令和4(行ケ)10099審決取消請求事件

令和５年７月６日判決言渡
令和４年（行ケ）第１００９９号 審決取消請求事件
口頭弁論終結日 令和５年４月２５日
判 決
当事者の表示 別紙当事者目録記載のとおり
主 文
１ 原告の請求を棄却する。
２ 訴訟費用は原告の負担とする。
事 実 及 び 理 由
第１ 請求
特許庁が無効２０２１－８０００５０号事件について令和４年８月９日にした審
決を取り消す。
第２ 事案の概要
本件は、特許無効審判請求を不成立とした審決の取消訴訟であり、争点は、進歩
性についての認定判断の誤りの有無である。
１ 手続の経緯
被告は、発明の名称を「レーザ加工方法及びレーザ加工装置」とする発明につき、
平成１６年１月９日に特許出願（以下「本件出願」という。）をし、同発明に係る特
許（以下「本件特許」という。）は、平成２２年５月１４日に特許第４５０９５７８
号として設定登録された（請求項の数１４）。
原告は、令和３年６月２２日、本件特許の特許請求の範囲の請求項８及び１１に
係る発明についての特許を無効とすることを求める無効審判請求をした。特許庁は、
これを無効２０２１－８０００５０号事件として審理し、令和４年８月９日、
「本件
審判の請求は、成り立たない。」との審決（以下「本件審決」という。）をした。本
件審決の謄本は、同月２２日、原告に送達された。
２ 発明の要旨
(1) 本件特許の特許請求の範囲の請求項８の記載は、次のとおりである（以下、
この請求項８に係る発明を「本件発明１」という。。
）（甲２２）
「第一のレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射し、前記加工対象
物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加
工装置であって、
前記第１のレーザ光を前記加工対象物に向けて集光するレンズと、
前記加工対象物と前記レンズとを前記加工対象物の主面に沿って移動させる移動
手段と、
前記レンズを前記主面に対して進退自在に保持する保持手段と、
前記移動手段及び前記保持手段それぞれの挙動を制御する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は前記集光点が前記加工対象物内部の所定の位置に合う状態となる
初期位置に前記レンズを保持するように前記保持手段を制御し、
当該位置に前記レンズを保持した状態で前記第一のレーザ光を照射しながら、前
記制御手段は前記加工対象物と前記レンズとを前記主面に沿って相対的に移動させ
るように前記移動手段を制御して前記切断予定ラインの一端部において改質領域を
形成し、
前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、前記制御手段
は前記レンズを前記初期位置に保持した状態を解除して前記レンズと前記主面との
間隔を調整しながら保持するように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工
対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して改
質領域を形成する、
レーザ加工装置。」
(2) 本件特許の特許請求の範囲の請求項１１の記載は、次のとおりである（以下、
この請求項１１に係る発明を「本件発明２」といい、本件発明１と併せて「本件発
明」という。。
）（甲２２）
「前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、前記制御手
段は前記レンズを前記初期位置に保持した状態を解除して前記レンズと前記主面と
の間隔を調整しながら保持するように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加
工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して
改質領域を形成し、
更に、前記制御手段は前記レンズを前記主面に向かう方向に駆動させずに保持す
るように前記保持手段を制御すると共に、前記レンズと前記加工対象物とを前記主
面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御する、請求項８～１０の
いずれか１項に記載のレーザ加工装置。」
(3) 本件発明は、次のとおり分説される。
ア 本件発明１
（１Ａ）第一のレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射し、前記加
工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に改質領域を形成するレ
ーザ加工装置であって、
（１Ｂ）前記第１のレーザ光を前記加工対象物に向けて集光するレンズと、
（１Ｃ）前記加工対象物と前記レンズとを前記加工対象物の主面に沿って移動さ
せる移動手段と、
（１Ｄ）前記レンズを前記主面に対して進退自在に保持する保持手段と、
（１Ｅ）前記移動手段及び前記保持手段それぞれの挙動を制御する制御手段と、
を備え、
（１Ｆ）前記制御手段は前記集光点が前記加工対象物内部の所定の位置に合う状
態となる初期位置に前記レンズを保持するように前記保持手段を制御し、
（１Ｇ）当該位置に前記レンズを保持した状態で前記第一のレーザ光を照射しな
がら、前記制御手段は前記加工対象物と前記レンズとを前記主面に沿って相対的に
移動させるように前記移動手段を制御して前記切断予定ラインの一端部において改
質領域を形成し、
（１Ｈ）前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、前記
制御手段は前記レンズを前記初期位置に保持した状態を解除して前記レンズと前記
主面との間隔を調整しながら保持するように前記保持手段を制御し、前記レンズと
前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制
御して改質領域を形成する、
（１Ｉ）レーザ加工装置。
イ 本件発明２
（２Ａ）前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、前記
制御手段は前記レンズを前記初期位置に保持した状態を解除して前記レンズと前記
主面との間隔を調整しながら保持するように前記保持手段を制御し、前記レンズと
前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制
御して改質領域を形成し、
（２Ｂ）更に、前記制御手段は前記レンズを前記主面に向かう方向に駆動させず
に保持するように前記保持手段を制御すると共に、前記レンズと前記加工対象物と
を前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御する、
（２Ｃ）請求項８～１０のいずれか１項に記載のレーザ加工装置。
３ 本件審決の理由の要点
(1) 原告は、本件発明は、甲１（国際公開第０２／２２３０１号）に記載された
発明（以下「甲１発明」という。）に、周知の技術的事項を適用して、容易に発明す
ることができたものであって、進歩性欠如の無効理由があると主張するところ、甲
１には、次の甲１発明が記載されていると認められる。
（１ａ）レーザ光Ｌを加工対象物１であるシリコンウエハの内部に集光点Ｐを合
わせて照射し、前記シリコンウエハの切断予定ライン５に沿って前記シリコンウエ
ハの内部に改質領域７を形成するレーザ加工装置１００であって、
（１ｂ）前記レーザ光Ｌを前記シリコンウエハに向けて集光するレンズ１０５と、
（１ｃ）前記シリコンウエハと前記レンズ１０５とを前記シリコンウエハの表面
３（レーザ光Ｌの入射面）に沿って移動させるＸ、Ｙ軸ステージ１０９、１１１及
びステージ制御部１１５と、
（１ｄ）前記レンズ１０５を前記表面３に対して進退自在に保持する保持手段と、
（１ｅ）前記Ｘ、Ｙ軸ステージ１０９、１１１、ステージ制御部１１５、及び前
記保持手段それぞれの挙動を制御する全体制御部１２７と、を備え、
（１ｆ’前記全体制御部１２７は前記集光点Ｐが前記シリコンウエハ内部の所定
）
の位置に合う状態となる調整された固定位置に前記レンズ１０５を保持するように
前記保持手段を制御し、
（１ｇ＋１ｈ’ シリコンウエハ内部の調整された固定位置に集光点Ｐが位置する
）
ように前記レンズ１０５を保持した状態で前記レーザ光Ｌを照射しながら、前記全
体制御部１２７は前記シリコンウエハと前記レンズ１０５とを前記表面３に沿って
相対的に移動させるように前記Ｘ、Ｙ軸ステージ１０９、１１１及びステージ制御
部１１５を制御して前記切断予定ライン５の一端部を含む前記切断予定ライン５に
沿って改質領域７を形成する、
（１ｉ）上記レーザ加工装置１００。
(2) 本件発明１と甲１発明を対比すると、次の一致点において一致し、相違点１
において相違する。
（一致点）
「第一のレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射し、前記加工対象
物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加
工装置であって、
前記第１のレーザ光を前記加工対象物に向けて集光するレンズと、
前記加工対象物と前記レンズとを前記加工対象物の主面に沿って移動させる移動
手段と、
前記レンズを前記主面に対して進退自在に保持する保持手段と、
前記移動手段及び前記保持手段それぞれの挙動を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は前記集光点が前記加工対象物内部の所定の位置に合う状態となる
位置に前記レンズを保持するように前記保持手段を制御し、
当該位置に前記レンズを保持した状態で前記第一のレーザ光を照射しながら、前
記制御手段は前記加工対象物と前記レンズとを前記主面に沿って相対的に移動させ
るように前記移動手段を制御して前記切断予定ラインの一端部において改質領域を
形成する、
レーザ加工装置。」
（相違点１）
本件発明１は、
「初期位置」にレンズを保持した状態で「前記切断予定ラインの一
端部において改質領域が形成された後に、前記制御手段は前記レンズを前記初期位
置に保持した状態を解除して前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持す
るように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿っ
て相対的に移動させるように前記移動手段を制御して改質領域を形成する」ことを
特定しているのに対して、甲１発明は、シリコンウエハ内部の調整された固定位置
に集光点Ｐが位置するようにレンズ１０５を保持した状態でレーザ光Ｌを照射しな
がら、全体制御部１２７はシリコンウエハとレンズ１０５とを表面３に沿って相対
的に移動させるようにＸ、Ｙ軸ステージ１０９、１１１及びステージ制御部１１５
を制御して切断予定ライン５の一端部を含む切断予定ライン５に沿って改質領域７
を形成することから、 前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された
「
後に」おいても、シリコンウエハ内部の調整された固定位置に集光点Ｐが位置する
ようにレンズ１０５を保持したままの状態で、改質領域７を形成する点。
(3) 相違点１についての検討
ア 周知の技術的事項
(ｱ) 甲３（特開昭５３－１４５５６４号公報）、甲４（特開平１０－１８９４９６
号公報）及び甲５（特開２０００－３０６８６５号公報）から、次の技術事項（以
下「周知の技術的事項１」という。）が周知であると認められる。（判決注：半導体
ウエハ（ウェハ）のうち、シリコンが素材のものをシリコンウエハと呼ぶ。）
「半導体ウエハをレーザ加工する技術分野において、半導体ウエハに反りがある
と加工位置に対して加工用レーザ光の焦点がずれることから、測距用レーザ光を半
導体ウエハに照射し、半導体ウエハの切断予定ラインに沿った表面（主面）の変位
を取得して、取得した主面の変位に基づき、加工用レーザ光のレンズと半導体ウエ
ハの主面との間隔を調整することで、加工用レーザ光の焦点の位置を調整し、半導
体ウエハの表面を加工すること。」
(ｲ) 甲６（特公平６－１００７１１号公報）及び甲７（特開平１０－２８８７３
４号公報）から、次の技術事項（以下「周知の技術的事項２」という。）が周知であ
ると認められる。
「対象物であるシリコンウエハについて、シリコンウエハの一端部に存在する平
坦ではない部分（段差部や研磨ダレ部分等）に起因して光の合焦動作が困難になる
ことから、そのような部分において合焦動作を一時的に停止させて焦点を固定し、
そのような部分を外れると合焦動作を再開することにより、光の合焦動作を改善す
ること。」
イ 甲１発明に周知の技術的事項１及び周知の技術的事項２を適用することにつ
いて
甲１は、加工対象物の表面から裏面に向けて加熱溶融を進行させて加工対象物を
切断する従来の方法では加工対象物の表面のうち切断する箇所となる領域周辺も溶
融されてしまうことを課題として、レーザ光Ｌの集光点Ｐを加工対象物１の内部に
位置させて、改質領域を加工対象物１の内部にのみ形成して加工対象物を切断する
ことが記載されているから、そもそも半導体ウエハの表面に集光点を合わせて、
（表
面を）加工をするものである周知の技術的事項１を適用する動機付けがない。
また、甲１には、全体を見渡しても、加工対象物に反りがあることについての記
載は見当たらないし、甲１発明は、
「シリコンウエハ内部の調整された固定位置に集
光点Ｐが位置するように前記レンズ１０５を保持した状態で前記レーザ光Ｌを照射
しながら、前記全体制御部１２７は前記シリコンウエハと前記レンズ１０５とを前
記表面３に沿って相対的に移動させるように前記Ｘ、Ｙ軸ステージ１０９、１１１
及びステージ制御部１１５を制御して前記切断予定ライン５の一端部を含む前記切
断予定ライン５に沿って改質領域７を形成する」ものであって、シリコンウエハに
反りがあることを想定したものでないことは明らかであるから、甲１発明に、加工
対象物に反りがあることを課題とした解決手段である周知の技術的事項１を適用す
る動機付けも見いだせない。
加えて、仮に、甲３ないし甲５に記載されているように、半導体ウエハが実際に
は反るものであるとしても、周知の技術的事項１では、半導体ウエハの表面を加工
するため、その位置の誤差の許容幅が小さいものとなり、正確な位置に集光点を合
わせることに必然性を有するものと認められる一方、甲１発明は、上記のとおり改
質領域を加工対象物１の内部にのみ形成するものであり、加工対象物１に厚みを有
すること（加工される内部は許容範囲を有すること）を考慮すれば、周知の技術的
事項１のように表面の加工を行うものと、甲１発明とでは集光点のＺ軸方向の位置
に係る条件が異なる。そして、甲１発明の「シリコンウエハ内部の調整された固定
位置に前記レンズ１０５を保持した状態で前記レーザ光Ｌを照射しながら、前記全
体制御部１２７は前記シリコンウエハと前記レンズ１０５とを前記表面３に沿って
相対的に移動させるように前記Ｘ、Ｙ軸ステージ１０９、１１１及びステージ制御
部１１５を制御して前記切断予定ライン５の一端部を含む前記切断予定ライン５に
沿って改質領域７を形成する」ことにより、例えばシリコンウエハの加工ができな
いような特段の事情は見当たらないから、甲１発明に上記周知の技術的事項１を適
用する動機付けは見いだせない。
そうすると、甲１発明に周知の技術的事項１を適用することが当業者にとって容
易になし得るものではないから、更に周知の技術的事項２を適用して相違点１に至
ることも、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
ウ 甲１発明に周知の技術的事項１及び周知の技術的事項２を適用する改変につ
いて
仮に、甲１発明に周知の技術的事項１を適用することができたとしても、以下に
説示するとおり、甲１発明に周知の技術的事項１を適用した上で周知の技術的事項
２を適用することは多段階の改変に該当し、そのような多段階の改変を要する本件
発明１が、甲１発明に基づいて容易になし得たものということはできない。
甲１には、光の合焦動作（フォーカス調整）を行うことの記載はあるものの、当
該合焦動作がシリコンウエハの一端部に存在する平坦でない部分についても行われ
ることは記載されていないし、加工対象物の平坦でない部分がフォーカス調整やレ
ーザ加工に対して悪影響を及ぼすとの課題についての記載も見当たらない。
さらに甲１には、加工対象物の表面に対してフォーカス調整を行った後に、Ｚ軸
ステージでレ一ザ光Ｌの集光点を加工対象物の内部に移動させて、Ｘ、Ｙ軸ステー
ジ１０９、１１１を制御して改質領域７を形成することが記載されていると認めら
れるから、該フォーカス調整は、改質領域の形成（加工）に先立って、加工対象物
の内部における改質領域の厚さ方向の位置（固定位置）を定めるためだけに行われ、
当該加工中は加工対象物の端部であるか否かに関わらず、全体に固定位置を維持す
るものであり、当該フォーカス調整は、加工対象物の表面の全体に沿って連続的に
行うものではないから、そもそもシリコンウエハの一端部に存在する平坦ではない
部分（段差部や研磨ダレ部分等）に起因して光の合焦動作が困難になるとの課題が
甲１に内在しているということもできない。
したがって、甲１発明に、合焦動作を連続的にすることを前提とする上記周知の
技術的事項２を適用する動機も見当たらない。
そして、シリコンウエハの一端部に存在する平坦ではない部分（段差部や研磨ダ
レ部分等）に起因して光の合焦動作が困難になるとの課題認識は、甲１発明に、フ
ォーカス調整を、加工対象物の表面の切断予定ラインの全体に沿って連続的に行っ
て加工対象物の表面の変位を取得して、取得した主面の変位に基づき、加工用レー
ザ光のレンズと半導体ウエハの主面との間隔を調整することで、加工用レーザ光の
集光点の位置を調整するとの技術的事項（例えば、周知の技術的事項１）を適用す
るという改変をした際に初めて生じるものであるから、仮に甲１発明に周知の技術
的事項１を適用できたとしても、その改変によって新たに生じた課題を解決するた
めに、シリコンウエハの一端部に存在する平坦ではない部分については該フォーカ
ス調整を一時的に停止させて焦点を固定し、当該平坦ではない部分を外れると合焦
動作を再開するとの技術的事項（周知の技術的事項２）を更に適用することは、多
段階での改変に該当するものであることは明らかであり、このような多段階の改変
が、当業者にとって容易に想到し得たということはできない。
エ 以上から、甲１発明に周知の技術的事項１及び周知の技術的事項２を適用す
ることが当業者にとって容易になし得るものではない。
オ また、甲２（特開平６－１２２０８４号公報）には、レーザ加工装置おいて、
円筒体の表面に微細な凹凸を形成したり、微細な孔を穿ったりする技術において、
その加工精度は、レーザ光の焦点距離の精度に依存するので、集光レンズと被加工
面との間隔を、加工作業中は常に所定の範囲内に保つ必要があることが記載されて
いるところ、甲２は、被加工物である円筒体の表面の加工に関するものであって、
その内部の加工をするものではないし、甲３ないし７を見ても、被加工物の内部を
加工する際の集光点の位置調整に関する課題を示すものではなく、甲１発明に周知
の技術的事項１及び周知の技術的事項２を適用することが動機付けられるものでは
ないから、上記の判断を左右するものではない。
カ したがって、本件発明１は、甲２ないし７の記載を踏まえても、甲１発明、
周知の技術的事項１及び周知の技術的事項２に基づいて、当業者が容易になし得た
ものとはいえないから、原告の主張する無効理由によって本件発明１に係る特許を
無効とすることはできない。
(4) 本件発明２について
本件発明２は、本件発明１の構成を含んで更に限定したものに相当し、本件発明
２と、甲１発明とは、上記相違点１を有するものであるから、本件発明１と同様の
理由により、原告の主張する無効理由によって本件発明２に係る特許を無効とする
ことはできない。
(5) 結論
したがって、本件発明は、甲１発明、甲３ないし５に記載の周知の技術的事項１
並びに甲６及び７に記載の周知の技術的事項２に基づいて、当業者が容易に発明で
きたものとはいえないから、甲１発明に基づく進歩性欠如の無効理由によってそれ
らの特許を無効にすることはできない。
第３ 原告が主張する審決取消事由
１ 取消事由１（本件発明１に係る進歩性判断の誤り）
(1) 甲１発明の認定について
本件審決は、前記第２の３(1)のとおり甲１発明を認定したが、
（１ｆ’）及び（１
ｇ＋１ｈ’）の構成の認定には誤りがある。
ア 甲１の記載からすると、甲１発明の構成（１ｆ’）及び（１ｇ＋１ｈ’）は次
のとおり認定されるべきである(本件審決の認定と異なる部分に下線を付した。)。
（１ｆ’ 前記全体制御部１２７は前記集光点Ｐが前記シリコンウエハ内部の所
）
定の位置に合う状態となる初期位置に前記レンズ１０５を保持するように前記保持
手段を制御し、
（１ｇ＋１ｈ’ 前記レーザ光Ｌを照射しながら、前記全体制御部１２７は前記
）
Ｘ、Ｙ軸ステージ１０９、ｌｌｌ及びステージ制御部ｌｌ５を制御して前記切断予
定ライン５の一端部を含む前記切断予定ライン５に沿って改質領域７を形成する、
イ 構成（１ｆ’）について
甲１には、
「レーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の内部になる位置に、Ｚ軸ステ
ージ１１３により加工対象物１をＺ方向に移動させる」という、初期位置における
レンズの位置を合わせが記載されているから、構成（１ｆ’）は、上記のとおり認定
すべきである。
本件審決は、初期位置ではなく「固定位置」と認定したが、甲１発明の構成Ｆは、
集光点の初期位置設定のためのレンズ保持制御に係る構成であり、集光点を静止し
た加工対象物内部に対して、位置合わせをするという動作であるから、このような
位置合わせにおいて、焦点の位置を「固定」するという概念は生じ得ないので、構
成Ｆに対応する構成（１ｆ’）を認定するに当たり、「固定位置」という認定をする
のは適切ではない。
ウ 構成（１ｇ＋１ｈ’）について
甲１には、
「レーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の内部になる位置に、Ｚ軸ステ
ージ１１３により加工対象物１をＺ方向に移動させる」（甲１・５４頁３～５行）、
「切断ライン５に沿うようにＸ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させ
て、溶融処理領域を切断ライン５に沿うように加工対象物１の内部に形成する。 同
」
（
９～１１行）というように、加工時におけるステージの移動に係る記載はあるもの
の、当該ステージの移動中に、集光点ＰがＺ軸方向に対してどのような状態にある
かについては記載がない。そうすると、本件審決が、
「固定位置に集光点Ｐが位置す
るように前記レンズ１０５を保持した状態で」 「前記シリコンウエハと前記レンズ
、
１０５とを前記表面３に沿って相対的に移動させるように」との構成を認定したの
は、根拠のないものであって誤りである。
被告は、原告の審判請求書における主張が甲１発明の認定の根拠となるかのよう
な主張をするが、引用発明の認定は、引用文献に記載された事項及び当事者の技術
常識に基づいて行うべきであるから、被告の主張は失当である。
(2) 一致点及び相違点の認定
本件発明１と前記(1)で認定した甲１発明とを比較すると、両発明の一致点及び相
違点は次のとおりである。
（一致点）
「第一のレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射し、前記加工対象物
の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工
装置であって、
前記第一のレーザ光を前記加工対象物に向けて集光するレンズと、
前記加工対象物を前記加工対象物の主面に沿って移動させる移動手段と、
前記レンズを前記主面に対して進退自在に保持する保持手段と、
前記移動手段及び前記保持手段それぞれの挙動を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は前記集光点が前記加工対象物内部の所定の位置に合う状態となる
初期位置に前記レンズを保持するように前記保持手段を制御し、
前記第一のレーザ光を照射しながら、前記制御手段は前記加工対象物を移動させ
るように前記移動手段を制御して前記切断予定ラインの一端部において改質領域を
形成する、
レーザ加工装置。」
（相違点１）
「本件発明１は、
「初期位置」にレンズを保持した状態で「前記切断予定ラインの
一端部において改質領域が形成された後に、前記制御手段は前記レンズを前記初期
位置に保持した状態を解除して前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持
するように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿
って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して改質領域を形成する」こと
を特定しているのに対して、甲１発明は、改質領域が形成されている間の集光点Ｐ
のＺ軸方向の制御については、明示的記載がない点。」
(3) 容易想到性について
本件審決は、相違点１のうちの「改質領域の形成を、集光点のＡＦ制御をしなが
ら行う点」
（以下「相違点（ア）」という。）及び「前記切断予定ラインの一端部にお
いて改質領域が形成された後に、前記制御手段は前記レンズを前記初期位置に保持
した状態を解除する点」
（以下「相違点（イ）」という。）について容易想到ではない
と判断したが、次のとおり誤りである。
ア 相違点（ア）について
(ｱ) 相違点（ア）を次のとおり修正して論じる。
「本件発明においては、前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持する
ように前記保持手段（レンズ保持手段）を制御し、前記レンズと前記加工対象物と
を前記主面に沿って相対的に移動させる制御（加工中の集光点のＡＦ（オートフォ
ーカス）制御）を切断予定ラインの一端部以外で行うのに対し、甲１発明において
は、切断中の集光点のＡＦ制御を行う点について、明示的な記載がない点。」
(ｲ) 本件出願時において、レーザ加工を行いつつ、高さ方向の集光点をＡＦ制御
することは、当業者の技術常識であった。というのも、レーザ加工では、加工時に
おけるレーザビームの振動やテーブルの振動などの外的要因によって、原点位置と
なる焦点位置の決定に不確定さが残り、品質低下が生じることや（甲３３、３８）、
また、加工対象物に凹凸があったり、ウエハに反りが存在したりすると、これらも
レーザ光の焦点ずれの原因の一つになることから（加工対象物を原因とする焦点ず
れ） 加工をしながら高さ方向の集光点をＡＦ制御する必要があり、
、 加工をしながら
集光点のＡＦ制御を行うことの当然のこと（周知）であったのである。
例えば、本件特許に係る明細書（以下、本件特許に係る明細書及び図面を併せて
「本件明細書」という。甲２２）に特許文献１として引用されている特開２００２
－２１９５９１号公報（甲３２）に非連続出力型のレーザ光を被照射面に照射する
際に、
「照射位置のズレを常時測定して、常に焦点を合わせるように焦点位置駆動機
構をフィードバック制御すること」（段落【００１０】）と記載があり、甲３６（特
開平６―２５４６９１号公報）においても、その従来技術として、
「モータＭ３によ
る加工ヘッドのＺ軸方向の移動を案内するＺ軸ガイド」を設け、
「ワークＷに対する
加工ヘッド１の距離を一定にするために加工ヘッド１の先端に取り付けられた距離
センサ２がワークに対する加工ヘッド１の距離を一定に保持するために加工ヘッド
１の先端に取り付けられた距離センサ２がワークＷと加工ヘッドの距離を測定し、
ＮＣ制御部１５へ測定信号をフィードバックし、最終的にレーザ光Ｌのスポット制
御をしている。」との記載がされている（段落【０００３】、図９）。
また、甲３においては、
「半導体ウエハにソリがあると、受光器２１の受光光量が
変化する」
（甲３・２頁左下欄下から４～２行）との理由により、半導体ウエハ表面
における反射光を受光する受光器の受光状態に応じてレーザ光線の集光レンズが上
下動せしめられて焦点調整を行うようにすること（甲３・２頁右上欄下から６～２
行）が記載されている。甲４及び５にも、甲３と同様の技術が記載されており、レ
ーザ加工においては、加工対象物を原因とする焦点ずれの観点からも、ＡＦ制御が
当然に必要とされていたことが理解できる。なお、甲５では、レーザ距離計９が具
体的にどのように対物レンズ１４とウエハ４との距離を測定しているのかについて
は記載がないが、レーザ光を照射している以上、反射光から距離を測定しているこ
とは自明である。
以上からすると、少なくとも本件出願日の時点においては、
「半導体ウエハをレー
ザ加工により切断する際に、レーザビームの振動や、テーブルの振動などの外的影
響、及び、ウエハの反り（ウエハ大径化及び熱処理に基づく反り）の問題に起因し
て生じる、加工用のレーザ光線の焦点ずれを防ぐために、加工中にレーザ光を用い
てその反射光によりレーザ光の対物レンズとウエハ表面の距離（変化）を測定し、
これに応じて、加工用のレーザ光の対物レンズの位置を調整すること」は、当業者
の技術常識であったと理解できる（「周知の技術的事項１’。なお、周知の技術的事
」
項１’は、本件審決の「周知の技術的事項１」をより正確にしたものであり、実質
的な違いはない）。
(ｳ) 前記(ｲ)の本件出願日時点における技術常識（周知の技術的事項１’）に照ら
せば、前記(ｱ)の相違点（ア） 実質的には存在しないか、
は、 仮に存在するとしても、
当業者が容易に想到し得るものである。
すなわち、甲１発明においては、被加工対象であるウエハが載置されたステージ
を移動させて改質領域を形成していくから、甲１の記載に触れた当業者であれば、
当然にステージの振動などにより、焦点がずれるものと理解し、加工中の集光点の
ＡＦ制御が甲１に明示されてはいないものの、当然に採用されるものと理解するか
ら、甲１には、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動さ
せる制御（集光点のＡＦ制御）が記載されているに等しい。仮にそうとはいえない
場合であっても、集光点のＡＦ制御に係る技術常識からすると、甲１発明に対して、
集光点のＡＦ制御を追加することは、当業者が容易になし得るものである。
(ｴ) 本件審決は、甲１発明が、レーザ光の集光点を加工対象物の内部に位置させ
て、改質領域を加工対象物の内部にのみ形成するものであり、加工される内部は許
容範囲があるなどとして、加工中に集光点のＡＦ制御を適用する動機付けがないと
判断したが、誤りである。
甲１記載のいわゆる「ステルスダイシング」は、本件出願時には公知の技術であ
ったが、その加工対象物として、３０㎛程度までの薄いウエハが切断可能であるこ
とが本件出願前に既に技術常識であった。このような技術常識を踏まえて甲１の内
容に触れた当業者は、振動などの外的要因の影響があっても、そのような薄いウエ
ハから外れることなく内部のみに改質領域を形成するためには、加工中の集光点の
制御が必要になると考えるから、加工中の集光点のＡＦ制御については、ますます、
甲１に記載されているに等しいと理解する。
(ｵ) 本件審決は、甲３～５に示された技術では、半導体ウエハの表面を加工する
ため、その位置の誤差の許容幅が小さくなるから、正確な集光点を合わせることが
必然となるが、甲１発明では、改質領域を加工対象の内部に形成するところ、加工
対象物の厚みを考慮すると、シリコンウエハの加工ができないような特段の事情が
見当たらず、また、甲１には「ウエハの反り」についての記載がなく、問題となら
ないなどとして、甲１発明においては、加工中の集光点のＡＦ制御適用する動機付
けがない旨判断しているが、誤りである。
すなわち、甲１に記載された技術は、改質領域（クラック領域）より形成される
クラックを成長させてウエハ等の割断を行うものであるところ、比較的厚いウエハ
の場合には、改質領域のＺ方向の位置が割断精度に影響を与えるものであることは
甲１にも明記されているし（甲１・１０５頁１５～２３行）、加えて、前記(ｴ)のと
おり、甲１のようなステルスダイシングでは、３０㎛程度までの極めて薄いウエハ
が切断可能である。そして、甲１に、シリコンウエハが加工対象物として明確に記
載されているところ、本件出願時において、反りのあるウエハが加工対象となるこ
とが避けられないから（甲３～５）、甲１発明（装置の発明）においても、反りのあ
るシリコンウエハが加工対象になり得ることは、当業者であれば、十分に予想する。
また、甲４４（特開平１１－３４５７８５号公報。本件明細書の特許文献２）の
記載から、切り残し部分が半分程度のセミフルカットのダイシングであっても、切
断深度のバラツキに起因して、クラックが生じるなどの要因によりチップ分割に支
障を来すことが理解できる。このような従来技術の問題に照らせば、従来技術のダ
イシングよりもはるかに分割の契機となる改質領域が少なく、改質領域以外の部分
が大きい甲１発明において、改質領域の深度がばらつけば、チップ分割に支障を来
すであろうことを当業者は当然に認識する。
(ｶ) 被告は、本件出願よりも１年以上前の平成１４年１２月６日、ステルスダイ
シングにおいて加工中のＡＦ制御を組み合わせた出願をしたが（特開２００４―１
８８４２２号公報参照。甲３８）、進歩性なしとされ、拒絶査定に至っており（甲３
９、４０）、被告は、拒絶査定不服審判請求をしなかった（甲４１）。この点からも、
相違点（ア）を容易想到と判断することが妥当であることが理解できる。
イ 相違点（イ）について
(ｱ) 相違点（イ）を次のとおり修正して論じる。
「本件発明においては、
「初期位置」にレンズを保持した状態で前記切断予定ライ
ンの一端部において改質領域が形成された後に、前記制御手段は前記レンズを前記
初期位置に保持した状態を解除するのに対し、甲１発明においては、この点につい
て、明示的な記載がない点。」
(ｲ) 相違点（イ）に係る構成は、要するに、ＡＦ制御に向かない部分（端部）に
対して、集光点のＡＦ制御を行わないということにすぎない。甲１発明においては、
切断対象材料として、広くシリコンウエハが開示されているところ、シリコンウエ
ハでは、面取り（べべリング）は、通常行われる処理であるから、甲１発明のシリ
コンウエハにおいても、周縁部（端部）に集光点のずれの原因となる傾斜や段差が
生じるので、甲１発明においては、シリコンウエハ端部における集光点のずれの問
題が内在している。
(ｳ) 本件審決は、甲１には、合焦動作がシリコンウエハの一端部に存在する平坦
でない部分についても行われることや、加工対象物の平坦でない部分がフォーカス
調整やレーザ加工に対して悪影響を及ぼすとの記載もないこと、甲１におけるフォ
ーカス調整は、改質領域の形成（加工）に先立ってのみ行われ、加工対象物の表面
の全体に沿って連続的に行うものではないから、シリコンウエハの一端部に存在す
る平坦ではない部分（段差部や研磨ダレ部分等）に起因して光の合焦動作が困難に
なるとの課題が甲１に内在しているとはいえないと判断したが、誤りである。
すなわち、本件審決は、周知の技術的事項２と同じ解決課題が、甲１に記載され
ていなければ、甲１発明に対して周知の技術的事項２を組み合わせることができな
いとしたが、解決課題の共通性は、複数文献（周知技術の場合も同じ）の組合せを
肯定する一つの理由にすぎず、それが全てではないから、上記のような考え方自体
が誤っている。
そして、前記ア(ｵ)及び前記(ｲ)のとおり、当業者は、甲１発明では反りのあるウ
エハが加工対象となり得ると認識するところ、周知の技術的事項２として、加工対
象物であるシリコンウエハについて、シリコンウエハの一端部に存在する平坦では
ない部分（段差部や研磨ダレ部分等）に起因して光の合焦動作が困難になるとの課
題が存在すること及び当該課題に対応して、そのような部分において合焦動作を一
時的に停止させて焦点を固定し、そのような部分を外れると合焦動作を再開するこ
とにより、光の合焦動作を改善するという解決手段が知られていたから、甲１発明
に係る装置においても、当業者は、当然に問題になり得る上記課題を解決すべく、
周知の技術的事項２に係る解決手段を採用することは容易になし得た。
(ｴ) 本件審決は、シリコンウエハの一端部に存在する平坦ではない部分（段差部
や研磨ダレ部分等）に起因して光の合焦動作が困難になるとの課題認識は、甲１発
明に、加工中の集光点のＡＦ制御に係る技術的事項（例えば、周知の技術的事項１）
を適用するという改変をした際に初めて生じるものであるから、その改変によって
新たに生じた課題を解決するために、シリコンウエハの一端部に存在する平坦では
ない部分について技術的事項（周知の技術的事項２）を更に適用することは、多段
階での改変に該当するものであり、当業者にとって容易に想到し得たということは
できないと判断した。
しかしながら、相違点（ア）
（加工中における集光点のＡＦ制御）は、当業者の技
術常識に基づくと、甲１に記載されているに等しい。仮にそうでないとしても、相
違点（ア）に係る構成は、レーザ加工ではいわば当たり前の構成であるから、容易
想到性のハードルは極めて低い（実際、相違点（ア）は、本件明細書に当然の前提
として記載されている構成である）。
そうすると、相違点（ア）（実際には相違点ではない。）を周知技術により容易想
到と述べた上、相違点（イ）について、周知技術に基づいて容易想到としたとして
も、多段階の改変（いわゆる容易の容易）には該当しない。
ウ 被告の主張に対する反論
(ｱ) 被告は、相違点１に係る本件発明１の構成は、ＡＦ追従制御に関連する一まと
まりの構成であり、二つの相違点に分けることは妥当ではないと主張するが、本件
審決も周知の技術的事項１の適用の可否（相違点（ア）に対応）と周知の技術的事
項２の適用の可否（相違点（イ）に対応）の二つに分けて検討しているし、被告が、
甲１発明に集点光のＡＦ制御を組み合わせた発明を出願していたことからしても、
相違点（ア）に係る構成が、分離可能な技術的に独立した構成であることは明らか
である。
(ｲ) 相違点（ア）に関して
ａ 被告は、相違点（ア）の容易想到性を論じる前提として、当該相違点を克服
するために必要な技術常識は、甲１発明と同様の「加工対象物の内部に改質領域を
形成するレーザ加工」において、加工中の集光点のＡＦ制御を行うことに限定され
なければならないかのような主張をしているが、改良技術の初期の文献というのは、
改良された部分に着目して説明するものが多く、ベースとなる包括的な技術におい
て、基本的な技術を省略して記載する場合もあり得るのであり、対象とすべき文献
に狭い縛りをかけることは不当である。
ｂ 被告は、甲１・１０５頁１５～２３行の記載につき、改質領域を形成する深
さ方向の位置が加工対象物の表面から遠すぎても近すぎても問題が生じ得るとの事
項を表したものにすぎず、ＡＦ追従制御の必要性を何ら示唆するものではないと主
張するが、これは、甲１に「文言として」何が書いてあるかを主張するにとどまり、
甲１の記載を見た当業者が、技術常識に基づいて、どのように理解するかという点
を考慮しないものである。
ｃ 被告は、本件明細書は、加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工」
「
に「加工時におけるＡＦ制御」の技術を適用すること自体の新規性や進歩性につい
ては何も述べていないと主張するが、本件明細書の段落【０００４】には、
「上記特
許文献１記載のレーザ加工技術においては、次のような解決すべき課題がある。 と
」
した上で、
「加工対象物の端部においてレーザ光の集光点がずれる場合がある」と記
載されているのであるから、本件発明において見いだされた解決課題は、
「特許文献
１記載のレーザ加工技術」すなわち、一般的なレーザ加工技術から導かれている。
被告は、なぜ、当業者が、出願時の技術常識に照らして、改質領域を形成する加工
装置において加工中の集光点のＡＦ制御が不要であると認識するのかについて、明
確な根拠を示していない。
(ｳ) 相違点（イ）に関して
被告の「多段の改変」に関する主張は、相違点（ア）が容易想到でないことを述
べるにとどまっており、被告も、相違点（イ）の容易想到性については争っていな
いものと理解される。
２ 取消事由２（本件発明２に係る進歩性判断の誤り）
本件審決の本件発明１に関する進歩性の判断は誤りであるから、本件発明２につ
いて、「本件発明１と同様の理由」により進歩性を欠如するということはできない。
本件発明２は、本件発明１を引用した上で、構成（２Ａ）及び（２Ｂ）を備えて
いるものであるところ、
（２Ａ）の構成は本件発明１に含まれる構成であり、
（２Ｂ）
の「前記制御手段は前記レンズを前記主面に向かう方向に駆動させずに保持するよ
うに前記保持手段を制御する」との構成は、必ずしも明確ではないが、加工対象物
の他端においても、
「端部一定高さ加工」を行うことを意味するものであると善解し
ても、当該構成も、前記１(3)イで述べた理由により、「周知の技術事項２」に基づ
いて当業者が容易に想到し得るものである。
したがって、本件発明２に係る本件審決の判断は誤りである。
第４ 被告の主張
１ 取消事由１（本件発明１に係る進歩性判断の誤り）について
(1) 甲１発明の認定及び相違点の認定について
原告は、本件審決について、甲１発明の認定並びに一致点及び相違点の認定に誤
りがあると主張するが、次のとおり、本件審決の認定に誤りはない。
ア 構成（１ｆ’）について
原告は、構成（１ｆ’）の「固定位置に」を「初期位置に」と修正すべきであると
主張するが、
「初期位置」という用語は、本件発明１の構成（１Ｆ）～（１Ｈ）で使
用されている用語であり、ＡＦ追従制御（レンズの焦点位置を加工対象物の表面の
変位に追従するように自動的に制御するもの）の初期の位置という意味での「初期
位置」であるところ、甲１には、そのような初期位置についての記載はないから、
構成（１ｆ’）を原告主張のように修正して認定することは妥当ではない。
甲１の記載からは、
「改質領域７を形成する工程では、レンズ１０５の集光点の加
工対象物内部のＺ軸方向の調整された位置は、切断予定ライン５に沿って改質領域
７を形成する工程において固定されたもの（固定位置）であること」が理解でき、
審決が認定した構成（１ｆ’）以上に本件発明の構成（１Ｆ）と対比するにふさわし
い構成は甲１には開示されていないのであるから、審決の構成（１ｆ’）についての
認定に誤りはない。
イ 構成（１ｇ＋１ｈ’）について
原告は、本件審決が、①「固定位置に集光点Ｐが位置するように前記レンズ１０
５を保持した状態で」 ②
、 「前記シリコンウエハと前記レンズ１０５とを前記表面３
に沿って相対的に移動させるように」との構成を認定したが、これらについては甲
１に記載がないから、本件審決の認定は誤りであると主張する。
しかしながら、甲１に文言上明記がされていないとしても、
「甲１に記載されてい
る事項から本件特許の出願時における技術常識を参酌することにより当業者が導き
出せる事項」は、
「甲１に記載されているに等しい事項」といえ、甲１発明の構成と
して認定して差し支えない。
そして、甲１の記載に、
「甲１には、切断予定ライン５に沿って改質領域７を形成
する際にレーザ光Ｌの集光点のＺ軸方向の位置を調整すること示す記載は存在しな
い」という事実を考慮すれば、甲１に接した当業者が、甲１発明を、
「改質領域を形
成する工程で集光点のＺ軸方向の位置を調整する」ことを含む発明であると理解す
ることはあり得ず、甲１発明においては、
「改質領域を形成する工程では集光点のＺ
軸方向の位置は固定位置に保持されている」と理解する。そうすると上記①部分は、
甲１に記載されているに等しいといえる。
また、上記②部分は、原告が、審判請求書（甲２３・１３～１４頁、１５頁）に
おいて甲１発明が備える構成として主張していた構成そのものであるし、②部分を
備えていないとしても、そのことが本件審決の結論にどう影響するか、原告の主張
からは不明である。その点を措くとしても、甲１の５頁１６～１９行の「改質領域
は、加工対象物の内部に合わされたレーザ光の集光点に対して、加工対象物を相対
的に移動させることにより形成される。これによれば、上記相対的移動により、加
工対象物の表面上の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に改質領域を形成し
ている。」等の記載を考慮すれば、上記②部分の構成も、「甲１に記載されているに
等しい事項」といえる。
ウ 相違点１について
前記ア及びイのとおり、本件審決の甲１発明の構成の認定に誤りはないから、相
違点の認定にも誤りはない。なお、本件審決が認定したとおりの相違点１が存在す
ることも、本件の審判請求時には、原告が実質的に認めていた事項である。
(2) 容易想到性について
ア 相違点１に係る本件発明１の構成は、ＡＦ追従制御に関連する一まとまりの
構成であるから、原告が主張するように二つの相違点（相違点（ア）及び相違点（イ））
に分けることは妥当ではない。また、前記(1)のとおり、本件審決の相違点１の認定
に誤りはないから、原告の主張するように相違点を修正することは妥当ではない。
原告の主張は、独自の見解に基づく相違点（ア）及び相違点（イ）についての容
易想到性を論じるものであり、主張自体失当である。
イ(ｱ) 原告は、
「本件出願時において、レーザ加工を行いつつ、高さ方向の集光点
をＡＦ制御することは、当業者の技術常識であった。」旨主張し、その根拠として甲
３２及び３６を挙げる。しかしながら、甲３２及び３６には、周知の技術的事項１」
「
に相当する技術的事項と同様の技術的事項が記載されているだけであり、それらに
記載された技術的事項が甲１発明のような「加工対象物の内部に改質領域を形成す
るレーザ加工」にも当てはまることを示す記載はないから、上記原告の主張は失当
である。
(ｲ) 原告は、甲３～５を根拠として、加工対象物に凹凸があったり、ウエハに反
りが存在したりすることが、レーザ光の焦点ずれの原因の一つとなり、加工をしな
がら集光点のＡＦ制御が採用される理由となる旨の主張もしているが、甲３～５は、
本件審決が正しく認定しているとおり、
「半導体ウエハの表面を加工すること」に関
する事項を示すにすぎず、甲１発明のような「加工対象物の内部に改質領域を形成
するレーザ加工」にも当てはまる「加工しながらの集光点のＡＦ制御が採用される
理由」を何ら示すものではない。
ウ 原告は、甲１には集光点のＡＦ制御が記載されているに等しく、仮に記載さ
れているに等しいといえないとしても、集光点のＡＦ制御に係る技術常識からする
と、甲１に対して集光点のＡＦ制御を追加することは当業者が容易になし得るもの
であるなどと主張するが、甲１には、
「前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に
沿って相対的に移動させる制御」（集光点のＡＦ制御）は全く記載されていないし、
甲１に対して、集光点のＡＦ制御を追加することは、当業者が容易に想到し得たこ
とではない。
本件明細書の記載（段落【０００４】【０００６】
、 ）は、「加工対象物の内部に改
質領域を形成するレーザ加工」に特許文献１（甲３２）に開示されているような「加
工時におけるＡＦ制御」の技術を適用することを仮定した場合には、
「加工対象物の
端部におけるレーザ光の集光点のずれ」という新たな問題が生じる、という課題を
記載したものであり、
「加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工」に「加
工時におけるＡＦ制御」の技術を適用すること自体の新規性や進歩性については何
も述べておらず、ＡＦ制御を採用することを当然の前提として発明の解決課題を論
じるものではない。
原告の集光点のＡＦ制御に関する主張はいずれも根拠を欠き、希望的臆測を述べ
るものにすぎない。
エ 原告は、甲１の「クラック領域９と表面３の距離が比較的長いと、表面３側
においてクラック９１の成長方向のずれが大きくなる。これにより、クラック９１
が電子デバイス等の形成領域に到達することがあり、この到達により電子デバイス
等が損傷する。「表面３に近すぎる箇所にクラック領域９を形成するとクラック領
」
域９が表面３に形成される。このため、クラック領域９そのもののランダムな形状
が表面３に現れ、表面３のチッピングの原因となり、割断精度が悪くなる。」などの
記載（１０５頁１５～２３行）を根拠にるる主張するが、甲１の当該部分の記載は、
改質領域を形成する深さ方向の位置が加工対象物の表面から遠すぎても近すぎても
問題が生じ得る、という事項を述べたものにすぎず、ＡＦ追従制御の必要性を示唆
するものではない。
原告は、本件出願時には、甲１記載の「ステルスダイシング」の加工対象物とし
て、３０㎛程度までの薄いウエハが切断可能であることは技術常識であり、当業者
は、そのような薄いウエハの内部に改質領域を形成するためには、加工中の集光点
の制御が必要であると考えるなどと主張するが、論理の飛躍がある。甲３４（高岡
秀嗣「極薄半導体ウェハのダイシングに最適なステルスダイシング技術の原理と特
徴」（工業調査会発行「電子材料（２００２年９月号）」１７頁）、甲３５（株式会
）
社日経ＢＰ発行「日経マイクロデバイス（２００３年１２月号）」１１８頁）に、甲
１発明に示されるようなステルスダイシング技術により厚さ３０㎛までの薄型Ｓｉ
ウエハにも適用可能である旨の記載があることは事実であるが、そのことは、甲１
発明に甲３～５で知られていた技術的事項（周知の技術的事項１）を適用すること
についての動機付けがあったことを意味するものではない。甲３４、３５には周知
の技術的事項１の適用を示唆する記載はなく、当業者がこれらの文献に接したとし
ても、甲１発明に周知の技術的事項１の適用を動機付けられることはない。
また、甲１にウエハの「反り」に関する記載がないということは、たとえ甲１発
明が「反り」のあるウエハをも加工対象とするものであるとしても、甲１発明にと
ってはその「反り」は何らかの対策を講じる必要がある問題ではなかったというこ
とを表していると解されるから、甲１発明に周知の技術的事項１を適用する動機付
けがないことを意味する。
オ 一般に、「出願人が拒絶査定不服審判請求をしなかったこと」が、「出願人が
拒絶査定の判断を認めたこと」も「拒絶査定の認定判断が正しいこと」も意味しな
いことは明らかである。したがって本件についても、被告が、甲３８の特許出願に
ついての拒絶査定不服審判請求をしなかったことが、
「甲１発明において「加工中の
ＡＦ制御」を適用することが容易想到であったこと」の理由にならないことは明ら
かである。なお、甲３８は、本件出願時点では未公開であったから、本件発明１、
２の新規性、進歩性の判断においては考慮する必要のないものである。
カ 原告は、本件審決が、周知の技術的事項２と同じ解決課題が甲１に記載され
ていなければ、甲１発明に対して周知の技術的事項２を組み合わせることができな
いとしたなどと主張するが、本件審決の判断内容を正解しないものである。本件審
決は、甲１発明に直接（周知の技術的事項１を採用することなく）周知の技術的事
項２を組み合わせる動機付けが存在しないことが明らかであるとし、甲１発明から
みると、周知の技術的事項２を適用することは多段階の改変に該当すると判断した
ものであり、その判断内容に誤りはない。
キ 甲１発明が「反り」のあるウエハをも加工対象とするものであるとしても、
周知の技術的事項１（加工中のＡＦ制御）を採用しない甲１発明においては、
「シリ
コンウエハの一端部に存在する平坦ではない部分（段差部や研磨ダレ部分等）に起
因して光の合焦動作が困難になる」との課題は問題になり得ないから、
「甲１発明に
係る装置においても、当然に問題になり得る上記課題を解決すべく、周知の技術的
事項に係る解決手段を採用することは、当業者が容易になし得るものである。 との
」
原告の主張が誤りであることは明らかである。
ク 原告は、本件審決が、多段階での改変に当たると判断したことが誤りである
と主張するが、同主張は、加工中における集光点のＡＦ制御が甲１に記載されてい
るに等しいか、極めて容易に想到されるものであることを前提とするものであって、
失当である。
２ 取消事由２（本件発明２に係る進歩性判断の誤り）について
本件発明２が、本件発明１の構成を含んで更に限定したものに相当することに争
いはなく、本件発明１の進歩性が肯定される場合には当然に本件発明２の進歩性も
肯定される。そして、前記１のとおり、本件発明１の進歩性を肯定した本件審決の
判断に誤りはないから、本件発明２の進歩性も肯定されることとなり、原告の主張
する取消事由２は存在しない。
第５ 当裁判所の判断
１ 本件発明について
(1) 本件明細書（甲２２）には、別紙「特許公報」のとおりの記載がある。
(2) 前記(1)の記載によると、本件発明は次のとおりと認められる。
本件発明は、レーザ光を照射することで加工対象物を加工するためのレーザ加工
方法及びレーザ加工装置に関するものである（本件明細書の段落【０００１】。以
下、段落番号のみで示す。）。
従来のレーザ加工技術には、加工対象物を加工するためのレーザ光を集光する集
光レンズに対し、加工対象物の主面高さを測定する測定手段（接触式変位計や超音
波距離計等）を所定の間隔をもって並設させたものがあり、このようなレーザ加工
技術では、加工対象物の主面に沿ってレーザ光でスキャンする際に、測定手段によ
り加工対象物の主面高さを測定し、その測定点が集光レンズの直下に到達したとき
に、その主面高さの測定値に基づいて集光レンズと加工対象物の主面との距離が一
定となるように集光レンズをその光軸方向に駆動するものであるが、加工対象物の
外側の位置からレーザ光の照射を開始してレーザ光と加工対象物とをその主面に沿
って移動させて加工を行う場合に、測定手段は加工対象物の外側から測定を開始し、
加工対象物の内側へと測定を行っていくことになるところ、この測定によって得ら
れた主面高さの測定値に基づいて集光レンズを駆動すると、加工対象物の端部にお
いてレーザ光の集光点がずれる場合があるという課題があった（【０００２】、【０
００４】）。また、主面が凸凹している加工対象物を加工する従来技術には、加工
準備として加工を施す部分全ての平面度を平面度測定手段（投光器と反射光受光器
とを有する平面度測定器）によって測定した後、測定した平面度に基づいて加工対
象物を加工するものがあるが、加工対象物の主面の平面度を正確に把握できるのも
のの、加工準備と実際の加工とで同じ部位を２度スキャンしなければならないため、
時間がかかり加工効率が低下するという課題があった 【０００３】
（ 、
【０００５】 。
）
そこで、本件発明１では、加工対象物の端部におけるレーザ光の集光点のずれを
極力少なくしつつ効率よくレーザ加工を行うことができるレーザ加工方法及びレー
ザ加工装置を提供することを目的とし（【０００６】）、本件発明のレーザ加工装
置は、第一のレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射し、加工対象物
の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工装置
であって、第１のレーザ光を前記加工対象物に向けて集光するレンズと、加工対象
物とレンズとを加工対象物の主面に沿って移動させる移動手段と、レンズを主面に
対して進退自在に保持する保持手段と、移動手段及び保持手段それぞれの挙動を制
御する制御手段と、を備え、制御手段は集光点が加工対象物内部の所定の位置に合
う状態となる初期位置にレンズを保持するように保持手段を制御し、当該位置にレ
ンズを保持した状態で第一のレーザ光を照射しながら、制御手段は加工対象物とレ
ンズとを主面に沿って相対的に移動させるように移動手段を制御して切断予定ライ
ンの一端部において改質領域を形成し、切断予定ラインの一端部において改質領域
が形成された後に、制御手段はレンズを初期位置に保持した状態を解除してレンズ
と主面との間隔を調整しながら保持するように保持手段を制御し、レンズと加工対
象物とを主面に沿って相対的に移動させるように移動手段を制御して改質領域を形
成するとの構成をとることにより（【００２３】）、初期位置にレンズを保持した
状態で切断予定ラインの一端部において改質領域を形成するので、加工対象物の端
部の形状変動による影響を極力排除して改質領域を形成することができ、切断予定
ラインの一端部において改質領域を形成した後にレンズを保持した状態を解除し、
レンズの位置を調整しながら残部において改質領域を形成するので、加工対象物内
部の所定の位置に改質領域を形成することができるという効果を奏する（【００２
４】）。
また、本件発明のレーザ加工装置では、切断予定ラインの一端部において改質領
域が形成された後に、制御手段はレンズを初期位置に保持した状態を解除してレン
ズと主面との間隔を調整しながら保持するように保持手段を制御し、レンズと加工
対象物とを主面に沿って相対的に移動させるように移動手段を制御して改質領域を
形成し、更に、制御手段はレンズを主面に向かう方向に駆動させずに保持するよう
に保持手段を制御すると共に、レンズと加工対象物とを主面に沿って相対的に移動
させるように移動手段を制御するものとすると、改質領域を形成した後にレンズを
主面に向かう方向に駆動しないように保持するので、例えば、次の切断予定ライン
の加工に移行する際に円滑な移行が可能となるとの効果を生じる（【００２７】。
本件発明２）。
２ 甲１発明について
(1) 平成１４（２００２）年３月２１日に国際公開された甲１（国際公開第０２
／２２３０１号）は、発明の名称を「レーザ加工方法及びレーザ加工装置」とする
特許協力条約に基づいて公開された国際出願の公開公報であり、その明細書及び図
面には、次のア～オの記載がある。
ア 技術分野
「本発明は、半導体材料基板、圧電材料基板やガラス基板等の加工対象物の切断
に使用されるレーザ加工方法及びレーザ加工装置に関する。 甲１の明細書の１頁。
（
」
以下頁数のみで示す。）
イ 背景技術
「レーザ応用の一つに切断があり、レーザによる一般的な切断は次の通りである。
例えば半導体ウエハやガラス基板のような加工対象物の切断する箇所に、加工対象
物が吸収する波長のレーザ光を照射し、レーザ光の吸収により切断する箇所におい
て加工対象物の表面から裏面に向けて加熱溶融を進行させて加工対象物を切断する。
しかし、この方法では加工対象物の表面のうち切断する箇所となる領域周辺も溶融
される。よって、加工対象物が半導体ウエハの場合、半導体ウエハの表面に形成さ
れた半導体素子のうち、上記領域付近に位置する半導体素子が溶融する恐れがある。
加工対象物の表面の溶融を防止する方法として、例えば、特開２０００－２１９
５２８号公報や特開２０００－１５４６７号公報に開示されたレーザによる切断方
法がある。これらの公報の切断方法では、加工対象物の切断する箇所をレーザ光に
より加熱し、そして加工対象物を冷却することにより、加工対象物の切断する箇所
に熱衝撃を生じさせて加工対象物を切断する。（１頁）
」
ウ 発明の開示
「しかし、これらの公報の切断方法では、加工対象物に生じる熱衝撃が大きいと、
加工対象物の表面に、切断予定ラインから外れた割れやレーザ照射していない先の
箇所までの割れ等の不必要な割れが発生することがある。よって、これらの切断方
法では精密切断をすることができない。特に、加工対象物が半導体ウエハ、液晶表
示装置が形成されたガラス基板や電極パターンが形成されたガラス基板の場合、こ
の不必要な割れにより半導体チップ、液晶表示装置や電極パターンが損傷すること
がある。また、これらの切断方法では平均入力エネルギーが大きいので、半導体チ
ップ等に与える熱的ダメージも大きい。
本発明の目的は、加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなくかつそ
の表面が溶融しないレーザ加工方法及びレーザ加工装置を提供することである。 １
（
」
～２頁）
「（１）本発明に係るレーザ加工方法は、加工対象物の内部に集光点を合わせてレ
ーザ光を照射し、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に多光子
吸収による改質領域を形成する工程を備えることを特徴とする。
本発明に係るレーザ加工方法によれば、加工対象物の内部に集光点を合わせてレ
ーザ光を照射しかつ多光子吸収という現象を利用することにより、加工対象物の内
部に改質領域を形成している。加工対象物の切断する箇所に何らかの起点があると、
加工対象物を比較的小さな力で割って切断することができる。本発明に係るレーザ
加工方法によれば、改質領域を起点として切断予定ラインに沿って加工対象物が割
れることにより、加工対象物を切断することができる。よって、比較的小さな力で
加工対象物を切断することができるので、加工対象物の表面に切断予定ラインから
外れた不必要な割れを発生させることなく加工対象物の切断が可能となる。
また、本発明に係るレーザ加工方法によれば、加工対象物の内部に局所的に多光
子吸収を発生させて改質領域を形成している。よって、加工対象物の表面ではレー
ザ光がほとんど吸収されないので、加工対象物の表面が溶融することはない。なお、
集光点とはレーザ光が集光した箇所のことである。切断予定ラインは加工対象物の
表面や内部に実際に引かれた線でもよいし、仮想の線でもよい。 （２頁）
」
エ 発明を実施するための最良の形態（本実施形態の具体例）
「［第１例］
本実施形態の第１例に係るレーザ加工方法について説明する。図１４はこの方法
に使用できるレーザ加工装置１００の概略構成図である。レーザ加工装置１００は、
レーザ光Ｌを発生するレーザ光源１０１と、レーザ光Ｌの出力やパルス幅等を調節
するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部１０２と、レーザ光Ｌの
反射機能を有しかつレーザ光Ｌの光軸の向きを９０°変えるように配置されたダイ
クロイックミラー１０３と、ダイクロイックミラー１０３で反射されたレーザ光Ｌ
を集光する集光用レンズ１０５と、集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光Ｌが
照射される加工対象物１が載置される載置台１０７と、載置台１０７をＸ方向に移
動させるためのＸ軸ステージ１０９と、載置台１０７をＸ軸方向に直交するＹ軸方
向に移動させるためのＹ軸ステージ１１１と、載置台１０７をＸ軸及びＹ軸方向に
直交するＺ軸方向に移動させるためのＺ軸ステージ１１３と、これら三つのステー
ジ１０９、１１１、１１３の移動を制御するステージ制御部１１５と、を備える。
Ｚ軸方向は加工対象物１の表面３と直交する方向なので、加工対象物１に入射す
るレーザ光Ｌの焦点深度の方向となる。よって、Ｚ軸ステージ１１３をＺ軸方向に
移動させることにより、加工対象物１の内部にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせるこ
とができる。また、この集光点ＰのＸ(Ｙ)軸方向の移動は、加工対象物１をＸ(Ｙ)
軸ステージ１０９（１１１）によりＸ(Ｙ)軸方向に移動させることにより行う。Ｘ
(Ｙ)軸ステージ１０９（１１１）が移動手段の一例となる。 （５０～５１頁）
」
「レーザ加工装置１００はさらに、載置台１０７に載置された加工対象物１を可
視光線により照明するために可視光線を発生する観察用光源１１７と、ダイクロイ
ックミラー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された可視光用のビ
ームスプリッタ１１９と、を備える。ビームスプリッタ１１９と集光用レンズ１０
５との間にダイクロイックミラー１０３が配置されている。ビームスプリッタ１１
９は、可視光線の約半分を反射し残りの半分を透過する機能を有しかつ可視光線の
光軸の向きを９０°変えるように配置されている。観察用光源１１７から発生した
可視光線はビームスプリッタ１１９で約半分が反射され、この反射された可視光線
がダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５を透過し、加工対象物１の
切断予定ライン５等を含む表面３を照明する。
レーザ加工装置１００はさらに、ビームスプリッタ１１９、ダイクロイックミラ
ー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された撮像素子１２１及び結
像レンズ１２３を備える。撮像素子１２１としては例えばＣＣＤ（charge-coupled
device）カメラがある。切断予定ライン５等を含む表面３を照明した可視光線の反
射光は、集光用レンズ１０５、ダイクロイックミラー１０３、ビームスプリッタ１
１９を透過し、結像レンズ１２３で結像されて撮像素子１２１で撮像され、撮像デ
ータとなる。（５１～５２頁）
」
「レーザ加工装置１００はさらに、撮像素子１２１から出力された撮像データが
入力される撮像データ処理部１２５と、レーザ加工装置１００全体を制御する全体
制御部１２７と、モニタ１２９と、を備える。撮像データ処理部１２５は、撮像デ
ータを基にして観察用光源１１７で発生した可視光の焦点が表面３上に合わせるた
めの焦点データを演算する。この焦点データを基にしてステージ制御部１１５がＺ
軸ステージ１１３を移動制御することにより、可視光の焦点が表面３に合うように
する。よって、撮像データ処理部１２５はオートフォーカスユニットとして機能す
る。また、撮像データ処理部１２５は、撮像データを基にして表面３の拡大画像等
の画像データを演算する。この画像データは全体制御部１２７に送られ、全体制御
部で各種処理がなされ、モニタ１２９に送られる。これにより、モニタ１２９に拡
大画像等が表示される。（５２頁）
」
「全体制御部１２７には、ステージ制御部１１５からのデータ、撮像データ処理
部１２５からの画像データ等が入力し、これらのデータも基にしてレーザ光源制御
部１０２、観察用光源１１７及びステージ制御部１１５を制御することにより、レ
ーザ加工装置１００全体を制御する。（５２～５３頁）
」
「加工対象物１はシリコンウエハである。
まず、加工対象物１の光吸収特性を図示しない分光光度計等により測定する。こ
の測定結果に基づいて、加工対象物１に対して透明な波長又は吸収の少ない波長の
レーザ光Ｌを発生するレーザ光源１０１を選定する（Ｓ１０１）。次に、加工対象物
１の厚さを測定する。厚さの測定結果及び加工対象物１の屈折率を基にして、加工
対象物１のＺ軸方向の移動量を決定する（Ｓ１０３）。これは、レーザ光Ｌの集光点
Ｐが加工対象物１の内部に位置させるために、加工対象物１の表面３に位置するレ
ーザ光Ｌの集光点を基準とした加工対象物１のＺ軸方向の移動量である。この移動
量を全体制御部１２７に入力される。
加工対象物１をレーザ加工装置１００の載置台１０７に載置する。そして、観察
用光源１１７から可視光を発生させて加工対象物１を照明する（Ｓ１０５） 照明さ
。
れた切断予定ライン５を含む加工対象物１の表面３を撮像素子１２１により撮像す
る。この撮像データは撮像データ処理部１２５に送られる。この撮像データに基づ
いて撮像データ処理部１２５は観察用光源１１７の可視光の焦点が表面３に位置す
るような焦点データを演算する（Ｓ１０７）。
この焦点データはステージ制御部１１５に送られる。ステージ制御部１１５は、
この焦点データを基にしてＺ軸ステージ１１３をＺ軸方向の移動させる
（Ｓ１０９）。
これにより、観察用光源１１７の可視光の焦点が表面３に位置する。 （５３頁）
」
「全体制御部１２７には予めステップＳ１０３で決定された移動量データが入力
されており、この移動量データがステージ制御部１１５に送られる。ステージ制御
部１１５はこの移動量データに基づいて、レーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の
内部となる位置に、Ｚ軸ステージ１１３により加工対象物１をＺ軸方向に移動させ
る（Ｓ１１１）。
次に、レーザ光源１０１からレーザ光Ｌを発生させて、レーザ光Ｌを加工対象物
１の表面３の切断予定ライン５に照射する。レーザ光Ｌの集光点Ｐは加工対象物１
の内部に位置しているので、溶融処理領域は加工対象物１の内部にのみ形成される。
そして、切断予定ライン５に沿うようにＸ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１
を移動させて、溶融処理領域を切断予定ライン５に沿うように加工対象物１の内部
に形成する（Ｓ１１３）」
。（５４頁）
「[第１０例]
本実施形態の第１０例は、加工対象物の厚み方向におけるレーザ光の集光点の位
置を調節することにより、加工対象物の厚み方向における改質領域の位置を制御し
ている。（１０４頁）
」
「図９８に示すクラック領域９は、パルスレーザ光Ｌの集光点を加工対象物１の
厚み方向において厚みの半分の位置より表面（入射面）３に近い位置に調節して形
成されたものである。クラック領域９は加工対象物１の内部中の表面３側に形成さ
れる。図９９は図９８に示す加工対象物１の部分断面図である。クラック領域９が
表面３側に形成されているので、自然に成長するクラック９１は表面３又はその近
傍に到達する。よって、切断予定ライン５に沿った割れが表面３に生じやすいので、
加工対象物１を容易に切断することができる。 （１０５頁）
」
「なお、パルスレーザ光Ｌの集光点を加工対象物１の厚み方向において厚みの半
分の位置より表面３に遠い位置に調節してクラック領域９を形成することもできる。
この場合、クラック領域９は加工対象物１の内部中の裏面２１側に形成される。 １
」
（
０５～１０６頁）
オ 図面
(2) 甲１発明について
前記(1)によると、甲１には、次のとおりの甲１発明が記載されているものと認め
られる
（前記第２の３(1)の本件審決の認定した甲１発明とは異なる部分に下線を付
した。。
）
（１ａ）レーザ光Ｌを加工対象物１であるシリコンウエハの内部に集光点Ｐを合
わせて照射し、前記シリコンウエハの切断予定ライン５に沿って前記シリコンウエ
ハの内部に改質領域７を形成するレーザ加工装置１００であって、
（１ｂ）前記レーザ光Ｌを前記シリコンウエハに向けて集光するレンズ１０５と、
（１ｃ）前記シリコンウエハと前記レンズ１０５とを前記シリコンウエハの表面
３（レーザ光Ｌの入射面）に沿って移動させるＸ、Ｙ軸ステージ１０９、１１１及
びステージ制御部１１５と、
（１ｄ）前記レンズ１０５を前記表面３に対して進退自在に保持する保持手段と、
（１ｅ） 前記Ｘ、Ｙ軸ステージ１０９、１１１、ステージ制御部１１５、及び前
記保持手段それぞれの挙動を制御する全体制御部１２７と、を備え、
（１ｆ’ 前記全体制御部１２７は前記集光点Ｐが前記シリコンウエハ内部の所
）
定の位置に合う状態となる位置に前記レンズ１０５を保持するように前記保持手段
を制御し、
（１ｇ＋１ｈ’ 前記レーザ光Ｌを照射しながら、前記全体制御部１２７は前記
）
Ｘ、Ｙ軸ステージ１０９、１１１及びステージ制御部１１５を制御して前記切断予
定ライン５の一端部を含む前記切断予定ライン５に沿って改質領域７を形成する、
（１ｉ）上記レーザ加工装置１００。
(3) 甲１発明の認定についての補足
ア 構成（１ｆ’）について
本件審決は、構成（１ｆ’）において、前記レンズ１０５が「固定位置」に保持さ
れるものと認定したが、甲１には、レンズ１０５の位置が固定である旨の記載はな
い。そして、前記(1)のとおり、甲１には「全体制御部１２７には予めステップＳ１
０３で決定された移動量データが入力されており、この移動量データがステージ制
御部１１５に送られる。ステージ制御部１１５はこの移動量データに基づいて、レ
ーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の内部となる位置に、Ｚ軸ステージ１１３によ
り加工対象物１をＺ軸方向に移動させる（Ｓ１１１）」
。（５４頁）との記載があるか
ら、甲１発明においては、レーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の内部となる位置
に、加工対象物１をＺ軸方向に移動させており、この移動量については、甲１に「加
工対象物１の厚さを測定する。厚さの測定結果及び加工対象物１の屈折率を基にし
て、加工対象物１のＺ軸方向の移動量を決定する（Ｓ１０３）」
。（５３頁）とあるか
ら、甲１発明による厚さの測定結果及び加工対象物１（シリコンウエハ）の屈折率
から決定されるものである。そして、加工対象物１をＺ軸方向に移動させることに
より、加工対象物１との関係におけるレンズ１０５の位置が定まるので、上記各記
載によると、甲１発明においては、レンズ１０５は、レーザ光Ｌの集光点Ｐが加工
対象物１の内部となる位置に合う状態となる位置に保持されるものと認められる。
なお、原告は、
「固定位置」に代えて「初期位置」と認定すべきと主張するが、甲
１の記載からは、上記のように定められたレンズ１０５の位置が、本件発明１と同
じ意味における初期位置であるとの限定がされているとまではいえないので、甲１
発明については、前記(2)のとおり認定するのが相当である。
イ 構成（１ｇ＋１ｈ’）について
本件審決は、構成（１ｇ＋１ｈ’）について、「シリコンウエハ内部の調整された
固定位置に集光点Ｐが位置するように前記レンズ１０５を保持した状態で前記レー
ザ光Ｌを照射しながら、「前記全体制御部１２７は前記シリコンウエハと前記レン
」
ズ１０５とを前記表面３に沿って相対的に移動させるように前記Ｘ、Ｙ軸ステージ
１０９、１１１及びステージ制御部１１５を制御」して改質領域を形成するものと
認定した。
しかしながら、前記アで指摘した甲１の記載によると、甲１発明においては、レ
ーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の内部となる位置に合うようにレンズ１０５が
保持されるものであるものの、集光点Ｐがシリコンウエハ内部の固定位置に位置す
ることについての記載はないから、甲１発明において、
「シリコンウエハ内部の調整
された固定位置に集光点Ｐが位置するように前記レンズ１０５を保持した状態で前
記レーザ光Ｌを照射」しているとは認められない。
また、前記(1)のとおり、甲１には「切断予定ラインは加工対象物の表面や内部に
実際に引かれた線でもよいし、仮想の線でもよい。 （２頁）との記載があるととも
」
に、甲１発明に相当する本実施形態の具体例[第１例]について、
「レーザ光Ｌを加工
対象物１の表面３の切断予定ライン５に照射する。レーザ光Ｌの集光点Ｐは加工対
象物１の内部に位置しているので、溶融処理領域は加工対象物１の内部にのみ形成
される。そして、切断予定ライン５に沿うようにＸ軸ステージ１０９やＹ軸ステー
ジ１１１を移動させて、溶融処理領域を切断予定ライン５に沿うように加工対象物
１の内部に形成する（Ｓ１１３）」
。（５４頁）との記載があるから、甲１発明におけ
る切断予定ライン５は加工対象物１の表面に実際に又は仮想的に引かれた線である
と認められる。そして、上記の（Ｓ１１３）に係る記載のとおり、甲１には、レー
ザ光Ｌを照射しながら加工対象物１であるシリコンウエハをＸ軸方向やＹ軸方向に
移動せることが記載されているものの、レーザ光Ｌを照射しながら加工対象物１を
Ｚ軸方向に移動させることについての記載はなく、示唆もない。
そうすると、甲１発明においては、表面３に引かれた切断予定ライン５に沿うよ
うにＸ軸方向及びＹ軸方向にシリコンウエハを移動するような制御がされていると
認められるものの、シリコンウエハの厚みやＺ軸方向の位置に変化があった場合に、
シリコンウエハとレンズ１０５を、表面３のＺ軸方向の変化に合わせて、Ｚ軸方向
に移動させるような制御がされているとはいえない。
３ 取消事由１について
(1) 本件発明１と甲１発明の一致点及び相違点
本件発明１と前記の甲１発明を比較すると、次の一致点及び相違点があると認め
られる。
ア 一致点
第一のレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射し、前記加工対象物
の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工
装置であって、
前記第１のレーザ光を前記加工対象物に向けて集光するレンズと、
前記加工対象物と前記レンズとを前記加工対象物の主面に沿って移動させる移動
手段と、
前記レンズを前記主面に対して進退自在に保持する保持手段と、
前記移動手段及び前記保持手段それぞれの挙動を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は前記集光点が前記加工対象物内部の所定の位置に合う状態となる
位置に前記レンズを保持するように前記保持手段を制御し、
前記第一のレーザ光を照射しながら、前記制御手段は前記加工対象物を移動させ
るように前記移動手段を制御して前記切断予定ラインの一端部において改質領域を
形成する、
レーザ加工装置。
イ 相違点
本件発明１は、
「初期位置」にレンズを保持した状態で「前記切断予定ラインの一
端部において改質領域が形成された後に、前記制御手段は前記レンズを前記初期位
置に保持した状態を解除して前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持す
るように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿っ
て相対的に移動させるように前記移動手段を制御して改質領域を形成する」ことを
特定しているのに対して、甲１発明は、そのような特定がされない点。
(2) 容易想到性
ア 本件審決の認定したとおり、証拠（甲３～５）によると、周知の技術的事項
１（半導体ウエハをレーザ加工する技術分野において、半導体ウエハに反りがある
と加工位置に対して加工用レーザ光の焦点がずれることから、測距用レーザ光を半
導体ウエハに照射し、半導体ウエハの切断予定ラインに沿った表面（主面）の変位
を取得して、取得した主面の変位に基づき、加工用レーザ光のレンズと半導体ウエ
ハの主面との間隔を調整することで、加工用レーザ光の焦点の位置を調整し、半導
体ウエハの表面を加工すること）が、証拠（甲６及び７）によると、周知の技術的
事項２（対象物であるシリコンウエハについて、シリコンウエハの一端部に存在す
る平坦ではない部分（段差部や研磨ダレ部分等）に起因して光の合焦動作が困難に
なることから、そのような部分において合焦動作を一時的に停止させて焦点を固定
し、そのような部分を外れると合焦動作を再開することにより、光の合焦動作を改
善すること）が、それぞれ周知であったものと認められる（前記第２の３(3)ア）。
イ 前記(1)イの相違点に係る構成を甲１発明において採用することが容易想到と
いえるか検討するに、甲１には、加工対象物の反りや、Ｘ、Ｙ軸ステージの振動等
により、レーザ光の焦点ずれが生じ得ることについての記載はなく、加えて、前記
２(1)エのとおり、甲１（１０５頁）には「図９８に示すクラック領域９は、パルス
レーザ光Ｌの集光点を加工対象物１の厚み方向において厚みの半分の位置より表面
（入射面）３に近い位置に調節して形成されたものである。クラック領域９は加工
対象物１の内部中の表面３側に形成される。 「パルスレーザ光Ｌの集光点を加工対
」
象物１の厚み方向において厚みの半分の位置より表面３に遠い位置に調節してクラ
ック領域９を形成することもできる。」といった記載があり、甲１発明においては、
シリコンウエハ内部の改質領域の位置は、シリコンウエハの厚み方向において厚み
の半分の位置よりも表面に近い位置から、同半分の位置よりも表面に遠い位置まで
の、ある程度の幅をもった範囲に設定され得るものであると理解されることからす
ると、甲１の記載に触れた当業者が、直ちに、Ｘ、Ｙ軸ステージの振動等の外的要
因や加工対象物であるシリコンウエハの反りのために、レーザ光の集光点のＺ軸方
向の位置がずれ、改質領域の位置がずれることによって、シリコンウエハの割れに
大きな影響を及ぼして品質低下を生じさせると理解するとはいえない。
そうすると、甲１発明において、ＡＦ制御をする動機付けがあると認めることは
できない。また、周知の技術的事項１は半導体ウエハの表面の加工についてのＡＦ
制御をいうものであるところ、これが周知であるからといって、動機付けがないに
もかかわらず、甲１発明のようなステルスダイシングに適用できるとはいえない。
したがって、甲１発明において「前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿
って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して改質領域を形成する」構成
を採用することについて、当業者が容易に想到できたと認めることはできない。
ウ(ｱ) 原告は、レーザ加工の技術分野において、加工時におけるレーザビームの
振動やテーブルの振動などの外的要因や加工対象物の凹凸や反りが、レーザ光の焦
点ずれの原因となることが知られており、高さ方向（Ｚ軸方向）の集光点をＡＦ制
御することは当然のことであり技術常識であったから、Ｚ軸方向のＡＦ制御をする
ことは甲１に記載されているに等しく、少なくとも容易想到であると主張する。
しかしながら、甲１には、加工時に、レーザ光Ｌの集光点Ｐについて、Ｚ軸方向
の制御をすることについての記載はない。また、前記２(1)ウのとおり、 （２頁）
甲１
には「本発明に係るレーザ加工方法によれば、加工対象物の内部に集光点を合わせ
てレーザ光を照射しかつ多光子吸収という現象を利用することにより、加工対象物
の内部に改質領域を形成している。加工対象物の切断する箇所に何らかの起点があ
ると、加工対象物を比較的小さな力で割って切断することができる。本発明に係る
レーザ加工方法によれば、改質領域を起点として切断予定ラインに沿って加工対象
物が割れることにより、加工対象物を切断することができる。よって、比較的小さ
な力で加工対象物を切断することができるので、加工対象物の表面に切断予定ライ
ンから外れた不必要な割れを発生させることなく加工対象物の切断が可能となる。」
との記載があり、同記載に照らすと、甲１発明は、加工対象物であるシリコンウエ
ハの内部に改質領域を形成して、改質領域を起点として切断予定ラインに沿って加
工対象物を割るというものである。そして、前記アのとおり、周知の技術的事項１
は、半導体ウエハの表面を加工する際に、半導体ウエハに反りがあると加工位置に
対して加工用レーザ光の焦点がずれることから、表面の変位に基づいてＡＦ制御を
して表面を加工するというものであるところ、シリコンウエハの内部に改質領域を
形成する際に、このような半導体ウエハの表面加工に係る周知の技術的事項１をそ
のまま適用できるとはいえない。
(ｲ) 当業者が、甲１の記載から、甲１発明において、加工中の集光点ＡＦ制御が
当然に採用されるものと理解するといえるには、甲１発明において、シリコンウエ
ハの反りやＸ、Ｙ軸ステージの振動により、集光点のＺ軸方向の位置がずれ、その
結果、改質領域が形成される位置がずれることとなり、その改質領域の位置のＺ軸
方向のずれに起因して割断精度が悪くなる等の品質低下の問題を生じることが明ら
かであり、そのために、ＡＦ制御が必要であることまでを当業者が認識することを
要するものと考えられる。ところが、当業者にとって、上記のような問題が生じる
ことが明らかであると認識できたと認めるに足りる証拠はなく、そのような技術常
識は認められないところ、前記のとおり、甲１には、改質領域が形成される位置が、
ある程度の幅をもった範囲に設定され得ることを示唆する記載があるから、周知の
技術的事項１を考慮しても、また、甲１発明の加工対象物として、３０㎛程度まで
の薄いシリコンウェアが対象となり得ることを考慮しても、当業者が、甲１の記載
から、甲１発明において加工中の集光点のＡＦ制御が当然に採用されると理解する
とはいえない。
(ｳ) 原告は甲１の「クラック領域９と表面３の距離が比較的長いと、表面３側に
おいてクラック９１の成長方向のずれが大きくなる。これにより、クラック９１が
電子デバイス等の形成領域に到達することがあり、この到達により電子デバイス等
が損傷する。クラック領域９を表面３付近に形成すると、クラック領域９と表面３
の距離が比較的短いので、クラック９１の成長方向のずれを小さくできる。よって、
電子デバイス等を損傷させることなく切断が可能となる。但し、表面３に近すぎる
箇所にクラック領域９を形成するとクラック領域９が表面３に形成される。このた
め、クラック領域９そのもののランダムな形状が表面３に現れ、表面３のチッビン
グの原因となり、割断精度が悪くなる。」との記載（１０５頁１５～２３行）をもっ
て、比較的厚いウエハの場合には、改質領域のＺ軸方向の位置が割断精度に影響を
与えるものであることが甲１に明記されていると主張するが、同記載をもって、シ
リコンウエハの反りやＸ、Ｙ軸ステージの振動に起因する改質領域の形成される位
置のＺ軸方向のずれが、品質低下の問題を生じる程度のものであることが明らかと
なるものではないから、上記記載部分を踏まえても、当業者が、甲１の記載から甲
１発明において加工中の集光点のＡＦ制御が当然に採用されると理解するとはいえ
ない。
(ｴ) 原告は、本件明細書（
【０００４】）に、従来技術に加工対象物の端部におい
てレーザ光の集光点がずれる場合があるとの課題があると記載されていることから
も、一般的なレーザ加工技術の課題として、甲１発明においても、加工中の集光点
のＡＦ制御が必要であると主張するが、本件明細書の上記記載を踏まえても、前記
(ｲ)のとおり、当業者が、甲１発明において、加工対象物の内部に改質領域を形成す
るために、加工時におけるＡＦ制御としての加工中のＺ軸方向の位置の制御が必要
であるとの課題を認識するとはいえない。また、原告が指摘する証拠はいずれも、
加工対象物の内部に改質領域を形成する甲１発明において、加工中のＺ軸方向の位
置の制御が必要であることが技術常識であることを裏付けるものとはいえない。
そして、原告主張に係る被告の本件以外の出願の状況が、本件発明の進歩性の判
断を左右するものではない。
(ｵ) そうすると、原告の主張はいずれも理由がない。
(3) 小括
したがって、本件発明１が、甲１発明に周知の技術的事項を適用して当業者が容
易に想到できたものとは認められないから、原告の主張する取消事由１には理由が
ない。
(4) 本件発明２について
本件発明２は、本件発明１の構成を全て包含するものであるところ、前記のとお
り、本件発明１の構成は甲１発明に周知の技術的事項を適用して当業者が容易に想
到できたものではないから、本件発明２についても、甲１発明に周知の技術的事項
を適用して当業者が容易に想到できたものとはいえない。
したがって、原告の主張する取消事由２には理由がない。
第６ 結論
以上の次第であるから、原告の請求には理由がないからこれを棄却することとし
て、主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第２部
裁判長裁判官
本 多 知 成
裁判官
浅 井 憲
裁判官
勝 又 来 未 子
（別紙）
当事者目録
原 告 株 式 会 社 東 京 精 密
同訴訟代理人弁護士 服 部 誠
中 村 閑
柿 本 祐 依
同訴訟代理人弁理士 相 田 義 明
山 下 崇
同訴訟復代理人弁理士 加 藤 志 麻 子
被 告 浜松ホトニクス株式会社
同訴訟代理人弁護士 設 樂 隆 一
尾 関 孝 彰
河 合 哲 志
松 本 直 樹
大 澤 恒 夫
同訴訟代理人弁理士 長 谷 川 芳 樹
柴 田 昌 聰
小 曳 満 昭