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株式会社半導体エネルギー研究所
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第34位 1161件
（
2012年：第31位 1203件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第34位 975件
（
2012年：第40位 784件）
（ランキング更新日：2025年2月28日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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株式会社半導体エネルギー研究所の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2013-62809 | 論理回路および半導体装置 | 2013年 4月 4日 | |
| 特開 2013-62014 | 半導体装置 | 2013年 4月 4日 | |
| 特開 2013-61676 | 表示装置 | 2013年 4月 4日 | |
| 特開 2013-61667 | 表示装置 | 2013年 4月 4日 | |
| 特開 2013-61663 | 表示装置 | 2013年 4月 4日 | |
| 特開 2013-61654 | 半導体装置 | 2013年 4月 4日 | |
| 特開 2013-62846 | 半導体装置 | 2013年 4月 4日 | |
| 特開 2013-62553 | トランジスタ | 2013年 4月 4日 | |
| 特開 2013-62536 | 発光装置 | 2013年 4月 4日 | |
| 特開 2013-62533 | 非線形素子 | 2013年 4月 4日 | |
| 特開 2013-62529 | 半導体素子 | 2013年 4月 4日 | |
| 特開 2013-62520 | 酸化物半導体層、半導体装置 | 2013年 4月 4日 | |
| 特開 2013-62517 | 半導体装置の作製方法 | 2013年 4月 4日 | |
| 特開 2013-62499 | ＳＯＩ基板の作製方法 | 2013年 4月 4日 | |
| 特開 2013-62461 | パワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ | 2013年 4月 4日 |
1161 件中 841-855 件を表示
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2013-62809 2013-62014 2013-61676 2013-61667 2013-61663 2013-61654 2013-62846 2013-62553 2013-62536 2013-62533 2013-62529 2013-62520 2013-62517 2013-62499 2013-62461
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