３～５，８，１４，２４～２６及び２８に記載され
た発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法
２９条２項の規定により特許を受けることができない。したがって，本件発明１，
２及び４に係る特許は，特許法１２３条１項２号に該当し，無効とすべきものであ
る。
(ｱ) 本件発明１は，甲１，３～５，８，１４，２４及び２８に記載された
発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
(ｲ) 本件発明２は，甲１，３～８，１４，２４～２６及び２８に記載され
た発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
(ｳ) 本件発明４は，甲１，３～８及び１４に記載された発明に基づいて当
業者が容易に発明をすることができたものである。
ウ 無効理由３
下記(ｱ)～(ｳ)のとおり，本件発明１，２及び４は，本件出願日前に日本国内又は
外国において頒布された甲２～７，１４，２４～２６，２８及び２９に記載された
発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２
９条２項の規定により特許を受けることができない。したがって，本件発明１，２
及び４に係る特許は，特許法１２３条１項２号に該当し，無効とすべきものである。
(ｱ) 本件発明１は，甲２～５，１４，２８及び２９に記載された発明に基
づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
(ｲ) 本件発明２は，甲２～７，１４，２４～２６，２８及び２９に記載さ
れた発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
(ｳ) 本件発明４は，甲２～７，１４，２８及び２９に記載された発明に基
づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
エ 無効理由４
本件発明１及び２は，本件出願日前の他の特許出願であって，本件特許の出願後
に公開された甲３１に記載の発明と同一であるから，特許法２９条の２の規定によ
り特許を受けることができない。したがって，本件発明１及び２に係る特許は，特
許法１２３条１項２号に該当し，無効とすべきものである。
オ 無効理由５
本件明細書の発明の詳細な説明の記載は，本件発明１，２及び４についての実施
可能要件を満たしていないから，本件発明１，２及び４についての特許は，特許法
３６条４項１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであ
り，特許法１２３条１項４号の規定に該当し，無効とすべきものである。
カ 無効理由６
本件発明１，２及び４は，本件明細書の発明の詳細な説明に記載したものではな
いから，特許法３６条６項１号に規定する要件を満たしていない。したがって，本
件発明１，２及び４に係る特許は，特許法１２３条１項４号の規定に該当し，無効
とすべきものである。
(3) 無効理由５について
ア 無効理由５の具体的理由
本件明細書の発明の詳細な説明には，活性層として用いることができるホモロガ
ス化合物のアモルファス薄膜の作製法についての実施例の記載はなく，具体的に説
明されていない。
本件明細書の【００１４】には「ＺｎＯを含むホモロガス化合物を反応性固相エ
ピタキシヤル法により室温で成膜したアモルファス状態は１０００℃程度の高温ま
で安定であり」との記載があるが，成膜方法についての記載はない。また，【００
２７】には「また，アモルファス薄膜の場合は，エピタキシャル成長させる必要は
ないので・・・」との記載はあるが，アモルファス薄膜の成膜方法についての記載
はない。さらに，実施例においては，【００２８】に「ＰＬＤ法により，厚み１５
０ｎｍの多結晶ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５薄膜を堆積させた。」と記載されており，
アモルファス薄膜の成膜方法についての記載はない。そして，【００２５】には「ま
た，反応性固相エピタキシャル成長法で得られたＺｎＯを含むホモロガス単結晶膜
は，化学量論組成に近く，室温では，１０８Ｗ・ｃｍ以上の高い絶縁性を示し，ノ
ーマリーオフ電界効果型トランジスタに適している。」と記載され，【００３１】
には「３．ＭＩＳＦＥＴ素子の特性評価 図４に，室温下で測定したＭＩＳＦＥＴ
素子の電流－電圧特性を示す。・・・これはゲートバイアスにより絶縁体のＩｎＧ
ａＯ３（ＺｎＯ）５単結晶薄膜内にキャリアを誘起できたことに対応する。」と記載
されているが，アモルファス薄膜については，どのように製造され，どのような電
気特性の膜が得られるのか，またＭＩＳＦＥＴ素子に適用した場合にどのような電
気的特性が得られるのかについては全く記載されていない。
本件明細書の他に，甲３，４，６及び７の開示内容をも参酌したとしても，当業
者はせいぜいのところ導電膜に用いる「アモルファスのＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ
（ｍ＝１～４）」を形成可能であったにとどまり，透明薄膜電界効果型トランジス
タの活性層に用いる「アモルファスのＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝１～４）」
を形成し，本件発明を実施することが可能であったとはいえない。
甲２にはＩＴＯ以外の酸化物の透明導電膜について，膜中の酸素量（酸素欠損）
を制御することにより，薄膜トランジスタの動作に必要な１０１８ｃｍ－３以下のキャ
リア濃度を達成することが可能であるのかについては何ら記載されていないのであ
り，酸化物の透明導電膜一般に関する技術常識は存在しない以上，本件明細書の記
載に基づいて，当業者が透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層として用いるこ
とができるアモルファスのＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝１～４）を形成できた
とはいえず，訂正後の本件発明も実施可能要件を欠く。
したがって，本件明細書の発明の詳細な説明は，当業者が本件発明１，２及び４
を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものではない。
イ 判断
(ｱ) 本件発明１について
本件明細書の発明の詳細な説明の記載を参酌すると，単結晶のホモロガス化合物
ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満
の整数。以下，結晶構造にかかわらず，「本件化合物」という。）を形成する方法
としては，「ＹＳＺ(イットリア安定化ジルコニア)基板上に育成したＺｎＯ単結晶
極薄膜上に，アモルファスのホモロガス薄膜を堆積し，得られた多層膜を高温で加
熱拡散処理する「反応性固相エピタキシャル法」により，ホモロガス単結晶薄膜を
育成する」（【０００７】），「上記のホモロガス単結晶薄膜の製造方法と同様に，
ＺｎＯ薄膜上にエピタキシャル成長した複合酸化物薄膜を加熱拡散する手段を用い
る」（【０００８】）と記載されている。また，ＺｎＯ薄膜上に形成する本件化合
物薄膜全般については，
「ＭＢＥ法，パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）等により・ ・
・
成長させる。」（【００１９】），「得られた薄膜は，単結晶膜である必要はなく，
多結晶膜でも，アモルファス膜でも良い。」（【００２０】），「基板温度を室温
まで冷却し，該ＺｎＯエピタキシャル薄膜上にＰＬＤ法により，厚み１５０ｎｍの
多結晶ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５薄膜を堆積させた。」（【００２８】）とあるよう
に，多結晶やアモルファスの薄膜を，室温で，ＭＢＥ法，パルスレーザー蒸着法（Ｐ
ＬＤ法）等を用いて形成することが記載されている。さらに，アモルファスの本件
化合物薄膜を形成する方法については，「ＺｎＯを含むホモロガス化合物アモルフ
ァス薄膜を用いる場合には，基板は耐熱性を有する必要がなく，安価なガラス基板
を用いることができる。」（【００１６】），「アモルファス薄膜の場合は，エピ
タキシャル成長させる必要はないので，ＺｎＯエピタキシャル成長及び高温アニー
ルプロセスを除くことができる。」（【００２７】）と記載されている。
これらの記載から，当業者であれば，アモルファスの本件化合物薄膜を形成する
ためには，上記単結晶の薄膜の形成方法から，ＺｎＯ単結晶薄膜の成長と高温アニ
ールの工程を省略すればよいこと，すなわち，ガラス基板等を用いて，室温で，Ｍ
ＢＥ法，パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）等を用いて形成すればよいことを理解
する。もっとも，本件出願日当時，当業者は，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍのｍが５
以上のアモルファス薄膜の作成は極めて困難と認識していたものと認められる（甲
３，４，６，７）が，本件発明１はｍが５以上のアモルファス薄膜を含んでいない
ので，上記の認定は，本件発明１について妥当するものである。
さらに，本件明細書の発明の詳細な説明を参酌すると，「得られたＺｎＯを主た
る構成成分として含有するホモロガス単結晶薄膜を活性層とした，トップゲート型
ＭＩＳ電界効果型トランジスタを作製することができる。図３に示すように，まず，
基板１上にエピタキシャル成長したＺｎＯを主たる構成成分として含有するホモロ
ガス単結晶薄膜２上にゲート絶縁膜３及びゲート電極４用の金属膜を形成する。ゲ
ート絶縁膜３には，Ａｌ２Ｏ３が最も適している。ゲート電極４用金属膜は，Ａｕ，
Ａｇ，Ａｌ，又はＣｕ等を用いることができる。光リゾグラフィー法及びドライエ
ッチング，又はリフトオフ法により，ゲート電極４を作製し，最後に，ソース電極
５及びドレイン電極６を作成する。本発明の電界効果型トランジスタの形状は，ト
ップゲート型ＭＩＳ電界効果型トランジスタ（ＭＩＳ－ＦＥＴ）に限られるもので
はなく，Ｊ－ＦＥＴ等も含まれる。」（【００２６】），「ＺｎＯを主たる構成成
分として含有するホモロガスアモルファス薄膜を用いても，同様に，トップゲート
型ＭＩＳ電界効果型トランジスタを作成することができる。また，アモルファス薄
膜の場合は，・・・ゲート電極を基板と膜の間に作りつけることが可能で，ボトム
ゲート型ＭＩＳ電界効果型トランジスタも作製することができる。 （
」 【００２７】）
と記載されている。
これらの記載から，当業者であれば，上記の方法により形成されたアモルファス
の薄膜を活性層として用い絶縁膜や電極を形成することにより，トップゲート型Ｍ
ＩＳ電界効果型トランジスタやボトムゲート型ＭＩＳ電界効果型トランジスタを作
製することができると認められる。
また，上記のようにして作製されたＭＩＳ電界効果型トランジスタの使用につい
ては，発明の詳細な説明に明記がなくても，当業者であれば，トランジスタとして
使用することはできると認められる。
以上のとおり，本件明細書の発明の詳細な説明は，「本件化合物薄膜（ただし，
該薄膜がアモルファスの本件化合物である場合はｍ＝１以上５未満の整数である）」
が，「アモルファス薄膜」である「透明薄膜電界効果型トランジスタ」を生産し使
用することができる程度に，明確かつ十分な記載を有するものと認められる。
(ｲ) 本件発明２及び４について
本件発明２及び４は，いずれも，請求項１を引用する発明であるところ，本件明
細書は，当業者が本件発明１を実施できる程度に，明確かつ十分に記載されたもの
といえる。
そして，本件発明２及び４において，本件発明１に対して附加的に限定した発明
特定事項は，本件明細書の段落【００１０】，【００１６】，【００１９】，【０
０２０】の記載から当業者が読み取れるものであると認められる。
したがって，本件明細書の発明の詳細な説明は，当業者が本件発明２及び４を実
施できる程度に，明確かつ十分に記載したものであると認められる。
(ｳ) よって，無効理由５は理由がない。
(4) 無効理由１について
本件発明１，２及び４は，特表平１１－５０５３７７号公報（甲１）に記載され
た発明（以下，「引用発明」という。）に原告主張に係る公知技術を適用して当業者
が容易に想到することができたとはいえない。したがって，無効理由１は，理由が
ない。
(5) 無効理由２について
本件発明１，２及び４は，引用発明１に原告主張に係る公知技術を適用して当業
者が容易に想到することができたとはいえない。したがって，無効理由２は，理由
がない。
(6) 無効理由３について
本件発明１，２及び４は，特開平５－２５１７０５号公報（甲２）に記載された
発明に原告主張に係る公知技術を適用して当業者が容易に想到することができたと
はいえない。したがって，無効理由３は，理由がない。
(7) 無効理由４について
本件発明１及び２は，特願２００１－３４００６６号の特許願，明細書及び図面
（甲３１）に記載の発明と同一であるとはいえない。したがって，無効理由４は，
理由がない。
(8) 無効理由６について
ア 本件発明１について
(ｱ) 無効理由６の具体的理由
ａ 本件発明の課題は，本件明細書の【０００２】～【０００４】の記
載によると，①ＺｎＯに代わる透明酸化物半導体を用いて，ノーマリーオフの電界
効果型トランジスタを提供すること，②ＺｎＯに代わる透明酸化物半導体を用いて，
大面積に適した実用的なアモルファストランジスタを提供することであるといえる。
ｂ 上記課題①について，発明の詳細な説明の記載をみると，ＹＳＺな
どの酸化物単結晶基板上のＺｎＯエピタキシャル薄膜上に，高温である８００℃以
上，１６００℃以下で反応性固相エピタキシャル成長させて形成した本件化合物単
結晶薄膜を，活性層に用いると，ノーマリーオフの透明薄膜電界効果型トランジス
タを得ることができると認識できる（以下，ＹＳＺなどの酸化物単結晶基板上のＺ
ｎＯエピタキシャル薄膜上に，高温である８００℃以上，１６００℃以下で反応性
固相工ピタキシャル成長させることを，「高温で反応性固相エピタキシャル成長さ
せる」という）。
しかし，発明の詳細な説明には，高温で反応性固相エピタキシャル成長させてい
ない本件化合物単結晶薄膜を，活性層に用いた場合，ノーマリーオフになるという
記載はない。してみると，当業者が課題①を解決できると認識できる範囲は，高温
で反応性固相エピタキシャル成長させた本件化合物単結晶薄膜を，活性層に用いた
場合のみである。
一方，本件発明１には，高温で反応性固相エピタキシャル成長させて形成した本
件化合物単結晶薄膜について規定されていない。
そうすると，本件明細書の発明の詳細な説明の記載に接した当業者は，本件発明
１がノーマリーオフになると認識できないというべきである。
ｃ 上記課題②について，本件明細書の【００１４】，【００２７】に
は，「ＺｎＯを含むホモロガス化合物を反応性固相エピタキシャル法により室温で
成膜したアモルファス状態」を「活性層として用いた電界効果型トランジスタ」及
び「ＺｎＯを主たる構成成分として含有するホモロガスアモルファス薄膜」を用い
た「電界効果型トランジスタ」が文言上記載されている。
しかし，活性層として用いることができる本件化合物のアモルファス薄膜の作製
法については実施例の記載はなく，具体的に説明されていない。また当該アモルフ
ァス薄膜がどのような電気特性を有するのか，当該アモルファス薄膜をＭＩＳＦＥ
Ｔ素子に適用した場合にどのような電気特性が得られるのかについても何ら記載が
ない。してみると，当業者は，発明の詳細な説明をみても課題②を解決できないと
認識する。
そうすると，本件明細書の発明の詳細な説明の記載に接した当業者は，本件発明
１が大面積に適した実用的なアモルファストランジスタを提供することを認識でき
ないというべきである。
ｄ 甲２には，第一次審決が認定したような技術常識は記載されておら
ず，実施可能要件と同様，本件発明はサポート要件も満たすとはいえない。
(ｲ) 判断
ａ 発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載され
た範囲について
本件明細書の発明の詳細な説明には，①可視光に対して透明でノーマリーオフの
電界効果型トランジスタを提供すること（以下，「課題１」という。），②可視光
に対して透明で大面積に適したアモルファストランジスタを作製すること（以下，
「課題２」という。），が記載されている。
本件明細書の発明の詳細な説明には，本件化合物単結晶薄膜又は本件化合物アモ
ルファス（ｍ＝１以上５０未満の整数)薄膜を電界効果型トランジスタの活性層とし
て用いることにより，課題１又は課題２の少なくとも一つを解決することができる
ことが記載されていると認められる。したがって，これが発明の課題が解決できる
ことを当業者が認識できるように記載された範囲を画するものである。
ｂ 発明の詳細な説明に記載された発明と特許請求の範囲に記載された
発明との対比
本件発明１は，上記ａの発明の課題が解決できることを当業者が認識できるよう
に記載された範囲内のものである。
なお，特許請求の範囲には複数の発明を記載することが許容されている（特許法
３７条参照）から，請求項に係る発明が別々の課題を解決するものを含んでいても
差し支えないし，請求項に係る発明が少なくとも一つの課題を解決できることを認
識できる範囲内のものであれば，公開されていない発明について権利が発生するこ
とを防止するという特許法３６条６項１号の趣旨から見て，同号に規定する要件を
満たすというべきである。
そうすると，本件発明１は，本件明細書の発明の詳細な説明に記載されたものと
認められる。
イ 本件発明２及び４について
本件発明２及び４は，いずれも本件発明１に発明特定事項を追加して，より限定
した発明である。そして，本件発明１は，上記のとおり，発明の詳細な説明に記載
された発明で，発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決でき
ると認識できる範囲のものであると認められる。そうすると，本件発明２及び４も，
発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる
範囲内のものであると認められる。
ウ 以上のとおり，無効理由６は，理由がない。
第３ 原告主張の審決取消事由
１ 取消事由１（訂正要件違反）
(1)ア 本件発明は，単に本件化合物のアモルファス薄膜を成膜する発明ではな
く，本件化合物のアモルファス薄膜を「活性層として用いることを特徴とする透明
薄膜電界効果型トランジスタ」の発明である。したがって，本件訂正が新規事項の
追加に当たらないというためには，単にｍ＝５未満の本件化合物のアモルファス薄
膜を成膜することが本件明細書から自明であるといえるだけでは足りず，成膜した
当該アモルファス薄膜を「透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層として用いる
こと」までもが本件明細書から自明であるといえなければならない。
しかし，本件明細書には，本件化合物のアモルファス薄膜を透明薄膜電界効果型
トランジスタの活性層に用いることは，当業者が実施可能な程度にすら記載されて
いないのであり，ましてこのことが本件明細書から自明であるとはいえない。
イ 被告が指摘する，本件明細書の【０００９】，【００１０】，【００１
４】，【００１６】，【００１９】，【００２０】及び【００２７】には，ガラス
基板等を用いて，室温で，ＭＢＥ法，パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）等を用い
て形成するという，従来どおりの成膜法が記載されているのみで，そのような方法
で成膜されたアモルファスの本件化合物は導電膜となり，トランジスタの活性層に
用いることはできないから，本件明細書には，アモルファスの本件化合物の成膜法
が記載されているということはできない。
当業者は，本件明細書には，実質的にはアモルファスの本件化合物に関する記載
がないと理解している（甲５５の１～５）。
(2)ア 本件訂正は，本件化合物のアモルファス薄膜について，ｍの値を５未満
に数値限定するものである。
このような数値限定が新規事項の追加に当たらないというためには，新たな数値
範囲の境界値が当初明細書等に記載されていることが必要である。
しかし，本件明細書には本件化合物のアモルファス薄膜に関する実施例はなく，
まして，アモルファス薄膜についてｍの数値限定に関する記載はない。本件明細書
にはｍ＝５の実施例が記載されているが，単結晶の本件化合物に関する実施例であ
り，アモルファス薄膜に関する本件訂正の根拠となるものではない。本件明細書に
は，「ｍ＝１以上５未満の整数」に当たるｍ＝１～４の範囲で本件化合物のアモル
ファス薄膜を形成できることも，その境界値であるｍ＝４という値も，記載されて
いないのであり，本件明細書に記載されていない境界値を導入する本件訂正は，新
規事項の追加に当たる。また，ｍ＝４という点については，本件明細書には，単結
晶の本件化合物の実施例の記載すら存在しない。
イ 実施可能要件違反の無効理由を回避するために訂正したというのは，新
規事項に当たらないという明細書上の根拠とはならない。
より広い範囲で特定された発明が開示されているからといって，より狭く限定し
た範囲で特定された発明が開示されていることにはならない。
２ 取消事由２（実施可能要件に関する判断の誤り）
(1)ア 本件化合物は従来透明電極として用いられてきた導電体であり，そのキ
ャリア濃度はトランジスタの活性層として用いるために必要なキャリア濃度の１０
倍以上であるというのが本件出願日当時の技術常識であった。したがって，当業者
において本件化合物のアモルファス薄膜を活性層に用いて透明薄膜電界効果型トラ
ンジスタを製造し，使用することができるというためには，本件化合物のアモルフ
ァス薄膜を，トランジスタの活性層に用いることができる程度まで，キャリア濃度
を下げることができるような方法が，本件明細書に具体的に開示されていることを
要する。
本件審決は，本件化合物のアモルファス薄膜を形成する方法につき，当業者は，
本件明細書の記載から，ガラス基板等を用いて，室温で，ＭＢＥ法，パルスレーザ
ー蒸着法（ＰＬＤ法）等を用いて形成すればよいことを理解する，という。しかし，
「ガラス基板等を用いて」という点は，単なる基板の選択であるし，室温で成膜す
ることはアモルファス薄膜を形成する上でごく一般的な条件であるし，ＭＢＥ法や
ＰＬＤ法自体も一般的で従来から用いられている成膜方法である。室温で，ＭＢＥ
法，パルスレーザー蒸着法等を用いて成膜した場合，本件化合物のアモルファス薄
膜は導電膜となり（甲３，４，６，７），これを透明薄膜電界効果型トランジスタ
の活性層に用いることはできない。本件出願日当時，アモルファスの本件化合物の
キャリア濃度を制御することは困難であった。本件明細書には，パルスレーザー蒸
着法の，エネルギーや酸素分圧の条件等のさまざまな設定について具体的開示はな
い。
したがって，本件明細書には，透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層に用い
ることができるキャリア濃度が１０１６～１０１８ｃｍ －３個以下である本件化合物の
アモルファス薄膜を形成する方法は開示されていない。
また，アモルファス半導体は欠陥準位や裾状態が高濃度に存在するため，トラン
ジスタの活性層に用いることができないというのが当時の技術常識であった。本件
化合物については，単結晶とアモルファスとでは，その特性が全く異なり，単結晶
の場合に本件化合物がトランジスタの活性層として動作するという知見が公になっ
ていても，アモルファスの本件化合物については，トランジスタがうまく動作する
かさえ，当業者において予測し得るものではなく，本件出願日よりも２年半後にお
いても，アモルファスの本件化合物が，ゲート電圧でフェルミ準位を制御してトラ
ンジスタの活性層に用いることができるかは予測困難であった。そのような技術常
識が存在するにもかかわらず，当業者において，本件化合物のアモルファス薄膜を
活性層に用いた透明薄膜電界効果型トランジスタを作製し，使用することが可能で
あるというためには，本件化合物のアモルファス薄膜は，従来のアモルファス半導
体とは異なり，裾状態や欠陥準位が十分に低いことを含め，トランジスタの活性層
に用いるために必要な特性を有していることが開示されている必要がある。単に単
結晶の本件化合物について活性層に用いることができることが開示されていても，
アモルファスの本件化合物についても，活性層に用いることができるだけの開示が
あるとはいえない。本件明細書には，本件化合物のアモルファス薄膜が，従来のア
モルファス半導体とは異なり，トランジスタの活性層に用いるための特性（例えば
裾・欠陥準位が低いことなど）を備えていることは開示されていない。
本件明細書の【００２７】には，本件化合物のアモルファス薄膜をトランジスタ
の活性層に用いることができると記載されているが，被告らの願望を記載したにす
ぎず，本件明細書に本件化合物のアモルファス薄膜が，真にトランジスタの活性層
に用いることができるような特性を有していることが開示されているものではない。
被告ら自身も，本件出願日当時には，本件化合物のアモルファス薄膜を活性層に用
いた透明薄膜電界効果型トランジスタを作製，使用していなかった（甲５４）。本
件化合物のアモルファス薄膜の裾・欠陥準位が低いことが解明されたのは，本件出
願日よりも６～８年も先のことである（甲４９）。
イ アモルファスの本件化合物のキャリア濃度を制御することが困難である
ことを理由に，第一次判決や知的財産高等裁判所平成２７年（行ケ）第１０１７８
号事件の判決（以下，「別件判決」という。甲５０）においてアモルファスの本件
化合物に進歩性が認められたのであるから，キャリア濃度を１０ １８ｃｍ－３個以下に
することに過度な試行錯誤を要するものではないとの被告らの主張は，禁反言の法
理に触れる。
ウ なお，原告は，本件審判の請求書において，「本件明細書の発明の詳細
な説明には，活性層として用いることができる本件化合物のアモルファス薄膜の作
成法について実施例の記載がなく，具体的に説明されていない。」旨を主張した。
この主張には，①アモルファス薄膜それ自体を作ることができるか否か，及び，②
アモルファス薄膜が成膜できた場合にそれを活性層に用いることができるか，とい
う問題が含まれている。キャリア濃度，裾・欠陥準位の点は，上記②の問題を論じ
るものである。
また，キャリア濃度及び裾・欠陥準位の点は，被告が，第一次訴訟の中で，トラ
ンジスタの活性層として用いるための必須条件であると主張したものであり，原告
は，反論として，どのように成膜すればそのような必須条件を満たすアモルファス
薄膜を得ることができるのかが本件明細書に具体的に開示されているのかを問題と
しているのである。
(2)ア 単結晶の本件発明とアモルファスの本件発明とは同一の特許請求の範
囲に記載されているから，両発明は，同一の課題を解決するものでなければならな
い。そうでないと，単一性の要件（特許法３７条）に違反しかねない。単結晶の本
件発明が課題２を解決できないことは明らかであるから，単結晶もアモルファスも
含む本件発明が共通して解決すべき課題は，課題１である。しかるに，本件明細書
には，アモルファスの本件発明が課題１を解決することができる程度に開示されて
いないから，仮にアモルファスの本件発明が課題２を解決できる程度に開示されて
いるとしても，実施可能要件を欠く。
また，本件明細書には，大面積のアモルファストランジスタを作製できることは
記載されていないから，アモルファスの本件発明が課題２を解決することができる
程度に開示されていない。
イ なお，原告は，本件審判の請求書において，「本件明細書の発明の詳細
な説明に接した当業者は，本件発明１がノーマリーオフになることや，大面積に適
した実用的なアモルファストランジスタを提供することを認識できない」旨を主張
した。
また，本件審決において，本件発明の課題は課題１と課題２であると認定された
ことに対する反論として，そのような点が本件発明の課題であれば，当業者におい
てどのように成膜すればそのような課題を解決できるアモルファス薄膜を得ること
ができるのかが本件明細書に具体的に開示されているか否かを問題にしているもの
である。
実施可能要件もサポート要件も，特許請求の範囲の記載と明細書の記載の食違い
を問題とするものであり，明細書の記載に比して特許請求の範囲の記載が広範に過
ぎるといえばサポート要件の問題であり，特許請求の範囲に記載された発明を実施
するだけの記載が明細書にはないといえば実施可能要件の問題ともいえるのである
から，両者は必ずしも峻別できるものではない。したがって，少なくともいずれか
の問題として争点が形成されていれば，新規な主張とはいえない。
(3) 以上のとおり，本件明細書と技術常識に照らすと，本件明細書の記載に基
づいて，当業者が導電膜ではなく，透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層に用
いることができるような，本件化合物のアモルファス薄膜を形成して，トランジス
タを作製し，使用することが可能であったとはいえないし，まして，本件発明の課
題を解決することができるようなトランジスタを作製し，使用することが可能であ
ったともいえない。このことは，本件出願日当時，被告自身も本件化合物のアモル
ファス薄膜を活性層に用いた透明薄膜電界効果型トランジスタを作製し，使用する
ことができていなかったことに照らしても，明らかである。
３ 取消事由３（サポート要件に関する判断の誤り）
(1) 一つの特許請求の範囲によって画されている発明は，共通する課題を解決
し得るものでなければならないところ，本件発明は単結晶，多結晶及びアモルファ
スのものを含んでいるから，これらがいずれも課題１を解決し得るものである必要
がある。しかし，本件明細書には，少なくともアモルファスの本件発明については，
課題１を解決することができることは記載されていない。
本件明細書には，本件化合物のアモルファス薄膜を活性層に用いた透明薄膜電界
効果型トランジスタの実施例は記載されておらず，大面積のアモルファストランジ
スタを作製することについても開示されていないから，課題２を解決できることも
記載されていない。
単結晶及びアモルファス以外の結晶状態の膜（以下，「多結晶等」という。）の
本件発明については，本件明細書に記載がなく，課題１及び課題２を解決できるこ
とは，全く開示されていない。
したがって，本件発明の特許請求の範囲の記載は，サポート要件を欠くものであ
る。
(2) なお，本件発明が課題１を解決できないという主張は，原告が本件審判請
求時から一貫して主張してきたものであるから，第一次訴訟においてこれを争わな
かったことをもって，以後争えなくなるとはいえない。
アモルファスの本件発明が課題１も課題２も解決できないという主張は，原告が
本件審判請求時から行ってきたものであり，これに対して，本件審決が，課題１と
課題２のいずれかを解決することができれば足りると判断したことを受けて，本件
訴訟において，アモルファスの場合には，その一方すら解決できていないというこ
とを取消事由として主張するものである。
多結晶等の本件発明について，課題１及び課題２を解決できることが記載されて
いないという主張は，被告が「該薄膜がアモルファスホモロガス化合物である場合
は」という事項を加える本件訂正を行ったことにより，本件化合物について，アモ
ルファスの場合とそれ以外の場合とで取扱いが異なることが，特許請求の範囲の記
載上明らかになったことを受けて，主張したものである。
(3) 被告は，多結晶は単結晶の集合体である，と主張する。しかし，技術的に，
多結晶が単結晶の集合体であるとはいえない。単結晶の場合と異なり，多結晶の場
合には高温アニールプロセスなどの特殊なプロセスを経ることが不要となり，むし
ろこの点においてアモルファスと共通する側面もあるから，本件明細書の記載から，
多結晶が単結晶と同一の特性を示すとは理解できない。
第４ 被告らの主張
１ 取消事由１について
(1) 原告は，本件明細書には，本件化合物のアモルファス薄膜を透明薄膜電解
効果型トランジスタの活性層として用いることが，当業者が実施可能な程度にすら
記載されていないから，本件明細書から自明であるといえず，新規事項の追加に当
たる，と主張する。
しかし，上記主張は，実施可能要件違反の主張であって，新規事項追加に関する
主張ではない。なお。成膜したアモルファス薄膜を透明薄膜電解効果型トランジス
タの活性層として用いることは，本件明細書の【０００９】【００１０】【００１
， ，
４】【００１６】【００１９】【００２０】【００２７】に，当業者が実施可能な
， ， ， ，
程度に記載されている。
(2) 本件訂正は，特許請求の範囲に実施可能でない薄膜が含まれることのない
ように，特許請求の範囲から一部の薄膜を除いて，ｍ＝１以上５未満の整数である」
「
と限定したものである。新たな数値範囲の境界値であるｍ＝５も，その数値範囲で
特定される範囲（ｍ＝１，２，３，４）のアモルファスホモロガス化合物も，本件
明細書の【００１９】【００２０】【００２７】に記載されている。
， ，
２ 取消事由２について
(1) 本件明細書にキャリア濃度が１０ １６ ～１０ １８ ｃｍ －３ 個以下である膜を
作製する方法が記載されていない旨の主張について
ア 原告の，本件明細書にキャリア濃度が１０１６～１０１８ ｃｍ－３個以下で
ある膜を作製する方法が記載されていないから，実施可能要件違反である旨の主張
は，本件審判手続で争われることのなかった新規な主張であるから，主張自体失当
である。
イ パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）では，エネルギーや酸素分圧の条件
等のさまざまな設定が可能であり，条件次第でキャリア濃度をわずか１／１０以下
の１０１８ｃｍ－３個以下にすることは過度な試行錯誤を要するものではない。とりわ
け，成膜したアモルファス薄膜を「透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層とし
て用いること」が記載された本件明細書に接した当業者は，縮退を解くためにキャ
リア濃度を１０１８ｃｍ－３個をわずかに下回る程度にしようとする。
薄膜トランジスタとして利用するために必要な，空乏化した状態のキャリア濃度
は１０１８ｃｍ－３個以下であるところ，本件出願日前の本件化合物のキャリア濃度の
文献値は，例えば１０ １９～１０ ２０ｃｍ－３個（甲３）であるから，わずか１／１０
以下程度にキャリア濃度を下げればよいにすぎない。
一般に，酸化物の透明導電膜は，膜中の酸素量を変化させることにより膜の導電
率を変化させることができ，スパッタ時の酸素ガスの割合を大きくすることで，従
来透明電極として用いられていた膜の膜中の酸素量を増加させ，膜中のキャリア濃
度を１０１８個ｃｍ－３以下に制御して導電性を低下させ，半導体活性層として使用す
ることができるということが技術常識として知られていた。スパッタ時の酸素ガス
の割合を大きくする等の成膜条件の変更を試みることによって，従来透明電極とし
て用いられていた膜の膜中の酸素量を増加させ，膜中のキャリア濃度を１０ １８個ｃ
ｍ－３以下に制御して導電性を低下させ，半導体活性層として使用することができる
ようなアモルファス薄膜を作製することは，当業者が期待し得る程度を超える試行
錯誤や複雑高度な実験等を行うことなくなし得た。
(2) 本件明細書に裾 欠陥準位が低い膜を作製する方法が記載されていない旨
・
の主張について
ア 原告の，本件明細書に裾・欠陥準位が低い膜を作製する方法が記載され
ていないから，実施可能要件違反であるとの主張は，本件審判手続で争われること
のなかった新規な主張であるから，主張自体失当である。
イ 本件明細書の発明の詳細な説明にはアモルファスの本件化合物（ｍ＝１
以上５未満の整数）薄膜の製造方法が具体的に記載され，トランジスタの活性層に
用いることができることが明確に記載されている。
「実施をすることができる程度」の記載とは，物の発明については，その物の生
産及び使用ができる程度の記載をいい，それ以上にその物の性能や特性を明らかに
しなくてはならないというものではない。したがって，本件化合物のアモルファス
薄膜が，従来のアモルファス半導体とは異なり，トランジスタの活性層に用いるた
めの特性（例えば裾・欠陥準位が低いことなど）を備えていることは，明細書に示
されている必要はない。本件化合物は，例外的にアモルファスでも欠陥準位や裾状
態が低濃度でありトランジスタの活性層に用いるための必須条件が満たされていた。
本件発明の発明者は，結晶におけるトランジスタ特性とその結晶構造から本件化合
物の電気的特性が局所的な構造によって生じていることに気づき，結晶でもアモル
ファスでも半導体としての電気的特性がほぼ同様であることに思い至り，本件化合
物のアモルファスをトランジスタの活性層に用いることができると確実に予測した。
本件化合物のアモルファス薄膜を薄膜トランジスタの活性層に用いることが知ら
れていない状況において，同薄膜が薄膜トランジスタの活性層に用いるのに適した
電気的特性を有するものと容易に予測することができないとしても，本件明細書に
同薄膜を薄膜トランジスタの活性層に用いることが明示されているのであるから，
その状況での予測可能性は本件明細書を参照しない場合とは異なる。
(3) 本件明細書にアモルファスの本件発明が課題１を解決することができる
程度に開示がされていない旨の主張について
ア 原告の，本件明細書にはアモルファスの本件発明が課題１を解決するこ
とができる程度に開示がされていないから，実施可能要件違反である旨の主張は，
本件審判手続で争われることのなかった新規な主張であるから，主張自体失当であ
る。
イ 本件明細書の【０００４】には，課題１と課題２が「また，」という文
言で結合されているので，本件発明は課題１又は課題２の少なくとも一つを解決す
るものである。また，本件明細書の【０００２】～【００１４】に，課題解決手段
が単結晶である本件化合物を活性層に用いたトランジスタは課題１を解決し，アモ
ルファスの本件化合物を活性層に用いたトランジスタは課題２を解決することが明
示されていることから，本件発明は課題１又は課題２の少なくとも一つを解決する
ものである。
発明の単一性の要件は審査の便宜のために導入された要件であり，単一性要件違
反は拒絶理由にはされているものの，無効理由にはなっていない。特許査定後に特
許法３７条（単一性）を持ち出すこと自体失当である。一つの特許請求の範囲に複
数の発明を記載することは許容されている（特許法３７条はこの点を前提にしたう
えで，単一性違反を規定している。）ので，仮に，単結晶の本件化合物である本件
発明と結晶以外（例えばアモルファス）の本件化合物である本件発明が別発明だと
しても，それを同一の特許請求の範囲に記載することは全く問題なく，これは無効
理由にもならない。
本件発明の課題については，本件明細書の発明の詳細な説明の記載どおり認定す
べきであり，本件発明は課題１又は課題２の少なくとも一つを解決するものであれ
ば足りる。
(4) 本件明細書にアモルファスの本件発明が課題２を解決することができる
程度に開示されていない旨の主張について
ア 原告の，本件明細書にはアモルファスの本件発明が課題２を解決するこ
とができる程度に開示されていないから，実施可能要件違反であるとの主張は，本
件審判手続で争われることのなかった新規な主張であるから，主張自体失当である。
イ 本件明細書の【０００４】には「アモルファス状態を作り難いので，大
面積に適したアモルファストランジスタを作製することができない」とあり，これ
は，アモルファス状態を作れれば大面積に適するということに他ならない。本件明
細書の【００１６】には「ＺｎＯを含むホモロガス化合物アモルファス薄膜を用い
る場合には，基板は耐熱性を有する必要がなく，安価なガラス基板を用いることが
できる。平坦度も，アモルファスシリコン電界効果型トランジスタ用に用いられる
ガラス基板程度で良い」とある。ガラス基板は【０００７】に示されているような
「ＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニア）基板」と異なり，いくらでも大面積とす
ることが可能であるから，まさに「大面積」が実現可能である。
以上のとおり，本件明細書の発明の詳細な説明には課題２が解決されることが記
載されている。
３ 取消事由３について
(1) 本件明細書にアモルファスの本件発明が課題１を解決することが記載さ
れていない旨の主張について
ア 原告は，課題との関係におけるサポート要件違反の主張に関する第一次
審決の判断については，第一次訴訟において，実質的には何ら反論をしなかった。
それにもかかわらず，本件訴訟に至って，課題との関係におけるサポート要件違反
に係る本件審決の判断を争うに至っている。これは妥当な訴訟追行とは言い難く，
このような訴訟行為を許すのであれば，審決取消訴訟において小出しに取消事由を
主張することを許容することになりかねない。したがって，本件明細書にアモルフ
ァスの本件発明が課題１を解決することが記載されていないから，サポート要件を
欠くという原告の主張は，訴訟上の信義則に反するものである。
イ 原告は，課題１のみが本件発明の解決課題であることを前提として，ア
モルファスの本件発明が課題１を解決することが本件明細書に記載されていないこ
とをとらえて，サポート要件を欠く，と主張する。しかし，そのような前提が誤っ
ていることは，前記２(3)イのとおりである。
(2) 本件明細書にアモルファスの本件発明が課題２を解決することが記載さ
れていない旨の主張について
ア 原告の，本件明細書にアモルファスの本件発明が課題２を解決すること
が記載されていないから，サポート要件を欠くと旨の主張は，本件訴訟において初
めて主張されたものであるから，主張自体失当である。
イ 前記２(4)イのとおり，アモルファスの本件発明が課題２を解決すること
が，本件明細書に記載されている。
(3) 本件明細書に多結晶等の場合に課題１及び課題２を解決できることが記
載されていない旨の主張について
ア 原告の，本件明細書に多結晶等の場合に本件発明が課題１及び課題２を
解決できることが記載されていないから，サポート要件を欠く旨の主張は，本件訴
訟において初めて主張されたものであるから，主張自体失当である。
イ 多結晶は単結晶の集合体である。単結晶の本件化合物でノーマリーオフ
のトランジスタが実現されるのであれば，多結晶でもノーマリーオフのトランジス
タが実現されると理解するのが通常である。現実にも多結晶の本件化合物でノーマ
リーオフのトランジスタを実現した報告は複数存在する。したがって，本件化合物
が多結晶である場合は課題１を解決することができる。
第５ 当裁判所の判断
１ 本件発明の概要
(1) 本件明細書には，以下の記載がある（甲４１）。
【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は，可視光に対して透明で，透明電
子回路を構成する素子として用いることができる，ＺｎＯを主たる構成成分として
含有するホモロガス化合物の単結晶膜又はアモルファス膜を活性層として用いる透
明電界効果型トランジスタに関する。
【０００２】【従来の技術及びその課題】電界効果型トランジスタは，半導体メモ
リ集積回路の単位電子素子，高周波信号増幅素子，液晶駆動用素子等として用いら
れており，現在，最も多く実用化されている電子デバイスである。材料としては，
シリコン半導体化合物が最も広く使われている。高速動作が必要な高周波増幅素子，
集積回路用素子等には，シリコン単結晶が用いられ，また，低速動作で充分な液晶
駆動用には，大面積化の要求から，アモルファスシリコンが使われている。
【０００３】シリコンを用いた電界効果型トランジスタは・・・可視光に対して不
透明で，透明回路を構成することができない。また，可視光照射により，伝導キャ
リアを生じるために，高光照射下ではトランジスタ特性が劣化してしまう。・・・
【０００４】シリコン電界効果型トランジスタのこうした問題点は，シリコンに替
わって，エネルギーバンド幅の大きな半導体材料を用いることにより，原理的に，
解決することができる。実際に，透明酸化物半導体であるＺｎＯを用いて，電界効
果型トランジスタを作製する試みがなされている（例えば，非特許文献１） しかし，
。
ＺｎＯは，電気伝導度を小さくすることが難しく，ノーマリーオフの電界効果型ト
ランジスタを構成できない等の欠点がある。また，アモルファス状態を作り難いの
で，大面積に適したアモルファストランジスタを作製することができない。
【０００５】【非特許文献１】七種ら，応用物理学会２０００年春季学術講演会予
稿集，２０００．３，２９ｐ－ＹＬ－１６
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは，先に，パルスレーザー
薄膜堆積法を用い，室温での成膜により，アモルファス状態で，ｎ－型電気伝導を
示す，ＺｎＯを主たる構成成分として含有するＩｎＧａＯ ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは自然
数）等のホモロガス化合物透明薄膜を育成した（特開２０００－４４２３６号公報
（判決注：甲４），細野他 Philosophical Magazine B. 81. 501-515(2001)（判決注：
甲３）。
）
【０００７】さらに，本発明者らは，ＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニア）基板
上に育成したＺｎＯ単結晶極薄膜上に，アモルファスのホモロガス薄膜を堆積し，
得られた多層膜を高温で加熱拡散処理する「反応性固相エピタキシャル法」により，
ホモロガス単結晶薄膜を育成する方法を開発し，自然超格子ホモロガス単結晶薄膜
「
とその製造方法」と名付け，特許出願した（特願２００１－３４００６６）。
【０００８】本発明者は，上記のホモロガス単結晶薄膜の製造方法と同様に，Ｚｎ
Ｏ薄膜上にエピタキシャル成長した複合酸化物薄膜を加熱拡散する手段を用いるこ
とにより従来のシリコンを用いた電界効果型トランジスタに代わる新たな優れた電
界効果型トランジスタを提供できることを見出した。
【０００９】本発明は，反応性固相エピタキシャル法により育成した，ＺｎＯを主
たる構成成分として含有するホモロガス化合物単結晶薄膜又はＺｎＯを主たる構成
成分として含有するホモロガスアモルファス薄膜を活性層とした電界効果型トラン
ジスタを提供する。
【００１１】１．反応性固相エピタキシャル法により製造したホモロガス化合物単
結晶ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，Ａｌ，ｍ＝１以上５０未満の
整数）薄膜は，ＩｎＯ １．５層が原子レベルで平坦な薄膜表面を形成することから，
ゲートと活性層の界面に欠陥が介在しにくく，ゲートリーク電流の少ない薄膜電界
効果型トランジスタを作製できる。ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍのｍの値は１以上５０未
満の整数が好ましい。原理的には，ｍの値は，無限大まで可能であるが，実用上，
ｍの値が大きくなりすぎると，膜内でのｍのばらつきが大きくなることと，酸素欠
陥が生じやすくなり，その結果，膜の電気伝導度が大きくなり，ノーマリオフ型の
ＦＥＴが作り難くなる。
【００１２】２．ＺｎＯを主たる構成成分として含有するホモロガス化合物ＩｎＭ
Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）
のバンドギャップエネルギーは，３．３ｅＶより大きので，波長が４００ｎｍ以上
の可視光に対して透明である。したがって，ホモロガス化合物単結晶ＩｎＭＯ ３（Ｚ
ｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）薄膜を
活性層として用いることにより，可視光透過率が高く，可視光による光誘起電流の
発生がない，薄膜電界効果型トランジスタを作製できる。
【００１３】３．さらに，反応性固相エピタキシャル法により製造したホモロガス
化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０
未満の整数）単結晶薄膜は化学量論組成からのずれが極めて小さく，室温付近では
良質な絶縁体であることから，ホモロガス化合物単結晶ＩｎＭＯ ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ
＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）薄膜を活性層として
用いることにより，ノーマリーオフ作動で，スイッチング特性の良い透明薄膜電界
効果型トランジスタを作製できる。
【００１４】ＺｎＯを含むホモロガス化合物を反応性固相エピタキシャル法により
室温で成膜したアモルファス状態は，１０００℃程度の高温まで安定であり，その
状態での電子キャリア移動度は，アモルファスシリコンに比較して，１０倍以上大
きい。したがって，ホモロガスアモルファス薄膜を活性層として用いた電界効果型
トランジスタは，シリコンアモルファス電界効果型トランジスタに比較して，可視
光透過率が高く，光照射に対して安定に動作し，さらに，高速動作することが期待
できる。
【００１５】【発明の実施の形態】本発明で用いるＺｎＯを主たる構成成分として
含有するホモロガス化合物単結晶薄膜の基板には，耐熱性があり，透明な酸化物単
結晶基板，例えば，ＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニア），サファイア，ＭｇＯ，
ＺｎＯ等を用いる。中でも，ＺｎＯを含むホモロガス化合物と格子定数が近く，該
化合物と１４００℃以下の温度では，化学反応しないＹＳＺが，最も好ましい。こ
れらの基板の表面平均二乗粗さＲｍｓは，１．０ｎｍ以下のものを用いることが好
ましい。Ｒｍｓは原子間力顕微鏡で，例えば，１μｍ角を走査することによって算
出できる。
【００１６】ＺｎＯを含むホモロガス化合物アモルファス薄膜を用いる場合には，
基板は耐熱性を有する必要がなく，安価なガラス基板を用いることができる。平坦
度も，アモルファスシリコン電界効果型トランジスタ用に用いられるガラス基板程
度で良い。
【００１７】ＹＳＺ等の酸化物単結晶基板を，大気中もしくは真空中で１０００℃
以上に加熱することによって超平坦化した表面が得られる。超平坦化した酸化物単
結晶基板の表面には結晶構造を反映した構造が現れる。・・・
【００１９】得られた原子平坦面を持つ耐熱性透明酸化物基板上に，ＭＢＥ法，パ
ルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）等により，原子平坦面を有するＺｎＯ単結晶薄膜
をエピタキシャル成長させる。次に，該ＺｎＯ薄膜上に，ＩｎＭＯ ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ
＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，Ａｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）と記述されるホモロガス
化合物薄膜を，ターゲットとして，該酸化物の多結晶焼結体を使用して，ＭＢＥ法，
パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）等により成長させる。
【００２０】得られた薄膜は，単結晶膜である必要はなく，多結晶膜でも，アモル
ファス膜でも良い。最後に，薄膜全体をカバーできるように高融点化合物，例えば
ＹＳＺやＡｌ２Ｏ３を被せ，１３００℃以上の高温で，ＺｎＯ蒸気を含む大気圧中で
加熱拡散処理を行なう。高融点化合物を被せる理由は，後述のＺｎＯ蒸気と該薄膜
表面との接触を避けるためである。
【００２２】ＩｎＭＯ ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１
以上５０未満の整数）とＺｎＯ膜が相互に拡散・反応し，温度を適切に設定すれば，
均一組成ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ’
（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ’＝１以上
５０未満の整数）となる。ｍ’は，ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，
又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）とＺｎＯ膜厚比から決まる・・・。
【００２３】適切な温度は８００℃以上，１６００℃以下，より好ましくは１２０
０℃以上，１５００℃以下である。８００℃未満では拡散が遅く，均一組成のＩｎ
ＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）
が得られない。また，１６００℃を越えるとＺｎＯの蒸発が抑えられなくなり均一
組成のＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０
未満の整数）が得られない。
【００２４】得られた単結晶薄膜は，ＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ層をＩｎＯ１．５層で挟んだ
自然超格子構造とみなすことができるので，ＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ層とＩｎＯ１．５層と
の界面に存在する電子に，量子効果が生じる。このため，得られた単結晶薄膜は，
人工超格子構造と同様に，高周波電子デバイス材料として使用することができる。
【００２５】また，反応性固相エピタキシャル成長法で得られたＺｎＯを含むホモ
ロガス単結晶膜は，化学量論組成に近く，室温では，１０８Ｗ・ｃｍ以上の高い絶
縁性を示し，ノーマリーオフ電界効果型トランジスタに適している。
【００２６】得られたＺｎＯを主たる構成成分として含有するホモロガス単結晶薄
膜を活性層とした，トップゲート型ＭＩＳ電界効果型トランジスタを作製すること
ができる。図３に示すように，まず，基板１上にエピタキシャル成長したＺｎＯを
主たる構成成分として含有するホモロガス単結晶薄膜２上にゲート絶縁膜３及びゲ
ート電極４用の金属膜を形成する。ゲート絶縁膜３には，Ａｌ ２Ｏ３が最も適してい
る。ゲート電極４用金属膜は，Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，又はＣｕ等を用いることができ
る。光リゾグラフィー法及びドライエッチング，又はリフトオフ法により，ゲート
電極４を作製し，最後に，ソース電極５及びドレイン電極６を作成する。・・・
【００２７】ＺｎＯを主たる構成成分として含有するホモロガスアモルファス薄膜
を用いても，同様に，トップゲート型ＭＩＳ電界効果型トランジスタを作成するこ
とができる。また，アモルファス薄膜の場合は，エピタキシャル成長させる必要は
ないので，ＺｎＯエピタキシャル成長及び高温アニールプロセスを除くことができ
る。このために，ゲート電極を基板と膜の間に作りつけることが可能で，ボトムゲ
ート型ＭＩＳ電界効果型トランジスタも作製することができる。
【００２８】【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を詳細に説明する
実施例１
１． 単結晶ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５薄膜の作製
ＹＳＺ（１１１）単結晶基板上にＰＬＤ法により厚み２ｎｍのＺｎＯ薄膜を基板温
度７００℃でエピタキシャル成長させた。次に，基板温度を室温まで冷却し，該Ｚ
ｎＯエピタキシャル薄膜上にＰＬＤ法により，厚み１５０ｎｍの多結晶ＩｎＧａＯ
（ＺｎＯ）５薄膜を堆積させた。こうして作製した二層膜を大気中に取り出し，電
３
気炉を用いて，大気中，１４００℃，３０ｍｉｎ加熱拡散処理した後，室温まで冷
却した。
【００２９】ＸＲＤ測定の結果，図１に示すように，加熱して得られた薄膜は単結
晶ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５であり，また，図２に示すように，ＡＦＭ観察の結果，
薄膜表面は原子レベルで平坦なテラスと，高さ２ｎｍのステップからなる原子レベ
ルで平坦な面であった。単結晶ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５薄膜の導電率を直流四端子
法により測定しようと試みたが，膜の絶縁性が高いために測定できなかった。作製
した単結晶ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５薄膜は絶縁体であると言える。室温で測定した
光吸収スペクトルからＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５のバンドギャップは約３．３ｅＶと
見積もられた。
【００３０】２．ＭＩＳＦＥＴ素子の作製
フォトリソグラフィー法により，トップゲート型ＭＩＳＦＥＴ素子を作製した。
ソースとドレイン電極及びゲート絶縁膜にはＡｕ及びアモルファスＡｌ ２ Ｏ ３ をそ
れぞれ用いた。チャネル長及びチャネル幅はそれぞれ０．０５ｍｍ及び０．２ｍｍ
である。
【００３１】３．ＭＩＳＦＥＴ素子の特性評価
図４に，室温下で測定したＭＩＳＦＥＴ素子の電流－電圧特性を示す。ゲート電
圧ＶＧ＝０Ｖ時にはＩＤＳ＝１０－８Ａ（ＶＤＳ＝２．０Ｖ）であり，いわゆるノーマリ
ーＯＦＦ特性が得られた。また，ＶＧ＝１０Ｖ時には，ＩＤＳ＝１．６×１０－６Ａの
電流が流れた。これはゲートバイアスにより絶縁体のＩｎＧａＯ ３（ＺｎＯ）５単結
晶薄膜内にキャリアを誘起できたことに対応する。作製した素子に可視光を照射し
て同様の測定を行なったが，数値の変化は認められなかった。可視光での光誘起電
流の発生は認められなかった。
【００３２】【発明の効果】本発明の透明薄膜電界効果型トランジスタは，波長４
００ｎｍ以上の可視光・赤外光に対して透明である上，ノーマリーＯＦＦのスイッ
チングが可能である。本発明の透明薄膜電界効果型トランジスタをＬＣＤのスイッ
チング素子として応用することにより，バックライト光をロスなく有効に使うこと
ができる上，シースルー型のディスプレイへの発展が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は，実施例１で作製した単結晶ＩｎＧａＯ ３（ＺｎＯ）５薄膜のＸＲ
Ｄ測定の結果を示すグラフである。
【図２】図２は，実施例１で作製した単結晶ＩｎＧａＯ ３（ＺｎＯ）５薄膜の表面
構造示す図面代用ＡＦＭ観察写真である。
【図３】図３は，本発明の一実施形態のＭＩＳＦＥＴ素子の構造を示す模式図であ
る。
【図４】図４は，実施例１で作製したＭＩＳＦＥＴ素子の室温下で測定した電流―
電圧特性を示すグラフである。
(2) 以上から，本件発明の概要は，以下のとおりと認められる。
本件発明は，可視光に対して透明で，透明電子回路を構成する素子として用いる
ことができる，ＺｎＯを主たる構成成分として含有する本件化合物の単結晶膜又は
アモルファス膜を活性層として用いる透明電界効果型トランジスタに関する【００
（
０１】。
）
従来のシリコンを用いた電界効果型トランジスタは，可視光に対して不透明で，
透明回路を構成することができず，また，可視光照射により，伝導キャリアを生じ
るために，高光照射下ではトランジスタ特性が劣化してしまう（【０００３】。そこ
）
で，透明酸化物半導体であるＺｎＯを用いて，電界効果型トランジスタを作製する
試みがされているが，ＺｎＯは，電気伝導度を小さくすることが難しいため，ノー
マリーオフの電界効果型トランジスタを構成できず，また，アモルファス状態を作
り難いので，大面積に適したアモルファストランジスタを作製することができない
（【０００４】。
）
本件発明は，上記の問題点に鑑みてされたものであり，反応性固相エピタキシャ
ル法により育成した，ＺｎＯを主たる構成成分として含有する本件化合物の単結晶
薄膜又はアモルファス薄膜を活性層とした電界効果型トランジスタを提供すること
を目的とする（【０００９】。
）
本件発明１は，本件化合物薄膜を活性層として用いることを特徴とする透明薄膜
電界効果型トランジスタであり（【００１１】～【００１７】【００１９】【００２
， ，
０】【００２２】～【００３１】，本件発明２は，本件発明１において，表面が原
， ）
子レベルで平坦である単結晶（【００２９】，図１，２）又はアモルファス（【００１
４】【００１６】【００２７】
， ， ）の本件化合物薄膜を用いることを特徴とする透明薄
膜電界効果型トランジスタであり，本件発明３は，本件発明１において，本件化合
物が，耐熱性，透明酸化物単結晶基板上に形成された単結晶薄膜（【００１５】【０
，
０１７】 であることを特徴とする透明薄膜電界効果型トランジスタであり，
） 本件発
明４は，本件発明１において，本件化合物がガラス基板上に形成されたアモルファ
ス薄膜（【００１６】）であることを特徴とする透明薄膜電界効果型トランジスタで
ある。
本件発明では，本件化合物薄膜を活性層として用いることにより，可視光透過率
が高く，可視光による光誘起電流の発生がない，薄膜電界効果型トランジスタを作
製でき（【００１２】，また，ノーマリーオフ作動で，スイッチング特性の良い透明
）
薄膜電界効果型トランジスタを作製できる 【００１３】
（ ，
【００２５】，
【００３１】，
図４） さらに，
。 本件化合物アモルファス薄膜を活性層として用いた電界効果型トラ
ンジスタは，シリコンアモルファス電界効果型トランジスタに比較して，可視光透
過率が高く，光照射に対して安定に動作し，高速動作することが期待できる（【００
１４】。
）
２ 取消事由１（訂正要件違反）について
(1) 本件訂正の当否について
本件訂正は，前記第２，３(1)アのとおり，アモルファスである本件化合物のｍの
値が「１以上５０未満の整数」であったものを，
「１以上５未満の整数」とするもの
であって，訂正後の数値範囲は訂正前の数値範囲を狭めるものである。したがって，
本件訂正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり，実質上特許請求の範
囲を拡張又は変更するものではないものと認められる。
また，本件訂正により一部の薄膜を除いたことにより，本件明細書に記載された
本件訂正前の発明に関する技術的事項を変更したり付加するものではないから，本
件訂正により，新たな技術的事項を導入するものではないと認められる（知財高裁
平成１８年（行ケ）第１０５６３号・平成２０年５月３０日判決参照）。
したがって，本件訂正は，特許法１３４条の２第１項ただし書１号に掲げる事項
を目的とし，かつ，同条９項で準用する同法１２６条５項，６項の規定に適合する
というべきものである。
(2) 原告の主張について
ア 原告は，本件明細書には，本件化合物のアモルファス薄膜を透明薄膜電
界効果型トランジスタの活性層として用いることが，当業者が実施可能な程度にす
ら記載されておらず，このことが本件明細書から自明であるとはいえない，と主張
する。
しかし，上記主張が認められるかどうかにかかわらず，前記(1)のとおり，本件訂
正により，新規事項を導入するものとはいえないから，上記主張は，主張自体失当
である。
イ 原告は，本件化合物のアモルファス薄膜についてｍの値を５未満とした，
新たな数値範囲の境界値が本件明細書に記載されていない，と主張する。
しかし，前記１のとおり，本件発明は，本件化合物を活性層として用いた透明薄
膜電界効果型トランジスタの発明である。証拠（甲４８）及び弁論の全趣旨による
と，本件訂正によって記載された「ｍ＝５未満」という数値は，実施可能な範囲に
数値を限定したにすぎず，それを超える技術的意義（臨界的意義など）があるとは
認められないから，上記値の意義について本件明細書に記載されていないからとい
って，新規事項を導入するものということはできない。
(3) 以上より，取消事由１には，理由がない。
３ 取消事由２（実施可能要件に関する判断の誤り）について
(1) 本件明細書に本件化合物のアモルファス薄膜の作製法が記載されていな
い旨の主張（前記第３の２(1)）について
ア 前記第２の３(3)アのとおり，原告は，本件審判において，本件明細書の
発明の詳細な説明には，活性層として用いることができるホモロガス化合物のアモ
ルファス薄膜の作製法についての実施例の記載はなく，具体的に説明されていない
との主張をしていたのであるから，実施可能要件違反の主張のうち，前記第３の２
(1)の主張は，本件審判において審理判断の対象となっていたものと認められる。原
告の本件審判における具体的主張が本件訴訟における主張と異なる点があるとして
も，審理判断の対象となっていたとの上記の判断が左右されるものではない。
イ(ｱ) 物の発明における発明の実施とは，その物の生産，使用等をする行為
をいうから（特許法２条３項１号） 物の発明について実施可能要件を充足するか否
，
かについては，当業者が，明細書の発明の詳細な説明の記載及び出願当時の技術常
識に基づいて，過度の試行錯誤を要することなく，その物を製造し，使用すること
ができる程度の記載があるか否かによるというべきである。
(ｲ) 本件明細書の発明の詳細な説明の記載を参酌すると，単結晶の本件化
合物薄膜を形成する方法としては，
「ＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニア）基板上
に育成したＺｎＯ単結晶極薄膜上に，アモルファスのホモロガス薄膜を堆積し，得
られた多層膜を高温で加熱拡散処理する「反応性固相エピタキシャル法」により，
ホモロガス単結晶薄膜を育成する」
（【０００７】，
）「上記のホモロガス単結晶薄膜の
製造方法と同様に，ＺｎＯ薄膜上にエピタキシャル成長した複合酸化物薄膜を加熱
拡散する手段を用いる」【０００８】
（ ）と記載されている。また，ＺｎＯ薄膜上に形
成する本件化合物薄膜全般については，
「ＭＢＥ法，パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ
法）等により・・・成長させる。（
」【００１９】，
）「得られた薄膜は，単結晶膜であ
る必要はなく，多結晶膜でも，アモルファス膜でも良い。（
」【００２０】，
）「基板温
度を室温まで冷却し，該ＺｎＯエピタキシャル薄膜上にＰＬＤ法により，厚み１５
０ｎｍの多結晶ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５薄膜を堆積させた。（
」【００２８】）とある
ように，多結晶やアモルファスの薄膜を，室温で，ＭＢＥ法，パルスレーザー蒸着
法（ＰＬＤ法）等を用いて形成することが記載されている。さらに，アモルファス
の本件化合物薄膜を形成する方法については，ＺｎＯを含むホモロガス化合物アモ
「
ルファス薄膜を用いる場合には，基板は耐熱性を有する必要がなく，安価なガラス
基板を用いることができる。（
」【００１６】，
）「アモルファス薄膜の場合は，エピタ
キシャル成長させる必要はないので，ＺｎＯエピタキシャル成長及び高温アニール
プロセスを除くことができる。（
」【００２７】）と記載されている。
これらの記載から，当業者であれば，アモルファスの本件化合物薄膜を形成する
ためには，上記単結晶の本件化合物薄膜の形成方法から，ＺｎＯ単結晶極薄膜の成
長と高温アニールの工程を省略すればよいこと，すなわち，ガラス基板等を用いて，
室温で，ＭＢＥ法，パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）等を用いて形成すればよい
ことを理解する。
したがって，本件発明１，２及び４は，実施可能要件を充たすものと認められる。
(ｳ) 原告は，①本件明細書には，本件化合物のアモルファス薄膜のキャリ
ア濃度を，透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層に用いることができる程度に
まで下げる方法が具体的に記載されていない，②本件明細書には，本件化合物のア
モルファス薄膜が，透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層に用いることのでき
る特性（裾状態や欠陥準位が低いことなど）を有することが開示されていない，③
単結晶を活性層として用いたトランジスタの実施例から，アモルファスの場合にも
トランジスタが動作し得ると理解することはできない，④被告ら自身も，本件出願
日当時には，本件化合物のアモルファス薄膜を活性層に用いた透明薄膜電界効果型
トランジスタを作製，使用していなかったし，本件化合物のアモルファス薄膜の裾・
欠陥準位が低いことが解明されたのは，本件出願日よりも６～８年も先のことであ
る，⑤当業者は，本件明細書には実質的にはアモルファスの本件化合物についての
記載はないと理解しているなどと主張する。
しかし，本件明細書に，本件化合物のアモルファス薄膜のキャリア濃度を，ト
ランジスタの活性層に用いることができる程度にまで下げる方法が具体的に記載さ
れていないとしても，本件明細書には，前記(ｲ)のとおり，本件化合物のアモルファ
ス薄膜の製造方法が記載されており，スパッタ時の酸素ガスの割合を大きくする等
の成膜条件を変更することによって，膜中の酸素量を増加させ，膜中のキャリア濃
度を１０１８ｃｍ‐３個以下として，半導体活性層として利用することができるアモル
ファス薄膜を作製することが知られていたこと（甲２）を考え合わせると，当業者
は，過度の試行錯誤を要することなく，本件発明を実施することが可能であると認
められる。
また，本件明細書には，本件化合物のアモルファス薄膜が，透明薄膜電界効果型
トランジスタの活性層に用いることのできる特性（裾状態や欠陥準位が低いことな
ど）を有することが記載されていないとしても，本件明細書には，前記(ｲ)のとおり，
本件化合物のアモルファス薄膜の製造方法が記載されており，それにもかかわらず，
その方法によって作製された本件化合物のアモルファス薄膜が透明薄膜電界効果型
トランジスタの活性層に用いることのできる特性を備えていないことやアモルファ
スであることからトランジスタが動作し得ないというべき事情は認められないから，
実施可能要件についての前記(ｲ)の判断が左右されることはない。
さらに，本件出願日当時，アモルファスの本件化合物を活性層に利用した薄膜ト
ランジスタの動作特性を測定したデータが公開できる信頼性の高い形で得られてお
らず（甲５４の２頁），アモルファスの本件化合物の電子構造が解明されたのが，本
件出願日よりも後であった（甲４９の３８頁）としても，これらの事情は，実施可
能要件についての前記(ｲ)の判断を左右するものではない。
加えて，キヤノン株式会社と国立大学法人東京工業大学が特許庁に提出した意見
書（甲５５の２）には，本件明細書にアモルファスの本件化合物に関する記載が実
質的にない旨記載されているが，特願２００５－３２５３７１号の発明の進歩性に
関する説明であって，本件発明の実施可能要件について記載したものではなく，そ
の後の特願２００５－３２５３７１号の特許庁における手続において，本件特許の
公開公報が拒絶理由通知の引用文献として掲げられていない（甲５５の５）として
も，進歩性の要件との関係で掲げられていないのであり，これらの事情も，実施可
能要件についての前記(ｲ)の判断を左右するものではない。
以上のとおり，原告の主張には，理由がない。
ウ 原告は，第一次判決や別件判決においてアモルファスの本件化合物に進
歩性が認められたのは，本件化合物のキャリア濃度を制御することが困難であるこ
とを理由にしたのであるから，これに反する被告らの主張は，禁反言の法理に触れ
る，と主張する。
しかし，第一次判決及び別件判決は，本件化合物のキャリア濃度を制御すること
が困難であったことを理由として，本件化合物を透明電界効果型トランジスタの活
性層に用いることを容易に想到することはないと判断したものであって，本件化合
物を透明電界効果型トランジスタの活性層に用いることが記載されている本件明細
書の記載に基づいて，本件化合物のキャリア濃度を上記活性層に用いることができ
るよう制御して本件発明を実施することが困難であると判断したものではない。し
たがって，上記各判決と被告らの主張が矛盾するものではなく，被告らの主張が禁
反言の法理に触れるものではない。
(2) 本件明細書に本件発明が発明の課題を解決することができる程度に開示
されていない旨の主張（前記第３の２(2)）について
ア 原告は，本件明細書には，本件発明が発明の課題を解決することができ
る程度に開示されていないから，実施可能要件を欠く，と主張する。
イ 特許法は，特許無効の審判について，そこで争われる特許無効の原因が
特定されて当事者らに明確にされることを要求し，審判手続においては，上記特定
された無効原因をめぐって攻防が行われ，かつ，審判官による審理判断もこの争点
に限定してされるという手続構造を採用していることが明らかである。したがって，
特許無効審判の審決に対する取消しの訴えにおいて，その判断の違法が争われる場
合には，専ら審判手続において現実に争われ，かつ，審理判断された特定の無効原
因に関するもののみが審理の対象とされるべきである（最高裁昭和５１年３月１０
日大法廷判決・民集３０巻２号７９頁参照）。
ウ 本件審判において，原告が主張していた無効理由５は，前記第２の３(3)
アのとおり，本件明細書の発明の詳細な説明には，活性層として用いることができ
るホモロガス化合物のアモルファス薄膜の作製法についての実施例の記載はなく，
具体的に説明されていない，というものであり，本件発明の課題を解決することが
できるようなトランジスタを作製し，使用することが可能であったといえない旨は，
実施可能要件の主張としては，述べられていなかった。そして，実施可能要件とサ
ポート要件とは，適用法条を異にするから，別異の無効理由を構成すると解すべき
であり，同様の理由がサポート要件についての無効理由として主張されていないか
らといって，実施可能要件の無効理由として主張されていたと解することはできな
い。
したがって，原告の上記主張は，本件審判手続で現実に争われ，審理判断された
特定の無効原因に関するものではないから，主張自体失当である。
(3) 以上より，取消事由２には，理由がない。
４ 取消事由３（サポート要件に関する判断の誤り）について
(1) 本件明細書にアモルファスの本件発明が課題１及び課題２を解決するこ
とが記載されていない旨の主張（第３の３(1)及び(2)）について
ア 前記第２の３(8)ア(ｱ)のとおり，原告は，本件審判において，本件発明
の課題は，①ＺｎＯに代わる透明酸化物半導体を用いて，ノーマリーオフの電界効
果型トランジスタを提供すること，②ＺｎＯに代わる透明酸化物半導体を用いて，
大面積に適した実用的なアモルファストランジスタを提供することであるところ，
本件明細書の発明の詳細な説明には，これらの課題を解決することができることが
記載されていない旨の主張をしていたのであるから，前記第３の３(1)及び(2)の主
張は，本件審判において審理判断の対象となっていたものと認められる。
原告が，第一次訴訟において，サポート要件違反について上記主張とは異なる主
張をしていた（甲４８）からといって，本件訴訟において，前記第３の３(1)及び(2)
のサポート要件違反の主張をすることが訴訟上の信義則に反することはない。
イ(ｱ) 特許請求の範囲の記載が，明細書のサポート要件に適合するか否かは，
特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し，特許請求の範囲に記
載された発明が，発明の詳細な説明に記載された発明で，発明の詳細な説明の記載
により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か，
また，その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課
題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきもので
ある（知財高裁平成１７年（行ケ）第１００４２号・同年１１月１１日判決参照）。
(ｲ) 本件発明の課題は，本件明細書によると，まず，可視光に対して透明
な電界効果型トランジスタを提供することにつき，透明酸化物半導体であるＺｎＯ
の欠点を改善し，電気伝導度を下げて，ノーマリーオフの電界効果型トランジスタ
を構成すること（課題１），及び，大面積に適したトランジスタを作製すること（課
題２）であると認められる（【０００１】【０００４】 。
， ）
本件明細書の【００２５】には，本件化合物の単結晶薄膜が課題１を解決するこ
とが記載されている。
本件明細書には，大面積の電界効果型トランジスタには，従来，アモルファスシ
リコンが用いられていた（【０００２】）ところ，本件化合物のアモルファス薄膜を
活性層として用いた電界効果型トランジスタは，シリコンアモルファス電界効果型
トランジスタに比較して，可視光透過率が高く，光照射に対して安定に動作し，高
速動作することが期待できる（【００１４】）ことが記載されている。したがって，
本件化合物のアモルファス薄膜を活性層に用いて，大面積に適したトランジスタを
作製することができることが記載されているといえ，本件化合物のアモルファス薄
膜が課題２を解決することが記載されている。
よって，本件発明１，２及び４は，本件明細書の発明の詳細な説明に記載された
発明であり，発明の詳細な説明の記載により当業者が本件発明の課題を解決できる
と認識できる範囲のものである。
(ｳ) 原告の主張に対する判断
ａ 原告は，一つの特許請求の範囲によって画されている発明は，共通
する課題を解決し得るものでなければならないところ，本件明細書にはアモルファ
スの本件発明が課題１を解決することが記載されておらず，サポート要件を欠く，
と主張する。
しかし，一つの特許請求の範囲によって画されている発明であるからといって共
通する課題を解決し得るものでなければならないということはなく，そのように解
することが，発明の単一性（特許法３７条）に反するものではない。したがって，
原告の主張は，失当である。
ｂ 原告は，本件明細書には，アモルファスの本件発明が課題２を解決で
きることが記載されていない，と主張する。
しかし，前記(ｲ)のとおり，アモルファスの本件発明が課題２を解決できることが
本件明細書に記載されている。したがって，原告の主張には，理由がない。
(2) 本件明細書に多結晶等の場合に課題１及び課題２を解決できることが記
載されていない旨の主張について
ア 原告は，多結晶等の本件発明が課題１及び課題２を解決できることが記
載されていないから，サポート要件を欠く，と主張する。
イ 本件審判における原告の無効理由６の主張は，前記第２の３(8)ア(ｱ)の
とおりである。本件明細書に，本件化合物の多結晶等薄膜が本件発明の課題を解決
することが記載されていないことが，サポート要件を欠くというべきか否かについ
ては，本件審判においては現実に争われたものではなく，審理判断されたものでは
ない。
ウ これに対して，原告は，本件訂正により，本件化合物についてアモルフ
ァスの場合とそれ以外の場合とで取扱いが異なることが，特許請求の範囲の記載上
明らかとなったことを受けて，上記の本件化合物の多結晶等薄膜の主張に至ったも
のであるから，失当とはいえない，と主張する。
しかし，本件特許の特許請求の範囲請求項１には，本件訂正の前後を通じて多結
晶等を除く旨の記載はなく，本件明細書の【００２０】には，得られた薄膜が多結
晶膜でもよい旨が記載されているから，本件化合物の多結晶等薄膜に関する主張が，
本件訂正後に初めて可能となったとはいえない。したがって，原告の主張は，その
前提を欠き，失当である。
(3) 以上より，取消事由３には，理由がない。
５ なお，本件訴訟において，当初，原告は，本件審決において，原告が争った
にもかかわらず（甲４４） 本件訂正に関する被告の手続補正書について原告に反論
，
の機会が与えられず，特許法１２７条違反の有無について判断が示されなかったこ
とを理由として，特許法１２７条の承諾の有無に関する判断の遺脱及び判断誤り，
並びに，適正手続違背を，本件審決の取消事由として主張していたが，当裁判所に
おいて審理を尽くした結果，上記取消事由は撤回されたものである。
第６ 結論
よって，原告の請求には理由がないから，これを棄却することとして，主文のと
おり判決する。
知的財産高等裁判所第２部
裁判長裁判官
森 義 之
裁判官
永 田 早 苗
裁判官
古 庄 研