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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第103位 471件
(2012年:第109位 428件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第47位 767件
(2012年:第43位 768件)
(ランキング更新日:2025年5月29日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5243836 | マイクロプロセッサにおける種々の命令タイプを対象としたユニバーサル・レジスタ・リネーム機構 | 2013年 7月24日 | |
特許 5243822 | 仮想化されたデータ処理環境におけるワークロード管理 | 2013年 7月24日 | |
特許 5243804 | 構成要素を管理するためのコンピュータ・システム、並びにその方法及びコンピュータ・プログラム | 2013年 7月24日 | |
特許 5243783 | コミュニティ・システム、コミュニティ・システムの活動記録方法、及びコミュニティ・システムの活動記録用プログラム | 2013年 7月24日 | |
特許 5243779 | 適応的スペル・チェックのためのシステム及び方法 | 2013年 7月24日 | |
特許 5243913 | 移動体との間で情報交換を行う装置及び方法 | 2013年 7月24日 | |
特許 5246831 | 電子デバイス及びそれを形成する方法 | 2013年 7月24日 | |
特許 5244129 | 半導体チップのためのコンタクト電極を形成する方法 | 2013年 7月24日 | |
特許 5244128 | 電界効果トランジスタ(FET)の製造方法、n型およびp型電界効果トランジスタ | 2013年 7月24日 | |
特許 5244126 | 半導体ナノ構造体、半導体デバイス及びそれらを形成する方法 | 2013年 7月24日 | |
特許 5244115 | 電気ヒューズ及びその作成方法 | 2013年 7月24日 | |
特許 5243757 | 垂直型電界効果トランジスタ・アレイ及びその製造方法 | 2013年 7月24日 | |
特許 5243755 | シリコン・オン・インシュレータ基板上に形成された薄膜相変化メモリ・セル、その形成方法、および1つ以上のメモリ・セルを含む集積回路 | 2013年 7月24日 | |
特許 5236054 | 光リンク及びその製造方法(2つのX型カップラーの間にループを形成した冗長化記憶に利用できるもの) | 2013年 7月17日 | |
特許 5241924 | 有効期限管理の方法およびシステム | 2013年 7月17日 |
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5243836 5243822 5243804 5243783 5243779 5243913 5246831 5244129 5244128 5244126 5244115 5243757 5243755 5236054 5241924
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5月29日(木) - 東京 港区
5月29日(木) - 東京 品川区
5月29日(木) - 東京 新宿区
5月29日(木) -
5月29日(木) -
5月30日(金) -
5月30日(金) -
5月29日(木) - 東京 港区
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月5日(木) -
6月6日(金) -
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