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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第27位 1443件 (2011年:第31位 1339件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第39位 834件 (2011年:第47位 638件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2012-94688 | 半導体装置およびその製造方法 | 2012年 5月17日 | |
特開 2012-94666 | 光モジュール | 2012年 5月17日 | |
特開 2012-94542 | 超電導ケーブル、および超電導ケーブルの接続部 | 2012年 5月17日 | |
特開 2012-94382 | 非水電解質一次電池、およびその製造方法 | 2012年 5月17日 | |
特開 2012-95408 | 昇降圧回路および電力変換装置 | 2012年 5月17日 | |
特開 2012-95089 | 局側装置、宅側装置、光通信システム、および光通信システムの制御方法 | 2012年 5月17日 | |
特開 2012-87379 | マグネシウム合金 | 2012年 5月10日 | |
特開 2012-87341 | 被覆体 | 2012年 5月10日 | |
特開 2012-89764 | 車載電子装置 | 2012年 5月10日 | |
特開 2012-86988 | ダイヤモンドの剥離方法 | 2012年 5月10日 | |
特開 2012-88356 | 光ファイバ心線及びそれを備えた光電気複合ケーブル | 2012年 5月10日 | |
特開 2012-87034 | ガラス母材の製造方法 | 2012年 5月10日 | |
特開 2012-87033 | ガラス母材の製造方法 | 2012年 5月10日 | |
特開 2012-86999 | 光ファイバ及び光ファイバ用ガラス母材の製造方法 | 2012年 5月10日 | |
特開 2012-89706 | III族窒化物半導体光素子、III族窒化物半導体光素子を形成する方法、III族窒化物半導体膜を成長する方法及びエピタキシャル基板 | 2012年 5月10日 |
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2012-94688 2012-94666 2012-94542 2012-94382 2012-95408 2012-95089 2012-87379 2012-87341 2012-89764 2012-86988 2012-88356 2012-87034 2012-87033 2012-86999 2012-89706
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1月31日(金) -
1月31日(金) -
2月4日(火) - 東京 港区
2月4日(火) - 神奈川 川崎市
2月4日(火) -
2月4日(火) -
2月5日(水) - 東京 港区
2月5日(水) -
2月5日(水) -
2月5日(水) -
2月6日(木) - 東京 港区
2月6日(木) -
2月7日(金) -
2月7日(金) - 東京 港区
2月7日(金) - 神奈川 横浜市
2月7日(金) -