平成22(行ケ)10247審決取消請求事件

平成２３年４月１４日判決言渡 同日原本領収 裁判所書記官
平成２２年（行ケ）第１０２４７号 審決取消請求事件
口頭弁論終結日 平成２３年３月２４日
判 決
原 告 アプライド ナノテック
ホ ー ル デ ィ ン グ ス
インコーポレーテッド
同訴訟代理人弁理士 志 賀 正 武
渡 辺 隆
村 山 靖 彦
実 広 信 哉
阿 部 達 彦
増 本 要 子
被 告 特 許 庁 長 官
同 指 定 代 理 人 松 浦 久 夫
飯 野 茂
田 部 元 史
豊 田 純 一
主 文
１ 特許庁が不服２００６−１６０５５号事件について
平成２２年３月２３日にした審決を取り消す。
２ 訴訟費用は被告の負担とする。
事実及び理由
第１ 請求
主文１項と同旨
第２ 事案の概要
本件は，原告が，下記１のとおりの手続において，特許請求の範囲の記載を下記
２とする本件出願に対する拒絶査定不服審判の請求について，特許庁が，同請求は
成り立たないとした別紙審決書（写し）の本件審決（その理由の要旨は下記３のと
おり）には，下記４の取消事由があると主張して，その取消しを求める事案である。
１ 特許庁における手続の経緯
(1) 原告（当時の名称：エスアイ ダイアモンド テクノロジー，インコーポ
レイテッド）は，発明の名称を「電界放出デバイス用炭素膜」とする発明について，
平成１０年７月２９日（パリ条約による優先権主張日：平成９年（１９９７年）８
月１３日，アメリカ合衆国）を国際出願日とする特許出願（特願２０００−５１０
１５４）をした（甲３）。
(2) 原告（当時の名称：ナノプロプリエタリー，インコーポレイテッド）は，
平成１８年４月２６日付けで拒絶の査定を受けたので，同年７月２６日，これに対
する不服の審判を請求した。
(3) 原告は，平成２０年９月２２日，出願人名称を現在の名称に変更する名称
変更届を特許庁に提出し（甲８），平成２１年７月６日付けで手続補正（以下「本
件補正」という。甲４）をするとともに，意見書（以下「本件意見書」という。甲
５）を提出した。
(4) 特許庁は，上記請求を不服２００６−１６０５５号事件として審理した上，
平成２２年３月２３日，「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決をし，そ
の謄本は同年４月６日原告に送達された。
２ 特許請求の範囲の記載
本件審決が対象とした本件補正後の請求項１ないし３，６ないし８の記載は，以
下のとおりである。以下，請求項１に記載された発明を「本願発明１」などといい，
まとめて「本願発明」ということがある。また，本件出願に係る本件補正後の明細
書（特許請求の範囲につき甲４，その余につき甲３）を「本願明細書」という。な
お，「／」は，原文の改行部分を示す。
【請求項１】基板上に炭素膜の層を有する電界放出デバイスであって，該炭素膜は
電界の影響下で電子を放出し，該炭素膜は，１５７８ｃｍ −１∼１６２０ｃｍ −１の
範囲のＵＶラマンバンドを有し，該ＵＶラマンバンドは２５ｃｍ−１∼１６５ｃｍ−１
の半値全幅値（ＦＷＨＭ）を有する，電界放出デバイス
【請求項２】前記ＵＶラマンバンドは，１８０ｃｍ −１より大きいＦＷＨＭを有し，
１３６０∼１４２０ｃｍ −１の間である肩部あるいは広帯域バンドを有する，請求
項１に記載の電界放出デバイス
【請求項３】前記炭素膜は，１３１８∼１３４０ｃｍ −１の範囲の，１８ｃｍ −１よ
り大きいＦＷＨＭを有し，かつ請求項１に記載の前記ＵＶラマンバンドよりも低い
強度を有する第２のＵＶラマンバンドを有する，請求項１に記載の電界放出デバイ
ス
【請求項６】基板上に堆積された蛍光体を含むアノードと，／基板上に炭素膜の層
を有するカソードとを有し，／該炭素膜は電界の影響下で電子を放出し，該炭素膜
は，２５ｃｍ −１∼１６５ｃｍ −１の半値全幅値（ＦＷＨＭ）を有する，１５７８ｃ
ｍ −１∼１６２０ｃｍ −１の範囲のＵＶラマンバンドを有する，電界放出ディスプレ
イデバイス
【請求項７】前記ＵＶラマンバンドは，１８０ｃｍ −１より大きいＦＷＨＭを有し，
１３６０∼１４２０ｃｍ −１の間である肩部あるいは広帯域バンドを有する，請求
項６に記載の電界放出ディスプレイデバイス
【請求項８】前記炭素膜は，１３１８∼１３４０ｃｍ −１の範囲の，１８ｃｍ −１よ
り大きいＦＷＨＭを有し，かつ請求項６に記載の前記ＵＶラマンバンドよりも低い
強度を有する第２のＵＶラマンバンドを有する，請求項６に記載の電界放出ディス
プレイデバイス
３ 本件審決の理由の要旨
(1) 本件審決の理由は，要するに，本願明細書の発明の詳細な説明は，当業者
が本願発明１ないし３，本願発明６ないし８に係る発明を実施することができる程
度に明確かつ十分に記載したものとはいえず，平成１４年法律第２４号による改正
前の特許法（以下「法」という。）３６条４項に規定するいわゆる実施可能要件を
満たしていないから，特許を受けることができない，というものである。
(2) なお，本件審決は，その判断の前提として，本願発明の製造工程は，下記
ア，イの刊行物（以下「甲１刊行物」，「甲２刊行物」という。）に記載されてい
る従来の「ダイアモンド状の炭素あるいはＣＶＤ（化学蒸着）ダイアモンド膜」の
製造工程と実質的に同じものであり，これにより従来のものを超える本願発明に係
る炭素膜の製造を保証するものではないこと等を挙げている。
ア 甲１刊行物：特開平８−１５１２９７号公報（甲１）
イ 甲２刊行物：特開平６−１３５７９８号公報（甲２）
４ 取消事由
実施可能要件違反の認定判断の誤り
(1) 本願発明１の実施可能要件違反の認定判断の誤り
(2) 本願発明２，３，６ないし８の実施可能要件違反の認定判断の誤り
第３ 当事者の主張
１ 取消事由１（本願発明１の実施可能要件違反の認定判断の誤り）について
〔原告の主張〕
(1) 本願発明に係る電界放出デバイス用炭素膜の製造方法について
ア 本願明細書の発明の詳細な説明には，
（ウ）水素が１０分未満，
（エ）水素とメタンの混合物が１時間未満，
（オ）他の水素とメタンの他の混合物が２時間未満，
（カ）水素が１５分未満，
の各々を，ＣＶＤ反応器に順次流入することが記載されている。
したがって，本願発明の代表的な製造方法を示す実施例としては，（ウ）ないし
（カ）の全ての製造工程が必須である。よって，原告が代表的な実施例として記載
した事項から，本件審決が必須事項と選択事項とを認定して実施可能要件を判断す
る基礎としたことは，的外れである。
イ 本件審決は，「…炭素膜の形成に影響を及ぼす他のパラメータ（例えば，反
応器の大きさや，メタンの流入量等）については，何ら規定されていない」と認定
したが，パラメータを全て列挙しなければならないとするのであれば，出願人に過
度の負担を強いるものである。
実施可能要件に対する本件審決のような過度な要求は，発明の保護をないがしろ
にするものであって，差し控えるべきである。
(2) 甲１刊行物及び甲２刊行物に基づく従来技術の認定について
本願発明の電界放出デバイスの従来技術としての炭素膜は，「ＣＶＤあるいは欠
陥補強（defect enriched）ＣＶＤダイアモンド膜，又はｓｐ ２結合とｓｐ３結合を
有するダイアモンド状炭素（ＤＬＣ）膜」である。
これに対し，甲１刊行物及び甲２刊行物の技術分野は，本願発明に係る「電界放
出デバイス用炭素膜」とは全く異なるものであるから，これらの刊行物と本願発明
の実施例とを対比して相違点を探索し，実施可能要件違反を認定判断するのは的外
れである。
また，甲１刊行物及び甲２刊行物は，電界放出デバイス用炭素膜を対象物とする
本願発明とは全く技術分野を異にするものであるから，たまたま本願発明の製造パ
ラメータの１つが従来技術の範囲内に入るパラメータを有するとしても，本願発明
が従来技術の製造工程を含むとする本件審決は，失当である。
(3) 本願発明に係る炭素膜が容易に製造可能であること
本願発明に係る炭素膜は，本願明細書及び図面の記載に基づいて，当業者であれ
ば容易に製造可能である。
ア 本願発明は，物の発明として十分に特定されているので，当業者であれば製
造は容易である。電界放出デバイスの当業者であれば，本願明細書（【００１０】
∼【００１２】，【図１】∼【図３】，【図１０】∼【図１２】）に基づき，容易
に本願発明の炭素膜を製造できる。当業者は，本願明細書に記載の範囲でパラメー
タを特定し，所望の特性を有する製造方法を実施すればよいのであるから，第三者
に過度の負担を生じさせることはない。
本願発明に係る炭素膜の主たる構造は，独特な組合せからなる膜であって，特有
の作用効果を奏するものである。したがって，当該特有な作用効果を得るために，
従来とは異なる本願発明の上記の炭素膜の成分を前提にして，本願発明に係る炭素
膜を再現することは，当業者が本願明細書（【００２４】【００２５】【図９】）
のような技術常識を考慮しながらメタン濃度，温度管理，圧力管理，時間管理等の
実施条件を探索することにより，過度の試行錯誤をすることなく可能であるから，
本願発明を容易に実施することができるものである。
イ 原告は，既に，審判の審理において，【００１０】ないし【００１２】のい
ずれかの点において各パラメータを設定すれば，本願発明に到達することができる
ことを示すランシートや追加証拠を提出している。これらの補充資料は，本来，提
出しなくても，このランシートや追加証拠に記載された製造条件は，当業者であれ
ば，本願発明の対象物である炭素膜の構成が明確であるとともに，【００１０】な
いし【００１２】に記載された製造条件並びに【図１】ないし【図３】，【図１
０】ないし【図１２】に記載されたラマン分光特性から導き出せるものである。
〔被告の主張〕
(1) 本願発明に係る電界放出デバイス用炭素膜の製造方法について
ア 本願明細書の記載
(ア) 本願発明の「電界放出デバイス用炭素膜」に係る製造方法について，本願
明細書の発明の詳細な説明の記載（【００１０】∼【００１２】）によれば，本願
発明に係る電界放出デバイス用炭素膜の製造方法には，原告主張の製造工程（ウ）
ないし（カ）が含まれることが把握されるところ，上記各工程の流入時間は上限の
みが規定され，下限に関する規定がないことから，流入時間が０分である場合も含
まれることとなる。流入時間が０分とは，かかる流入工程がないことを意味する。
(イ) 原告は，本件意見書（甲５）において，本願明細書の発明の詳細な説明
（【００１０】∼【００１２】）に開示されている製造方法について，特定のステ
ップが省略できることを説明し，本願発明に係る３つの炭素膜のサンプルを実際に
製造した際に用いたパラメータを記載したランシートを添付するとともに，ランシ
ートの内容をまとめたものとして，【表１】を提示した。
サンプル「ＬＪ０１２７９７−０３−Ａ（図２及び図５）」は，本願発明１に対
応するものであるところ，その炭素膜を製造するステップには，「グロースステッ
プ無し」，「エッチングステップ無し」と記載され，本件意見書では，本願発明１
の製造方法に関し，（オ）及び（カ）の製造工程を必要としないものが説明されて
いる。
次に，サンプル「ＦＦ０３１４９７−０１−Ａ（図３及び図６）」は，本願発明
２に対応するものであるところ，その炭素膜を製造するステップには，「Ｈ２クリ
ーン，グロース，エッチングステップ 無し」と記載され，本件意見書では，本願
発明２の製造方法に関し，製造工程（ウ）（オ）（カ）のステップが省略されたも
のが説明されている。そして，本願発明２は本願発明１を限定したものであるから，
上記サンプルは本願発明１に関するサンプルであるともいうことができる。
なお，サンプル「ＬＪ０１２３９７−０２−Ａ（図１及び図４）」の製造方法に
ついては，製造工程（ウ）（オ）（カ）は，いずれも省略されていない。
以上のとおり，原告が本件意見書において説明した，本願発明に係る炭素膜であ
る３つのサンプルの製造方法によれば，少なくとも本願発明１，２において，製造
工程（ウ）（オ）（カ）は，いずれも省略することが可能な選択的製造工程である
ことが裏付けられる。
(ウ) 以上のように，本願明細書の発明の詳細な説明（【００１０】∼【００１
２】）に記載された，本願発明に係る「電界放出デバイス用炭素膜」の製造方法に
関する記載事項と，本件意見書に記載の本願発明に係る「電界放出デバイス用炭素
膜」の３つのサンプルに関する製造方法についての説明とによれば，製造工程
（ウ）（オ）（カ）は，いずれも省略可能な選択的製造工程であり，本件審決の認
定に誤りはない。
イ 本件審決の説示内容
炭素膜の形成に影響を及ぼすパラメータについて規定されていないとした本件審
決の説示は，本願発明に係る炭素膜の製造方法についての説明が，本願明細書の発
明の詳細な説明（【００１０】∼【００１２】）の記載箇所に限られていることを
指摘したものであり，原告が主張するような，製造方法に必要なあらゆるパラメー
タを全て列挙することを要求したものではない。
(2) 甲１刊行物及び甲２刊行物に基づく従来技術の認定について
ア 従来技術に関する本願明細書の記載内容
(ア) 本願明細書の発明の詳細な説明の記載及び図面の記載によれば，従来技術
である炭素膜の材質は，「ＣＶＤあるいは欠陥補強（defect enriched）ＣＶＤダ
イアモンド膜」及び「ｓｐ ２結合とｓｐ ３ 結合を有するダイアモンド状炭素（ＤＬ
Ｃ）膜」（【００２４】【００２５】）であったところ，電界放出デバイスとして
の性能が不十分であったため，本願発明においては，炭素膜の材質として，新たに，
「薄く（３００ナノメートル未満），アモルフォス，非常に無秩序な黒鉛状炭素，
並びにいくらかの不規則なｓｐ ３ 結合炭素及び秩序立ったｓｐ ３ 結合炭素の，独特
な組合せからなっている炭素膜」（【００２１】）を提案するとともに，本願発明
１を発明したと説明されている。
そして，従来技術に係る炭素膜の５つのラマンスペクトルを示した【図９】によ
れば，上３つのラマンスペクトルは，本願発明１における２つの条件のいずれも満
足せず，下２つのラマンスペクトルは，前者の条件は満足するものの，後者の条件
は満足しないことが読み取れる。
(イ) しかしながら，まず，従来技術である「ＣＶＤあるいは欠陥補強ＣＶＤダ
イアモンド膜」及び「ｓｐ ２結合とｓｐ ３ 結合を有するダイアモンド状炭素（ＤＬ
Ｃ）膜」の製造工程や製造工程に係わる製造条件（パラメータ）についても，本願
明細書又は図面に記載も示唆もない。
本願発明１に係る「電界放出デバイス用炭素膜」は，従来技術の「電界放出デバ
イス用炭素膜」よりも優れた性能を有するものであり，その材質も異なるものであ
るから，その製造方法も当然に異なるはずであるが，それに関する説明は，本願明
細書又は図面には記載も示唆もない。
(ウ) 本願発明１は，「電界放出デバイス用炭素膜」に特徴がある物の発明であ
るから，本願明細書の発明の詳細な説明の記載が実施可能要件を充足するためには，
本願発明１に係る「薄く（３００ナノメートル未満），アモルフォス，非常に無秩
序な黒鉛状炭素，並びにいくらかの不規則なｓｐ ３ 結合炭素及び秩序立ったｓｐ ３
結合炭素の，独特な組合せからなっている炭素膜」が，従来技術である「ＣＶＤあ
るいは欠陥補強ＣＶＤダイアモンド膜」及び「ｓｐ ２結合とｓｐ ３ 結合を有するダ
イアモンド状炭素（ＤＬＣ）膜」とは異なる成分を有するものであるから，本願明
細書の発明の詳細な説明には，当業者が上記「独特な組合せからなっている炭素
膜」を製造可能なように記載する必要がある。
ところが，本願発明１に係る「電界放出デバイス用炭素膜」の製造方法に関する
説明は，従来技術のダイアモンド状炭素（ＤＬＣ）膜の製造方法と比較して，その
改良点を記載していない。そして，本願明細書の当該箇所の炭素膜の製造方法は，
前記(1)のとおり，製造工程（ウ）（オ）（カ）が，いずれも省略可能な選択的製
造工程であり，また，他の製造工程は，いずれも，炭素膜をＣＶＤ法により製造す
る際には不可欠の製造工程及び製造条件である。
そうすると，本願明細書又は図面の記載は，本願発明１に係る炭素膜の製造方法
を記載したものとしては，不十分といわざるを得ない。
(エ) 以上のとおり，本願明細書又は図面には，「電界放出デバイス用炭素膜」
に関する従来技術であるダイアモンド状炭素（ＤＬＣ）膜の製造方法が記載も示唆
もされていないから，本願明細書の炭素膜の製造方法が，一般的なダイアモンド状
炭素（ＤＬＣ）膜の製造方法の域を出ていないものであるか否かを検証するために，
職権により，ダイアモンド状炭素（ＤＬＣ）膜の製造方法に関する技術水準を示す
ものとして甲１刊行物及び甲２刊行物を採用したものである。
イ 甲１刊行物及び甲２刊行物に基づく一般的なダイアモンド状炭素（ＤＬＣ）
膜の製造方法
甲１刊行物及び甲２刊行物には，熱フィラメントＣＶＤ法を用いて炭素膜を製造
する方法が開示されている。ここに記載された一般的なダイアモンド状炭素（ＤＬ
Ｃ）膜の製造方法のうち，本願発明１に係る「電界放出デバイス用炭素膜」の製造
方法における必須の製造工程である（エ）メタン濃度，（ク）フィラメント温度，
（ケ）基板温度，（コ）堆積圧力については，それぞれの製造条件（パラメータ）
が，いずれも，本願明細書の発明の詳細な説明（【００１０】∼【００１２】）の
「電界放出デバイス用炭素膜」の製造条件を満足するものである。
甲１刊行物及び甲２刊行物のダイアモンド状炭素（ＤＬＣ）膜が使用される技術
分野は，本願発明１に係る「電界放出デバイス」の技術分野と異なるものの，本願
発明１は，請求項１で特定されたように，炭素膜を電界放出デバイスとして用いる
ものであり，いわば用途発明とみなせるものである。そうすると，炭素膜について
の実施可能要件を論ずるに当たっては，請求項１で特定された炭素膜の材質，構造
あるいは製造方法の異同が本質といえるものであって，その用途の相違は格別問題
とならないものである。
ウ まとめ
本件審決は，一般的なダイアモンド状炭素（ＤＬＣ）膜の製造方法に関する技術
水準を示すものとして甲１刊行物及び甲２刊行物を採用し，かかる技術水準に照ら
して，本願明細書の発明の詳細な説明に開示された本願発明１に係る炭素膜の製造
方法は，一般的なダイアモンド状炭素膜の製造方法の域を出るものではないから，
本件出願は実施可能要件違反であると判断したものであり，その判断に誤りはない。
(3) 本願発明に係る炭素膜が容易に製造可能でないこと
ア 本願明細書と実施可能要件
(ア) 一般に，物の発明の場合，「物」が異なればその「物」の製造方法も異な
るものとして区別されるが，製造方法が異なるものとして区別されることと，その
「物」の製造方法についての記載内容が実施可能要件を充足することとは，無関係
であり，単に「物」が従来のものと区別されることをもって，その「物」の製造方
法についての記載内容が実施可能要件を充足することにはならない。
ただし，例外として，「物」の発明が例えば機械や電気の分野における物品の物
理的組合せで特定されるような場合，その物品の組合せから技術常識をもってすれ
ば，その製造方法が類推できる場合もある。
しかしながら，本願発明１に係る「電界放出デバイス用炭素膜」は，それを特定
する請求項１の記載からも把握できるように，その膜構造はもとより，その材質や
成分によって特定されたものではなく，製造された炭素膜から得られる光学的特性
であるラマンスペクトルのピーク位置（１５７８ｃｍ −１∼１６２０ｃｍ −１の範囲
のＵＶラマンバンドを有する）及び形状（ＵＶラマンバンドは２５ｃｍ −１∼１６
５ｃｍ −１の半値全幅値（ＦＷＨＭ）を有する）を示す数値限定により特定しよう
とする，いわゆるパラメータ発明といえるものである。そして，本願明細書（【図
１】∼【図３】）は，本願発明１ないし３に係る炭素膜のＵＶラマンスペクトルを
示し，本願明細書（【図１０】∼【図１２】）は，炭素膜の可視ラマンスペクトル
を示しているにすぎない。このようなパラメータによって特定される本願発明１が，
前記した例外に該当しないことは明らかであり，その製造方法がいかなるものかに
関しても，当業者が，炭素膜の製造方法に係る技術常識をもってしても類推できる
ものではない。
(イ) また，本願発明１に係る「電界放出デバイス用炭素膜」は，「薄く（３０
０ナノメートル未満），アモルフォス，非常に無秩序な黒鉛状炭素，並びにいくら
かの不規則なｓｐ ３ 結合炭素及び秩序立ったｓｐ ３結合炭素の，独特な組合せから
なっている炭素膜」なるものであり（【００２１】），従来技術の「ＣＶＤあるい
は欠陥補強ＣＶＤダイアモンド膜」及び「ｓｐ ２ 結合とｓｐ ３結合を有するダイア
モンド状炭素（ＤＬＣ）膜」（【００２４】【００２５】）とは，その成分が異な
るものとして説明されている。
しかしながら，前記(2)アのとおり，本願明細書又は図面には，従来技術の炭素
膜についての製造方法及び従来との変更点について，何ら記載も示唆もなされてい
ない。しかも，例えば各成分の比率について何ら開示されていない。通常，材料は，
その材料を構成する各成分の比率を変えることにより，その特性も変化することを
考慮すれば，当業者が，一般的なダイアモンド状炭素（ＤＬＣ）膜の製造方法の域
を出ていない本願明細書の発明の詳細な説明の記載に基づいて，本願発明１に係る
「電界放出デバイス用炭素膜」を製造できることが保証されることにはならない。
(ウ) 加えて，本願発明１に係る炭素膜の前提となる炭素膜であり，従来技術に
係る炭素膜とは成分の異なる「薄く（３００ナノメートル未満），アモルフォス，
非常に無秩序な黒鉛状炭素，並びにいくらかの不規則なｓｐ３結合炭素及び秩序立
ったｓｐ３結合炭素の，独特な組合せからなっている炭素膜」において，さらに請
求項１で特定される「１５７８ｃｍ −１∼１６２０ｃｍ −１の範囲のＵＶラマンバン
ドを有し，ＵＶラマンバンドが２５ｃｍ −１∼１６５ｃｍ −１の半値全幅値（ＦＷＨ
Ｍ）を有する」光学的特性を再現するために必要な製造工程や製造条件（パラメー
タ）についても，本願明細書又は図面には何ら開示されていない。
(エ) よって，本願発明１に係る炭素膜を再現するためには，一般的なダイアモ
ンド状炭素（ＤＬＣ）膜の製造方法に従って，まず，独特な組合せからなっている
炭素膜を製造し，その製造された炭素膜の試料のラマンスペクトルを測定し，その
スペクトルが所望なものとなっているか否かを確認し，所望のものとなっていなけ
れば，メタン濃度（エ），フィラメント温度（ク），基板温度（ケ），堆積圧力
（コ）等の製造条件（パラメータ）を変更し，再度，行わなければならない。それ
を繰り返すと，仮に，上記４つの各製造条件（パラメータ）について，それぞれ１
０個の値を選定したとすると，その場合の組合せの数は，最大で１０の４乗（１万
通り）という膨大なものとなる。
(オ) 以上のとおり，所望のラマンスペクトルを有する炭素膜を得るには，当業
者に過度の試行錯誤を強いるものというべきであるから，本願明細書の発明の詳細
な説明は，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が本願発明
１の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているとはいえない。
イ ランシート記載のサンプルと実施可能要件
(ア) 原告が本件意見書に添付したランシートに記載された３つのサンプルにつ
いて，前記４つの製造条件（パラメータ）がカバーする範囲は，本願明細書の発明
の詳細な説明（【００１０】∼【００１２】）に記載された製造条件（パラメー
タ）の範囲の一部分でしかない。しかも，各製造工程（エ）（ク）（ケ）（コ）に
おいて，いくつかのサンプルは，甲１刊行物又は甲２刊行物に記載のものと，その
製造条件（パラメータ）に格別の相違があるわけでもない。
(イ) そうすると，ランシートに記載の３つのサンプルのように，本願明細書の
発明の詳細な説明（【００１０】∼【００１２】）に記載の製造方法に従って，当
業者が最終的には本願発明１を実施することができる域に到達するとしても，そこ
に到達するためには，当業者は合理的に期待できる程度をはるかに超える試行錯誤
を要するものである。
よって，ランシートを参酌しても，本願明細書の発明の詳細な説明の記載が，実
施可能要件を充足するものとはいえない。
ウ まとめ
以上のとおり，本願発明１に係る炭素膜は，当業者であれば，本願明細書の記載
に基づき，容易に製造可能であるとの原告の主張は，失当である。
２ 取消事由２（本願発明２，３，６ないし８の実施可能要件の判断の誤り）に
ついて
〔原告の主張〕
(1) 本願発明２について
請求項２の炭素膜は，本願明細書（【００２２】，【図３】）の記載からも裏付
けられるものであり，本願発明２の炭素膜の構成は，本願明細書の記載から明らか
である以上，本願明細書（【００１０】∼【００１２】，【図３】）の記載からこ
のような炭素膜を再現して実施することは，電界放出デバイス分野の当業者にとっ
て容易であることは明白である。
(2) 本願発明３について
本願発明３は本願明細書の記載及び【図１】から明らかであるから，このような
炭素膜を再現して実施することは，電界放出デバイス分野の当業者にとって容易で
ある。
(3) 本願発明６ないし８について
本願発明６ないし８の実施可能要件についても，本件審決が誤りであることは，
本願発明１ないし３が実施可能要件を充足することから，明らかである。
〔被告の主張〕
本願発明２及び３は，本願発明１に対して，更にＵＶラマンバンドの条件に関し
て限定を付しているものであり，本願発明２及び３に係る炭素膜を製造するために
は，本願発明１に係る炭素膜の製造方法に加えて，更に何らかの特定の製造工程又
は製造条件が必要であることは明らかである。しかしながら，本願明細書の発明の
詳細な説明又は図面には，本願発明２及び３を実施するための具体的な製造方法に
ついて，何ら記載も示唆もされていない。その点は，本願発明６ないし８について
も同様である。
したがって，本願発明２，３，６ないし８についても，本願明細書の発明の詳細
な説明の記載は実施可能要件を充足しない。
第４ 当裁判所の判断
１ 本願明細書の記載等
(1) 本願発明に係る特許請求の範囲の記載は，前記第２の２のとおりであり，
本願明細書の発明の詳細な説明には，以下の記載がある。
ア 炭素膜の製造工程（【００１０】）
図８において，炭素層は，熱いフィラメントによって補助された化学蒸着（「Ｃ
ＶＤ」）プロセスを用いて堆積し得る。基板（必要であればこの上に導電層が堆積
される）は，ＣＶＤ反応器中のホルダー上に載置される。水素ガスが，反応器にお
よそ１０分間未満，流入される。次に，メタンのパーセンテージが５０％未満であ
る，水素及びメタンの混合物が，反応器の中に１時間未満，流入される。上記工程
におけるよりもメタンのパーセンテージが低い，別の水素及びメタンの混合物が，
反応器に２時間未満，流入される。そして，ＣＶＤ反応器内において，水素のフロ
ーが１５分未満行われる。
イ 炭素膜の製造条件（【００１１】【００１２】）
少量の酸素，窒素，あるいはホウ素ドーパントが，上記ガス流に含まれてもよい。
フィラメント８０４の温度は，１６００℃∼２４００℃の範囲に設定され，基板
の温度は，６００℃∼１０００℃の間に設定されている。堆積圧力は，５∼３００
torr の間である。
ウ 本願発明に係る炭素膜の特性（【００１３】【００２１】）
このプロセスから得られる炭素膜は，従来技術のダイアモンド状の炭素あるいは
ＣＶＤダイアモンド膜に比べて，優れた放出特性を示す。上記の方法で堆積された
３つのサンプルの炭素膜上において，ＵＶラマンスペクトルが測定された。２４４
ｎｍ及び２∼７ｍＷの励起ソースを用い，１１００ｃｍ −１∼１８５０ｃｍ −１の周
波数内で，上記の方法で製造された炭素膜は，１５７８ｃｍ −１∼１６２０ｃｍ −１
の範囲で，２５∼１６５ｃｍ −１のＦＷＨＭを有する明確なＵＶラマンバンドを有
する。また，１３１８∼１３４０ｃｍ −１の範囲で，１８ｃｍ −１より大きいＦＷＨ
Ｍを有する，より小規模の線も存在し得る。１３６０∼１４１０ｃｍ −１の間には，
１８０ｃｍ−１よりも大きいＦＷＨＭを有するバンドも時々存在する。
本願発明の炭素膜は薄く（３００ナノメートル未満），アモルフォス，非常に無
秩序な黒鉛状炭素，並びにいくらかの不規則なｓｐ３ 結合炭素及び秩序立ったｓｐ３
結合炭素の，独特な組合せからなっている。これらの膜における秩序立ったｓｐ３
結合炭素（すなわち，ダイアモンド構造）の成分あるいは量は非常に小さいため，
ＵＶラマンスペクトルは従来の可視ラマンスペクトルに比べ２５倍もダイアモンド
／黒鉛状炭素比に対して敏感であるという事実にもかかわらず，一般的な機器動作
条件において，ＵＶラマンスペクトル中の１３３２ｃｍ −１周辺の明白なラマン励
起線はほとんどの場合出現しないか，あるいは，出現したとしてもｓｐ２結合炭素
のそれよりも小規模である（図１∼３参照）。
エ 炭素膜の３つのサンプル（【００１５】∼【００１７】）
第１の炭素層サンプルのＵＶラマンスペクトル(図１)は，１５８０．８ｃｍ −１
において，ＦＷＨＭが８９．７ｃｍ −１ の明確なＵＶラマンバンドを有する。また，
１３２９．７ｃｍ −１において，ＦＷＨＭが２４．６ｃｍ −１の，ずっと小規模な線
がある。
第２の炭素層サンプルのＵＶラマンスペクトル(図２)は，１５８３．４ｃｍ −１
において，ＦＷＨＭが４５．３ｃｍ−１のＵＶラマンバンドを示した。
第３の炭素層サンプルのＵＶラマンスペクトル(図３)は，１６１２．２ｃｍ −１
において，ＦＷＨＭが７７ｃｍ −１の明確なＵＶラマンバンドを有していた。この
膜は，１４０８ｃｍ−１の肩部も示した。
オ 炭素膜の構造（【００２２】【００２３】【００２７】）
秩序立ったｓｐ３の結合炭素の領域サイズは，そのラマン線のＦＷＨＭ及び周波
数偏移から判断すると，おそらく６０オングストローム未満である（図１参照）。
これらの膜におけるｓｐ ３結合，特にアモルフォスｓｐ ３ の存在は，周波数の上方
偏移及び／又は図３に示されるような，１５８０ｃｍ−１周辺の典型的なｓｐ ３炭素
励起線の低周波側の強い肩部から，推測されることが多い。この肩部は，１５８０
ｃｍ −１線がそれほど強くない場合，１３６０∼１４１０ｃｍ −１の範囲で１８０ｃ
ｍ −１より大きいＦＷＨＭを有する広帯域バンドとして時々出現し得る。幾つかの
膜においては，若干の上方周波数偏移及び幅広化が見られるほぼ典型的な黒鉛状炭
素線が出現したものもあった。これは，膜中にｓｐ３結合炭素の成分がほとんどな
く，黒鉛状炭素構造がより多く存在することを示している（図２参照）。
図１０∼１２は，図１∼３をそれぞれ参照して説明した３つのサンプル上におけ
る，可視ラマンスペクトルである。可視ラマンスペクトルは，５１４．５ナノメー
トル，１０ミリワットの励起ソースによって得られた。これらの３つのラマンスペ
クトルは，およそ１３５０ｃｍ −１（Ｄピーク）及び１５８０ｃｍ −１（Ｇピーク）
において，Ｄ／Ｇペアピークを明らかに示している。典型的には，本願発明の炭素
膜のＤピークは，１３４０ｃｍ −１∼１３８０ｃｍ −１の間であり，Ｇピークは１５
７８ｃｍ−１∼１６２０ｃｍ−１の間である。
これらの放出特性により，これらの炭素膜は，非常に均一な高性能電界放出電子
デバイス用として特に望ましく，表面全体に均一に放出を行う。
カ 従来技術との相違（【００２４】【００２５】）
電界放出アプリケーションに適していると報告されている従来の炭素膜には，Ｃ
ＶＤあるいは欠陥補強（defect enriched）ＣＶＤダイアモンド膜（窒素又はホウ
素ドープあるいはイオン注入されたダイアモンド膜など）及び，主にｓｐ３結合を
有するダイアモンド状炭素（ＤＬＣ）膜がある。大部分がダイアモンド結合炭素か
らなり，領域サイズが６０オングストロームよりもずっと大きいＣＶＤあるいは欠
陥ＣＶＤダイアモンド膜は，典型的には，１３３２ｃｍ −１近傍においてＦＷＨＭ
が１８ｃｍ −１未満である主ダイアモンド励起線を示し，そして１５８０ｃｍ −１近
傍において，１７０ｃｍ −１より大きいＦＷＨＭを有し，広帯域であるがしばしば
より小規模であるバンドを，ＵＶラマンスペクトル中において示す。きめの細かい
ＣＶＤダイアモンド膜が，可視ラマン中で時々１３３２ｃｍ −１近傍において微弱
あるいはほとんど視認できない偏移をしばしば示すことを示す報告がされてきたが，
ダイアモンド及び黒鉛状炭素率に対するＵＶラマンの超感受性により，微粒子状Ｃ
ＶＤダイアモンド膜のＵＶラマンは，強く鋭いダイアモンド線を示すことに，留意
されたい。すなわち，本願発明でクレームされる膜は，ダイアモンド構造がより少
ない。ほとんどの場合，この膜の存在は，ＵＶラマンによってでさえ全く検出され
ない。
ｓｐ ３結合を主とするＤＬＣ膜が，電界放出アプリケーションに適するとされて
きた。これらのＤＬＣ膜のＵＶラマンスペクトルも，１５８０∼１６２０ｃｍ −１
において励起線を示すが，それらの可視ラマンは１５８０ｃｍ −１線（Ｇバンド）
及び１３５０ｃｍ −１線（Ｄバンド）のいずれをも示さない。むしろ，はっきりと
した非対称性と１５１０∼１６００ｃｍ −１ の間に位置する広帯域バンドを有する。
さらに，ＵＶラマンにおいてでさえ，これらのｓｐ３結合を主とするＤＬＣ膜は常
に，およそ１１５０ｃｍ −１にピークを有する別の広帯域バンドあるいは肩部を有
し，これらの１５８０ｃｍ −１線のＦＷＨＭは，しばしば１６５ｃｍ −１よりも大き
い。この１１５０ｃｍ −１における第２のバンドは，従来技術のＤＬＣ膜と本願発
明の炭素膜との間に，更なる相違点を提供するものである。
(2) なお，本願明細書には，図面が付され，【図１】ないし【図３】は，本願
発明による炭素膜のＵＶラマンスペクトルであり，【図１０】ないし【図１２】は，
その可視ラマンスペクトルである。また，【図８】には，本願発明の炭素膜を堆積
するための装置が記載されている。
２ 取消事由（本願発明１の実施可能要件違反の認定判断の誤り）について
(1) 実施可能要件の意義
法３６条４項は，「発明の詳細な説明は，…その発明の属する技術の分野におけ
る通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に，記
載しなければならない」と規定している（以下「実施可能要件」ということがあ
る。）。
特許制度は，発明を公開する代償として，一定期間発明者に当該発明の実施につ
き独占的な権利を付与するものであるから，明細書には，当該発明の技術的内容を
一般に開示する内容を記載しなければならない。法３６条４項が上記のとおり規定
する趣旨は，明細書の発明の詳細な説明に，当業者が容易にその実施をすることが
できる程度に発明の構成等が記載されていない場合には，発明が公開されていない
ことに帰し，発明者に対して特許法の規定する独占的権利を付与する前提を欠くこ
とになるからであると解される。
そして，本件のような物の発明における発明の実施とは，その物を生産，使用等
をすることをいうから（特許法２条３項１号），物の発明については，その物を製
造する方法についての具体的な記載が必要であるが，そのような記載がなくても明
細書及び図面の記載並びに出願時の技術常識に基づき当業者がその物を製造するこ
とができるのであれば，実施可能要件を満たすということができる。
(2) 本願発明に係る炭素膜の製造方法について
ア 本願発明に係る炭素膜の構造
本願明細書において，従来技術とされている電界放出デバイスに適用される炭素
膜は，「ＣＶＤあるいは欠陥補強ＣＶＤダイアモンド膜又は主にｓｐ３結合を有す
るダイアモンド状炭素（ＤＬＣ）膜」である（【００２４】）。「ダイアモンド
膜」とは，「ダイアモンド結晶構造を有する膜」であり，「ダイアモンド状炭素
（ＤＬＣ）膜」とは，「ｓｐ ２ とｓｐ ３ 結合が混合したアモルフォス膜」であり，
ＵＶラマンスペクトルは，１５８０∼１６２０ｃｍ −１において励起線を示すが，
可視ラマンは１５８０ｃｍ −１線（Ｇバンド）及び１３５０ｃｍ −１線（Ｄバンド）
のいずれをも示さない（【００２５】）。
これに対し，本願発明の炭素膜は，従来技術のダイアモンド状の炭素あるいはＣ
ＶＤダイアモンド膜に比べて，優れた放出特性を示すもので（【００１３】），
「ダイアモンド状」炭素膜ではなく，また単なる「ダイアモンド」膜でもなく，
「アモルフォス，非常に無秩序な黒鉛状炭素，並びにいくらかの不規則なｓｐ３結
合炭素及び秩序立ったｓｐ ３ 結合炭素の，独特な組合せからなる」ものである
（【００２１】）。そして，このような炭素膜は，ダイアモンド／黒鉛状炭素比に
関し，可視ラマンスペクトル分光法に比べて極めて感度の高いＵＶラマンスペクト
ル分光法によってもダイアモンド成分に特有の１３３２ｃｍ −１のラマン励起線は
出現しないか，出現しても小規模であり（【図１】），１５７８ｃｍ −１∼１６２
０ｃｍ −１の範囲のＵＶラマンバンドを有し，該ＵＶラマンバンドは２５ｃｍ −１∼
１６５ｃｍ−１の半値全幅値（ＦＷＨＭ）を有するものである。
このように，従来技術の炭素膜と本願発明の炭素膜とは，構造及び特性において
十分に区別されているということができる。
イ 本願発明に係る炭素膜の製造方法
前記１のとおり，本願明細書には，本願発明の製造工程として，以下の記載があ
る（【００１０】）。
（ア）炭素層は，熱いフィラメントによって補助された化学蒸着（「ＣＶＤ」）プ
ロセスを用いて堆積し得る。
（イ）基板は，ＣＶＤ反応器中のホルダー上に載置される。
（ウ）水素ガスが，反応器におよそ１０分間未満，流入される。
（エ）次に，メタンのパーセンテージが５０％未満である，水素及びメタンの混合
物が，反応器の中に１時間未満，流入される。
（オ）上記工程（エ）におけるよりもメタンのパーセンテージが低い，別の水素及
びメタンの混合物が，反応器に２時間未満，流入される。
（カ）そして，ＣＶＤ反応器内において，水素のフローが１５分未満行われる。
また，本願明細書には，上記製造工程における製造条件としては，以下のことも
記載されている（【００１１】【００１２】）。
（キ）少量の酸素，窒素，あるはホウ素ドーパントが，ガス流に含まれてもよい。
（ク）フィラメントの温度は，１６００℃∼２４００℃の範囲に設定される。
（ケ）基板の温度は，６００℃∼１０００℃の間に設定されている。
（コ）堆積圧力は，５∼３００torr の間である。
ウ 本件意見書の記載
原告は，法３６条４項違反等を指摘する拒絶理由通知書に対応して，平成２１年
７月６日，本件意見書を提出した（甲５）。
本件意見書には，本願発明に係る３つの炭素膜を製造した際に用いられたパラメ
ータを記載したランシート及びそれをまとめた【表１】が添付されている。それに
よれば，サンプル「ＬＪ０１２３９７−０２−Ａ（図１及び図４）」，サンプル
「ＬＪ０１２７９７−０３−Ａ（図２及び図５）」及びサンプル「ＦＦ０３１４９
７−０１−Ａ（図３及び図６）」の３つの炭素膜のサンプルを製造した際，クリー
ン，シーディング，グロース，エッチングの各ステップにおけるフィラメント温度，
基板温度，堆積圧力，ガス混合物が記載され，説明されている。
また，本件意見書には，水素の流速が非常に低くダイアモンド微結晶が非常に小
さい場合には，炭素膜がグラファイト膜に近づき，ダイアモンド微結晶が大きくな
ると，炭素膜の性質がダイアモンド膜に近づくことが，文献を上げて説明されてい
る。
エ 当業者の技術常識
従来のＤＬＣ膜は，ダイアモンド構造が多い場合も少ない場合も存在することは，
本願明細書にもあるとおり，公知である。このことや，本件意見書中の上記記載に
よれば，当業者であれば，ｓｐ３結合を少なくして１５８０ｃｍ−１近傍のピークの
半値幅を小さくする実施条件を，予測することができるものと解される。
オ 小括
以上総合すれば，本願明細書には，本願発明１に係る炭素膜の製造方法が記載さ
れているところ，記載された条件の中で，当業者が技術常識等を加味して，具体的
な製造条件を決定すべきものであり，これにより本願発明１に係る炭素膜を製造す
ることは，可能であるというべきである。
(3) 本件審決の判断について
ア 本件審決は，①本願発明１で用いられる炭素膜の製造工程は，上記(2)イの
（ア）（イ）（エ）が必須の製造工程であるが，同（ウ）（オ）（カ）は選択的な
ものであること，②本願発明の製造工程は，従来の「ダイアモンド状の炭素あるい
はＣＶＤダイアモンド膜」の製造方法として甲１刊行物及び甲２刊行物に記載され
ている製造工程と実質的に同じものであり，その製造条件は，従来の「ダイアモン
ド状の炭素あるいはＣＶＤダイアモンド膜」の製造方法として上記刊行物に記載さ
れている製造条件を含むから，発明の詳細な説明に記載されている炭素膜の製造工
程は，当該製造工程により従来のダイアモンド状の炭素あるいはＣＶＤダイアモン
ド膜が製造できても，それを超える本願発明１に係る炭素膜の製造を保証するもの
ではないこと，③炭素膜の製造方法における温度，圧力等の製造パラメータが多数
あり，かつ，その数値範囲もＣＶＤダイアモンド膜が製造できる数値を含んでいる
ことから，当業者は，種々の製造パラメータにおける適正な範囲やそれらの組合せ，
その他の製造パラメータについて更に特定して，所望の特性を有する炭素膜を製造
する方法を見つけ出さなくてはならず，当業者が過度の試行錯誤を強いられること，
④したがって，本願発明１の電子放出デバイスが有する「炭素膜」を実施するため
の製造方法に関して，発明の詳細な説明には，従来のダイアモンド膜を含む一般の
「炭素膜」を製造する方法が記載されているにすぎず，請求項１に記載したＵＶラ
マンバンドに関する特性を有する特定の炭素膜を実施するための製造方法が，明確
かつ十分に記載されているものとはいえないし，本願発明１の「炭素膜」を得るた
めの具体的な製造方法が，当業者の技術常識であったともいえないと判断した。
イ しかしながら，本件審決の上記①ないし③の判断は，以下のとおり，誤りで
ある。
(ア) 上記①について
本願明細書（【００１０】）には，本願発明の製造工程が工程順に記載されてい
るのであるから，当業者は，明細書の記載としては，代表的な製造プロセスの全工
程が一体として記載されていると理解するのが通常であると解される。そして，製
造工程のうち，上記(2)イの（ウ）（オ）（カ）の工程について，時間の上限のみ
が言及されているからといって，その工程が省略可能であり，その余の同（ア）
（イ）（エ）の工程のみが必須の製造工程であると解することは相当とはいえない。
また，本願明細書の記載（【００２１】∼【００２４】【００２７】）からは，本
願発明の炭素膜は秩序だったｓｐ３結合炭素の領域が非常に小さく，均一に分散し
ているという特徴的組織構造を有しており，本願明細書の記載（【００１０】∼
【００１２】）及び本件意見書（甲５）の上記記載等によると，水素流速を非常に
小さくして形成するとダイアモンド微結晶が形成できることが示されており，本願
明細書の【００１０】ないし【００１２】で示された範囲の中でも，ガス濃度を小
さくする等の結晶を大きくさせない条件によって，ダイアモンド微結晶が形成でき
ることが示唆されているということができる。
よって，本願明細書【００１０】の製造工程中，上記(2)イの（ア）（イ）
（エ）のみが必須の製造工程であるとした本件審決の上記①の判断は，誤りである。
(イ) 上記②について
甲１刊行物は，耐摩耗性，耐熱性及び耐欠損性に優れた工具用ダイアモンドを製
造するための方法に関するものである（【０００１】）。甲１刊行物には，【請求
項１】に記載されるように，多結晶ダイアモンドを気相合成する方法の原料ガスの
水素に対する炭素源の濃度を経時的にかつ周期的に変化させる方法が記載されてお
り，実施例として，【００３３】及び【００３４】のプロセスを繰り返すことが記
載されている（【００３２】∼【００３５】）。しかしながら，甲１刊行物は，あ
くまでもダイアモンド膜の文献であり，形成される炭素膜に関して，Ｘ線解析によ
ってより硬く摩耗しにくく劈開しにくい多結晶ダイアモンドを製造するために
（【００１５】），多結晶ダイアモンドがどのような結晶面を有しているかを分析
しているだけであって，アモルフォス部分や非常に無秩序な黒鉛状の部分が混合さ
れている点や，ｓｐ ２結合状態とｓｐ ３ 結合状態の分布を問題にしている点に関し
て何ら認識していないものである。たとえ，【００３３】【００３４】のプロセス
のうち一部を取り出せば，本願明細書【００１０】ないし【００１２】に重複する
条件があるとしても，本願発明とは膜構造や特性が異なるダイアモンド膜に関する
甲１刊行物によって，ＵＶラマンバンドを特定して，電界放出デバイス特性を向上
させた本願発明の記載要件判断における，一般的なダイアモンド状炭素（ＤＬＣ）
膜の製造方法に関する技術水準を認定すること自体，誤りである。
また，甲２刊行物は，多結晶薄膜ダイアモンドを形成する薄膜ダイアモンドの製
造方法に関するものである。甲２刊行物には，ダイアモンドの硬度，熱伝導率，透
光性，耐熱性を利用した半導体分野での応用を前提として発明がされていること
（【０００１】∼【０００３】），ダイアモンド結晶合成時の核発生密度を高める
ことで緻密な薄膜ダイアモンドを実現し，薄膜ダイアモンドと基板との界面での応
力緩和を課題としていること（【０００８】）が記載されており，水素−メタン混
合ガスを用いた合成条件が開示されている（【００４８】）。しかしながら，甲２
刊行物は，フッ酸を含む電解液中での陽極化成処理で基板表面に多孔質層を形成し
て格子歪みを導入した後，薄膜ダイアモンドを気相合成して，できるだけ多くの核
発生を生じさせ，最終的に連続膜を形成することを目的としたものであり（【請求
項１】【００５１】），アモルフォス部分や非常に無秩序な黒鉛状炭素の部分が混
合されている点や，ｓｐ ２結合状態とｓｐ ３ 結合状態の分布を問題にしている点に
関して何ら認識していない。たとえ，【００４８】のプロセスのうち一部を取り出
せば，本願明細書【００１０】ないし【００１２】に重複する条件があるとしても，
本願発明とは膜構造や特性が異なるダイアモンド膜に関する甲２刊行物によって，
ＵＶラマンバンドを特定して，電界放出デバイス特性を向上させた本願発明の記載
要件判断における，一般的なダイアモンド状炭素（ＤＬＣ）膜の製造方法に関する
技術水準を認定すること自体，誤りである。
なお，被告は，炭素膜についての実施可能要件を論ずるに当たっては，請求項１
で特定された炭素膜の材質，構造あるいは製造方法の異同が本質といえるものであ
って，その用途の相違は格別問題とならないと主張する。しかし，対象としている
用途が異なることに起因して着目している炭素膜の構造や特性が異なっており，本
願発明では，アモルフォス構造等の中に秩序立ったｓｐ３結合炭素（ダイアモンド
構造）を非常に少量，均一性をもって分散させることに着目するのに対し，甲１刊
行物及び甲２刊行物は，均一な多結晶ダイアモンド層を形成することに着目してい
ることからみて，膜構造について着目している点がそもそも異なり，かつ，実際の
膜構造も異なっているのであるから，甲１刊行物及び甲２刊行物を実施可能要件判
断のための技術水準の認定に用いることは，相当でない。
よって，甲１刊行物及び甲２刊行物に基づき技術水準の認定をした本件審決の上
記②の判断は，誤りである。
(ウ) 上記③について
なお，本件審決の上記③の判断は，全てのパラメータの開示が必要であることを
述べたものではなく，炭素膜の形成に影響を及ぼす他のパラメータの存在を指摘し
て，開示条件の記載が少ないことを指摘したものにすぎないと解される。そして，
被告が主張するような無数の試行錯誤があるわけではなく，当業者にとって過度な
試行錯誤とまではいえない。
(4) 被告の主張について
ア 被告は，当業者が，一般的なダイアモンド状炭素（ＤＬＣ）膜の製造方法の
域を出ていない本願明細書の発明の詳細な説明の記載に基づいて，本願発明１に係
る「電界放出デバイス用炭素膜」を製造できることが保証されることにはならない
と主張する。
しかし，本願明細書に記載された複数の条件の全範囲で，本願発明が製造できる
必要はなく，技術分野や課題を参酌して，当業者が当然行う条件調整を前提として，
【００１０】ないし【００１２】に記載された範囲から具体的製造条件を設定すれ
ばよい。
イ 被告は，本件意見書に添付したランシートに記載された３つのサンプルにつ
いて，４つの製造条件（パラメータ）がカバーする範囲は，本願明細書の発明の詳
細な説明（【００１０】∼【００１２】）に記載された製造条件（パラメータ）の
範囲の一部分でしかないと主張する。
しかし，本来，物の発明において，適用可能な条件範囲全体にわたって，実施例
が必要とされるわけではない。物の発明においては，物を製造する方法の発明にお
いて，特許請求の範囲に製造条件の範囲が示され，公知物質の製造方法として，方
法の発明の効果を主張しているケースとは，実施例の網羅性に関して，要求される
水準は異なるものと解される。
なお，本件意見書のランシートに記載された３つのサンプルは，本願明細書
（【００１０】∼【００１２】）で示された範囲のうち，偏った部分の具体例，す
なわち，メタン濃度が低く，流入時間が短い部分の具体例，基板温度も低い部分の
具体例，堆積圧力も低い部分の具体例であるといわざるを得ない。しかしながら，
本願発明が，「薄く（３００ナノメートル未満），アモルフォス，非常に無秩序な
黒鉛状炭素，並びにいくらかの不規則なｓｐ ３ 結合炭素及び秩序立ったｓｐ ３ 結合
炭素の，独特な組合せからなっている炭素膜」（【００２１】）という目標構造を
持っている以上，膜厚の大きな，結晶性の高い膜を得るためには，原料ガスを十分
に供給して，基板温度を上げて結晶性を高めることが一般的膜形成の技術常識とい
うべきであるから，これは予測可能な結果であるということができる。
そして，クリーニングやエッチングを行う前提で，結晶核を形成する段階（シー
ディング工程）ではメタン濃度をある程度高くし，発生した結晶核を成長させる段
階（グロース工程）では，メタン濃度を下げるという方法で，本件意見書（甲５）
のランシートのサンプル（ＬＪ０１２３９７−０２−Ａの試料）が製造できたので
あり，最終目標とする炭素膜の構造である無秩序なマトリックス内に秩序立ったｓ
ｐ３結合炭素が均一に少量存在するというものの製造方法ということができる。
以上のとおり，本願明細書【００１０】ないし【００１２】の条件範囲は，製造
可能なパラメータ範囲を列挙したと捉えるべきで，当業者は具体的な製造条件決定
に際しては，技術常識を加味して決定すべきものである。
(5) 小括
以上のとおり，取消事由１は，理由がある。
３ 取消事由（本願発明２，３，６ないし８の実施可能要件違反の認定判断の誤
り）について
(1) 本願発明２，３について
本件審決は，本願発明２及び３について，本願発明１に係る炭素膜を製造する過
程の記載がないことを前提に，更なる製造工程や製造パラメータの特定等が発明の
詳細な説明に記載されていないと判断した。
しかし，本願明細書の記載（【００２１】【００２２】【図１】∼【図３】）に
よれば，本願発明２及び３に係る炭素膜についても，本件意見書（甲５）のランシ
ートにおいて対応する具体例が示されており，追加的に製造工程，条件が必要であ
って，実施可能要件の判断の誤りに関して更に検討しなければならない点はない。
(2) 本願発明６ないし８について
本件審決は，本願発明６ないし８に係る炭素膜の特性は，それぞれ本願発明１な
いし３に係る炭素膜の特性と同じであり，本願発明１ないし３に係る炭素膜の製造
方法の記載がないと判断した。
しかし，本願発明１ないし３に係る炭素膜の製造方法の記載が十分でないとした
本件審決の判断が誤りであることは，前記２，３(1)のとおりである。
(3) 小括
以上のとおり，取消事由２も，理由がある。
４ 結論
以上の次第であるから，本件審決は取り消されるべきものである。
知的財産高等裁判所第４部
裁判長裁判官 滝 澤 孝 臣
裁判官 髙 部 眞 規 子
裁判官 井 上 泰 人