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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第109位 428件
(2011年:第126位 355件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第43位 768件
(2011年:第69位 462件)
(ランキング更新日:2025年5月30日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5065296 | リソースのフリープールをモデル化するための方法 | 2012年10月31日 | |
特許 5065056 | ワークフローを処理するための方法、コンピュータ・プログラム、およびシステム(ワークフロー・システムへのデータ管理動作の統合) | 2012年10月31日 | |
特許 5065344 | シミュレーション方法、システム及びプログラム | 2012年10月31日 | |
特許 5065259 | 企業情報システムとクライアントとの間の通信に役立つ装置、システム、方法、およびコンピュータプログラム(企業情報システムとクライアントとの間の通信に役立つ装置、システム、および方法) | 2012年10月31日 | |
特許 5065050 | クライアント・サーバ・システムにおける負荷分散 | 2012年10月31日 | |
特許 5065385 | トランスポンダおよび前記トランスポンダを有するシステム | 2012年10月31日 | |
特許 5065295 | 異なる仮想マシン・イメージ間でファイルを共有するための方法、システム、およびコンピュータ読み取り可能媒体 | 2012年10月31日 | |
特許 5064927 | 参加ベースのプログラムおよびユーザの参加レベルを集約するためのインターフェース | 2012年10月31日 | |
特許 5064766 | せん断応力を加えるための、半導体表面から異なる深さに誘電体ストレッサ要素を有するトランジスタ | 2012年10月31日 | |
特許 5063709 | 逆連結符号化システム、方法、及びコンピュータ・プログラム | 2012年10月31日 | |
特許 5063352 | 高移動性バルク・シリコンPFET | 2012年10月31日 | |
特許 5064689 | 半導体基板の埋設分離領域を形成する方法及び埋設分離領域をもつ半導体デバイス | 2012年10月31日 | |
特許 5063114 | プレーナ型ハイブリッド配向基板を形成する方法 | 2012年10月31日 | |
特許 5063365 | 電流密度増強層(CDEL)を有する薄膜抵抗器 | 2012年10月31日 | |
特許 5063113 | 半導体構造、二重仕事関数のCMOSデバイス、二重仕事関数のCMOS回路、および基板上に二重仕事関数のCMOSデバイスを形成する方法(炭化金属ゲート構造および形成方法) | 2012年10月31日 |
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5065296 5065056 5065344 5065259 5065050 5065385 5065295 5064927 5064766 5063709 5063352 5064689 5063114 5063365 5063113
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