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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第3位 6655件 (2012年:第3位 6349件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第5位 4498件 (2012年:第5位 4366件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5364336 | 半導体記憶装置 | 2013年12月11日 | |
特許 5362064 | 再生装置、および再生方法 | 2013年12月11日 | |
特許 5367739 | 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ | 2013年12月11日 | |
特許 5364771 | 光半導体装置及びその製造方法 | 2013年12月11日 | |
特許 5367641 | 不揮発性半導体記憶装置 | 2013年12月11日 | |
特許 5364342 | 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法 | 2013年12月11日 | |
特許 5364739 | 不揮発性抵抗変化素子 | 2013年12月11日 | |
特許 5364394 | 不揮発性半導体記憶装置 | 2013年12月11日 | |
特許 5362062 | 位置制御装置及びこれを用いたディスク装置 | 2013年12月11日 | |
特許 5367400 | 半導体記憶装置、及びその製造方法 | 2013年12月11日 | |
特許 5367459 | 半導体撮像装置 | 2013年12月11日 | |
特許 5364818 | 半導体発光素子及びその製造方法 | 2013年12月11日 | |
特許 5364407 | 不揮発性記憶装置及びその製造方法 | 2013年12月11日 | |
特許 5367487 | アンテナ装置 | 2013年12月11日 | |
特許 5367593 | ガス絶縁母線 | 2013年12月11日 |
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5364336 5362064 5367739 5364771 5367641 5364342 5364739 5364394 5362062 5367400 5367459 5364818 5364407 5367487 5367593
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12月5日(木) - 東京 港区
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12月6日(金) - 愛知 豊橋市花田町
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12月10日(火) - 東京 港区
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12月11日(水) - 東京 港区
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ビジネスの実務で役立つ技術契約の基礎知識と実例 ~秘密保持契約、共同研究開発、共同出願契約、製造委託契約、特許ライセンス契約~
12月12日(木) - 東京 千代田
12月12日(木) -
12月12日(木) -
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12月13日(金) - 東京 品川
12月13日(金) -
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