令和7(ワ)70002民事訴訟 特許権

令和７年１０月２９日判決言渡 同日原本領収 裁判所書記官

令和７年（ワ）第７０００２号 特許を受ける権利の確認請求事件

口頭弁論終結日 令和７年１０月２２日

判 決

原 告 Ａ

（以下「原告Ａ」という。）

原 告 Ｂ

（以下「原告Ｂ」という。）

上記両名訴訟代理人弁護士 田 中 紘 三

田 中 み ど り

田 中 み ち よ

被 告 ｚＳｕｓｔａｉｎｅｒｇｙ株式会社

（原告Ａにつき）

（原告Ｂにつき）

同 訴 訟 代 理 人 弁 護 士 溝 田 宗 司

郡 佑 太

主 文

１ 原告らの請求をいずれも棄却する。

２ 訴訟費用は原告らの負担とする。

事 実 及 び 理 由

第１ 請求

別紙特許出願目録記載第１、第２及び第３の各特許請求の範囲の請求項記載の各発明について、原告らがそれぞれ特許を受ける権利の共有持分を２分の１ずつ有することを確認する。

第２ 事案の概要等

5 １ 事案の概要本件は、原告らが、別紙特許出願目録記載の特許出願（以下、番号に従って「本件出願１」、「本件出願２」などといい、「本件各出願」と総称する。）の出願人である被告に対し、原告らが、本件各出願の願書に添付した特許請求の範囲の請求項記載の各発明について、特許を受ける権利の共有持分を２分の１ずつ有することの確認を求める事案である。２ 前提事実（当事者間に争いがないか、後掲各証拠及び弁論の全趣旨により容易に認められる事実）

⑴ 当事者等ア 原告Ａは、東京工業大学の名誉教授であり、エネルギー環境工学等を研究し、令和６年８月２８日まで被告の技術顧問であった者である。原告Ｂは、令和４年３月１８日に被告を設立し、令和６年９月９日までは被告の取締役であった者である。イ 被告（令和６年１０月１日付け商号変更前の商号は株式会社ＱＤジャパン）は、量子ドット技術及び各種半導体の研究開発等を行う株式会社である。被告の代表取締役は、設立時から令和４年６月７日までは原告Ｂ、同月８日から令和５年１２月２１日までは原告Ｂ、Ｃ及びＤ（以下、ＣとＤを「Ｃら」という。）、同月２２日からはＣらである。

⑵ 被告は、別紙特許出願目録記載の特許出願（本件各出願）をした（以下、本件各出願の願書に添付した特許請求の範囲の各請求項に記載の発明について、本件各出願の番号に従って、「本件発明１」、「本件発明２」と総称し、本件発明１〜３を「本件各発明」と総称する。）。本件各出願は、以下の各特許出願（以下「本件各基礎出願」と総称する。）に基づく国内優先権の主張を伴うものである。（甲２〜４）。ア 本件出願１

5 令和４年４月２８日の特許出願（特願２０２２－７４３４３）（以下「本件基礎出願１」という。）イ 本件出願２令和５年８月１日の特許出願（特願２０２３－１２５６６５）（以下「本件基礎出願２」という。）ウ 本件出願３令和５年２月２１日の特許出願（特願２０２３－２５６２５）及び同年４月１１日の特許出願（特願２０２３－６４３７５）（以下「本件基礎出願３」といい、本件基礎出願１～３を「本件各基礎出願」と総称する。）

⑶ 原告らは、上記⑵の本件各出願及び本件各基礎出願の時点までに、各出願に係る発明をした。３ 争点（特許を受ける権利の共有持分の譲渡の有無）に関する当事者の主張（被告の主張）本件各出願当時、原告Ｂは被告の代表取締役として、原告Ａは被告の技術顧問として、本件各出願の出願人を被告とすることを決定しているから、原告らと被告が、本件各出願の時までに、原告らが被告に対し、本件各発明に係る特許を受ける権利の各共有持分を譲渡する旨合意したことは明らかである。（原告らの主張）原告らと被告との間で、本件各発明に係る特許を受ける権利の各共有持分を譲渡する旨の合意には至っていない。すなわち、原告らは、令和４年４月２８日（本件基礎出願１の日）、原告らが特許を受ける権利を譲渡する条件を同日付け契約書案（甲５。以下「本件契約書案」という。）のとおりとすることを協議したが、契約書の調印には至らなかった。原告Ｂが、本件各出願に係る特許を受ける権利について本件契約書案と同じ条件の契約書の調印を行うとの約束をしたため、原告Ａは、これを信じ、本件各出願の出願人を被告として出願することに異議を述べず、本件各発

5 明の実施による事業の立上げに関する技術面からの無償協力を申し出ていた。ところが、Ｃらは、本件契約書案と同じ条件で特許を受ける権利を取得する意思を有しておらず、原告Ｂが被告代表者として単独で契約を締結するわけにもいかなかったため、原告らは、令和６年８月１８日までに、原告らと被告の間での契約の締結を断念したものである。原告らが、原告Ａの研究の成果である本件各発明に係る特許を受ける権利を無償で譲渡するはずがなく、この点からも、本件各発明に係る特許を受ける権利の譲渡がされていないことは明らかである。

第３ 当裁判所の判断

１ 認定事実

前記前提事実に加え、後掲各証拠及び弁論の全趣旨によれば、次の事実が認められる。

⑴ 原告Ｂは被告（当時の商号は株式会社ＱＤジャパン）の代表取締役であり、

原告Ａは被告の技術顧問であったが、原告らは、令和４年３月頃までに、本件基礎出願１の出願についてＥ特許事務所（以下「本件事務所」という。）に相談した。本件事務所は、同年４月２６日、原告らに対し、本件基礎出願１の出願書類案の確認を依頼した。同案の願書の出願人欄には被告が記載されていたところ、原告Ｂは発明者欄の記載の訂正を、原告Ａは明細書の記載の修正を依頼したが、出願人欄の記載については異議を述べなかった。被告は、本件事務所の弁理士らに対し、本件基礎出願１の手続を委任し、同弁理士らは、令和４年４月２８日、本件基礎出願１に係る出願をした。（甲２、乙２、４～１１）

⑵ 原告Ｂは、原告らが被告に本件基礎出願１に係る特許を受ける権利を譲渡

する旨の令和４年４月２８日付け「特許を受ける権利の譲渡契約書」の案（本件契約書案。甲５）を起案した。本件契約書案には、特許を受ける権利

5 の対価として、①被告の新株予約権の割当て、②本特許権活用製品の売上

（税別）×０．５％×２０年（ただし特許期間を上限とする）に相当する金額の支払、③本特許権の実施許諾に関わる売上（税別）×５％に相当する金額の支払が記載されていた。

⑶ 原告Ｂは、Ｃらに本件基礎出願１に係る発明等に関する事業のための資金

の調達を依頼し、令和４年６月７日までに、Ｃらに本件契約書案を提示したが、本件契約書案に基づく契約書の作成には至らなかった。Ｃらは、同月８日付けで被告の代表取締役に就任した。（甲１（乙３）、乙１８）

⑷ 原告らは、令和４年１０月頃から本件出願１の準備を開始し、本件事務所

は、同年１１月２日、原告らに対し、本件出願１の出願書類案の確認を依頼した。同案の願書の出願人欄には被告が記載されていたが、原告らは、この点について異議を述べなかった。被告は、本件事務所の弁理士らに対し、本件出願１の手続を委任し、同弁理士らは、同月１５日、本件出願１に係る出願をした。（乙１、１３）

⑸ 被告は、本件事務所の弁理士らに委任し、令和４年１１月１６日、発明の

名称を「太陽追尾装置」とする発明について特許出願をし（特願２０２２－１８３７３２。以下「別件出願」という。）、令和５年１月２６日に特許登録を受けた（特許第７２１７５６７号）。別件出願の出願人は被告、発明者は原告らであるが、原告らと被告との間で、原告らが被告に特許を受ける権利を譲渡する旨の契約書は作成されなかった。（乙１４）

⑹ 被告は、弁理士法人Ｆ（以下「本件弁理士法人」という。）に委任して、

令和５年２月２１日及び同年４月１１日に本件基礎出願３、同年８月１日に本件基礎出願２、同月３０日に本件出願２、同月３１日に本件出願３に係る出願をした。原告らは、上記各出願の時点で、同各出願の出願人を被告とすることを認識していた。（乙１６）

5 ⑺ 被告は、令和５年１０月１０日に取締役会設置会社となり、原告Ｂは、同

年１２月２１日に被告の代表取締役を辞任した。原告Ａは、令和６年５月頃までには、Ｃらに対する不信感を抱くようになった。原告Ｂは、その頃、Ｄに対し、本件契約書案に原告Ａは捺印していないが原告Ｂの持ち分だけでもできると認識していたこと、今原告Ａが離れて訴訟したら被告が負けると思うので、原告Ａがそう動かないように穏便にお付き合いをお願いしたいことなどを記載したメッセージをＬＩＮＥで送った。これに対し、Ｄは、ちゃんと契約を成立させ原告らの努力に対してしっかり権利を保護しておいた方が良いとのメッセージを送った。（甲１（乙３）、甲６）

⑻ 原告Ａは、令和６年８月１８日に被告の技術顧問を辞任し、原告Ｂは、同

年９月９日、会社資金の頻繁な目的外使用があったことなどを理由として、被告の取締役を解任された。原告らは、令和７年１月７日、本件訴えを提起した。また、原告Ａが代表者を務める合同会社は、同じ頃、被告に対し、被告の創業資金として３３００万円を貸し付けたと主張して、貸金返還訴訟を提起した（東京地方裁判所令和７年（ワ）第５０号）。（甲１（乙３）、甲７）

２ 争点（特許を受ける権利の共有持分の譲渡の有無）について

⑴ 前記前提事実⑶並びに前記認定事実⑴及び⑷によれば、被告の代表取締役

であった原告Ｂ及び被告の技術顧問であった原告Ａは、本件基礎出願１に係る発明及び本件出願１に係る発明をし、本件事務所の弁理士らに依頼して被告を出願人とする本件出願１及び本件基礎出願１の手続を進めたことが認められ、これによれば、原告らと被告は、本件基礎出願１及び本件出願１において被告を出願人とすることについて合意していたものというべきである。そして、特許出願は、特許を受ける権利を有する者が出願人となって、特許を受ける意思を客観的な表示として特許庁長官に対して特許査定を求めて

5 願書を提出する行為であり、特許出願時には出願人の氏名又は名称を願書に

記載すべきものとされ（特許法３６条１項）、特許出願は特許出願前における特許を受ける権利の承継の第三者対抗要件でもあり（同法３４条１項）、特許権の設定登録により特許権を取得するのは出願人である。以上によれば、発明者が、特許を受ける権利を譲渡していないのに、他人を出願人とすることに同意することは通常考え難いものといえる。そうすると、原告らと被告は、遅くとも本件出願１の時までに、原告らが被告に対し、本件発明１に係る特許を受ける権利の共有持分を譲渡することを合意したものと推認することができる。また、前記認定事実⑹によれば、原告らと被告は、本件基礎出願２及び３並びに本件出願２及び３についても、これらの出願において被告を出願人とすることを合意していたものということができ、同様に、遅くとも本件出願２及び３の時までに、原告らが被告に対し、本件発明２及び３に係る特許を受ける権利の共有持分を譲渡することを合意したものと推認することができる。

⑵ 原告らの主張について

ア 原告らは、原告Ａは、本件各発明に係る特許を受ける権利について本件契約書案と同じ条件の契約書を調印するとの原告Ｂの約束を信じ、本件各出願の出願人を被告とすることに異議を述べなかったが、Ｃらにおいて、本件契約書案と同じ条件で特許を受ける権利を譲り受ける意思を有していなかったため、令和６年８月１８日までに契約の締結を断念したのであって、本件各発明に係る特許を受ける権利の譲渡の合意の成立には至っていないと主張する。しかし、Ｃらが本件契約書案と同じ条件で特許を受ける権利を譲り受ける意思を有していなかったことを含め原告らの主張する事実経過を裏付ける証拠は見当たらない。かえって、Ｄは、原告Ｂに対する令和６年５

5 月のＬＩＮＥで本件契約書案に基づく契約書の作成を勧めており（前記

認定事実⑺）、原告らの主張と整合しない。また、本件において原告らを出願人とすることができなかった事情も見当たらないから、前記⑴に説示したところに照らし、原告らの主張する事実経過は不自然である。イ また、原告らは、本件各発明に係る特許を受ける権利を譲渡する旨の契約書が作成されていないことを指摘する。しかし、特許を受ける権利の譲渡について契約書を作成することは必須ではないし、原告らと被告との間で、同時期に出願された別件出願についても、特許を受ける権利を譲渡する旨の契約書が作成されていなかったこと（前記認定事実⑸）からすれば、本件各発明に係る特許を受ける権利の譲渡について契約書が作成されなかったことは必ずしも不自然ではない。ウ さらに、原告らは、原告らが、原告Ａの研究の成果である本件各発明に係る特許を受ける権利を無償で譲渡するはずがなく、この点からも、本件各発明に係る特許を受ける権利の譲渡がされていないことは明らかであると主張する。しかし、本件各出願の時点で原告らとＣらの関係が悪化していたことはうかがわれず、かえって、原告Ａが、当時、本件各発明の実施による被告の事業の立上げに関する技術面からの無償協力を申し出ていたというのであるから（弁論の全趣旨）、原告らが、本件各出願の時点では、被告との間で対価に関する合意をせずに、まずは特許を受ける権利を被告に譲渡することは十分に考えられるのであり、原告らの主張する点は、前記⑴の認定を左右するには足りない。エ したがって、原告らの主張はいずれも採用することができない。

３ 以上によれば、原告らが被告に対し、本件各出願の時までに、本件各発明に

係る特許を受ける権利の共有持分を譲渡したと認められるから、原告らが本件各発明に係る特許を受ける権利の共有持分を有しているとはいえない。

5 第４ 結論

よって、原告らの請求はいずれも理由がないからこれらを棄却することとして、主文のとおり判決する。東京地方裁判所民事第４６部裁判長裁判官 髙 橋 彩裁判官 西 山 芳 樹裁判官 瀧 澤 惟 子（別紙）特許出願目録

第１ 出願番号 特願２０２２－１８２９４０

5 出願日 令和４年１１月１５日

出願人 株式会社ＱＤジャパン発明の名称 量子ドットを有するナノ複合体及びその製造方法発明者 ＡＢ特許請求の範囲【請求項１】量子ドットを有するナノ複合体の製造方法であって、複数の直線状伝導体が１ｎｍ以上１００μｍ以下の間隔で並んだ隙間を反応場として、前記ナノ複合体のコアであるナノ粒子と、前記ナノ粒子の表面に付着した量子ドットとからなるナノ複合体を、前記直線状伝導体上に析出又は担持させ、複数の前記ナノ複合体が相互に離散もしくは集合して吸着もしくは結合した状態で存在するように合成することを特徴とする量子ドットを有するナノ複合体の製造方法。【請求項２】前記直線状伝導体を直鎖高分子とすることを特徴とする請求項１に記載の方法。【請求項３】前記直鎖高分子をポリアニリンとすることを特徴とする請求項２に記載の方法。【請求項４】前記量子ドットを可視光域にバンドギャップを持つ酸化鉄、硫化鉄、ＣｄＳｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅの少なくともいずれか一種からなるものとすることを特徴とする請求項１に記載の方法。【請求項５】前記ナノ粒子を無機半導体とすることを特徴とする請求項１に記載の方法。【請求項６】

5 前記直線状伝導体を直鎖高分子とし、前記ナノ粒子及び前記量子ドットの少

なくともいずれか一方を、水溶液中の反応もしくは電析反応によって合成し、反応物濃度、反応ｐＨ、反応温度、反応時間の少なくともいずれか一つのパラメータを制御することにより前記直鎖高分子間の隙間に合成することを特徴とする請求項１に記載の方法。【請求項７】前記直線状伝導体を直鎖高分子とし、前記ナノ粒子を酸化鉄もしくはＴｉＯ

２ からなるものとし、前記量子ドットをＦｅＳ ２ からなるものとすることを特

徴とする請求項１に記載の方法。【請求項８】前記直鎖高分子をポリアニリンとし、水溶液中の反応及び電析反応によって前記酸化鉄もしくは前記ＴｉＯ ２ からなるナノ粒子に前記ＦｅＳ ２ からなる量子ドットを析出又は担持させることを特徴とする請求項７に記載の方法。【請求項９】前記酸化鉄もしくはＴｉＯ ２ からなるナノ粒子の形成のプロセスと、前記酸化鉄もしくはＴｉＯ ２ からなるナノ粒子に前記ＦｅＳ ２ からなる量子ドットを析出又は担持させるプロセスとを、繰り返して前記酸化鉄もしくはＴｉＯ ２からなるナノ粒子と前記ＦｅＳ ２ からなる量子ドットからなるナノ複合体を、前記ポリアニリンの高分子直鎖方向に連結させて合成することを特徴とする請求項８に記載の方法。【請求項１０】前記酸化鉄もしくはＴｉＯ ２ からなるナノ粒子及び前記ＦｅＳ ２ からなる量子ドットの少なくともいずれか一方を、水溶液中の反応もしくは電析反応によって合成し、反応物濃度、反応ｐＨ、反応温度、反応時間の少なくともいずれか一つのパラメータを制御することにより前記ポリアニリンの隙間に合成することを特徴とする請求項７に記載の方法。

5 【請求項１１】

前記直鎖高分子を透明電極表面に垂直方向に、かつ、前記直鎖高分子が互いに平行になるように成長させた高分子束が形成する該高分子束間の隙間を反応場とすることを特徴とする請求項２に記載の方法。【請求項１２】請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の方法により製造した量子ドットを有するナノ複合体を、色素増感太陽電池又は有機太陽電池の製造に用いることを特徴とする太陽電池の製造方法。【請求項１３】前記直線状伝導体を直鎖有機高分子として、該直鎖有機高分子を電池の電極にほぼ垂直方向に成長させ、前記直線状伝導体間の隙間を反応場として前記ナノ粒子及び前記量子ドットを形成した直鎖有機高分子を正極とすることを特徴とする請求項１２に記載の太陽電池の製造方法。【請求項１４】前記複数の前記ナノ複合体が相互に離散もしくは集合して吸着もしくは結合した状態で存在するように合成した後、さらに、前記ナノ複合体を前記直線状伝導体から遊離回収することを特徴とする請求項１に記載の方法。【請求項１５】請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の方法により、前記複数の前記ナノ複合体が相互に離散もしくは集合して吸着もしくは結合した状態で存在するように合成した後、さらに、前記ナノ複合体を構成する前記量子ドットを前記直線状伝導体から遊離回収することを特徴とする量子ドットの製造方法。【請求項１６】量子ドットを有するナノ複合体であって、複数の直線状伝導体が１ｎｍ以上１００μｍ以下の間隔で並んだ隙間に、前記ナノ複合体のコアであるナノ粒子と、前記ナノ粒子の表面に付着した量子ドットとからなるナノ複合体を有し、

5 複数の前記ナノ複合体が相互に離散もしくは集合して吸着もしくは結合した状

態で存在することを特徴とする量子ドットを有するナノ複合体。

第２ 出願番号 特願２０２３－１４０３６１

出願日 令和５年８月３０日出願人 株式会社ＱＤジャパン発明の名称 半導体基板、その製造方法及び半導体の製造方法発明者 ＡＢ特許請求の範囲【請求項１】可撓性を有する基板の上に、ＺｎＳ及びＦｅＳ ２ を含むｐ型半導体層を積層させて含むことを特徴とする半導体基板。【請求項２】前記ｐ型半導体層はＺｎＳ及びＦｅＳ ２ の固溶体からなることを特徴とする請求項１記載の半導体基板。【請求項３】前記ｐ型半導体層の上にはＺｎＯからなるｎ型半導体層を積層させて含むことを特徴とする請求項１記載の半導体基板。【請求項４】前記ｎ型半導体層の上には透明電極を積層させて含むことを特徴とする請求項３記載の半導体基板。【請求項５】前記基板と前記ｐ型半導体層との間には、Ａｌからなる金属電極層を挿入されていることを特徴とする請求項４記載の半導体基板。【請求項６】

5 前記基板はＰＥＴからなることを特徴とする請求項４記載の半導体基板。

【請求項７】可撓性を有する基板の上に、ＺｎＳ及びＦｅＳ ２ からなるｐ型半導体層を積層させた半導体基板の製造方法であって、前記基板の上に形成された亜鉛フェライトめっき層を、水素ガスに曝して水素還元処理の後に、硫化水素ガスに曝してＺｎＳ及びＦｅＳ ２ からなるｐ型半導体である前記ｐ型半導体層を形成する工程を備えることを特徴とする半導体基板の製造方法。【請求項８】前記ｐ型半導体層はＺｎＳ及びＦｅＳ ２ の固溶体からなることを特徴とする請求項７記載の半導体基板の製造方法。【請求項９】帯状の前記基板を長手方向に送りつつ反応室を通過させて前記基板の上にＺｎ１－ｘ Ｆｅ２＋ｘＦｅ ３＋ ２Ｏ４（ｘ＝０～１）からなる前記亜鉛フェライトめっき層を形成する工程を備えることを特徴とする請求項７記載の半導体基板の製造方法。【請求項１０】前記基板の膜形成部を上流から下流に送って平皿の上面開口の上に配置し、前記基板の前記膜形成部を前記平皿の内部に配置させる工程、前記平皿内にＦｅ及びＺｎを含む反応液を充填し金属膜を形成させる工程、及び、前記反応液を酸化液に変えて前記金属膜を酸化させて亜鉛フェライトめっき層を形成する工程を備えることを特徴とする請求項９記載の半導体基板の製造方法。【請求項１１】前記金属膜を形成させる工程と、前記金属膜を酸化させて亜鉛フェライトめっき層を形成する工程とを繰り返すことを特徴とする請求項１０記載の半導体基板の製造方法。

5 【請求項１２】

前記反応液はＦｅＣｌ ２ 及びＺｎＣｌ ２ の混合液であることを特徴とする請求項１０記載の半導体基板の製造方法。【請求項１３】前記酸化液はＮａＮＯ ２であることを特徴とする請求項１２記載の半導体基板の製造方法。【請求項１４】前記亜鉛フェライトめっき層を形成する工程において、加熱ブロックにより前記基板の背面を接触加熱して前記膜形成部の温度を１００℃以上で制御することを特徴とする請求項１０記載の半導体基板の製造方法。【請求項１５】前記反応液及び前記酸化液はそれぞれ前記基板の送り方向に沿って前記平皿の内部を流通させることを特徴とする請求項１０記載の半導体基板の製造方法。【請求項１６】ＺｎＳ及びＦｅＳ ２ を含む半導体の製造方法であって、亜鉛フェライトを還元処理する工程、及び、前記還元処理を受けた亜鉛フェライトを硫化水素ガスに曝露する工程、を備えることを特徴とするＺｎＳ及びＦｅＳ ２を含む半導体の製造方法。【請求項１７】前記亜鉛フェライトを還元処理する工程が、前記亜鉛フェライトを水素を含むガスに曝露する工程であることを特徴とする請求項１６記載の半導体の製造方法。【請求項１８】前記ＺｎＳ及びＦｅＳ ２ を含む半導体が、ＺｎＳ及びＦｅＳ ２ の固溶体からなるｐ型半導体であることを特徴とする請求項１６又は１７に記載の半導体

5 の製造方法。

第３ 出願番号 特願２０２３－１４１７５５

出願日 令和５年８月３１日出願人 株式会社ＱＤジャパン発明の名称 半導体組成物、これを含む薄膜及び該薄膜の製造方法発明者 ＡＢ特許請求の範囲【請求項１】ＺｎＳ及びＦｅＳ ２の固溶体からなることを特徴とする半導体組成物。【請求項２】Ｚｎ１－ｘ Ｆｅ ２＋ｘＦｅ３＋ ２Ｏ ４からなる亜鉛フェライト層の一部に、ＺｎＳ及びＦｅＳ ２ の固溶体からなる半導体層が形成されていることを特徴とする半導体薄膜。【請求項３】前記半導体層は前記固溶体とは別にＦｅＳ及び／又はＦｅＳ ２ を含むことを特徴とする請求項２記載の半導体薄膜。【請求項４】Ｚｎ１－ｘ Ｆｅ ２＋ｘＦｅ３＋ ２Ｏ ４からなる亜鉛フェライト層の表面に水素ガスを接触させて還元処理しつつ、前記表面に硫化水素ガスを接触させてＳ ２－ イオンを前記表面から内部に拡散させて前記表面近傍にＦｅＳ及びＦｅＳ ２ を形成させる硫化水素処理工程と、前記硫化水素ガスの供給を停止して保持しＦｅＳ及びＦｅＳ ２ をＺｎＳ及びＦｅＳ ２ の固溶体とする保持工程と、を含むことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。【請求項５】

5 前記硫化水素処理工程は、水素ガスによる還元処理工程後に、水素ガスの

供給を停止し該水素ガスを硫化水素に置換して処理を行う工程を含むことを特徴とする請求項４記載の半導体薄膜の製造方法。【請求項６】前記亜鉛フェライト層を基板上に水溶液反応にて与える亜鉛フェライト膜形成工程を含むことを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体薄膜の製造方法。【請求項７】前記亜鉛フェライト膜形成工程、前記硫化水素処理工程、及び前記保持工程の一連の工程を複数回繰り返すことを特徴とする請求項６記載の半導体薄膜の製造方法。以 上