平成18(行ケ)10298審決取消請求事件

平成１９年９月２６日判決言渡
平成１８年（行ケ）第１０２９８号 審決取消請求事件
平成１９年７月２５日口頭弁論終結
判 決
原 告 株式会社半導体エネルギー研究所
訴訟代理人弁護士 永 島 孝 明
同 安 國 忠 彦
同 明 石 幸 二 郎
同 古 城 春 実
同 粟 田 口 太 郎
同 内 田 公 志
同 鮫 島 正 洋
訴訟代理人弁理士 磯 田 志 郎
被 告 バイ・デザイン株式会社
訴訟代理人弁護士 大 野 聖 二
同 市 橋 智 峰
同 佐 藤 公 亮
訴訟代理人弁理士 小 玉 秀 男
同 村 瀬 裕 昭
同 椿 和 秀
同 木 村 圭 一
同 片 山 健 一
主 文
１ 原告の請求を棄却する。
２ 訴訟費用は原告の負担とする。
事 実 及 び 理 由
第１ 請求
特許庁が無効２００５−８０１９３号事件について平成１８年５月２３日に
した審決中， 特許第３２４１７０８号の請求項１ないし１７に係る発明につい
「
ての特許を無効とする。」との部分を取り消す。
第２ 争いのない事実
１ 特許庁における手続の経緯
原告は，平成３年３月２５日に出願した特願平３−８４６５３号（以下「原
出願 」という 。 の一部を分割して，平成１１年１２月２７日に新たな特許出願
）
とした特願平１１−３７１６４１号の一部を更に分割して，平成１２年８月７
日に，発明の名称を「アクティブマトリクス型表示装置」とする新たな特許出
願 特願２０００−２３８６１６号）
（ とした特許第３２４１７０８号の特許 平
（
成１３年１０月１９日設定登録。以下「本件特許」という。登録時の請求項の
数は１７である 。）の特許権者である。
被告は，平成１７年６月２４日，本件特許の請求項１ないし１７に係る発明
についての特許を無効とすることについて審判を請求し，この請求は無効２０
０５−８０１９３号事件 以下 本件審判 」
（ 「 という。 として特許庁に係属した。
）
原告は，本件審判の審理の過程において，平成１７年１２月２０日付けで無
効理由通知を受けたので，平成１８年１月１９日，本件特許に係る明細書の特
許請求の範囲の記載等を訂正（以下，この訂正を「本件訂正」といい，本件訂
正後の本件特許に係る明細書及び図面を「本件明細書」という。 する請求をし
）
た。
特許庁は ，審理の結果，平成１８年５月２３日， 訂正を認める 。特許第３２
「
４１７０８号の請求項１ないし１７に係る発明についての特許を無効とする。」
との審決（以下「審決 」という 。 をし ，平成１８年６月２日 ，その謄本を原告
）
に送達した。
２ 特許請求の範囲
本件明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし１７の各記載は，次のとおり
である（以下 ，これらの請求項に係る発明を項番に対応して， 本件発明１」な
「
どといい，これらをまとめて「本件発明」という。 。
）
「 請求項１ 】
【 表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装置
であって，
前記保護回路は，薄膜トランジスタを有し，
該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に設けられた電極は，該
薄膜トランジスタのゲートに酸化物半導体膜のみを介して電気的に接続さ
れ，
該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は，基準の電圧の配線に
電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２】表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装
置であって，
前記保護回路は，薄膜トランジスタを有し，
該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に設けられた電極は，該
薄膜トランジスタのゲートに酸化物半導体膜のみを介して電気的に接続さ
れ，
前記電極は ，前記表示部に前記酸化物半導体膜を介して電気的に接続され ，
該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は，基準の電圧の配線に
電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３】表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装
置であって，
前記保護回路は，薄膜トランジスタを有し，
該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に設けられた電極は，該
薄膜トランジスタのゲートに酸化物半導体膜のみを介して電気的に接続さ
れ，
前記電極は，前記表示部の走査線に前記酸化物半導体膜を介して電気的に
接続され，
該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は，基準の電圧の配線に
電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項４】表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装
置であって，
前記保護回路は，薄膜トランジスタを有し，
該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に設けられた電極は，該
薄膜トランジスタのゲートに酸化物半導体膜のみを介して電気的に接続さ
れ，
前記電極は，前記表示部のデータ線に前記酸化物半導体膜を介して電気的
に接続され，
該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は，基準の電圧の配線に
電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項５】請求項１乃至請求項４のいずれか一において，前記酸化物半
導体膜は，ＩＴＯ膜であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装
置。
【請求項６】表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装
置であって，
前記保護回路は，薄膜トランジスタを有し，
該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に設けられた電極は，該
薄膜トランジスタのゲートに半導体膜のみを介して電気的に接続され，
該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は，基準の電圧の配線に
電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項７】表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装
置であって，
前記保護回路は，薄膜トランジスタを有し，
該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に設けられた電極は，該
薄膜トランジスタのゲートに半導体膜のみを介して電気的に接続され，
前記電極は，前記表示部に前記半導体膜を介して電気的に接続され，
該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は，基準の電圧の配線に
電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項８】表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装
置であって，
前記保護回路は，薄膜トランジスタを有し，
該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に設けられた電極は，該
薄膜トランジスタのゲートに半導体膜のみを介して電気的に接続され，
前記電極は，前記表示部の走査線に前記半導体膜を介して電気的に接続さ
れ
該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は，基準の電圧の配線に
電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項９】表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装
置であって，
前記保護回路は，薄膜トランジスタを有し，
該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に設けられた電極は，該
薄膜トランジスタのゲートに半導体膜のみを介して電気的に接続され，
前記電極は，前記表示部のデータ線に前記半導体膜を介して電気的に接続
され，
該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は，基準の電圧の配線に
電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１０】請求項６乃至請求項９のいずれか一において，前記半導体
膜は ，シリコン膜であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置 。
【請求項１１】請求項１乃至請求項１０のいずれか一において，前記基準
の電圧の配線は，固定電圧の配線であることを特徴とするアクティブマトリ
クス型表示装置。
【請求項１２】請求項１乃至請求項１０のいずれか一において，前記基準
の電圧の配線は，接地電圧の配線であることを特徴とするアクティブマトリ
クス型表示装置。
【請求項１３】請求項１乃至請求項１２のいずれか一において，前記表示
部と同一の基体上に駆動回路部を備えたことを特徴とするアクティブマトリ
クス型表示装置。
【請求項１４】請求項１乃至請求項１３のいずれか一において，前記アク
ティブマトリクス型表示装置は，アクティブマトリクス型の液晶ディスプレ
イであることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１５】請求項１乃至請求項１３のいずれか一において，前記アク
ティブマトリクス型表示装置は，電気的な信号によって光学特性を制御でき
る材料を用いた表示装置であることを特徴とするアクティブマトリクス型表
示装置。
【請求項１６】請求項１乃至請求項１５のいずれか一に記載のアクティブ
マトリクス型表示装置を用いたことを特徴とする投写型装置。
【請求項１７】請求項１乃至請求項１５のいずれか一に記載のアクティブ
マトリクス型表示装置を用いたことを特徴とするプロジェクター 。」
３ 審決の理由
別紙審決書写しのとおりである。要するに，本件発明１ないし１７は，いず
れも原出願の出願日（以下「本件出願日」という。 前に頒布された刊行物であ
）
る特開昭６３−１０５５８号公報（以下「引用例」という。甲１）に記載され
た発明（以下「引用発明 」という。 に周知技術を適用することにより当業者が
）
容易に発明することができたものであって，本件発明１ないし１７についての
特許は特許法２９条２項の規定に違反してされたものであるから，同法１２３
条１項２号の規定により無効とすべきである，というものである。
審決は，上記結論を導くに当たり，本件発明１と引用発明との一致点・相違
点を次のとおり認定した。
（一致点）
「表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表示装置であっ
て，
前記保護回路は，薄膜トランジスタを有し，
該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方は，該薄膜トランジス
タのゲートに電気的に接続され，
該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方は，基準の電圧の配線
に電気的に接続されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装
置。」の発明である点。
（相違点）
「該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方」と「該薄膜トラン
ジスタのゲート」との電気的接続について，本件発明１は，これらが「該
薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に設けられた電極」と「酸
化物半導体膜のみを介して」行われているのに対し，引用発明では，その
旨の記載がない点。
第３ 取消事由に係る原告の主張
審決は，本件発明１の容易想到性の判断に当たり，周知技術並びに本件発明
１の目的及び作用効果の認定を誤り，相違点の判断を誤った違法があり（取消
事由１） 本件発明２ないし１７についても ，同様の理由で，容易想到性の判断
，
を誤った違法がある（取消事由２）から，取り消されるべきである。
１ 取消事由１（本件発明１の容易想到性の判断の誤り）
審決は，本件発明１の容易想到性の判断に当たり，以下のとおり，周知技術
の認定を誤り，本件発明１の目的及び作用効果の認定を誤り，相違点の判断を
誤ったものである。
(1) 周知技術の認定の誤り
審決は，特開平３−４４４６５号公報（甲３）及び特開昭６２一２０９５
１４号公報（甲５ ）を例示して ， ＩＴＯ膜等の酸化物半導体膜を導電膜とし
「
て用いることは周知の技術であった」 審決書１６頁２７行∼２８行）
（ と認定
した。
しかし，審決の上記認定は，以下のとおり，誤りである。
確かに，本件出願日当時，表示装置の技術分野において，ＩＴＯ膜が透明
導電膜として用いられていたが，これは透明度が高いという光学特性から，
主に表示部の画素電極の材料として用いられていたにすぎない。すなわち，
酸化物半導体膜は，金属材料に比較して，透明度が高いという光学的特性を
有するものの，導電性においては劣っていることが周知であったから，単な
る導電材料として使用する場合は，酸化物半導体膜ではなく金属材料が用い
られていた。このため，配線等には一般的に金属材料が用いられ，金属材料
が使用できない特殊な理由がある場合にのみ，酸化物半導体膜が利用されて
いた。甲５においても，配線としては，金属材料の方がＩＴＯよりもシート
抵抗が小さく優れているが，工程数の増加によるコストアップを防ぐため，
やむを得ず，金属材料ではなくシート抵抗の大きいＩＴＯを利用していたこ
とが示されている（１頁右下欄末行∼２頁左上欄１２行 ）。
なお ，甲３には ， 一般にＩＴＯ等の透明導電膜は電卓やデジタル時計に使
「
用する液晶表示装置，薄膜エレクトロルミネセンス（ＥＬ）表示装置，放射
線検出素子，端末機器の透明タブレット，窓ガラスの結露防止用発熱膜，帯
電防止膜あるいは太陽光集熱器用選択透過膜など巾広い用途がある。 （２頁
」
左上欄２行∼７行）と記載されているにとどまり，表示装置に用いるとの記
載はない。
以上のとおり，保護回路の薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方
に設けられた電極と該薄膜トランジスタのゲートとが酸化物半導体膜のみを
介して電気的に接続されることは，いずれの証拠にも開示されておらず，周
知技術であったとはいえない。
したがって ，審決が，用途を限定することなく， ＩＴＯ膜等の酸化物半導
「
体膜を導電膜として用いること」という技術一般が周知技術であると認定し
たのは，誤りというべきである。
(2) 本件発明１の目的及び作用効果の認定の誤り
審決は，本件発明１の目的及び作用効果につき，本件明細書の段落【００
０９ 】及び【００７２ 】をそれぞれ摘示した上， これらの目的及び作用効果
「
は引用発明と変わるところはない 。 と認定した 審決書１６頁３０行∼１７
」 （
頁８行）。
しかし，審決の上記認定は，本件発明１の目的及び作用効果の一部につい
ての認定にすぎず，本件発明１と引用発明との相違点に基づく作用効果の相
違を看過してなされたものである。
すなわち，以下のとおり，本件発明１は，①保護回路を構成する薄膜トラ
ンジスタを保護し，②表示部の薄膜トランジスタにかかる過大な電圧を速や
かに取り除くことができ，③保護回路の薄膜トランジスタを表示部の薄膜ト
ランジスタの作製と同時に作製することができるという作用効果を有する。
これに対し，引用発明は，保護回路に設けられた薄膜トランジスタを保護
することを目的とするものではなく，上記①∼③の作用効果について，開示
・示唆するものではない。
ア 従来，アクティブマトリクス型表示装置は，静電気等による過大な電圧
が薄膜トランジスタに印加されると ，薄膜トランジスタがダメージを受け ，
破壊されるという問題点があった（本件明細書の段落【０００７】 【００
，
０８ 】 。これに対し，本件発明１は， 薄膜トランジスタを保護するための
） 「
回路を適切な位置に適切な作製方法によって設け，薄膜トランジスタを保
護し，上記表示素子の信頼性，寿命を高めること」（同【０００９ 】）を目
的とする。
本件発明１は，表示部及び保護回路を有するアクティブマトリクス型表
示装置であり，また，保護回路は，薄膜トランジスタを有しており，該薄
膜トランジスタのソース及びドレインの一方に設けられた電極が，該薄膜
トランジスタのゲートに酸化物半導体膜のみを介して電気的に接続され，
該薄膜トランジスタのソース及びドレインの他方が，基準の電圧の配線に
電気的に接続されている。このため，本件発明１は，静電気等による過大
な電圧が印加されても，保護回路を通じて過大な電圧を基準の（つまり低
い）電圧の配線にバイパスして取り除くことができ，過大な電圧によって
表示部の薄膜トランジスタが損傷されることを防止することができる。さ
らに，本件発明１は，保護回路の薄膜トランジスタのソース及びドレイン
の一方に設けられた電極とゲートとの接続として「酸化物半導体膜」のみ
を介した電気的接続を採用したため，保護回路の薄膜トランジスタを保護
し，過大な電圧を速やかに取り除くことができ，表示部の薄膜トランジス
タの作製と同時に作製することができる。すなわち，本件発明１は，保護
回路の薄膜トランジスタの保護，過大電圧の速やかな除去，保護回路の作
製容易性という作用効果を有する。
これに対し，引用発明は，保護回路に設けられた薄膜トランジスタを保
護することを目的とするものではないから，本件発明１と発明の目的にお
いて相違する。また，引用発明は，保護回路の薄膜トランジスタのソース
及びドレインの一方に設けられた電極とゲートとの接続として「酸化物半
導体膜」のみを介した電気的接続を採用したため，保護回路の薄膜トラン
ジスタを保護し，過大な電圧を速やかに取り除くことができ，表示部の薄
膜トランジスタの作製と同時に作製することができるという作用効果を開
示・示唆していない。
イ 本件明細書の図６（Ａ）の保護回路は，抵抗Ｒ１によって電圧降下した
後の電圧が薄膜トランジスタのゲートに印加され，さらに抵抗Ｒ２によっ
て電圧降下した後の電圧が薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方
に設けられた電極に印加される構成を採用している。つまり，保護回路の
薄膜トランジスタに抵抗Ｒ１を設けることによってゲート電圧を低下させ
ることができ，保護回路の薄膜トランジスタに抵抗Ｒ２を設けることによ
ってソース・ドレイン間の電圧を低下させることができる。
また ，本件明細書の段落【００３８ 】には ， 良導電体」である金属材料
「
の電極と対比して，酸化物半導体である酸化錫・インジウム等が「抵抗性
材料 」であり，抵抗Ｒ２として機能する配線であることが明記されている 。
以上のとおり，本件明細書には，ソース・ドレイン間に過大な電圧がか
かると薄膜トランジスタが破壊されることを防止するために，保護回路の
薄膜トランジスタの抵抗Ｒ２として，金属材料の電極に比べて抵抗の高い
酸化物半導体膜を設けることによって，ソース・ドレイン間の電圧を低下
させることが開示されている。
ウ 本件明細書の段落【００２５】の記載は，ソース・ドレイン間の抵抗を
考慮することが重要であることを開示しているのであるから，ある特定の
寸法の薄膜トランジスタにおいて，特定の寸法，形状及び材料の抵抗を使
用した場合について，ソース・ドレイン間の抵抗は，ほとんど無視するこ
とができ，考慮しなくてもよいことを例示したにすぎず，原則としてソー
ス・ドレイン間の抵抗は無視できないと理解するべきである。
段落【００２５ 】には ，本件明細書における「抵抗として機能する配線 」
の定義について記載されておらず，いわんや「酸化物半導体」の定義につ
いて記載されていないことは明白である。したがって， Ｒ１とＲ２とがソ
「
ース・ドレイン間の抵抗を無視できるほど大きくなければ上記作用を奏す
ることができない」 審決書１７頁末行∼１８頁１行 ）
（ という審決の認定判
断は誤りである。
エ シミュレーション報告書 甲１３）
（ 及び追加シミュレーション報告書 甲
（
１４）も，原告の主張を裏付ける。
(3) 相違点の判断の誤り
審決は， 引用発明における薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方
「
と薄膜トランジスタのゲートとの接続につき，電極と酸化物半導体膜のみを
介した接続にすることは，そのこと自体では格別の効果を生ずるものではな
く，設計事項として適宜行う程度のものである」 審決書１８頁１０行∼１３
（
行）と判断した。
しかし，以下のとおり，審決の上記判断は誤りである。
ア ＩＴＯ膜のような酸化物半導体膜を透明導電膜として画素電極に用いる
ことが周知の技術であったとしても，保護回路の薄膜トランジスタのソー
ス及びドレインの一方に設けられた電極と該薄膜トランジスタのゲートと
が酸化物半導体膜のみを介して電気的に接続されることは，周知技術では
ない。
また，薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に設けられた電極
とゲートという特定の部材の接続に着目して，これらを酸化物半導体膜の
みで接続することは，当業者による設計事項とはいえない。なぜなら，引
用発明の保護トランジスタは，表示部に設けられるものではなく画素電極
を有していないものであり，そのソース及びドレインの一方に設けられた
電極とゲートとを接続する配線として透明である必要もないからである。
したがって，引用発明には，プロセス的にも構造的にも複雑になる「ゲ
ート電極とドレイン電極の途中に酸化物半導体膜のみを介在させる構造」
を採用する動機付けが存在しないというべきである。
イ 本件出願日当時，表示装置の技術分野において，酸化物半導体の抵抗率
が，金属材料に比べて高いことは当業者にとって技術常識であった。また ，
ゲート電極とドレイン電極の途中に酸化物半導体のみを介在させると，異
なる材料同士のコンタクトが増加するため，接触抵抗が増加することから
も，インピーダンスを高めることになる。
したがって，引用発明において，保護トランジスタのゲートとドレイン
との金属材料による接続に，金属材料に比べて高抵抗の酸化物半導体膜の
みを介した接続を適用することには，阻害要因があるというべきである。
ウ 本件発明１の作用効果は，保護回路の薄膜トランジスタのソース及びド
レインの一方に設けられた電極とゲートという特定の部材の接続におい
て， 酸化物半導体膜」という特定の材料の被膜を採用したことによって ，
「
はじめて得られる相乗的な効果である。このような効果は，相違点に係る
本件発明１の構成のすべてを開示していない引用発明から予測できるもの
ではない。
２ 取消事由２（本件発明２ないし１７の容易想到性の判断の誤り）について
審決は，本件発明２ないし１７について，引用発明に周知技術を適用するこ
とにより当業者が容易に発明することができたものと判断したが，その容易想
到性の判断に当たり，本件発明１と同様の誤りをしたものである。
第４ 取消事由に係る被告の反論
審決の認定判断に誤りはなく，原告主張の取消事由はいずれも理由がない。
１ 取消事由１（本件発明１の容易想到性の判断の誤り）について
(1) 周知技術の認定の誤りについて
審決は， ＩＴＯ膜等の酸化物半導体膜を導電膜として用いること」
「 を周知
技術と認定したのであって， 保護回路の薄膜トランジスタのソース及びドレ
「
インの一方に設けられた電極と該薄膜トランジスタのゲートとが酸化物半導
体膜のみを介して電気的に接続されること」が周知技術であると認定したも
のではない。したがって，原告の主張は，審決を正解しないものである。
なお，原告の主張は，本件発明１の「該薄膜トランジスタのソース及びド
レインの一方に設けられた電極は，該薄膜トランジスタのゲートに酸化物半
導体膜のみを介して電気的に接続され」との構成を前提とするものと解され
るが，そもそも，そのような構成は本件明細書に記載されていない。
(2) 本件発明１の目的及び作用効果の認定の誤りについて
ア 原告は，引用発明は，保護回路に設けられた薄膜トランジスタを保護す
ることを目的とするものではない旨主張する。
しかし，原告は，本件審判の審判手続において，本件発明１が表示部の
薄膜トランジスタを保護することを目的とする旨主張していたのであるか
ら，原告の主張は一貫しないものといわざるを得ない。
イ 原告は，本件発明１の奏する効果として，保護回路の薄膜トランジスタ
の保護，過大電圧の速やかな除去，保護回路の作製容易性を主張する。
しかし，本件明細書の記載に基づいて，原告の主張に係る保護回路の薄
膜トランジスタの保護，過大電圧の速やかな除去という効果を奏すること
ができない。
また，原告の主張に係る保護回路が表示部の薄膜トランジスタと同時に
作製できることによる効果は，特許請求の範囲の記載に基づかないもので
ある。
ウ 原告は，本件明細書の段落【００２５】の記載について，ソース・ドレ
イン間の抵抗を考慮することが重要であることを開示しているのであるか
ら，原則としてソース・ドレイン間の抵抗は無視できないと理解すべきで
あると主張する。
しかし，段落【００２５】において，１０１１Ωが１０１２Ωに比較して無
視できるとの記載に照らすならば，本件明細書において「無視できる」と
は抵抗値のオーダが概ね１桁以上異なることと理解され，ソース・ドレイ
ン間の抵抗値と抵抗の抵抗値のオーダが概ね１桁以上異なるか否かを判断
するために ， ソース・ドレイン間の抵抗を考慮することが重要 」
「 なのは当
然である。本件明細書にいう「無視できる」とは，抵抗の存在を認めない
ことではなく抵抗値のオーダが概ね１桁以上異なるという趣旨であるか
ら，考慮しなくてもよいというものではない。
原告は，段落【００２５】は，極めて例外的な実施態様について言及し
たものである旨主張する。しかし，同段落は，図６及び図７に図示された
保護回路の一般的ないし代表的な実施態様について言及していることは明
らかある。
本件特許明細書の段落【００２５】の記載は，本件審決でも「段落【０
０２５】の記載からは，Ｒ１とＲ２とがソース・ドレイン間の抵抗を無視
できるほど大きくなければ上記作用を奏することができないとも解され
る」と認定されているように，本件発明の効果を奏するために「酸化物半
導体 膜） 抵抗値を薄膜トランジスタのソース・ドレイン間の抵抗が無視
（ 」
できる程度のものとすること，換言すれば ，「酸化物半導体（膜 ）」はその
抵抗値が薄膜トランジスタのソース・ドレイン間の抵抗が無視できる程度
のものである場合に本件発明の効果を奏するための 抵抗として機能する 」
「
ことが記載されていると理解するのが自然である。
エ 原告の提出に係るシミュレーション報告書（甲１３）及び追加シミュレ
ーション報告書（甲１４）はいずれも，原告主張の裏付けとなるものでは
ない。なお，追加シミュレーション報告書（甲１４）に係る主張及び立証
は，弁論準備手続の終結後にされたものであるから，時機に後れた攻撃防
御方法として却下されるべきものである。
(3) 相違点の判断の誤りについて
「ＩＴＯ膜等の酸化物半導体膜を導電膜として用いること」は，周知の技
術であり，しかも，本件発明１に設けられる「酸化物半導体膜」の抵抗値が
金属材料の抵抗値に比較して高いものであることのみでは，本件発明１の効
果を奏し得ないのものである以上，動機付けの欠如をいう原告の主張は，そ
の前提を欠くというべきである。
２ 取消事由２（本件発明２ないし１７の容易想到性の判断の誤り）について
原告は，審決が，本件発明２ないし１７の容易想到性の判断に当たり，本件
発明１と同様の誤りをした旨主張する。
しかし，前記１のとおり，本件発明１についての審決の判断に誤りはないか
ら，同様の理由により，原告主張は失当である。
第５ 当裁判所の判断
１ 取消事由１（本件発明１の容易想到性の判断の誤り）について
(1) 周知技術の認定の誤りについて
原告は，保護回路の薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に設け
られた電極と該薄膜トランジスタのゲートとが酸化物半導体膜のみを介して
電気的に接続されることは周知技術であったとはいえないから，審決が「Ｉ
ＴＯ膜等の酸化物半導体膜を導電膜として用いること」という技術一般が周
知技術であると認定した点には誤りがあると主張する。
しかし，原告の主張は，以下のとおり理由がない。
ア 審決は， ＩＴＯ膜等の酸化物半導体膜を導電膜として用いることは周知
「
の技術であった 」 審決書１６頁２７行∼２８行 ）
（ と認定したものであって ，
「保護回路の薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に設けられた
電極と該薄膜トランジスタのゲートとがＩＴＯ膜等の酸化物半導体膜のみ
を介して電気的に接続されること」が周知技術であると認定したものでな
いことは，その説示に照らし，明らかである。
イ 審決は，周知技術を示すものとして，本件出願日前に頒布された刊行物
である甲３及び甲５を例示しているので，これらについて検討する。
(ア) 甲３には ， ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ
「 Ｏｘｉｄｅ ）膜やネサ
膜と呼ばれているＳｎＯ ２膜，Ｉｎ ２Ｏ３膜等の酸化物透明導電膜は，通常
化学量論的組成からの『ずれ』によりｎ型の導電性を示す半導体特性を
利用し，これに必要に応じてドーパントを添加して１０ −３∼１０−４Ω・
ｃｍの低い抵抗膜としたものである。特にＩＴＯ膜は高い導電性と可視
光透過性を有するので，透明導電膜として最も広く用いられている。 １
」
（
頁右下欄１４行∼２頁左上欄１行）との記載がある。
(イ) 甲５には ， しかし従来の製造工程では，
「 ソース線を画素電極と同一
の材料で形成する為，シート抵抗が大きくなり，従ってソース線の配線
抵抗が大きくなる。例えば，ＩＴＯで形成した場合，透過率８０％以上
を保った時のシート抵抗は１０∼２０Ω／□であり，金属材料，例えば
Ａｌ等に比して１桁∼２桁大きい 。 （１頁右下欄２０行∼２頁左上欄６
」
行）との記載がある。
(ウ) 上記の各記載によれば，①ＩＴＯ膜のような酸化物半導体膜は，透
明電極膜として広く用いられるものであること，②ＩＴＯ膜は，Ａｌ等
の金属材料で形成した場合に比べ，抵抗が大きいものの，ＩＴＯ膜のよ
うな酸化物半導体膜が導電膜として用いられること等が認められる。
ウ 上記検討したところによれば ，本件出願日当時， ＩＴＯ膜等の酸化物半
「
導体膜を導電膜として用いることは周知の技術であった」との審決の認定
に誤りはない。したがって，原告の主張は，採用することができない。
(2) 本件発明１の目的及び作用効果の認定の誤りについて
原告は，本件発明１が ，①保護回路を構成する薄膜トランジスタを保護し ，
②表示部の薄膜トランジスタにかかる過大な電圧を速やかに取り除くことが
でき，③保護回路の薄膜トランジスタを表示部の薄膜トランジスタの作製と
同時に作製することができる，との作用効果を有する旨主張する。
しかし，原告の主張は，以下のとおり理由がない。
ア 本件明細書（甲６の３）の発明の詳細な説明欄等の記載
(ア) 発明が解決しようとする課題等
ａ 本件明細書には，産業上の利用分野，従来の技術，発明が解決しよ
うとする課題について，次の記載がある。
「 ０００１】
【
【産業上の利用分野】
本発明は，画素の存在する部分に薄膜トランジスタが存在し，これ
ら薄膜トランジスタが画素の駆動装置として機能する表示装置，およ
びこのような形態の表示装置を利用した各種装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
上記に列挙した表示装置は各画素ごとに薄膜トランジスタ等の駆動
装置が存在し，画素を制御するという，いわゆるアクティブマトリッ
クス方式を採用している。各画素に割り当てられる薄膜トランジスタ
の数は図１に示されるものでは１個であり，また図２ないし図４に示
されるものでは，２個もしくは必要によってはそれ以上の数の薄膜ト
ランジスタが使用される。また，方式によっては，複数の画素を１つ
もしくはそれ以上の数の薄膜トランジスタが使用される場合もある。
いずれの場合でも，各画素は縦方向と横方向に複数の信号線を配置し ，
これらの交点に液晶素子のごとき電気光学素子を配置し，薄膜トラン
ジスタによって，縦横の信号線によって送られたデータをもとに電気
光学素子を制御する。」
「 ０００７】
【
これらの回路に共通の問題点は各駆動回路と薄膜トランジスタの間
にサージ（静電気）電圧が発生した場合に，薄膜トランジスタを保護
する為の回路が設けられていないことである。特に，薄膜トランジス
タのゲイト電極に高い電圧が加わると，ゲイト絶縁膜が破壊され，素
子として機能しなくなる。
【０００８】
また，薄膜トランジスタのソース・ドレイン間に過大な電圧がかか
ることによっても，それはゲイト電極とチャネル形成領域との間の電
圧が大きくなり，間接的にゲイト絶縁膜の破壊につながるため，薄膜
トランジスタは大きなダメージを受け，場合によっては破壊に到る。
このような過大な電圧の源泉としては何らかの理由によって生じた静
電気が主な理由であり，電流量自体は決して大きくないことがほとん
どであり，過大な電圧が発生した場合には速やかに取り除くことが望
まれる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は薄膜トランジスタを保護するための回路を適切な位置に適
切な作製方法によって設け，薄膜トランジスタを保護し，上記表示素
子の信頼性，寿命を高めることを目的とする。」
ｂ 上記ａの記載によれば，本件明細書の発明の詳細な説明では，画素
を構成する電気光学素子（例えば，液晶素子）を薄膜トランジスタに
より制御するアクティブマトリクス型表示装置では，静電気等により
表示部の薄膜トランジスタのゲート電極に高い電圧がかかった場合
や，薄膜トランジスタのソース・ゲート間に過大な電圧がかかってゲ
ート電極とチャネル形成領域との間の電圧が大きくなった場合に，ゲ
ート絶縁膜が破壊され，素子として機能しなくなるという問題があっ
たので，本件訂正発明は，発生した過大な電圧を速やかに取り除く回
路を適切な位置に設けることによって，表示部の薄膜トランジスタを
破壊から保護するようにしたもの，とされていることが理解できる。
(イ) 課題を解決するための手段
ａ 本件明細書には，発明の課題を解決しようとする手段について，次
の記載がある。
「 ００１０】
【
【課題を解決しようとする手段】
薄膜トランジスタの保護回路は，装置の表示部分の周辺に設けられ
ることが望まれ，また，表示部分の薄膜トランジスタの作製と同時に
作製されることが望まれる 。さらに，正常な駆動電圧は通過させるが ，
過大な電圧は通過させず，適切にバイパスさせる必要がある。薄膜ト
ランジスタにおいて過大な電圧とは通常，ゲイト電圧のしきい値電圧
の１０倍程度であり，５０Ｖ以上を指すが，この値は薄膜トランジス
タの構造によって大きく変化する。一方，通常の駆動電圧は，大きく
てもゲイト電圧のしきい値電圧の数倍であり，大抵の場合，１０∼４
０Ｖであるが，この値も薄膜トランジスタの構造によって大きく変化
する。
【００１１】
以上のような条件を満たすために，本発明では ，図５に示すように ，
表示素子部とその周辺の駆動回路部に保護回路を設ける。保護回路と
しては，例えば，図８および図９に示されるダイオードの持つツェナ
ー特性を利用して回路を用いることができる。」
「 ００１７】
【
同じ効果を有する保護回路は薄膜トランジスタを利用しても作製す
ることが可能である。その例を図６および図７に示す 。図６（Ａ）は，
正の過大電圧がかかったときにのみ動作して過大電圧をバイパスする
回路である。抵抗Ｒ１およびＲ２を選択することによって，Ｎチャネ
ル型薄膜トランジスタのゲイト電圧および，ソース・ドレイン間の電
圧を適当な値となるように設計する。例えば，Ｒ１／Ｒ２＝１０とす
れば，図中のＡ点における電位が（Ｂ点における電位を基準として）
＋５０Ｖであるときに，ゲイトの電位を＋５Ｖとすることができる。
そして，この薄膜トランジスタのしきい値電圧が＋５Ｖならば，この
薄膜トランジスタは動作し，ソース・ドレイン間に電流が流れる。Ａ
点における電位が＋５０Ｖ以上であれば，ゲイト電極の電位は＋５Ｖ
以上であるので，薄膜トランジスタは動作して，過大な電圧を除去す
る効果を示す。ここで，薄膜トランジスタとして，Ｐチャネル型トラ
ンジスタとすれば，負の過大電圧がかかった場合にのみ動作する。一
方，Ａ点における電位が＋５０Ｖ以下であれば，薄膜トランジスタは
高い抵抗として機能し，電圧はあまり低下しない。したがって，正常
な信号電圧はバイパスされない 。」
ｂ 上記ａの記載によれば，本件明細書の発明の詳細な説明では，①保
護回路は，装置の表示部分の周辺に設けられること及び表示部分の薄
膜トランジスタの作製と同時に形成されることが望まれること，②保
護回路は，正常な駆動電圧は通過させるが，過大な電圧は通過させず ，
適切にバイパスさせる必要があること，③薄膜トランジスタにおいて
過大な電圧とは通常，ゲート電圧のしきい値電圧の１０倍程度であり ，
５０Ｖ以上を指すが，この値は薄膜トランジスタの構造によって大き
く変化すること，④上記②のような効果を有する保護回路は，ダイオ
ードの持つツェナー特性を利用しても，薄膜トランジスタを利用して
も構成することができ，⑤図６の回路構成の場合，Ｒ１とＲ２の抵抗
値を選択して，Ｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電圧及びソー
ス・ドレイン間の電圧を適当な値となるように設計することにより，
保護回路が構成できることなどが，説明されているということができ
る。
そして，本件明細書の特許請求の範囲の請求項１には， 保護回路は ，
「
薄膜トランジスタを有し」との記載があるから，本件発明１は，本件
明細書の発明の詳細な説明及び図面に記載された保護回路のうち，薄
膜トランジスタを用いたものを対象としていることが明らかである
（なお ，請求項２∼４及び６∼９では ，請求項１と同じく， 保護回路
「
は，薄膜トランジスタを有し」とされていること，請求項５は請求項
１∼４を引用するものであること，請求項１０は請求項６∼９を引用
するものであること，請求項１１∼１２は請求項１∼１０を引用する
ものであること，請求項１３は請求項１∼１２を引用するものである
こと，請求項１４∼１５は請求項１∼１３を引用するものであること ，
請求項１６∼１７は請求項１∼１５を引用するものであることに照ら
せば，本件発明２∼１７も，本件発明１と同様に，本件明細書の発明
の詳細な説明及び図面に記載された保護回路のうち，薄膜トランジス
タを用いたものを対象としていることが明らかである 。 。
）
(ウ) 保護回路の構成
ａ 本件明細書には，薄膜トランジスタを用いた保護回路の具体的構成
について，段落【００１７】のほか，次の記載がある。
「 ００２１】
【
図６は，Ｎチャネル型薄膜トランジスタもしくはＰチャネル型薄膜
トランジスタのどちらか一方を使用して構成された保護回路に関する
ものであった。Ｐチャネル型薄膜トランジスタとＮチャネル型薄膜ト
ランジスタを両方とも用いることによっても図７に示すように保護回
路を構成することができる。図７（Ａ）を用いて，この方法による保
護回路の基本動作を説明する。
【００２２】
図６で示したものと同様に，適切な抵抗Ｒ１，Ｒ２を選択すること
によって，ソース・ドレイン間の電圧とゲイト電極の電位を適切な値
にすることができる。例えば ，Ｒ１／Ｒ２＝１０とすることによって ，
Ａ点における電位が，Ｂ点を基準としたときに＋５０であったとする
と，薄膜トランジスタのゲイト電極の電圧はいずれも＋５Ｖとである 。
そして，薄膜トランジスタのうち，Ｎチャネル薄膜トランジスタであ
るＴ１のみがバイパスとして機能する。
【００２３】
逆に，Ａ点の電位が−５０Ｖであった場合には，両薄膜トランジス
タのゲイト電極の電位は−５Ｖであるが，このときにはＰチャネル型
薄膜トランジスタであるＴ２のみがバイパスとして機能する。図７
（Ｂ）は，以上の回路を組み合わせたものである。
【００２４】
このような方式を採用する場合には，保護回路で使用される薄膜ト
ランジスタの耐圧が保護回路の耐圧を決定する。薄膜トランジスタに
おいて ，ゲイト電極とソース電極との電圧の許容値が５０Ｖであれば ，
以上の回路は±５００Ｖまでの電圧に対して耐えることができ ，かつ ，
保護回路として機能する。もちろん，抵抗の値を選択することによっ
てこの値を変えることは容易にできる。
【００２５】
図６および図７ではソース・ドレイン間の抵抗については何ら記述
がないが，この値を考慮することはソース・ドレイン間の電圧を決定
する上で重要である。一般的な薄膜型トランジスタにおける値として
は，例えば，チャネル長が１０μｍ，チャネル幅が１０μｍのＮチャ
ネル型薄膜トランジスタで１０ ８∼１０ １１Ωが得られている 。この値は
かなり大きいように思えるが，抵抗率１０ ６Ω・ｃｍの高抵抗多結晶シ
リコン，あるいはアモルファス（セミアモルファス）シリコンを用い
て，長さ１０μｍ，幅１μｍ，厚さ０．１μｍの線状体の抵抗は１０
１２
Ωとなり，上記の薄膜トランジスタの抵抗はほとんど無視できる。
【００２６】
これらの保護回路で使用される抵抗としては，このように珪素を主
とする材料を用いてもよいし，金属材料や金属と珪素との合金，各種
化合物半導体 例えば酸化錫，
（ 酸化インジウム ，酸化錫インジウム等 ）
を用いてもよい 。」
「 ００３８】
【
図１３は，以上のような作製方法によって作製される保護回路の例
である。この作製方法としては，まず，半導体領域１３０１と１３０
２を形成し，ゲイト絶縁膜として機能する被膜（図には示されていな
い）を形成したあと，両半導体領域にまたがるゲイト電極１３０３を
形成し，半導体領域１３０１にＰ型不純物領域を，半導体領域１３０
２にＮ型不純物をそれぞれ形成した後，さらに層間絶縁膜（図には示
されていない）を形成する。そして，良導電体であるアルミニウム等
の金属材料によって，両半導体領域にまたがる金属電極１３０４と１
３０５，および信号線１３０６とを同時に形成する。その後，例えば
酸化錫・インジウム等の抵抗性材料，あるいは高抵抗アモルファスシ
リコ等によって抵抗として機能する配線１３０７と１３０８を形成し
て，保護回路が形成される 。」
ｂ 上記ａの記載によれば，本件明細書の発明の詳細な説明では，保護
回路は，図７のように，Ｐチャネル型薄膜トランジスタとＮチャネル
型薄膜トランジスタを両方とも用いることによっても構成でき，図６
の保護回路と同様，適切な抵抗Ｒ１，Ｒ２を選択することによって，
ソース・ドレイン間の電圧とゲート電極の電位を適切な値に設定でき
ることなどが，説明されているということができる。
さらに，保護回路の設計に当たって，薄膜トランジスタのソース・
ドレイン間の抵抗値を考慮することがソース・ドレイン間に印加され
る電圧を決定する上で重要であると指摘しつつ，実際には，薄膜トラ
ンジスタのソース・ドレイン間の抵抗値１０８∼１０１１Ωに比べて ，抵
抗率１０６Ω・ｃｍの高抵抗多結晶シリコン又はアモルファス セミア
（
モルファス）シリコンを用いて長さ１０μｍ，幅１μｍ，厚さ０．１
μｍの線状体を構成した場合，抵抗値は１０１２Ωとなり，薄膜トラン
ジスタのソース・ドレイン間の抵抗値は無視できるとされている。
そして，Ｒ１，Ｒ２の材料としては，多結晶シリコンやアモルファ
スシリコンのような珪素を主とする材料を用いてもよいし，金属材料
や金属と珪素との合金，各種化合物半導体，例えば，酸化錫，酸化イ
ンジウム，酸化錫インジウム ＩＴＯ ）
（ を用いてもよいとされている 。
なお，段落【００２４】には，保護回路で使用される薄膜トランジ
スタの耐圧が保護回路の耐圧を決定する旨が記載されているが，これ
は，保護回路（電気回路）の設計に当たっては，それを構成する薄膜
トランジスタ（半導体素子）の耐圧を考慮すべきであるという電気回
路設計上の一般原則を述べているにすぎないものと理解され，この記
載を，本件発明１が，保護回路を構成する薄膜トランジスタ自体の保
護を目的とすることを示す根拠とすることはできない。
(エ) まとめ
上記(ア)ないし(ウ)によれば，本件明細書の発明の詳細な説明及び図
面には，①アクティブマトリクス型表示装置の表示部の周辺に，正常な
駆動電圧は表示装置に通過させるが，過大な電圧は通過させず，適切に
バイパスさせる保護回路を設けることにより，表示部の薄膜トランジス
タを高電圧による破壊から保護できること，②保護回路は，表示部分の
薄膜トランジスタの作製と同時に形成されることが望まれること，③保
護回路を薄膜トランジスタを用いて構成する場合 図６の保護回路 ） ，
（ は
Ｒ１とＲ２の抵抗値を選択してソース・ドレイン間の電圧とゲート電極
の電圧を適正な値に設定することにより，正常な駆動電圧は表示装置に
通過させるが，過大な電圧は通過させず，適切にバイパスさせるように
できること，④保護回路をＰチャネル型薄膜トランジスタとＮチャネル
型薄膜トランジスタを両方とも用いて構成した場合（図７の保護回路）
も，図６の保護回路と同様，Ｒ１，Ｒ２の抵抗値を適切に選択すること
によって，ソース・ドレイン間の電圧とゲイト電極の電位を適切な値に
設定できること，⑤薄膜トランジスタのソース・ドレイン間の抵抗値は ，
保護回路の設上，重要な考慮事項であるが，Ｒ１，Ｒ２を線状の多結晶
シリコンやアモルファスシリコンを用いて形成した場合，Ｒ１，Ｒ２の
抵抗値を桁違いに大きくできるので，薄膜トランジスタのソース・ドレ
イン間の抵抗値を無視できること，⑥Ｒ１，Ｒ２を構成する材料として
は，多結晶シリコンやアモルファスシリコンのような珪素を主とする材
料を用いてもよいし，金属材料や金属と珪素との合金，各種化合物半導
体（例えば，酸化錫，酸化インジウム，酸化錫インジウム）を用いても
よいことが記載されているということができる。
しかし，保護回路を構成する薄膜トランジスタ自体を保護することは
記載されておらず，その示唆があるということもできない。
イ 特許請求の範囲の記載
次に，本件明細書の特許請求の範囲の記載について検討する。
請求項１の記載は前記第２，２のとおりであり，保護回路に関し，薄膜
トランジスタを有すること，該薄膜トランジスタのソース及びドレインの
一方に設けられた電極は，該薄膜トランジスタのゲートに酸化物半導体膜
のみを介して電気的に接続されていること，該薄膜トランジスタのソース
及びドレインの他方は，基準の電圧の配線に電気的に接続されることが規
定されている。
しかし，①薄膜トランジスタのゲートとソース又はドレインの一方を電
気的に接続する酸化物半導体膜（Ｒ２）は，どの程度の抵抗値を有するの
か，②薄膜トランジスタとアクティブマトリクスの表示部とを電気的に接
続する酸化物半導体膜（Ｒ１）の抵抗値は，どの程度の抵抗値を有するの
か，③薄膜トランジスタのソース・ドレイン間の抵抗値，及び上記各酸化
物半導体膜（Ｒ１，Ｒ２）の抵抗値は，どのように設定するのか，④保護
回路の薄膜トランジスタとアクティブマトリクスの表示部の薄膜トランジ
スタとの関係については，同じものなのか，同時に形成するものなのか等
については，何ら規定されていない（なお，請求項２∼１７についても，
請求項１について判断した点と異なる点はない。このうち，請求項１及び
６には，表示部と薄膜トランジスタを接続するＲ１も規定されていない。 。
）
ウ 判断
(ア) 上記の認定によれば，本件明細書には，本件発明１について，①保
護回路を構成する薄膜トランジスタを保護し，②表示部の薄膜トランジ
スタにかかる過大な電圧を速やかに取り除くことができ，③保護回路の
薄膜トランジスタを表示部の薄膜トランジスタの作製と同時に作製する
ことができるとの作用効果についての記載はないと判断できる。
まず，本件明細書には，保護回路を構成する薄膜トランジスタ自体を
保護する点の作用効果に関する記載はなく，その点の示唆もない。確か
に，薄膜トランジスタのゲートとソース又はドレインの一方を電気的に
接続する酸化物半導体膜（Ｒ２）が存在することにより，Ｒ２による電
圧降下の分だけ，薄膜トランジスタに印加される電圧は低くなるが，Ｒ
２は，あくまでも，Ｒ１との間で電圧を分圧して薄膜トランジスタのゲ
ートに印加される電圧を所望値に設定するためのものとして記載されて
いるのであり，これを，保護回路を構成する薄膜トランジスタ自体を保
護するためのものと理解することはできない。
また，本件明細書には，表示部の薄膜トランジスタにかかる過大な電
圧を速やかに取り除くことができる点についての作用効果に関する記載
はなく，その点の示唆もない。本件明細書の記載によれば，薄膜トラン
ジスタを用いた保護回路が，正常な駆動電圧は表示装置に通過させるが ，
過大な電圧は通過させず，適切にバイパスさせるように動作するために
は，Ｒ１，Ｒ２の抵抗値を適切に設定することが必要であり，薄膜トラ
ンジスタのソース・ドレイン間の抵抗値が無視できない場合は，少なく
ともそれとの関係も考慮する必要があるが，本件明細書の特許請求の範
囲の請求項１は，この点について何らの規定もない 請求項２∼１７も ，
（
同様である。 。
）
さらに，本件明細書には，保護回路の薄膜トランジスタを表示部の薄
膜トランジスタの作製と同時に作製することができる点についての作用
効果に関する記載はなく，その点の示唆もない。本件明細書の特許請求
の範囲の請求項１にも，保護回路の薄膜トランジスタとアクティブマト
リクスの表示部の薄膜トランジスタとの関係について，何ら規定がない
（請求項２∼１７も，同様である 。 。
）
(イ) 以上のとおり，本件発明１が，上記①ないし③の作用効果を有する
ことを前提とする原告の主張は，本件明細書又は特許請求の範囲の記載
に基づかないものであって，いずれも採用することができない。
エ 原告の提出したシミュレーション結果について
(ア) シミュレーション報告書（甲１３）
シミュレーション報告書は，①保護回路のＲ１，Ｒ２の抵抗値を１０
２
Ω∼１０ ５Ωに設定しているが，本件明細書の段落【００２５】の説明
では，Ｒ１，Ｒ２の大きさは１０ １２Ω程度とされており，７桁も値が異
なるが，他方，保護回路の抵抗値を１０ ２Ω∼１０ ５Ωの程度に設定する
ことが必須であるとすれば，本件明細書の段落【００２５】に記載され
た具体例では，抵抗が大きすぎて静電気を逃がすことができず，保護回
路として機能しないので整合しない点，②薄膜トランジスタのソース・
ドレイン間の抵抗が無視できず，Ｒ１とＲ２の抵抗値の比だけでは薄膜
トランジスタのゲートに印加される電圧は決まらないことを示している
が，これは，薄膜トランジスタのソース・ドレイン間の抵抗は無視でき ，
ゲートに印加される電圧がＲ１とＲ２の抵抗値の比で決まるという本件
明細書の段落【００１７】の説明と整合しない点，③仮定したパラメー
タの下での保護回路の電気的特性を示したにすぎず，これがアクティブ
マトリクス型表示装置の表示部の保護回路として機能するかどうかにつ
いては検討されていない点，などにおいて原告の主張を裏付けるものと
はいえない。
のみならず，同シミュレーションの結果は，シミュレーションで仮定
したパラメータの下では，Ｒ１とＲ２の抵抗値の比だけでは薄膜トラン
ジスタを動作させる電圧が決まらないばかりか，薄膜トランジスタのソ
ース・ドレイン間の動作抵抗自体がゲートに印加する電圧に依存して大
きく変動し，逐一シミュレーションをしない限り，保護回路として機能
するか否かを確認できないことを示すものである。
(イ) 追加シミュレーション報告書（甲１４）
追加シミュレーション報告書は，①人体の静電気により高電圧が印加
されるとの前提で，Ｒ１とＲ２の抵抗値を変化させた場合の保護回路の
時間応答特性（過渡現象）を評価したものであるが，そもそも，保護回
路の時間応答特性の問題は，本件明細書に記載も示唆もされていない点 ，
②甲１５の１７４頁に記載されているように，人体モデルは，一般に，
１００ｐＦの容量と１．５×１０ ３Ωの抵抗との直列回路で表現される
が，追加シミュレーションでは，人体モデルを，抵抗を無視して１００
ｐＦの容量のみで表現しており，妥当なものとはいえない点，③本件明
細書の段落【００１０】の記載によれば，過大な電圧とされる値は，薄
膜トランジスタの構造によって大きく変化するとされているにもかかわ
らず，追加シミュレーションでは，過大な電圧の下限値を５０Ｖに設定
している点，④さらに，甲１４の図４から，電圧が５００Ｖから５０Ｖ
まで降下するまでの時間がＲ１の値に依存することが理解できるとこ
ろ，下限値が，例えば，４０Ｖと仮定して図４をみると ，Ｒ１が１０ ５Ω
の場合，電圧降下に要する時間は，図４に表示された時間範囲に収まら
ないほど大きくなる点など，において原告の主張を裏付けるものとはい
えない。のみならず，追加シミュレーションの結果は，保護回路の時間
応答特性が，素子のパラメータの値や電圧の設定値によって大きく変動
することを示すものであるから，原告主張の効果を裏付けるものとは到
底いえない。
(ウ) 甲１４に係る主張，立証の可否について
被告は，弁論準備手続の終結後に原告から書証の申し出がされた甲１
４及びこれに基づく原告の主張に対し，時機に後れた攻撃防御方法であ
るので許されないと主張する。しかし，甲１４は，専門委員の立会いの
下で行われた第５回弁論準備手続期日において，同期日において取り調
べられた甲１３について ，指摘された問題点に関連して ，原告において ，
これを補足する趣旨で作成されたものであること，弁論準備手続の終結
に際して，その提出が予告されていたことに照らせば，故意又は重大な
過失により時機に後れて提出されたとはいえないし，その内容に照らせ
ば，訴訟の完結を遅延させるものということもできない。
(3) 相違点の判断の誤りについて
原告は，引用発明の薄膜トランジスタのソース又はドレイン電極の一方と
薄膜トランジスタのゲートにつき，酸化物半導体膜のみを介した接続にする
ことは困難であり，本件発明１を容易想到であるとした審決の判断は誤りで
ある旨主張する。
しかし，原告の主張は，以下のとおり理由がない。
ア 前記(1)記載のとおり ，ＩＴＯ膜等の酸化物半導体膜は ，金属材料に比べ
て導電性は劣るものの，導電膜として用いることは，本件出願日当時にお
いて周知の技術であった。
そして，弁論の全趣旨によれば，一般に，半導体装置に用いられる導電
材料として，各種金属，金属珪化物，多結晶シリコンが知られており，目
的とする半導体装置に要求される特性（導電膜の電流容量，導電性，密着
性等）や製造の容易性（同時形成等）を考慮して，具体的に用いる材料が
選択されるものであり，例えば，大きな電流容量の要求される部分に導電
性の高い金属材料が用いられ，そうでない部分に多結晶シリコン（甲４）
が使われていたと認められる。
ＩＴＯ膜は，その光透過性から，多くの場合に，透明性が要求される画
素電極に用いられていたものであるが（甲３ ，５） 画素電極に適している
，
ことは，他の部分の導電膜として使用できないことを意味しないことは明
らかである。本件明細書の段落【０００８】にも記載されているように，
高電圧の原因となる静電気は電流容量自体は小さいことから，静電気を逃
がすための導電膜は，必ずしも金属である必要はない。
そして，引用発明においても，本件発明１と同様に，薄膜トランジスタ
を用いた保護回路はアクティブマトリクスの表示部の周辺に設けられてお
り，これを作製するに当たり，酸化物半導体膜を形成する工程を要するこ
とは自明であるから，引用発明において，保護回路の薄膜トランジスタの
電極の接続に酸化物半導体膜を採用する契機こそあれ，それを妨げる事情
があるということはできない。
したがって，動機付けの欠如及び阻害要因の存在をいう原告の主張は，
採用することができない。
イ 原告は，本件発明１の効果は，保護回路の薄膜トランジスタのソース及
びドレインの一方に設けられた電極とゲートという特定の部材の接続にお
いて ， 酸化物半導体膜 」
「 という特定の材料の被膜を採用したことによって
はじめて得られる相乗的な効果であって，引用発明から予測できるもので
はないと主張する。
しかし，原告主張の効果はいずれも根拠を欠くことは ，前記(2)において
述べたとおりである。
(4) 以上のとおりであるから，審決における本件発明１の容易想到性の判断に
誤りはなく，原告主張の取消事由１は理由がない。
２ 取消事由２（本件発明２ないし１７の容易想到性の判断の誤り）について
原告は，審決が，本件発明２ないし１７の容易想到性の判断に当たり，本件
発明１と同様の誤りをした旨主張する。
しかし，本件発明１の容易想到性についての審決の判断に誤りのないことは
前記１のとおりである。そして，本件発明２ないし１７の容易想到性について
の審決の各判断も，本件発明１と同様に，これを是認できることは，前記１に
おいて検討したところに照らし，明らかである。
したがって，本件発明２ないし１７についての審決の各判断はこれを是認す
ることができる。原告主張の取消事由２は理由がない。
３ 結論
(1) 特許法１８１条２項に基づいて審決を取り消さなかった点について補足し
て述べる。
原告は，本訴を提起した上，平成１８年８月３０日に，本件特許に係る明
細書を訂正する訂正審判（訂正２００６−３９１４１号事件，以下「訂正審
判」という 。 を請求し ，特許法１８１条２項により審決を取り消す旨の決定
）
を求めた。
しかし，当裁判所は，以下の理由により，特許無効審判においてさらに審
理させることが相当であるとは認められないと判断した。
すなわち，①訂正審判に係る訂正後の特許請求の範囲は，本件訂正におい
て特許請求の範囲に付加した構成について，その付加した構成の一部を撤回
するものであって，原告自ら，いったん特許請求の範囲に含まれないものと
して除外する旨承認した態様を包含するものとしていること，②訂正審判に
係る訂正では ，訂正後の請求項１は， 前記表示部は ，画素電極と ，前記画素
「
電極に電気的に接続された駆動装置と，前記駆動装置に電気的に接続された
信号線とを有し， 「該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方には，
」
該薄膜トランジスタのゲートがＩＴＯ膜を介して電気的に接続されるととも
に，前記ＩＴＯ膜を通じて前記信号線からの電圧が印加され ， 「前記ＩＴＯ
」
膜と前記表示部の前記画素電極とは，同一の材料でなる 」との構成を付加し ，
「酸化物半導体膜」を「ＩＴＯ膜」に限定する特許請求の範囲の記載として
いるが，その点を考慮したとしてもなお，進歩性を肯定する余地はなく（既
に，本件発明５との関係で審判官の判断が示され，この判断に誤りがないこ
とは，前記のとおりである。 ，その他進歩性の判断に影響を与えるような格
）
別のものは存在しないこと等を総合考慮すると，本件特許の請求項１ないし
１７に係る発明についての特許を無効にすることについて，特許無効審判に
おいてさらに審理させることが相当である事情は存在しないものと判断し
た。
(2) 以上のとおりであって，原告主張の取消事由はいずれも理由がなく，審決
に，これを取り消すべき誤りは認められない。その他，原告は縷々主張する
がいずれも理由がない。
したがって ，原告の本訴請求は理由がないから，これを棄却することとし ，
主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第３部
裁判長裁判官 飯 村 敏 明
裁判官 大 鷹 一 郎
裁判官 嶋 末 和 秀