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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第81位 527件
(2011年:第101位 441件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第168位 229件
(2011年:第195位 187件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5056379 | コネクタ | 2012年10月24日 | |
特許 5051355 | プリント配線基板の製造方法 | 2012年10月17日 | |
特許 5051455 | エピタキシャル成長用窒化物半導体基板の製造方法 | 2012年10月17日 | |
特許 5051360 | 絶縁電線及びケーブル | 2012年10月17日 | |
特許 5050710 | コーティング材及び高撥水・高しゅう動性製品 | 2012年10月17日 | |
特許 5050797 | フレキシブルプリント配線板 | 2012年10月17日 | |
特許 5050753 | めっき性に優れた電気・電子部品用銅合金の製造方法 | 2012年10月17日 | |
特許 5046481 | 半導体装置及びその製造方法 | 2012年10月10日 | 共同出願 |
特許 5045955 | III族窒化物半導体自立基板 | 2012年10月10日 | |
特許 5045195 | 圧電薄膜積層体及び圧電薄膜素子 | 2012年10月10日 | |
特許 5045149 | 高撥水・高しゅう動性コーティング部材及びその製造方法並びにこれを用いた高撥水・高しゅう動性製品 | 2012年10月10日 | |
特許 5044902 | 圧電薄膜素子 | 2012年10月10日 | |
特許 5038765 | 太陽電池用はんだめっき線及びその製造方法 | 2012年10月 3日 | 共同出願 |
特許 5042871 | 金属箔材の製造方法 | 2012年10月 3日 | 共同出願 |
特許 5041159 | 化合物半導体の製造方法、半導体レーザダイオード及びAlGaN系超格子構造 | 2012年10月 3日 |
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5056379 5051355 5051455 5051360 5050710 5050797 5050753 5046481 5045955 5045195 5045149 5044902 5038765 5042871 5041159
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