令和2(行ケ)10139審決取消請求事件

令和３年１０月２８日判決言渡
令和２年（行ケ）第１０１３９号 審決取消請求事件
口頭弁論終結日 令和３年９月７日
判 決
原 告 国 立 中 央 大 学
同訴訟代理人弁理士 伊 藤 捷 雄
被 告 特 許 庁 長 官
同 指 定 代 理 人 小 川 将 之
辻 本 泰 隆
梶 尾 誠 哉
山 田 啓 之
主 文
１ 原告の請求を棄却する。
２ 訴訟費用は原告の負担とする。
３ この判決に対する上告及び上告受理申立てのための付加期間を３０日
と定める。
事 実 及 び 理 由
第１ 請求
特許庁が不服２０１９－７５２５号事件について令和２年７月８日にした審決を
取り消す。
第２ 事案の概要
本件は，特許出願の拒絶査定に対する不服審判請求を不成立とした審決の取消訴
訟である。争点は，手続補正後の請求項１及び２に係る特許発明の進歩性の有無で
ある。
１ 特許庁における手続の経緯
(1) 原告は，平成２９年３月７日，発明の名称を「大面積ペロブスカイト膜の
製造方法，ペロブスカイト太陽電池モジュール，並びにその製造方法」とする特許
出願（特願２０１７－４３３１９号。優先権主張・平成２８年４月１日（以下「本
件優先日」という。）。以下「本件特許出願」という。）をしたが（甲１），平成
３１年１月２９日付けで拒絶査定を受けた。そこで，原告は，令和元年６月５日，
同拒絶査定に対する不服審判の請求（不服２０１９－７５２５号）をするとともに，
手続補正書（甲９）を提出した（以下，この手続補正を「本件補正」といい，本件
特許出願に係る願書に添付された明細書（本件補正後のもの（甲１，６，９））を
「本願明細書」という。）。
(2) 特許庁は，令和２年７月８日，本件補正を却下した上，「本件審判の請求
は，成り立たない。」との審決（以下「本件審決」という。）をし，その謄本は，
同年８月５日，原告に送達された。
２ 本件特許出願に係る本件補正前の発明の要旨（甲１，６）
本件特許出願に係る本件補正前の特許請求の範囲（請求項の数は１５）のうち請
求項１及び２に係る記載は，次のとおりである（以下，各請求項に係る発明を請求
項の番号に対応させて「本願発明１」などという。）。
【請求項１】
導電基板に前駆体溶液を供給することによって，フィルムを形成するステップと，
前記フィルムを逆溶剤に浸漬することによって，ペロブスカイト膜を形成するス
テップとを備え，
前記ペロブスカイト膜を構成するペロブスカイトの一般式はＡＢＸ3 で示され，
前記前駆体溶液の溶質には少なくともＡ，Ｂ，及びＸが含まれ，
前記ペロブスカイト膜のペロブスカイト結晶は前記導電基板上に連続且つ均一に
分布されるとともに，前記ペロブスカイト結晶の分布面積は２５ｃｍ 2～１０００
０ｃｍ2 であり，前記導電基板の面積は２５ｃｍ2～１００００ｃｍ 2 であることを
特徴とする，大面積ペロブスカイト膜の製造方法。
【請求項２】
導電基板に前駆体溶液を供給することによって，フィルムを形成するステップと，
赤外線で前記フィルムを加熱することによって，ペロブスカイト膜を形成するス
テップとを備え，
前記ペロブスカイト膜を構成するペロブスカイトの一般式はＡＢＸ3 で示され，
前記前駆体溶液の溶質には少なくともＡ，Ｂ，及びＸが含まれ，
前記ペロブスカイト膜のペロブスカイト結晶は前記導電基板上に連続且つ均一に
分布されるとともに，前記ペロブスカイト結晶の分布面積は２５ｃｍ 2～１０００
０ｃｍ2 であり，前記導電基板の面積は２５ｃｍ2～１００００ｃｍ 2 であることを
特徴とする，大面積ペロブスカイト膜の製造方法。
３ 本件特許出願に係る本件補正後の発明の要旨（甲１，６，９）
本件特許出願に係る本件補正後の特許請求の範囲（請求項の数は１５）のうち請
求項１及び２に係る記載は，次のとおりである（下線部は，補正箇所である。以下，
各請求項に係る発明を請求項の番号に対応させて「本件補正発明１」などとい
う。）。
【請求項１】
導電基板に前駆体溶液を数十秒供給することによって，フィルムを形成するステ
ップと，
前記数十秒で形成された前記フィルムを逆溶剤に浸漬することによって，ペロブ
スカイト膜を形成するステップとを備え，
前記ペロブスカイト膜を構成するペロブスカイトの一般式はＡＢＸ3 で示され，
前記前駆体溶液の溶質には少なくともＡ，Ｂ，及びＸが含まれ，
前記ペロブスカイト膜のペロブスカイト結晶は前記導電基板上に連続且つ均一に
分布されるとともに，前記ペロブスカイト結晶の分布面積は２５ｃｍ 2～１０００
０ｃｍ2 であり，前記導電基板の面積は２５ｃｍ2～１００００ｃｍ 2 であることを
特徴とする，大面積ペロブスカイト膜の製造方法。
【請求項２】
導電基板に前駆体溶液を数十秒供給することによって，フィルムを形成するステ
ップと，
赤外線を用いて前記数十秒で形成された前記フィルムを加熱することによって，
ペロブスカイト膜を形成するステップとを備え，
前記ペロブスカイト膜を構成するペロブスカイトの一般式はＡＢＸ3 で示され，
前記前駆体溶液の溶質には少なくともＡ，Ｂ，及びＸが含まれ，
前記ペロブスカイト膜のペロブスカイト結晶は前記導電基板上に連続且つ均一に
分布されるとともに，前記ペロブスカイト結晶の分布面積は２５ｃｍ 2～１０００
０ｃｍ2 であり，前記導電基板の面積は２５ｃｍ2～１００００ｃｍ 2 であることを
特徴とする，大面積ペロブスカイト膜の製造方法。
４ 本件審決の理由の要旨
(1) 本件補正について
ア 甲３（Thomas M. Schmidt et al.，Upscaling of Perovskite Solar Cells:
Fully Ambient Roll Processing of Flexible Perovskite Solar Cells with
Printed Back Electrodes ， Advanced Energy Materials ， ド イ ツ ， Wiley-VCH
Verlag GmbH & Co. KGaA，２０１５年８月５日，Vol. 5 Issue 15，pp. 1500569-
1-9，https://以下省略。本件審決における「引用文献１」）に記載された発明
（以下，下記(ア)に係る発明を「引用発明１」といい，下記(イ)に係る発明を「引
用発明２」という。）の認定
(ア) 「ITO-ガラス基板を洗浄する工程と，
ａ （smother film にするため１／３の量の IPA を添加した）4083 PEDOT:PSS
を約１５秒間，２０００ｒｐｍ（回転数）で前記基板にスピンコーティングし，そ
の後，５分間１５０℃の電熱板上で熱処理を加える工程と，
ｂ DMF に３００ｍｇ ｍＬ－１の PbCl2＋MAI（CH3NH3PbI3）（化学量論混合比１
：３）を混合した溶液を１５秒間，２０００ｒｐｍで冷却した前記基板にスピンコ
ーティングし，その後，１５秒間サンプルを休ませ，４５分間，１１０℃で焼きな
まし処理を行う工程と，
ｃ クロロベンゼンに４０ｍｇ ｍＬ－１の PCBM を混合した溶液を３０秒間，１
０００ｒｐｍでサンプルにスピンコーティングを行う工程と，
ｄ ５６ｍｇ ｍＬ－１の ZnO を１５秒間，２０００ｒｐｍでサンプルにスピンコ
ーティングし，その後，２分間１２０℃の電熱板上で熱処理を加える工程とを含む
スピンコーティングによる蒸着処理，
を含むペロブスカイト太陽電池の製造方法。」
(イ) 「ITO のパターンが形成された PET 箔をロールコーターのドラムに固定し，
４０℃の温度に設定し，その後の層は１１ｍｍのメニスカス幅を加える特注のスロ
ットダイコーティングヘッドを使用してコーティングする工程であって，
まず，PEDOT:PSS（１／３の量の IPA を添加した 4083 PEDOT:PSS）をポンプ速度
０．０８ｍＬ ｍｉｎ－１およびウェブ速度０．５ｍ ｍｉｎ －１でスロットダイコ
ーティングし，その後１１０℃で１０分間，金属箔に焼きなましを施す工程と，
次に，DMF 溶液に３５０ｍｇ ｍＬ－１の PbCl2＋MAI（CH3NH3PbI3）（化学量論混
合比１：３）を混合した溶液をポンプ速度０．０１７ｍＬ ｍｉｎ －１ およびウェ
ブ速度０．５ｍ ｍｉｎ －１でスロットダイコーティングし，その後１１０℃で４
０分間，金属箔に焼きなましを施す工程と，
続いて，（クロロベンゼンに２０ｍｇ ｍＬ－１を添加した）PCBM 層をポンプ速
度０．０３ｍＬ ｍｉｎ －１およびウェブ速度０．５ｍ ｍｉｎ －１でスロットダイ
コーティングする工程と，
（アセトンに５６ｍｇ ｍＬ－１を添加した）ZnO の最終層をポンプ速度０．０２
ｍＬ ｍｉｎ －１およびウェブ速度０．５ｍ ｍｉｎ －１でスロットダイコーティ
ングし，その後１１０℃で５分間，金属箔に焼きなましを施す工程とを含むスロ
ットダイコーティング蒸着処理，
を含むペロブスカイト太陽電池の製造方法。」
イ 本件補正発明１と引用発明１との対比
本件補正発明１と引用発明１は，次の一致点で一致し，相違点１～３で相違する。
（一致点）
「導電基板に前駆体溶液を供給することによって，フィルムを形成するステップ
と，
前記フィルムによって，ペロブスカイト膜を形成するステップとを備え，
前記ペロブスカイト膜を構成するペロブスカイトの一般式はＡＢＸ３で示され，
前記前駆体溶液の溶質には少なくともＡ，Ｂ，及びＸが含まれる，
ペロブスカイト膜の製造方法。」
（相違点１）
前駆体溶液の供給が，本件補正発明１では，「数十秒」であるのに対し，引用発
明１は，「１５秒間」である点。
（相違点２）
前駆体溶液のフィルムからのペロブスカイト膜の形成が，本件補正発明１では，
「前記フィルムを逆溶剤に浸漬すること」によって行われるのに対し，引用発明１
は，当該構成について特定されていない点。
（相違点３）
ペロブスカイト膜が，本件補正発明１では，「前記ペロブスカイト膜のペロブス
カイト結晶は前記導電基板上に連続且つ均一に分布されるとともに，前記ペロブス
カイト結晶の分布面積は２５ｃｍ ２ ～１００００ｃｍ ２ であり，前記導電基板の面
積は２５ｃｍ ２～１００００ｃｍ ２ であることを特徴とする，大面積」であるのに
対し，引用発明１は，当該構成について特定されていない点。
ウ 本件補正発明２と引用発明２との対比
本件補正発明２と引用発明２は，次の一致点で一致し，相違点４～６で相違する。
（一致点）
「導電基板に前駆体溶液を供給することによって，フィルムを形成するステップ
と，
前記フィルムを加熱することによって，ペロブスカイト膜を形成するステップと
を備え，
前記ペロブスカイト膜を構成するペロブスカイトの一般式はＡＢＸ３で示され，
前記前駆体溶液の溶質には少なくともＡ，Ｂ，及びＸが含まれる，
ペロブスカイト膜の製造方法。」
（相違点４）
前駆体溶液の供給が，本件補正発明２では，「数十秒」であるのに対し，引用発
明２は，当該構成について特定されていない点。
（相違点５）
前駆体溶液のフィルムを加熱することによるペロブスカイト膜の形成が，本件補
正発明２では，「赤外線を用いて」行われるのに対し，引用発明２は，当該構成に
ついて特定されていない点。
（相違点６）
ペロブスカイト膜が，本件補正発明２では，「前記ペロブスカイト膜のペロブス
カイト結晶は前記導電基板上に連続且つ均一に分布されるとともに，前記ペロブス
カイト結晶の分布面積は２５ｃｍ ２ ～１００００ｃｍ ２ であり，前記導電基板の面
積は２５ｃｍ ２～１００００ｃｍ ２ であることを特徴とする，大面積」であるのに
対し，引用発明２は，当該構成について特定されていない点。
エ 相違点についての判断
(ア) 相違点１について
スピンコーティングにおいて，前駆体溶液を供給する時間は，スピンコートすべ
き基板の面積等の条件に基づいて，基板表面の全体にわたって均一な膜厚を得るた
めに適宜定めるべき設計事項であって，引用発明１で「１５秒間」とされている時
間を「数十秒」とすることは，当業者が容易になし得たことである。
また，前駆体溶液を供給する時間を「数十秒」としたことによる格別の効果は，
本願明細書には記載されていない。
したがって，引用発明１において，本件補正発明１の相違点１に係る構成とする
ことは当業者が容易になし得たことである。
(イ) 相違点２について
甲４（Manda Xiao et al.，A Fast Deposition-Crystallization Procedure for
Highly Efficient Lead Iodide Perovskite Thin-Film Solar Cells，Angewandte
Communications，ドイツ，Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA，２０１４年９月８
日，Vol. 53，Issue 37，pp. 9898-9903，https://以下省略。本件審決における
「引用文献２」）には，基板上に CH3NH3PbI3 の DMF 溶液によるスピンコーティング
を施し，その後すぐに未乾燥塗膜をクロロベンゼン（CBZ）などの第２の溶剤に暴
露して，結晶化を誘発することにより平面で非常に均一な CH3NH3PbI3 の薄膜を作製
する溶剤導入高速結晶堆積法（FDC）は，膜の形成が１分以内に完了する短時間で
の蒸着という利点をもたらすことが記載されている。
してみれば，平面で非常に均一な膜の形成を短時間に完了させるという利点を得
るために，引用発明１において，スピンコーティングを施し，その後すぐに未乾燥
塗膜をクロロベンゼン（CBZ）などの第２の溶剤，すなわち，逆溶剤に浸漬して，
結晶化を誘発させることは，当業者が容易になし得たことである。
したがって，引用発明１において，本件補正発明１の相違点２に係る構成とする
ことは当業者が容易になし得たことである。
(ウ) 相違点３について
引用文献１には，当該文献に記載された研究の目的のために，寸法５×２．５ｃ
ｍ２のガラス基板を用いた単一デバイスのバッチ処理のために作られた小さなベン
チトップスケールのスクリーン印刷機が使用されているが，この小さなベンチトッ
プスケールのスクリーン印刷機と，ロール・ツー・ロール方式を稼動することが可
能な大型機とは，同一の機構を備えた機械であるため，印刷処理の拡張性が確保さ
れることが記載されている。
してみれば，引用文献１には，当該文献に記載された技術を，研究所の外で実用
化するにあたり，当該文献で用いられた，５×２．５ｃｍ２の寸法よりも大面積な
基板にペロブスカイト膜を製造することが示されているといえる。
そうすると，５×２．５ｃｍ ２ の寸法よりも大面積な基板として，２５ｃｍ ２ ～
１００００ｃｍ２の範囲に含まれる面積を有する基板を選び，当該基板の２５ｃｍ２
～１００００ｃｍ２の面積にわたりペロブスカイト結晶が分布するように，ペロブ
スカイト結晶を連続且つ均一に形成することは，当業者が容易になし得たことであ
る。
したがって，引用発明１において，本件補正発明１の相違点３に係る構成とする
ことは当業者が容易になし得たことである。
(エ) 相違点４について
スロットダイコーティングにおいて，前駆体溶液を供給する時間は，基板の長さ
と，ウェブ速度によって定まるから，引用発明２において，前駆体溶液を供給する
時間を，「数十秒」とすることは，当業者が適宜なし得たことである。
また，前駆体溶液を供給する時間を「数十秒」としたことによる格別の効果は，
本願明細書には記載されていない。
したがって，引用発明２において，本件補正発明２の相違点４に係る構成とする
ことは当業者が容易になし得たことである。
(オ) 相違点５について
甲５（国際公開第２０１５／０５９４３６号。本件審決における「引用文献３」）
にも記載されているように，加熱手段として，赤外線を用いることは周知の技術で
ある。
しかも，引用文献３に記載されているように，ペロブスカイトの前駆体溶液に，
７００～２５００ｎｍの範囲の波長を有する近赤外線を照射するＮＩＲ処理は，前
駆体溶液を加熱することにより，ペロブスカイト前駆体溶液を迅速に結晶化するこ
とが知られているのであるから，引用発明２において，前駆体溶液のフィルムを加
熱してペロブスカイト膜を形成するにあたり，赤外線を用いることは当業者が容易
になし得たことである。
したがって，引用発明２において，本件補正発明２の相違点５に係る構成とする
ことは当業者が容易になし得たことである。
(カ) 相違点６について
引 用 文 献１ に は ，当 該文 献 に 記載 さ れ た研 究の 目 的 のた め に ，寸 法 ５ ×２ ．５ ｃ ｍ ２
のガラス基板を用いた単一デバイスのバッチ処理のために作られた小さなベンチト
ップスケールのスクリーン印刷機が使用されているが，この小さなベンチトップス
ケールのスクリーン印刷機と，ロール・ツー・ロール方式を稼動することが可能な
大型機とは，同一の機構を備えた機械であるため，印刷処理の拡張性が確保される
ことが記載されている。
してみれば，引用文献１には，当該文献に記載された技術を，研究所の外で実用
化するにあたり，当該文献で用いられた，５×２．５ｃｍ２の寸法よりも大面積な
基板にペロブスカイト膜を製造することが示されているといえる。
そうすると，５×２．５ｃｍ ２ の寸法よりも大面積な基板として，２５ｃｍ ２ ～
１００００ｃｍ２の範囲に含まれる面積を有する基板を選び，当該基板の２５ｃｍ２
～１００００ｃｍ２の面積にわたりペロブスカイト結晶が分布するように，ペロブ
スカイト結晶を連続且つ均一に形成することは，当業者が容易になし得たことであ
る。
したがって，引用発明２において，本件補正発明２の相違点６に係る構成とする
ことは当業者が容易になし得たことである。
(キ) そして，これらの相違点を総合的に勘案しても，本件補正発明１及び本件
補正発明２の奏する作用効果は，引用発明１，２及び引用文献２，３に記載された
技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず，格別顕著なものとい
うことはできない。
オ まとめ
したがって，本件補正発明１及び本件補正発明２は，引用発明１，２及び引用文
献２，３に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたも
のであり，特許法２９条２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けるこ
とができないものである。
(2) 本願発明１及び２について
ア 判断
本願発明１，２は，本件補正発明１，２から，限定事項を削除したものである。
そうすると，本願発明１，２の発明特定事項を全て含み，さらに他の事項を付加
したものに相当する本件補正発明１，２が，引用発明１，２及び引用文献２，３に
記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるか
ら，本願発明１，２も，引用発明１，２及び引用文献２，３に記載された技術に基
づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
イ まとめ
以上のとおり，本願発明１，２は，特許法２９条２項の規定により特許を受ける
ことができない。
第３ 原告主張の審決取消事由
１ 取消事由１（相違点２の認定の誤り）について
(1) 本件補正発明１と引用発明１に係る相違点２は，次のとおり認定するべき
である。
「前駆体溶液のフィルムからのペロブスカイト膜の形成が，本件補正発明１では，
「スロットダイコーティングしたフィルムを逆溶剤に浸漬すること」によって行わ
れるのに対し，引用発明１は，「スピンコーティングしたフィルムを加熱処理する
こと」によって行われる点。」
(2) 被告は，本件補正発明１に関し，本件補正後の請求項１において「スロッ
トダイコーティングしたフィルム」との限定がされていない旨主張する。しかしな
がら，スピンコーティングは，本件補正発明１に係る１００００ｃｍ２にも及ぶ大
面積のペロブスカイト膜の製造には向かないものであるから（甲１６），本件補正
発明１は，スピンコーティングをその内容に含まない。したがって，本件補正発明
１のフィルムは，「スロットダイコーティングしたフィルム」であると限定解釈す
るのが相当である。
(3) 被告は，比較的大きい面積の基板に対応したスピン塗布装置（乙２，３）
が存在する旨主張するが，乙２及び３に記載されたスピン塗布装置は，いずれも液
晶ディスプレイパネルに用いるものであり，太陽電池に用いられるペロブスカイト
膜の製造の場合と比較して，用途，材料及び製造工程を異にするから，乙２及び３
に基づく被告の主張は失当である。
２ 取消事由２（相違点２の判断の誤り）について
以下のとおりであるから，引用発明１において相違点２に係る本件補正発明１の
構成とすることは当業者が容易になし得たとの本件審決の判断は誤りである。
(1) 引用発明１は，スピンコーティングで PbCl2＋MAI と DMF との混合溶液を基
板に塗布し，１１０℃までに加熱して結晶化させ，ペロブスカイト膜を形成するも
のであって（引用文献１の７頁右下欄１７～２０行目・その訳文（甲１３）の１１
頁３２～３５行目），ペロブスカイト膜の製造方法としては，１ステップ法に属す
るのに対し，本件補正発明１に係る請求項１の記載によれば，同発明は，２ステッ
プ法に属する（甲１７）。また，前記１のとおり，引用発明１は，スピンコーティ
ングによりフィルムを形成するのに対し，本件補正発明１は，スロットダイコーテ
ィングによりフィルムを形成するものである。このように，引用発明１と本件補正
発明１とは，ペロブスカイト膜の製造方法を大きく異にする。
(2) 上記(1)のとおり，引用発明１は，１ステップ法に属するのに対し，引用文
献２には，基板上に CH3NH3PbI3 の DMF 溶液によるスピンコーティングを施し，その
後すぐに未乾燥塗膜をクロロベンゼン（CBZ）などの第２の溶剤に暴露して，結晶
化を誘発することにより，平面で均一な CH3NH3PbI3 の薄膜を作製する方法が開示さ
れており（引用文献２の９８９９頁左欄１２～２７行目・その訳文（甲１４）の２
頁１５～２４行目），この方法は，２ステップ法に属する。両者の製造原理は全く
異なり，使用する試薬材料も相違するから，これらの技術を熟知する者にとって，
両者を組み合わせる動機は全くない。
(3) 引用文献１～３を併せて見ても，「スロットダイコーティングしたフィル
ムを逆溶剤に浸漬する」という本件補正発明１の構成は導かれない。
３ 取消事由３（相違点６の判断の誤り）について
以下のとおりであるから，引用発明２において相違点６に係る本件補正発明２の
構成とすることは当業者が容易になし得たとの本件審決の判断は誤りである。
(1) 引用発明２のペロブスカイト膜の面積は，５×２．５ｃｍ ２ と極めて小さ
く（引用文献１の３頁の図２の a）），本件補正発明２におけるペロブスカイト結
晶の分布面積及び導電基板の面積である「２５ｃｍ ２ ～１００００ｃｍ ２ 」とは余
りにも差があるから，単に引用発明２の方法を用いた製造装置を大きくすれば相違
点６に係る本件補正発明２の構成が得られるとはいえない。
なお，被告は，本件補正発明２にはペロブスカイト結晶の分布面積及び導電基板
の面積が２５ｃｍ ２のものも含む旨主張するが，ここでいう２５ｃｍ ２ は，１００
００ｃｍ２という大面積を前提としたものであるから，本件補正発明２の上記分布
面積等と引用発明２のペロブスカイト膜の面積には，やはり大きな差があるという
べきである。
(2) 前駆体溶液を供給する手段として，本件補正発明２においては，印刷のみ
に限定されておらず，回転塗布，スロットダイコーティング，インクジェット，浸
漬又は塗りつけによるともされているのに対し（本願明細書の段落【００４０】），
引用発明２においては，印刷のみに限定されている。このように前駆体溶液の供給
手段が印刷のみに限定され，しかも漠然とした記載に基づく引用発明２を根拠に，
当業者が相違点６に係る本件補正発明２の構成に容易に想到することができたとす
る本件審決の判断には，論理の飛躍がある。
第４ 被告の主張
１ 取消事由１（相違点２の認定の誤り）について
(1)ア 本件補正発明１に係る請求項１において，「スロットダイコーティング
したフィルム」との限定はされておらず，そのような限定がされていると解釈すべ
き特段の理由もないから，相違点２の認定に当たっても，本件補正発明１の「フィ
ルム」を「スロットダイコーティングしたフィルム」と認定すべきではない。なお，
本件補正後の請求項３においては，「スロットダイコーティングによって」との限
定がされているから，この点からも，同請求項１においては，そのような限定がさ
れていないと解すべきである。
イ また，本件補正発明１において，ペロブスカイト結晶の分布面積や導電基板
の面積は，「２５ｃｍ ２ ～１００００ｃｍ ２ 」と特定されているのであるから，同
発明に係る当該面積が１００００ｃｍ２に及ぶことを前提とする原告の主張は，特
許請求の範囲の記載に基づくものではない。したがって，本件補正発明１に当該面
積が１００００ｃｍ２であるものが含まれているとしても，そのことによって直ち
に，同発明の「フィルム」を「スロットダイコーティングしたフィルム」と解釈す
ることはできない。
ウ さらに，一般に，８００ｍｍ×９５０ｍｍ（＝７６００ｃｍ ２）の基板に対
応したスピン塗布装置（乙２の１頁本文１～３行目，２頁１～４行目）や，８５０
ｍｍ×１０００ｍｍ（＝８５００ｃｍ２）の基板に対応したスピン塗布装置（乙３
の本文１～３行目）が存在することは，当業者に周知の事柄であるから，この点か
らも，本件補正発明１にペロブスカイト結晶の分布面積や導電基板の面積が１００
００ｃｍ２であるものが含まれているとしても，そのことにより，同発明がスピン
コーティングの方法を排除していると解釈することにはならない。
エ なお，本願明細書の記載をみても，段落【００４０】には「前駆体溶液は，
回転塗布（spin coating），またはスロットダイ（slot die）コーティング，イン
クジェット（jet），印刷（printing），浸漬，または塗りつけることによって導
電基板に供給され」との記載があるから，本件補正発明１の「フィルム」は，前駆
体溶液を「回転塗布（spin coating）」したものなどを含んでいる。したがって，
本件補正発明１の「フィルム」が「スロットダイコーティングした」ものに限定さ
れていないことは明らかである。
(2) 本件補正発明１の「フィルム」が単に「フィルム」としか特定されていな
い以上，引用発明１との対比に際し，同発明の構成を「スピンコーティングしたフ
ィルム」と認定する必要はない。なお，引用発明１が「前記フィルムを逆溶剤に浸
漬すること」との構成を備えていないことは明らかであるから，同発明の構成を殊
更「加熱処理すること」とまで認定する必要はない。
(3) 以上のとおりであるから，相違点２に係る本件審決の認定に誤りはない。
２ 取消事由２（相違点２の判断の誤り）について
以下のとおりであって，原告の主張は理由がないから，引用発明１において相違
点２に係る本件補正発明１の構成とすることは当業者が容易になし得たことである
とした本件審決の判断に誤りはない。
(1)ア 原告は，本件補正発明１が２ステップ法に属する旨主張するが，次のと
おり，同発明は，引用発明１と同様，１ステップ法に属する。
(ア) 本件補正発明１に係る請求項１において，同発明が２ステップ法であると
の特定はない。
(イ) 本件補正発明１は，引用発明１と同様，溶質にＡ（CH3NH3），Ｂ（Pb）及
びＸ（I）が含まれた前駆体溶液を供給するものであるところ，溶質に少なくとも
Ａ，Ｂ及びＸが含まれた前駆体溶液を塗布することでＡＢＸ３ペロブスカイト膜を
得る方法が１ステップ法に相当することは，当業者の技術常識である（乙１の本文
１～３行目）。
イ また，本件補正発明１の「フィルム」が「スロットダイコーティングしたフ
ィルム」に限定されないことは，前記１(1)のとおりである。
ウ したがって，引用発明１と本件補正発明１とがペロブスカイト膜の製造方法
を大きく異にするということはできない。
(2)ア 引用文献２に記載された溶剤導入高速結晶堆積法（FDC 法）においては，
基板上に CH3NH3PbI3 の DMF 溶液がスピンコーティングされており（引用文献２の９
８９９頁左欄１２～１４行目・その訳文（本件審決）の３０頁の日本語訳３～４行
目），これは，溶質にＡ（CH3NH3），Ｂ（Pb）及びＸ（I）が含まれた前駆体溶液
を供給してペロブスカイト膜を形成する方法であるから，上記(1)ア(イ)の技術常
識に照らしても，引用文献２に記載された溶剤導入高速結晶堆積法（FDC 法）は，
１ステップ法に属する。なお，引用文献２には，「一段階での溶剤導入高速結晶堆
積法（FDC）」との記載があり（引用文献２の９８９９頁左欄９～１０行目・その
訳文（本件審決）の３０頁の日本語訳１行目），このことを明らかにしている。
イ そして，上記(1)ア(イ)のとおり，引用発明１も，溶質にＡ（CH3NH3），Ｂ
（Pb）及びＸ（I）が含まれた前駆体溶液を供給するものであり，１ステップ法に
属するのであるから，引用発明１に引用文献２に記載された技術を組み合わせる動
機がない旨の原告の主張は失当である。
３ 取消事由３（相違点６の判断の誤り）について
(1) 一般に，スロットダイコーティングを始めとするロール・ツー・ロール方
式の塗布手段が大面積の塗布に対応できるコーティング方法であることは，技術常
識から明らかであるところ，引用発明２は，幅１１ｍｍのスロットダイを用い，基
材（ウェブ）を毎分５０ｃｍの速度で動かしてペロブスカイト膜の前駆体をスロッ
トダイコーティングするものであるから，同発明において，基材を動かす（巻き取
る）時間を適宜設定すればペロブスカイト膜の面積が２５ｃｍ２～１００００ｃｍ
２
のいずれかとなることは，当業者であれば自然に着想し得たことである。
なお，引用発明２が記載された引用文献１には，「スロットダイコーティングは，
すべてロール・ツー・ロール方式を用いた有機薄膜太陽電池（OPV）の量産におい
て，非常に効果的であることが示されており，…ペロブスカイト太陽電池の大規模
な作製においておそらく第一候補である。」との記載があり（引用文献１の２頁左
欄４～７行目・その訳文（本件審決）の９頁１０～１５行目），スロットダイコー
ティングを用いたペロブスカイト太陽電池の作成を拡張することの示唆が存在する
から，引用発明２において基材を所望の面積に拡張することは，当業者が容易にな
し得たことである。
(2) 原告は，引用発明２のペロブスカイト膜の面積と本件補正発明２のペロブ
スカイト結晶の分布面積及び導電基板の面積には大きな差がある旨主張するが，本
件補正発明２のペロブスカイト結晶の分布面積等は，２５ｃｍ２程度の小さいもの
であってもよいのであるから，引用文献１に記載されたペロブスカイト膜の面積が
仮に５×２．５ｃｍ２であるとしても，直ちに両者に差がありすぎるということは
できない。
(3) 原告は，引用発明２における前駆体溶液を供給する手段が印刷に限定され
ており，そのような引用発明２を根拠に当業者が相違点６に係る本件補正発明２の
構成に容易に想到することができたとする本件審決の判断には論理の飛躍がある旨
主張するが，仮に引用文献１に同手段として印刷しか開示されていないとしても，
前記１(1)エのとおり，本件補正発明２も，同手段として印刷を含んでいるのであ
るから，相違点６の判断に係る本件審決の結論を左右するものではない。
(4) 以上のとおりであるから，引用発明２において相違点６に係る本件補正発
明２の構成とすることは当業者が容易になし得たことであるとした本件審決の判断
に誤りはない。
第５ 当裁判所の判断
１ 本件補正後の特許請求の範囲，本願明細書，引用文献１及び２等の記載
当事者双方は，各取消事由について，本件補正後の特許請求の範囲，本願明細書，
引用文献１及び２等の記載に基づく主張をするので，各取消事由の検討に当たり，
まず，これらの記載の内容についてみることとする。なお，外国語で作成された引
用文献１及び２については，訳文（本件審決に記載されたもの（当事者間に争いが
ない。））の内容を示し，引用箇所の特定も，本件審決の該当箇所による。
(1) 本件補正後の特許請求の範囲（甲９）
【請求項３】
前記前駆体溶液は，スロットダイコーティングによって前記導電基板に塗布され
ることで，前記フィルムを形成することを特徴とする，請求項１または２に記載の
製造方法。
(2) 本願明細書の記載（甲１，６，９）
【技術分野】
【０００１】
本発明は，ペロブスカイト膜及びペロブスカイト太陽電池モジュール，並びにそ
の製造方法に関し，特に，大面積ペロブスカイト膜及びペロブスカイト太陽電池モ
ジュール，並びにその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
ペロブスカイト太陽電池（perovskite solar cell）では，ペロブスカイト
（Perovskite）膜を太陽電池の活性層（Active Layer，また，光吸収層とも呼ばれ
る）の光起電力素子としている。
【０００４】
従来のモジュール式のペロブスカイト太陽電池の製造技術においては，それらの
技術によって製造された大面積ペロブスカイト活性層の連続性及び均一性は良好で
はなく，且つ活性層内は小さな空孔を有するため，漏電しやすいという欠点をもた
らし，また，その後の太陽電池の組立過程で，ペロブスカイト活性層が破壊される
という欠点を有している。これらの欠点は電池素子の電力変換効率を低下させ，且
つこれに伴うヒステリシス現象を誘発することが多かった（ヒステリシス現象とは
素子の順方向掃引と逆方向掃引のＩ－Ｖ曲線が重ならないことを意味する）。
【０００５】
したがって，如何にして空孔がなく，平滑で，且つ均一な高品質の大面積ペロブ
スカイト膜を製造し，且つこの大面積ペロブスカイト膜を使用して高効率のペロブ
スカイト太陽電池モジュールを組み立てるかが，ペロブスカイト太陽電池モジュー
ルを商品化させるための重要な課題の１つである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は，大面積，連続且つ均一なペロブスカイト膜の製造方法と，この
ペロブスカイト膜を備えた太陽電池モジュール及びその製造方法を提供することに
ある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施例において，大面積ペロブスカイト膜の製造方法は，導電基板に前駆体溶
液を数十秒供給することによって，フィルムを形成するステップと，前記数十秒で
形成された前記フィルムを逆溶剤に浸漬することによって，ペロブスカイト膜を形
成するステップとを備え，ペロブスカイトの一般式はＡＢＸ3 で示され，前駆体溶
液の溶質には少なくともＡ，Ｂ，及びＸが含まれ，ペロブスカイト膜のペロブスカ
イト結晶は導電基板上に連続且つ均一に分布されるとともに，ペロブスカイト結晶
の分布面積は２５ｃｍ2～１００００ｃｍ2 であり，導電基板の面積は２５ｃｍ2～１
００００ｃｍ2 であることを特徴とする。
【０００８】
一実施例において，導電基板に前駆体溶液を数十秒供給することによって，フィ
ルムを形成するステップと，赤外線を用いて数十秒で形成された前記フィルムを加
熱することによって，ペロブスカイト膜を形成するステップとを備え，前記ペロブ
スカイト膜を構成するペロブスカイトの一般式はＡＢＸ3 で示され，前駆体溶液の
溶質には少なくともＡ，Ｂ，及びＸが含まれ，ペロブスカイト膜のペロブスカイト
結晶は導電基板上に連続且つ均一に分布されるとともに，ペロブスカイト結晶の分
布面積は２５ｃｍ2～１００００ｃｍ2 であり，導電基板の面積は２５ｃｍ2～１００
００ｃｍ2 であることを特徴とする。
【００１０】
一実施例において，逆溶剤はフィルムにペロブスカイト結晶を生成させ，Ａは，
アルカリ金属イオン，メチルアミンイオン（CH3NH3+ ），ホルムアミジンイオン
（NH2CH=NH2+）のうちの少なくとも１つであり，Ｂは鉛（Pb），スズ（Sn），ゲル
マニウム（Ge）のうちの少なくとも１つであり，Ｘは，VII 族元素［フッ素（F），
塩素（Cl），臭素（Br），ヨウ素（I）］，ヘキサフルオロホスフェート（PF6），
チオシアネート（SCN）のうちの少なくとも１つであることを特徴とする。
【００１４】
一実施例において，逆溶剤はチオフェン（thiophene），チオフェン誘導体，ヨ
ードベンゼン（Iodobenzene），ジエチルエーテル（diethyl ether），クロロベン
ゼ ン （ CB ） ， ジ ク ロ ロ ベ ン ゼ ン （ DCB ） ， ト ル エ ン （ toluene ） ， ベ ン ゼ ン
（Benzene）またはその混合物であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３２】
上記より，本発明の製造方法において，大面積且つ均一なペロブスカイト膜は，
溶液製造工程及び逆溶剤結晶法，または赤外線誘導（Infrared induced）結晶法を
利用して迅速に製造することが可能であり，高価な蒸着装置の使用を避けることが
できるとともに，製造時間とコストのいずれをも削減することができる。また，本
発明の製造方法は，逆溶剤の種類，供給速度，浸漬時間もしくは光の照射強度を利
用してペロブスカイト膜の結晶生成速度，結晶化レベル，および結晶粒の大きさを
制御することで，大面積且つ高品質のペロブスカイト膜を得ることができる。また，
前駆体溶液の組成と濃度，回転塗布，または浸漬過程における各パラメーターを調
整することで，ペロブスカイト膜の結晶生成速度，結晶化レベル，および結晶粒の
大きさを正確に制御し，均一で品質が良好な大面積ペロブスカイト膜を製造するこ
とができる。この技術によって，製造された大面積ペロブスカイト膜を太陽電池モ
ジュールの活性層とすることができ，このペロブスカイト太陽電池モジュールは，
電流ヒステリシス現象のない優れた電力変換効率を有する。
【実施例１】
【００３８】
ステップＳ１０１：導電基板に前駆体溶液を供給し，フィルムを形成する。ペロ
ブスカイトの一般式はＡＢＸ3 で示され，前駆体溶液の溶質には少なくともＡ，Ｂ，
及びＸが含まれる。
【００３９】
ステップＳ１０２：フィルムを逆溶剤に浸漬するか，赤外線（Infrared light）
でフィルムを加熱することによって，ペロブスカイト膜を形成する。
【００４０】
ステップＳ１０１における前駆体溶液を供給する方式とステップＳ１０２におけ
る逆溶剤を与える方式は，いずれも非蒸着の方式を使用して行うことができる。例
を挙げると，前駆体溶液は，回転塗布（spin coating），またはスロットダイ
（slot die）コーティング，インクジェット（jet），印刷（printing），浸漬，
または塗りつけることによって導電基板に供給され，逆溶剤は回転塗布，スロット
ダイコーティング，インクジェット，印刷，浸漬，または塗りつけることによって，
もしくは赤外線による照射処理によってフィルムに与えられる。よって，本実施例
の大面積ペロブスカイト膜の製造は蒸着技術の使用を回避することができるため，
高価な蒸着設備を使用する必要がなく，環境を真空にするための待ち時間をも節約
することができる。
【００４１】
本実施例において，前駆体溶液はジメチルホルムアミド（DMF），ジメチルスル
ホキシド（DMSO），ガンマブチロラクトン（GBL），またはその混合溶液である。
逆 溶 剤 は チ オ フ ェ ン （ thiophene ） ， チ オ フ ェ ン 誘 導 体 ， ヨ ー ド ベ ン ゼ ン
（Iodobenzene），ジエチルエーテル（diethyl ether），クロロベンゼン（CB），
ジクロロベンゼン（DCB），トルエン（toluene），ベンゼン（Benzene）のうちの
１つ，またはその混合物である。逆溶剤は単純な溶剤である。赤外線の波長は７５
０ｎｍ～２０００ｎｍである。
【００４２】
例を挙げると，仮に，CH3NH3PbI3 のペロブスカイト膜を製造しようとする場合，
前駆体溶液の溶質は PbI2 と CH3NH3I とすることができる。溶剤はジメチルホルムア
ミドであり，その好ましい重量パーセント濃度は４０ｗｔ％であり，また，逆溶剤
はチオフェン（thiophene）とすることができる。また，他の例を挙げると，前駆
体溶液の溶質（Ａ）はアルカリ金属イオン，またはメチルアミンイオン（CH3NH3+），
またはホルムアミジンイオン（NH2CH=NH2+）のうちの少なくとも１つであり，溶質
（Ｂ）は鉛（Pb），スズ（Sn），ゲルマニウム（Ge）のうちの少なくとも１つであ
り，溶質（Ｘ）は VII 族元素［フッ素（F），塩素（Cl），臭素（Br），ヨウ素
（I）］，またはヘキサフルオロホスフェート（PF6 ），またはチオシアネート
（SCN）のうちの少なくとも１つであるが，これに限定されるものではない。
【００４４】
ステップＳ１０１において，前駆体溶液は，回転塗布（spin coating），スロッ
トダイ（slot die）コーティング，インクジェット（jet），印刷（printing），
浸漬，または塗りつけることによって導電基板に供給される。例を挙げると，「回
転塗布」は，スピンコーター（spin coater）を使用して導電基板上に前駆体溶液
の回転塗布を行い，「スロットダイコーティング」はスロットを使用して，スロッ
トを流れた前駆体溶液を導電基板に成膜し，「インクジェット」はノズルを使用し
て導電基板に前駆体溶液を噴射し，「印刷」はプリンターを用いて導電基板に前駆
体溶液を印刷し，「浸漬」は前駆体溶液を導電基板に浸し，「塗りつける」はブラ
シまたはツールを用いて，導電基板に前駆体溶液を塗りつける。また，導電基板は
透明，または不透明の基板であり，可撓性，または非可撓性の基板である。例えば，
導電基板は，透明導電ガラス，または透明導電フレキシブル基板である。
【００４５】
ステップＳ１０１において，逆溶剤は，回転塗布，スロットダイコーティング，
インクジェット，印刷，浸漬，または塗りつけることによってフィルムに与えられ，
フィルムにおいて，ペロブスカイト結晶の生成速度は，逆溶剤をフィルムに与える
速度によって決まる。例えば，仮に，逆溶剤が回転塗布によって前記フィルムに与
えられた場合では，フィルムにおいて，ペロブスカイト結晶の生成速度は，逆溶剤
をフィルムに入れる速度によって決まる。仮に，フィルムを逆溶剤に浸漬する場合
では，フィルムにおいて，ペロブスカイト結晶の生成量は，逆溶剤の種類及びフィ
ルムの逆溶剤での浸漬時間によって決まる。また，ステップＳ１０２を，赤外線で
フィルムを加熱することによってペロブスカイト膜を形成するステップとすること
もできる。
【００４７】
本実施例において，大面積，且つ均一なペロブスカイト（ＡＢＸ 3）膜は溶液製
造工程及び逆溶剤結晶法を用いて，迅速に製造される。逆溶剤は，前駆体溶液から
製造されたフィルムにペロブスカイト結晶を生成させる。例えば，前駆体溶液から
製造されたフィルムはペロブスカイト成分を有し，逆溶剤とフィルムが接触した後，
フィルム内の溶剤は置き換えられて，ペロブスカイトが結晶される。仮に，逆溶剤
をフィルム各所に絶えずに提供する場合，ペロブスカイト結晶は連続的に生成し，
且つ互いに隣接，接続するため，フィルムは連続的で，且つ均一なペロブスカイト
膜となる。本実施例において，ペロブスカイト結晶は多結晶である。
(3) 引用文献１の記載
ア 「ペロブスカイト太陽電池の高性能化―裏面電極の印刷を用いた完全な周囲
条件下でのロール方式によるフレキシブルなペロブスカイト太陽電池の作製」（本
件審決３頁３６行目～４頁２行目）
イ 「周囲条件下でのスロットダイ方式ロールコーティングなど拡張可能な技術
を用いたフレキシブル基板のデバイス作製が進歩し，ペロブスカイト太陽電池の規
模を拡大する取り組みが行われている。」（本件審決７頁の日本語訳１～３行目）
ウ 「すでに開発されている高効率のペロブスカイト太陽電池の作製スキームに
基づき，実際に拡張性の高い作製方法を開発するための課題には，次の３つの重要
な手段が含まれる。（1）有効なペロブスカイト層を形成するために拡張可能なコ
ーティング技術や印刷技術を使用すること…。…最初の手段であるペロブスカイト
層の形成に関しては，スピンコーティング，スプレーコーティング，蒸着，インク
ジェット印刷，スロットダイコーティングなど多様な蒸着技術が使用されている。
これは１ステップ法の蒸着（通常，ヨウ化メチルアンモニウム（MAI）および二塩
化鉛（PbCl2）/ヨウ化鉛（PbI2）の混合物）または２ステップ法の蒸着（通常，先
に PbI2 層を蒸着してからディップコーティングまたはスピンコーディングのいずれ
かで MAI を蒸着する一連の蒸着）のいずれかをベースにしている。…スロットダイ
コーティングは，すべてロール・ツー・ロール方式を用いた有機薄膜太陽電池
（OPV）の量産において，非常に効果的であることが示されており，たとえガラス
基板に使用した場合でも，ロール・ツー・ロール方式に適合する方法であることが
すでに報告されており，ペロブスカイト太陽電池の大規模な作製においておそらく
第一候補である。」（本件審決８頁２７行目～９頁１５行目）
エ 「図２ａは単一デバイス印刷中のスクリーン印刷のセットアップを示す写真
で，挿入部分はスクリーンが持ち上げられた直後の寸法５×２．５ｃｍ２のガラス
基板を示す。」（本件審決１５頁２～４行目）
オ 「２．４ スピンコーティングからロールコーティングへ
ペロブスカイト太陽電池を直接ロール・ツー・ロール方式に適合させ，高性能化
を可能にするために残された最後の手法は，フレキシブル基板上のペロブスカイト
層をスピンコーティングからスロットダイコーティングに移行して形成することで
ある。このコーティング方法は，以前より大規模なロール・ツー・ロール方式によ
る太陽電池処理を高性能化する上で優れたツールであることが示されてきた小さな
ロールコーターのセットアップを用いて行われた。」（本件審決１８頁の日本語訳
１～８行目）
カ 「スピンコーティングに使用するデバイスの準備：スピンコーティングを始
める前にイソプロピルアルコール（IPA）で５分間超音波洗浄を行い ITO-ガラス基
板を洗浄した。一方，ITO-PET 基板には IPA ですすぐ処理のみを行った。スピンコ
ーティング中に安定させるために ITO-PET 基板をスライドガラス上に載せた。１ス
テップ法による蒸着処理について（1）（smother film にするため１／３の量の
IPA を添加した）4083 PEDOT:PSS を約１５秒間，２０００ｒｐｍ（回転数）でサン
プルにスピンコーティングし，その後，５分間１５０℃の電熱板上で熱処理を加え
た。（2）DMF に３００ｍｇ ｍＬ－１の PbCl2＋MAI（化学量論混合比１：３）を混
合した溶液を１５秒間，２０００ｒｐｍで冷却サンプルにスピンコーティングした。
その後，１５秒間サンプルを休ませ，４５分間，１１０℃で焼きなまし処理を行っ
た。（3）クロロベンゼンに４０ｍｇ ｍＬ－１の PCBM を混合した溶液を３０秒間，
１０００ｒｐｍでサンプルにスピンコーティングを行った。（4）５６ｍｇ ｍＬ
－１
の ZnO を１５秒間，２０００ｒｐｍでサンプルにスピンコーティングし，その
後，２分間１２０℃の電熱板上で熱処理を加えた。」（本件審決２３頁１０～２３
行目）
キ 「スロットダイコーティングに使用するデバイスの準備：ITO のパターンが
形成された PET 箔をロールコーターのドラムに固定し，４０℃（１ステップ法処理）
または５０℃（２ステップ法処理）のいずれかの温度に設定した。その後の層は１
１ｍｍのメニスカス幅を加える特注のスロットダイコーティングヘッドを使用して
コーティングした。１ステップ法によるデバイスについて：まず，PEDOT:PSS（１
／３の量の IPA を添加した 4083 PEDOT:PSS）をポンプ速度０．０８ｍＬ ｍｉｎ－１
およびウェブ速度０．５ｍ ｍｉｎ －１ でスロットダイコーティングし，その後１
１０℃で１０分間，金属箔に焼きなましを施した。次に，DMF 溶液に３５０ｍｇ
ｍＬ－１の PbCl2＋MAI（化学量論混合比１：３）を混合した溶液をポンプ速度０．
０１７ｍＬ ｍｉｎ－１およびウェブ速度０．５ｍ ｍｉｎ －１でスロットダイコー
ティングし，その後１１０℃で４０分間，金属箔に焼きなましを施した。続いて，
（クロロベンゼンに２０ｍｇ ｍＬ－１を添加した）PCBM 層をポンプ速度０．０３
ｍＬ ｍｉｎ －１およびウェブ速度０．５ｍ ｍｉｎ －１でスロットダイコーティン
グした。（アセトンに５６ｍｇ ｍＬ－１を添加した）ZnO の最終層をポンプ速度０．
０２ｍＬ ｍｉｎ －１ およびウェブ速度０．５ｍ ｍｉｎ －１でスロットダイコーテ
ィングし，その後１１０℃で５分間，金属箔に焼きなましを施した。」（本件審決
２３頁３６行目～２４頁１２行目）
(4) 引用文献２の記載
ア 「高効率なヨウ化鉛ペロブスカイト薄膜太陽電池の高速結晶堆積法」（本件
審決２８頁２５行目）
イ 「近年では，CH3NH3PbI3 および CH3NH3Pbl3Cl3（メチルアンモニウム塩化鉛）
などのアルキルアンモニウム鉛（II）ハロゲン化合物は，集光性が高く，キャリア
移動度の高い，容易な溶液加工性を備えた高効率の太陽光発電材料であることが知
られている。これらの有機無機鉛（II）複合物質は，一般式 ABX3 によって周知のペ
ロブスカイト構造で結晶化される。」（本件審決２９頁の日本語訳４～９行目）
ウ 「本書では，一段階での溶剤導入高速結晶堆積法（FDC）について解説する。
FDC 法により平面で非常に均一な CH3NH3PbI3 の薄膜が作られる。このシンプルなア
プローチでは，基板上に CH3NH3PbI3 の DMF 溶液によるスピンコーティングを施し，
その後すぐに未乾燥塗膜をクロロベンゼン（CBZ）などの第２の溶剤に暴露して，
結晶化を誘発する。この FDC 法のスピンコーティング法により，１つの工程による
処理であるという利点と，膜の形成が１分以内に完了する短時間での蒸着という利
点とがもたらされる。」（本件審決３０頁日本語訳１行目～３１頁３行目）
エ 「CH3NH3PbI3 膜を作製するための FDC 法を図 1 に示す。まず，高密度酸化チ
タン（IV）（TiO2）層（厚さ約３０ｎｍ）を，噴霧熱分解を使用して，フッ素ドー
プ酸化スズ（FTO）をコーティングしたガラス上に堆積させた。その後，CH3NH3PbI3
の DMF 溶液（４５ｗｔ％）を５０００ｒｐｍで TiO2 層上にスピンコーティングし
た。一定の遅延時間（例えば，６秒）の後，第２の溶剤を基板にすばやく添加した。
第２の溶剤の役割は，混合溶剤における CH3NH3PbI3 の溶解度を急速に減少させ，そ
れにより膜内の結晶の成長および高速の核形成を促すことである。クロロベンゼン，
ベンゼン，キシレン，トルエン，メタノール，エタノール，エチレングリコール，
２－プロパノール，クロロホルム，テトラヒドロコルチゾール（THF），アセトニ
トリル，ベンゾニトリルを含む，一連の１２の溶剤を用いて試験を行った。第２の
溶剤を添加した時に瞬間的に膜が黒くなることにより，望ましい材料が形成された
という証拠が得られた。対照的に，第２の溶剤を添加しない従来のスピンコーティ
ングでは，未乾燥塗膜がゆっくりと乾燥し，光沢のある灰色の膜を得た。」（本件
審決３１頁１０～２３行目）
(5) 乙１（日本学術振興会情報科学用有機材料第１４２委員会Ｃ部会編「先端
有機半導体デバイス－基礎からデバイス物性まで－」（平成２７年８月２５日発
行））の記載
「ペロブスカイト太陽電池の作製方法 ペロブスカイト層の作製には大きく２種
類がある。(1)一段法 …CH3NH4I（MAI）と PbCl2 を３：１で混合し，その溶液をス
ピンコートする方法である。…(2)二段法 PbI2 の溶液をあらかじめ塗布した後，
基板を MAI 溶液に浸漬することによって PbI2 層に導入することにより PbPVK 層を作
製する。これと類似した方法として，PbI2 層を作製した後，MAI 層をスピンコート
法で作製し，ベークすることにより MAI を PbI2 層に侵入させる方法がある。」（２
６２頁本文）
(6) 甲１７（国立研究開発法人産業技術総合研究所太陽光発電研究センター有
機系薄膜チームＡ作成の「ペロブスカイト太陽電池の研究開発動向」と題する資料
（２０１９年））の記載
「塗布法 スピンコート法 CH3NH3X と PbX2 を溶媒に溶かして塗布製膜・乾燥後，
CH3NH3PbX3（X=I, Cl）薄膜が形成（１ステップ法） ※先に PbX2 薄膜を作製し，そ
の上に CH3NH3X を塗布してペロブスカイトを作製する方法（２ステップ法）」（１
０頁右欄）
２ 取消事由１（相違点２の認定の誤り）について
(1)ア 本件補正発明１の要旨は，前記第２の３のとおりである。
イ 引用文献１の記載（ア，ウ，カ）によれば，引用発明１の内容は，本件審決
（前記第２の４(1)ア(ア)）が認定したとおりであると認められる（原告も，この
点を特段争うものではない。）。
ウ 上記アとイを対比すると，本件補正発明１と引用発明１の一致点は，本件審
決（前記第２の４(1)イ）が認定したとおりであると認められる（原告も，この点
を特段争うものではない。）。
エ そうすると，本件補正発明１と引用発明１は，本件審決（前記第２の４(1)
イ）が認定した相違点１～３において相違するものと認められる。したがって，相
違点２に係る本件審決の認定に誤りはない。
(2) 原告の主張について
ア 原告は，相違点２に係る本件補正発明１の構成を「スロットダイコーティン
グしたフィルムを逆溶剤に浸漬すること」と認定すべきである旨主張する。
しかしながら，前記第２の３のとおり，本件補正発明１に係る請求項１には，当
該フィルムにつき「スロットダイコーティングした」などの限定はされていない
（なお，前記１(1)のとおり，本件補正後の請求項３には，同請求項１と異なり，
前駆体溶液が「スロットダイコーティングによって前記導電基板に塗布されること
で，前記フィルムを形成する」との限定があることにも照らすと，同請求項１は，
そのような限定をしない趣旨のものと解される。）。
原告は，スピンコーティングが大面積のペロブスカイト膜の製造には向かないこ
とを前提として，本件補正発明１は，ペロブスカイト結晶の分布面積及び導電基板
の面積（以下「本件面積」という。）が「２５ｃｍ２ ～１００００ｃｍ ２ 」である
との構成を有することから，このことを理由に，同発明の前駆体溶液のフィルムを
「スロットダイコーティングしたフィルム」と限定して解釈すべきであると主張す
るところ，確かに，引用文献１には，スロットダイコーティングがペロブスカイト
太陽電池の大規模な作製において第一の方法であること（前記１(3)ウ）及びスロ
ットダイコーティングが大規模なロール・ツー・ロール方式による太陽電池処理を
高性能化する上で優れたツールであること（同オ）が開示されており，これらの開
示によれば，本件優先日当時，太陽電池に用いられる大面積のペロブスカイト膜の
作製において，スロットダイコーティングが非常に有用な方法であったものと認め
られるが，本件補正発明１は，これに係る請求項１の記載のとおり，本件面積が２
５ｃｍ２又はこれに近いものも含んでおり，必ずしも大面積のペロブスカイト膜を
製造する方法のみに係るものということはできないから，同発明が本件面積に係る
上記構成を有しているからといって，前駆体溶液のフィルムにつき，これを「スロ
ットダイコーティングしたフィルム」と限定して解釈すべき根拠となるものではな
い。
以上からすると，本件補正発明１における前駆体溶液のフィルムを「スロットダ
イコーティングしたフィルム」と限定して解釈することはできない。
なお，念のため，本願明細書の記載をみると，本願明細書には，前駆体溶液が回
転塗布（スピンコーティング），スロットダイコーティング，インクジェット，印
刷，浸漬又は塗りつけの方法によって導電基板に供給されること（前記１(2)の段
落【００４０】，【００４４】）が記載されており，前駆体溶液のフィルムの形成
方法は，スロットダイコーティングに限られず，他の様々な方法を含むものとされ
ている。
そうすると，相違点２に係る本件補正発明１の構成は，単に「（前記）フィルム
を逆溶剤に浸漬すること」と認定すべきであり，原告が主張するように，これを
「スロットダイコーティングしたフィルムを逆溶剤に浸漬すること」と認定するの
は相当でない。したがって，原告の上記主張は，採用することができない。
イ 原告は，相違点２に係る引用発明１の構成を「スピンコーティングしたフィ
ルムを加熱処理すること」と認定すべきである旨主張する。
しかしながら，上記アのとおり，本件補正発明１において，前駆体溶液のフィル
ムの形成方法につき何らの限定もされていない以上，本件補正発明１と引用発明１
の対比において，引用発明１における前駆体溶液のフィルムにつき，これを「スピ
ンコーティングしたフィルム」と認定する必要はない（本件補正発明１は，前駆体
溶液のフィルムがスピンコーティングにより形成される場合を含むから，当該フィ
ルムの形成方法につき，本件補正発明１と引用発明１との間に相違はない。）。
また，引用発明１の内容（前記第２の４(1)ア(ア)）のとおり，同発明は，前駆
体溶液を基板に塗布した後，加熱処理を行うものである。しかしながら，特許出願
に係る発明と先行発明との相違点の認定は，前者が新規性及び進歩性を有するか否
かの判断のために行われるものであるところ，前者が進歩性を有するか否かの判断
に当たっては，前者の構成の容易想到性のみが問題となるのであるから，後者が前
者の有する構成と異なる構成を有する場合であっても，後者が有する構成を認定す
ることなく，単に後者が前者の構成を備えない旨を認定することでも足りると解す
るのが相当である。したがって，本件補正発明１と引用発明１との対比においても，
引用発明１が「フィルムを加熱処理すること」との構成を有することを認定するこ
となく，単に引用発明１が本件補正発明１の有する構成を備えていない旨のみを認
定した本件審決は相当である。
以上のとおりであるから，原告の上記主張は，採用することができない。
(3) 小括
よって，取消事由１は理由がない。
３ 取消事由２（相違点２の判断の誤り）について
(1) 引用文献２に記載された技術
ア 引用文献２の記載（前記１(4)ア～エ）によれば，同文献には，ペロブスカ
イト薄膜太陽電池の高速結晶堆積法（FDC 法）として，一般式ＡＢＸ３によって周
知のペロブスカイト構造で結晶化される CH3NH3PbI3 の DMF 溶液を基板上にスピンコ
ーティングし，その後，クロロベンゼン（CBZ）等の第２の溶液に暴露し，結晶化
を誘発することによって，平面で非常に均一な CH3NH3PbI3 の薄膜を１分以内の短時
間で蒸着させるとの利点を有する技術（以下「本件技術」という。）が開示されて
いると認められる。
イ ここで，本件技術にいう「第２の溶液」が本件補正発明１にいう「逆溶剤」
に相当するか否かにつき検討する。
本願明細書の記載（前記１(2)の段落【００１０】，【００１４】，【００３
９】，【００４１】，【００４７】）によれば，本件補正発明１にいう「逆溶剤」
とは，ペロブスカイト成分を有する前駆体溶液から製造されたフィルムに接触する
ことにより，フィルムにペロブスカイト結晶を生成させる溶剤であって，その一例
は，クロロベンゼンであると認められる。そして，上記アのとおり，本件技術にい
う「第２の溶剤」も，基板上にスピンコーティングされた CH3NH3PbI3 に接触し，そ
のペロブスカイト結晶化を誘発するものであって，その一例がクロロベンゼンであ
るとされているものであるから，本件補正発明１にいう「逆溶剤」に相当する。
ウ そうすると，本件技術は，相違点２に係る本件補正発明１の構成（「前記フ
ィルムを逆溶剤に浸漬すること」）を開示するものといえる（原告も，この点を特
段争うものではない。）。
(2) 引用発明１において本件技術を採用することの容易想到性
引用発明１と本件技術は，共に太陽電池に用いられるペロブスカイト膜の製造方
法という同一の技術分野に属する上，基板に前駆体溶液を塗布し，そのフィルムに
おけるペロブスカイト結晶化を促進させてペロブスカイト膜を作製するという点で，
技術思想においても共通するところがある。また，本件技術は，平面で非常に均一
なペロブスカイト膜を短時間で形成するとの利点をもたらすものであるところ，こ
れは，太陽電池に用いられるペロブスカイト膜の製造において，一般的かつ普遍的
に求められる利点であるといえる。なお，本願明細書の記載（前記１(2)の段落
【００３９】，【００４５】）によれば，上記のペロブスカイト結晶化を促進させ
る方法として，加熱処理を施すか逆溶剤に浸漬するかは，互いに代替可能な手段で
あると認められ，引用発明１において本件技術を採用することにつき阻害要因があ
るとはいえない。
以上によると，引用発明１において本件技術を採用し，同発明における加熱処理
に代えて相違点２に係る本件補正発明１の構成（逆溶剤への浸漬）とすることは，
本件優先日当時の当業者において容易に想到し得たものと認めるのが相当である。
(3) 原告の主張について
ア 原告は，本件補正発明１は２ステップ法に属するのに対し，引用発明１は１
ステップ法に属するから，両者は製造方法を大きく異にし，当業者は相違点２に係
る本件補正発明１の構成には容易に想到し得ない旨主張する。
そこで検討するに，乙１の記載（なお，「CH3NH4I」とあるのは「CH3NH3I」の誤
記であると認められる。），引用文献１の記載（前記１(3)ウ）及び引用文献２の
記載（同(4)ウ，エ）を総合すれば，太陽電池に用いられるペロブスカイト膜の製
造において，１ステップ法（一段法）とは，一例を挙げれば，CH3NH3I と PbCl2 を混
合した溶液を基板に塗布する方法であり，２ステップ法（二段法）とは，一例を挙
げれば，あらかじめ PbI2 の溶液を基板に塗布した後，その上に CH3NH3I を塗布する
方法であると認められる（なお，本件優先日の後に作成された甲１７の記載も，上
記認定に符合するものである。）。
そして，本件補正発明１に係る請求項１は，前駆体溶液の供給方法につき，上記
のような二段階のものに限る旨の特段の限定をしていないから，同発明は，１ステ
ップ法を含むというべきである（なお，念のため，本願明細書の記載（前記１(2)
の段落【００４２】）をみると，前駆体溶液の溶質は，PbI2 と CH3NH3I（これは，
両者の混合物であると解される。）とすることができるとされており，１ステップ
法が排除されていない。）。
したがって，本件補正発明１が２ステップ法のみを採用していることを前提とす
る原告の上記主張は，その前提を誤るものとして採用することができない。
イ 原告は，本件補正発明１はスロットダイコーティングによりフィルムを形成
するものであるのに対し，引用発明１はスピンコーティングによりフィルムを形成
するものであるから，この点でも，両者は製造方法を大きく異にし，当業者は相違
点２に係る本件補正発明１の構成には容易に想到し得ない旨主張する。
しかしながら，本件補正発明１におけるフィルムを「スロットダイコーティング
したフィルム」と限定して解釈することができないことは，前記２(2)アにおいて
説示したとおりであるから，同発明におけるフィルムの形成方法がスロットダイコ
ーティングのみであることを前提とする原告の上記主張は，その前提を誤るものと
して採用することができない。
なお，原告は，引用文献１～３を併せて見ても，「スロットダイコーティングし
たフィルムを逆溶剤に浸漬する」という本件補正発明１の構成は導かれない旨主張
するが，上記説示したところに照らせば，原告のこの主張も，同様に失当である。
ウ 原告は，引用発明１は１ステップ法に属するのに対し，本件技術は２ステッ
プ法に属するから，引用発明１に本件技術を組み合わせる動機づけがない旨主張す
る。
しかしながら，引用文献２の記載（前記１(4)ウ，エ）によれば，本件技術が上
記アにいう１ステップ法に属するものと認められるから（なお，引用発明１が１ス
テップ法に属することは，当事者間に争いがない。），原告の上記主張は，採用す
ることができない。
(4) 小括
よって，取消事由２は理由がない。
４ 取消事由３（相違点６の判断の誤り）について
(1)ア 引用文献１の記載（前記１(3)ア，ウ，キ）によれば，引用発明２の内容
は，本件審決（前記第２の４(1)ア(イ)）が認定したとおりであると認められる
（原告も，この点を特段争うものではない。）。
イ 上記アによれば，引用発明２は，PbCl2 と MAI を混合した溶液をポンプ速度
０．０１７ｍＬ ｍｉｎ －１及びウェブ速度０．５ｍ ｍｉｎ －１でスロットダイコ
ーティングすることにより，前駆体溶液を基板に塗布する工程を含むものである。
ここで，引用文献１（前記１(3)オ）には，スロットダイコーティングが太陽電
池処理を高性能化する上で優れたツールである旨の記載があるところ，ペロブスカ
イト膜におけるペロブスカイト結晶が基板上に連続かつ均一に分布していることは，
太陽電池を高性能化する上で必要不可欠な事柄であるから（本願明細書の前記１
(2)の段落【０００４】，【０００５】参照），スロットダイコーティングを用い
た引用発明２においても，ペロブスカイト膜のペロブスカイト結晶を基板上に連続
かつ均一に分布させることは十分に可能であると認められ（なお，本件補正発明２
において，ペロブスカイト結晶が導電基板上に連続かつ均一に分布しているといえ
るための客観的な指標は，何ら設定されていない。），また，ペロブスカイト太陽
電池の高性能化を目指す引用発明２（引用文献１の前記１(3)ア）においては，そ
のことが強く求められているというべきである。
さらに，前記２(2)アのとおり，本件優先日当時，スロットダイコーティングは，
大面積のペロブスカイト膜の作製において非常に有用な方法であったと認められる
のであるから，引用発明２の上記工程において，スロットダイコーティングを施す
時間を長くしさえすれば，大面積の基板に前駆体溶液を塗布することができ，これ
により，本件面積を大きくすることができるといえる（なお，スピンコーティング
に関する記載ではあるものの，本願明細書の前記１(2)の段落【００３２】には，
前駆体溶液の回転塗布における各パラメーターを調整することで，大面積ペロブス
カイト膜を製造することができるとの記載がある。）。加えて，引用発明２が記載
された引用文献１自体に，スロットダイコーティングがペロブスカイト太陽電池の
大規模な作製において第一の方法である旨の記載があり（前記１(3)ウ），引用発
明２を大面積のペロブスカイト膜の作製に用いる可能性が示唆されている。
以上によると，引用発明２において相違点６に係る本件補正発明２の構成を採用
することは，本件優先日当時の当業者において容易に想到し得たものと認めるのが
相当である。
(2) 原告の主張について
ア 原告は，本件補正発明２における本件面積は２５ｃｍ ２ ～１００００ｃｍ ２
であるのに対し，引用発明２におけるペロブスカイト膜の面積は５×２．５ｃｍ２
であって，両者は余りにも差があるから，単に引用発明２の方法を用いた製造装置
を大きくすれば相違点６に係る本件補正発明２の構成が得られるとはいえない旨主
張する。
確かに，引用文献１についての前記１(3)エには，ガラス基板が５×２．５ｃｍ
２
である旨の記載があるが，これは，スクリーン印刷の方法が施された基板につい
ていうものであって，スロットダイコーティングが採用された引用発明２について
いうものではない。また，本件補正発明２は，これに係る請求項２の記載のとおり，
本件面積が２５ｃｍ２又はこれに近いものも含んでいる。
そうすると，本件補正発明２における本件面積と引用発明２におけるペロブスカ
イト膜の面積が余りに違いすぎるとする原告の主張は，採用することができない。
なお，原告は，本件補正発明２における本件面積２５ｃｍ ２ は１００００ｃｍ２
を前提とした２５ｃｍ２であるなどとも主張するが，本件補正発明２における２５
ｃｍ２は，客観的な数値であって，「１００００ｃｍ２を前提とする２５ｃｍ２」な
どという数値を観念することはできないから，原告のこの主張も失当である。
イ 原告は，本件補正発明２における前駆体溶液の供給手段は印刷に限定されて
いないのに対し，引用発明２における同手段は印刷に限定されているのであるから，
当業者は相違点６に係る本件補正発明２の構成に容易に想到することはできない旨
主張する。
しかしながら，上記(1)のとおり，引用発明２は，前駆体溶液の供給方法として
印刷を採用するものではなく，スロットダイコーティングを採用するものである。
そして，本件補正発明２も，スロットダイコーティングを含むものであるから（本
願明細書の前記１(2)の段落【００４０】，【００４４】），両発明における前駆
体溶液の供給手段の違いを根拠に相違点６に係る本件補正発明２の構成についての
容易想到性を争う原告の主張は，その前提を誤るものとして採用することができな
い。
なお，原告は，引用発明２が引用文献１の漠然とした記載に基づくとも主張する
が，引用文献１の記載（前記１(3)ア，ウ，キ）をみても，これらが漠然とした記
載であるとはいえず，原告のこの主張も失当である。
(3) 小括
よって，取消事由３は理由がない。
５ 結論
以上の次第であるから，原告の請求は理由がない。
知的財産高等裁判所第２部
裁判長裁判官
本 多 知 成
裁判官
浅 井 憲
裁判官
中 島 朋 宏