令和5(行ケ)10055審決取消請求事件

令和６年２月１４日判決言渡
令和５年（行ケ）第１００５５号 審決取消請求事件
口頭弁論終結日 令和５年１２月２１日
判 決
原 告 株 式 会 社 東 京 精 密
同訴訟代理人弁護士 服 部 誠
同 中 村 閑
10 同 柿 本 祐 依
同訴訟代理人弁理士 相 田 義 明
同 山 下 崇
被 告 浜松ホトニクス株式会社
同訴訟代理人弁護士 設 樂 隆 一
同 尾 関 孝 彰
同 河 合 哲 志
同 松 本 直 樹
20 同 大 澤 恒 夫
同訴訟代理人弁理士 長 谷 川 芳 樹
同 柴 田 昌 聰
同 小 曳 満 昭
主 文
25 １ 原告の請求を棄却する。
２ 訴訟費用は原告の負担とする。
事 実 及 び 理 由
【略語】
本判決で用いる略語は、別紙１「略語一覧」のとおりである。なお、本件審決中で
使用されている略語は、本判決でもそのまま踏襲している。
5 第１ 請求
特許庁が無効２０２１－８０００６７号事件について令和５年４月３日にし
た審決を取り消す。
第２ 事案の概要
１ 特許庁における手続の経緯等（当事者間に争いがない。）
10 (1) 被告は、平成１４年３月１２日に出願された特願２００２－６７３４８号
に基づく優先権を主張して（この優先権の主張の効力が及ぶ範囲については
争いがある。）、平成１５年３月１１日に国際出願された原出願（特願２０
０３－５７４３７３号）の一部を、特許法４４条１項の規定により、平成１
８年３月１４日に発明の名称を「レーザ加工装置」とする新たな特許出願と
15 し、平成１９年７月２７日に特許第３９９０７１１号（本件特許）の設定登
録を受けた（請求項の数２）。
(2) 被告は、平成３０年４月２４日、本件特許について訂正審判請求をし（訂
正２０１８－３９００７５号） 同年７月３日に訂正を認める審決がなされ、
、
同審決は確定した。
20 (3) 原告は、令和３年８月６日、本件特許（請求項１、２に係るもの）につい
て特許無効審判を請求し、特許庁は、同請求を無効２０２１－８０００６７
号事件として審理を行った。
特許庁は、令和５年４月３日、「本件審判の請求は、成り立たない。」と
の本件審決をし、その謄本は同月１４日原告に送達された。
25 なお、本件特許権は、同年３月１１日、存続期間満了により消滅している。
(4) 原告は、令和５年５月１２日、本件審決の取消しを求める本件訴訟を提起
した。
２ 本件発明の内容
(1) 本件特許の特許請求の範囲の請求項１、２を分説すると、以下のとおりで
ある。
5 【請求項１】（本件発明１）
Ａ：半導体基板の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工
装置であって、
Ｂ：前記半導体基板が載置される載置台と、
Ｃ：レーザ光を出射するレーザ光源と、
10 Ｄ：前記載置台に載置された前記半導体基板の内部に、前記レーザ光源から
出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域
を形成させる集光用レンズと、
Ｅ：前記改質領域を前記半導体基板の内部に形成するために、レーザ光の集
光点を前記半導体基板の内部に位置させた状態で、前記半導体基板の切断予
15 定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させる制御部と、
Ｆ：前記載置台に載置された前記半導体基板を赤外線で照明する赤外透過照
明と、
Ｇ：前記赤外透過照明により赤外線で照明された前記半導体基板における前
記改質領域を撮像可能な撮像素子と、
20 を備え、
Ｈ：前記切断予定ラインは、前記半導体基板の内側部分と外縁部との境界付
近に始点及び終点が位置する、
Ｉ：ことを特徴とするレーザ加工装置。
【請求項２】（本件発明２）
25 Ｊ：半導体基板の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工
装置であって、
Ｋ：前記半導体基板が載置される載置台と、
Ｌ：レーザ光を出射するレーザ光源と、
Ｍ：前記載置台に載置された前記半導体基板の内部に、前記レーザ光源から
出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域
5 を形成させる集光用レンズと、
Ｎ：前記改質領域を前記半導体基板の内部に形成するために、レーザ光の集
光点を前記半導体基板の内部に位置させた状態で、前記半導体基板の切断予
定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させる制御部と、
Ｏ：前記載置台に載置された前記半導体基板を赤外線で照明する赤外透過照
10 明と、
Ｐ：前記赤外透過照明により赤外線で照明された前記半導体基板における前
記改質領域を撮像可能な撮像素子と、
を備え、
Ｑ：前記半導体基板はシリコン基板であり、
15 Ｒ：前記制御部は、前記載置台及び前記集光用レンズの少なくとも１つの移
動を制御する
Ｓ：ことを特徴とするレーザ加工装置。
(2) 本件明細書の記載事項及び願書添付図面の抜粋を別紙２に掲げる（なお、
図９は便宜上９０度回転させたものである。）。
20 これによれば、本件明細書には、本件発明について次のような開示がある
ことが認められる。
ア 本件発明は、半導体基板を切断予定ラインに沿って切断するためのレー
ザ加工装置及びレーザ加工方法に関する（【０００１】）。
イ 従来半導体基板を切断するのに用いられた切削加工や加熱溶融加工は、
25 半導体基板上に機能素子を形成した後に行われるため、切断時に発生する
熱を原因として機能素子が破壊される等のおそれがあった（【０００２】
～【０００４】）。
ウ 本件発明は、半導体基板上に複数の機能素子が形成されていても、機能
素子が破壊されることなく半導体基板を切断予定ラインに沿って精度良
く切断するレーザ加工装置を提供することを目的とし、上記(1)の構成を
5 採用した。本件発明では、レーザ光の照射により改質領域が半導体基板の
内部に形成され、半導体基板の表面ではレーザ光がほとんど吸収されない
ため、半導体基板の表面が溶融することはないし、改質領域を起点として
比較的小さな力で半導体基板に割れが発生するため、切断予定ラインに沿
って高い精度で半導体基板を割って切断することができる（【０００５】
10 ～【０００７】）。
エ 本件発明に係るレーザ加工装置は、半導体基板上に複数の機能素子が形
成されていても、機能素子が破壊されるのを防止して、半導体基板を切断
予定ラインに沿って精度良く切断することを可能にする 【０００８】 。
（ ）
オ 半導体基板を赤外透過照明による赤外線で照明すると共に、撮像データ
15 処理部により結像レンズ及び撮像素子の観察面を半導体基板の内部に合
わせれば、半導体基板の内部を撮像して半導体基板の内部の撮像データを
取得することもでき（【００３３】）、半導体基板の内部に形成された切
断起点領域を撮像して撮像データを取得し、モニタに表示させることもで
きる（【００４８】）。
20 ３ 甲１発明について
(1) 本件無効審判において、請求人である原告は、無効理由として本件発明の
進歩性の欠如を主張し、本件発明について優先権の効果が及ばず、新規性・
進歩性は原出願日を基準に判断されるべきであることを前提に、原出願日前
に頒布された刊行物である甲１（特開昭５３－１１４３４７号公報）を主引
25 用文献として提出した。
(2) 甲１には、別紙３「甲１の記載事項（抜粋）」のとおりの記載があり、本
件審決は、そこには、下記の甲１発明が記載されていると認定した。
【甲１発明】
１ａ： 半導体ウエハー１３の素子１５が形成されている面１６の反対側
の面１８に、分割の起点となる溝２３、２３’を形成する半導体装置の加工
5 方法に用いる装置であって、
１ｂ： 素子１５が形成された面１６を下側にして前記半導体ウエハー１
３が載置されるＸＹテーブル１７と、
１ｃ： レーザ光線１１を放射するレーザ発振器１０と、
１ｄ： 前記ＸＹテーブル１７に載置された前記半導体ウエハー１３の前
10 記反対側の面１８に、前記レーザ発振器１０から放射されたレーザ光線１
１を集光し、そのレーザ光線１１の照射点の位置で前記溝２３、２３’を形
成させる集光レンズ系１４と、
１ｅ： 前記溝２３、２３’を前記半導体ウエハー１３の前記反対側の面１
８に形成するために、レーザ光線１１の照射点を前記半導体ウエハー１３
15 の前記反対側の面１８に位置させた状態で、前記半導体ウエハー１３の素
子１５の間に沿ってレーザ光線１１の照射点を移動させるようにＸＹテー
ブル１７を制御する制御部と、
１ｆ： 前記ＸＹテーブル１７に載置された前記半導体ウエハー１３を赤
外線で照明する構成と、
20 １ｇ： 監視装置としての赤外線イメージ変換装置と、を備える、
１ｉ： 半導体装置の加工方法に用いる装置。
４ 本件審決の理由の要旨
(1) 無効理由１（甲１に基づく本件発明１の進歩性の欠如）について
本件発明１は、本件特許の原出願日前（なお、本件発明１について、国内
25 優先権の主張の効果が及ばず、新規性・進歩性の判断基準日が原出願日とな
ることは争いがない。）に頒布された甲１に記載された甲１発明及び甲３の
１～５、甲４記載の技術的事項等に基づいて当業者が容易に発明をすること
ができたものではない（詳細は別紙４「本件審決の理由①」を参照）。
(2) 無効理由２（甲１に基づく本件発明２の進歩性の欠如）について
本件発明２は、甲１発明、甲３の１～５記載の技術的事項及び甲４の実施
5 例２に係る技術的事項、並びに甲５～９に基づいて（なお、原告は、本件発
明２について国内優先権の主張の効果が及ばない旨主張するのに対し、被告
は、少なくとも本件発明２の一部に部分優先の効果が認められる旨主張して
いる。）当業者が容易に発明をすることができたものではない（詳細は別紙
５「本件審決の理由②」を参照）。
10 ５ 取消事由
(1) 甲１発明に基づく本件発明１の進歩性の判断の誤り（取消事由１）
(2) 甲１発明に基づく本件発明２の進歩性の判断の誤り（取消事由２）
第３ 当事者の主張
１ 取消事由１（甲１発明に基づく本件発明１の進歩性の判断の誤り）
15 (1) 原告の主張
ア 相違点２の認定の誤り
(ｱ) 本件審決は、甲１発明は改質領域を撮像可能な撮像素子（構成Ｇ）を
備えていない（本件発明１との相違点２）と認定したが、以下のとおり
誤りである。
20 (ｲ) 甲１発明の構成１ｆ「前記ＸＹテーブル（１７）に載置された前記半
導体ウエハー（１３）を赤外線で照明する構成」は、本件発明１の「赤
外透過照明」に相当する。
甲１発明の構成１ｇ「監視装置としての赤外線イメージ変換装置」は、
「赤外線で照明する構成」で照明することにより、赤外線で照明された
25 半導体ウエハー（１３）を監視可能、すなわち、撮像可能な撮像素子で
あるから、本件発明１の構成１Ｇの「前記赤外透過照明により赤外線で
照明された前記半導体基板」「を撮像可能な撮像素子」に相当する。
また、赤外線用の撮像素子が、シリコンウエハー等の半導体ウエハー
の内部に形成されたクラック（改質領域）を撮像可能であることは周知
の技術であるから（甲４０、４１等）、周知の技術を知る当業者は、甲
5 １に接したとき、加工対象であるシリコンウエハー等の半導体ウエハー
の「監視装置としての赤外線イメージ変換装置」は、半導体ウエハー内
部の「改質領域を撮像可能な撮像素子」であることを当然に理解する。
したがって、相違点２は存在しない。
(ｳ) 本件審決は、相違点２を認定した上で、同相違点の存在を本件発明１
10 の進歩性が肯定されることの理由としているから、本件審決の相違点２
の認定の誤りは、審決の結論に影響を及ぼす。
イ 相違点１についての判断の誤り
本件審決は、本件発明１と甲１発明の相違点１（切断起点及び集光点が
半導体基板の内部であるか否か）につき、甲３の１～５等に基づく容易想
15 到性を否定する判断をしたが、以下のとおり誤りである。
(ｱ) 原出願日において半導体基板を分割するに際し、半導体基板の内部
にレーザ光線の集光点を位置づけてレーザを照射して、半導体基板内部
に切断の起点となる改質領域を形成することは、甲３の１～５、甲４８
により周知技術であった。
20 また、これらの文献によれば、原出願日におけるレーザ光を用いた加
工技術において、半導体ウエハーの表面にレーザ光の集光点をあてて半
導体ウエハーを切断する場合、発塵粉体が生じ、その飛散防止のため潤
滑洗浄水が必要となってしまうことや、ダイシング傷、チッピングある
いは材料表面での不必要な割れ（クラック）等が生じてしまう課題は、
25 当業者にとって周知の課題であった。甲１発明においても、集光レンズ
（１４）は加工対象物である半導体ウェハー（１３）の表面に面してい
ることから、上記周知の課題が依然として解決されずに残ったままであ
る。
(ｲ) 基板の表面に亀裂を設けて基板を切断するのと、基板の内部に亀裂を
設けて基板を切断するのとでは、後者では前者よりも強めの引張応力が
5 必要となる点に違いがあるだけである。
ウエハーの表面自体に溝を形成するのと、内部に改質領域を形成する
のとでは、集光点を１０μｍ程度動かすだけの違いがあるにすぎない。
このような割断に関する技術常識に基づけば、当業者は、甲１発明に
上記周知技術の発明を適用することにより強く動機付けられる。
10 (ｳ) 甲１と、甲３の１～５は、いずれも、レーザ光を用いて半導体基板を
分割する技術を開示し、かつ、歩留まりや生産性を向上されることを目
的（課題）としており、技術分野と課題を共通にしている。
(ｴ) 甲１発明及び前記周知技術の技術分野及び目的の共通性、甲１発明に
おいても解決されていない周知の課題、並びに割断に関する技術常識を
15 踏まえれば、当業者は、上記周知の課題を解決するために、甲１発明に
上記周知技術を適用して、甲１発明の「切断の起点となる領域」を「半
導体基板の内部」に位置する「加工変質部（改質領域）」とすることを
自然に想到する。
(ｵ) 本件審決は、甲１発明に甲３の１～５記載の技術的事項を適用するこ
20 とを想到した場合、赤外線を照射して観察する必要がないから、本件発
明１と甲１発明との間には、構成 F の赤外線透過照明に係る構成を本件
発明１が有する点が、新たに相違点として生じるとするが、甲１発明に
甲３の１～５に係る周知技術を適用した場合、当業者は、赤外線によっ
て、内部のどこの領域がレーザにより破壊されたかを確認することに動
25 機づけられるから、そのような相違点が生じることはない。
ウ 相違点２についての判断の誤り
本件審決は、本件発明１と甲１発明の相違点２（改質領域を撮像可能な
撮像素子を備えるか否か）に係る容易想到性を否定する判断をしたが、以
下のとおり誤りである。
(ｱ) ウエハー状の加工対象物を切断する技術の分野において、赤外光（赤
5 外線）を半導体ウエハーに照射して、半導体ウエハーを透過した赤外光
を測定し、半導体ウエハー内部の状態を撮像素子で観察することは、原
出願日前より普通に行われていたことである（甲４０～４７）。
(ｲ) シリコンウエハーの内部に形成された改質領域は、外からは目視でき
ないので、当業者であれば、どうにかして割らずに内部の様子を確認し
10 たいと考える。そこで、加工対象物である半導体ウエハー内部に切断の
起点となる改質領域を形成することを想到する甲１に接した当業者であ
れば、改質領域の様子を観察するために、上記周知・公知技術を適用す
ることを直ちに思い付く。
原出願日において半導体基板を分割するに際し、甲４６、４７では、
15 加工対象物の内部に改質領域を生成させる技術において、加工対象物の
内部にどのような形状の改質領域を形成することが効率的であるかが写
真をもって明らかにされ、甲４８では、シリコンウエハー等の加工対象
物の内部にレーザによって改質領域を形成し、加工対象物を割断する技
術において、改質領域のＺ方向の位置が割断精度に影響を与えることが、
20 明記されている。すなわち、半導体ウエハーの内部に切断の起点となる
改質領域を形成するとき、その内部の状態を観察する必要があることは、
原出願日において、技術常識であった。
そこで、加工対象物である半導体ウエハー内部に切断の起点となる改
質領域を形成することを想到する甲１に接した当業者は、甲１発明に、
25 技術分野を共通にする甲４０～４２号証等に開示された周知・公知技術
を適用して、外部から視認し得ない改質領域（欠陥）をシリコンウエハー
を透過する赤外線により観察して、改質領域の形状や高さを確認しよう
とすることに自然と動機付けられる。
したがって、甲１発明において、レーザ加工時の加工状態を観察する
ために、上記周知・公知技術を適用して、シリコンウエハーを赤外線で照
5 明する赤外透過照明を設け、シリコンウエハーを透過した赤外線が赤外
線用の撮像素子１２１に入射するよう構成することは当業者にとって容
易である。そして、内部に改質領域が形成されたシリコンウエハーを透
過した赤外線は、シリコンウエハー内部の改質領域の情報を含むから、
赤外線用の撮像素子１２１はシリコンウエハー内部の改質領域を撮像可
10 能である 。
よって、当業者が、甲１発明において相違点２に係る構成に想到するこ
とは容易である。
(ｳ) 本件審決は、甲１には、基板の厚さ方向における改質領域が存在しな
いから、基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認する必
15 要性がなく、甲１に接した当業者が、相違点２に係る構成Ｇを採用する
動機があるとはいえない旨判断する。
これは、本件審決が、本件発明１の構成Ｆ、Ｇに係る技術的意義を、半
導体基板を赤外透過照明による赤外線で照明するとともに、改質領域を
撮像素子で撮像することで、基板の厚さ方向における改質領域の位置や
20 大きさを確認することができ、溶融処理領域の位置や大きさ等を調節す
ることが可能となり、その調節により、基板の表面及び裏面に割れが到
達しないように制御したり、切断直前に基板の表面及び裏面に割れが到
達するように制御を行うことにあるとすることによる。
しかし、本件明細書には、このような技術的意義は記載されていない
25 し、進歩性の有無は、公知技術から本件発明の構成に至るかどうかの問
題であり、公知技術から本件発明の技術的意義に至るかどうかの問題で
はない。
(2) 被告の主張
ア 相違点２の認定に誤りがあるとの点について
本件発明１と甲１発明の間に相違点２に相当する相違点が存在すること
5 は、本件特許権及び他の特許権に基づく特許権侵害訴訟の控訴審（知的財
産高等裁判所令和３年（ネ）第１０１０１号）の判決（甲２３）で認定され
ていた。そして、同侵害訴訟の判決は、令和５年６月７日付けの上告棄却決
定及び上告不受理決定により確定した（乙１）。それにもかかわらず、原告
が相違点２が存在しないと主張することは、訴訟上の信義則に反する。
10 また、原告は、甲４０、４１を根拠に、赤外線用の撮像素子が、シリコン
ウエハー等の半導体ウエハーの内部に形成されたクラック（改質領域）を
撮像可能であることは、周知の技術であるとし、これを知る当業者は、甲１
に接したとき、加工対象である同号証のシリコンウエハー等の半導体ウエ
ハーの「監視装置としての赤外線イメージ変換装置」は、半導体ウエハー内
15 部の「改質領域を撮像可能な撮像素子」であることを理解する旨主張する。
しかしながら、そもそも甲１には半導体ウエハーの内部に改質領域が形
成される旨の記載自体がない。
また、甲４０に示される赤外線用の撮像素子が撮像可能とされているの
は、銅を拡散してデコレートされた半導体基板内部の結晶欠陥であり、甲
20 ４１に示される赤外線用の撮像素子が撮像可能とされているのも、半導体
ウエハーの内部に潜む微小なクラックであって、いずれも半導体ウエハー
の内部にレーザ光を照射することで形成される改質領域ではない。
したがって、原告の主張は失当である。
イ 相違点１についての判断に誤りがあるとの点について
25 (ｱ) 発塵に関する課題は、甲１発明では既に解決されている。また、原告の
いう「ダイシング傷、チッピングあるいは材料表面での不必要な割れ（ク
ラック）等が生じてしまう」との課題は、甲１では認識されていない。こ
れらのことと、甲１発明が、レーザ光線により溝を形成することを前提
とした課題解決手段を採用していることとを考慮すると、甲１発明にお
いて溝の形成をしない周知技術（甲３の１～５、甲４８に開示される技
5 術）の採用が動機付けられることはない。
(ｲ) 原告が割断に関する技術常識の根拠とする甲３７、３８は、同じ長さ
の亀裂が試験片（基板）の表面に存在する場合と内部に存在する場合に
ついて、計算により求めた破壊強度を相互に比較したものにすぎず、甲
１発明に前記周知技術を採用する動機付けがあったことを示すものでは
10 ない。
(ｳ) 甲１発明は、レーザ光で溝を形成する技術に特有の課題を、レーザ光
で溝を形成するという構成を維持したままで解決した発明であるのに対
し、甲３の１～５に記載される周知技術は、溝を形成しない技術に関す
る発明であるから、甲１発明と上記周知技術の技術分野は相違する。
15 また、甲１発明の課題は、レーザ光線によりウエハー材が飛散蒸発する
ことを前提に、その飛散蒸発するウエハー材が各素子の上面に付着する
ことを防止することにあるのに対し、上記周知技術の課題は、加工対象
物の表面を加工することなく加工対象物を切断できるようにすることに
なるから、甲１発明と上記周知技術は課題においても相違する。
20 (ｴ) 以上のとおりであって、相違点１に関する本件審決の判断に誤りはな
い。
ウ 相違点２についての判断に誤りがあるとの点について
(ｱ) 甲１発明はそもそもシリコンウエハーの内部に改質領域を形成するも
のではないから、甲１発明からは、「改質領域が深さ方向（Ｚ軸）に適切
25 に形成されているか等、内部の様子を確認したい」という動機は生じ得
ない。
(ｲ) 甲４６、４７に開示されているのは、「ガラスウェハの内部に直線偏
光のパルスレーザ光を照射してクラックスポットを形成した場合と、円
偏光のパルスレーザ光を照射してクラックスポットを形成した場合とで、
クラックスポットの形状や寸法が異なることが、両クラックスポットを
5 撮影した写真によって確認された」という程度のことであり、甲４８に
開示されているのは、改質領域のＺ方向の位置が、表面３から遠すぎる
場合にも、表面３に近すぎる場合にも、それぞれ問題が生じ得ることで
あって、いずれも「半導体ウエハーの内部に切断の起点となる改質領域
を形成するとき、その内部の状態を観察する必要がある」という事項が
10 当業者に知られていたことを何ら示すものではない。
(ｳ) 甲１発明は、「加工対象物である半導体ウエハー内部に切断の起点と
なる改質領域を形成すること」を想到し得る発明ではない。そして、そう
である以上、甲１発明には、相違点２に係る本件発明の構成を採用する
動機付けは存在しない。
15 その上、甲４０～４２等は、前記のとおり、半導体ウエハーの内部の改
質領域の状態を検査・観察する技術を開示するものではない。
(ｴ) 以上のとおりであって、相違点２に関する本件審決の判断に誤りはな
い。
２ 取消事由２（甲１発明に基づく本件発明２の進歩性の判断の誤り）
20 (1) 原告の主張
本件発明１の場合と同様の理由により、本件審決による相違点２の認定の
誤りは、審決の結論に影響する。
また、本件発明１と同様の理由により、本件審決による相違点１、２につい
ての判断の誤りは、審決の結論に影響する。
25 (2) 被告の主張
本件審決による相違点２の認定、相違点１、２についての判断に誤りはな
いから、原告の主張には理由がない。
第４ 当裁判所の判断
１ 取消事由１（甲１発明に基づく本件発明１の進歩性の判断の誤り）について
(1) 原告は、甲１発明は改質領域を撮像可能な撮像素子を備えていない（相違
5 点２）とした本件審決の認定誤りを主張するので、まずこの点について検討
する。
ア 別紙３「甲１の記載事項（抜粋）」によれば、甲１には以下の開示があ
り、本件審決が認定するとおりの甲１発明を認めることができる。本件発
明１と甲１発明の相違点も本件審決が認定するとおりと認める。
10 (ｱ) 甲１発明は、半導体装置の加工方法に係り、特にレーザ光線を用い
て半透明な半導体ウエハーを微細なペレットに分割する加工方法に関
する（１頁左下欄下から７～５行）。
(ｲ) ウエハーの切断にレーザ光線を用いる場合、ウエハーの素子が形成
された表面側から照射する為、レーザ光線により飛散蒸発するウエハ
15 ー材が、各素子の上面に付着し、その素子の機能を低下させたり不良品
とするなどの欠点がある。
甲１発明は、上記欠点に対処するためのものである（１頁左下欄最終
行～右下欄下から４行）。
(ｳ) 甲１発明において、レーザ発振器（１０）のレーザ光線（１１）の放
20 射口側には、そのレーザ光線（１１）の放射方向を９０°変えるダイク
ロイツクミラ（１２）が配置され、これにより反射されたレーザ光線
（１１）は、ミラ（１２）と半導体ウエハー（１３）との間に配置され
た集光レンズ系（１４）により集光される。半導体ウエハー（１３）は、
その素子（１５）が形成された面（１６）を下側にしてＸＹテーブル（１
25 ７）上に載置される（１頁右下欄最終行～２頁左上欄１１行）。
ダイクロイツクミラ（１２）を挟んでレンズ系（１４）と対向する位
置には、レンズ（２０）が配置され、前記ウエハー（１３）の素子（１
５）を観察する監視装置を構成する（２頁左上欄１４～最終行）。
監視装置で半導体ウエハー（１３）の素子（１５）の位置を確認しな
がら、その素子間（１５）に対応する反対側の面（１８）に溝（２３）
5 を形成する。すなわち、接眼レンズ（２２）からのぞきながら、レンズ
（２０）を上下動させて、ウエハー（１３）の面（１６）上に焦点を合
わせる（２頁右上欄１～９行）。
集光レンズ（１４）を上下動して、レーザ発振器（１０）から放射さ
れたレーザ光線（１１）をウエハー（１３）の反対側の面（１８）上に
10 照射し、素子（１５）間の位置に対応する反対側の面（１８）上に複数
条の溝（２３）（２３）’（２３）’を刻設する。そして、ウエハー（１
３）全体に圧力を加えて、微細なペレットに分割する（２頁右上欄１０
行～左下欄６行）。
(ｴ) ウエハーが赤外線で透視状態となる場合にも、甲１発明は適用可視
15 となる。この場合、ウエハーを赤外線で照射し、操作者とウエハーとの
間に監視装置として赤外線イメージ変換装置を設けて観察して行なう
（２頁右下欄５～１１行）。
(ｵ) 甲１発明は、素子上に飛散物、蒸発物が付着することがなく、素子の
機能を低下させることがない。また、機械的に溝を形成するものに比し
20 て、歩留りが向上する（２頁右下欄下から６～３行）。
イ 原告は、前記第３の１(1)ア(ｲ)のとおり、甲１発明の「監視装置として
の赤外線イメージ変換装置」は、本件発明１の構成１Ｇの「前記赤外透過
照明により赤外線で照明された前記半導体基板」
「を撮像可能な撮像素子」
に相当し、また、赤外線用の撮像素子が、シリコンウエハー等の半導体ウ
25 エハーの内部に形成されたクラック（改質領域）を撮像可能であることは
周知の技術であるから（甲４０、４１等） 当業者は、
、 甲１に接したとき、
加工対象であるシリコンウエハー等の半導体ウエハーの「監視装置として
の赤外線イメージ変換装置」は、半導体ウエハー内部の「改質領域を撮像
可能な撮像素子」であることを理解するから、相違点２は存在しない旨主
張する。
5 しかし、甲１発明における赤外線イメージ変換装置は、半導体ウエハー
（１３）の表面の素子（１５）の位置を確認しながら、その素子間（１５）
の位置に対応する反対側のウエハーの面（１８）上に溝（２３）を形成す
るためのものであり、内部の撮像を想定したものではない。また、甲１に
は、半導体ウエハーの内部に改質領域を形成させること自体の記載がない。
10 なお、甲４０には、半導体基板内部の結晶欠陥を銅を拡散してデコレート
し、これを観察することが記載され、甲４１には、半導体ウエハーの内部
の不均一性や欠陥の検査を行うことが記載されているにすぎない。
したがって、本件発明１と甲１発明の間に相違点２が存在するとした本
件審決の判断に誤りはない。
15 (2) 次に、相違点１（切断起点及び集光点が半導体基板の内部であるか否か）
に係る容易想到性の判断について検討する。
ア 甲１発明は、従来は、レーザ光線をウエハーの素子が形成された表面側
から照射するため、レーザ光線により飛散蒸発するウエハー材が、各素子
の上面に付着することによる問題点があったことから、素子が形成された
20 面を下側にして半導体ウエハーを載置して、半導体ウエハーの素子が形成
された面の反対側の面の表面に、レーザ発振器から放射されたレーザ光線
を集光し、そのレーザ光線の照射点の位置で溝を形成させる構成として、
レーザ光線による飛散、蒸発物が素子の表面に付着することがなく、しか
も歩留りが向上するものである（甲１の１頁右下欄１４～１７行）。
25 一方、甲３の１～５記載の技術的事項は、いずれもレーザ光線を照射す
ることにより、加工対象物の内部に改質領域を形成する技術である。
したがって、甲１発明と、甲３の１～５記載の技術的事項は、レーザ光
を対象物に照射して加工するという点で共通するにすぎず、加工の位置も、
切断の起点も異なるから、後者を前者に適用する動機付けがあるとはいえ
ない。
5 イ 原告は、前記第３の１(1)イ(ｲ)のとおり、基板を切断する際に、基板の
表面に亀裂を設けるのと、基板の内部に亀裂を設けるのとでは、後者では
前者よりも強めの引張応力が必要となる点に違いがあるだけであり、ウエ
ハーの表面自体に溝を形成するのと、内部に改質領域を形成するのとでは、
集光点を１０μｍ程度動かすだけの違いがあるにすぎない旨主張するが、
10 割断一般についてそのような技術常識があったからといって、具体的に加
工をする場面において、加工対象物の表面に溝を形成することと、内部に
改質領域を形成することは技術として質的に異なることが否定されるも
のではない。したがって、甲１発明と、甲３の１～５記載の技術事項が、
技術分野と課題を共通にする（前記第３の１(1)イ(ｳ)）ということもでき
15 ない。
(3) 進んで、相違点２（改質領域を撮像可能な撮像素子を備えるか否か）に係
る容易想到性の判断について検討する。
ア 甲１発明は、前記１(1)アのとおり、素子が形成された面を下側にして
半導体ウエハーを載置して、半導体の表面に溝を形成する技術であり、赤
20 外線は、半導体ウエハー上に形成されている半導体素子の間に溝を形成す
るために、半導体素子の「位置を確認するため」に照射されるものである。
そうすると、甲１発明には、半導体ウエハー内部の改質領域は存在しな
いのであって、存在しない改質領域を撮像するように構成すること、すな
わち、相違点２に係る本件発明１の構成を採用する動機付けは存在しない
25 というよりほかはない。なお、甲１発明では、加工箇所である溝の状態を
観察することについても記載がない。
付言するに、本件審決は、上記動機付けを否定する理由として、相違点
１に係る本件発明１の構成Ｆ及びＧの技術的意義が、「基板の厚さ方向に
おける改質領域の位置や大きさを確認し、溶融処理領域の位置や大きさ等
を調節することが可能となり、その調節により、基板の表面及び裏面に割
5 れが到達しないように制御したり、切断直前に基板の表面及び裏面に割れ
が到達するように制御を行うこと」であることを挙げるが、そのような技
術的意義を示唆する記載は本件明細書にはなく、その点において本件審決
の判断は相当でない。しかし、甲１には、半導体ウエハー内部の改質領域
の存在自体について記載されていないことは上記のとおりであるから、本
10 件審決の上記技術的意義の認定の誤りは、本件審決の結論に影響を及ぼす
ものではない。
イ 原告は、前記第３の１(1)ウ(ｱ)(ｲ)のとおり、ウエハー状の加工対象物
を切断する技術の分野において、赤外光（赤外線）を半導体ウエハーに照
射して、半導体ウエハー内部の状態を撮像素子で観察することは周知ない
15 し公知技術であったから、加工対象物である半導体ウエハー内部に切断の
起点となる改質領域を形成することを想到する甲１に接した当業者であ
れば、改質領域の様子を観察するために、上記周知・公知技術を適用する
ことを直ちに思い付く旨主張する。
しかし、甲１は、半導体ウエハーの表面に溝を形成する技術であって、
20 内部に切断の起点となる改質領域を形成することについては記載も示唆
もないことは前記(1)に説示したところから明らかであり、原告の主張は
前提を欠くものである。
(4) 以上のとおりであって、当業者が、原出願日において、相違点１、２に係
る本件発明１の構成を容易に想到することができたとはいえない。そうする
25 と、本件発明１は甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができ
たものとはいえないとした本件審決の判断に誤りはなく、取消事由１は理由
がない。
２ 取消事由２（甲１発明に基づく本件発明２の進歩性の判断の誤り）について
(1) 原告は、本件審決における相違点２の認定及び相違点１、２についての判
断に誤りがある旨主張するが、相違点２の認定に誤りはなく、また、当業者
5 が、原出願日において、相違点１、２に係る本件発明１の構成を容易に想到
することができたとはいえないことは、前記１のとおりである。
(2) したがって、本件発明２の全部又は一部について優先権主張の効果が及ば
ないとしても、本件発明２は甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をする
ことができたものとはいえないとした本件審決の判断に誤りはなく、取消事
10 由２は理由がない。
３ 結論
以上によれば、原告主張の取消事由はいずれも理由がなく、本件審決につい
て取り消されるべき違法は認められない。よって、原告の請求を棄却すること
として、主文のとおり判決する。
15 知的財産高等裁判所第４部
裁判長裁判官
宮 坂 昌 利
20 裁判官
本 吉 弘 行
裁判官
岩 井 直 幸
別紙１ 略語一覧
（略語） （意味）
・原出願日：原出願（特願２００３－５７４３７３号）の実際の出願日である平成
5 １５年３月１１日
・本件特許：被告を特許権者とする特許第３９９０７１１号
・本件発明：本件特許の請求項１、２に係る発明の総称
個別には、請求項の番号に対応して、「本件発明１」「本件発明２」という。
・本件明細書：本件特許に係る明細書
10 ・甲１発明：甲１（特開昭５３－１１４３４７号公報）記載の発明
別紙２ 本件明細書の記載事項（抜粋）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板を切断予定ラインに沿って切断するためのレーザ加工装置
5 及びレーザ加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程においては、シリコンウェハ等の半導体基板上に複数
の機能素子を形成した後に、ダイヤモンドブレードにより半導体基板を機能素子毎
10 に切断し（切削加工）、半導体チップを得るのが一般的である（例えば、特許文献１
参照）。
【０００３】
また、上記ダイヤモンドブレードによる切断に代えて、半導体基板に対して吸収
性を有するレーザ光を半導体基板に照射し、加熱溶融により半導体基板を切断する
15 こともある（加熱溶融加工）（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】 特開２００１－７０５４号公報
【特許文献２】 特開平１０－１６３７８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
20 【０００４】
しかしながら、上述した切削加工や加熱溶融加工による半導体基板の切断は、半
導体基板上に機能素子を形成した後に行われるため、例えば切断時に発生する熱を
原因として機能素子が破壊されるおそれがある。
【０００５】
25 そこで、本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、例えば半導体基
板上に複数の機能素子が形成されていたとしても、機能素子が破壊されるのを防止
して、半導体基板を切断予定ラインに沿って精度良く切断することを可能にするレ
ーザ加工装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
5 上記目的を達成するために、本発明に係るレーザ加工装置は、半導体基板の内部
に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、半導体基板が
載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、載置台に載置された半導
体基板の内部に、レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集
光点の位置で改質領域を形成させる集光用レンズと、改質領域を半導体基板の内部
10 に形成するために、レーザ光の集光点を半導体基板の内部に位置させた状態で、半
導体基板の切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させる制御部と、載置
台に載置された半導体基板を赤外線で照明する赤外透過照明と、赤外透過照明によ
り赤外線で照明された半導体基板における前記改質領域を撮像可能な撮像素子と、
を備えることを特徴とする。
15 【０００７】
これらのレーザ加工装置によれば、レーザ光の照射により改質領域が半導体基板
の内部に形成されるが、このようなレーザ光の照射においては、半導体基板の表面
ではレーザ光がほとんど吸収されないため、半導体基板の表面が溶融することはな
い。したがって、例えば半導体基板上に複数の機能素子が形成されていたとしても、
20 機能素子が破壊されるのを防止することが可能となる。さらに、これらのレーザ加
工装置及びレーザ加工方法よれば、改質領域が半導体基板の内部に形成される。半
導体基板の内部に改質領域が形成されると、改質領域を起点として比較的小さな力
で半導体基板に割れが発生するため、切断予定ラインに沿って高い精度で半導体基
板を割って切断することができる。したがって、半導体基板を切断予定ラインに沿
25 って精度良く切断することが可能となる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係るレーザ加工装置は、例えば半導体基板上に複数の機能素子が形成さ
れていたとしても、機能素子が破壊されるのを防止して、半導体基板を切断予定ラ
インに沿って精度良く切断することを可能にする。
5 【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１及び図２に示すように、半導体基板１の表面３には、半導体基板１を切断す
べき所望の切断予定ライン５がある。切断予定ライン５は直線状に延びた仮想線で
ある（半導体基板１に実際に線を引いて切断予定ライン５としてもよい） 本実施形
。
10 態に係るレーザ加工は、多光子吸収が生じる条件で半導体基板１の内部に集光点Ｐ
を合わせてレーザ光Ｌを半導体基板１に照射して改質領域７を形成する。なお、集
光点とはレーザ光Ｌが集光した箇所のことである。
【００１３】
レーザ光Ｌを切断予定ライン５に沿って（すなわち矢印Ａ方向に沿って）相対的
15 に移動させることにより、集光点Ｐを切断予定ライン５に沿って移動させる。これ
により、図３～図５に示すように改質領域７が切断予定ライン５に沿って半導体基
板１の内部にのみ形成され、この改質領域７でもって切断起点領域（切断予定部）９
が形成される。本実施形態に係るレーザ加工方法は、半導体基板１がレーザ光Ｌを
吸収することにより半導体基板１を発熱させて改質領域７を形成するのではない。
20 半導体基板１にレーザ光Ｌを透過させ半導体基板１の内部に多光子吸収を発生させ
て改質領域７を形成している。よって、半導体基板１の表面３ではレーザ光Ｌがほ
とんど吸収されないので、半導体基板１の表面３が溶融することはない。
【００１４】
半導体基板１の切断において、切断する箇所に起点があると半導体基板１はその
25 起点から割れるので、図６に示すように比較的小さな力で半導体基板１を切断する
ことができる。よって、半導体基板１の表面３に不必要な割れを発生させることな
く半導体基板１の切断が可能となる。
【００２７】
上述したレーザ加工方法に使用されるレーザ加工装置について、図９を参照して
説明する。図９はレーザ加工装置１００の概略構成図である。
5 【００２８】
レーザ加工装置１００は、レーザ光Ｌを発生するレーザ光源１０１と、レーザ光
Ｌの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制
御部１０２と、レーザ光Ｌの反射機能を有しかつレーザ光Ｌの光軸の向きを９０°
変えるように配置されたダイクロイックミラー１０３と、ダイクロイックミラー１
10 ０３で反射されたレーザ光Ｌを集光する集光用レンズ１０５と、集光用レンズ１０
５で集光されたレーザ光Ｌが照射される半導体基板１が載置される載置台１０７と、
載置台１０７を回転させるためのθステージ１０８と、載置台１０７をＸ軸方向に
移動させるためのＸ軸ステージ１０９と、載置台１０７をＸ軸方向に直交するＹ軸
方向に移動させるためのＹ軸ステージ１１１と、載置台１０７をＸ軸及びＹ軸方向
15 に直交するＺ軸方向に移動させるためのＺ軸ステージ１１３と、これら４つのステ
ージ１０８、１０９、１１１、１１３の移動を制御するステージ制御部１１５とを備
える。
【００２９】
載置台１０７は、半導体基板１を赤外線で照明するために赤外線を発生する赤外
20 透過照明１１６と、半導体基板１が赤外透過照明１１６による赤外線で照明される
よう、半導体基板１を赤外透過照明１１６上に支持する支持部１０７ａとを有して
いる。
【００３３】
レーザ加工装置１００はさらに、ビームスプリッタ１１９、ダイクロイックミラ
25 ー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された撮像素子１２１及び結
像レンズ１２３を備える。撮像素子１２１としては例えばＣＣＤカメラがある。切
断予定ライン５等を含む表面３を照明した可視光線の反射光は、集光用レンズ１０
５、ダイクロイックミラー１０３、ビームスプリッタ１１９を透過し、結像レンズ１
２３で結像されて撮像素子１２１で撮像され、撮像データとなる。なお、半導体基板
１を赤外透過照明１１６による赤外線で照明すると共に、後述する撮像データ処理
5 部１２５により結像レンズ１２３及び撮像素子１２１の観察面を半導体基板１の内
部に合わせれば、半導体基板１の内部を撮像して半導体基板１の内部の撮像データ
を取得することもできる。
【００３７】
［半導体基板の実施例１］
10 ・・・
【００４７】
続いて、レーザ光源１０１からレーザ光Ｌを発生させて、レーザ光Ｌを半導体基
板１に照射する。レーザ光Ｌの集光点Ｐは半導体基板１の内部に位置しているので、
溶融処理領域は半導体基板１の内部にのみ形成される。そして、Ｘ軸ステージ１０
15 ９やＹ軸ステージ１１１により半導体基板１を移動させて、半導体基板１の内部に、
ＯＦ１５に平行な方向に延びる切断起点領域９ａ及びＯＦ１５に垂直な方向に延び
る切断起点領域９ｂのそれぞれを、基準原点から所定の間隔毎に複数形成し（Ｓ１
１９）、実施例１に係る半導体基板１が製造される。
【００４８】
20 なお、半導体基板１を赤外透過照明１１６による赤外線で照明すると共に、撮像
データ処理部１２５により結像レンズ１２３及び撮像素子１２１の観察面を半導体
基板１の内部に合わせれば、半導体基板１の内部に形成された切断起点領域９ａ及
び切断起点領域９ｂを撮像して撮像データを取得し、モニタ１２９に表示させるこ
ともできる。
25 【００５３】
［半導体基板の実施例２］
・・・
【００５７】
次に、実施例２に係る半導体基板１の製造方法について説明する。図１７に示す
ように、半導体基板１の内側部分３２と同等の形状を有する開口部３５が形成され
5 たマスク３６を用意する。そして、内側部分３２が開口部３５から露出するように
半導体基板１にマスク３６を重ねる。これにより、半導体基板１の外縁部３１がマ
スク３６で覆われることになる。
【００５８】
この状態で、例えば上述のレーザ加工装置１００を用いて、半導体基板１の内部
10 に集光点を合わせてレーザ光を照射し、半導体基板１の内部に多光子吸収による溶
融処理領域を形成することで、半導体基板１のレーザ光入射面（すなわち、マスク３
６の開口部３５から露出する半導体基板１の表面）から所定距離内側に切断起点領
域９ａ、９ｂを形成する。
【００５９】
15 このとき、レーザ光の走査ラインとなる切断予定ライン５を、ＯＦ１５を基準と
して格子状に設定するが、各切断予定ライン５の始点５ａ及び終点５ｂをマスク３
６上に位置させれば、半導体基板１の内側部分３２に対して確実に且つ同等の条件
でレーザ光が照射されることになる。これにより、内側部分３２の内部に形成され
る溶融処理領域をいずれの場所でもほぼ同等の形成状態とすることができ、精密な
20 切断起点領域９ａ、９ｂを形成することが可能になる。
【００６０】
なお、マスク３６を用いずに、半導体基板１の内側部分３２と外縁部３１との境
界付近に各切断予定ライン５の始点５ａ及び終点５ｂを位置させて、各切断予定ラ
イン５に沿ってレーザ光の照射を行うことにより、内側部分３２の内部に切断起点
25 領域９ａ、９ｂを形成することも可能である。
【００６１】
以上説明したように、実施例２に係る半導体基板１によれば、実施例１に係る半
導体基板１と同様の理由により、半導体デバイスの製造工程において、半導体基板
１の表面に機能素子を形成することができ、且つ機能素子形成後における半導体基
板１の切断による機能素子の破壊を防止することができる。
5 【００６２】
しかも、半導体基板１の内側部分３２の内部に切断起点領域９ａ、９ｂが形成さ
れ、外縁部３１には切断起点領域９ａ、９ｂが形成されていないことから、半導体基
板１全体としての機械的強度が向上することになる。したがって、半導体基板１の
搬送工程や機能素子形成のための加熱工程等において、半導体基板１が不測の下に
10 切断されてしまうという事態を防止することができる。
【図１】 【図２】
【図３】 【図４】
【図５】 【図６】
【図９】
【図１７】
別紙３ 甲１の記載事項（抜粋）
本発明は、半導体装置の加工方法に係り、特にレーザ光線を用いて半透明な半導
体ウエハーを微細なペレットに分割する加工方法に関する。（１頁左下欄下から７
～５行）
5 しかし、機械的手段によると歩留りが悪い為、最近レーザ光線を用いて溝を形成
することが行なわれている。すなわち、レーザ発振器を用い、この発振器からのレー
ザ光線を集光レンズなどからなる光学系で、ウエハー上に集光させて照射する。そ
して、この光学系あるいはウエハーを平面的に動かして素子間に複数条の溝を形成
している。そして、従来同様に圧力を加えて微細なペレットを得ている。
10 しかしながら、レーザ光線をウエハーの素子が形成された表面側から照射する為、
レーザ光線により飛散蒸発するウエハー材が、各素子の上面に付着し、その素子の
機能を低下させたり不良品とするなどの欠点がある。
本発明は、上記欠点に対処してなされたもので、レーザ光線による飛散、蒸発物が
素子の表面に付着することがなく、しかも歩留りが向上する半導体装置の加工方法
15 を得るにある。（１頁左下欄最終行～右下欄下から４行）
第１図において、レーザ発振器（１０）のレーザ光線（１１）の放射口側には、そ
のレーザ光線（１１）の放射方向を９０°変えるダイクロイツクミラ（１２）が配置
されている。このミラ（１２）により反射されたレーザ光線（１１）は、実線で示す
ように前記ミラ（１２）と半導体ウエハー（１３）との間に配置された集光レンズ系
20 （１４）により集光される。このレンズ系（１４）は、図示しない駆動機構により上
下動するように構成されている。また、この半導体ウエハー（１３）は、サフアイア
のような可視光でかなり透明な物質で構成され、その素子（１５）が形成された面
（１６）を下側にしてＸＹテーブル（１７）上に載置されている。（１頁右下欄最終
行～２頁左上欄１１行）
25 また、前記ダイクロイツクミラ（１２）を挟んで前記レンズ系（１４）と対向する
位置には、レンズ（２０）が配置されている。このレンズ（２０）は、前記ウエハー
（１３）の素子（１５）を観察する監視装置を構成するもので、前記レーザ光線（１
１）の光軸に同軸上に配置されている。また、このレンズ（２０）の前記ミラ（１２）
と反対側には、結像板（２１）及び接眼レンズ（２２）が順に配置されている。（２
頁左上欄１４～最終行）
5 このように構成し、前記監視装置で前記半導体ウエハー（１３）の素子（１５）の
位置を確認しながら、その素子間（１５）に対応する反対側の面（１８） （２３）
に溝
を形成する。すなわち、接眼レンズ（２２）からのぞきながら、前記レンズ（２０）
を上下動させて、前記ウエハー（１３）の面（１６）上に焦点を合わせる。そして、
ＸＹテーブル（１７）を左右に動かし、所望位置すなわち各素子（１５）間にその焦
10 点位置が合ったときに、ＸＹテーブル（１７）の動きを停止させる。（２頁右上欄１
～９行）
そして、前記レーザ発振器（１０）を駆動して、レーザ光線（１１）を放射する。
このとき、レーザ光線（１１）は、ウエハー（１３）に溝（２３）が形成される以前
に、その熱などで素子（１５）が破壊しない程度のエネルギー強度に選定する。この
15 場合、レーザ光線（１１）は、従来と異なり反対側の面（１８）に照射するので、従
来に比して大きなエネルギ強度を選定することができる。そして集光レンズ（１４）
を上下動して、このレーザ光線（１１）を前記ウエハー（１３）の反対側の面（１８）
上に照射する。このレーザ光線（１１）の光軸と前記監視装置の光軸とは、同軸上に
形成されているので、前記素子（１５）間の位置に対応する反対側の面（１８）上に
20 溝（２３）を形成することができる。このようにして、監視しながらレーザ光線（１
１）を照射し、前記ＸＹテーブル（１７）を左右に動かして、ウエハー（１３）の反
対側の面（１８）上に複数条の溝（２３）（２３）’（２３）’を刻設する。そして、
ウエハー（１３）全体に圧力を加えて、微細なペレットに分割する。（２頁右上欄１
０行～左下欄６行）
25 なお、前記実施例では、ウエハー材として、可視光で透視状態となるサファイアな
どで形成されたウエハー（１３）を加工する場合について説明したが、ウエハーが赤
外線で透視状態となる場合にも、本発明は適用可視となる。この場合、ウエハーを赤
外線で照射し、操作者とウエハーとの間に監視装置として赤外線イメージ変換装置
を設けて観察して行なう。（２頁右下欄５～１１行）
本発明は、素子上に飛散物、蒸発物が付着することがなく、素子の機能を低下させ
5 ることがない。また、機械的に溝を形成するものに比して、歩留りが向上するなどの
効果を奏する。（２頁右下欄下から６～３行）
別紙４ 本件審決の理由①
１ 本件発明１と甲１発明の一致点及び相違点
(1) 一致点
半導体基板に、切断の起点となる切断起点を形成するレーザ加工装置であ
5 って、
前記半導体基板が載置される載置台と、
レーザ光を出射するレーザ光源と、
前記載置台に載置された前記半導体基板に、前記レーザ光源から出射され
たレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記切断起点を形成さ
10 せる集光用レンズと、
前記切断起点を前記半導体基板に形成するために、レーザ光の集光点を前
記半導体基板に位置させた状態で、前記半導体基板の切断予定ラインに沿っ
てレーザ光の集光点を移動させる制御部と、
前記載置台に載置された前記半導体基板を赤外線で照明する赤外透過照
15 明と、
半導体基板を透過した赤外線を観察可能な素子と、
を備えた、
レーザ加工装置。
(2) 相違点
20 ＜相違点１＞
本件発明１は、切断起点が「半導体基板の内部」に形成された「改質領域」
（構成Ａ）であり、集光点の位置が「半導体基板の内部」（構成Ｄ及びＥ）
であるのに対して、甲１発明は、切断起点が「半導体ウエハー１３の反対側
の面１８」に形成された「溝２３、２３’」であり、集光点の位置が「前記
25 ウエハー１３の素子１５が形成されている面１６の反対側の面１８」である
点。
＜相違点２＞
半導体基板を透過した赤外線を観察可能な素子が、本件発明１は、「前記
赤外透過照明により赤外線で照明された前記半導体基板における前記改質
領域を撮像可能な撮像素子」（構成Ｇ）であるのに対して、甲１発明は、「監
5 視装置としての赤外線イメージ変換装置」である点。
＜相違点３＞
本件発明１は、「前記切断予定ラインは、前記半導体基板の内側部分と外
縁部との境界付近に始点及び終点が位置する」（構成Ｈ）のに対して、甲１
発明は、切断予定ラインに相当する「半導体ウエハー１３の素子１５の間」
10 の始点や終点がどの位置なのか不明な点。
２ 相違点の容易想到性についての判断理由の要旨
(1) 相違点１について
ア 甲１の記載に接した当業者は、甲１発明について、半導体ウエハーに溝
15 を加工することを前提として、レーザ光線で生じた飛散、蒸発物が、素子の
表面に付着することを抑制するものと理解するから、レーザ光線で飛散、
蒸発物が生じること、すなわち、レーザ光線で溝を形成することは、必須の
事項と理解する。
イ 甲３の１～５は、レーザ光線で加工対象物の内部に改質領域を形成する
20 技術（溝を形成しない技術）であるから、甲１発明とは技術的思想が異な
り、当業者が甲１発明に甲３の１～５記載の技術的事項を適用する動機が
あるとはいえない。
仮に、当業者が、甲１発明に甲３の１～５記載の技術的事項を適用する
ことを想到したとしても、レーザ光線で飛散物や蒸発物が生じることがな
25 く、素子の上面を飛散物や蒸着物から保護する必要がないから、甲１発明
の素子が形成された面１６が上側となるようにＸＹテーブルに載置して、
可視光線で素子の位置を観察して、素子間に改質領域や加工変質部を形成
するのが自然であり、この場合においては、赤外線を照射して観察する必
要がないから、本件発明１と甲１発明との間には、構成Ｆの赤外線透過照
明に係る構成を本件発明１が有する点が、新たに相違点として生じる。
5 したがって、当業者が甲１発明に甲３の１～５記載の技術的事項を適用
する動機があるとはいえないし、仮に、当業者が、甲１発明に甲３の１～５
記載の技術的事項を適用することを想到したとしても、新たに構成Ｆに係
る相違点が生じ、当該相違点は容易に想到し得ないから、相違点１は、甲１
発明、甲３の１～５記載の技術的事項及び甲４～甲７に基づいて、当業者
10 が容易に想到できた事項とはいえない。
ウ 甲４の実施例２に係る技術的事項は、「半導体ウエハーから窒化物半導
体素子を分割する製造方法において、溝部２０３における基板２０１の内
部にＹＡＧレーザーを照射して加工変質部を形成すること。 であり、
」 ＹＡ
Ｇレーザーの照射で溝を形成するものではないから、レーザ光線で溝を形
15 成することを必須の事項とする甲１発明とは技術的思想が異なり、当業者
が甲１発明に甲４の実施例２に係る技術的事項を適用する動機があるとは
いえず、相違点１は、甲１発明及び甲４の実施例２に係る技術的事項に基
づいて、当業者が容易に想到できた事項とはいえない。
(2) 相違点２について
20 相違点２に係る本件発明１の構成Ｇの技術的意義は、改質領域を撮像素子
で撮像することで、基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認
することができ、溶融処理領域の位置や大きさ等を調節することが可能とな
り、その調節により、基板の表面及び裏面に割れが到達しないように制御し
たり、切断直前に基板の表面及び裏面に割れが到達するように制御を行うこ
25 とができる、というものである。
甲１には、基板の厚さ方向における改質領域が存在しないから、基板の厚
さ方向における改質領域の位置や大きさを確認する必要性がなく、甲１に接
した当業者が、相違点２に係る構成Ｇを採用する動機があるとはいえない。
甲３の１～５及び甲４の実施例２、甲５～７には、改質領域を撮像するこ
5 とや、基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認することにつ
いて、全く記載されていない。
したがって、相違点２は、甲１発明、甲３の１～５記載の技術的事項、甲４
の実施例２に係る技術的事項及び甲５～７に基づいて、当業者が容易に想到
できた事項とはいえない。
別紙５ 本件審決の理由②
１ 本件発明２と甲１発明の相違点
本件発明２と甲１発明の相違点１、２のほか、次の相違点４において相違す
る。
5 ＜相違点４＞
半導体材料の基板が、本件発明２は「シリコン基板」である（構成Ｑ）のに対
して、甲１発明は「半導体ウエハー１３」である点。
２ 相違点の容易想到性についての判断理由の要旨
相違点１及び２は、相違点１に関する本件審決の理由①２のとおり、甲１発
10 明、甲３の１～５記載の技術的事項及び甲４の実施例２に係る技術的事項、並
びに甲５～７に基づいて、本件特許に係る出願の原出願日当時の当業者が容易
に想到できたものとはいえないし、相違点１及び２に係る技術的事項は、甲８、
９にも記載がないから、本件発明２は、仮に、本件発明２の全部又は一部につい
て優先権の効果が及ばないとしても、甲１発明、甲３の１～５記載の技術的事
15 項又は甲４の実施例２に係る技術的事項、並びに甲５～９に基づいて本件特許
に係る出願の原出願日当時の当業者が容易に発明できたものとはいえない。