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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第534位 70件
(2016年:第430位 81件)
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第351位 79件
(2016年:第477位 59件)
(ランキング更新日:2025年8月25日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 6194426 | オプトエレクトロニクス部品およびその製造方法 | 2017年 9月 6日 | |
特許 6188919 | オプトエレクトロニクス半導体チップ及びオプトエレクトロニクス半導体部品 | 2017年 8月30日 | |
特許 6190051 | 変換要素の製造方法 | 2017年 8月30日 | |
特許 6184582 | IN−BI−AG接合層を形成するための等温凝固反応を用いた接合パートナーの接合方法及び対応する複数の接合パートナーの配置構成 | 2017年 8月23日 | |
特許 6184586 | 活性ゾーンを有する半導体積層体を円柱状構造上に備えた発光アセンブリ | 2017年 8月23日 | |
特許 6181292 | 粉末状の前駆材料を製造する方法、粉末状の前駆材料およびその使用方法 | 2017年 8月16日 | |
特許 6177333 | 半導体層の領域の分割方法 | 2017年 8月 9日 | |
特許 6177420 | 電磁放射を放出するモジュールの製造方法、及び、電磁放射を放出するモジュール | 2017年 8月 9日 | |
特許 6177433 | 変換要素を備えたオプトエレクトロニクス部品の製造方法 | 2017年 8月 9日 | |
特許 6173501 | ESD保護方策が組み込まれた放射放出半導体チップ | 2017年 8月 2日 | |
特許 6165881 | ALD層によって封止したオプトエレクトロニクス半導体チップおよび対応する製造方法 | 2017年 7月19日 | |
特許 6165884 | 半導体積層体および半導体積層体の製造方法 | 2017年 7月19日 | |
特許 6161709 | 複数のオプトエレクトロニクス半導体素子を製造するための方法 | 2017年 7月12日 | |
特許 6161800 | レーザ部品およびその製造方法 | 2017年 7月12日 | |
特許 6147336 | オプトエレクトロニクス半導体チップのための活性領域を製造するための方法 | 2017年 6月14日 |
79 件中 31-45 件を表示
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6194426 6188919 6190051 6184582 6184586 6181292 6177333 6177420 6177433 6173501 6165881 6165884 6161709 6161800 6147336
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